Prof.

Bernardo Leite 2014

Transmissores e receptores de RF
I. Transistores
II. Amplificadores para pequenos sinais
III. Filtros
IV. Amplificadores realimentados
V. Circuitos de alta frequncia
VI. Amplificadores de radiofrequncia
VII.Osciladores
VIII. Misturadores
1 Prova: 11/4/2014
2 Prova: 30/5/2014
Seminrio: 6/6/2014
=
1 Prova +2 Prova+Seminrio
3
I. Fundamentos de microeletrnica, B. Razavi.
II. The design of CMOS radio-frequency integrated
circuits, Thomas H. Lee.
III.RF microelectronics, Behzad Razavi.
IV.Microeletrnica, A. S. Sedra e K. C. Smith.
Prof. Bernardo Leite 2014
Bandas de energia
Nveis discretos de energia permitidos para os eltrons de um slido
Energia
Eltrons se tornam livres dos tomos
individuais podendo se deslocar livremente
em uma rede cristalina
Nvel de energia mais alto no qual os
eltrons permanece m ligados a tomos
individuais
Semicondutores
Condutores
Isolantes
III IV V
Semicondutores
Principais semicondutores
na microeletrnica
Si
Ge
GaAs
GaN
InP
Semicondutores
Silcio puro
tomo de Silcio
4 eltrons de
valncia por tomo
2 eltrons por ligao
covalente
T = 0 K T > 0 K
Eltron livre
Lacuna

= 1,11
Energia de bandgap
Semicondutores
Silcio dopado
Tipo n Tipo p
Eltron livre adicional
tomo de
Fsforo
tomo de
Boro
+
Lacuna adicional
Semicondutores
Silcio puro
+
+
+
-
+
Silcio tipo n
Silcio tipo p
tomo doador
tomo aceitador
lacuna
eltron livre
+
+
+
+
+
+
+
-
+
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
Transporte de portadores
Deriva
Difuso
Provocado por campo eltrico
Provocado por gradiente de concentrao
=

v: velocidade mdia dos portadores

: mobilidade dos portadores
E: campo eltrico
Juno PN
+
+
+
+
+
+
-
+
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
+
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
-
-
+
-
+
-
-
+
+
+
+
+
+
Regio de depleo
Difuso de
eltrons
Difuso de
lacunas

Deriva de
lacunas
Deriva de
eltrons
Na ausncia de um campo
externo (p. ex. fonte de tenso)
a corrente resultante na juno
PN nula
n
p
Juno PN
Regio de depleo
Polarizao direta Polarizao reversa
n p
n p
n p
corrente de difuso
corrente de deriva
corrente de difuso
corrente de deriva
corrente de difuso
corrente de deriva
Juno PN
n
p
+
v

i
i
v
-I
S
Metal-xido-Semicondutor
Porta (G)
Corpo (B)
Metal-xido-Semicondutor
Porta (G)
Corpo (B)
Metal-xido-Semicondutor
Acumulao
Capacitor MOS (linear)
+ + + + + + + P
+
Lacunas do substrato se acumulam na superfcie
P
+
: regio P fortemente dopada
+ + + + + + +
- - - - - - -
Regio de depleo

<

Depleo
Cargas negativas introduzidas atraem lacunas do substrato
Cargas positivas introduzidas repelem lacunas do substrato
ons ficam descobertos na superfcie
Capacitor MOS (no-linear)
Metal-xido-Semicondutor
Inverso
+ + + + + + +
- - - - - - -

+ + + + + +
+ + + + + + +
V
t
: tenso entre porta e substrato na qual a superfcie muda de P para N
ons na superfcie no so suficientes para compensar as cargas positivas introduzidas
Eltrons livres so atrados para a superfcie, que se torna uma regio tipo N
MOSFET
N
+
: regio N fortemente dopada
Porta (G)
Fonte (S)
Dreno (D)
t
ox
L
S D
G
L
W
Dimenses verticais (p. ex. t
ox
): definidas pelo processo
Dimenses laterais (W, L): definidas pelo projetista
NMOS
MOSFET
G
S
D

NMOS
S D
V
GS
V
t

= 0
MOSFET

log

Depleo Inverso
fraca
Inverso
forte
Inverso
moderada
Corrente sublimiar
Comportamento exponencial
eminverso fraca
MOSFET
G
S
D

- - - - - -
-
-
-
-
- -
-
-
Canal n
NMOS
MOSFET
G
S
D

Canal n
NMOS
MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D
V
DS
pequeno
S D

V
DS
I
D
V
GS
= , ,

MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D
V
DS
pequeno
S D

V
GS
> V
t
V
DS
V
DS Sat

1
2

Para V
DS
pequeno :
MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D

=

=

MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons ?
Corrente I
D
?

>

-
+ -
+
+
+
+
++
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+ - -
-
-
-
-
- -
+
+

MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D

>

S D
g
m
V
GS
V
DS
I
D
V
GS
MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D

>

S D
g
m
V
GS
V
GS
> V
t
V
DS
> V
DS Sat

=
1
2

MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D

>

V
DS
I
D
V
GS
L
eq
S D
g
m
V
GS
Modulao do
comprimento do canal
MOSFET
NMOS
G
S
D

eltrons
Corrente I
D

>

L
eq
Modulao do
comprimento do canal
S D
g
m
V
GS
V
GS
> V
t
V
DS
> V
DS Sat

=
1
2

1 +

MOSFET
Porta (G)
Fonte (S)
Dreno (D)
PMOS
Porta (G)
Fonte (S)
Dreno (D)
MOSFET
PMOS

Lacunas
Corrente I
D
Canal p
CMOS
Transistores NMOS, PMOS e componentes passivos realizados no mesmo chip
G
S
D
G
S
D
poo n
Efeito de corpo
G
S
D
G
S
D
Corpo (B)
Corpo (B)
Efeito de corpo
G
S
D
G
S
D
Corpo (B)
Corpo (B)
B
NMOS
: polarizar com o potencial mais baixo do circuito
B
PMOS
: polarizar com o potencial mais alto do circuito

=
0
+ 2

NMOS
S
I
D
Corte V
GS
V
t
Triodo V
GS
> V
t
V
DS
V
GS
V
t
Saturao V
GS
> V
t
V
DS
> V
GS
V
t

=
1
2

1 +

1
2

= 0
D
G B
NMOS
S
I
D
Corte V
GS
V
t
Triodo V
GS
> V
t
V
DS
V
GS
V
t
Saturao V
GS
> V
t
V
DS
> V
GS
V
t

=
1
2

1 +

1
2

= 0
D
G B
PMOS
I
D
Corte |V
GS
| |V
t
|
Triodo |V
GS
| > |V
t
|
|V
DS
| |V
GS
| |V
t
|
Saturao |V
GS
|>|V
t
|
|V
DS
|>|V
GS
| |V
t
|

=
1
2

| |

| 1 + |

| |

| |

|
1
2

= 0
| |
| |
| |
S
D
G
B
MOSFET
Saturao: Modelo simplificado para pequenos sinais em frequncias mdias
D
S
G
+
v
gs

g
m
v
gs
r
o

=
2

= 2

=
1

MOSFET
Saturao: Modelo simplificado para pequenos sinais em frequncias mdias
com efeito de corpo
D
S
G
+
v
gs

g
m
v
gs
r
o
B
+
v
sb

g
m
B

v
s
b
MOSFET
Saturao: Modelo simplificado para pequenos sinais em altas frequncias

=
2

= 2

=
1

D
S
G
+
v
gs

g
m
v
gs
r
o
C
gs
C
gd
C
ds
MOSFET
Saturao: Modelo para pequenos sinais
D
S
G
+
v
gs

g
m
v
gs
r
o
B
+
v
sb

g
m
B

v
s
b
Transistor bipolar
n
p
n
+
Coletor (C)
Emissor (E)
Base (B)
npn
B C E
NPN
C
E
B
I
C
I
E
I
B
Corte
Saturao
Ativo

>

>

>

= 0

>

PNP
E
C
B
I
E
I
C
I
B
Corte
Saturao
Ativo
|

| |

|
|

| > |

|
|

| > |

|
|

| |

|
|

| > |

= 0

1 +

| > |

|
| |
Bipolar
C
E
B
+
v
be

i
b
=
g
m
v
be
r
o

r
be
i
b

Ativo: Modelo simplificado para pequenos sinais em frequncias mdias

r
o
Bipolar
C
E
B
+
v
be

i
b
=
g
m
v
be

r
be
i
b

C
bc
C
ce
C
be
Ativo: Modelo simplificado para pequenos sinais em altas frequncias
CMOS
Bipolares parasitas em tecnologia CMOS
G
S
D
G
D
S
Corpo (B)
Corpo (B)
PNP vertical
NPN lateral