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Este documento describe el diseño de un circuito de control para un transistor bipolar de potencia (TBJ) y sus características de operación. Explica que el TBJ tiene tres regiones de operación (corte, activa y saturación) y cómo diseñar el circuito para garantizar que el TBJ opere en la región de saturación. También cubre consideraciones de diseño como la ganancia de corriente requerida y el uso de una configuración Darlington. El procedimiento incluye la observación de formas de onda con carga resistiva e inductiva usando un oscil
Este documento describe el diseño de un circuito de control para un transistor bipolar de potencia (TBJ) y sus características de operación. Explica que el TBJ tiene tres regiones de operación (corte, activa y saturación) y cómo diseñar el circuito para garantizar que el TBJ opere en la región de saturación. También cubre consideraciones de diseño como la ganancia de corriente requerida y el uso de una configuración Darlington. El procedimiento incluye la observación de formas de onda con carga resistiva e inductiva usando un oscil
Este documento describe el diseño de un circuito de control para un transistor bipolar de potencia (TBJ) y sus características de operación. Explica que el TBJ tiene tres regiones de operación (corte, activa y saturación) y cómo diseñar el circuito para garantizar que el TBJ opere en la región de saturación. También cubre consideraciones de diseño como la ganancia de corriente requerida y el uso de una configuración Darlington. El procedimiento incluye la observación de formas de onda con carga resistiva e inductiva usando un oscil
DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL INDUSTRIAL
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ) 1. OBJETIVO 1.1. Disear el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia. 1.2. Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura. 2. MARCO TERICO El transistor bipolar de juntura TBJ es un elemento de tres terminales (Figura 4.1(a)), cada uno de ellos accede a una de las tres capas de semiconductor que forman el elemento. El TBJ tiene dos junturas tal como se indica en la Figura 4.1(b), la juntura colector-base J CB y la juntura base-emisor J BE . (a) (b) Figura 4.1 Las regiones de operacin del transistor son: regin de corte, regin activa y regin de saturacin. Regin de corte: el transistor esta desactivado o la corriente de base es insuficiente para activarlo por la tanto ambas junturas J CB y J BE estn polarizadas inversamente. Regin activa: el transistor acta como un amplificador de corriente y el voltaje colector-emisor V CE disminuye con el incremento de la corriente de base como se muestra en la Figura 5.2. La juntura J CB est en polarizacin inversa y la juntura J BE en polarizacin directa. Regin de saturacin: la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo y ambas junturas tienen polarizacin directa. Un incremento en la corriente de base no produce cambios considerables en la corriente de colector. El transistor acta como interruptor. Pgina 1 de 5 Practica No 4 20/02/2013 http://ciecfie.epn.edu.ec/Electronica_Potencia/laboratorios/ep/hojas%20guias/2013a/p... Figura 4.2 Entonces si un transistor trabaja entre las regiones de corte y saturacin puede ser usado como un s itch o en r gimen de conmutacin, siendo la configuracin de emisor comn la ms utilizada en estas aplicaciones. Como se puede observar en la Figura 4.2, para entrar a la regin de saturacin la juntura J CB debe estar en polarizacin directa, caso contrario si est en polarizacin inversa, est en la regin activa o en la regin de corte por lo que el lmite para entrar a la regin de saturacin es cuando V CB 0 es decir V BE V CE por lo que la corriente mnima requerida en la base para entrar en saturacin estar dada por: donde I C(sat) es la corriente de colector cuando V CE V CE(sat) Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que I B(sat)min para garantizar que el TBJ est trabajando en la regin de saturacin, caso contrario una corriente de base insuficiente puede ocasionar que el TBJ trabaje en la regin activa lo que implica funcionamiento como amplificador ocasionando un e cesivo calentamiento del elemento. La relacin entre I B e I B(sat)min se conoce como el factor de sobree citacin ODF: Y la relacin entre I C(sat) e I B se conoce como la ganancia forzada : CONSIDERACIONES DE DISEO PARA EL CIRCUITO DE ACTIVACIN DEL TBJ Como se puede observar el diseo del circuito de control para transistores de potencia tiene un cierto grado de complejidad por las siguientes razones: anancia de corriente a a: los transistores de potencia al ser un elemento controlado por corriente y con una baja ganancia (en saturacin la ganancia disminuye) por lo que se requiere una corriente considerable aplicada a la base en ocasiones en las decenas de los amperios por lo que un circuito lgico es incapaz de manejar un transistor directamente lo que hace necesaria una etapa intermedia de acoplamiento en base a un transistor de mediana potencia que ser quien suministre la cantidad de corriente requerida en la base del transistor de potencia, como consecuencia la capacidad de corriente requerida desde el circuito de control se vuelve considerable. Pgina 2 de 5 Practica No 4 20/02/2013 http://ciecfie.epn.edu.ec/Electronica_Potencia/laboratorios/ep/hojas%20guias/2013a/p... Una posible solucin para evitar la necesidad de una considerable corriente en el circuito de control es usar la configuracin Darlington donde el transistor de mediana potencia 2 se coloca de la manera indicada en la Figura 4.3, en esta configuracin la corriente de base del transistor de potencia se toma de la fuente de potencia lo que disminuye los requerimientos de corriente del control, pero se debe tener en cuenta que la presencia del transistor de mediana potencia entre el colector y la base del transistor de potencia 1 provocan que la juntura J CB este polarizada inversamente, por ello en esta configuracin el TBJ trabaja en cuasi- saturacin incrementando la disipacin de potencia. Figura 4.3 (Darlington) Corriente negativa de a agado: A veces es necesario aplicar una corriente negativa temporal durante el apagado para reducir el tiempo de apagado evitando as una mayor disipacin de potencia durante la conmutacin. Para esto se debe disear un circuito especial que durante un intervalo de tiempo corto, en el orden de toff polarice inversamente con unos pocos voltios la juntura base - emisor. . E UIPOS MATERIALES .1. E ui o (Dis oni e en e a oratorio) Osciloscopio Fuentes variables Foco de 100 120V Inductancia .2. Materia es ( ro orcionados or os estudiantes) Transistor de potencia Transistor de mediana potencia Diodo de rpida recuperacin Diodo rectificador normal LM555 Pgina 3 de 5 Practica No 4 20/02/2013 http://ciecfie.epn.edu.ec/Electronica_Potencia/laboratorios/ep/hojas%20guias/2013a/p... Resistencia de un valor menor o igual a 1 Ohm Resistencias varias . PREPARATORIO .1 Disear y construir un control P M en base a un LM555 de 1 z con una fuente de 12 V. La relacin de trabajo debe poder variarse de 0,3 a 0, apro imadamente. .2 Disear el circuito de la Figura 4.3 (solo usar darlington si es necesario) si la fuente a usarse es de apro imadamente 40 V (lo que se obtenga al poner en serie las dos salidas de las fuentes de laboratorio) y la resistencia de carga es un foco de 100 , (disear correctamente el circuito que maneja la base). Tomar en cuenta que la resistencia en fro del filamento del foco es mucho menor y aumenta cuando se calienta a temperatura nominal. . Repetir lo anterior si se coloca en serie con el foco una inductancia (se proporcionar en el laboratorio) de manera de convertir la carga en altamente inductiva. En este caso es indispensable usar un diodo rpido en anti paralelo con la carga (usar un FAST RECOVERY DIODE) que debe ser trado por los estudiantes. . Para los dos numerales anteriores dimensionar adecuadamente el transistor de potencia, adicionalmente colocar una resistencia de un valor inferior a 1 Ohm en el colector con la finalidad de poder observar simultneamente el voltaje y la corriente del transistor para visualizar las conmutaciones. . Traer armado los circuitos diseados. . PROCEDIMIENTO .1 El instructor usando el mdulo trazador de curvas disponible en el laboratorio mostrar las curvas caractersticas de un transistor. .2 Para el circuito diseado en el punto 4.2 observar formas de onda y comprobar que el elemento est trabajando en las regines de corte y saturacin (J CB polarizada directamente), caso contrario corregir. Usar dos puntas de prueba en el osciloscopio, colocar la referencia de las dos puntas de prueba en el colector del transistor, el canal A en el emisor (invertir este canal), y el canal B al otro e tremo de la resistencia de 1 Ohm, a una relacin de trabajo apro imada de 0.5 tomar formas de ondas de corriente de colector (sobre la resistencia de menos de 1 Ohm) y voltaje colector emisor en funcin del tiempo y adems tomar tiempos de conmutacin con carga resistiva. Tomar tambi n el tiempo que permanece saturado y en corte el transistor para calcular luego la potencia. Con el mdulo matemtico del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de potencia disipada en el dispositivo (no todos los osciloscopios tienen esta facilidad). Poner el osciloscopio en formato Y ( voltaje colector-emisor Y corriente de colector tomada sobre la resistencia colocada en el colector) y tomar la forma de las trayectorias de las conmutaciones. . Repetir lo anterior para carga inductiva con diodo de conmutacin (FAST RECOVERY) como se menciona en numeral 4.3 . Verificar las diferencias con los datos obtenidos en el literal 5.2. . Verificar tambi n los cambios cuando se usa un diodo comn en lugar del diodo rpido, Verificar de manera especial el efecto de la corriente de recuperacin reversa (Irr) . IN ORME Calcular la potencia de disipacin del transistor de potencia para los dos circuitos diseados con los datos tomados en el laboratorio . RE ERENCIAS BIBLIO R ICAS Pgina 4 de 5 Practica No 4 20/02/2013 http://ciecfie.epn.edu.ec/Electronica_Potencia/laboratorios/ep/hojas%20guias/2013a/p... 1 MO AN, Ned, Po er Electronics: Converters, Applications and Design, John iley Sons,1 . 2 RAS ID Muhammad ., Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda Edicin, 1 5. Pgina 5 de 5 Practica No 4 20/02/2013 http://ciecfie.epn.edu.ec/Electronica_Potencia/laboratorios/ep/hojas%20guias/2013a/p...