*Resistencia: capaciadad de soportar esfuerzos.
* Dureza: capacidad del material de soportar una rayada o perforacin a su integridad.
*Tenacidad: capacidad de soportar impactos. Si es tenaz, se dobla; si es fragil se parte.
Resistencia con ductilidad, se dobla pero no se parte.
*Electricas: se aplica diferencia de potenciales. Movilizacion de electrones en el material.
Conductividad electrica.
*Termicas:
-Conductividad termica: cuando se le aplica calor.
-Temperatura de Fusion: temperatura a la cual una sustancia pasa de estado solida a
liquido, o de manera inver.sa
- Coeficiente de Expansion Termica: relacion que existe en el material al aplicarle
variacion de temperatua ( ). Cuando queremos un material con alta dimensionalidad,
requerimos de uno de bajo coef. de expansion.
*Opticas: respuesta de los materiales mediante la incidencia de luz.
-Transmisibilidad o transmision de luz: permite ver nitido a traves de la luz.
- Brillo -Color -Opacidad: la luz no pasa. Reflectividad: refleja la luz.
*Quimicas: se pone de manifiesto con las reacciones en diferentes estimulos. Reaccionan en
distintos medios.
*Magenticas: lineas de fuerza (campo magnetico) cuando introducimos un material puede
aumentar, disminuir o no tener respuesta.
Materiales Mecanicas Electricas Termicas Opticas Quimicas
Metales y
Aleaciones
-Resitencia: Alta
-Alta dureza
-Buena tenacidad.
-Son ductiles.
Conductividad muy
buena.
-Conductores
de calor.
-Altas
Temperaturas.
-Coef. de
expansion
altos.
-Opacos,
reflejan la luz.
Alcanzan alto
brillo metalico.
-Altamente
reactivos.
-Se oxidan en
presencia de
O2.
-Forman sales.
-Corrosivos
Ceramicos -Buena - Aislantes,no -Refractarios. - Pueden ser -Alta estabilidad
resistencia.
-Dureza muy alta.
-Son fragiles, es
decir,baja
tenacidad.
conducen. -Aislantes
termicos
-Temp. de
fusion muy
alta.
-Coef. de
expansion
muy bajo.
transparentes,
tener color,
opacos.
-Alto brillo.
quimica.
-Densidad
media.
Polimeros - Baja resistencia.
- Dureza muy
baja.
- No tenaces.
- Capaces de
alcanzar
grandes
deformaciones.
- Aislantes debiles. -
Conductividad
termica baja.
-Temp. de
fusion muy
baja.
-Coef. de
expansion
bajos, se
expanden
pero poco.
- opacos,
transparentes,
translucidos.
-Variedad de
Colores.
- No se oxidan
pero se
deterioran.
- Reaccionan
con solventes.
Compuestos -Combinacion de
resistencia y
dureza.
-La tenacidad
depende de los
materiales.
- Combinacion -Combinacion -Combinacion
Electronicos
- Resitencia
baja.
- No importa la
dureza ni la
tenacidad.
- Son
semiconductores
ESTRUCTURA ATOMICA
118 elementos conocidos Z=n atomico = n protones (+) = n electrones
*Valencia: n de electrones en ultima capa, indica la capacidad de combinacion del elemento.
V= (n) ; V= 8-n Cualquiera de los dos que sea el menor valor.
*Peso atmico: suma de las masas de los prtones y neutrones que hay en el nucle y esta
referido para cada elemento.
1 mol 6.02x10
23
atomos
*N de Avogadro: es el numero de particulas en un mol de sustancia.
*Unidad de masa atmica (UMA): es la
1eV= 1.62*10
-9
J
E
3-2
= E
3
E
2
=
Composicion qumica: atomos presentes en el material.
-Porcentaje atomico (%At) =
- Porcentaje en masa o Peso (%Wt)=
Movimientos inter-atomicos: ocurren entre atomos, generan los enlaces quimicos.
e= carga del electrn
m= masa del electrn
n= nivel energtico
h= constante de Planck (6.63*10
-34
J.s)
En= energa del electrn que se encuentra en un nivel n.
C= velocidad de la luz (3*10
8
m/s)
-Enlaces Atmicos: intercambio de electrones. Buscan estabilizar los tomos, es decir, un
mnimo de energa, sin que exista fuerza neta (0); para lograr la configuracin de los gases
nobles en su ltima capa electrnica.
-Primarios: enlaces fuertes
por fuerzas interatmicas.
-Secundarios: enlaces dbiles,
Fuerzas de unin entre molculas.
Enlace: es la unin de dos o ms tomos determinada por los electrones de valencia que
interactan con otros tomos, es decir, los enlaces son producto de la interaccin de
electrones de las capas ms externas que tienes un tomos.
FUERZAS DE ATRACCION Y REPULSION:
F
a
E
a
- Dipolos
permanentes
- Dipolos inducidos
- Dipolos oscilantes
- Inico
- Covalente
- Metlico
- Mixto
FUERZAS DE VAN DE WAARS
---- Fuerza de Atraccin
---- Fuerza de Repulsion
Fuerza Neta = = 0
r; R.
---- Energia de Repulsion
---- Energia de Atraccion
Pozo de Energia
Distancia Interatmica o Longitud de enlace: se refiere a la distancia de equilibrio entre
tomos, se obtiene cuando no hay fuerzas netas que atraigan o repelen a los tomos. Va a
depender del tipo de tomo, ya que depende del radio atmico.
Energa de Enlace: energa mnima requerida para formar o romper un enlace; se relaciona con
la profundidad del pozo energtico que se genera al sumar las energa de atraccin y
repulsin. Si el pozo es profundo la temperatura de fusin de los materiales ser alta, la
separacin de los tomos al aplicar fuerza ser poca, y habr que suministrar mucha energa
para separar las especies, igual el chef. de expansin trmica ser bajo mantenindose mayor
estabilidad dimensional con el aumento de temperatura.
ENLACE IONICO:
- Atraccin entre cargas de signos opuestos.
- Se da entre metales y no metales
- Existe gran diferencia electronegativa entre las especies
- Se dan pozos de energa profundos, es decir, enlaces fuertes.
- Mecanismo de enlace: fuerza de atraccin electrosttica (Fuerzas de Coulomb) por
atraccin entre cargas de signos opuestos.
- Se da preferencialmente entre los grupos I,II,III y IV,V,VI,VII, para conseguir la
configuracin de los gases nobles.
Enlace Covalente:
Diferencia de electronegatividad <1.7 covalente polar
Diferencia de electronegatividad = 0 covalente puro
Compartimiento de electrones para obtener configuracin de gas noble, es decir, 8
electrones en ltima capa.
El enlace covalente se da por compartimiento de electrones
No hay electrones libres
Estn firmemente sostenidos entre las nubes electrnicas de los elementos que
participan en el enlace
Al no tener electrones libres las sustancias que se forman en este tipo de enlace, no
son conductoras.
Se da este tipo de enlace entre elementos distintos que presentan bajas diferencias
electronegativas, por lo general menor a 1.7
Son enlaces fuertes y puede generar un pozo profundo
El enlace fuerte presenta alta temperatura de fusin, alta dureza
La falta de electrones libres, posee baja conductividad trmica y elctrica
Por lo general este tipo de enlace se encuentra en materiales aislantes.
Molculas Discretas:
1.- Homonuclear: Las molculas o especies homonucleares (homo igual) estn compuestas
slo por un elemento. Pueden consistir en varios tomos, segn las propiedades del elemento,
y algunos de estos pueden poseer varios altropos.
2.- Heteronucleares: Las molculas, o especies, heteronucleares son molculas compuestas
por ms de un elemento.
3.- Macromolculas: Las macromolculas son molculas que tienen una masa
molecular elevada, formadas por un gran nmero de tomos. Generalmente se pueden
describir como la repeticin de una o unas pocas unidades mnimas o monmeros formando
los polmeros.
*De una formula qumica para un silicato y dibuje la molcula; cuales elementos forman esa
molcula, cual es la valencia de cada uno de los elementos que forman la molcula. Es
heteronuclear o homonuclear la molcula?
Formula qumica: (SiO
4
)
-4
HETERONUCLEAR.
2.- En qu tipo de material se usa el silicato?
Los silicatos forman materiales basados en la repeticin de la unidad tetradrica SiO
4
4-
. La
unidad SiO
4
4-
tiene cargas negativas que generalmente son compensadas por la presencia
de iones de metales alcalinos o alcalinotrreos, as como de otros metales como el
aluminio.
los fulerenos: Son macromolculas.
Enlace Metlico:
Se da entre metales, porque tienen electrones libres
Mecanismo: Mixtos, hay atraccin y compartimiento
Hay atraccin entre electrones libres y ncleos positivos
Todos los electrones son compartidos por todos los tomos
Es no direccional
Caracterstico de metales y aleaciones
Este tipo de enlace explica la alta conductividad elctrica ya que al aplicar una
diferencia de potencial los electrones libres se ponen en movimiento (corriente
elctrica)
Explica la ductilidad (facilidad de deformacin), ya que los iones positivos se pueden
mover unos con respecto a otro sin que se rompa el en primario, a esto se denomina
deslizamiento de planos atmicos.
Enlace Secundario:
Se dan por fuerzas dbiles de unin entre molculas, son llamadas fuerzas de VAN DE
WAALS
Dipolos: atraccin entre extremos de signos contrarios de una molcula. (permanente,
inducido y oscilante.)
Fuerzas de London: las fuerzas de dispersin de London, son fuerzas
intermoleculares dbiles que surgen de fuerzas interactivas entre multipolos
temporales en molculas sin momento mltipolo permanente. Tambin son
conocidas como fuerzas dipolo instantneo - dipolo inducido.
Fuerzas de Debye: Estas fuerzas, pueden existir entre molculas polares y no
polares y en este caso, en el momento del dipolo de la primera se induce un
dipolo en la segunda, esto es porque en su campo electrosttico existe
atraccin entre molculas polares y los dipolos inducidos. Son fuerzas dipolo
permanente- dipolo inducido.
Fuerzas de Keesom: Las fuerzas de keesom se producen debido a la interaccin
directa de dipolos permanentes en molculas vecinas de dos o ms
compuestos polares, en las cuales, los dipolos se orientan para disminuir su
energa interna y de esta manera lograr una atraccin mxima. Son fuerzas
dipolo permanente- dipolo permanente.
Enlaces Mixtos:
La mayora de los materiales, el enlace es una mezcla de ms de un tipo de
tomos y enlace, en especial cuando hay diferencias electronegativa en los
tomos
%Caracter ionico= (1-exp{-0,25(Xa-Xb)
2
}) * 100
Donde: Xa y Xb= electronegatividades de los elementos A y B.
Covalente Semiconductores
Secundario Polmeros
Cermicos
Metlico Inico
Metales y
aleaciones
Compuestos
intermetalicos
Clasificacin segn orden atmico
SIN ORDEN Orden de corto y largo alcance Orden de largo
alcance
Amorfo Pantallas liquidas
Gases, lquidos slidos.
Ejemplo: vidrio
Blicristalino
CRISTALINOS: Monocristalinos: Metales y aleaciones
Materiales cermicos
Los factores que controlan el nmero de coordinacin y la geometra de los arreglos
cristalinos son:
1. Valencia; ya que define el numero de enlaces posibles
2. La relacin r/R, ya que indica cuales arreglos pueden obtenerse a partir de
iones de radios distintos, o arreglos que entran en contacto
3. Empaque eficiente, se refiere a que iones pueden rodearse de tantos vecinos
atmicos posibles para alcanzar un mnimo de energa, sin producir fuerzas de
atraccin o repulsin entre iones de cargas opuestas.
Hay 7 sistemas cristalinos
Sistema Red de
Bravais
N tomos por
celada
Parmetro
reticular;
a= F(R)
Volumen
de Celda
Densidad
F.E.A Porcentaje
de espacio
vacio.
C
U
B
I
C
O
4 atomos/celda
aFcc=
VFcc=
0.74 26%
B.C.C
2 atomos/celda
aBcc=
VBcc=
0.68 32%
H
E
X
A
G
O
N
A
L
6 atomos/celda
a= 2R
CHcp= a
VHcp=
24R
3
F.E.A= FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO ATMICO
F.E.A= Volumen de tomos en celda
Volumen de celda
FEA= Numero de tomos en celda * volumen de un tomo
Volumen de celda
%empaquetamiento= FEA*100
NOTA: los tomos se consideran como esferas duras de volumen =4r
3
/3
FALTA LO DE RAUL
Cmo se distingue mediante difraccin de rayos x si un slido cristalino posee bcc o
fcc?
Por el numero de tomos por celda, por la relacin de radios atmicos y parmetro
de red.
Intersticio: El intersticio es cada uno de los espacios vacos que quedan entre los
tomos que forman la red cristalina de un material, as como tambin el espacio hueco
entre los granos de una roca.
Defectos cristalinos:
Defectos de punto o puntuales: un arreglo de millones de tomo haya un
tomo faltante (vacancia o vacante) 0 dimensiones
Insercin: Agregar un tomo extrao
o Intersticial: tomo pequeo que ocupa un lugar vaco en la red
o Sustitucional
o Autointersticial: deja una vacancia y hace un intersticio
Defectos de lnea o lineales: dislocaciones: hilera de tomos faltante 1
dimensin
o Lineal
o Tornillo
Planares o de area: 2 dimensiones
Volumen: 3 dimensiones
Los defectos cristalinos son desviaciones con respecto a los arreglos atmicos
perfectos.
Los defectos puntuales pueden ser vacancias e intersticios para el caso de la vacancia
estas se forman por la falta de un tomo o ion en un sitio normal de la red. La
presencia de vacancia incrementa el desorden y con ello la entropa del sistema, las
vacancias se producen durante el proceso de solidificacin, a temperaturas elevadas y
tambin como consecuencia por dao de radiacin, a temperatura ambiente el
nmero de vacancia es muy pequea, pero con el aumento de temperatura aumenta
de manera exponencial segn la siguiente expresin:
nv=n exp(-Qv/RT) nv= nT exp(-Ev/KT)
R= 1,987 cal/mol-k nv: numero de vacancia
8,31 J/mol-k Qv=Ev: energa de activacin para la formacin de
vacancia
K: Constante de boltzman
T: temperatura
nt: nmero total de tomos
Insercin: Sustitucionales o intersticiales son tomos de impureza, de naturaleza
distinta a los tomos de la red que se ubican en los sitios desocupados de la red
cristalina; bien sean estos, intersticios naturales de la red o vacantes o nodos donde
debera estar un tomo de la red.
Dislocaciones: son imperfecciones que se encuentran a lo largo de una lnea debido a
la ausencia de muchos tomos en una direccin dada. Por lo general hay un semiplano
adicional de tomo que reposa sobre un plano perpendicular a esta. La distancia o
distorsin que ocasiona la dislocacin se denomina vector de burgers ( b )
1. Borde semiplano de tomo
Plano de dislocacin
El vector de burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin
2. Tornillo o helicoidal
El vector de burgers es paralelo a la lnea de dislocacin.
Las dislocaciones de borde y tornillo facilitan la deformacin permanente de los
cristales ya que el proceso de deslizamiento de un plano a otro con la presencia de
dislocaciones.
Defecto de rea: los cristales son arreglos ordenados. Se forman fronteras o limites de
grano; que son defectos.
Defectos de volumen: involucran gran cantidad de tomo. Ejm: inclusiones, como son
compuestos qumicos. Ejm: sulfuro de manganeso MnS, Al
2
O
3
pueden formar poros y
segregacin porosa. Este tipo de defecto es comn encontrarlo en los lingotes que se
forman por el vaciado de solidificacin de lquido metlico.