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Caracterizao Morfolgica e ptica de Filmes Finos de Anatsio sobre

Substratos de Alumnio
Marina Di Giolo B. Guimares
Bolsista de Iniciao Cientfica, Eng. de Materiais, UFRJ
Luiz Carlos Lima
Orientador, Fsico, D. Sc.
Fernanda Farias
Co-orientador, Fsica, M. Sc.
Resumo
Neste trabalho apresentamos os resultados das caracterizaes morfolgicas e pticas de filmes finos de
anatsio sobre substratos de alumnio lixado e polido. Esses filmes apresentaram uma colorao amarronzada e
azulada para os filmes produzidos sobre substratos de alumnio lixado e polido, respectivamente com
aproximadamente 3 microns de espessura. A caracterizao morfolgica foi realizada por Microscopia de Fora
Atmica (AFM) e Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV) que mostraram que o gro dos filmes produzidos
sobre substratos polidos tem gros nanoestruturados e distribudos homogeneamente por toda a superfcie do
filme enquanto que para filmes sobre substratos lixados o filme cresce de forma irregular depositando em stios
preferenciais de maior energia. Curvas de Espectroscopia de raios-x (EDS) mostraram que filmes produzidos por
ambos os substratos apresentam os mesmos elementos, com maior parte de titnio e alumnio, e suas fases.
Caracterizao ptica por FTIR mostrou que os filmes produzidos em substratos de alumnio polido apresentam
menor perda de energia trmica.
1. Introduo
Com o crescimento populacional e econmico aumenta a demanda de energia eltrica que gera algumas
preocupaes como a degradao ambiental, racionamento de energia e sobretaxas. Com isso surge a
investigao de novas tecnologias para suprir o fornecimento de energia eltrica. A gerao de energias
renovveis vem sendo vislumbrada para resolver essas questes por ser limpa e renovvel. O Brasil possui uma
posio privilegiada comparada com pases da Europa que j utilizam energia renovvel provinda do Sol. A
energia solar atualmente utilizada pelo homem uma das antigas fontes alternativas de energia para gerao de
eletricidade e calor. O uso dessa tecnologia visa solucionar uma das principais preocupaes que a poluio
do ar, diminuindo a utilizao de combustveis fsseis para gerao de energia eltrica, como no caso do Norte e
Nordeste do Pas. Atualmente podemos citar vrias aplicaes de energia fototrmica como os aquecedores
solares residenciais utilizados em hospitais e hotis. No mundo, est sendo realizado um grande esforo na
construo de usinas de energia cuja fonte primria de gerao a energia solar. Uma busca rpida na internet
mostra mais de 20 usinas solares instaladas desde 2008 no mundo. Pases alvo so locais com alta taxa de
irradiao como a Espanha, os Estados Unidos, os desertos da frica e a Austrlia entre outros. Muitas das
usinas instaladas no mundo esto baseadas na converso fotovoltaica, mas j est se tornando consenso que
maior eficincia de converso pode ser alcanada em usinas fototrmicas. No Brasil, a primeira usina solar
fotovoltaica da Amrica do Sul a operar no mercado comercial livre foi anunciada oficialmente em maro deste
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ano. As obras deste empreendimento deveriam comear at o incio de abril em Tau, municpio a 344
quilmetros de Fortaleza, est orada em 12 milhes e deve fornecer apenas 1MW para o Operador Nacional do
Sistema Eltrico (ONS). A usina uma iniciativa da MPX, empresa do grupo EBX, de Eike Batista.
A principal parte de um equipamento de aquecimento solar o coletor solar, responsvel pela captao de
radiao solar incidente na terra e reteno de energia trmica. No caso de alta eficincia o painel do coletor
solar substitudo por uma placa chamada por superfcie seletiva. Normalmente as superfcies seletivas so
compostas de superfcies metlicas de cobre, ao ou alumnio, recobertas por filmes finos de xido de cobre,
nquel negro (black nickel) e outros filmes de xidos metlicos aplicados por eletrodeposio, deposio qumica
e tambm por spray pirlise ou tcnicas de plasma, onde o filme possui alta absorbncia e baixa emitncia, para
radiao solar. Mais recentemente, materiais e combinaes de materiais diferentes tm sido testados como
superfcies seletivas com especial interesse no desenvolvimento de materiais micro ou nano estruturados
compostos de pequenas partculas metlicas dispersas em uma matriz dieltrica (Chain et al, 1981) .
Dependendo das condies de produo estes recobrimentos podem apresentar diferentes composies e at
variaes da quantidade de partculas metlicas ao longo da espessura do recobrimento levando a propriedades
fsicas e qumicas interessantes. possvel obter superfcies com timas propriedades ticas (absorbncia maior
que 0,96 e emitncia trmica menor que 0,10), maior resistncia corroso, dada pelo aumento da
condutividade eltrica e a diminuio do campo eltrico no xido. reportado na literatura tambm um aumento
da estabilidade trmica de xidos mistos em relao estabilidade de superfcies de xidos cobre ou
alumnio puros(Munz et al, 2004). O material em pesquisa para produo de uma superfcie seletiva do
presente trabalho o Anatsio (TiO2), um mineral secundrio que se formou aps a formao da rocha que o
contm e a partir de outros minerais de Titnio como o caso do rutilo. Esse mineral era conhecido, at pouco
tempo, apenas em termos acadmicos, situao que mudou com importantes ocorrncias no Brasil. O Anatsio
em seu estado natural possui em sua composio de 98,4 a 99,8% de TiO2. O Titnio o nono elemento mais
abundante na Terra e devido s suas propriedades: leveza, resistncia corroso, opacidade, inrcia qumica,
oxidade nula, alto ndice de refrao, etc. possui diversos campos de utilizao, como na produo de
superfcies seletivas.
Neste trabalho apresentaremos os resultados da caracterizao morfolgica, por tcnicas de Microscopia de
Fora Atmica (AFM) e Microscopia Eletrnica de Varredura (MEV), uma caracterizao ptica, por anlise do
espectro de FTIR e finalmente a anlise qumica por EDS de filmes finos de anatsio sobre substrato de
alumnio com diferentes rugosidades.
2. Procedimentos e Anlises
O Anatsio foi modo e prensado mecanicamente com 8 toneladas formando uma pastilha. Uma srie de
substratos de alumnio foi polida em pasta de diamante at 1 m e outra srie foi lixada com lixas de granulao
1200. Os filmes foram depositados a presso de 10
-5
torr, por 5 minutos a uma voltagem de 711 mV.
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A Figura 1 apresenta imagens da topografia e fase do filme de anatsio sobre alumnio lixado. Estas imagens
foram adquiridas por AFM modo no contato com tip de silcio com raio de curvatura menor que 10 nm. As
imagens so de 1,5 m.


Figura 1. Imagens da topografia e fase do filme de anatsio sobre alumnio lixado por AFM.
Observamos na imagem topogrfica que os gros esto distribudos de forma aleatria e irregular por toda a
superfcie, os gros encontrados tm dimenses nanomtricas com largura, comprimento e altura de
aproximadamente 330 nm, 500 nm e 45 nm respectivamente. A Tabela 1 resume os resultados encontrados
para filmes finos de anatsio sobre substratos de alumnio lixados.
Tabela 1. Resultados da Anlise Morfolgica por AFM.
Tamanho da
Imagem (m)
Rugosidade RMS
(nm)
Altura
(nm)
Fase
(deg)
10 200 1.500 150
2,5 25 230 50
1,5 23 150 5

A rugosidade aumenta com o tamanho da imagem, para imagens menores a rugosidade no havia saturado
indicando uma rugosidade local de aproximadamente 26 nm enquanto que para a imagem de 10 m a
rugosidade j havia saturado indicando a rugosidade global do filme de aproximadamente 200 nm. Essa
rugosidade esta associada diretamente rugosidade do substrato. Na imagem de fase podemos observar uma
grande variao de fase indicando que podemos ter vrios elementos na superfcie e que h regies como dos
contornos de gros, com maior energia, que pode ser uma regio preferencial para deposio de alguns
elementos ou a formao de xidos e hidrxidos.
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A Figura 2 apresenta uma micrografia do filme de anatsio sobre substratos de alumnio lixados, adquirida por
MEV.

Figura 2. Imagens da topografia e fase do filme de anatsio sobre alumnio lixado por MEV .
Na imagem topogrfica podemos observar riscos do polimento do substrato e algumas regies onde
aparecem algumas ilhas maiores que podem ser resultado de espirros da amostra causados durante o processo
de deposio. Observa-se na imagem de fase uma gradao de cores, em que a escala mais escura representa
regies com elementos de nmero atmico menor, a escala clara regies com elementos de nmero atmico
maior. Nesse caso o preto representa o substrato alumnio e a parte mais clara,outros elementos. possvel
tambm a visualizao de uma maior concentrao de determinados elementos em uma nica regio, o que
indica uma no uniformidade no filme, que pode ter ocorrido com uma maior deposio sobre defeitos. A
gradao de cores nas demais regies indica a presena de vrios metais, ligas, xidos e hidrxidos formados
durante a deposio.
A Figura 3 apresenta um aumento em regies distintas adquiridas por MEV.


Figura 3. zoom das imagens da topografia do filme de anatsio sobre alumnio lixado por MEV.
Essas imagens revelam nitidamente os riscos da lixa em apenas um sentido, mostrando que a deposio do
filme ocorreu por todo o substrato de forma bem rugosa e irregular de acordo com o AFM. Observa-se tambm a
imagem de pontos sobre o filme que amplificado na segunda imagem observamos uma curiosa revelao de
uma ilha formada no filme, pode ter sido causada pelo espirro da amostra durante a deposio. Para investigar
quais os elementos depositados presentes no filme foi feita uma anlise de EDS.
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A Figura 4 apresenta imagens por AFM da topografia e fase do filme de anatsio sobre alumnio polido com
1,5 m. Todas as imanges foram adquiridas pelo mesmo equipamento nas mesmas condies das imagens
anteriores.


Figura 4. Imagens da topografia e fase do filme de anatsio sobre alumnio polido por AFM.
Observamos na imagem topogrfica que os gros esto bem distribudos de forma relativamente homognea
e regular por toda a superfcie, os gros encontrados tm dimenses nanomtricas, so gros circulares de
dimetro 60 nm e 6 nm de altura mxima. A Tabela 2 resume os resultados encontrados para filmes finos de
anatsio sobre substratos de alumnio polidos.
Tabela 2. Resultados da Anlise Morfolgica por AFM.
Tamanho da
Imagem (m)
Rugosidade RMS
(nm)
Altura
(nm)
Fase
(deg)
10 18 63 40
2,5 3,5 15 68
1,5 3,0 13 75

Neste caso a rugosidade tambm aumenta com o tamanho da imagem, porm para o filme sobre alumnio
polido observamos que na imagem de 10m a rugosidade no atinge a saturao, apresentando RMS de 18nm,
ficando fcil verificar que essa rugosidade esta associada diretamente rugosidade do substrato. Podemos
comparar tambm a diferena de fase, para imagens da amostra lixada existe uma grande diferena de fase que
pode estar associada a deposies preferenciais em stios mais energticos enquanto que a menor diferena de
fase da amostra polida esta associada a melhor distribuio homognea por todo o filme. Podemos verificar que
as imagens de fase apresentam vrios tons de cinza para ambas as amostras, isso significa que vrios materiais
com diferentes nmeros atmicos e dureza esto presentes indiferente ao tratamento anterior deposio.
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Observamos nas amostras polidas que o filme ficou nitidamente homogneo, no havendo separao de
fases, alm de possuir granulao nanomtrica. As imagens com maior aumento no apresentaram resultados
adicionais, visto que o filme apresenta-se bem homogneo e sem defeitos superficiais, com gros nanomtricos
distribudos pela superfcie, de acordo com AFM. Anlise de espessura feita por perfilometria mostraram que
ambos os filmes apresentaram a mesma espessura com aproximadamente 2,8 m.
A figura 5 apresenta o resultado da anlise qumica por EDS.

Figura 5. Anlise por EDS dos filmes lixado e polido.
Na anlise qumica por EDS podemos observar qualitativamente os elementos presentes no filme, na reigo
escura da Figura 2 observa-se um pico maior do alumnio (substrato) com outros componentes distribudos o
que confirma no MEV que a regio mais escura se refere ao substrato alumnio. Na anlise da reigo mais clara
da Figura 2 fica evidente que a composio em sua maioria Ti. Por fim, a anlise sobre a ilha Figura 3
evidencia um espiro de Ti sobre o filme. No filme sobre substrato polido observa-se no EDS a distribuio de
todos os elementos presentes por toda a superfcie. Existe maior presena de alumnio porque o substrato
desse elemento. V-se tambm forte presena do Ti distribudo pelo filme inteiro, sem regies com maior
concentrao. Tambm observamos a presena de O, Mn, Mg, Fe, Zn, Zr, Si e Nb que so devido composio
do anatsio.
A figura 6 apresenta uma curva caracterstica de FTIR para os filmes de anatsio sobre alumnio lixado.

Figura 6.Curva de FTIR para filmes de anatsio sobre alumnio lixado e polido
Dessa curva podemos tirar informaes da emitncia do filme seletivo. Para o filme de anastsio depositado
sobre substrato lixado a emitncia foi de aproximadamente 70% da radiao luminosa absorvida. Para o filme de
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anatsio depositado sobre substrato liso a emitncia foi aproximadamente 50%. Podemos observar que os
resultados para filmes finos eletrodepositados sobre substrato liso so melhores que para substrato lixado.
3. Concluso
Foram produzidos filmes finos de anatsio sobre substratos de alumnio lixado e polido por tcnica de
deposio a vcuo - ebeam. Os filmes de anatsio sobre substratos lixados apresentaram maior rugosidade e
maiores gros comparados com os filmes produzidos sobre substratos polidos. Essa diferena pode estar
associada topografia do substrato. Os filmes depositados sobre alumnio polido apresentam menor perda
trmica, visto que quanto menor a emitncia melhor a seletividade do filme. Todos os filmes formados foram
medidos por perfilometria e apresentaram a espessura de 2,8 m.
4. Agradecimentos
Ao CNPq e CETEM pela bolsa de iniciao cientfica, ao CETEM pela oportunidade cedida para
conhecimentos extra-curriculares,ao orientador Luiz Carlos Lima por informaes, acompanhamento em todas
as etapas da pesquisa e dedicao para que fosse realizado um bom projeto, co-orientadora Fernanda Farias
por estar presente durante as deposies ensinando e auxiliando para que fossem realizadas com segurana e
qualidade, prof Renata Simo pela liberao do laboratrio e equipamentos e aos tcnicos dos laboratrios.
5. Referncias Bibliogrficas
E. E. Chain ; K.A.Gesheva ; B.O.Seraphin. Chemicaly vapor-deposition black molybdenum films of high IR
reflectance and significant solar absorptance, Thin Sol. Films.v.83, p. 387, 1981.
A. G. Munz ; J. B. Bessone,Anodic oxide growth on aluminium surfaces modified by cathodic deposition of Ni
and Co,Thin Sol. Films v.460 p 1434 2004