TTULO DEL CURSO: Defectos en semiconductores

PROFESOR/ES: Dra. Noem Walse de Reca

DIRIGIDO A: Licenciados en Qumica o Fsica, Ingenieros en Materiales,
Electrnicos o Qumicos, Magisters en Materiales.
PROGRAMA: 1- Conceptos fund!ent"es de defectos en se!#conducto$es
Introduccin. La semiconduccin y las redes atmicas del silicio y del germanio:
algunos elementos de la cristalografa, la red c!"ica diamante # la unin
co$alente, la semiconduccin # el modelo de "andas. Los defectos puntuales en el
cristal: $acancias e intersticiales. La concentracin de e%uili"rio de defectos
&untuales.
%& D#s"occ#ones o defectos "#ne"es
Tipos de dislocaciones: consideraciones generales so"re el conce&to de
dislocacin, el $ector de 'urgu(s, dislocaciones de "orde, mo$imiento de las
dislocaciones de "orde, dislocaciones de )(lice, otros ti&os dislocaciones. El
movimiento y la generacin la interaccin de dislocaciones , formacin de *+ogs,,
fuentes de dislocaciones, dislocaciones &arciales, dislocaciones de )(lice # su
formacin. La geometra de las dislocaciones en la estructura de diamante: la
estructura de las dislocaciones sim&les, la estructura de otros ti&os de
dislocaciones, el arreglo atmico de las dislocaciones &arciales # las fallas de
a&ilamiento.
'& L detecc#(n de "s d#s"occ#ones
La difraccin de rayos X y las imperfecciones cristalinas: introduccin a la teora
elemental, el ensanc)amiento de las lneas de ra#os - # la calidad cristalina, la
densidad de dislocaciones a &artir de los datos de difraccin de ra#os -, la calidad
cristalina a tra$(s de la t(cnica de Laue # de otras t(cnicas de ra#os -. La
deteccin de dislocaciones a travs de la microscopa y otras tcnicas: el
microsco&io de ra#os -, m(todos de decoracin # microsco&as electrnicas de
transmisin # de "arrido, otras t(cnicas &ara o"ser$ar dislocaciones.
)& L defo$!c#(n p"*st#c + e" !c"do
Deformacin y comportamiento de dislocaciones: o"ser$aciones generales del
mecanismo de desli.amiento, la relacin fuer.a/tensin, el do"lado &l0stico # la
distri"ucin de dislocaciones, otras formas de deformacin, algunas teoras so"re
el com&ortamiento &l0stico de los cristales semiconductores, endurecimiento &or
tra"a+ado. Maclado en germanio y silicio: conce&tos "0sicos # o"ser$aciones
e1&erimentales, deformacin # maclado mec0nico, inter&retacin de los
mecanismos de maclado.
,& E" c$ec#!#ento de !onoc$#st"es
2(cnicas de crecimiento de monocristales # calidad cristalina: el mtodo de
!oc"rals#i$ condiciones fsicas y procedimientos de crecimiento$ condiciones
de crecimiento "ori!ontal por fusin !onal$ crecimiento vertical por !ona
flotante$ la esta%ilidad de la !ona l&uida$ crecimiento epita'ial$ otros mtodos
de crecimiento cristalino. La distri"ucin de la tem&eratura como &ar0metro de
crecimiento de los monocristales: condiciones trmicas durante el crecimiento
cristalino$ la interfa! l&uido(slido$ varia%les e'ternas &ue afectan el
crecimiento. La tensin t(rmica en el crecimiento cristalino: distri%ucin de las
figuras de corrosin$ tensiones trmicas y la deformacin pl)stica del cristal$
deformaciones trmicas y patrones de figuras de corrosin$ dislocaciones
activas$ cristales li%res de dislocaciones. 2eoras del crecimiento cristalino
a&licadas a los semiconductores: la superficie de crecimiento con escalones$
terra!as espiraladas$ crecimiento cristalino desde la fusin cristali!acin de la
superficie diamante.
-& L d#st$#.uc#(n + e" cont$o" de "s #!pu$e/s
Enfriamiento # distri"ucin del soluto: algunas consideraciones tericas,
so"reenfriamiento constitucional en la fusin, el origen de las im&ure.as en
estras. 2(cnicas de .ona l%uida # la distri"ucin de im&ure.as: m(todos de
refinacin .onal, distri"ucin de soluto de acuerdo con la teora, la distri"ucin final
de soluto, distri"ucin uniforme &or e%uili"rio de .ona, otros m(todos &ara el
do&ado uniforme de cristales.
0& Co!po$t!#ento 1u2!#co + f2s#co de "s #!pu$e/s
M(todos de determinacin de im&ure.as en semiconductores: el an0lisis
es&ectrogr0fico, el es&ectrmetro de masa, an0lisis &or radioacti$acin,
determinacin &or ra#os - de los &ar0metros de red # medidas de densidad,
mediciones el(ctricas. La solu"ilidad de las im&ure.as acti$as en germanio # en
silicio: la naturale.a atmica, el coeficiente de distri"ucin 3, la solu"ilidad slida #
la retrosolu"ilidad, la determinacin de los datos de solu"ilidad, e1&resiones
tericas de los coeficientes de distri"ucin, la interaccin de los defectos # la le#
de accin de masas, el efecto de los &ares inicos so"re la solu"ilidad slida.
Difusin de im&ure.as %umicas: las le#es fundamentales de difusin, el
mecanismo de difusin su"stitucional, otros factores %ue afectan la difusin, la
difusin de co"re en germanio # en silicio. La &reci&itacin de las im&ure.as: la
cin(tica de la &reci&itacin de co"re en germanio, dislocaciones # otros n!cleos de
&reci&itacin, la &reci&itacin de litio en silicio # en germanio. Los ace&tores
t(rmicos # el com&ortamiento el(ctrico del o1geno en silicio, los &ar0metros de
crecimiento cristalino # la distri"ucin de o1geno en solicio, consideraciones
tericas del tratamiento t(rmico, o1geno en germanio.
3& Defectos en $e"c#(n con "s p$op#eddes se!#conducto$s
La influencia de las dislocaciones so"re las &ro&iedades el(ctricas: cam"ios en la
resisti$idad &roducidos &or la deformacin &l0stica, dis&ersin de los &ortadores
de carga &or las dislocaciones, tiem&o de $ida # recom"inacin de los &ortadores
en las dislocaciones, recom"inacin en "ordes de grano de "a+o 0ngulo. Da4o &or
radiacin en el com&ortamiento de los semiconductores: consideraciones
generales so"re la irradiacin de los materiales, naturale.a del da4o en la red
cristalina, la energa )um"ral &ara el des&la.amiento atmico, $ariaciones de la
conducti$idad # de los ni$eles de energa o"ser$ados, $ariacin de la mo$ilidad
5all, ni$eles en los es&ectros de energa &roducidos &or la irradiacin,
inter&retaciones en t(rmicos de modelos tericos. omportamiento del germanio y
silicio irradiados frente al recocido: o"ser$aciones so"re los tratamientos t(rmicos,
e1&licaciones tericas de los &rocesos de recu&eracin.
4& At1ue 1u2!#co + fo$!c#(n de f#5u$s de co$$os#(n
La &umica del ata&ue: &re&aracin de la su&erficie, reacciones %umicas en el
&roceso de ata%ue, factores %ue controlan la $elocidad de ata%ue. aractersticas
fsicas de las figuras de ata&ue: figuras de ata%ue # direcciones de las
dislocaciones, descri&cin de las figuras de ata%ue en es&iral. orrespondencia
entre figuras de ata&ue y dislocaciones: el lmite de las dislocaciones, la
decoracin # otras t(cnicas &ara re$elar dislocaciones, e$idencia de las figuras de
ata%ue como fenmenos reales. onsideraciones tericas del mecanismo de
ata&ue: disolucin de la su&erficie # nucleacin de ata%ue, im&ure.as de los
reacti$os de ata%ue, origen de la estructura en terra.as de las figuras de ata%ue, el
efecto so"re el ata%ue de las im&ure.as del cristal. *rigen de las figuras de
corrosin en espirales: dislocaciones de )(lice # la estructura en es&irales, otras
&osi"les fuentes de es&irales.

M6TODO DE E7ALUACI89: E1amen final escrito.
CARGA :ORARIA TOTAL: 67 )oras
:ORARIO: de 89 a 8: )oras los das: 8; al 8<= >> al >? # >< # 67 de setiem"re
del >776.