UNIVERSIDAD POLITCNICA DE SINALOA

MECATRNICA

Diodos Semiconductores
Electrnica Analgica

Ing. Jess Gabriel Bernal Villanueva



3-1
Alan Toms Madrid Corrales
Kevin de Jess Delgado Hernndez
Enrique Alejandro Hermosillo Vzquez
Omar Elaid Gonzales Grave
Mazatln, Sinaloa a 19 de Mayo de 2014
ndice
Introduccin .............................................................................. 1

1. Diodo Semiconductor ..................................................... 2


2. Curva caracterstica del diodo ...................................... 5


3. Tipos de diodos y simbologa ........................................ 7


4. Comportamiento del diodo rectificador ........................ 11


5. Aplicaciones de los diodos ............................................ 14

6. Rectificadores monofsicos ........................................... 17

7. Circuitos recortadores .................................................... 24

Conclusiones ........................................................................... 28

Bibliografa ................................................................................ 29
1


INTRODUCCION
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica tensin-corriente
no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que
una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin pn. La terminal que
corresponde con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n" es el
ctodo.
El diodo est compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al
que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza
para variar sus propiedades de semiconductor.
Los tomos de estos semiconductores tienen cuatro electrones sueltos en su capa
de valencia, lo cual les confiere sus cualidades semiconductoras, al unirse estos
tomos de silicio o germanio por enlace covalente, quedan con la configuracin
electrnica de gas noble, es decir con ocho electrones de valencia en su ltima
capa. Cuando dopamos estos cristales con tomos de ms de cuatro electrones
de valencia, quedan electrones sueltos de la capa de valencia al crear enlaces
covalentes y cuando dopamos estos cristales con tomos de menos de cuatro
electrones en su capa de valencia quedan huecos al crear estos enlaces
covalentes.

2

1. DIODO SEMICONDUCTOR
Definicion

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede
encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. En el momento en que
se unen, se combinan los huecos y los electrones en la regin de la unin, y como
consecuencia se origina una carencia de portadores libres en la regin cercana a
la unin.

La regin de la unin en donde se combinan los huecos y los electrones se
conoce como regin de agotamiento, ya que prcticamente deja de haber
portadores de carga libres.

Principio de operacin del diodo semiconductor

Como el diodo consta de dos terminales, se tienen tres opciones con relacin a la
aplicacin de potencial externo:
a) Sin polarizacin (V
D
= 0 v)
b) Polarizacin directa (V
D
> 0 v)
c) Polarizacin inversa (V
D
< 0 v).

Sin aplicacin de polarizacin (VD = 0 v)
Bajo estas condiciones, tanto los portadores minoritarios como los mayoritarios de
ambos lados de la unin tendern a cruzar la unin combinndose con los iones
correspondientes de la regin opuesta. Se observa que las magnitudes relativas
de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en cualquier direccin es cero.
Dicha cancelacin se indica mediante las lneas cruzadas, Fig. 1.1. La longitud
del vector del flujo de huecos se dibuja mayor que la del flujo de electrones para
demostrar que la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que se
puedan cancelar y que adems, los niveles de impurezas de cada material pueden
ocasionar un flujo desigual de huecos y electrones. As que: En ausencia de
voltaje de polarizacin en el diodo, el flujo neto de carga en cualquier direccin es
cero.




Fig. 1.1 Diodo sin polarizacin externa.
3

Con polarizacin inversa (V
D
< 0)

Debido al tipo de polarizacin aplicado el nmero de iones (tomo que carecen de
un electrn o bien tienen un excedente de un electrn) en cada regin de
agotamiento de la unin se incrementar debido al flujo de portadores mayoritarios
atrados por el potencial aplicado en su regin. El efecto neto es el crecimiento de
la regin de agotamiento, con lo que se establecer una barrera que detendr el
paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una reduccin a
cero del flujo de stos como se ve en la Fig. 1.2.



Fig. 1.2 Diodo polarizado inversamente.

Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran en la regin de
agotamiento no cambia, con lo que resultan vectores de flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud indicada en la Fig. 1.1, sin voltaje aplicado.

La corriente que se forma bajo una situacin de polarizacin inversa se conoce
como corriente de saturacin inversa y se representa con I
S
.

La corriente I
S
rara vez es mayor a unos cuantos micro amperes excepto para el
caso de dispositivos de alta potencia. El nombre de saturacin se debe a que
rpidamente alcanza su mximo nivel y a que no cambia de forma importante con
incrementos del potencial de polarizacin, como se muestra en la Fig. 1.2, cuando
V
D
< 0. Observe en la Fig. 1.3 que la direccin de I
S
es contraria a la flecha del
smbolo del diodo.



Fig. 1.3 Polarizacin inversa del diodo semiconductor.

4


Polarizacin directa (V
D
> 0)

Un diodo se encuentra polarizado directamente cuando se establece una
asociacin material tipo p con terminal positiva de la fuente y material tipo n con
terminal negativa de la fuente como el que se ve en la Fig. 1.4.



Fig. 1.4 Diodo polarizado directamente.

La polarizacin directa causa que los portadores mayoritarios de ambas regiones
se recombinen con los iones cercanos a la unin, lo que reduce el ancho de la
regin de agotamiento. El flujo de portadores minoritarios a travs de la unin no
vara significativamente ya que depende del nivel de impurezas del material; sin
embargo, la reduccin del ancho de la regin de agotamiento provoca un alto
incremento del flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin. Conforme se
incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, continua reducindose la
regin de agotamiento, hasta que los portadores mayoritarios cruzando la unin
crece exponencialmente.
La corriente circula a travs del diodo hacindolo actuar como un corto.









5

2. CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Fig. 2.1 Curva caracterstica del diodo semiconductor de silicio.

Conforme se incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, continua
reducindose la regin de agotamiento, hasta que los portadores mayoritarios
cruzando la unin crece exponencialmente. La ecuacin que expresa la corriente
a travs de la unin es:
I
D
= I
S
(

- 1)

Donde: I
S
, es la corriente de saturacin inversa
k es 11, 600 /; donde = 1 para Ge y = 2 para Si, para niveles de
corriente de diodo relativamente bajos (en o abajo del punto de inflexin de la
curva) y = 1 para Ge y si para niveles de corriente de diodo mayores (para la
seccin de crecimiento rpido de la curva).
T
K
= T
C
+ 273

Para explicar mejor los componentes de cada regin, la ecuacin se puede
escribir de la forma siguiente:
I
D
= I
S

- I
S

6


Para V
D
> 0. El primer trmino de la ecuacin crecer rpidamente y
sobrepasar el efecto contrario del segundo trmino.

Para V
D
= 0. La ecuacin queda I
D
= I
S
(

- 1) = I
S
(1- 1) = 0 mA.

Para V
D
< 0. El primer trmino de la ecuacin rpidamente cae a niveles
inferiores a I
S
, por lo que I
D
= - I
S
, lo que se representa con la lnea
horizontal de la Fig. 2.1.

As mismo se puede ver que la curva del dispositivo real est ligeramente
desplazada a la derecha con una magnitud de algunas dcimas de volt. Esto se
debe a la resistencia interna del cuerpo del diodo y a la resistencia externa del
contacto mismo. Cada resistencia contribuye a obtener un voltaje adicional con
el mismo nivel de corriente como lo determina la Ley de Ohm.


Fig. 2.2 Curvas de diodos Si, Ge, GaAs.

7

3. TIPOS DE DIODOS Y SIMBOLOGIA

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

Fig. 3.1

Los diodos detectores (Fig. 3.1) tambin denominados
diodos de seal o de contacto puntual, estn hechos
de germanio y se caracterizan por poseer una unin
PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por
ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la
componente de baja frecuencia (informacin audible).
Esta operacin se denomina deteccin.
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores (Fig. 3.2) son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen.
Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal.



Fig. 3.2
DIODO ZNER
Un diodo zener (Fig. 3.3) es un semiconductor que se distingue por su capacidad de
mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados
inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con
capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El
diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.



Fig. 3.3
8

DIODO VARACTOR
El diodo varactor (Fig. 3.4) tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es
un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como
condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles
como elementos de sintona en receptores de radio y televisin variante de los mismos
son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.




Fig. 3.4
DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs)
Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje (Fig. 3.5). Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este
se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o
azul dependiendo de su composicin.



Fig. 3.5
DIODO LSER
Los diodos lser (Fig. 3.6), tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son
LEDs que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja, fuertemente
concentrada, enfocada, coherente y potente.



Fig. 3.6

9

DIODO ESTABILIZADOR
Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de
tensin correspondiente a su tensin umbral (Fig. 3.7) .Trabajan en polarizacin directa y
estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos Zner.



Fig. 3.7
DIODO TNEL
Los diodos tnel (Fig. 3.8), tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por
poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una
regin de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el
voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc.,en aplicaciones de alta frecuencia.



Fig. 3.8
DIODO PIN
Su nombre deriva de su formacin P (material P), I (zona intrnseca) y N (material N) Los
diodos PIN (Fig. 3.9) se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje
y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos
TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias
muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes est limitada por
su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar
la unin PN.



Fig. 3.9
10

DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de resistencia
negativa similar a las de los diodos tnel (Fig. 3.10).



Fig. 3.10
DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky (Fig. 3.11) tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de
portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de
voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se
emplean en fuentes de potencia sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.



Fig. 3.11
FOTODIODOS
Los fotodiodos (Fig. 3.12) son diodos provistos de una ventana transparente cuya
corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz
que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de
portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en
fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.



Fig. 3.12

11

4. COMPORTAMIENTO DE DIODO RECTIFICADOR

Resistencia de CD o esttica
Para un determinado punto de operacin, al aplicar CD, la resistencia esttica del
diodo se define como: RD =
D
D
VD/ID.
La resistencia esttica del diodo en el punto de inflexin y voltajes VD menores a
0.7, ser menor que la que se obtenga en la seccin de crecimiento vertical de la
corriente como se observa en la Fig. 4.1.
En polarizacin inversa, los niveles de resistencia sern muy altos. Por lo tanto, a
menor corriente a travs del diodo mayor es la resistencia esttica.


Fig. 4.1 Determinacin de la resistencia esttica en un cierto punto de
operacin

Resistencia de CA o dinmica
Si en lugar de aplicar CD al diodo se aplica una seal senoidal, por ejemplo, se
tendr una variacin de VD e ID alrededor del punto de operacin Q, como se
observa en la Fig. 4.2.

Fig. 4.2 Definicin de la resistencia dinmica
12

Si dibuja una lnea tangencial sobre Q se podr ver que se tiene una variacin de
VD correspondiente al cambio en ID, as que se define la resistencia dinmica
como: rd =

Para calcular la resistencia mediante una ecuacin se parte de la siguiente
definicin:
La derivada de una funcin en un punto especfico es igual a la pendiente de la
lnea tangencial dibujada en ese punto.
Por lo tanto, la ecuacin de rd antes definida es equivalente a calcular la derivada
de la funcin en el punto Q.
Se puede entonces calcular la derivada de la ecuacin general del diodo (ID)
respecto al voltaje VD, y se obtiene:

)] Y

)
Mediante algunas maniobras bsicas del clculo diferencial. En general, I
D
>>I
S
,
en la seccin de la pendiente vertical de las caractersticas y:

Al sustituir = 1 para el caso del Ge y del Si para la seccin del crecimiento
vertical en las caractersticas, obtendremos:
k
11600

=
11600
1
= 11600
Y a temperatura ambiente:

273 25 273 298

De tal forma:

11600
298
3893
Y

3893

13

Al invertir el resultado para invertir un ndice de resistencia (R=V/I), se obtiene

0026

26

Ge, SI

Si bien, mediante la ecuacin anterior se puede calcular la resistencia dinmica de
forma simple, se debe de tener en cuenta que es para la seccin de crecimiento
vertical de la curva caracterstica del diodo, y es vlida tanto para el Ge como para
el Si.













14

5. APLICACIONES DE LOS DIODOS
Rectificadores
Los diodos se pueden usar para rectificar seales de corriente alterna, y
transformarla a corrientes positivas o negativas de corriente continua con
ayuda de una inductancia. Se utilizan para hacer multimetros o fuentes de
poder de corriente directa, su funcionamiento consiste en no dejar pasar el lado
positivo o negativo de la seal por medio de la resistencia de los diodos, y as
tener una lectura en forma de arco positiva o negativa como se ve en la Fig.
5.1.

Fig. 5.1 Circuito Rectificador

Multiplicadores de Tensin
Un multiplicador de tensin est hecho con diodos y capacitores, sirve para
aumentar el voltaje de entrada de forma multiplicativa. Mientras ms mallas
existan, mas ser el voltaje multiplicado. Consiste en cargar los capacitores para
que sumen mayor voltaje, la seal positiva corre directamente por todas las
mallas, pero deja cargados algunos capacitores, mientras que la seal negativa
provee a los dems capacitores para llenarlos de voltaje y as sumarse con el
voltaje de entrada como se observa en la Fig. 5.2.

Fig. 5.2 Circuito Multiplicador de Tensin
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Recortadores
Nos permite transformar una seal manipulndola para variar su tipo, ya sea
cuadrada o triangular, o sus valores de voltaje pico o pico-pico. Tambin se le
conoce como limitador de voltaje. Normalmente se aplica un cierto voltaje a los
diodos para que estos permitan la entrada de un poco de corriente antes de
mostrar resistencia a la seal, en la Fig. 5.3 se tiene como consecuencia un
recorte horizontal del valor pico en el sentido positivo y negativo.

Fig. 5.3 Circuito Recortador

Compuertas Lgicas
Es posible desarrollar las compuertas lgicas con diodos que sirven para ofrecer
una respuesta lgica booleana de salida de acuerdo a un tipo de seal de entrada,
existen de dos tipos: compuerta de tipo or y compuerta de tipo and, las dos se
basan en una fuente continua y otra cuadrada. El del lado izquierdo de la Fig. 5.4
(la compuerta or) en la salida entrega una respuesta cuando existe una seal de
entrada en cualquiera de los dos diodos, mientras que en del lado derecho de la
Fig. 5.4 (compuerta and) entrega una respuesta solo si en ambos diodos se
recibe una seal de entrada simultneamente.

Fig. 5.4 Compuertas Lgicas Or (Izquierda) y And (Derecha)

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Reguladores de Voltaje o Corriente
El valor del voltaje o de corriente de salida se mantiene constante a pesar de las
variaciones que existan en el voltaje o corriente de entrada, este se logra gracias a
la caracterstica del diodo Zener, que tiene al usarse polarizado inversamente una
tensin o corriente de valor constante como se ve en la Fig. 5.5.

Fig. 5.5 Regulador de Voltaje

Circuito Fijador
Consiste en manipular la seal de entrada y desplazarla de forma vertical gracias
a la variacin de incrementacin del tiempo con respecto al periodo que producen
en conjunto un capacitor, un resistor y un diodo tal y como se observa en la Fig.
5.6.


Fig. 5.6 Circuito Fijador
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6. RECTIFICADORES MONOFASICOS
Circuito rectificador
Tipo de circuito destinado a convertir la corriente alterna (AC) en corriente
continua (DC), los cuales son ampliamente utilizados en la industria para alimentar
motores de corriente continua de altas potencia, as como; su uso en los equipos
electrodomsticos para la alimentacin de sus diferentes circuitos. Su componente
fundamental para disearlos son los diodos rectificadores.
Los circuitos rectificadores pueden clasificarse segn:
Seal de alimentacin
Rectificador monofsico
Rectificador trifsico
Tipo de rectificacin
Media onda
Onda completa

Rectificador monofsico de media onda
Como un diodo ideal puede mantener el flujo de corriente en una sola direccin, se
puede utilizar para cambiar una seal de CA a una de CD. En la Fig. 6.1 se ilustra
un circuito rectificador de media onda simple.
Cuando la tensin de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se
puede reemplazar por un cortocircuito (suponiendo que sea ideal). Si la tensin de
entrada es negativa, el diodo se polariza en inverso y se puede reemplazar por un
circuito abierto.


Fig. 6.1 Seal de salida rectificada.
18


Por tanto, cuando el diodo se polariza en directo, la tensin de salida a travs de
la resistencia de carga se puede encontrar a partir de la relacin de un divisor de
tensin. Por otra parte, en condiciones de polarizacin inversa, la corriente es
cero, de manera que la tensin de salida tambin es cero. En la Fig. 6.2 se
muestra un ejemplo de la forma de onda de salida en la resistencia suponiendo
una entrada senoidal de 12V de amplitud y R=220.



Fig. 6.2 Cada de voltaje en la resistencia

Segn sea la amplitud de la tensin de alimentacin, tendremos un determinado
nivel de tensin continua a la salida. En la Fig. 6.3 se puede observar como el
periodo de la seal de salida es el mismo que el de la seal de entrada; cada ciclo
de entrada produce un ciclo de salida. Esto se debe a que la frecuencia de salida
de un rectificador de media onda es igual a la frecuencia de la entrada:


Fig. 6.3 La frecuencia de entrada es la misma que la de salida.


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Anlisis matemtico
Tensin media en la carga: Este valor nos determina la componente de c.c. de la
tensin en la carga. Lo obtenemos calculando el promedio del voltaje de salida del
rectificador:

()

As que tendremos una componente continua del orden del 30% del valor de pico.
Aunque este circuito produce una tensin continua a travs de la resistencia de
carga, sera inaceptable como fuente de polarizacin en muchos dispositivos
electrnicos, debido a que la tensin de salida en la carga tiene componentes
alternas adems de la continua. A continuacin se muestran las componentes
alternas.

Tensin eficaz en la carga:

( )

Estas seales actuaran como seales extraas y enmascararan las seales
verdaderas.
Regulacin: Mediante el parmetro regulacin se mide la variacin de la tensin
continua de salida (Vdc) en funcin de la corriente continua que circula por la
carga. Dicha variacin de la tensin de salida es debida a una pequea
resistencia que presenta el devanado secundario (RS), y a la resistencia interna
del diodo cuando est conduciendo (Rd).Por eso, lo ms conveniente para nuestro
rectificador es que el porcentaje de regulacin sea lo menor posible:
()

( )

( )

( )




20

Siendo el valor de tensin media en la carga:

( )
(

) (
( )
(

))
Factor de forma:

Factor de rizado: Es una buena forma de medir el alisamiento en la salida de
c.c.:
()

()

Sabiendo que:

(

(
()
)

Valor medio de la corriente en la carga:

Valor eficaz de la corriente en la carga:

Sabiendo que:

21

Los valores de Idc e Ip debern tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo
semiconductor para el rectificador, siendo estos valores de intensidad los que
circularn por el devanado secundario del transformador.
Potencia media en la carga:

Potencia eficaz en la carga:

Rendimiento:

()

Rectificador monofsico de onda completa
Rectificador de puente

El nivel de cd obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar 100%
mediante un proceso llamado rectificacin de onda completa. La red ms conocida
para realizar tal funcin aparece en la Fig. 6.4 con sus cuatro diodos en una
configuracin de puente. Durante el periodo t = 0 para la polaridad de la entrada
es como se muestra en la Fig. 6.5. Las polaridades resultantes a travs de los
diodos ideales tambin se muestran en la Fig. 6.5 para revelar que D2 y D3 estn
conduciendo, mientras que D1 y D4 estn apagados. El resultado neto es la
configuracin de la Fig. 6.6 con su corriente y polaridad indicadas a travs de R.
Como los diodos son ideales, el voltaje de carga es vo= vi, como se muestra en la
misma figura.

22



Fig. 6.4 Rectificador de onda completa en configuracin de puente.


Fig. 6.5 Fig. 6.6
Red de la figura h. durante Ruta de conduccin en la regin positiva de vi.
el periodo del 0:T>2
voltaje de entrada vi.


En la regin negativa de la entrada los diodos que conducen son D1 y D4 y la
configuracin es la que se muestra en la Fig. 6.7. El resultado importante es que
la polaridad a travs del resistor de carga R es la misma de la Fig. 6.5, por lo que
se establece un segundo pulso positivo, como se muestra en la Fig. 6.7. Durante
un ciclo completo los voltajes de entrada y salida aparecern como se muestra en
la Fig. 6.8.


Fig. 6.7 Ruta de conduccin de la regin negativa de Vi.

23


Fig. 6.8 Formas de onda de entrada y salida para un rectificador de onda
completa.


Como el rea sobre el eje durante un ciclo completo ahora es el doble de la
obtenida por un sistema de media onda, el nivel de cd tambin se duplica y:

( )

Si se utilizan diodos de silicio en lugar de ideales como se muestra en la Fig. 6.9,
la aplicacin de la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de
conduccin da:







Fig. 6.9 Determinacin de Vo mx para diodos de silicio en la configuracin
de puente.

Por consiguiente, el valor pico del voltaje de salida vo .es:



En situaciones donde Vm>>2VK, se puede aplicar la siguiente ecuacin para el
valor promedio con un nivel de precisin relativamente alto:

( )

Entonces, de nueva cuenta, si Vmes suficientemente mayor que 2VK, entonces a
menudo se aplica la ecuacin como primera aproximacin de Vcd.
24

7. CIRCUITOS RECORTADORES

La seccin anterior da una idea clara de que se pueden utilizar diodos para
cambiar la apariencia de una forma de onda aplicada. Esta seccin, que trata de
los recortadores, y la siguiente (de los sujetadores) se ocuparn de la capacidad
de configuracin de forma de onda de diodos.

Los recortadores son redes que emplean diodos para recortar una parte de una
seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada.

El rectificador de media onda es un ejemplo de la forma ms sencilla de un
recortador de diodo: un resistor y un diodo. Dependiendo de la orientacin del
diodo, se recorta La regin positiva o negativa de la seal aplicada. Existen dos
categoras generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuracin en
serie es aquella donde el diodo est en serie con la carga, en tanto que la
configuracin en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga. La
respuesta de la configuracin en serie de la Fig. 7.1 (a) a varias formas de onda
alternas se da en la Fig. 7.1 (b). Aunque primero se present como un rectificador
de media onda (con formas de onda senoidales), no hay lmites para el tipo de
seales que se pueden aplicar a un recortador.


Fig. 7.1 Recortador en serie.
\

La adicin de una fuente de cd a la red como se muestra en la Fig. 7.2 puede
tener un marcado efecto en el anlisis de la configuracin de recortador en serie.
La respuesta no es tan obvia porque la fuente de cd puede ayudar o ir en contra
del voltaje suministrado por la fuente y la fuente de cd puede estar en la rama
entre la fuente y la salida o en la rama paralela a la salida.

Fig. 7.2 Recortador en serie con una fuente de CD.

25

Los circuitos de rectificacin utilizan una accin recortadora de nivel cero. Si se
aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador recortar todo lo
que se encuentre por encima o por debajo del valor de la batera de la orientacin
del diodo, esto puede observarse en la Fig. 7.3.

Fig. 7.3 Rectificador en serie con una batera.
Existen tres categoras generales de recortadores:
Serie
Paralelo
Mixto



La configuracin en serie es donde el diodo esta en serie con la carga. Los hay
simples como los de la Fig. 7.4 y polarizados como los de la Fig. 7.5.


Fig. 7.4 Recortadores en serie simples.

26


Fig. 7.5 Recortadores en serie polarizados.

La configuracin en paralelo tiene un diodo en una trayectoria paralela a la carga.
Los hay al igual que en los recortadores en serie, simples como los mostrados en
la Fig. 7.6 y polarizados como se observa en la Fig. 7.7.

Fig. 7.6 Recortadores en paralelo simples.


Fig. 7.7 Recortadores en paralelo polarizados.

27

Los recortadores mixtos tal y como su nombre lo dice, son una mezcla entre un
recortador en serie y un recortador en prelo, tal como el mostrado en la Fig. 7.8.

Fig. 7.8 Recortador Mixto

















28

CONCLUSIONES
Una vez conociendo las caractersticas tericas al trabajar con diodos
semiconductores podremos entrar de lleno a prcticas, he ah la
importancia de esta investigacin al poder comprobar los conceptos,
formulas y caractersticas de los diodos semiconductores de una manera
prctica. Alan Tomas Madrid Corrales.

A travs de esta prctica de diodos semiconductores se aprendi como se
utilizan y como se comportan los diodos en CA y CD, adems de conocer
cul es la curva caracterstica de el diodo de silicio y germanio y ms que
nada se aprendi como los diodos se pueden convertir en rectificadores de
media onda y de onda completa. Omar Elaid Gonzlez Grave.


Por medio de esta investigacin hemos observado como los diodos son
muy importantes en la utilizacin de varios circuitos, al igual que
aprendimos su funcionamiento, sus principales caractersticas y como se
desenvuelven en sus principales aplicaciones. Enrique Alexandro
Hermosillo Vzquez.

De esta investigacin aprendimos el que es un diodo, como funciona, como
calcular sus funciones y sus aplicaciones en una amplia gama de circuitos,
por lo que ya podemos empezar a trabajar con ellos durante la realizacin
de una prctica. Kevin de Jess Delgado Hernndez.








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BIBLIOGRAFIA
Electrnica: Teora de Circuitos
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky
Sexta Edicin
Pearson Educacin
1997
629 pgs.
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http://creandoelfuturo.net/es/diodos-potencia/rectificadores-monofasicos-polifasicos
http://www.ecured.cu/index.php/Rectificadores
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