Diodos Semicondutores

Prof. Dr. Edilson Reis R. Kato

Adaptado das notas de aula do livro:
Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos 8a Edio
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
Engenharia de Computao DC UFSCar Circuitos Eletrnicos
Diodos

O mais simples dispositivo semicondutor












um dispositivo de 2 terminais
Operao Bsica

Idealmente conduz corrente em somente uma direo











e age como uma chave aberta quando polarizado inversamente

Caracteristicas de um diodo ideal: Regio de Conduo
Olhe o eixo vertical!
Na regio de conduo, idealmente
a voltage atravs do diodo 0V,
a corrente ,
a resistncia direta (RF) definida como RF = VF/IF,
o diodo age como uma chave fechada.
Caracteristicas de um diodo ideal : Regio de No - Conduo
Olhe o eixo horizontal!
Na regio de no conduo, idealmente
toda a tenso est atravs do diodo,
a corrente 0A,
a resistncia reversa (RR) definida como RR = VR/IR,
o diodo age como uma chave aberta.
Exerccios
1 descreva com suas prprias palavras o significado da palavra ideal aplicada a um
dispositivo ou sistema.






3 Qual a principal diferena entre as caractersticas de uma chave simples e as de um
diodo ideal?



Resistividade
R = . l/A

= resistividade de um material
l = comprimento (cm)
A = rea (cm
2
)
Condutor = 10
-6
-cm (cobre)
Semicondutor = 50 -cm (germnio)
Semicondutor = 50 x 10
3
-cm (silicio)
Isolante = 10
12
-cm (mica)
Exerccios
5 (a) Utilizando a tabela 1.1 determine a resistncia em um amostra de silcio que tenha
uma rea de 1 cm
2
e um comprimento de 3 cm;
(b) Repita o item a se o comprimento for de 1 cm e a rea de 4 cm
2
;
(c) Repita o item a se o comprimento for de 8 cm e a rea de 0,5 cm
2
;
(b) Repita o item a para o cobre e compare os resultados;






Materiais Semicondutores

Materiais comuns utilizados nos dispositivos semicondutores:


Germanio (Ge)
Silicio (Si)
Dopagem
As caractersticas eltricas do Silcio e do Germnio so aumentadas com a incluso de
materiais adicionais em um processo chamado de dopagem.

Os materiais adicionais so de dois tipos:
tipo-n (pentavalentes = antimnio, arsnio e o fsforo)
tipo-p (trivalentes = boro, glio e ndio)
tipo-n torna o Silcio (ou Germanio) mais negativo.
tipo-p torna o Silcio (ou Germanio) mais positivo.

Juntando o tipo-n e o tipo-p de Silicio (ou Germanio) temos uma juno p-n.
tipo-n versus tipo-p
Juno p-n
Quando os materiais so juntados, a carga negativa dos tomos do lado tipo-n so atraas
para o lado dos tomos carregados positivamente do tipo-p.

Os eltrons do material tipo-n migram atravs da juno do material do tipo-p (fluxo de
eletrons).
Ou pode-se dizer que as lacunas (holes) do material do tipo-p migram atravs da juno para
o lado do material tipo-n (fluxo de corrente convencional).

O resultado a formao de uma camada de depleo em volta da juno.
depletion
layer
p n
Regio de Depleo
Condies de Operao
Sem Polarizao (No Bias)

Polarizao Direta (Forward Bias)

Polarizao Reversa (Reverse Bias)
Nenhuma voltagem externa aplicada: V
D
= 0V e nenhuma corrente est fluindo I
D
= 0A.












Existe somente uma modesta camada de depleo.
Condio Sem Polarizao
Condio de Polarizao Reversa
A voltagem externa aplicada atravs da juno p-n em polaridade oposta dos materiais
tipo-p e tipo-n.
Isso causa uma larga camada de depleo.
Os eltrons no material tipo-n so atrados em
direo ao terminal positivo e as lacunas no
material tipo-p so atradas em direo ao
terminal negativo.
Condies de Operao
Polarizao Reversa (Reverse Bias):

Is = corrente de saturao reversa

(corrente do fluxo de portadores minoritrios)
Condio de Polarizao Direta
A tenso externa aplicada atravs da
juno p-n na mesma polaridade dos
materiais tipo-p e tipo-n.

A camada de depleo fina. Os eltrons
trafegam do material tipo-n e as lacunas
atravs do material tip-p possuindo
energia suficiente para atravessar a
juno.


Condies de Operao
Polarizao Direta (Forward Bias):

ID = Is(e
kV
D
/T
K
- 1) ou ID = Is.e
kV
D
/T
K
- Is

Is = Corrente de saturao reversa
k = 11.600/ com = 1 para o Ge e 2 para o Si em nveis
relativamente baixos de corrente do diodo (ou abaixo do joelho da
curva) e = 1 para Ge e Si para nveis maiores de corrente de diodo
(no trecho onde a curva acentua-se rapidamente).
TK = Tc + 273.
Curva Caracterstica do Diodo
Observe as regies de No polarizao, polarizao direta e polarizao reversa.
Preste ateno nas escalas para cada uma dessas condies!
Exerccios
20 Usando a equao (1.4) determine a corrente no diodo a 20
o
C para um diodo de
silcio com Is = 50 nA e uma polarizao direta aplicada de 0,6V.






21 Repita o problema 20 para T = 100
o
C. Considere que Is aumentou para Is = 5 A.
ID = Is(e
kV
D
/T
K
- 1)
Exerccios
22 (a) Usando a equao (1.4) determine a corrente no diodo a 20
o
C para um diodo de
silcio com Is = 0,1 A em um potncial de polarizao reversa de -10V.
(b) O resultado o esperado? Por qu?
ID = Is(e
kV
D
/T
K
- 1)
Um outro detalhe sobre o diodo o uso da regio Zener.











O diodo est na regio de polarizao reversa.
Em um determinado ponto a tenso reversa to grande que h uma quebra no diodo.
A corrente reversa aumenta drasticamente.
Essa tenso reversa mxima chamada tenso de avalanche de quebra e a corrente
chamada de corrente de avalanche.
Regio Zener
O ponto em que o diodo muda da regio
de no polarizao para a de polarizao
direta acontece quando os eletrons e
lacunas possuem energia suficiente para
atravessarem a juno p-n. Essa energia
fornecida a partir de uma fonte externa
aplicada ao diodo.

A tenso de polarizao direta necessria
para um:
Diodo de Silicio V
T
0.7V
Diodo de Germanio V
T
0.3V
Tenso de Polarizao Direta
Com o aumento da temperatura h a mudana das caractersticas do diodo.
A tenso de polarizao direta necessria reduzida na condio de polarizao direta.
A corrente de polarizao reversa aumentada na condio de polarizao reversa.
Aumenta-se a mxima tenso de avalanche reversa.

Os diodos de Germanio so mais sensveis as variaes de temperatura do que os diodos de
Silcio.
Efeito da Temperatura
Exerccios
26 Determine a queda de tenso direta atravs do diodo cujas caractersticas aparecem
na figura 1.24, a temperatura de -75
o
C, 25
o
C, 100
o
C e 200
o
C e com uma corrente de
10mA. Para cada temperatura, determine o valor da corrente de saturao. Compare os
extremos de cada uma e comente a razo entre as duas.

Os semicondutores agem de forma diferente a correntes CC e AC. Existem 3 tipos de
resistncias:

Resistncia Esttica ou CC
Resistncia Dinmica ou CA
Resitncia Mdia CA
Valores de Resistncias
R
D
= V
D
/I
D
[Formula 1.5]

Para uma tenso CC aplicada V
D
,
o diodo ter uma corrente especfica I
D
,
e uma resistncia especfica R
D
.
O valor da resistncia R
D
, depende da tenso CC aplicada.
Resistncia Esttica ou CC
Resistncia Dinmica ou CA
Resistncia Dinmica ou CA
Regio de Polarizao direta:



r`d a resistncia dinmica
r
B
a resistncia do material semicondutor e a resistncia de contato
A resistncia depende da quantidade de corrente (I
D
) no diodo.
A tenso no diodo razoavelmente contante (26mV para 25C).
r
B
varia de um typico 0.1 para dispositivos de altas potncias at 2 para baixas
potncias, para diodos comuns. Em alguns casos r
B
pode ser ignorada.

Regio de polarizao reversa:


A resistncia essencialmente infinita. O diodo age como um circuito aberto.
Resistncia Dinmica ou CA
B
D
r
I
26mV
d r

d r
D I
26mV
rd
A resistncia CA pode ser determinada por 2 pontos na curva caracterstica utilizado por um
circuito particular.
[Formula 1.9]

Resistncia CA Mdia
ponto) a (ponto
Id
Vd
rav

Exerccios
27 Determine a resistncia esttica do diodo da figura 1.19 para uma corrente direta de
2mA.







Exerccios
29 Determine a resistncia esttica do diodo comercialmente disponvel da figura 1.19
para uma tenso reversa de -10V . Seu valor prximo ao resultado determinado para
uma tenso reversa de -30V?




Exerccios
31 Calcule a resistncia cc e ca para o diodo da figura 1.34 para uma corrente de
10mA e compare os resultados.
Exerccios
34 Determine a resistncia ca mdia do diodo da figura 1.19 para a regio entre 0,6 e
0,9V.
Exerccios
35 Determine a resistncia ca para o diodo da figura 1.19 em 0,75 e compare com a
resistncia ca mdia obtida no exerccio 34.
Circuitos Equivalentes de Diodos (Circuito Linear por partes)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Simplificado)
Circuitos Equivalentes de Diodos (Ideal)
Exerccios
36 Encontre o circuito equivalente linear para o diodo da figura 1.19. use um segmento
de reta que cruze com o eixo horizontal em 0,7V e que melhor se aproxime a curva para
a regio acima de 0,7V.
Exerccios
37 Repita o problema 36 para o diodo da figura 1,34.
1. V
F
, forward voltage at a specific current and temperature

2. I
F
, maximum forward current at a specific temperature

3. I
R
, maximum reverse current at a specific temperature

4. PIV or PRV or V(
BR
), maximum reverse voltage at a specific temperature

5. Power Dissipation, maximum power dissipated at a specific temperature

6. C, Capacitance levels in reverse bias

7. trr, reverse recovery time

8. Temperatures, operating and storage temperature ranges
Folha de Especificao do Diodo
A camada de depleo na polarizao reversa muito larga. As polaridades positiva e
negativa do diodo criam uma capacitncia, C
T
. A quantidade de capacitncia depende da
tenso reversa aplicada.

Na polarizao direta uma capacitncia de armazenamento ou difuso (C
D
) existe conforme
a tenso do diodo aumenta.
Capacitncia
a quantidade de tempo necessria para o diodo parar de conduzir quando ele chaveado
da polarizao direta para a polarizao reversa.
Tempo de Recuperao Reversa
Reverse Recovery Time (trr)
Anodo abreviado A
Catodo abreviado K
(chamado assim devido o simbolo parecer um K invertido)
Diode Symbol and Notation
A. Diode Checker
B. Ohmmetro
Teste de Diodo
A. Diode Checker

Muitos multmetros possuem essa funo.
Verifica-se a tenso de polarizao direta do diodo (V
F
).
O diodo deve ser testado for a do circuito.

Diodo de Silicon 0.7V
Diodo de Germanium 0.3V
Um ohmimetro setado para funcionar em uma escala baixa pode ser usado para o teste.
Um diodo normal deve apresentar as leituras abaixo.
O diodo deve ser testado fora do circuito.
B. Ohmmetro
Outros Tipos de Diodos
1. Diodo Zener
2. Diodo Emissor de Luz
3. Arranjos (Arrays) de Diodos
Um Zener um diodo operando na polarizao reversa na Tenso de Pico Reversa
(PIV) chamada de Tenso Zener (V
Z
).




Smbolo






Tenses Zener Comuns: 1.8V to 200V
1. Diodo Zener
1. Diodo Zener
Exerccios
50 As seguintes caractersticas so especificadas para um determinado diodo Zener:
Vz= 29V, V
R
= 16,8V, I
ZT
= 10mA, I
R
=20A e I
ZM
=40mA. Esboe a curva caracterstica
do modo exibido na figura 1.55.
Exerccios
54 Determine a impedncia dinmica para o diodo de 6.8V com Iz=10ma. Observe que
essa uma escala logaritmica.
2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)
Esse diodo quando polarizado diretamente emite photons em um espectro visvel.




Smbolo







A tenso de polarizao reversa alta, usualmente entre 2-3V.
2. Diodo Emissor de Luz Light Emitting Diode (LED)
Mltiplos diodos podem ser encapsulados juntos em um circuito integrado (IC).
Existe uma variedade de combinaes

Examplo de um array:
3. Arrays de Diodo
3. Arrays de Diodo
Exerccios
62 Com uma tenso de alimentao de 5V, como podemos polarizar diretamente um
LED com uma corrente de 15mA?