Apostila Eletronica Digital

Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul
Faculdade de Engenharia
Eletrnica Digital - ECA

Prof. Fabian Vargas

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NDICE

INTRODUO AOS CIRCUITOS SEQUENCIAIS 03

1. LATCHES E FLIP FLOPS 08
1.1 LATCH RS NAND
1.2 LATCH RS NOR
1.3 FLIP-FLOP RS COM CLOCK
1.4 LATCH D, FLIP-FLOP D, FLIP-FLOP T
1.5 FLIP-FLOP D MESTRE-ESCRAVO ou D-MS
1.6 ENTRADAS ASSNCRONAS
1.7 FLIP-FLOP JK MESTRE - ESCRAVO
1.8 Aplicaes com Flip-Flops
1.8.1 Exemplo 1
1.8.2 Exemplo 2
1.9 CIs de Flip-Flops
1.10 Detectando uma Seqncia de Entrada

2. REGISTRADORES 18
2.1 Armazenamento e Transferncia Serial de Dados
2.2 Transferncia Paralela de Dados
2.3 Transferncia Serial de Dados: Registradores de Deslocamento
2.4 Transferncia Serial entre Registradores
2.5 Converso Paralelo-Paralelo
2.6 Converso Srie-Paralelo
2.7 Converso Paralelo-Srie
2.8 Circuito Roteador ou Contador em Anel
2.9 Diviso de Freqncia e Contagem

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3. CONTADORES 25
3.1 Contador de Mdulo 2
n

3.2 Contador de Mdulo < 2
n

3.3 Diagrama de Transio de Estados
3.4 Contadores Sncronos (Paralelos)
3.5 Contadores Sncronos com Carga Paralela

4. MQUINA DE ESTADOS (FSM): MEALY E MOORE 30
4.1. Mquina de Moore
4.2. Mquina de Mealy
4.3. Projeto de Contadores Sncronos

5. MEMRIAS RAM E ROM 38
5.1. Memrias SRAM e DRAM
5.1.1 Introduo
5.1.2 Organizao Interna de uma Memria
5.1.3 Chip de Memria
5.1.4 Mapeamento de Memria
5.2. Memrias ROM


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INTRODUO AOS CIRCUITOS SEQUENCIAIS

A figura 1 mostra o diagrama de blocos de um circuito seqencial. Um
circuito seqencial composto por um circuito combinacional e elementos de
memria. As entradas e as sadas do circuito seqencial esto conectadas
somente ao circuito combinacional. Os elementos de memria so circuitos
capazes de armazenar informao codificada em binrio. Algumas das sadas do
circuito combinacional so entradas para os elementos de memria, recebendo o
nome de variveis do prximo estado. J as sadas dos elementos de memria
constituem parte das entradas para o circuito combinacional e recebem o nome de
variveis do estado atual. As conexes entre o circuito combinacional e os
elementos de memria configuram o que se costuma chamar lao de
realimentao, pois a sada de um bloco entrada para o outro e vice-versa. A
informao armazenada nos elementos de memria num dado instante determina
o estado em que se encontra o circuito seqencial. O circuito seqencial recebe
informao binria das entradas que, juntamente com a informao do estado
atual, determinam os valores das sadas e os valores do prximo estado (vide
figura 1). Desta forma, fica evidente que as sadas de um circuito seqencial
dependem no apenas das entradas, mas tambm do estado atual, armazenado
nos elementos de memria. E o mesmo pode ser dito para as variveis de prximo
estado. Em funo deste comportamento seqencial, um circuito seqencial
especificado pela seqncia temporal de entradas, sadas e estados internos.


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Fig. 1. Diagrama de blocos de um circuito seqencial.

Os circuitos seqenciais podem ser divididos em dois tipos, conforme o
comportamento temporal dos seus sinais: sncronos e assncronos.

O comportamento de um circuito seqencial assncrono depende da ordem
segundo a qual as entradas mudam e o estado do circuito pode se alterar a
qualquer tempo, como conseqncia de uma mudana de suas entradas. Os
elementos de memria utilizados nos circuitos seqenciais assncronos
apresentam uma capacidade de armazenamento que est associada diretamente
ao atraso de propagao dos circuitos que os compem. Em outras palavras, o
tempo que esses circuitos levam para propagar uma mudana de suas entradas
at suas sadas pode ser encarado como o tempo durante o qual eles retm os
valores aplicados antes da mudana, e esse fenmeno coincide com o conceito de
memria, para os circuitos digitais. Nos circuitos seqenciais assncronos, os
elementos de memria so compostos por portas lgicas que provem um atraso
de propagao com valor adequado para o funcionamento do circuito. Ento, um
circuito seqencial assncrono pode ser visto como um circuito combinacional com
realimentao. O projeto de circuitos com realimentao apresenta grandes
dificuldades, uma vez que seu funcionamento correto dependente das
caractersticas temporais dos componentes (portas lgicas e fios). A principal
dificuldade provm do fato de que os componentes apresentam atrasos que no
so fixos, podendo serdiferentes mesmo para exemplares com mesma funo e
de um mesmo fabricante. Desta forma, os circuitos seqenciais assncronos tm
sido evitados, sempre que possvel, em favor do uso de circuitos seqenciais

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sncronos. Um circuito seqencial sncrono utiliza um sinal especial denominado
de relgio (clock, em ingls) o qual tem a funo de cadenciar uma eventual troca
de estado. A figura 2 mostra um exemplo de sinal de relgio. A forma de onda de
um sinal de relgio dita montona, pois no se altera ao longo do tempo. Nela
podem ser identificados a borda de subida, a borda de descida, o nvel lgico zero
e o nvel lgico um. O tempo que decorre para o sinal se repetir denominado
perodo e representado por T. Por exemplo, o tempo entre duas bordas de
subida sucessivas igual a T. Da mesma forma, o tempo entre duas bordas de
descida sucessivas igual a T.

Fig. 2. Exemplo de sinal de relgio (clock).

A freqncia de um sinal de relgio, representada por f, definida como
sendo o inverso do perodo, ou seja:

Para medir-se o perodo, usa-se os mltiplos do segundo: ms (milissegundo
= 10
-3
s), ms (microssegundo = 10
-6
s), ns (nanossegundo = 10
-9
s) e ps
(picossegundo = 10
-12
s). Para medir-se a freqncia, usa-se os mltiplos do hertz:
kHz (quilohertz = 10
+3
Hz), MHz (megahertz = 10
+6
Hz) e GHz (gigahertz = 10
+9
Hz).
Um hertz equivale a 1/1s (i.e., o Hertz o inverso do segundo).

Exemplo: um circuito digital sncrono cadenciado pelo uso de um sinal de
relgio de 200 MHz. Qual o maior atraso permitido para um circuito
combinacional qualquer dentro deste circuito. Ora, se esse circuito deve trabalhar
freqncia de 200 MHz, ento, cada um de seus blocos combinacionais deve ter
um atraso inferior ao perodo do relgio, o qual pode ser calculado por:


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Num circuito seqencial sncrono, o sinal de relgio determina quando os
elementos de memria iro amostrar os valores nas suas entradas. Conforme o
tipo de circuito utilizado como elemento de memria, esta amostragem das
entradas pode ser sincronizada pela borda ascendente ou pela borda descendente
do relgio. Seja qual for o tipo de sincronizao, o tempo que transcorre entre
duas amostragens sucessivas equivale a T, o perodo do relgio. Isto implica que,
qualquer mudana no estado de um circuito seqencial sncrono ir ocorrer
somente aps a borda do sinal de relgio na qual seus elementos de memria so
disparados.

A figura 3 mostra o diagrama de blocos de um circuito seqencial sncrono.
Os elementos de memria utilizados nos circuitos seqenciais sncronos so
denominados flip-flops. Um flip-flop um circuito digital que possui duas entradas
e duas sadas e capaz de armazenar um bit de informao. As duas entradas
no so intercambiveis: uma reservada ao sinal de controle (relgio) e a outra
recebe o dado (bit) a ser armazenado. As sadas correspondem ao dado (bit)
armazenado e ao seu complemento. O sinal de relgio determina o instante em
que o flip-flop amostra o valor do dado, podendo corresponder a uma borda de
subida ou a uma borda de descida, dependendo de como o flipflop constitudo.
O diagrama da figura 3 mostra que o valor de cada varivel de estado
armazenado num flip-flop especfico. Os valores que representam o prximo
estado s so amostrados na borda ativa do relgio. Logo, o estado atual fica
armazenado no conjunto de flip-flops at que uma nova borda do relgio chegue,
quando ento o prximo estado passa a ser o estado atual e um novo prximo
estado ser gerado pelo circuito combinacional.


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Fig. 3. Diagrama de blocos de um circuito seqencial sncrono.

Desde que devidamente alimentado com energia, um flip-flop pode manter
indefinidamente um estado, at que os sinais de entrada assumam uma
configurao tal que o faam mudar de estado. Essa configurao depende de
como o flip-flop constitudo. O estado em que um flip-flop se encontra
usualmente associado ao valor binrio que ele est armazenando. Desta forma,
num dado instante, um flip-flop estar armazenando ou o valor lgico 1 (um) ou o
valor lgico 0 (zero), pois esses so os dois valores possveis para uma varivel
Booleana.

Elementos de Memria:
Neste captulo estudaremos dispositivos lgicos com dois estados estveis,
o estado SET e o estado RESET. Por isto, tais dispositivos so denominados
dispositivos biestveis.
Uma vez que estes dispositivos so capazes de reter indefinidamente o seu
estado (SET ou RESET), eles so usados como elementos de armazenamento de
informao. Informalmente, dispositivos biestveis memorizam o seu estado.
Estudaremos dois tipos de dispositivos biestveis: o latch e o flip-flop. A
diferena entre um latch e um flip-flop a maneira como ocorre a troca de estado:

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Um flip-flop muda seu estado por ao de um pulso de disparo, denominado de
clock. Por este motivo, um flip-flop caracterizado como um dispositivo
biestvel sncrono, porque somente muda de estado em sincronismo com a
ocorrncia do pulso de clock.
Um latch, por sua vez, caracterizado como um dispositivo biestvel
assncrono, porque muda de estado sem necessidade de sincronismo com um
trem de pulsos de controle (pulsos de clock).

1. LATCHES E FLIP FLOPS
1.1. LATCH RS - NAND

1.2. LATCH RS NOR

/SET /RESET Q /Q CONDIO
0 0 1 1 INVLIDA
0 1 1 0 SET
1 0 0 1 RESET
1 1 Q /Q MEMRIA

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SET RESET Q /Q CONDIO
0 0 Q /Q MEMRIA
0 1 0 1 RESET
1 0 1 0 SET
1 1 0 0 INVLIDA

1.3. FLIP-FLOP RS COM CLOCK

CLOCK SET RESET Q /Q CONDIO
0 0 0 Q /Q MEMRIA
0 0 1 Q /Q MEMRIA
0 1 0 Q /Q MEMRIA
0 1 1 Q /Q MEMRIA
1 0 0 Q /Q MEMRIA
1 0 1 0 1 RESET
1 1 0 1 0 SET
1 1 1 1 1 INVLIDA

1.4. LATCH D, FLIP-FLOP D, FLIP-FLOP T

Latch D:

Q
Q

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Flip-Flop D:

CLOCK D Q /Q CONDIO
0 0 Q /Q MANTM
0 1 Q /Q MANTM
1 0 0 1 RESET
1 1 1 0 SET

FF-D uma variao do FF-RS, onde as duas entradas esto unidas
atravs de um inversor, e assim formando uma nica entrada (D).

1.5. FLIP-FLOP D MESTRE-ESCRAVO ou D-MS

CLOCK D QM /QM QS /QS
1 0 0 1 QS /QS
0 0 QM /QM 0 1
1 1 1 0 QS /QS
0 1 QM /QM 1 0
(QS)
(/QS)

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1.6. ENTRADAS ASSNCRONAS


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1.7. FLIP-FLOP JK

equivalente a
uma NAND

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CLOCK J K Q /Q
0 0 0 Q /Q
0 0 1 Q /Q
0 1 0 Q /Q
0 1 1 Q /Q
1 0 0 Q /Q
1 0 1 0 1
1 1 0 1 0
1 1 1 INVERTE INVERTE
Exemplo de implementao de um FF-D edge triggered (disparado por borda
de subida)

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1.8. APLICAES COM FLIP- FLOPS

1.8.1 EXEMPLO 1


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1.8.2 EXEMPLO 2


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1.9. CIS DE FLIP-FLOPS

1.10. Detectando uma Seqncia de Entrada


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tHL

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2. REGISTRADORES
2.1. Armazenamento e Transferncia de Dados

2.2. Transferncia Paralela de Dados

Obs: S e C o
mesmo que SET
e RESET

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2.3. Transferncia Serial de Dados: Registradores de
Deslocamento

2.4. Transferncia Serial entre Registradores


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2.5. Converso Paralelo-Paralelo

2.6. Converso Srie-Paralelo


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2.7. Converso Paralelo-Srie

2.8. Circuito Roteador ou Contador em Anel

No contador em anel, uma das sadas dos flip-flops est em 1 e as outras est em 0. Por ser
um registrador de deslocamento, esse 1 transferido para o prximo flip-flop e assim
sucessivamente. A tabela abaixo mostra a seqncia da contagem.
Para o perfeito funcionamento deste tipo de contador, um dos flip-flops deve ter inicialmente
o valor 1 e os outros 0. Isso pode ser feito atravs das entradas assncronas PRESET e CLEAR.

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2.9. Diviso de Freqncia e Contagem

Este circuito divide a freqncia do clock de entrada em 1/2
n
onde n o
nmero de flip-flops utilizados.


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Exerccios:

Questo 1: Dados os Flip-Flops D das Sesses 1.5 e 1.6 vistos anteriomente,
apresente as sadas Q e /Q em funo das entradas D e Ck. Suponha que a
condio inicial de Q 0.

D

Ck

Q

/Q

Tempo: 1 2 3 4 5 6 7 8

D

Ck

Q

/Q

Tempo: 1 2 3 4 5 6 7 8
FF-D,
Sesso
1.5
FF-D,
Sesso
1.6

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Questo 2: Dado o Divisor de Freqncia da Sesso 2.9, implemente um circuito
que divide a freqncia por 16 e apresente o Diagrama de Tempo para
demonstrar seu funcionamento. Apresente tambm o circuito ao nvel de portas
lgicas e calcule a freqncia mxima de operao deste, considerando que o
atraso de uma porta NAND-2 1 ns.

Questo 3: Suponha que uma verso de 8 bits do Circuito Conversor Paralelo-
Srie (Sesso 2.7) esteja conectada ao Circuito Roteador ou Contador em Anel
visto na Sesso 2.8. Admitindo-se que:
a) a porta A de 8 bits de um microcontrolador esteja conectada ao
Circuito Conversor Paralelo-Srie,
b) que a sada serial do circuito conversor acima controle a entrada Clock
do Contador em Anel, e
c) que as 4 sadas do Contador em Anel estejam conectadas a 4 rels que
comandam motores na linha de produo de uma dada fbrica,
responda: qual a sequencia de endereos que o microprocessador deve colocar
na porta A para que ele envie ative cada um dos motores pelo menos uma vez
(assuma que ativar os motores implica em enviar um nvel lgico alto para o rel
que controla o referido motor.

Questo 4: Dado o Circuito Roteador ou Contador em Anel e o diagrama de
tempo da Sesso 2.8, pergunta-se: qual era a condio inicial deste circuito antes
do primeiro pulso de clock?

3. CONTADORES
3.1. Contador de Mdulo 2
n


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3.2. Contador de Mdulo < 2
n

At que valor conta
este circuito?

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3.3. Diagrama de Transio de Estados

Explique o porqu
destes pulsos

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3.4. Contadores Sncronos (Paralelos)


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3.5. Contadores Sncronos com Carga Paralela

Exerccio:
Apresente o
Diagrama de Tempo
deste circuito

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4. Mquina de Estados (FSM): Mealy e Moore

As mquinas seqenciais sncronas se classificam quanto forma da
funo de sada, em dois grandes tipos:

- Mquina de Moore
- Mquina de Mealy

Veremos a seguir as equaes que definem estas mquinas:

4.1. Mquina de Moore

As equaes que definem este tipo de circuito seqencial sncrono so:

Qi+1 = f (E,Qi) onde: f a funo prximo estado
S = g (Qi) g a funo de sada

Note que o estado futuro ( Qi+1 ) depende do valor atual das entradas
e do estado em que o circuito se encontra. O valor das sadas (S), por outro
lado, depende apenas do estado atual.


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O diagrama de blocos genrico desta mquina seria:

Obs: - f e g so implementados usando lgica combinacional.

- a memria (que em geral um registrador) guarda o estado atual Qi. Ela
uma barreira temporal que, controlada pelo relgio (clock), impede a alterao
do estado, e portanto das sadas, antes do tempo previsto. Note que a cada ciclo
de relgio tem-se um novo Qi, e portanto, um novo Qi+1.

Numa mquina de Moore, o futuro (Qi+1) no consegue modificar o
presente (Qi) devido barreira temporal. Quando chegar o tempo (clock), o
presente se torna o passado e o futuro, presente.

4.2. Mquina de Mealy

Suas equaes so as seguintes:

Qi+1 = f (Qi, E) onde f: funo prximo estado
S = g (Qi, E) g: funo de sada

A diferena desta mquina para a de Moore que o valor das sadas (S)
funo no somente do estado atual, mas tambm do valor instantneo das
entradas. A mquina de Mealy til nas aplicaes em que a manifestao das
entradas sobre as sadas no pode ser postergada at o prximo estado Qi+1

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(isto , as sadas devem reagir imediatamente a condies especficas das
entradas).

O diagrama de blocos genrico da mquina de Mealy :

Aqui, o efeito das entradas faz parte do presente e manifestam-se
imediatamente nas sadas (S). Pode inclusive haver mudanas nas sadas entre
transies do relgio. Na mquina de Moore, o valor das sadas (S) funo
somente do estado, s mudando junto com as mudanas do relgio (as
transies), ou seja, na mquina de Moore a ao das entradas (E) s ser
sentida no prximo estado, e de maneira indireta, j que E influi em Qi+1 e este
determinar os prximos valores das sadas. Por isso, a mquina de Mealy pode
produzir algumas sadas com avano de at um ciclo de relgio em relao
mquina de Moore. Em geral, as mquinas de Mealy so mais econmicas e
mas difceis de se projetar.

Exemplo de Mquina de Moore:

Imaginemos um circuito digital que receba uma seqncia de entradas
(valores numricos) e que coloque na sada o maior dos valores recebidos at
ento. E (o vetor de entradas) ter 4 bits e ser sempre positivo (variando,
portanto, na faixa E = (0000)
2
= 0 at E = (1111)
2
= 15). S (o vetor de sadas)
uma varivel do mesmo tipo de E (inteiro positivo representado em 4 bits). Para
facilitar faremos S = Qi , isto , o prprio valor do vetor de estado a sada,

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tornando a funo g trivial (a funo identidade). A funo f pode ser enunciada
como:

Se E>Qi { Qi = S}
ento Qi+1 = E {prximo valor de S ser E}
seno Qi+1 = Qi {prximo valor de S ser o atual}

Este circuito conhecido como Comparador de Magnitude.

Obs.: o sinal adicional RESET
uma entrada assncrona, que
serve para inicializar o circuito
seqencial (por exemplo, forar
o estado de RQ para (0000)
2

antes do incio do
funcionamento).
- Supusemos RQ sensvel borda de subida de CK.

- T = perodo do relgio (clock) = 1/f freqncia

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A funo f poderia ainda ser mais detalhada :

CM = Comparador de Magnitude
MUX = Multiplexador 2:1

Comparador : Se E >= Qi
Ento MAIOR = 1
Seno MAIOR = 0

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Multiplexador : Se SELECT = 1
Ento Qi+1=E
Seno Qi+1=Qi

4.3. Projeto de Contadores Sncronos

Projeto de um contador Up/Down que conta 0 1 2 :


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Contador Up/Down de 3 Bits em Cdigo Gray

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5. Memrias RAM e ROM

5.1 Memrias SRAM e DRAM

5.1.1 Introduo

Num contexto de sistemas computacionais a palavra memria utilizada para designar um
conjunto de registradores no qual so armazenados programas e dados. Sob o ponto de vista do processador,
no h muita diferena se estes programas so sistemas operacionais, assemblers, compiladores ou softwares
de aplicao tais como editores de texto, planilhas ou jogos eletrnicos. importante observar que a mesma
informao que considerada dado em um momento, pode transformar-se em cdigo no momento seguinte.
Por exemplo, quando o sistema operacional est carregando um editor de texto na memria, o conjunto de
instrues que formam o programa do editor de texto considerado como dado pelo sistema operacional.
O desenvolvimento e expanso da tecnologia de fabricao de circuitos integrados para
armazenamento de dados determinaram o grande avano dos computadores digitais. At 1970, as memrias
de ncleo de ferrite eram de uso corrente. Entretanto, por causa de seu alto custo, grande consumo e
limitaes em velocidade foram substitudos pelas memrias a semicondutores que lideram o mercado at
hoje.

Entre as principais caractersticas para se avaliar memrias, podemos destacar as seguintes:

- Densidade: Nmero de bits armazenados por rea fsica. Est relacionado capacidade total de
armazenamento.
- Velocidade: Se refere rapidez com que os dados podem ser acessados (lidos) ou
armazenados(escritos).
- Potncia: Potncia consumida ou dissipada pela memria.
- Custo: Custo para armazenamento por bit, ou seja, o valor do semicondutor dividido pelo nmero
de bits que pode armazenar.

No manuseio de memrias comum o uso de expresses referentes aos modos de operao, aos
terminais de entrada/sada, capacidade de armazenamento e a sinais de controle. Dentre estas, cabe ressaltar:

- Escrita (Write): Termo usado para o procedimento de armazenamento de uma informao binria
na memria. Numa operao de escrita, a informao colocada nas entradas de dados copiada numa posio
ou endereo da memria.
- Leitura (Read): Termo usado para o procedimento de obteno, ou busca, de uma informao
armazenada em uma memria. Numa operao de leitura, a informao armazenada na posio
correspondente s entradas de endereo e copiada nos bits de sada.
- Palavra (Word): Corresponde informao formada por um grupo de bits armazenado em uma
determinada posio de memria que chamamos de endereo.
- Endereos (Address): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para identificar
uma certa posio de memria.
- Entrada de Dados (Data Input): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para
introduo dos dados a serem armazenados.

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- Sada de Dados (Data Output): Correspondem aos terminais do circuito integrado onde sero
colocados os dados armazenados numa dada posio da memria, em uma operao de leitura.
- Byte: Termo usado para uma informao binria que contm 8 bits.
- Kilobyte: Termo usado para um conjunto de 1.024 bytes.
- Memria voltil: aquela que perde seu contedo na ausncia de alimentao.
- Memria fixa: aquela que no perde seu contedo na ausncia de alimentao.
- Habilitao do CI (Chip Enable): Um terminal do circuito integrado, quando polarizado
convenientemente habilita ou desabilita a operao do chip provocando uma reduo na potncia dissipada e
impedindo a operao de escrita e leitura. Normalmente tais entradas so designadas por CE (Chip Enable)
quando a habilitao com NL1 ou CE barrado quando a habilitao com NL0. Alguns chips so
designados por CS (Chip Select) em vez de CE, porm ambos tm a mesma finalidade.

As memrias podem ser divididas em dois tipos: Memrias apenas de Leitura (ROM) e Memrias de
Acesso Aleatrio (RAM).

As memrias ROM so do tipo no voltil e permitem o acesso aleatrio a qualquer um dos
endereos. Permite apenas a leitura do contedo e destinada a guardar uma informao de forma
permanente. As memrias RAM so do tipo voltil e permitem o acesso aleatrio a qualquer um dos
endereos tanto para a escrita quanto para a leitura. So usadas para armazenar temporariamente as
informaes, tais como os programas dos usurios (principalmente de computador).

5.1.2 Organizao Interna de uma Memria

Uma memria constitui-se de uma matriz (array) de clulas de memria, cada clula com
capacidade de armazenar um bit. Da mesma forma que em programas de alto nvel, estes arrays podem ser
unidimensionais ou multidimensionais. Para reduzir o nmero de linhas necessrias para comunicar o
endereo da clula (ou palavra) que est sendo endereada, o endereo fornecido pelo processador
codificado em N linhas de endereo. Dado este endereo, preciso utilizar um circuito decodificador para
identificar dentre as 2
N
possveis posies de memria, qual que est sendo lida/escrita. Um possvel circuito
decodificador ilustrado na fig. 6.1. O circuito que implementa o decodificador desta figura mostrado na
fig. 6.2.

Fig. 6.1. Circuito decodificador de 3 para 8 linhas.


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Fig. 6.2. Circuito que implementa o decodificador de 3 para 8 linhas.

Observe que para um codificador de 3 linhas de endereo para 8 linhas de dados so necessrias 8
portas AND com 3 entradas por porta.
Numa estrutura de array unidimensional, um nico decodificador necessrio, conforme ilustrado
na fig. 6.3. Considere uma memria com 4 Kbits (4096 bits). Para enderear individualmente cada um dos
bits desta estrutura so necessrias 12 linhas de endereo. Na estrutura unidimensional necessrio um
decodificador com 4096 portas AND, cada uma com 12 entradas.
Para simplificar os decodificadores, arrays bidimensionais so mais comumente utilizados para
implementar memrias. A mesma memria de 4Kbits pode ser endereada atravs de 6 linhas de endereo
de linha e 6 linhas de endereo de coluna. Esta memria precisa de dois decodificadores, cada
decodificador com 64 portas AND, com 6 entradas cada uma. Isto representa uma economia de 4096 - (2 x
64) = 3968 portas AND. Uma estrutura interna bidimensional mostrada na fig. 6.4.

Fig. 6.3. Estrutura interna unidimensional de uma memria.


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(a)

(b) (c)

Fig. 6.4. Memria RAM: (a) Estrutura interna bidimensional de uma memria; (b) Clula de memria
SRAM; (c) Clula de memria DRAM

Gnd
Bit node
(Capacitor Drain-Bulk)

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A figura seguinte mostra que a RAM dinmica apresenta um terminal a mais em relao RAM esttica,
responsvel pelo Refresh (revivamento) a fim de no perder o contedoarmazenado dentro das clulas.

A tabela abaixo mostra os valores que devem ser inseridos nos terminais CE e WE para que se
possa acessar a memria para leitura e escrita.

Alm da vantagem de reduo na complexidade dos decodificadores, um array bidimensional
pode reduzir o nmero de pinos necessrios no chip de memria. Isto feito atravs da multiplexao
dos pinos que fornecem o endereo de linha e de coluna. A fig. 6.5 ilustra os processos de multiplexao e
demultiplicao que ocorre para cada par de linhas fora e dentro do chip, respectivamente. Observe que uma
estrutura similar mostrada na fig. 6.5 ter que ser construda para cada par de linhas de endereos que
compartilham pinos do chip.


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Fig. 6.5. Multiplexao de linhas de endereo para compartilhamento de pinos.

Por exemplo, o chip de memria PD4216800 da NEC Electronics que possui uma capacidade de
armazenamento de 2 Mbytes tem apenas doze linhas de endereo. Isto conseguido endereando os dados
no bit-a-bit, mas byte-a-byte. O que significa que cada uma das clulas do array de memria armazena no
mais um bit, mas sim um byte. Ainda assim, doze linhas de endereo seriam apenas suficiente para enderear
2
12
= 4096 = 4Kbytes. Como feita a mgica?
A mgica realizada por uma multiplexao externa ao chip das linhas de endereo e uma
demultiplexao interna como ilustra a fig. 6.6. Neste chip especificamente so utilizadas 12 linhas de
endereo para enderear as linhas da matriz de memria e 9 linhas para as colunas. Portanto temos uma matriz
de 2
12
x 2
9
= 4096 x 512 = 2
21
= 2.097.152 = 2Mbytes.

Fig. 6.6. Representao do chip PD4216800.

Pergunta: possvel implementar a mesma organizao de memria (2 Mbytes) com apenas
11 linhas de endereo? E com 10?
Com 11 linhas, sim: implementando o array de clulas com fator de forma quase igual a 1. Assim,
multiplexa-se as 11 linhas de endereo para as linhas da matriz e depois dez das onze linhas para as colunas,
num total de 2
11
x 2
10
= 2
21
bytes acessados. Com 10 linhas de endereo no possvel: 2
10
x 2
10
= 2
20

= 1.048.576 = 1Mbytes.

A0
A1

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5.1.3 Chip de Memria

Agora que conhecemos a estrutura interna de uma memria, podemos subir um nvel de abstrao e
considerar memrias como chips prontos, que podemos utilizar em um sistema computacional baseado em
microprocessadores. Um destes chips representado na fig. 6.6.
RAS (Row Address Strobe) o sinal que indica para o chip de memria que o endereo da linha da
memria que est sendo acessada est presente no barramento de endereo. CAS (Column Address Strobe)
indica que o endereo da coluna da memria que est sendo acessada est presente no barramento de
endereos e WE indica que a operao de escrita (quando est ativado) ou de leitura (quando est
desativado)
1
.
Para operar adequadamente, os sinais de endereo e dados devem ser fornecidos ao chip de memria
em sincronismo com os sinais de controle (RAS, CAS e WE). O diagrama de tempos simplificado para o
ciclo de leitura apresentado na fig. 6.7.

Fig. 6.7. Diagrama de tempo simplificado do ciclo de leitura do PD4216800.

5.1.4 Mapeamento de Memria

Considere um chip de memria capaz de armazenar 2 Mbytes e suponha que queremos
implementar um sistema microprocessado com capacidade de armazenamento de 16 Mbytes, cuja memria
organizada em palavras de 16 bits. Como organizaramos este sistema?

Soluo: Uma forma natural de organizar esta memria seria colocar dois chips PD4216800 lado
a lado para formar uma palavra de 16 bits, e utilizar 4 destas combinaes para alcanar os 16 Mbytes de
memria desejado. Supondo que esta rea de 16 Mbytes de memria inicie no endereo 0000.0000, a
organizao desta memria ficaria conforme indicado na tabela 6.1.

1
A barra em cima do nome do sinal indica que o sinal ativo baixo, isto , o sinal deve ser considerado
ativado ou verdadeiro quando o seu nvel eltrico baixo e desativado ou falso quando o seu nvel eltrico
alto.

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ENDEREOS
(23 bits)
Dados (16 bits)

31

0

15

8

7

0

Palavras
Endereveis

0000 0000
001F FFFF
Mem0 Mem1 2M
0020 0000
003F FFFF
Mem2 Mem3 2M
0040 0000
005F FFFF
Mem4 Mem5 2M
0060 0000
007F FFFF
Mem6 Mem7 2M

Tabela 6.1. Organizao do espao de endereamento de memria.

Como a tabela 6.1 indica, as linhas de endereamento A
22
e A
21
(A
22
/A
21
= 00, 01, 10, 11, para
Mem0/Mem1, Mem2/Mem3, Mem4/Mem5, Mem6/Mem7, respectivamente) so utilizadas para fazer a
seleo entre os 4 slots do sistema. Estas linhas podem ser usadas como entradas de um decodificador cujas
sadas so utilizadas na gerao de um sinal de Chip Select (CS) para os respectivos slots, conforme ilustrado
na fig. 6.8.

Mem0/Mem1
Mem2/Mem3
Mem4/Mem5
Mem6/Mem7
Chip Select's:
A22
A21
22 21 20 19
Linhas de Endereo Bancos de
Memria
Mem0/Mem1
Mem2/Mem3
Mem4/Mem5
Mem6/Mem7
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 1

Fig. 6.8. Decodificador de endereos.


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Fig. 6.9. Organizao do Sistema de Memria com capacidade para 16MBytes e palavras de 16 bits.


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Exerccio:

Dada uma clula de memria RAM, pergunta-se.
a) esssa clula de uma RAM esttica ou dinmica? Justifique.
b) Preencher a tabela abaixo indicando se os transistores MOS esto cortados (0 =) ou conduzindo
(= 1), de acordo com a ordem dos fatos.


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5.2 Memrias ROM, PROM, EPROM e E
2
PROM

A seguir, estudaremos as memrias ROM que possuem as seguintes classificaes:

ROM (Read Only Memory): Essa foi o primeiro tipo de memria da famlia ROM que surgiu e a
informao gravada pelo fabricante atravs da queima de componentes (diodos, fusveis ou transistores
bipolares) em uma matriz conforme a solicitao do projetista.

O funcionamento por queima de componentes muito simples. Sempre que houver a necessidade de
se gravar 1 mantm-se a integridade do componente, caso contrrio queima-se o mesmo. Para uma memria
constituda de fusveis, quando se coloca Vcc no terminal de entrada de um fusvel, obtm-se na sada o
nvel lgico 1. No entanto, quando se coloca Vcc no terminal de entrada de um fusvel queimado, obtm-
se na sada o nvel lgico 0, formando assim a lgica de gravao de uma memria do tipo ROM.

A utilizao da memria ROM tem duas grandes desvantagens:

1- Como a gravao depende do fabricante, o projetista fica sujeito a morosidade da entrega da
memria gravada.
2- O custo alto, viabilizando o uso da memria apenas para produtos produzidos em larga escala,
pois a aquisio de memrias em grandes volumes reduz o custo por unidade.

PROM (Programmable Read Only Memory): Esse tipo de memria soluciona os problemas
levantados pelas desvantagens do uso da memria ROM, pois nesse caso a gravao feita pelo prprio
projetista. Essa gravao funciona da mesma maneira que na ROM, ou seja, por queima de componentes
(normalmente diodos ou fusveis).

O procedimento para a queima dos componentes fornecido pelos fabricantes e especfico para cada
circuito. A gravao executada atravs de um aparelho chamado Gravador de PROM, que tem como
funo a queima dos componentes conforme a tabela de gravao do projeto.

A memria PROM apresenta ainda uma grande desvantagem, pois uma vez programada (gravada)
no pode ser apagada para correes ou nova utilizao. Isto ocorre porque uma vez que houve a queima dos
componentes impossvel a sua substituio.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Essas memrias podem ser
programadas e reprogramadas pelo usurio, ou seja, em caso de erros de programao o chip no precisa ser
descartado, como no caso das memrias ROM e PROM. A programao (gravao) feita pela aplicao de
sinais eltricos convenientes em pinos do chip e indicados pelos fabricantes.

A EPROM um dispositivo com arquitetura similar s PROMs, mas do tipo MOS (Metal Oxide
Semicondutor), onde o conjunto inteiro das informaes armazenadas pode ser apagado atravs da aplicao
de raios ultravioleta em uma janela de quartz localizada numa das faces do chip. Este raio deve possuir
comprimento de onda em torno de 2.537 , uma potncia prpria indicada pelo fabricante e ser aplicado
durante um intervalo de tempo situado entre 10 e 30 minutos. A gravao feita atravs de circuitos
eletrnicos especiais, ou seja, um aparelho chamado de Gravador de EPROM.


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Essa memria implementada usando o princpio de armazenamento do tipo Floating-gate
Avalanche Injection MOS. Num transistor PMOS, um potencial negativo aplicado ao gate produz um canal
de conduo de cargas positivas (buracos) entre a fonte e o dreno. No transistor NMOS, para causar a
conduo da fonte para o dreno e o conseqente armazenamento de cargas negativas no gate, devemos aplicar
um pulso da ordem de 25 a 50 volts na juno p-n (dreno / fonte). Cerca de 20 a 30 % da carga armazenada se
perde depois de 20 anos. Ver figura abaixo.

Transistor nMOS Transistor pMOS

O pulso de programao aplicado em um pino prprio do circuito no qual foram polarizadas as
linhas de dados e endereos. A durao tpica desse pulso da ordem de 1 ms e encessrio 1 destes pulsos
para cada endereo que se deseja programar na EPROM. O apagamento ocorre quando os eltrons
armazenados retornam ao substrato pela exposio aos raios ultravioletas.

E
2
PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Neste tipo de
memria, tanto a gravao como a desgravao so feitas por sinais eltricos, ou seja, pode-se ler e escrever
na memria E
2
PROM sem ter a necessidade de retirar-la da placa de circuito impresso para apagar-la e depois
gravar-la novamente no aparelho gravador. A principal tecnologia utilizada a nMOS. Na verdade um
transistor MOS modificado que usado como um capacitor de carga que alcana um tempo de
armazenamento entre 20 e 30 anos.

Uma tenso elevada e da ordem de 20 volts entre a porta e dreno provoca a induo de cargas nas
portas flutuantes que ali permanecem quando a tenso retirada. Uma tenso reversa apaga a carga
armazenada. Desta forma, tanto a programao como o apagamento pode ser feito por endereos de memria.
No preciso apagar toda a memria para corrigir algum dado ou usar a memria com novos valores.
Tambm no necessrio retirar os circuitos integrados dos soquetes. A memria E
2
PROM pode ser
inteiramente gravada ou apagada em um tempo da ordem de 10 ms.

Essa memria pode ser confundida com a RAM uma vez que pode ser lida e escrita no prprio
circuito, porm a E
2
PROM quando gravada permanece com os dados armazenados mesmo que se retire sua
alimentao, o que caracterstica bsica de uma memria da famlia ROM, sem contar que a arquitetura
similar da EPROM.


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Dimensionamento de Memrias:

O dimensionamento de memrias igual para qualquer tipo de memria, seja da famlia ROM ou da
famlia RAM. Para melhor compreender o dimensionamento ou tamanho de memria, vamos exemplificar
atravs das figuras seguintes:

As figuras A e B representam uma determinada memria da famlia ROM totalmente fictcia. A
figura A representa a forma como os bits so armazenados dentro da memria, ou seja, cada linha significa
um endereo, que conforme o exemplo dado, vai de 0 a 2.047, resultando num total de 2.048 endereos.
Verifique que nesse exemplo cada endereo tem 10 bits, sendo que no total essa memria tem 20.480 bits. O
dimensionamento dado na seguinte formato:

Nesse exemplo ento, a memria tem tamanho de 2.048 x 10, ou seja, 2.048 endereos sendo que em
cada endereo tem 10 bits. Nesse exemplo, como existem 2.048 endereos ento existem 2.048 pinos no chip
para poder acessar cada um desses endereos?

Claro que no, pois se voc reparar na figura B (pinagem do circuito integrado) vai observar que
existem 11 pinos para o endereamento dos 2.048 endereos, que vai do pino A0 at o pino A10. Isso
possvel devido a seguinte frmula:

Nmero de endereos = 2
Nmero de pinos de endereo

O nmero de pinos de sada da memria depende de quantos bits existem por endereo, pois desta
forma se houver 10 bits por endereo, esse invlucro ter 10 pinos de sada (Q), onde cada pino de sada
representa um bit gravado no determinado endereo. Por exemplo: se for acionado o endereo 3 da memria
fictcia anterior, devemos introduzir nos pinos de entrada o seguinte cdigo: 00000000011 e a sada da
memria ser 0111011000. No devemos esquecer de introduzir 0 no pino CE para poder habilitar a
memria. Ainda com esse exemplo fictcio, podemos mostrar as 3 maneiras de se dimensionar uma memria:

2.048 x 10 ou 2K x 10 ou 2
11
x 10

Quando for comprar uma memria, nunca se deve solicitar ao vendedor pelo tamanho (dimenso) da
mesma e sim pelo cdigo obtido atravs dos databooks dos fabricantes de memrias. Caso no tenha o
tamanho necessrio para o projeto, deve-se ento partir para a Associao de Memrias.


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Configurao Interna da Memria:

A construo interna de uma memria da famlia ROM feita pelo processo matricial conforme o
desenho seguinte. No caso de memrias do tipo ROM ou PROM que funcionam por queima de componentes
(diodo, fusvel ou transistor bipolar), o seu princpio de construo feito atravs do cruzamento de todos os
endereos com todas as sadas pelo sistema matricial, onde cada cruzamento constitudo por um dos
componentes a serem queimados conforme a convenincia. J nos casos da EPROM ou da E
2
PROM tambm
pelo processo matricial descrito acima, s que em cada cruzamento fazem parte os transistores da famlia
MOS que evidentemente neste caso no sero queimados e sim polarizados convenientemente.

Verificando-se o exemplo da configurao interna da figura, nota-se que o cruzamento dos endereos com as
sadas d-se atravs de diodos (no caso ainda virgens). Sendo uma ROM ou PROM tanto pode ter nos
cruzamentos diodos como fusveis ou transistores que funcionaro pela queima dos mesmos.

Se a memria for constituda internamente por transistores bipolares, o tempo de acesso de
aproximadamente 50 ns. Tempo de acesso significa o perodo decorrido desde o momento em que a memria
foi endereada at que a palavra esteja disponvel na sada da memria.

As memrias EPROM ou E2PROM so constitudas com o mesmo tipo de arquitetura interna, ou seja
matricial (endereos por sadas), s que o cruzamento feito atravs de transistores da famlia MOS.

O tempo de acesso atravs de dispositivos MOS de aproximadamente 400 ns. A vantagem do transistor
MOS por ser mais econmico, mas em compensao mais lento que o bipolar.

Exemplo: Determine como ser a gravao de uma memria ROM 8 x 4, conforme a tabela abaixo:

Resposta: O desenho abaixo representa uma memria ROM virgem de tamanho 8 x 4, ou seja, 8
endereos (3 pinos de entrada) por 4 bits por endereo (4 pinos de sada). Observe que o DEMUX tem a

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funo de decodificar os 3 pinos de entrada (A2, A1 e A0) em 8 endereos, onde cada endereo corresponde a
uma coluna e cada sada corresponde a uma linha. O cruzamento das colunas com as linhas feito atravs dos
diodos (ainda no queimados).

A prxima figura representa o circuito interno da memria ROM com os componentes j queimados
segundo a tabela de gravao necessria para a realizao do suposto projeto. Os diodos queimados esto
ausentes no desenho e em seu lugar aparece uma pequena mancha que representa a queima do componente.

Vamos introduzir nos pinos de entrada da memria os seguintes dados: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0.
Dessa maneira o DEMUX vai acoplar a sua entrada (Vcc) com a primeira sada (S0). Isto significa que S0
est em NL1 enquanto as demais sadas do DEMUX esto em NL0. Observe agora que o fio que sai de S0
est fazendo contato apenas com a 3 e 4 linhas atravs dos diodos, enquanto que a 1 e 2 linhas no fazem
contato com o fio de S0, pois estes diodos foram queimados. Dessa maneira, o NL1 vai parar apenas nas
sadas Q1 e Q0 do DEMUX, enquanto que Q3 e Q2 esto em NL0.

Assim, temos: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0 resultando em Q3 = 0, Q2 = 0, Q1 = 1 e Q0 = 1, conforme
solicitado pela tabela de gravao do projeto. A cada combinao estabelecida nos pinos de entrada da
memria, ser chamada uma das sadas do DEMUX. Conforme a sada do DEMUX que foi acoplada ao Vcc,
encontrar um conjunto de componentes inteiros e queimados de acordo com a convenincia da gravao e
desta maneira teremos um conjunto de sadas da memria diferenciada para cada conjunto de entradas.


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Exerccio: Dado o circuito interno da memria abaixo, determine os itens a seguir:

a) A dimenso desta memria.
b) A tabela de gravao.
c) possvel apagar essa memria? Justifique.
d) Qual a finalidade do CE (Chip Enable) ou CS (Chip Select)?

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