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TRANSISTORES

DE UNION
BIPOLAR(BJ T)
INTRODUCCIN
La necesidadde una tensionde bloqueo
grande enestado pasivo y una gran
capacidad de conduccion de
corriente enestado activo significa que un
transistor de unionbipolar (BJ T) debe tener
una estructura sustancialmente
diferente a la de sucontraparte del nivel
logico.
ESTRUCTURAS VERTICALES
DE TRANSISTORES DE
POTENCIA
tiene una estructura de orientacionvertical de
cuatro capas de dopaje alternante
de tipo p y tipo n, como el transistor npn
que se denominancolector, base y emisor
Se prefiere una estructura vertical para los
transistores de potencia porque maximiza el
area de secciontransversal a traves del cual
fluye la corriente enel dispositivo. Esto reduce
la resistencia del estado activo y por ende la
disipacionde potencia enel transistor.
Los niveles de dopaje encada capa y su
espesor tienenunefecto significativo enlas
caracteristicas del dispositivo. El dopaje enla
capa del emisor es muy grande (por lo
general, de 1019 cm3), mientras que el
dopaje de la base es moderada (10 16 cm3
Subtopic
CARACTERSTICAS I-V
Las diversas curvas se distinguenentre si por
el valor de la corriente de la base
Primero, hay unvoltaje maximo de
colector-emisor que se sustenta
a traves del transistor cuando lleva una
corriente sustancial del colector. Este voltaje
suele denominarse BV SUS
Enel limite de la corriente de base cero, el
maximo voltaje entre colector y emisor que se
sustenta aumenta unpoco hasta unvalor
denominado BV CEO
La diferencia observable mas importante
entre las caracteristicas i v de untransistor de
potencia y las de untransistor de nivel logico
es la zona denominada cuasisaturacionenlas
caracteristicas de transistores de potencia,
Los transistores de nivel logico no tienenesta
zona de arrastre
TENSIONES DE RUPTURA
Cuando el BJ T esta enel estado de bloqueo,
la unionC-B debe soportar la tension
aplicada.
Las tensiones de ruptura
normales sonde 5a 20V.
los transistores conaltas tensiones de ruptura
tienenvalores pequenos de beta. Para
transistores npn de alta tension, donde beta
es entre 10y 20
RUPTURA SECUNDARIA
El riesgo particular de esta
situacionpara el BJ T es que la disipacionno
se extiende de manera uniforme a traves del
volumenentero del dispositivo, sino que se
concentra enzonas muy localizadas donde la
temperatura local puede subir muy
rapido a valores de altura inaceptable. Si esta
situacionno termina enuntiempo muy breve,
provocara la destrucciondel dispositivo.
La ruptura secundaria no proviene de la
ionizacionpor impacto y la consecuente
ruptura de avalancha
de una union pn. Esto queda claro porque una
caida de tensionacompana la ruptura
secundaria, mientras que no se observa esta
caida enla ruptura de avalancha.
Para evitar la segunda ruptura es
1) controlar la disipaciontotal de potencia y,
aunmas importante,
2) evitar toda falta de uniformidadde
densidadde la corriente, enespecial durante
el encendido
y apagado, cuando es mayor la disipacionde
potencia instantanea.
AREA DE OPERACION SEGURA (SOA)
Subtopic
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR(BJ T).mmap - 16/04/2014 - Mindjet