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MEMORIAS PRINCIPALES Y SUS

TECNOLOGAS
El sistema de memoria es uno de los componentes
principales de los sistemas basados en uP como el PC. Su
funcin es la de almacenar datos e instrucciones.
Poco a poco las memorias electrnicas han ido
separndose de ese primer diseo inicial para ir ofreciendo
ms prestaciones y funciones.
Las primeras memorias eran realizadas en telares donde se
haca incidir por un anillo de grafito una serie de hilos cuya
funcin era la de escribir o borrar datos aprovechando el
ciclo de histresis (ste es el famoso efecto memoria que
presentan las bateras de determinados instrumentos
electrnicos, como es el caso de los telfonos mviles).
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Hoy en da una configuracin "generosa y veloz" en memoria
es imprescindible con los sistemas operativos bajo entornos
grficos. Lejos quedan los tiempos donde se usaban KB para
referenciar la memoria.
Peter Norton habl de los PC XT de IBM de la siguiente forma:
"IBM ha equipado a sus ordenadores PC XT con lo mnimo que
se considera necesario para un ordenador personal serio.
Disponer de 10 MB de disco duro y 128 KB de memoria (un
octavo de MB!) es lo propio para una mquina profesional".
No muy lejano quedaba Bill Gates al vaticinar dos aos antes
que "640 KB debera ser suficiente para cualquier PC".
Pinsese que un PC puede tener almacenados muchos
programas en su disco duro, pero slo uno es el que se ejecuta
en un momento determinado -salvando consideraciones como
el multiproceso o la multitarea-. Ese programa en ejecucin
est en la memoria del sistema.
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El clculo de la memoria que precisa un PC es complejo, ya
que depender de la funcin que se le desee dar. As no
existirn los mismos requerimientos para pequeas
aplicaciones en DOS que para complejos entornos grficos.
Lo cierto es que un exceso de memoria rara vez es perjudicial
y, en su defecto, aparecen de forma inevitable algunos
problemas (ralentizacin del sistema, errores de memoria...).
Hay muchas aplicaciones que exigen un mnimo de memoria
para su correcto funcionamiento y una mala eleccin del tipo de
memoria o un mdulo en mal estado puede provocar serios
problemas en la mquina.
Error comn de confundir la memoria RAM con el disco duro. Si
bien ambos son dispositivos de almacenamiento y, lgicamente
usan las mismas unidades para definir su capacidad, hay una
caracterstica (adems de otras miles de ellas) que los
distingue funcionalmente (volatilidad, velocidad....).
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TIPOS DE MEMORIAS
Un PC dispone principalmente de dos tipos de memoria: ROM
y RAM. La diferencia evidente entre ellas es que la primera es
de slo lectura, es decir, no se puede borrar ni escribir
(inicialmente) y la segunda permite su uso completo al usuario,
con el matiz de la volatilidad o lo que es lo mismo, la prdida de
datos ante la falta de suministro elctrico.
Como resulta evidente, la ROM no se puede modificar en s
misma, sino que es preciso sustituirla en caso necesario. La
RAM, de forma genrica, ser el tipo de memoria ms usado,
ya no slo como memoria principal del sistema sino como
complemento al vdeo, bferes de diferentes dispositivos, etc.
En funcin de la tarea que realice, tendr unas caractersticas
concretas y un formato especfico.
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MEMORIAS ROM
"Read Only Memory" o Memoria de slo lectura, implementada
por el fabricante para uso del PC.
Las ROM pueden ser ms lentas o muchsimo ms rpidas que
las RAM.
Se coloca en una base y normalmente no debe ser cambiada.
Entre otras cosas, contiene rutinas del sistema BIOS ("BASIC
Input Output System") que, en determinadas aplicaciones,
reciben el nombre de FIRMWARE.
Existen tres variaciones bsicas sobre esta memoria: PROM,
EPROM y EEPROM.
Memoria PROM: "Programmable ROM". Se trata de un chip
ROM "en blanco", que permite su escritura o grabado. Slo
se puede escribir una nica vez. Podra compararse con un
disco de CD-R que admite una escritura y mltiples lecturas.
Fsicamente la escritura lleva asociado una tarea destructiva
que impide una nueva escritura del integrado.
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Memoria EPROM:
"Erasable Programmable
ROM". Es similar en
funcionalidad a la PROM,
pero puede ser reescrita.
El proceso de borrado
consiste en la aplicacin
de luz ultravioleta en una
ventana que el chip
habilita en su zona
superior. El proceso de
grabacin se basa en
almacenar una carga
electroesttica en
transistores MOS-FET.
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La luz ultravioleta provoca una alteracin en todo el sustrato
hacindolo "conductor" y provocando la descarga de la
electricidad esttica almacenada. Esto provoca una
degradacin en el chip, generalmente el fabricante garantiza
10 ciclos de grabado (actualmente se admiten hasta 100
ciclos, siendo inversamente proporcional las veces de
grabacin con la frecuencia mxima de trabajo).
Existen ya en el mercado muchos microcontroladores y
DSPs que incluyen memoria de programa, lo que sera la
PROM en OTPs ("On Time Programable"), que incorporan
memorias denominadas FLASH (Z-Flash, V-Flash, etc.).
Este tipo de memoria se comporta como una EPROM, sin
necesidad de borrado previo, sino que se reescriben
nuevamente chancando" la escritura anterior.
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Aunque an estn limitadas en velocidad de trabajo, existen
dispositivos que funcionan a ms de 60 MHz
(especialmente DSPs con set de instrucciones de tipo
RISC). Sus ventajas principales son dos: son regrabables
indefinidas veces y, muy importante, puede hacerse esto
con el chip montado (soldado) en el circuito impreso (a
travs de puertos de acceso especiales, como el JTAG de
TEXAS INSTRUMENTS). Los principales fabricantes de
microcontroladores con Flash son: HITACHI, TEXAS
INSTRUMENTS, MOTOROLA y NATIONAL. Los
microcontroladores con Flash son ms caros.
Memoria EEPROM: "Electrically Erasable Programmable
ROM". Es la popularmente conocida como "Flash BIOS".
Esta memoria tiene prestaciones idnticas a la EPROM,
elimina el molesto proceso de borrado y lo sustituye por un
control por software.
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Esto permite, en el caso de las BIOS, que el usuario pueda
actualizar la misma con las mejoras que se implementen por
software. La EEPROM se implementa tambin en mdulos
DIMM como dispositivo SPD ("Serial Presence Detect"),
manteniendo informacin relativa al mdulo como es el
tamao, velocidad, nmero de filas y columnas. Esta
informacin es usada por la BIOS para optimizar el modo de
acceso a la memoria y es grabada por el fabricante.
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MEMORIAS RAM
"Random Access Memory o Memoria de acceso aleatorio. Se
trata de una memoria extremadamente rpida que est a
disposicin del usuario.
Tiene la caracterstica de ser de lectura y escritura adems de
voltil (cuando desaparece el fluido elctrico del PC, esta
memoria se descarga).
En funcin de cmo el usuario es capaz de mantener los datos
se podr encontrar memorias estticas SRAM ("Static RAM") o
dinmicas DRAM ("Dinamic RAM").
En la SRAM cada bit se representa mediante un circuito
capaz de adoptar dos estados estables diferentes,
manteniemdo estos datos sin ninguna otra aportacin que la
carga de datos inicial y el fluido elctrico, naturalmente. As,
un estado corresponder al 0 y otro al 1. Estos circuitos se
implementan con biestables. De forma habitual usan un pin
para la lnea de direcciones y el resto de los pines se quedan
disponibles para el manejo de datos.
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Aunque mucho ms rpida que la RAM dinmica, la SRAM
resulta tambin mucho ms cara y se usa sobre todo para
implementar la memoria cach. Existen diferentes tipos de
SRAM: sncrona, asincrona, Pipeline Burst SRAM, etc.
En las DRAM, cada bit se representa mediante la carga
almacenada en un condensador que est acompaado de un
transistor dedicado a la lectura de la celda. Cada celda en
memoria DRAM ocupa superficialmente un cuarto de lo que
ocupa la SRAM, siendo en definitiva la superficie el costo de
la memoria (esta densidad de almacenamiento la hace
idnea para sistemas cada vez ms miniaturizados). Las
DRAM con el paso del tiempo tienden a perder la informacin
almacenada por esta razn es necesario "recordar" a la
memoria su contenido mediante refrescos peridicos,
tambin llamados "refreshing", donde se lee la informacin y
se vuelve a reescribir. Segn el tipo de memoria los
refrescos, se realizarn con menor o mayor frecuencia.
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Las celdas de la DRAM se
organizan a travs de filas y
columnas formando matrices,
donde es necesario
especificar ambos
parmetros para acceder a
un punto determinado de la
memoria.
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Dado que el tiempo usado por las filas es diferente al de las
columnas se pueden compartir los mismos pines,
consiguiendo as la fabricacin de mdulos ms pequeos y
econmicos, a costa de distribuir las seales, a veces, en
tiempos crticos. La integridad de dichas seales de control
ser uno de los parmetros decisivos para evaluar la
calidad de un tipo de memoria. El refresco de la memoria
consume recursos del microprocesador (aunque el DMA
alivie esta tarea). Dependiendo del tipo de mquina por
cada ciclo de refresco se realizaban varios de
microprocesador llegando a consumir hasta un 10% del
tiempo total de uso del micro. En su momento, los mdulos
DIMM en trabajo con los PENTIUM II y III reducieron este
tiempo hasta un 1%.
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Comparacin entre Memorias
Estticas y Dinmicas
La velocidad de acceso
es baja.
Necesita recargar la
informacin. almacenada
para retenerla.
Diseo complejo.
Mayor densidad y
capacidad.
Menor costo por bit.
Menor consumo de
potencia.
DRAM
Menor capacidad, debido
a que cada celda de
almacenamiento requiere
mas transistores.
Mayor costo por bit.
Mayor consumo de
potencia.
La velocidad de
acceso es alta.
Para retener los datos
solo necesita estar
energizada.
Son mas fciles de
disear.
SRAM
Desventajas Ventajas Memoria
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CONTROLADOR DE MEMORIAS
Su misin es la de generar las seales de control precisas para
leer y/o escribir desde/hacia la memoria, adems de realizar las
veces de interfaz entre la memoria y el resto del sistema.
De forma habitual, el controlador de memoria se encuentra
implementado en el chipset de la placa base, formando parte
del conjunto de elementos que definen la potencia del PC.
Puesto que la memoria y la placa no "conocen" entre s sus
tiempos de respuesta y propagacin, el controlador de memoria
se encarga tambin de sincronizarlos a travs de los estados
de espera o wait states (W/S).
Los Wait States son perodos de inactividad encargados de
obtener una adecuacin de frecuencia entre los diferentes
componentes que integran la comunicacin con la memoria.