TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Objetivos
Anlizar y comprender la forma de trabajo de los FET
Determinar la relacin existente entre un transistor bipolar y un transistor de efecto de
campo(FET).
Conocer el modo de empleo de este dispositivo a nivel industrial.

Marco teorico


El transistor de efecto campo (Field-Effect
Transistor o FET, en ingls) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo
elctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas
por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las
tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina
semiconductora como la regin activa o canal. La
regin activa de los TFT (thin-film transistor, o
transistores de pelcula fina) es una pelcula que se
deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como
pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor),
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET) Tienen tres
terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta
como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no
absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea
en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis
y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de
dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al
transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo
MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos
integrados o chips digitales.
Tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador
y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo
mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los
transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente
SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una
barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure
FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del
transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun
as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado
diseado para otorgar una recuperacin
ultra rpida del transistor.por eso
tenemos lareferencia
Los DNAFET es un tipo especializado de
FET que acta como biosensor, usando
una puerta fabricada de molculas de
ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales
La caracterstica de los TFT que los
distingue, es que hacen uso del silicio
amorfo o del silicio policristalino



VR1=10.4 I=1.54uA
VR2=1.62 I=1.54uA
VGS=-0.68
VRD=3.45 I=1.01mA
VRS=2.3 I=1.01mA







JFET
2N5459
R 2
1M
RS
2.2k
RD
3.3k
R 1
6.8M
+12v
Conclusions
o Es difcil que los valores reales y los simulados, den exactamente igual, ya que al armar el circuito en
protoboard se puede incurrir en ciertos errores, adems los valores reales de las resistencias incluyen
cierto porcentaje de inexactitud o incertidumbre.
o Cuando utilizamos la configuracin de polarizacin automtica (por divisor de voltaje), podemos
asumir que la corriente de la compuerta es 0 (cero) ampere, ya que as permitimos un aislamiento
entre la red de divisor de voltaje y la seccin de salida.
o Se pudo realizar las mediciones en los circuitos con transistores de efecto de campo de este
laboratorio, haciendo ver las diferencias que existen en Vds e ID al variar el voltaje VGS.
o Con los resultados obtenidos en el laboratorio pudimos graficar en nuestro caso con Excel los diversos
parmetros de un MOSFET y ver la manera en la que cada una de ellas se comporta, ya sea variando
dos de ellas, mientras que la otra se mantiene constante, mayormente el voltaje compuerta-fuente.
o En el caso de un amplificador NMOS utilizado en la tercera parte podemos decir que es un tipo de
amplificador de baja seal, en donde los puntos extremos de tensin (Vgs) determinan los puntos de
mxima excursin de Q.
o Es necesario en un circuito de amplificacin con un NMOS que la corriente directa se polarice para
poderse amplificar correctamente el Vi