Breve marco terico

Transistor de unin bipolar:

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre
un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes
como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada
tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la
zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico
(As) o Fsforo (P).
Transistor j fet:
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de
juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al
ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones
elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn
este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta).
Transistor mosfet:
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-
oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin
bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El trmino
'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que
el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de
silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta
mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a
su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.
ecuacin de shockley: (

primera etapa (mosfet)
datos:
R1= 1M ; R2=500k
Ri= 1K
V
DS
=

8V

anlisis en corriente continua:
donde:

=5.3v
Usando la ecuacin cuadrtica:

Y la ecuacin de shokley:
(

Resolviendo las ecuaciones simultaneamentes:
1) -V
G
+ V
GS
+ R
S
*I
D
=0 R
S
=

=560
2) - V
cc
+R
D
*I
D
+V
DS
+ R
S
*I
D
=0 R
D
=

=2.2K
Anlisis en corriente alterna:
Donde:


Y Reemplazando valores se tienes:
Gm=1.68mS
Hallando la ganancia de voltaje:
Av=

y remplazando valores tenemos Av=-3.6
simulacin de la segunda etapa del circuito :

Segunda etapa (j-fet)
Datos:
Id
ss
=6mA ; V
P
=-5V (datasheet)
R2=1M ; R1=50K ; V
cc
=16V
sea el punto de operacin en el
cual:
V
GS
=0.3V
P
=-1.5V
I
D
= I
Dss
/2 =3mA

Anlisis en corriente continua:
donde:

=0.76v
1) -V
G
+ V
GS
+ R
S
*I
D
=0 R
S
=

=753

2) - V
cc
+R
D
*I
D
+V
DS
+ R
S
*I
D
=0 R
D
=

=2.29K


Anlisis en corriente alterna:
Donde:


Y Reemplazando valores se tienes:
Gm=1.68mS
Hallando la ganancia de voltaje:
Av=

=



y remplazando valores tenemos Av=-1.69
simulacin de la segunda etapa del circuito :










tercera etapa (BJT)
Datos:
V
CE
=V
cc
/2 =8V ; R1=100K ; R2=200K
Formulas usadas :
I
C
=B*I
B



R
B
=0.1*B*R
E
(por diseo)
B=200


Anlisis en corriente continua
Donde:

=5.3V ;

=66.6K

Por condicion de diseo: R
b
=0.1*B*R
E


R
E
=

=3.33K

1) V
BB
+ V
BE
+ R
B
*I
B
+

R
E
*I
E
=0 ; pero I
E
= I
c
=B I
B

V
BB
+ V
BE
+ R
B
*I
B
+

R
E
*B*I
B
=0

Despejando I
B
se tiene:
I
B
=

=6.27uA ; pero I
c
=B I
B
I
c
=200*6.27uA=1.25mA

2) V
cc
+ V
cE
+ R
c
*I
c
+

R
E
*I
c
=0

R
c
=

R
c
=3.07K

3) Anlisis en corriente alterna:
r
e
=

r
e
=20.8


Av=

=





Av =-3.89
simulacin de la tercera etapa del circuito:



Imagen tomada en el laboratorio de la primera etapa

Ganancia tericamente
Av=Gv1=-3.6
Ganancia experimentalmente
Av= Gv1=-3.33

Imagen tomada en el laboratorio de la segunda etapa

Ganancia tericamente
Av= Gv2=-1.69
Ganancia experimentalmente
Av= Gv2=-1.84

Imagen tomada en el laboratorio de la tercera etapa

Ganancia tericamente
Av = Gv3=-3.89
Ganancia experimentalmente
Av= Gv3=-4.01

Ganancia total tericamente Gv=Gv1*Gv2*Gv3=23.66
Ganancia total experimentalmente Gv=Gv1*Gv2*Gv3=24.57
CONCLUSIONES:
Un amplificador de varias etapas son importantes pues se puede amplificar un sonido
o una seal de onda.
Las ganancias obtenidas en cada etapa se transfieren consecutivamente a cada una
de ellas.
La ganancia del transistor BJT es mayor que la del JFET y la del MOSFET.
El JFET tiene alta impedancia de entrada, presenta bajo nivel de ruido, mayor
estabilidad trmica.