Transistor MOSFET de Potencia-Trabajo

FACULTAD DE INGENIERIA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Dispositivos Electrnicos
Willy Coronel. Pgina 1

Transistor MOSFET de potencia
1. Introduccin.
El funcionamiento y la utilizacin de los transistores de potencia es similar al de los
transistores hasta el momento estudiados, teniendo como principales
caractersticas las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar, y como
consecuencia las altas potencias que tienen que disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
BJT.
FET.
IGBT.
Nuestra consulta se centra bsicamente en el estudio de los MOSFET (Metal
Oxide semiconductor Field Transistor). El MOSFET de potencia es un transistor
tipo MOS, base en los circuitos digitales de seal.
Una limitacin de gran importancia en los dispositivos de potencia, es el paso de
bloqueo a conduccin y viceversa, el cual no se realiza instantneamente, sino
que siempre hay un pequeo retardo. Las causas fundamentales de estos retardos
son las capacidades asociadas a los tiempos de difusin y recombinacin de los
portadores.
Su aplicacin est limitada a niveles de tensin correspondientes a redes de baja
tensin o menores (230V o 400V). Es el dispositivo de eleccin en fuentes de
alimentacin de hasta algunos KW, para sistemas electrnicos conectados a
servicios de baja tensin. Su velocidad y su fcil manejo ha permitido la reduccin
del tamao de equipos, al reducirse los componentes pasivos que los integran.
2. Principio de funcionamiento.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados drenaje (D), fuente
(S), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est
conectado internamente al terminal de la fuente (S), por este motivo se encuentra
dispositivos MOSFET de tres terminales.


Un transistor MOSFET consiste de un sustrato de material semiconductor dopado
en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo
opuesto separadas por un rea la cual se hace crecer una capa de dielctrico
culminada por una capa de conductor.
Existen dos tipos de transistores MOSFET:
MOSFET de enriquecimiento.
MOSFET de empobrecimiento.
Los MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET) se basan en la formacin de un
canal entre drenaje y fuente, al aplicar un voltaje en la compuerta. El voltaje en la
compuerta atrae potadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma
una regin de inversin es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el
sustrato originalmente.
El E-MOSFET solo puede operar en el modo de enriquecimiento, en la figura
siguiente se puede observar que el sustrato se extiende por completo hasta la
capa de SiO2 .

Robet L. Boylestad, Louis Nashelsky - Electrnica: Teora De Circuitos Y Dispositivos Electrnicos - Dcima Edicin pg. 125.


Para un dispositivo de canal n, un voltaje positivo en la compuerta por encima de
un valor de umbral induce un canal al crear una delgada capa de cargas negativas
en la regin del sustrato adyacente a la capa de SiO2, como se muestra a
continuacin.

Thomas L. Floyd - Dispositivos Electrnicos - Octava Edicin pg. 397.


La conductividad del canal se incrementa al incrementar el voltaje de compuerta a
fuente y, por lo tanto, atrae ms electrones hacia el rea del canal. Con cualquier
voltaje en la compuerta a fuente y, por lo tanto, atrae ms electrones hacia el rea
del canal. Con cualquier voltaje en la compuerta por debajo del valor umbral, no
existe ningn canal.
Los smbolos esquemticos para E-MOSFET de canal n y canal p se muestra a
continuacin.

Las lneas quebradas simbolizan la ausencia de un canal fsico. Una flecha en el
sustrato que apunta hacia dentro indica un canal n y una flecha que apunta hacia
afuera indica un canal p. Por lo general los MOSFET de potencia son de tipo
enriquecimiento

Los MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET) tienen un canal conductor en su
estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la
tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad
de portadores de carga y una disminucin de la conductividad.
La figura siguiente muestra su estructura bsica



El drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan
mediante un canal angosto adyacente a la compuerta aislada, se puede aplicar en
la compuerta un voltaje positivo o negativo. El D-MOSFET puede ser operado en
modo de enriquecimiento y en modo de empobrecimiento, un D-MOSFET de canal
n opera en el modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje
positivo de compuerta fuente. Estos dispositivos en general se operan en el modo
de empobrecimiento.
Los smbolos esquemticos para D-MOSFET de canal n y canal p se muestra a
continuacin.



Modo de empobrecimiento imagnese la compuerta como la placa de un
capacitor de placas paralelas y el canal como la otra placa. La placa aislante de
bixido de silicio es el dielctrico. Con un voltaje negativo en la compuerta, las
carga negativas en esta repelen los electrones de conduccin provenientes del
canal y dejan a los iones positivos en su lugar. Por esto, el canal n se queda sin
ninguno de sus electrones, por lo que disminuye la conductividad del canal.
Mientras ms grande es el voltaje negativo en la compuerta, ms grande es el
empobrecimiento de electrones en el canal n. Con un voltaje de compuerta a
fuente suficientemente negativo, el canal se empobrece totalmente y la corriente
en el drenaje es cero, el modo de empobrecimiento se muestra a continuacin.

Modo de enriquecimiento con un voltaje positivo en la compuerta, ms
electrones de conduccin son atrados hacia el canal, por lo que la conductividad
de este se enriquece como se muestra a continuacin.



Estructura de los MOSFET de potencia
Los MOSFET de potencia se fabrican de tal manera que el canal sea lo ms corto posible
y de mayor espesor y ancho posible como se muestra a continuacin



En este caso el campo creado por la tensin del drenaje cuando pasa del VDsat puede
llegar a valores mayores, con estas condiciones la conduccin de los electrones se satura
y se hace independiente de la tensin VDS, dependiendo solamente de la disponibilidad de
portadores, que depende de VGs - VGs(Th).
La conducciones debida a los electrones y, por lo tanto su alta velocidad de conduccin
basada en los mismos los convierten en una opcin para superar las limitaciones de los
BJT en circuitos convertidores de potencia
Los MOSFET de potencia tienen como caractersticas fundamentales las siguientes:
Mximo voltaje drenaje-fuente
Corresponde al voltaje de ruptura de la unin que forma el sustrato (unido a la
fuente) y el drenaje. Se mide con la compuerta cortocircuitada a la fuente, este
parmetro ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia.

Baja tensin(V) Media tensin(V) Alta tensin(V)
15 100 500
30 150 600
45 200 800
55 400 1000
60
80

Mxima corriente de drenaje
Resistencia de conduccin
Es uno de los parmetros ms importantes en un MOSFET (cuanto menor sea,
mejor es el dispositivo).
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura y decrece con el voltaje
de compuerta (Este decrecimiento tiene un lmite)


Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos usados en
electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.), en estos
dispositivos los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento de
la concentracin de portadores minoritarios, que luego son fciles de eliminar para
que el dispositivo deje de conducir.

3. Tipos de MOSFET de potencia
Entre los principales MOSFET de potencia tenemos los siguientes:
LDMOSFET
VMOSFET
TMOSFET

LMOSFET
Tiene una estructura de canal lateral y es un tipo de MOSFET de enriquecimiento
diseado para aplicaciones de potencia. Este dispositivo tiene un canal ms corto
entre el drenaje y la fuente que el E-MOSFET convencional.
El canal ms corto opone menos resistencia, lo que permite una corriente y
voltajes ms altos. La figura siguiente muestra la estructura bsica de un
LDMOSFET



Cuando la compuerta es positiva se induce un canal n muy corto en la capa p
entre la fuente levemente dopada y la regin n
-
. Hay corriente desde el drenaje, a
travs de las regiones n y el canal inducido hasta la fuente, como se puede ver.

VMOSFET
Este MOSFET de ranura V es otro ejemplo del E-MOSFET convencional diseado
para alcanzar una capacidad de potencia ms alta, creando un canal ms corto y
ms ancho con menos resistencia entere el drenaje y la fuente por medio de una
estructura de canal vertical.
Los canales ms cortos y anchos permiten corrientes ms altas y, por lo tanto, una
disipacin de potencia ms grande. Tambin mejora la respuesta a frecuencia.
El VMOSFET tiene dos conexiones de fuente, una conexin de compuerta en la
parte superior y una conexin de drenaje en la parte inferior. Como se muestra a
continuacin

El canal se induce verticalmente a lo largo de ambos lados de la ranura de forma
de V entre el drenaje (sustrato n
+
donde n
+
significa un nivel de dopado ms alto
que n
-
) y las conexiones de fuente. El espesor de las capas establece la longitud
del canal, lo cual se controla mediante las densidades y el tiempo de difusin del
dopada en lugar de las dimensiones del enmascaramiento.



TMOSFET
La estructura de la compuerta esta incrustada en una capa de bixido de silicio y el
contacto de fuentes es continua sobre toda el rea de superficie. La estructura
vertical del TMOSFET se muestra a continuacin.

El drenaje se encuentra en la parte inferior, el TMOSFET permite una mayor
densidad de encapsulamiento que el VMOSFET, al mismo tiempo que retiene la
ventaja del canal vertical corto

4. Hojas de datos

Anexo



5. Aplicaciones
Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se
consiguen con capacidades relativamente bajas de potencia de 1000V y
100A, en un intervalo de frecuencias de varias decenas de kilohertzios
Se utilizan en convertidores de alta frecuencia y baja potencia.
Los MOSFET de potencia operan en la regin lineal para acciones de
conmutacin, y en la regin de saturacin como amplificadores de voltaje.
Son muy populares en aplicaciones de bajo voltaje, baja potencia y
conmutacin a altas frecuencias, as como en fuentes de potencia
conmutadas, motores de cd sin escobillas y aplicaciones automotrices.

Bibliografa
Referencias
[1] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin.
Pearson/Prentice Hall

[2] Robert L. Boylestad; Louis Nashelsky, Electrnica: Teora De
Circuitos Y Dispositivos Electrnicos, Dcima edicin.
Pearson

[3] Daniel W. Hart, Electrnica De Potencia, Primera edicin.
Prentice Hall

[4] Muhammad H. Rashid, Electrnica De Potencia: Circuitos,
Dispositivos Y Aplicaciones, Segunda edicin.
Prentice Hall

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