Anda di halaman 1dari 16

ACTIVIDAD 10 FISICA ELECTRONICA

TRABAJO COLABORATIVO 2










ELABORADO POR:
YIMY ALEXANDER PARRA MARULANDA
CODIGO: 7254934







PRESENTADO A:
FREDY TELLEZ















UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y ADISTANCIA- UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA

PUERTO BOYACA

ABRIL 2014


INTRODUCCION


El siguiente trabajo es el desarrollo de la gua de actividad del trabajo colaborativo
2 de fsica electrnica, en la cual se analizan las caractersticas de los materiales
aislantes, conductores y semiconductores, adems de los semiconductores tipo P
y N, se consulta sobre un diodo diferente a los descritos en la gua, en la segunda
face de este trabajo se realizan las actividades descritas mediante el simulador.





































OBJETIVOS



Comprender el concepto de la teora bsica de los aisladores, conductores y semi-
conductores.

Analizar y comprender los diferentes tipos de diodos y su empleo en la electrnica.

Estudiar y analizar la evolucin y el funcionamiento del transistor, la forma en que
operan en los diferentes equipos electrnicos utilizados en la actualidad.

Utilizar el simulador de circuitos electrnicos para analizar las diferentes variantes
que nos permiten realizar en el momento de elaborar un circuito, al usar los
diferentes componentes que se deben instalar en los circuitos electrnicos.

































FASE 1

Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores.
Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica
Electrnica.

Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material
aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.

MATERIAL AISLANTE

Aislante es todo aquel material con escasa conductividad. Son materiales que
presentan gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen. El
comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de
electrones libres capaces de conducir la energa en cualquiera de sus formas a
travs del material, el aislante es el que posee ms de 4 electrones en su ltima
capa de valencia. El aislante perfecto para las aplicaciones elctricas sera un
material absolutamente no conductor, pero ese material no existe, y no se ha
descubierto aun.

Entre los aislantes encontramos 3 tipos, los cuales son slidos, lquidos y
gaseosos.

Ejemplo de aislante slido, son el azufre, diamante, porcelana, cristal, el papel, la
goma y la mayora de los plsticos as como las cintas sintticas, que se utilizan
para envolver los conductores magnticos de los bobinados. Tienen excelentes
propiedades dielctricas y buena adherencia sobre los alambres magnticos.

Aislantes Lquidos: Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen la doble funcin de
aislar los bobinados en los transformadores y disipar el calor al interior de estos
equipos. El lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral, aceite de ricino,
Fluidos dielctricos sintticos, entre los cuales encontramos, siliconas y polyalfa-
olefines.

Aislantes Gaseosos: Los gases aislantes ms utilizados son, el aire, nitrgeno y
hexafluoruro del sulfuro. Utilizados en los transformadores.


MATERIAL CONDUCTOR
Un elemento conductor es el que permite que la energa en cual quiera de sus
formas pase a travs de l. Esto es debido a que los electrones de sus tomos
pueden movilizarse, los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4
electrones en la capa de valencia
Los conductores tienen cargas libres y que pueden moverse con facilidad. Para los
conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el
traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de
conduccin.
Los mejores conductores se dividen en 2 grupos los cuales son de alta
conductividad y de alta resistividad, entre los primeros encontramos: plata, cobre y
aluminio, y en los segundos: aleaciones cobre y nquel y las aleaciones de cromo
y nquel, y tambin encontramos el no metal como el hidrogeno

MATERIAL SEMICONDUCTOR
Los semiconductores presentan la caracterstica de que las dos bandas se
encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin
hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les
hace imposible el movimiento. Un semiconductor es el cual no es ms que un
material ya sea slido o liquido con una resistividad intermedia entre la de un
conductor y la de un aislador.
Un ejemplo de este tipo de material es Germanio, silicio Tipo N: Adicionando
arsnico, antimonio y fsforo. Tipo P: Adicionando Indio, boro y galio





MATERIAL AISLANTES MATERIAL CONDUCTORES MATERIALSEMICONDUCTORES
DEFINICIN Escasa conductividad elctrica,
posee ms de 4 electrones en su
ltima capa de valencia.
Trasmite la electricidad, electrones de
valencia relativamente libres.
Un material semiconductor es aquel que tiene
una conductividad elctrica intermedia, entre la
de los metales y los aislantes.
COMPORTAMIENTO Se debe a la barrera de potencial
que se establece entre las bandas
de valencia y conduccin que
dificulta la existencia de electrones
libres capaces de conducir la
electricidad a travs del material.
No influye la barrera de potenciar ya
que esta no se interpone en las
bandas de valencia por lo tanto no
impide que la electricidad se
transmita hacia otro material.
Se comporta como conductor o como aislante
dependiendo del campo elctrico en el que se
encuentre. O la finalidad a la que se utilice.
CARACTERSTICAS
QUMICAS
Este material no cede electrones de
valencia con facilidad.
Valencias positivas, este material
tienden a ceder electrones a los
tomos con los realiza enlace.
Los materiales semiconductores puros son
denominan intrnsecos y cuando se les agregan
impurezas se les llaman extrnseco.
FLUJO ELECTRICIDAD Entre ms electrones, es mejor
como aislante de electricidad, el
flujo de electricidad es poco.
Entre menos electrones mejor
conductores de electricidad, mayor es
el flujo de esta.
Cuando se les agregan impurezas se hacen
mejores conductores. Y aumenta su
conductividad
ESTABILIDAD DEL
TOMO
Estable Inestable Enlace covalente: Comparten electrones para
formar cristales estables.
ELECTRONES DE
VALENCIA
ms de 4 u 8 1 2 4
MATERIALES Caucho, cartn, plsticos, papel,
resina, cermica, vidrio, azufre,
diamante y goma
Metales: Cobre, Plata, Oro, aluminio,
y el no metal como el hidrogeno.
Germanio, silicio
Tipo N: Adicionando arsnico, antimonio y
fsforo.
Tipo P: Adicionando Indio, boro y galio
FUNSION Evitar el contacto entre las
diferentes partes conductoras y el
contacto de las personas a las
tenciones elctricas. Usados en
diferentes aplicaciones industriales
Permitir el paso de la energa a travs
de el para que esta llegue a un sitio
determinado. Usados en diferentes
aplicaciones industriales
Las aplicaciones de los semiconductores se dan
en diodos, transistores y termistores, usados en
la electrnica y en las telecomunicaciones.





2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o
caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?
Semiconductores intrnsecos o puros: poseen una conductividad elctrica
fcilmente controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden
actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.


Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente, a
un semiconductor intrnseco sustancias dopantes. Su conductividad depender de
la concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas
habr dos tipos:
SEMICONDUCTOR TIPO N:
Este semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y
lo realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la impureza
puede donar cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el nombre de
tipo N por negativo.

En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a
que tienen un electrn ms en su capa de valencia que los elementos del grupo14
se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos,
Para fabricarlo el procedimiento es aadiendo a un cristal de silicio pequeas
cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas impurezas tambin
se les llama contaminantes, claro as se le llaman a las impurezas que se agregan
intencionalmente. Los contaminantes de tipo N ms comunes son el fsforo,
arsnico y antimonio. A los semiconductores tipo N se les conoce tambin como
donadores, y como este nombre lo indica estos semiconductores pasan carga a el
material que le hace falta para as poder emparejar este material, y es por eso que
se les conoce mayormente como donadores.
SEMICONDUCTOR TIPO P:
En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn
menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o
captadores de electrones. Se produce por el proceso de contaminacin, en este
caso el contaminante tiene una carga menos que el semiconductor tipo N, entre
los ms comunes podemos encontrar el aluminio, boro, galio y el indio. Conocidos
como aceptores el cual contiene espacios y necesita que sean llenados para
emparejar el material.


Las caractersticas de los semiconductores naturales son aisladores de banda
prohibida angosta; ellos reciben el nombre de semiconductores intrnsecos. Los
semiconductores tipo P y tipo N son diseados y fabricados con caractersticas
elctricas especficas a la medida agregando, de manera controlada, impureza a
semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas extraas se
denomina dopado. Y son utilizados de varias maneras, como: Termistores,
transductores de presin, rectificadores, transistores de unin bipolar, transistores
de efecto de campo.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner
y el fotodiodo.
Tipos de diodos
Diodo BARITT
Diodo semejante al diodo IMPATT donde los portadores de carga llamados a
atravesar la regin de deplexin no provienen de una avalancha sino que son
engendrados por inyeccin de portadores minoritarios en uniones polarizadas en
el sentido de la conduccin.
Diodo de avalancha
Diodo de rectificacin en el que, mediante una tcnica apropiada, se reparte la
ruptura inversa, debida al fenmeno de avalancha, en todo el volumen de la unin.
El diodo soporta, as, grandes corrientes en conduccin inversa sin destruirse.
Diodo de capacidad variable (VARACTOR o VARICAP)
Diodo semiconductor con polarizacin inversa cuya capacidad entre los terminales
disminuye en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos.
Diodo de conmutacin
Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el
estado de conduccin y el estado de bloqueo, y a la inversa.
Diodo rectificador.
Diodo de potencia media o alta que se utiliza para rectificar las corrientes alternas.


Diodo semiconductor.
Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona
n, rica en electrones.
Diodo de seal
Diodo semiconductor empleado para la deteccin o el tratamiento de una seal
elctrica de baja potencia.
Diodo de unin
Diodo formado por la unin de un material semiconductor de tipo n y otro
semiconductor de tipo p.
Diodo Gunn
Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene
una unin sino una sucesin de tres capas de tipo n ms o menos dopadas. En
presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de
oscilaciones a muy alta frecuencia.
Diodo IMPATT
Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los
portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto conduce, para
ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el
diodo en modo amplificador o en modo oscilador.
Diodo Schottky
Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina
el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky
puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300 MHz.
Diodo Schokley
Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida.
Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo
semiconductor de dos regiones.
Diodo TRAPPAT
Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que, cuando su unin se polariza en
avalancha, presenta una resistencia negativa a frecuencias inferiores al dominio
de frecuencias correspondiente al tiempo de trnsito del diodo. Esta resistencia
negativa se debe a la generacin y desaparicin de un plasma de electrones y
huecos que resultan de la ntima interaccin entre el diodo y una cavidad de
hiperfrecuencias de resonancias mltiples.
Diodo tnel
Diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel
que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.La presencia del tramo de resistencia negativa
permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador).
Diodo unitnel
Diodo tnel cuyas corrientes de pico y valle son aproximadamente iguales.
Diodo de conmutacin.

Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el
estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa.

Diodo semiconductor.

Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona
n, rica en electrones.

Diodo de seal.

Diodo semiconductor empleado para la deteccin o tratamiento de una seal
elctrica de baja potencia.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un
transistor NPN y uno PNP.
Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las propiedades de
la unin entre materiales de tipo p y de tipo n. Esta unin p-n se produce de forma
ms habitual por difusin en estado slido de un tipo de impureza de tipo p sobre
un material de tipo n. Aunque tambin se puede obtener un diodo de unin p-n por
crecimiento de un monocristal de silicio intrnseco y dopndolo primero con un
material de tipo n y despus con uno p. Este diodo p-n se puede encontrar de tres
maneras distintas, segn como se aplique el voltaje:
En el equilibrio: Antes de la unin, ambos tipos de semiconductores son
neutros; en los p los huecos son los portadores mayoritarios y en los n son los
electrones. Despus de la unin, los portadores de esta se difunden a travs de
ella. Despus de algunas recombinaciones, el proceso se interrumpe, ya que los
electrones que van al material tipo p, son repelidos por los iones negativos; y los
huecos son repelidos por los iones positivos del material tipo n. Los iones
inmviles de la unin forman una zona agotada de los portadores mayoritarios,
llamada zona de deplexin. De esta forma no hay flujo neto de corriente en
condiciones de circuito abierto.
Polarizacin inversa: Si se invierte el voltaje aplicado, tanto los huecos
como los electrones se separan de la unin. Sin portadores de carga en la zona de
agotamiento, la unin se comporta como un aislante y casi no fluye corriente.
Polarizacin directa: Si en la unin p-n se aplica un voltaje externo, de
forma que la terminal negativa este del lado tipo n, los electrones y los huecos se
movern hacia la unin y se recombinarn finalmente. El movimiento de
electrones y de huecos producen una corriente neta. Si se incrementa esta
polarizacin, aumentar la corriente que pase por la unin.

Caractersticas

Este efecto resulta en una "amplificacin de tensin", que es una de las
caractersticas ms importante de los transistores y el motivo por el cual son de
uso casi imprescindible en los montajes electrnicos. Esta amplificacin de tensin
se calcula como la relacin entre el voltaje en la resistencia de carga y la tensin
aplicada entre las junturas base-emisor.


Diferencias

La diferencia principal es que los PNP su base es negativa o sea solo puedes
aplicarle a su base tensin negativa y lo NPN su base es positiva solo le puede
aplicar tensin positiva para que opere.


5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual des
arrollo tecnolgico?

Los semiconductores ocupan un lugar prominente en el grupo de los materiales
elctricos, esto se debe al alto grado de desarrollo que se ha alcanzado en el
conocimiento de sus propiedades bsicas as como tambin en el de sus
aplicaciones. Podemos decir que hoy en da los semiconductores son pieza bsica
en toda la tecnologa electrnica, la cual en los ltimos aos ha mostrado un
crecimiento espectacular, abarcando el campo de los procesadores, las
comunicaciones, la robtica.

Cantidad de aparatos en diferentes usos en las telecomunicaciones,
electrodomsticos, equipos de procesos y con aplicaciones en investigacin,
mdicas y cientficas llevan dentro un semiconductor.

El tamao de dichos equipos en aos pasados eren grandes con los
semiconductores, la situacin cambio y se empezaron a reducir estos, para poder
usarlos en diferentes aplicaciones, y este proceso sigue en la actualidad.





FASE 2

Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes
circuitos y analice los resultados obtenidos.

1. Polarizacin del Diodo Comn: Construya los siguientes circuitos y realice su
simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.




En el circuito del lado izquierdo, el diodo esta polarizado en directo y por lo
tanto este permite la circulacin de corriente, esto se puede observar porque
sobre la resistencia disminuye la tensin de 11,28V, los restantes 0,72V son la
tensin caracterstica del diodo. En el del lado derecho simulacin, el diodo esta
polarizado en inverso y por eso no se permite la circulacin de corriente, lo cual
hace que sobre la resistencia de 1 k Ohm no haya tensin.






2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la
seal de salida. Explique lo sucedido.
a. Rectificador de Media Onda



La entrada es una seal sinusoidal, la seal vista sobre la resistencia de 1k
Ohm es la media onda positiva. Lo cual pasa porque en la media onda negativa,
el diodo se polariza en inverso e impide la circulacin de corriente y por tal
razn se llama rectificador de media onda.

b. Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

Con esta combinacin de diodos se consigue una rectificacin de onda
completa. El puente rectificador es un circuito electrnico usado en la
conversin de corriente alterna en corriente continua.


3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la
seal de salida. Explique lo sucedido.



Este es un circuito amplificador de seal. A la entrada se le aplica una pequea
seal y a la salida se obtiene una de mayor amplitud pero invertida. Esta
configuracin es conocida como amplificador de emisor comn y se caracteriza
por amplificar la seal de entrada tanto en voltaje como en corriente, adems la
seal de salida es invertida respecto a la de entrada.







CONCLUSIONES



Al realizar las consultas sobre los diferentes materiales elctricos, usados como
aislante, conductores y semiconductores, comprendemos los usos de cada uno y
sus caractersticas principales, los grandes avances que se han logrado usando
estos.

En el uso del programa de simulacin se puede concebir el comportamiento que
realizan los diferentes materiales, al recibir la corriente, cules son sus funciones
en los circuitos.




































BIBLIOGRAFIA



ABELLA, J.M, Madrid, Espaa. Fundamentos de electrnica fsica y
microelectrnica.

Universidad nacional abierta y a distancia, Colombia. Gua de trabajo colaborativo
2.Escuela de ciencias bsicas, tecnologa e ingeniera.

http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_1.htm