Lista 3

2014-I
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores

Lista 3
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca
July 2, 2014
Outline
Exerccio 1
Soluo
Exerccio 2
Espectro para diversos valores de reetividade e perdas internas
Escolha uma frequncia e estude a variao de Q com um possvel ganho na cavidade ressonante
Fabry Perot de L = 100 m e n = 4
Exerccio 3
Obtenha o strain entre In
1x
Ga
x
As e GaAs em funo de x, o quociente de Poisson, a espessura
crtica em funo de x e o comprimento de onda mais longo possvel num poo quntico de
In0,3Ga0,8As/GaAs
Exerccio 4
A corrente de limiar I
limiar
A curva da densidade de ftons num certo modo em funo da corrente injetada
Exerccio 5
Densidade de portadores e a densidade de ftons em funo do tempo para uma corrente aplicada
I = 2I
limiar
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores - FI227
Exerccio 1
Obter os campos eltrico e magntico, (k), a velocidade de grupo e dn/d para uma guia de onda slab,
para o primeiro modo TE par. Comente sobre a disperso. O slab deve ter ndice de refrao n = 4 envolto
por n = 1.5 e ter a espessura de 200 nm.
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca | UNICAMP Fsica Aplicada I 3/41
Soluo
Temos duas equaes de Helmholtz, uma para dentro da cavidade e outra para fora da cavidade, que so
dadas por:
_
d
2
dy
2
+
2
_
D
= 0 (1)
_
d
2
dy
2

2
_
F
= 0 (2)
onde
2
n
2
D
2
c
2
k
2
e
2
n
2
F
2
c
2
k
2
, que nos leva a:
2
+
2
=
_
n
2
D
n
2
F
_

2
c
2
(3)
Lembremos que k deve ser o mesmo em todas camadas para garantir que a satisfao das condies de
contorno no dependam de z.
Sabemos que o modo TE (E
z
= 0 e = B
z
) para um guia de onda do tipo slab possui os campos eltricos
e magnticos com as seguintes direes:
E = (E
x
, 0, 0) (4)
B = (0, B
y
, B
z
) (5)
Deste modo, estamos procurando solues das equaes de Helmholtz que oscilem dentro da cavidade e que
dacaiam fora dela, ou seja, queremos solues do tipo:
D
= Ae
iy
+ Be
iy
(6)
F
=
_
Ce
y
y >
a
2
De
y
; y <
a
2
(7)
Como o perl transversal (intensidade) proporcional a derivada de , conveniente dividir o problema em
perl PAR ou MPAR. Neste caso, como queremos analisar o modo TE-par, isto signica que
d
D
dy
par e
D
mpar. Portanto, A = B e a soluo ca:
= B
z
=
_
Ce
y
; y >
a
2
Asin y ;
a
2
< y <
a
2
De
y
; y <
a
2
(8)
Assim os outros campos so dados por:
B
y
=
ik
2
dB
z
dy
y e E
x
=

ck
( z B
y
) (9)
Portanto,
B
y
=
_
_
_
ik
2
Ce
y
; y >
a
2
ik
Acos y ;
a
2
< y <
a
2
ik
2
De
y
; y <
a
2
(10)
E
x
=
_
_
_
2
c
Ce
y
; y >
a
2
i
c
Acos y ;
a
2
< y <
a
2
i
2
c
De
y
; y <
a
2
(11)
As condies de contorno so:
D
_
a
2
_
=
F
_
a
2
_
e
1
2
d
D
dy
a/2
=
1
2
d
F
dy
a/2
(12)
ou seja:
Asin
a
2
= Ce
a/2
(13)
2

Acos
a
2
=
_

2
_
Ce
a/2
;
a
2
;
a
2
(14)
que nos leva a:
= tan () (15)
com
2
+
2
=
_
2
+
2
_
a
2
4
=
_
n
2
D
n
2
F
_

2
a
2
4c
2
R
2
(16)
Para uma guia retangular temos
2
=
_
p
a
_
2
+
_
q
b
_
2
(17)
Nosso caso:
2
+
2
=
_
m
a
_
2
+
_
n
a
_
2
(18)
Ento
R
2
= (m
2
+ n
2
)
2
4
=
_
n
2
D
n
2
F
_

2
m,n
a
2
4c
2
(19)
Cada brao da funo ()
Para o primeiro modo R = /2. Assim temos:
=
2
a
=
2
200 nm
0, 934 = 9, 34 10
6
m
1
(20)
=
2
a
=
2
200 nm
0, 126 = 1, 26 10
7
m
1
(21)
Assim, podemos encontrar a frequncia de ressonncia do primeiro modo, pois:
_
n
2
D
n
2
F
_

2
a
2
4c
2
= R
2
(22)
1,0
=
c
a
_
_
n
2
D
n
2
F
_
=
(3 10
8
m/s)
200 nm
_
(16 2, 25)
= 1, 27 10
15
rad/s (23)
e, nalmente
k
2
=
n
2
F
2
c
2

2
k = 1, 4 10
7
m
1
(24)
A velocidade de grupo
d
m,n
dk
=
c
2
n
2
k
_
2
m,n
+
c
2
k
2
n
2
(25)
Exerccio 2
Obter o espectro para uma cavidade ressonante Fabry Perot de 100 m de comprimento e ndice de refrao
n = 4. Obtenha o espectro para diversos valores de reetividade e perdas internas; escolha uma frequncia e
estude a variao de Q com um possvel ganho na cavidade.
Espectro para diversos valores de reetividade e perdas internas
I
T
=
1
(1 exp())
2
+ 4 exp() sin
2
(kL)
(26)
I
T
=
I
mx
1 + (F/)
2
sin
2
(kL)
(27)
= [(g a)L ln(1/R)] (28)
F
=
_
4 exp()
(1 exp())
2
(29)
Normalizando I
mx
= 1
I
T
=
1
1 + (F/)
2
sin
2
(kL)
(30)
Figure 1: Espectro para diversos valores de reetividade e perdas internas ()
Escolha uma frequncia e estude a variao de Q com um possvel ganho na cavidade ressonante Fabry
Perot de L = 100 m e n = 4
Q
m
=
exp(/2)
(1 exp())
nL
c
(31)
Reemplazando os valores dados no problema:
Q
m
= 1.33
_
exp(/2)
1 exp()
_
[10
12
s] (32)
Se = 0 (limiar) temos divergncias nas ressonncias. Ou seja, quando as perdas igualam ao ganho temos
picos com largura de linha zero em torno das ressonncias (Q ).
(g a)L < ln(
1
R
) (33)
Q
m
= 1.33
_
Rexp[(g a)L/2]
1 Rexp[(g a)L]
_
[10
12
s] (34)
Figure 2: Variao de Q com o ganho para diferentes valores de R
Exerccio 3
1x
Ga
x
As e GaAs em funo de x. Obtenha o quociente de Poisson em funo de
x. Obtenha a espessura crtica em funo de x (numericamente e interpolao). Obtenha o comprimento de
onda mais longo possvel num poo quntico de In0,3Ga0,8As/GaAs (na temperatura ambiente).
1x
Ga
x
As e GaAs em funo de x, o quociente de Poisson, a espessura crtica
em funo de x e o comprimento de onda mais longo possvel num poo quntico de In0,3Ga0,8As/GaAs
As constantes de rede numa relao A
1x
B
x
C de compostos binrios AC e BC se interpolam da seguinte
maneira:
a = (1 x) a
AC
+ xa
BC
(35)
Em nosso caso temos In
1x
Ga
x
As/GaAs, ou seja:
a = (1 x) a
InAs
+ xa
GaAs
(36)
As contantes de rede para o InAs e GaAs so, respectivamente 6.0584 e 5.6533. Portanto,
a = (6, 054 0, 4051x) (37)
Os strains so
xx
=
yy
=
a
0
a
a
=
5, 6533
6, 054 0, 4051x
1
= 0, 0669 (x 1) compressivo! (38)

e
zz
=
2
1
xx

=
2
1
0, 0669 (1 x) com =
C
12
/C
11
1 + C
12
/C
11
coeciente de Poison (39)
Para InAs e GaAs, as constantes de elasticidade so, respectivamente, C
11
= 832.9 GPa, C
12
= 452.6 GPa
e C
11
= 1221 GPa, C
12
= 566 GPa. Deste modo, pela lei de Vegard, temos que para In
1x
Ga
x
As, as
constantes de elasticidade so:
C
11
= (1 x) C
InAs
11
+ xC
GaAs
11
= (832, 9 + 388, 1x) [GPa] (40)
C
12
= (1 x) C
InAs
12
+ xC
GaAs
12
= (452, 6 + 113, 4x) [GPa] (41)
De modo que
C
12
C
11
=
452, 6 + 113, 4x
832, 9 + 388, 1x
(42)
Portanto, o coeciente de Poison em funo de x dado por:
=
C
12
/C
11
1 + C
12
/C
11
=
452, 6 + 113, 4x
1285, 5 + 501, 5x
(43)
A espessura crtica obtida atravs da equao transcendental
h
c
a
=
1
2k
(1 0, 25)
1 +
_
ln
_
h
c
a
_
+ 1
_
(44)
com a = 6, 054 0, 4051x, k = 4 e 0, 0669 (x 1).
O strain criado no material crescido gera deformao tanto na banda de conduo quanto na banda de buracos
(leves e pesados). Portanto, se zermos um poo quntico de InGaAs sobre GaAs, o maior comprimento de
onda possvel ser dado pela menor diferena entre os nveis de energia. Portanto, a transio deve ocorrer
entre as bandas de conduo e valncia; considerando suas deformaes (ver referncia), temos que, para a
banda de conduo:
E
C
(x, y) = 2a
C
(x, y)
_
1
C
12
C
11
_
(45)
J para a banda de valncia, temos:
E
V hh
= P
E
Q
E
(46)
E
V lh
= P
E
+ Q
E
(47)
com
P
E
= a
V
(
xx
+
yy
+
zz
) (48)
Q
E
=
b
2
(
xx
+
yy
2
zz
) (49)
onde
a
V
= (1 x) a
V
(InAs) + x a
V
(GaAs) (50)
a
C
= (1 x) a
C
(InAs) + x a
C
(GaAs) (51)
b = (1 x) b(InAs) + x b(GaAs) (52)
E
g
= 0, 35 + 0, 592x + 0, 478x
2
(53)
Assim, a nova energia do gap ser dada por:
E
strain
g
= E
g
+ E
C
+ E
hh
(54)
Sabendo que a energia do eltron na transio da banda de conduo para a banda de valncia :
E =
p
2m
=
( hk)
2
2m
=
4 h
2
2m
2
=
2
2
h
2
m
2
=
2 h
_
mE
strain
g
(55)
Exerccio 4
Considere um laser de semicondutor com largura de 5 m, comprimento de 300 m e espessura 0.3 m. O
ganho em cm
1
no material dado por g(n) = A(nn
tr
); onde n
tr
= 5 10
17
cm
3
, A = 1 10
16
cm
2
.
Considerando que a taxa de recombinao radiativa dada por Bn
2
, onde B = 1 10
10
cm
3
s
1
e n a
densidade de portadores no laser, obtenha:
limiar
limiar
Alguns dados importantes:
g
n
= 1 10
16
cm
2
ganho diferencial
n
tr
= 5 10
17
cm
3
densidade de portadores de transparncia
B
r
= 1 10
10
cm
3
s
1
coeciente de recombinao espontnea
R = 0.3 reetividade
a = 2cm
1
perda por atenuao
V = xyL = 5 0, 3 300 m
3
= 4, 5 10
10
cm
3
Mtodo 1:
No caso esttico temos que:
g
lim
=
1
L
ln
_
1
R
_
+ a =
1
3 10
10
cm
ln
_
1
0, 3
_
+ 2 cm
1
= 42, 1cm
1
(56)
Tambm temos que
g(n) = g
n
(n n
tr
) = 10
16
cm
2
_
n 5 10
17
cm
3
_
(57)
Como no limiar temos:
g(n) = g
lim
(58)
10
16
cm
2
_
n 5 10
17
cm
3
_
= 42.1 cm
1
(59)
Portanto n
lim
= 9.2 10
17
cm
3
Deste modo, podemos calcular a corrente de limiar, que ser:
I
lim
= qV B
R
n
2
lim
I
lim
=
_
1, 6 10
19
C
__
4, 5 10
10
cm
3
__
1 10
10
cm
3
s
1
__
9.2 10
17
cm
3
_
2
I
lim
= 6, 1mA
Mtodo 2:
A equao que rege a taxa de variao da densidade de ftons dada por:
dp
i
dt
=
i
R
sp
+
_
B
i
(n) L
i

i
Q
0i
_
p
i
(60)
e a equao para a taxa de aumento da densidade de portadores quando aplicamos uma corrente I dada por:
dn
dt
=
I
qV
An B
R
n
2
Cn
3
(61)
desconsiderando o termo da recombinao Auger, reescrevemos a equao e obtemos:
dn
dt
=
I
qV
An R
sp
(n) =
I
qV
R
sp
(n) R
nrad
(n) B
i
(n)p
i
(62)
Note que a emisso estimulada consome (gera) portadores na mesma taxa que cria (absorve) ftons!
O processo de ligar o laser comea com o bombeio quando p
i
e n so nulos; at o limiar, p
i
pequeno e
pode ser desprezado na equao de n.
Conforme mantemos I, a soluo estacionria :
p
i
=

i
R
sp
(n)
_
L
i
+

i
Q
0i
B
i
(n)
_ (63)
Assim, temos que no estado estacionrio:
R
sp
(n) + R
nrad
(n) = B
R
n
2
+ R
nrad
(n)
I
lim
qV
(64)
Se ento R
sp
(n) R
nrad
(n):
I
lim
= qV Bn
2
(65)
E, no limiar de operao do laser, o ganho ser nulo, portanto:
g(n) = A(n n
tr
) = 0 n = n
tr
(66)
Logo,
I
lim
= qV Bn
2
tr
= 6.2 mA (67)
Cada portador que injetado (eltron e buraco) resultam num fton e a relao entre corrente e taxa de
formao de ftons se tornar linear.
Este comportamento linear de p
i
com I no estado estacionrio, considerando que n constante df(n)/dI = 0:
dI = qV d (R
sp
(n) + R
nrad
(n) + B
i
p
i
) (68)
dp
i
=
1
qV B
i
dI (69)
=

i
Q
0i
B
i
=
1
i
B
i
(70)
Ento
dp
i
=

i
qV
dI
p
i
i
=
1
qV
(I I
limiar
) (71)
Reemplazando os valores dados no enunciado, temos
p
i
i
= 0.14(I 6.2)
_
10
25
cm
3
s
1
(72)
Figure 3: Densidade de fotns em funo da corrente injetada
Exerccio 5
Resolva a equao de taxa do problema (4) dinamicamente obtendo a densidade de portadores e a densidade
de ftons em funo do tempo para uma corrente aplicada I = 2I
limiar
.
Densidade de portadores e a densidade de ftons em funo do tempo para uma corrente aplicada
I = 2I
limiar
Temos as equaes acopladas
dn
dt
=
I
qV
c
g
n
(n n
tr
)p (73)
dp
dt
= g
n
(n n
tr
)p
p
p
+
n
c
(74)
Para
V = 4.5 10
10
cm
3

c
= 3 10
9
s
n
tr
= 5 10
17
cm
3
= 10
4
q = 1.6 10
19
C
g
n
= 10
16
cm
2

p
= 2.3 ps
I = 2I
limiar
= 12.4 mA
Reemplazando em (73) e (74)
dn
dt
= 17.4 10
25
3.3 10
8
n (10
16
n 50)p
_
cm
3
s
1
(75)
dp
dt
= (10
16
n 50)p 4.3 10
11
p + 3.3 10
4
n
_
cm
3
s
1
(76)
Figure 4: Densidade de portadores e a densidade de ftons em funo do tempo (I = 2I
limiar
)
Figure 5: Comparao das grcas de densidade de portadores e a densidade de ftons em funo do tempo
-
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Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores

= 0, 0669 (x 1) compressivo! (38)

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