Instituto Polit

ecnico de Leiria
Electr

onica de Pot

encia
Textos de Apoio
Eng.
o
Lu

s Maria
Escola Superior de Tecnologia e Gest

ao
2005
Conte udo
1 Semicondutores de Potencia 1
1.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Dodos de Potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Tirstores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Interruptores est aticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5.1 Transstores Bipolares e Darlingtons . . . . . . . . . . 8
1.5.2 MOSFETs de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.5.3 GTO (Gate Turn-o Thiristor) . . . . . . . . . . . . . 10
1.5.4 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) . . . . . . . 12
1.5.5 MCT (MOS- Controlled Thiristor) . . . . . . . . . . . 13
1.5.6 Compara c ao dos interruptores est aticos . . . . . . . . . 14
2 Recticadores Nao Controlados 15
2.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2 Classica c ao dos recticadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.1 Comutadores mais positivo e mais negativo . . . . . . 16
2.3 Recticadores de Comuta c ao Paralela Simples . . . . . . . . . 16
2.3.1 Estudo da tens ao de sada . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3.2 Estudo das correntes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.3.3 Estudo das quedas de tens ao . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.4 Funcionamento em curto-circuito . . . . . . . . . . . . 24
2.4 Montagens de Comuta c ao Paralela Dupla . . . . . . . . . . . . 25
2.4.1 Estudo das tens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.2 Estudo das correntes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.3 Estudo das quedas de tens ao . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.4 Funcionamento em Curto-circuito . . . . . . . . . . . . 30
2.5 Recticadores de comuta c ao serie . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.5.1 Estudo das tens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.5.2 Estudo das correntes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
i
ii CONTE

UDO
3 Recticadores Controlados 35
3.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.2 Recticadores de Comuta c ao Paralela Simples . . . . . . . . . 35
3.2.1 Recticador: <

2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.2 Inversor ou Ondulador: >

2
. . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.3 Valor medio da tens ao recticada . . . . . . . . . . . . 38
3.2.4 Correntes e factores de potencia . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.5 Funcionamento como Inversor . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3 Recticadores PD Totalmente Controlados . . . . . . . . . . . 42
3.3.1 Estudo das tens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.3.2 Intensidades de corrente e factores de potencia . . . . . 43
3.4 Recticadores PD Semi-Controlados . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.1 Estudo das tens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.4.2 Intensidades de corrente e factores de potencia . . . . . 45
3.5 Recticadores Controlados de Comuta c ao Serie . . . . . . . . 48
3.5.1 Estudo das Tens oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.5.2 Estudo das Correntes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4 Variadores de Corrente Alternada 51
4.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.2 Aplica c oes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3 Conversores Monof asicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3.1 Conversor com carga puramente resistiva . . . . . . . . 53
4.3.2 Conversor AC-AC com carga puramente indutiva . . . 55
4.3.3 Conversor AC-AC com carga indutiva . . . . . . . . . . 56
5 Dissipa cao de Potencia 61
5.1 Modelo termico de um dispositivo semicondutor . . . . . . . . 61
6 Circuitos de Drive e Snubber 67
6.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
6.2 Drivers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.2.1 Drivers para Tirstores e Triacs . . . . . . . . . . . . . 68
6.2.2 Drivers para GTOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
6.2.3 Drivers para transstores bipolares . . . . . . . . . . . . 72
6.2.4 Drivers para MOSFETs, IGBTs e MCTs . . . . . . . . 76
6.3 Protec c ao contra sobre-intensidades . . . . . . . . . . . . . . . 78
6.4 Circuitos Snubber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
6.4.1 Snubbers para dodos tirstores e triacs . . . . . . . . . 81
6.4.2 Snubbers para GTOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
6.4.3 Snubbers para transstores bipolares . . . . . . . . . . 82
CONTE

UDO iii
6.4.4 Snubbers para MOSFETs, IGBTs e MCTs . . . . . . . 83
6.4.5 Recupera c ao de energia nos snubbers . . . . . . . . . . 84
iv CONTE

UDO
Captulo 1
Semicondutores de Potencia
1.1 Introdu cao
Nos ultimos anos tem havido um grande desenvolvimento ao nvel
dos semicondutores de potencia com um aumento das potencias admssveis ,
da facilidade do controlo e da redu c ao dos custos, o que tornou os conversores
de potencia acessveis para aplica c oes de nvel geral desenvolvendo muito a
electr onica industrial.
Actualmente podemos classicar os dispositivos semicondutores de
potencia em tres grupos:
Dodos em que os estados ON e OFF s ao determinados pelo circuito de
potencia;
Tirstores em que o estado ON e iniciado com um sinal de controlo e o
estado OFF e determinado pelo circuito de potencia;
Interruptores estaticos em que os estados ON e OFF s ao determinados
por sinais de controlo.

E nesta ultima categoria que tem existido mais avan cos nos ultimos tempos.
Nos pontos seguintes iremos analisar mais em pormenor cada uma destas
categorias.
1
2 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
Durante as an alises das caractersticas dos dispositivos que iremos
fazer neste captulo, ser ao apresentadas sempre as caractersticas idealizadas
dos dispositivos para alem das reais para maior facilidade de compreens ao do
funcionamento dos mesmos. No entanto, e de salientar que estas caracteristi-
cas ideais podem ser usadas para fazer a an alise dos conversores de potencia
mas n ao podem ser usadas no projecto dos mesmos.
1.2 Dodos de Potencia
Um dodo de potencia tpico tem uma estrutura P-I-N, ou seja, uma
jun c ao p-n com uma camada de semicondutor intrnseco no meio para conter
a tens ao inversa. Quando o dodo est a directamente polarizado, pode ser mo-
delizado por um fonte de tens ao em serie com uma resistencia equivalente que
dene o declive da caracterstica do dodo nesta zona de funcionamento. Esta
queda de tens ao e tipicamente de cerca de 1 V para os dodos de potencia.
Figura 1.1: Smbolo e caracterstica i v do dodo
Quando o dodo est a inversamente polarizado ui apenas uma pe-
quena corrente de fugas devida aos portadores minorit arios que aumenta
gradualmente com o aumento da tens ao inversa. Uma vez atingida a tens ao
de ruptura, ui atraves do dodo uma grande corrente inversa que conduz nor-
malmente ` a destrui c ao do dispositivo por aquecimento devido ` a dissipa c ao
de potencia na jun c ao, portanto em funcionamento normal esta tens ao de
ruptura nunca dever a ser atingida.
1.2. D

IODOS DE POT

ENCIA 3
V

i
D
R
D
Figura 1.2: Circuito equivalente do dodo em condu c ao
Quando o dodo come ca a conduzir pode ser considerado como ideal
dado que na grande maioria dos casos comuta rapidamente quando com-
parado com as constantes de tempo do circuito de potencia. No entanto
quando comuta para o estado OFF a corrente no dodo inverte-se durante
um determinado intervalo de tempo t
rr
(reverse recovery time) antes de se
anular denitivamente. As caractersticas de turn-o de um dodo ao longo
do tempo s ao mostradas na gura 1.3, o intervalo de tempo t
rr
e a carga de
recupera c ao Q
rr
s ao par ametros muito importantes do dodo.
Figura 1.3: Comuta c ao on off do dodo
Os dodos de potencia podem ser classicados em tres categorias:
Standard ou general purpose
Fast-recovery
Schottky
Os dodos standard e fast-recovery tem ambos uma geometria P-I-
N, no entanto, nos dodos fast-recovery t
rr
e Q
rr
s ao reduzidos pelo controlo
do tempo de vidados portadores minorit arios, o que melhora o processo
4 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
de recombina c ao. No entanto, este processo tambem aumenta a queda de
tens ao dos dodos.
Os dodos standard s ao usados essencialmente em recticadores a
50/60 Hz, tem uma queda de tens ao mais baixa mas um tempo de recu-
pera c ao inversa mais alto. Estes dodos podem suportar tens oes da ordem
de v arios kV e conduzir correntes de alguns kA.
O dodo Schottky e essencialmente um dodo de portadores maio-
rit arios e e formado por uma jun c ao metal-semicondutor. Devido a esta
geometria, este dodo tem uma queda de tens ao mais baixa (tipicamente de
0.5 V) e um tempo de comuta c ao muito baixo. No entanto estes dodos ape-
nas conseguem bloquear baixas tens oes (tipicamente cerca de 200 V) e tem
uma corrente de fugas elevada. Estes dodos s ao usados fundamentalmente
em circuitos de alta frequencia.
As caractersticas termicas e electricas dos dodos s ao muito seme-
lhantes ` as dos tirstores que ser ao estudadas na sec c ao seguinte.
1.3 Tirstores
Os tirstores, tambem conhecidos como SCR (Silicon Controlled Rec-
tier), tem sido os principais componentes utilizados em aplica c oes de alta
potencia ate aos nossos dias. De facto, pode dizer-se que a modernidade
da electr onica de potencia come cou com a introdu c ao destes dispositivos na
decada de 1950. O termo tirstor provem da sua v alvula equivalente que se
chamava thyratron.
O tirstor e disparado quando est a directamente polarizado e se
aplica um curto impulso de corrente positiva na Gate. Uma vez a conduzir,
o tirstor n ao pode ser bloqueado pela Gate,perde o controlo e comporta-
se como um dodo, portanto bloquear a pelo circuito de potencia, ou seja,
o tirstor entrar a na regi ao de corte quando a corrente que o atravessa se
anular. O tirstor pode tambem come car a conduzir devido a uma tens ao
anodo-c atodo excessiva, uma subida de temperatura da jun c ao ou por in-
cidencia de radia c ao luminosa na jun c ao.
Na realidade a corrente inverte-se antes de se anular denitivamente,
deste modo e importante o tempo que decorre desde o instante em que a
corrente se anula ate que a tens ao v
AK
se anula tambem. Isto porque durante
1.3. TIR

ISTORES 5
Figura 1.4: Tirstor: smbolo e caracterstica i v
Figura 1.5: V alvula de Tirstores para esta c oes de convers ao HVDC
6 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
este intervalo de tempo t
q
temos que manter v
AK
negativo caso contr ario o
tirstor passa para o estado ON sem que seja necess ario aplicar um impulso
de corrente na Gate.
Normalmente as tens oes de ruptura directa e inversa s ao iguais, o
tirstor pode bloquear tens oes ate aos 10 kV e conduzir correntes da ordem
dos 5 kA.
1.4 Triac
O Triac tem uma estrutura muito complexa com v arias jun c oes, no
entanto, funcionalmente o Triac pode ser considerado como a integra c ao de
dois tirstores ligados em antiparalelo.
Figura 1.6: Triac
Quando T
2
e positivo relativamente a T
1
e se aplica um impulso
positivo de corrente na Gate o Triac passa a conduzir de T
2
para T
1
. Quando
T
1
e positivo relativamente a T
2
e se aplica um impulso negativo de corrente
na Gate ele conduz de T
1
para T
2
.
O Triac e muito utilizado em aplica c oes de baixa potencia pois e
barato e f acil de controlar. No entanto tem um longo tempo de turn off,
1.4. TRIAC 7
devido ao efeito de armazenamento de portadores minorit arios, o que provoca
elevadas perdas de comuta c ao, tornando a sua utiliza c ao impratic avel para
aplica c oes de media e alta potencia. Os triacs s ao utilizados essencialmente
em aplica c oes de controlo de luminosidade e temperatura e em reles de estado
s olido.
Figura 1.7: Controlo de Luminosidade
A gura 1.4 ilustra um circuito tpico de controlo da luminosidade
de uma l ampada de incandescencia, que utiliza um triac. O Triac e disparado
por um circuito RC atraves de um Diac, que e um dispositivo limitador de
tens ao simetrico. A tens ao do condensador v
c
, est a atrasada em rela c ao ` a
tens ao da rede. Quando v
c
excede a tens ao de limite do Diac V
S
, um impulso
de corrente de polaridade adequada dispara o triac num determinado angulo

F
, angulo esse controlado por R
1
. Deste modo o triac controla a corrente
que atravessa a l ampada e consequentemente a potencia dissipada por esta.
8 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
1.5 Interruptores estaticos
As caractersticas desej aveis de um interruptor est atico s ao as se-
guintes:
No estado OFF deve bloquear qualquer tens ao aplicada com corrente
nula;
No estado ON deve conduzir qualquer valor de corrente com queda de
tens ao nula;
Deve comutar entre os estados ON e OFF instantaneamente quando
comutado;
A potencia do sinal de controlo deve tender para zero.
1.5.1 Transstores Bipolares e Darlingtons
Na gura 1.5 e apresentado o smbolo electrico do transstor bipolar
e as suas caractersticas i v. Como se pode ver a partir das caractersticas
a aplica c ao de uma corrente de base sucientemente grande relativamente ` a
corrente de colector resulta na satura c ao do dispositivo, ou seja sempre que,
I
B
>
I
C
h
FE
(1.1)
o transstor est a saturado e podemos consider a-lo como um inter-
ruptor fechado com uma queda de tens ao (V
CE,sat
) da ordem dos 1 a 2V.
1.5. INTERRUPTORES EST

ATICOS 9
Figura 1.8: Transstor bipolar: (a) smbolo, (b) caracterstica i v, (c)
caracterstica ideal
O transstor bipolar e ent ao um dispositivo controlado por corrente,
onde a corrente de base tem que ser fornecida contnuamente para o manter
no estado ON. Em transstores de potencia o ganho DC (h
FE
) e normal-
mente baixo (5-10), pelo que estes dispositivos s ao muitas vezes fabricados
como montagens Darlington num unico chipde modo a reduzir a potencia
necess aria para o sinal de controlo. No entanto estas montagens tem a des-
vantagem de aumentar a queda de tens ao do dispositivo no estado ON.
Figura 1.9: Congura c ao Darlington: (a) dupla, (b) tripla
Os transstores bipolares tem tempos de comuta c ao signicativos
(da ordem dos poucos microsegundos), podem suportar tens oes ate 1, 5kV e
correntes de centenas de Amperes.
10 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
1.5.2 MOSFETs de potencia
O MOSFET ao contr ario do transstor bipolar e um dispositivo con-
trolado por tens ao, como se pode ver nas suas caractersticas corrente-tens ao.
Figura 1.10: MOSFET: (a) smbolo, (b) caracterstica iv, (c) caracterstica
ideal
Tal como no caso do transstor bipolar e necess ario aplicar conti-
nuamente um valor suciente de tens ao entre Gate e Source para o manter
no estado ON. A corrente de Gate e nula excepto durante as comuta c oes,
logo a potencia do sinal de controlo e muito baixa. Os tempos de comuta c ao
s ao muito curtos ( da ordem das dezenas de nanosegundos) o que torna es-
tes dispositivos particularmente uteis para aplica c oes de alta frequencia. Os
MOSFETs podem tipicamente suportar tens oes ate 1 kV e correntes ate aos
100 A.
1.5.3 GTO (Gate Turn-o Thiristor)
Tal como o tirstor o GTO (Gate Turn-o Thiristor) pode ser dispa-
rado por um pequeno impulso positivo de corrente na Gate. No entanto, e
ao contr ario do tirstor, uma vez em condu c ao pode ser bloqueado aplicando
um impulso negativo de corrente na Gate. Neste caso o impulso continua
a ser curto mas a sua amplitude dever a ser bastante maior, tipicamente e
de cerca de um ter co da corrente que circula no dispositivo no momento do
corte.
1.5. INTERRUPTORES EST

ATICOS 11
Figura 1.11: GTO: (a) smbolo, (b) caracterstica i v, (c) caracterstica
ideal
Os GTOs actualmente n ao suportam os picos de tens ao resultantes
do corte de um circuito indutivo, pelo que h a necessidade de utilizar circuitos
snubberpara limitar a varia c ao da tens ao
dv
dt
.
Figura 1.12: Turn-o do GTO: (a) circuito snubber, (b) caracterstica de
turn-o
A queda de tens ao no estado ON e tipicamente de cerca de 2 a 3V. Os
tempos de comuta c ao andam na ordem dos poucos microsegundos e suportam
tens oes ate cerca dos 5kV e correntes da ordem dos kA. Em virtude disto o
GTO e tipicamente utilizado em aplica c oes de alta potencia com frequencias
de comuta c ao ate aos 10 kHz.
12 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
1.5.4 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor)
A introdu c ao do transstor bipolar de gate isolada (IGBT) a meados
da decada de oitenta, constitui um marco muito importante na hist oria dos
dispositivos semicondutores de potencia. Estes dispositivos s ao, hoje em dia,
extremamente populares na gama das medias potencias (de alguns kW ate
ao MW), e s ao muitssimo utilizados em drives para motores AC e em fontes
de alimenta c ao UPS.
O IGBT e basicamente um hbrido do transstor bipolar e do MOS-
FET e combina algumas das vantagens destes dispositivos. Por exemplo, tal
como o MOSFET tem uma alta imped ancia de Gate o que resulta numa
baixa potencia do sinal de controlo, e tal como o transstor bipolar tem uma
queda de tens ao pequena em dispositivos de alta tens ao (tipicamente 2 a 3V
em dispositivos de 1kV).
Figura 1.13: IGBT: (a) smbolo, (b) caracterstica i v, (c) caracterstica
ideal
1.5. INTERRUPTORES EST

ATICOS 13
Os IGBTs tem tempos de comuta c ao inferiores ao microsegundo,
podem bloquear tens oes ate aos 3.5 kV com correntes de 1.2 kA, no entanto,
estas caractersticas est ao actualmente num processo de melhoria contnua.
1.5.5 MCT (MOS- Controlled Thiristor)
O MCT e um dispositivo bastante recente tendo aparecido no cir-
cuito comercial em 1992. O MCT (tirstor controlado por tecnologia MOS),
e um dispositivo hbrido, controlado por impulsos de tens ao na gate. O
MSCT e ligadopor um impulso negativo de tens ao na gate relativamente
ao c atodo, e e desligadopor um impulso positivo de tens ao na gate. Sendo
um dispositivo controlado por tens ao tal como o MOSFET e o IGBT, tal
como estes, devido ` a tecnologia MOS, tem uma alta imped ancia de Gate, o
que resulta numa baixa potencia do sinal de controlo.
Figura 1.14: MCT: (a) smbolos, (b) caracterstica i v, (c) caracterstica
ideal
14 CAP

ITULO 1. SEMICONDUTORES DE POT

ENCIA
O MCT possui muitas das caractersticas do GTO, no entanto tem
duas grandes vantagens sobre aquele, primeiro o controlo e muito mais sim-
ples pois n ao necessita de um alto valor de corrente na Gate para fazer o
corte como o GTO, em segundo e bastante mais r apido pois tem tempos de
turn-o e turn-on da ordem dos poucos microsegundos. O MCT pode actu-
almente bloquear tens oes ate aos 3kV com correntes de centenas de amperes,
no entanto, a futura aceita c ao comercial deste dispositivo permanece ainda
muito incerta.
1.5.6 Compara cao dos interruptores estaticos

E um pouco d ubio fazer compara c oes entre dispositivos dado que

devem ser considerados diversos factores simultaneamente e estes dispositivos
encontram-se em r apida evolu c ao. No entanto podemos fazer uma pequena
an alise qualitativa expressa na tabela seguinte.
Dispositivo Potencia Velocidade
Transstor Medio Medio
MOSFET Baixo R apido
GTO Alto Lento
IGBT Medio Medio
MCT Medio Medio
Tabela 1.1: Compara c ao dos dispositivos
Embora o transstor bipolar esteja hoje em dia praticamente obsoleto
para aplica c oes em conversores de potencia, e o MCT seja utilizado apenas
esporadicamente, optou-se por incluir ambos os dispositivos na tabela.
Captulo 2
Recticadores Nao Controlados
2.1 Introdu cao
Existem basicamente dois tipos de corrente electrica: a corrente
contnua e a corrente alternada sinusoidal. Os geradores utilizados actual-
mente s ao na esmagadora maioria dos casos geradores de corrente alternada
(alternadores), pelo que a tens ao que temos disponvel e alternada trif asica.
Em face disto se necessitamos de uma corrente contnua temos que realizar
uma comuta c ao, isto e alterar periodicamente as liga c oes entre a entrada
e a sada. Esta comuta c ao pode ser feita mec anicamente ou com elementos
est aticos, neste ultimo caso temos os circuitos chamados de recticadores,
que s ao conversores AC-DC.
2.2 Classica cao dos recticadores
Os recticadores s ao classicados segundo o seu modo de comuta c ao
e o n umero de fases (doravante designado por q) da alimenta c ao. A co-
muta c ao pode ser paralela ou serie conforme os enrolamentos do secund ario
do transformador est ao ligados respectivamente, em paralelo e em serie.
15
16 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
2.2.1 Comutadores mais positivo e mais negativo
Os circuitos da gura seguinte constituem um comutador mais posi-
tivoe um comutador mais negativo, porque fazendo a an alise dos circuitos
facilmente se conclui que as tens oes de sada s ao, em qualquer instante, iguais
respectivamente ` a mais positiva das tens oes de entrada e ` a mais negativa das
tens oes de entrada.
Figura 2.1: Comutadores mais positivo e mais negativo
2.3 Recticadores de Comuta cao Paralela
Simples
Numa montagem de comuta c ao paralela os enrolamentos do se-
cund ario do transformador est ao ligados em estrela (em paralelo), existindo
um elemento recticador em serie com cada enrolamento, por forma a obter-
se um comutador mais positivoou mais negativo. O ponto comum da
estrela constitui um dos terminais da tens ao de sada.
2.3. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 17
Figura 2.2: Recticador de comuta c ao paralela simples
Para facilitar o estudo das montagens recticadoras, desprezamos as
react ancias e resistencias dos enrolamentos e a queda de tens ao nos rectica-
dores. Para alem disso, como a maioria das cargas que utilizamos na pr atica
s ao indutivas, consideramos que a corrente de s aida e perfeitamente contnua
e constante.
2.3.1 Estudo da tensao de sada
Nesta montagem a tens ao de sada e constituda por q topos de
sinus oide iguais durante um perodo da tens ao de entrada. Deste modo fa-
cilmente se conclui que o valor medio da tens ao de sada e dado por:
U
CO
=
q
2
_
+

q
V
M
cos tdt =
q

V
M
sin

q
(2.1)
18 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Figura 2.3: Recticadores de comuta c ao paralela simples
Por outro lado o valor ecaz e dado por:
U
cef
=

_
q
2
_
+

q
V
2
M
cos
2
tdt = V
M

1
2
+
q
4
sin
2
q
(2.2)
Podemos denir dois factores, que nos podem dar uma medida da
qualidade da tens ao de sada, s ao eles o factor de forma e o factor de on-
dula c ao:
F
f
=
U
cef
U
co
(2.3)
K
o
=
U
max
U
cmin
2 U
co
(2.4)
2.3. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 19
Podemos vericar que quanto maior o n umero de fases q, mais rec-
ticada e a tens ao U
c
.
q U
co
/V
M
U
cef
/V
M
F
f
K
o
2 0.637 0.707 1.110 0.785
3 0.827 0.841 1.017 0.302
6 0.955 0.957 1.002 0.070
12 0.989 0.989 1.000 0.017
Tabela 2.1: Qualidade da tens ao recticada
2.3.2 Estudo das correntes
Como j a foi dito anteriormente, considera-se a hip otese simplicativa
de a corrente fornecida ser puramente contnua e constante.
i
c
= I
c
(2.5)
Ent ao tambem podemos concluir que:
i
c
=
U
co
R
(2.6)
Correntes nos dodos
Cada dodo durante um perodo de tempo igual a T/q a corrente I
c
,
sendo nula a corrente que o atravessa durante o resto do perodo, logo:
i
MAX
= I
c
(2.7)
I
med
=
I
c
q
(2.8)
I
RMS
=
I
c

q
(2.9)
20 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Correntes e factor de potencia do secundario
Sendo i
S
a corrente que circula em cada enrolamento do secund ario
do transformador , em serie com cada dodo, teremos:
I
S
= I
RMS
=
I
c

q
(2.10)
Sendo a corrente na carga constante, temos que a potencia entregue
` a carga e:
P
c
=
1
T

_
T
0
u
c
i
c
dt = U
co
I
c
(2.11)
Por outro lado a potencia aparente do secund ario do transformador
com q enrolamentos suportes de q tens oes alternadas de valor ecaz V =
V
M
/

2 e percorridos por uma intensidade de corrente I

s
, e dada por:
P
as
= q V I
S
(2.12)
O factor de potencia do secund ario vale ent ao:
f
S
=
P
c
P
as
(2.13)
Quanto menor o valor de f
S
mais exigente e dispendioso e o dimensi-
onamento do transformador, para a mesma potencia util a fornecer ` a carga.
Pode vericar-se nas montagens de comuta c ao paralela simples o valor do
factor de potencia do secund ario diminui com o n umero de fases.
q 2 3 6 12
f
S
0.636 0.675 0.550 0.400
Tabela 2.2: Factor de potencia do secund ario
2.3. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 21
2.3.3 Estudo das quedas de tensao
Dado que os componentes das montagens recticadoras (transfor-
mador e dodos), n ao s ao ideais, o valor medio da tens ao de saida depende
directamente do valor da corrente na carga. Ou seja:
U
C
= U
CO
U
C
(2.14)
Onde U
CO
e o valor medio da tens ao em vazio, e U
C
e a queda de
tens ao total no circuito que e uma fun c ao de I
C
.
A queda de tens ao total no circuito U
C
e constituida pela soma de
tres quedas de tens ao parciais, a saber:

1
U
C
queda de tens ao devida ` as react ancias dos enrolamentos do se-
cund ario;

1
U
C
queda de tens ao devida ` as resistencias dos enrolamentos do se-
cund ario;

1
U
C
queda de tens ao nos dodos.
Queda de tensao devida `as reactancias
Devido` as rect ancias de fugas dos enrolamentos do secund ario, a cor-
rente que atravessa cada dodo n ao se pode estabelecer ou interromper ins-
tantaneamente. Deste modo, quando um dodo deixa de conduzir para outro
passar a faze-lo, a corrente no primeiro dodo decresce exponencialmente en-
quanto que no segundo dodo crece igualmente de uma forma exponencial,
vericando-se assim um intervalo de tempo em que existe sobreposi c ao de
condu c ao, ou seja os dois dodos est ao em condu c ao ao mesmo tempo. A
este fen omeno chamamos de fen omeno de sobreposi c ao de condu c ao ou de
Overlap.
Durante o intervalo de sobreposi c ao verica-se uma deforma c ao da
tens ao de sada , traduzida numa queda de tens ao que designaremos por

1
U
C
.
22 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Figura 2.4: Fen omeno de sobreposi c ao de condu c ao
Conforme se pode concluir das formas de onda apresentadas, existe
uma sobreposi c ao de condu c ao durante um intervalo de tempo t = /, a
que corresponde um angulo de sobreposi c ao de condu c ao .
Sejam L
1
, L
2
e L
3
as react ancias de fugas dos enrolamentos
do secund ario, ent ao, enquanto D
1
e D
2
est ao a conduzir em simult aneo, a
tens ao de saida ser a obtida a partir de:
u
C
= v
1
L
1
di
s1
dt
= v
2
L
2
di
s2
dt
(2.15)
ou seja,
2u
C
= v
1
+v
2
(L
1
di
s1
dt
+L
2
di
s2
dt
) (2.16)
Supondo que L
1
= L
2
= L
3
= L e i
s1
+i
s2
= I
C
= C
te
teremos:
u
C
=
v
1
+v
2
2
(2.17)
2.3. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 23
di
s2
dt
=
v
2
v
1
2L
=
V
M
2L
(sin(t
2
q
) sin t) (2.18)
Resolvendo a equa c ao diferencial anterior obtemos uma express ao
que nos permite calcular o valor de .
1 cos =
LI
C
V
M
sin(/q)
(2.19)
E o valor medio da queda de tens ao correspondente ser a dado por:

1
U
C
=
q
2
LI
C
(2.20)
Queda de tensao devida `as resistencias
Esta queda de tens ao pode ser deduzida a partir da express ao das
perdas por efeito de Joule:
P
J
= qr
2
I
2
s
+q
1
r
1
I
2
p
+q
1
r
l1
J
2
p
(2.21)
Sendo,
q, q
1
o n umero de fases do secund ario e do prim ario respectivamente;
r
2
, r
1
, r
l1
resistencias por fase do secund ario, do prim ario e linha res-
pectivamente;
I
s
, I
p
, J
p
valores ecazes de intensidade de corrente no secund ario, no
prim ario e na linha.
Por outro lado, considerando R
C
como a resistencia equivalente do
conjunto vista do lado de corrente contnua, teremos:
P
J
= R
C
I
2
C
(2.22)
Logo, o valor da queda de tens ao devida ` as resistencias dos enrola-
mentos ser a dado pela equa c ao seguinte e assumir a uma express ao diferente
para cada montagem.
24 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS

2
U
C
=
P
J
I
C
(2.23)
Montagem P2:

2
U
C
= (r
2
+ (r
1
+r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.24)
Montagem P3 com prim ario em estrela:

2
U
C
= (r
2
+
2
3
(r
1
+r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.25)
Montagem P3 com prim ario em tri angulo:

2
U
C
= (r
2
+ (
2
3
r
1
+r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.26)
Queda de tensao nos dodos
Como vimos, cada dodo conduz a corrente I
C
durante um intervalo
de tempo igual a T/q em cada periodo. Se considerarmos que existe apenas
um dodo em condu c ao em cada instante, a queda de tens ao ser a dada pela
express ao seguinte onde (u)I
C
corresponde ao valor de tens ao obtido a partir
da curva caracterstica dos dodos para a corrente I
C
.

3
U
C
= (u)I
C
(2.27)
2.3.4 Funcionamento em curto-circuito
O funcionamento das montagens recticadoras no caso da ocorrencia
de um curto-circuito na sada deve ser estudado de modo a que se possam
dimensionar as protec c oes adequadas. As react ancias dos enrolamentos do se-
cund ario do transformador embora provoquem quedas de tens ao indesej aveis
em regime de funcionamento normal, trazem vantagens no caso do funci-
onamento em curto-circuito pois v ao limitar os valores da intensidade de
corrente.
2.4. MONTAGENS DE COMUTAC

AO PARALELA DUPLA 25
Consideremos o caso do curto-circuito da gura seguinte, onde ape-
nas as react ancias do enrolamentos do secund ario limitam a corrente de curto-
circuito.
Inserir gura
Supondo que L
1
= L
2
= L
3
= L, teremos para a fase 1:
L
di
s1
dt
= v
1
= V
M
sin t (2.28)
Resolvendo, obtemos:
i
s1
=
V
M
L
(1 cos t) (2.29)
Deste modo o valor ecaz da corrente nos enrolamentos do se-
cund ario e em cada dodo ser a dado por:
I
s
=
V
M
L

1
T
_
t
0
(1 cos t)
2
dt =

3
V
L
(2.30)
Por outro lado o valor medio da mesma corrente ser a dado por:
I
s,av
=
V
M
L
(2.31)
2.4 Montagens de Comuta cao Paralela Dupla
Tal como nas montagens de comuta c ao paralela simples, as q tens oes
de entrada podem ser obtidas nos q enrolamentos do secund ario de um trans-
formador ligado em estrela. Nestas montagens, porem, o neutro n ao existe
ou e ctcio sendo por isso dispens avel o transformador.
26 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Figura 2.5: Recticador de comuta c ao paralela dupla
Em cada instante, um dodo de cada comutador encontra-se em
condu c ao, respectivamente os correspondentes ` a mais positiva e ` a mais ne-
gativa das tens oes de entrada. Assim, a tens ao recticada, u
c
, e em cada
instante, igual ` a diferen ca entre a mais positiva e a mais negativa das tens oes
de entrada.
Figura 2.6: Recticadores de comuta c ao paralela dupla
2.4. MONTAGENS DE COMUTAC

AO PARALELA DUPLA 27
2.4.1 Estudo das tens oes
No recticador de comuta c ao paralela dupla a tens ao de sada e
igual ` a diferen ca entre a tens ao do comutador mais positivoe a tens ao do
comutador mais negativo. Deste modo facilmente se conclui que o valor
medio da tens ao de sada e dado por:
U
CO
= 2
q
2
_
+

q
V
M
cos tdt =
2 q

V
M
sin

q
(2.32)
2.4.2 Estudo das correntes
Em cada intervalo de tempo T/q conduz um dodo de cada comuta-
dor, sendo I
C
a corrente que o percorre. Assim teremos para os dodos:
i
MAX
= I
c
(2.33)
I
med
=
I
c
q
(2.34)
I
RMS
=
I
c

q
(2.35)
Figura 2.7: Correntes num Recticador PD2
28 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Por outro lado, nos enrolamentos do secund ario o valor ecaz da
corrente ser a:
I
S
=

1
T
(I
2
C

2 T
q
) = I
C

2
q
(2.36)
Com base na equa c ao anterior podemos obter o factor de potencia
no secund ario:
f
S
=
U
CO
I
C
qV I
S
=
2

q sin

q
(2.37)

E de notar que para o mesmo n umero de fases o factor de potencia

do secund ario e

2, maior nas montagens de comuta c ao paralela dupla do

que nas montagens de comuta c ao paralela simples.
q 2 3 6 12
f
S
0.900 0.955 0.780 0.571
Tabela 2.3: Factor de potencia do secund ario
2.4.3 Estudo das quedas de tensao
Queda de tensao devida `as reactancias
Considerando o angulo de sobreposi c ao de condu c ao e fazendo
um estudo an alogo ao efectuado para as montagens de comuta c ao paralela
simples para cada comutador, obtemos as seguintes express oes:
1 cos =
LI
C
V
M
sin(/q)
(2.38)

1
U
C
=
q

LI
C
(2.39)
2.4. MONTAGENS DE COMUTAC

AO PARALELA DUPLA 29
Figura 2.8: Fen omeno de sobreposi c ao de condu c ao
Queda de tensao nas resistencias
Fazendo um estudo an alogo ao efectuado para as montagens de co-
muta c ao paralela simples para cada comutador, obtemos as seguintes ex-
press oes:
Montagem PD2:

2
U
C
= (r
2
+ (r
1
+r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.40)
Montagem PD3 com prim ario em estrela:

2
U
C
= 2(r
2
+ (r
1
+r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.41)
Montagem PD3 com prim ario em tri angulo:

2
U
C
= 2(r
2
+ (r
1
+ 3r
l1
)(
n
2
n
1
)
2
)I
C
(2.42)
30 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Queda de tensao nos dodos
Como em cada instante dois dodos conduzem a corrente I
C
, um de
cada comutador, a queda de tens ao devida aos dodos ser a dada por:

3
U
C
= 2(u)I
C
(2.43)
2.4.4 Funcionamento em Curto-circuito
Ao ser estabelecido um curto-circuito entre os terminais positivo e
negativo da saida, os q terminais do secund ario do transformador car ao
ao mesmo potencial. Cada enrolamento car a ent ao sujeito ` a diferen ca de
potencial entre o este novo ponto comum e o neutro do transformador.
Considerando apenas a react ancia de cada enrolamento(L), tere-
mos para os enrolamentos e dodos:
I
s
=
V
L
(2.44)
I
s,av
=
V
M
L
(2.45)
A corrente de curto-circuito valer a ent ao:
I
C
, cc =
q

V
M
L
(2.46)
2.5 Recticadores de comuta cao serie
Num recticador de comuta c ao serie, os q enrolamentos do se-
cund ario do transformador est ao ligados em polgono, a cada vertice do qual
se ligam, respectivamente o anodo de um dodo de um comutador mais
positivoe o c atodo de um dodo de um comutador mais negativo
2.5. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO S

ERIE 31
v
1
i
S1
v
2
i
S2
v
3
i
S3
D
1
D
4
D
2
D
5
D
3
D
6
R
i
o
L
E
Figura 2.9: Recticador S3
Neste caso, em cada instante, o vertice do polgono que se encontra
ao potencial mais positivo e o que corresponde ` a ultima tensao a tornar-se
positiva. Analogamente o vertice que se encontra ao potencial mais negativo
e o que corresponde ` a ultima tensao a tornar-se negativa.
2.5.1 Estudo das tens oes
Na montagem S3 da gura seguinte, pode facilmente deduzir-se que
a tens ao de sada e constituda por 2q topos de sinus oide, uma vez que em
cada intervalo de condu c ao de um par especco de dodos, existe sempre um
enrolamento do secund ario que se encontra em paralelo com a carga.
32 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Figura 2.10: Montagem de comuta c ao serie
Da an alise das formas de onda anteriores constata-se que a tens ao
de saida e sempre igual ` a soma das tens oes positivas, em qualquer instante.
Pode deduzir-se ent ao que o valor medio da tens ao recticada e dado pelo
valor medio de uma altern ancia positiva da tens ao multiplicado pelo n umero
de fases, ou seja:
U
CO
= q
V
M

(2.47)
2.5.2 Estudo das correntes
Analogamente ` as montagens anteriores, e dado que cada dodo con-
tinua a conduzir durante um tempo igual a T/q, as correntes nos dodos s ao
dadas por:
i
MAX
= I
c
(2.48)
I
med
=
I
c
q
(2.49)
I
RMS
=
I
c

q
(2.50)
2.5. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO S

ERIE 33
A corrente I
C
que em cada instante saido vertice do polgono li-
gado ao terminal mais positivoe entrapelo vertice ligado ao terminal
mais negativo, reparte-se no interior do polgono em duas vias. Uma via e
constituda pelos enrolamentos das tens oes positivas e outra via e constituda
pelos enrolamentos das tens oes negativas. Supondo que os enrolamentos s ao
equilibrados, a forma de onda das correntes do secund ario na montagem S3
ser a a seguinte:
Figura 2.11: Corrente nos enrolamentos do secund ario

E de notar que no caso das correntes do secund ario n ao e possvel

obter express oes genericas para qualquer n umero de fases, porque as formas
de onda variam substancialmente. Neste captulo restringimo-nos ao estudo
das montagens trif asicas.
34 CAP

ITULO 2. RECTIFICADORES N

AO CONTROLADOS
Captulo 3
Recticadores Controlados
3.1 Introdu cao
Nas montagens recticadoras n ao controladas, o valor medio da
tens ao recticada apenas pode ser controlado variando a raz ao de trans-
forma c ao do transformador, o que e muito limitativo. Quando se pretende
controlar o valor medio da tens ao de sada de forma contnua a partir de
circuitos de comando de baixa potencia, utilizam-se as mesmas montagens,
substituindo total ou parcialmente, os dodos por tiristores.
Em geral, no estudo destas montagens adoptaremos ainda a hip otese
simplicativa de que o circuito da carga e sucientemente indutivo de modo
a que podemos considerar que a corrente na carga tende a ser constante. No
entanto, neste caso, a aproxima c ao e muito mais grosseira, uma vez que a
tens ao de sada e muito menos contnua, podendo anular-se ou inverter-se
durante alguns intervalos de tempo.
3.2 Recticadores de Comuta cao Paralela
Simples
O estudo dos recticadores controlados parte das montagens n ao
controladas. Assim sabemos que num recticador de comuta c ao paralela
35
36 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

simples, o dodo correspondente ` a primeira fase conduz durante o intervalo:

2


q
< t <

2
+

q
(3.1)
No caso do recticador controlado, o tirstor correspondente condu-
zir a no intervalo:

2


q
+ < t <

2
+

q
+ (3.2)
Onde e o chamado angulo de atraso e corresponde ao atraso na
condu c ao em rela c ao ` a situa c ao da montagem n ao controlada.
3.2. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 37
Figura 3.1: Recticador de comuta c ao paralela simples controlado
O valor deste angulo dene o modo de funcionamento da montagem,
conforme e superior ou inferior a

2
.
38 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

3.2.1 Recticador: <

2
Para um angulo de atraso compreendido entre 0 e

2
, o valor medio
da tens ao recticada diminui com o aumento de mas mantem-se positivo
logo o recticador fornece potencia ` a carga. Ou seja o uxo de energia e feito
no sentido AC-DC, ou seja a montagem funciona como recticador.
3.2.2 Inversor ou Ondulador: >

2
Para um angulo de atraso maior que

2
, o valor medio da tens ao
recticada torna-se negativo logo a montagem recebe potencia da carga. Ou
seja o uxo de energia e feito no sentido DC-AC, de onde se conclui que a
montagem funciona como inversor.
Figura 3.2: Modos de funcionamento: (a) - recticador (b) - inversor
3.2.3 Valor medio da tensao recticada
Designemos por u

c
a tens ao de sada do recticador controlado. Esta
tens ao e constituda por q topos de sinus oide de largura
2
q
, ent ao o seu valor
medio e dado por:
U

CO
=
q
2
_
+

q
+

q
+
V
M
cos tdt =
q

V
M
sin

q
cos (3.3)
3.2. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 39
U

CO
= U
CO
cos (3.4)
Teoricamente podemos concluir que variando , conseguimos variar
U

CO
de U
CO
a U
CO
. No entanto, esta conclus ao s o e v alida se a carga puder
funcionar como gerador, se tal n ao se vericar, em regime permanente U

CO
s o pode ser positivo ou nulo.
3.2.4 Correntes e factores de potencia
Supondo que a corrente na carga e constante, cada tiristor conduz
esse valor de corrente durante o tempo
T
q
, logo as correntes tem os mesmos
valores que no caso do recticador n ao controlado.
I
Tav
=
I
C
q
(3.5)
I
Trms
=
I
C

q
(3.6)
I
Tmax
= I
C
(3.7)
Cada fase do secund ario do transformador conduz a mesma corrente
que o tiristor correspondente, logo:
I
Srms
=
I
C

q
(3.8)
O mesmo se passa com as correntes do prim ario, logo se conclui
facilmente que todos os factores de potencia vem multiplicados por | cos |.
f

s
= f
s
| cos | (3.9)
f

p
= f
p
| cos | (3.10)
40 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

3.2.5 Funcionamento como Inversor
No funcionamento como inversor existem precau c oes muito impor-
tantes a tomar que consistem em assegurar a condu c ao e o bloqueio dos
tiristores, de forma a que o controlo n ao seja perdido. Ou seja, o controlo
dever a ser absolutamente seguro caso contr ario poderemos ter consequencias
bastante graves.
Os tiristores nao bloqueiam
Na maior parte do tempo, quando a montagem est a a funcionar como
inversor, os tiristores conduzem quando as tens oes das fases correspondentes
s ao negativas e est ao bloqueados quando as mesmas s ao positivas. Se os
tiristores n ao bloquearem quando as tens oes s ao positivas, a tendencia e
para que continuem a conduzir, tornando u

C
positivo o que equivale a um
curto-circuito.
Consideremos por exemplo uma mentagem P3 a funcionar como in-
versor.
Figura 3.3: Montagem P3 controlada
Estabelecendo a lei das malhas na carga, temos:
I
C
=
U

CO
+E
R
(3.11)
3.2. RECTIFICADORES DE COMUTAC

AO PARALELA SIMPLES 41
Se os tiristores n ao bloqueiam e consequentemente U

CO
se torna po-
sitivo I
C
ir a atingir um valor muito elevado, a corrente nos tiristores tomar a
tambem um valor muito elevado e igual ao da sua corrente de curto-circuito
acrescido do valor de E, limitado apenas por R e pelas resistencias dos en-
rolamentos.
Os tiristores nao disparam
No caso de um tiristor n ao disparar no instante em que devia perde-se
o controlo. Consideremos a mesma montagem e suponhamos que no instante
t = t
2
o impulso aplicado na gate do tiristor T
2
n ao o faz disparar, mantendo-
se T
1
em condu c ao. Quando se aplica o impulso a T
3
a tens ao aos seus
terminais e negativa logo ele n ao dispara, continuando T
1
a conduzir.
O controlo s o pode ser restabelecido em t = T + t
2
no caso de
conseguirmos disparar T
2
desta vez.
Figura 3.4: Falha no disparo de T
2
com a consequente perda de controlo
Durante o tempo em que o controlo foi perdido a diferen ca v
1
E
pode tomar valores muito elevados, resultando numa corrente muito elevada
42 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

na malha constituda pela fase 1, pelo tiristor T
1
e pelo gerador E, podendo
conduzir ` a destrui c ao do tiristor T
1
.
3.3 Recticadores de comuta cao paralela du-
pla totalmente controlados
Nos recticadores de comuta c ao paralela dupla a substitui c ao dos
dodos por tiristores pode fazer-se em ambos os comutadores (montagens
totalmente controladas), ou apenas num deles (Montagens semi-controladas).
Comecemos por analisar o caso das montagens totalmente controladas.
3.3.1 Estudo das tens oes
Na gura seguinte temos as formas de onda das tens oes numa mon-
tagem PD3 totalmente controlada, para dois valores de .
3.3. RECTIFICADORES PD TOTALMENTE CONTROLADOS 43
Figura 3.5: Montagem PD3 totalmente controlada
A tens ao recticada resulta da diferen ca das tens oes de cada comu-
tador, logo o seu valor medio valer a:
U

CO
= V
+av
V
av
=
2q

V
M
sin

q
cos (3.12)
U

CO
= U
CO
cos (3.13)
3.3.2 Intensidades de corrente e factores de potencia
Supondo que a corrente na carga e constante, os valores das correntes
nos tiristores e enrolamentos s ao os mesmos que nas montagens n ao contro-
ladas, assim como os factores de potencia vem multiplicados por | cos |.
44 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

3.4 Recticadores de comuta cao paralela du-
pla semi-controlados
3.4.1 Estudo das tens oes
Na gura seguinte temos as formas de onda das tens oes numa mon-
tagem PD3 semi-controlada, para dois valores de .
Figura 3.6: Montagem PD3 semi-controlada
Vericamos que nestas montagens a tens ao de sada nunca se inverte
anulando-se quando dois recticadores ligados ao mesmo terminal secund ario
conduzem em simult aneo.
3.4. RECTIFICADORES PD SEMI-CONTROLADOS 45
A tens ao recticada resulta da diferen ca das tens oes de cada comu-
tador, logo o seu valor medio valer a:
U

CO
= V
+av
V
av
=
q

V
M
sin

q
(1 + cos ) (3.14)
U

CO
= U
CO

1 + cos
2
(3.15)
Fazendo variar de 0 a , vericamos que U

CO
nunca se anula,
donde concluimos que este tipo de montagens n ao podem funcionar como
inversores.
3.4.2 Intensidades de corrente e factores de potencia
Supondo que a corrente na carga e constante, os valores das correntes
nos tiristores s ao os mesmos que nas montagens n ao controladas.
J a nas correntes do secund ario a situa c ao e diferente, h a que distin-
guir dois casos.
1 - <
2
q
O enrolamento de cada fase e percorrido pela corrente I
C
ou I
C
,
quando conduzem, respectivamente, o tiristor ou o dodo correspondentes.
O valor ecaz da corrente no secund ario ser a ent ao igual ao obtido
no caso da montagem s o com tiristores.
I

S
= I
C

2
q
(3.16)
E o factor de potencia no secund ario ser a dado, por:
f

s
= f
s

1 + cos
2
(3.17)
De onde se verica que o factor de potencia ser a tanto pior quanto
maior for o valor de .
46 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

2 - >
2
q
Durante a condu c ao simult anea do dodo e do tirstor ligados ` a
mesma fase, e nula a corrente no enrolamento dessa fase. Os dois inter-
valos de tempo por perodo em que circula a corrente I
C
no enrolamento, um
em cada sentido, vir ao reduzidos a um tempo correspondente a um angulo
de (ver gura 4.6). O valor de I
S
ser a ent ao:
I

S
=

2
2
_

0
I
2
C
d(t) = I
C

(3.18)
E o factor de potencia no secund ario:
f

s
=

sin

q
(1 + cos ) (3.19)
Podemos vericar que o valor de I

S
diminui com a redu c ao de U

CO
,
ou seja, quanto maior for a dura c ao dos intervalos de corrente nula em cada
enrolamento.
Podemos tambem constatar que esta vantagem e tanto maior quanto
menor for o valor de q, uma vez que o valor de para o qual se verica a
redu c ao de I

S
e tanto menor quanto menor for q.
3.4. RECTIFICADORES PD SEMI-CONTROLADOS 47
Figura 3.7: Varia c ao da corrente no secund ario
A redu c ao da corrente no secund ario origina tambem uma redu c ao
da corrente no prim ario. Desta forma, para uma mesma corrente a fornecer ` a
carga, com uma montagem semi-controlada as perdas por efeito de Joule nos
enrolamentos ser ao inferiores e consequentemente o rendimento da montagem
ser a mais elevado.
Em conclus ao, no caso de n ao se pretender a reversibilidade da mon-
tagem (funcionamento como inversor), as montagens mistas s ao preferveis
` as montagens s o com tiristores, n ao s o pelas raz oes apontadas, mas tambem
pela economia de tiristores, na generalidade mais caros que os dodos.
48 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

3.5 Recticadores Controlados de Co-
muta cao Serie
Nas montagens de comuta c ao serie tambem se podem substituir os
dodos de ambos os comutadores ou de apenas um, dando origem respecti-
vamente a montagens totalmente controladas e mistas ou semi-controladas
respectivamente.
3.5.1 Estudo das Tens oes
No caso das montagens totalmente controladas as formas de onda
podem ser vistas na gura seguinte.

E de notar que neste caso = , pois o
instante de incio de condu c ao dos dodos coincide com a passagem por zero
das tens oes.
Figura 3.8: Montagem S3 Totalmente Controlada
A partir daqui pode demonstrar-se que o valor medio da tens ao de
3.5. RECTIFICADORES CONTROLADOS DE COMUTAC

AO S

ERIE49
sada e dado por:
U

CO
=
q

V
M
cos (3.20)
Mais uma vez, o valor medio da tens ao de sada da montagem total-
mente controlada e igual ao seu equivalente n ao controlado multiplicado por
cos .
No caso das montagens mistas ou semi-controladas, a tens ao de sada
nunca se inverte sendo portanto impossvel o regime de funcionamento como
inversor. O valor medio da tens ao de sada valer a neste caso:
U

CO
=
q

V
M
1 + cos
2
(3.21)
3.5.2 Estudo das Correntes
Os valores das correntesnos semicondutores e nos enrolamentos, su-
pondo que a corrente na carga e constante, tomam os mesmos valores que
os obtidos nas montagens n ao controladas correspondentes, enquanto que os
factores de potencia vem multiplicados por | cos |.
50 CAP

ITULO 3. RECTIFICADORES CONTROLADOS

Captulo 4
Variadores de Corrente
Alternada
4.1 Introdu cao
Os variadores de corrente alternada devem conduzir uma corrente
que circula nos dois sentidos, logo e necess ario utilizar uma montagem de
dois tirstores em anti-paralelo ou um triac. Estas duas solu c oes tem um
funcionamento identico, excep c ao feita ao circuito de comando.
Figura 4.1: Montagens com dois tiristores e com um triac
51
52 CAP

ITULO 4. VARIADORES DE CORRENTE ALTERNADA

Por facilidade de controlo, apenas se utiliza a montagem de dois
tirstores em casos onde as potencias envolvidas n ao permitem a utiliza c ao
do triac. De facto o comando de dois tirstores em anti-paralelo e mais com-
plexo, dado que exige dois impulsos de disparo electricamente isolados, o que
implica por exemplo a utiliza c ao de um transformador com dois enrolamentos
secund arios separados.
4.2 Aplica c oes
As aplica c oes mais comuns dos variadores de corrente alternada mo-
nof asicos s ao o controlo da luminosidade de l ampadas de incandescencia e o
controlo de fornos, aquecedores, etc.
Os variadores trif asicos, podem ser utilizados nas mesmas aplica c oes
mas em potencias mais elevadas. Podem tambem ser utilizados para con-
trolar dentro de uma certa gama a velocidade de motores de indu c ao. Ou-
tra aplica c ao muito interessante e o controlo da potencia reactiva em redes
electricas de 100 kV A a 50 MV A. Nestes casos um variador de corrente al-
ternada alimenta uma carga indutiva trif asica em paralelo com uma bateria
de condensadores compensando parcialmente a potencia reactiva fornecida ` a
bateria, permitindo o controlo da potencia reactiva.
4.3 Conversores Monofasicos
A gura seguinte representa um conversor AC-AC monof asico, este e
constitudo por dois tirstores em anti-paralelo ou um triac que alimentam um
carga que regra geral e ohmica ou indutiva. Estes conversores raramente s ao
utilizados em cargas capacitivas devido aos fortes picos de tens ao resultantes
da comuta c ao dos tiristores.
4.3. CONVERSORES MONOF

ASICOS 53
Figura 4.2: Conversor AC-AC monof asico
4.3.1 Conversor com carga puramente resistiva
Na gura seguinte, podemos visualizar as formas de onda da corrente
e tens ao num conversor com carga puramente resistiva. Quando um dos
tiristores est a em condu c ao a tens ao na carga iguala a tens ao da fonte.
54 CAP

ITULO 4. VARIADORES DE CORRENTE ALTERNADA

Figura 4.3: Conversor AC-AC com carga resistiva
O instante de disparo dos tiristores e denido pelo angulo de disparo
, medido a partir do cruzamento por zero da tens ao de alimenta c ao.
Ap os o disparo a corrente na carga e dada por
i =
U
max
sin t
R
(4.1)
Onde U
max
e o valor de pico da tens ao de alimenta c ao. A corrente e
a tens ao na carga, como se pode ver, s ao constitudas por partes de sinus oide,
deixando portanto de ser sinusoidais.

E no entanto possvel decomp olas nas
suas series de Fourier, e a componente fundamental da corrente ter a a mesma
frequencia da tens ao de alimenta c ao. Contudo esta componente fundamental
est a desfasada de um angulo em rela c ao ` a tens ao de alimenta c ao, o que
quer dizer que apesar de a carga ser puramente resistiva a fonte tem que
fornecer potencia reactiva.
4.3. CONVERSORES MONOF

ASICOS 55
4.3.2 Conversor AC-AC com carga puramente indu-
tiva
A gura seguinte representa as formas de onda das tens oes na carga
e no tiristor e da corrente na carga quando o conversor funciona com uma
carga puramente indutiva.
Figura 4.4: Conversor AC-AC com carga puramente indutiva
Ap os o disparo do tiristor a corrente na carga segue a seguinte
equa c ao diferencial:
L
di
dt
= U
max
sin t (4.2)
De onde por integra c ao obtemos:
56 CAP

ITULO 4. VARIADORES DE CORRENTE ALTERNADA

i =
U
max
L
cos t +I
o
(4.3)
A constante de integra c ao I
o
pode obter-se a partir da condi c ao
inicial t = e i = 0, de onde se obtem:
I
o
=
U
max
l
cos (4.4)
E ent ao,
i =
U
max
L
(cos sin t) (4.5)
A corrente anula-se e consequentemente o tiristor bloqueia em t =
. O angula de extin c ao pode ser obtido fazendo i = 0 e t = , de onde
tiramos que,
cos = cos (4.6)
= 2 (4.7)
Denimos ainda o angulo de condu c ao como = .
4.3.3 Conversor AC-AC com carga indutiva
As formas de onda das tens oes e correntes num conversor no caso
em que este alimenta uma carga indutiva est ao ilustradas na gura seguinte.
4.3. CONVERSORES MONOF

ASICOS 57
Figura 4.5: Conversor AC-AC com carga indutiva
Ap os o disparo de um tiristor, o circuito rege-se pela seguinte equa c ao
diferencial:
L
di
dt
+R i = U
max
sin t (4.8)
A solu c ao desta equa c ao e composta por uma componente for cada
(regime permanente) e por uma componente livre (regime transit orio). A
primeira pode ser facilmente determinada por c alculo fasorial:
i
p
=
U
max
_
R
2
+ (L)
2
sin (t ) (4.9)
Onde,
58 CAP

ITULO 4. VARIADORES DE CORRENTE ALTERNADA

= arctg
L
R
(4.10)
e o desfasamento entre a tens ao e a corrente da carga quando ali-
mentada pela tens ao da fonte.
A componente livre consiste numa exponencial decrescente da forma:
i
t
= I
t0
e

(4.11)
Onde =
L
R
e a constante de tempo da carga.
O factor I
t0
pode ser determinado tendo em conta que no instante
do disparo do tiristor (t = ) a corrente total deve ser nula.
I
t0
=
U
max
_
R
2
+ (L)
2
sin ( ) e
R/L
(4.12)
Como a corrente na carga e dada por i = i
p
+i
t
, temos ent ao:
i =
U
max
_
R
2
+ (L)
2
[sin (t ) e
(t)R/L)
sin ( )] (4.13)
Esta equa c ao e v alida ate ao instante em que a corrente se anula,
ou seja, ate t = . O angulo de extin c ao pode ser obtido por integra c ao
numerica da equa c ao anterior fazendo i = 0 e t = , de onde resulta a
equa c ao transcendente:
sin ( ) e
()R/L)
sin ( ) = 0 (4.14)
A extin c ao de um tiristor deve ocorrer antes do disparo do tiristor
seguinte, caso contr ario este ultimo n ao dispara por estar inversamente pola-
rizado e consequentemente perde-se o controlo. Para satisfazer esta condi c ao
podemos denir o angulo mnimo de disparo:

min
= (4.15)
4.3. CONVERSORES MONOF

ASICOS 59
Por outro lado um tiristor n ao poder a ser disparado na sua al-
tern ancia negativa, pois tambem est a inversamente polarizado, esta condi c ao
dene-nos o angulo m aximo.

max
= (4.16)
Ao conjunto de angulos denidos por
min
e
max
chamamos gama
de controlo do conversor.
Para a correcta programa c ao dos angulos de disparo interessa-nos
saber em especial qual o valor ecaz da corrente na carga. Para uma carga
resistiva este valor e obtido a partir da equa c ao 5.1.
I
RMS
=

i
2
d(t) =
U
max

2R

+ (sin 2)/2

(4.17)
Como e obvio o m aximo valor ecaz da corrente na carga corres-
ponde ao valor mnimo do angulo de disparo, deste modo podemos obter
este m aximo que e dado por:
I
RMSmax
=
U
max

2R
(4.18)
Na gura seguinte podemos ver a varia c ao do valor ecaz da corrente
na carga em fun c ao do angulo de disparo .
60 CAP

ITULO 4. VARIADORES DE CORRENTE ALTERNADA

Figura 4.6: I
RMS
em fun c ao de .
Se a carga e puramente indutiva, e a corrente rege-se pela equa c ao
5.5. Tendo em conta a sua simetria podemos obter o seu valor ecaz.
I
RMS
=

i
2
d(t) =
U
max

2L

2( )(2 + cos 2) + (3 sin 2)

(4.19)
Para o caso em que temos uma carga indutiva, obtemos uma ex-
press ao extremamente complexa. Para a obten c ao do valor ecaz da corrente
recorre-se a gr acos.
Captulo 5
Dissipa cao de Potencia
A m axima potencia dissipada num dispositivo semicondutor e limi-
tada pela temperatura m axima admissvel nas jun c oes. Um factor importante
para assegurar que a temperatura da jun c ao se mantem a um nvel inferior
ao m aximo admissvel e a capacidade de o circuito termico associado reti-
rar potencia calorca do dispositivo.

E por este motivo que os dispositivos
semicondutores s ao normalmente montados sobre bases boas condutoras de
calor.
5.1 Modelo termico de um dispositivo semi-
condutor
A gura seguinte representa esquematicamente, o corte de um
transstor com dissipador de calor.
61
62 CAP

ITULO 5. DISSIPAC

AO DE POT

ENCIA
Figura 5.1: Corte de um dispositivo semicondutor com dissipador
Considerando a ttulo de exemplo o caso de um transstor, na
ausencia de liga c ao electrica nenhuma potencia e dissipada neste, pelo que as
temperaturas da jun c ao, da c apsula e ambiente s ao iguais. Com o transstor
em funcionamento, uma potencia aproximadamente igual a V
CE
I
C
e dissi-
pada na pastilha provocando um aumento da temperatura da jun c ao T
j
. O
calor ui para a c apsula, e desta para o exterior. A quantidade de calor
que ui para o exterior depende das caractersticas da c apsula e da diferen ca
de temperaturas. Assim, por exemplo, quanto maior for a c apsula (logo a
sua superfcie) maior e a quantidade de calor que pode ser dissipada (por
esta raz ao os transstores de potencia tem c apsulas maiores). Analogamente,
quanto mais baixa for a temperatura ambiente mais calor pode ser dissipado.
A temperatura da jun c ao sobe ate que a quantidade de calor gerada
electricamente iguale a quantidade de calor que o transstor e capaz de trans-
ferir para o ambiente. Estabelece-se ent ao um estado de equilbrio termico
no qual cada elemento est a a uma temperatura diferente com T
j
> T
c
> T
a
.
Aceita-se como boa aproxima c ao que a diferen ca de temperatura
entre dois meios e proporcional ` a quantidade de calor transferida entre
eles. A constante de proporcionalidade designa-se por resistencia termica
e representa-se por .
Assim, a diferen ca de temperatura entre a jun c ao e a c apsula pode
relacionar-se com a potencia dissipada na jun c ao P
j
atraves da seguinte ex-
press ao:
T
j
T
c
=
jc
P
j
(5.1)
sendo
jc
a resistencia termica entre a jun c ao e a c apsula que se exprime em
o
C/W ou
o
K/W.
Em equilbrio termico, toda a potencia dissipada na jun c ao e trans-
5.1. MODELO T

ERMICO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR 63

mitida ` a c apsula e desta para o ambiente, assim tambem podemos escrever:
T
c
T
a
=
ca
P
j
(5.2)
Das equa c oes anteriores podemos concluir que:
T
j
T
a
= (
jc
+
ca
)P
j
(5.3)
O conjunto destas tres equa c oes sugerem a utiliza c ao de um modelo electrico
descrever as propriedades termicas do dispositivo com base na seguinte ana-
logia:
1. Diferen ca de temperatura - diferen ca de potencial;
2. Resistencia termica - resistencia electrica;
3. Potencia dissipada na jun c ao - fonte de corrente.
Este modelo e apresentado esquematicamente na gura seguinte:
T
j T
c
T
a

jc

ca
P
j
Figura 5.2: Modelo termico do dispositivo semicondutor
Quando a potencia electrica desenvolvida no transstor e consi-
der avel, que e o caso dos amplicadores de potencia e dos conversores, a
capacidade que a c apsula tem de transferir calor para o ambiente e normal-
mente insuciente. Torna-se assim necess ario aumentar essa capacidade o
que se faz montando o dispositivo sobre um dissipador.

E naturalmente de-
sej avel que o contacto termico entre a c apsula do transstor e o dissipador
seja o maior possvel, no entanto, e em geral necess ario evitar o contacto
entre os dois elementos, pelo que se requer um isolamento electrico de baixa
resistencia termica. Os materiais mais utilizados para este m s ao a massa
de silicone e a mica.
A an alise feita anteriormente permite-nos estabelecer o modelo
termico desta nova situa c ao, como se pode ver na gura seguinte:
64 CAP

ITULO 5. DISSIPAC

AO DE POT

ENCIA
T
j T
c
T
i
T
d
T
a

jc

ca

ci

id

ia

da
P
j
Figura 5.3: Modelo termico do dispositivo com dissipador
Este modelo pode, contudo, ser bastante simplicado atendendo aos
valores que normalmente assumem algumas das resistencias termicas consi-
deradas. Assim, uma vez que o contacto entre o isolamento e o ar e extre-
mamente reduzido, a resistencia
ia
e muito elevada quando comparada com
as outras pelo que no modelo esta resistencia pode ser considerada como um
circuito aberto. Em consequencia e habitual representar a soma
ci
+
id
simplesmente por
cd
.
Por outro lado, a resistencia
ca
dado o seu elevado valor, particu-
larmente face a
cd
+
da
e normalmente ignorada. Deste modo, obtem-se
o modelo simplicado da gura seguinte que representa de forma bastante
satisfat oria o comportamento termico de um dispositivo semicondutor com
dissipador.
T
j T
c
T
d
T
a

jc
cd

da
P
j
Figura 5.4: Modelo termico simplicado do dispositivo com dissipador
Finalmente e de notar que, quando se p oe o problema de dimen-
sionar um dissipador para um dado dispositivo semicondutor, o que h a a
fazer e resolver o problema em ordem a
da
para uma determinada tempera-
tura ambiente obtendo assim o seu valor m aximo, de seguida escolhe-se um
dissipador cujo valor de
da
seja inferior ao valor calculado.
5.1. MODELO T

ERMICO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR 65

Figura 5.5: Exemplos de dissipadores
Dissipador 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

da
3.2 2.3 2.2 0 2.1 1.7 1.3 1.3 1.25 1.2 1.8 0.65
V ol(cm
3
) 76 99 181 0 198 298 435 675 608 634 695 1311
Tabela 5.1: Resistencia Termica dos dissipadores
66 CAP

ITULO 5. DISSIPAC

AO DE POT

ENCIA
Captulo 6
Circuitos de Drive e Snubber
6.1 Introdu cao
Um conversor de potencia na pr atica e um sistema complexo, cons-
tituido por v arios subsistemas e muitos componentes. A maioria dos compo-
nentes normalmente, n ao e incluida no esquema do conversor que na maior
parte dos casos est a limitado ao circuito de potencia e por vezes um diagrama
de blocos do circuito de controlo.
Alguns sistemas e componentes complementares do conversor s ao
enumerados a seguir:
Drivers para os interruptores est aticos, que fazem a interface entre estes
e o circuito de controlo;
Esquemas de protec c ao contra sobre-cargas, que protegem os disposi-
tivos semicondutores e cargas sensveis contra sobre-intensidades;
Snubbers, que protegam os interruptores est aticos contra picos de
tens ao e dee corrente nos transit orios turn-one turn-oe reduzem
as perdas de comuta c ao;
Filtros que melhoram a qualidade da potencia absorvida da fonte e da
potencia fornecida ` a carga;
Sistemas de refrigera c ao, para reduzir o stress termico nos dispositivos;
67
68 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Sistemas de controlo que controlam o funcionamento do conversor.
6.2 Drivers
Um Driver e um circuito que deve ser capaz de, activado por um
sinal fraco de nvel TTL ou CMOS, gerar um sinal sucientemente forte para
disparar ou comutar o dispositivo semicondutor.
6.2.1 Drivers para Tirstores e Triacs
Para disparar um tristor, o impulso de corrente na gate deve ter
uma dura c ao e uma amplitude sucientes. O isolamento entre o circuito de
controlo e o circuito de potencia e na maior parte dos casos necess aria e sem
conveniente. Este isolamento pode ser galv anico ou optico, tendo ambas as
solu c oes vantagens e desvantagens.
Um optoacoplador requer alimenta c ao e um amplicador do lado do
circuito de potencia, tal n ao e necess ario quando utilizamos um transfor-
mador. Por outro lado, quando utilizamos um transformador, e necess ario
utilizar circuitos extra, para evitar a satura c ao do n ucleo.
O circuito seguinte e um driver para tirstor que utiliza um transfor-
mador de pulsos e um amplicador transistorizado.
6.2. DRIVERS 69
Figura 6.1: Driver para tristor com isolamento galv anico
Neste circuito o dodo D1 e o dodo de zener, fornecem um caminho
de free-wheelingpara a corrente do prim ario durante o turn-o, impe-
dindo assim a satura c ao do n ucleo do transformador. O dodo D2 no circuito
da gate, rectica a corrente do secund ario.
D1 obriga a corrente a circular pelo prim ario durante T
ON
;
Dz faz efeito de carga durante T
OFF
.
O circuito da gura seguinte e um driver com isolamento optico para
um tristor. O optoacoplador e constituido por um LED e um fototristor. A
energia para o sinal de gate e obtida directamente do circuito de potencia.
O fototristor deve conseguir bloquear a mesma tens ao que o tristor.
70 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Figura 6.2: Driver para tristor com isolamento optico
A gura seguinte mostra-nos um driver n ao isolado para um triac.
O amplicador transistorizado fornece a corrente de gate para o triac.
Figura 6.3: Driver para tristor com isolamento optico
Nagura em baixo temos um driver isolado opticamente para um
6.2. DRIVERS 71
triac que utiliza um optoacoplador com um fototriac.
Figura 6.4: Driver para tristor com isolamento optico
6.2.2 Drivers para GTOs
Apesar de os GTOs se ligarem de forma an aloga aos tristores, os
seus drivers s ao consideravelmente mais complexos, devido ao facto de es-
tes necessitarem de uma amplitude de corrente de gate muito elevada para
efectuarem o turn-o.
Um exemplo e dado na gura seguinte. Neste circuito, para ligar
o GTO, o transformador de pulsos transfere um trem de impulsos de alta
frequencia gerados alternadamente pelos MOSFETs M1 e M2. A corrente de
disparo e fornecida ` a gate atraves do dodo de zener Dz e da indut ancia L que
controla a taxa de varia c ao de corrente. Ao mesmo tempo, o condensador
C e carregado atraves da ponte recticadora. O nal do trem de impulsos
signica que queremos desligar o GTO, ent ao, o turn-oe iniciado dispa-
rando o tristor o que causa uma r apida descarga do condensador no ciscuito
gate-c atodo.
72 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Figura 6.5: Driver para tristor com isolamento optico
6.2.3 Drivers para transstores bipolares
Os drivers para transstores bipolares devem ser do tipo fonte de
corrente, por raz oes obvias. Um bom driver para transstor dever a ter as
seguintes caractersticas:
1. Alta corrente de pulso durante o turn-onde modo a minimizar o
tempo de comuta c ao;
2. Corrente de base ajust avel durante o estado ON, de modo a minimizar
as perdas na jun c ao base-emissor. A corrente inicial de arranque deve
ser reduzida ap os o turn-on;
3. Deve evitar a satura c ao excessiva do transstor, uma vez que esta si-
tua c ao vai aumentar o tempo de turn-o;
4. Deve inverter a corrente de base durante o turn-opara reduzir o
tempo de comuta c ao;
5. Deve ter uma baixa imped ancia entre a base e o emissor no estado
ON e uma tens ao base emissor inversa no estado OFF. Estas medidas
aumentam a capacidade de bloqueio da jun c ao colector-emissor.
6.2. DRIVERS 73
Na gura seguinte s ao apresentados dois exemplos de circuitos sim-
ples de drivers n ao isolados.
Figura 6.6: Drivers para BJT n ao isolados
O desempenho do primeiro circuito est a longe de ser excelente. As
perdas s ao reduzidas no segundo circuito, onde o transstor T1 accionao
amplicador de classe B, constituido por T2 e T3. O condensador C acelera
as transi c oes fornecendo corrente adicional.
74 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Para aumentar a velocidade de turn-oe possvel utilizar um cir-
cuito de anti-satura c ao designado por Bakers Clamp. A nalidade deste
circuito e fazer o shunt da corrente de base atraves do dodo D0, dependendo
de V
CE
para mudar o transstor da zona de forte satura c ao para a zona de
quase satura c ao.
Os dodos D1 a D3, fornecem a polariza c ao adequada para D0. O
dodo D4 fornece um caminho para a corrente de base negativa durante o
turn-o.
Figura 6.7: Bakers Clamp
Quando necessitamos de Drivers isolados podemos utilizar o circuito
da gura seguinte. No entanto a gama de dutuy-cycle pratic avel vai de 0.1 a
0.9 pelo que normalmente se utiliza isolamento optico.
6.2. DRIVERS 75
Figura 6.8: Driver para BJT com isolamento galv anico
Um exemplo e dado no circuito seguinte, onde se utilizam optoaco-
pladores para accionar um amplicador de classe B.
Figura 6.9: Driver para BJT com isolamento optico
A forma de onda da corrente de base e ilustrada na gura seguinte.

E de notar que os seus valores de pico valem dez a vinte vezes o valor de i
B
durante T
ON
.
76 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Figura 6.10: Forma de onda da corrente de base
6.2.4 Drivers para MOSFETs, IGBTs e MCTs
Em regime permanente as gates destes dispositivos praticamente n ao
absorvem corrente, desta forma podem ser activadas directamente a partir
de portas l ogicas. No entanto, quando e necess aria uma comuta c ao de alta
frequencia, existem cargas electricas que tem que ser transferidas com rapidez
de e para a capacit ancia da gate. Isto requer pulsos de corrente relativamente
elevada no incio dos sinais de turn-one de turn-o.
Figura 6.11: Driver para MOSFET sem isolamento
Os circuitos seguintes mostram drivers de MOSFETs mas que podem
ser utilizados com IGBTs e MCTs sem qualquer altera c ao.
6.2. DRIVERS 77
O circuito seguinte possui isolamento galv anico. O dodo interno do
MOSFET auxiliar fornece um caminho para a corrente de carga da capa-
cit ancia do MOSFET de potencia. Quando o transformador satura, o MOS-
FET auxiliar bloqueia a corrente de descarga da gate ate ao turn-o, que
e iniciado por um impulso negativo do transformador que liga o MOSFET
auxiliar.
Figura 6.12: Driver para MOSFET com isolamento galv anico
Figura 6.13: Driver para MOSFET com isolamento optico
78 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

6.3 Protec cao contra sobre-intensidades
Os dispositivos semicondutores de potencia podem sofrer danos per-
manentes quando ocorre um curto-circuito ou uma sobrecarga. Existem ba-
sicamente tres aproxima c oes possveis ao problema:
1. Utiliza c ao de fusveis;
2. Montagem crowbar de tirstores;
3. Circuitos que desligamos dispositivos em caso de sobrecarga.
Os dispositivos podem ser protegidos por fusveis de fus ao r apida.
Neste caso temos que garantir que o par ametro I
2
t do fusvel e inferior ao
do dispositivo, mas n ao t ao baixo que conduza ` a destrui c ao do fusvel em
funcionamento normal. O fusvel deve fundir am meio ciclo da tens ao de
entrada (50-60 Hz).
Uma solu c ao mais sosticada e a montagem crowbarde tirstores
mostrada na gura seguinte. Quando e detectada uma corrente excessiva o
tirstor dispara, queimando o fusvel.
Figura 6.14: Crowbarde tirstores
Hoje em dia existem drivers integrados, que monitorizam a cor-
rente que circula no dispositivo e o desligam quando e detectada uma sobre-
intensidade.
6.4 Circuitos Snubber
A comuta c ao sujeita os dispositivos semicondutores a v arios tipos
de esfor cos. Por exemplo, se n ao se tomarem medidas, a mudan ca brusca
6.4. CIRCUITOS SNUBBER 79
da corrente durante o turn-oproduzir a picos de tens ao potencialmente
catastr ocos devido ` as indut ancias parasitas do circuito de potencia.
Durante o turn-on, a ocorrencia em simult aneo de elevadas cor-
rentes e elevadas tens oes, pode levar o ponto de funcionamento do dispositivo
muito para alem da SOA (Safe Operating Area). Em face disto, muitas
vezes s ao utilizados circuitos de auxlio ` a comuta c ao em conjunto com os
dispositivos aos quais chamamos Snubbers.
O objectivo dos snubbers e evitar os transit orios de sobretens oes e
sobre-intensidades, atenuar as excessivas taxas de varia c ao de correntes e
tens oes, reduzir as perdas de comuta c ao e assegurar que o dispositivo n ao
funciona fora da SOA.
A an alise dos circuitos de snubber e na melhor das hip oteses traba-
lhosa e na maior parte dos casos muito difcil, devido ` a n ao-linearidade dos
dispositivos em causa e ` a complexidade relativa de alguns circuitos. Devido
a este facto, trataremos este t opico de uma forma essencialmente qualita-
tiva. Na pr atica, utilizam-se ferramentas de simula c ao para o projecto dos
snubbers.
Para ilustrar a necessidade de utiliza c ao de snubbers, vamos consi-
derar um chopper de 1
o
quadrante com um transstor bipolar.
Figura 6.15: Chopper de 1
o
quadrante
Assumimos que a indut ancia da carga e de tal modo elevada que a
corrente na carga e constante e igual a I
o
. Consequentemente, do ponto de
vista da an alise do circuito, a carga pode ser substituda por uma fonte de
corrente. Uma indut ancia de fugas L

existe entre a fonte e o chopper. O

circuito snubber, que e constitudo por R
s
e C
s
, e ligado em paralelo com o
80 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

transstor.
Da malha exterior do circuito, tiramos a seguinte equa c ao:
v
CE
= V
i
v
L
v
o
(6.1)
Quando o transstor est a no estado ON, temos v
CE
= 0. Conside-
rando que em t = 0 o transstor e desligado, a sua corrente de colector
decresce linearmente a partir do seu valor inicial I
o
, anulando-se em t = t
0
.
Figura 6.16: Tens ao e corrente no transstor sem snubber
Como resultado desta queda brusca da corrente, aparece aos termi-
nais da indut ancia de fugas um transit orio de tens ao.
i
C
=
I
o
t
0
(t
0
t) (6.2)
V
L,pico
= L

di
C
dt
= L

I
o
t
0
(6.3)
Como entretanto o dodo come cou a conduzir, temos v
o

= 0, logo o
valor de pico de v
CE
ser a dado por:
V
CE,pico
= V
i
V
L,pico
= V
i
+L

I
o
t
0
(6.4)
Claramente, conforme t
0
0, como convir a para reduzir as perdas
de comuta c ao, V
CE,pico
tende para innito.
Se utilizarmos o snubber RC da gura, temos:
6.4. CIRCUITOS SNUBBER 81
i
i
= I
o
e

R
s
L

t
cos(
d
t) (6.5)

d
=

_
1
L

C
s

_
R
s
2L

_
2
(6.6)
Agora podemos obter v
CE
,
v
CE
= V
i
v
L
= V
i
L

fracdi
i
dt (6.7)
v
CE
= V
i
_
1 e

R
s
L

t
cos(
d
t
_
(6.8)
Com um snubber devidamente projectado e anado v
CE
tem um
pequeno pico.
Figura 6.17: Tens ao e corrente no transstor com snubber
6.4.1 Snubbers para dodos tirstores e triacs
A taxa de crescimento da corrente de recupera c ao inversa nos dodos
de potencia e elevada, logo, a ocorrencia de uma sobretens ao durante o turn-
oe bastante prov avel. Normalmente utilizam-se simples snubbers RC em
paralelo com os dodos, designados por turn-o snubber.
Estes snubbers RC s ao tambem utilizados para tirstores e triacs,
principalmente para prevenir disparos acidentais devidos a uma taxa dv/dt
excessiva, pois em certas aplica c oes disparar um tirstor na altura errada pode
82 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Figura 6.18: Snubbers para dodos e tirstores
ser catastr oco. Para limitar a taxa di/dt pode ser colocada uma indut ancia
em serie com o dispositivo.
6.4.2 Snubbers para GTOs
Snubbers simples para turn-one turn-ode GTOs s ao mostra-
dos nas guras seguintes. O snubber de turn-onprotege o GTO contra
sobreintensidades e limita a taxa de varia c ao de corrente di/dt. O circuito
dodo-resistencia permite a r apida dissipa c ao da energia armazenada na in-
dut ancia quando o GTO desliga.
O snubber RDC (resistencia-dodo-condensador) reduz a tens ao
anodo-c atodo durante o turn-o, limitando as perdas de comuta c ao. Du-
rante o tempo de turn-o, a corrente i e desviada para o condensador
atraves do dodo. Como o anodo est a ligado ao condensador, previnem-se
simultaneamente os picos de tens ao e de corrente.
6.4.3 Snubbers para transstores bipolares
Para os transstores bipolares podemos utilizar os mesmos snubbers
que vimos para o GTO. No circuito da gura seguinte temos precisamente
uma combina c ao dos circuitos anteriores. Durante o turn-ona indut ancia
limita a taxa de varia c ao de corrente de colector. Durante o turn-oa
6.4. CIRCUITOS SNUBBER 83
Figura 6.19: Snubber para GTO
corrente e desviada para o condensador atraves do dodo. Quando o con-
densador est a completamente carregado, a energia armazenada que resta na
indut ancia e dissipada na resistencia.
6.4.4 Snubbers para MOSFETs, IGBTs e MCTs
As mesmas congura c oes de snubbers utilizadas para o GTO e o
BJT podem ser usadas em MOSFETs, IGBTs e MCTs.
Nos ultimos anos tem havido a tendencia para projectar conversores
snubberless. A experiencia acumulada de como minimizar as indut ancias de
fugas e melhorar as SOAs dos dispositivos, permitem dispensar os snubbers
de turn-o. No entanto, contimuam a ser utilizados snubbers RC para
proteger os dodos de free-wheeling internos.
Convem salientar que ao escolher um snubber, temos que ter em
conta a topologia do conversor, uma vez que outros componentes do circuito
podem interferir com o funcionamento do snubber.
Nas guras seguintes s ao apresentados os snubbers de McMurray e
de Undeland, que s ao dois snubbers muito populares para conversores em
ponte com dodos de free-wheeling.
84 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER

Figura 6.20: Snubber para transstor bipolar
Figura 6.21: Snubbers de McMurray e de Undeland
6.4.5 Recupera cao de energia nos snubbers
Os snubbers vistos anteriormente, apesar de atingirem os objecti-
vos, perdem energia uma vez que a energia armazenada temporariamente
nos dispositivos indutivos e capacitivos, e dissipada em resistencias e irreme-
diavelmente perdida.
6.4. CIRCUITOS SNUBBER 85
Em conversores de alta frequencia e de alta potencia, a quantidade
de energia perdida nos snubbers pode ser substancial, reduzindo de forma
signicativa o rendimento dos conversores. Para fazer face a este problema,
foram desenvolvidas memidas para recuperar a energia dos snubbers e direc-
cion a-la para a carga ou para a fonte.
Figura 6.22: Snubber com recupera c ao de energia
Na gura anterior, temos um exemplo de um snubber passivo que
recupera a energia armazenada no condensador C
S
.
Neste circuito, o transstor e controlado usando uma modula c ao de
largura de pulso (PWM), para controlar a potencia fornecida ` a carga assu-
mida como indutiva. O retorno da corrente da carga e feito pelo dodo de
free-wheeling D
F
.
Durante o turn-o, o condensador C
S
e carregado atraves do dodo
D
S
ate ` a tens ao V
i
. Quando o transstor liga, a energia armazenada em C
S
e transferida para o condensador C pela resson ancia electrica do circuito
C
S
L D
1
C T. No turn-oseguinte, o condensador C
S
carrega
novamente, enquanto que C se descarrega por D
2
para a carga. Como n ao
se usam resistencias, a maior parte da energia do condensador do snubber e
recuperada e consumida pela carga.
86 CAP

ITULO 6. CIRCUITOS DE DRIVE E SNUBBER