INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO

SANTIAGO MARIO EXTENSIN SAN CRISTBAL

LABORATORIO DE ELECTRNICA INDUSTRIAL








PUENTE RECTIFICADOR DE
MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA







EDIAN URIBE
21.003.247


SAN CRISTBAL, JUNIO DEL 2014


Pre-laboratorio:
CARACTERSTICAS DE LA CORRIENTE ALTERNA
EL CICLO:

Es la variacin completa de la tensin o la corriente de cero a un valor mximo
positivo y luego de nuevo a cero y de este a un valor mximo negativo y
finalmente a cero.



FRECUENCIA

La frecuencia es el nmero de ciclos que se producen en un segundo. Su
unidad es el Hertz (Hz) que equivale a un ciclo por segundo, se representa con
la letra f.





PERIODO

Tiempo necesario para que un ciclo se repita. Se mide en segundos y se
representa con la letra P.
Frecuencia y periodo son valores inversos
T =1/f f =1/T


El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo
y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin,
deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de
tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin
negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.


El diodo responde a la ecuacin:


La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
V
RRM
: tensin inversa mxima
V
D
: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo,
las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (t
rr
).
o Influencia del t
rr
en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (V
RWM
): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en
ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V
RRM
): es la que puede ser soportada
en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (V
RSM
): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (V
BR
): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas
del mismo.
Tensin inversa continua (V
R
): es la tensin continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (I
F(AV)
): es el valor medio de la mxima
intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I
FSM
): es el mximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10
ms.
Intensidad directa (I
F
): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conduccin.
Modelos estticos del diodo


Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos)
se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos
a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el
nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando
modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE.
Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso
pueden venir ya en las libreras del programa.




Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso


El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se
efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una
intensidad I
F
, la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto
mayor sea I
F
. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos
la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que
despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el
diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin
inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo
t
a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial.
La intensidad todava tarda un tiempo t
b
(llamado tiempo de cada) en
pasar de un valor de pico negativo (I
RRM
) a un valor despreciable
mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
o t
a
(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde
el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
o t
b
(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico
negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la
descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la
prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de ste.
o t
rr
(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t
a
y t
b
.



o Q
rr
: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el
rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del
diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o I
rr
: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre t
b
/t
a
es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Q
rr
por el rea de un
tringulo :


De donde:


Para el clculo de los parmetros I
RRM
y Q
rr
podemos suponer uno de los
dos siguientes casos:
o Para ta = tb trr = 2ta
o Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:


Y en el segundo caso:


Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:
o Se limita la frecuencia de funcionamiento.
o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de
recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin
rpida.
Factores de los que depende t
rr
:
o A mayor I
RRM
menor t
rr
.
o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo
mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser t
rr
.
Tiempo de recuperacin directo
t
fr
(tiempo de
recuperacin directo): es
el tiempo que transcurre
entre el instante en que la
tensin nodo-ctodo se
hace positiva y el instante
en que dicha tensin se
estabiliza en el valor V
F
.
Este tiempo es bastante
menor que el de
recuperacin inversa y no
suele producir prdidas
de potencia apreciables.

Entrada AC, monofsica o polifsica.
Salida DC no controlada, su valor depende de:
La tensin de entrada
La corriente por la carga
Topologa del convertidor
Flujo de potencia

Aplicaciones:
Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes caractersticas:
De coste mnimo
No sensibles al valor de la tensin de salida
No problema con el factor de potencia
Algunos ejemplos:
Entrada de fuentes de alimentacin
Alimentacin de motores DC

Laboratorio

Rectificador de media onda



V1: 120v
V2:50.8v
Vrms(fuente):71.62v
VD:0.7v
VL: 50.1v
I: 0.27 A
P:13.52W
Vrms(en la carga): 70.64v
Puente rectificador de onda completa

V1: 120v
V2:50.8v
Vrms(fuente):71.62v
Vpr:2.8v
VL: 48v
I: 0.19 A
P:9.25W
Vrms(en la carga): 70.64v

Profe esta son las graficas que coloque para no colocar las fotos que tome
porque pesaba mucho el archivo y no tengo para convertir