UNIVERSIDAD POLITCNICA DE SINALOA

MECATRNICA

Transistores
Electrnica Analgica

Ing. Jess Gabriel Bernal Villanueva



3-1
Alan Toms Madrid Corrales
Kevin de Jess Delgado Hernndez
Enrique Alexandro Hermosillo Vzquez
Omar Elaid Gonzlez Grave
Mazatln, Sinaloa a 09 de Junio de 2014
ndice
Introduccin .............................................................................. 1

1. Transistor BJT ................................................................. 2


2. Tipos de Transistores .................................................... 3


3. Tipos de Configuracin .................................................. 6


4. Estructura Interna y Principios ..................................... 10


5. Regiones Operativas ....................................................... 11

6. Respuesta a la Frecuencia .............................................. 12

7. Aplicaciones de los Transistores ................................... 25

Conclusiones ........................................................................... 34

Bibliografa ................................................................................ 35
1


INTRODUCCION
En 1949, Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley,
cientficos de la Bell Telephone Laboratories, iniciaron una revolucin en la
electrnica con la invencin del transistor. En 1956 recibieron el premio Nobel de
Fsica por su trabajo.
En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrnicos, tales como
televisores, vdeos, equipos musicales, relojes digitales y, cmo no,
computadoras. Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen algo
en comn: los dispositivos electrnicos de los que estn constituidos. Los
transistores son unos de los dispositivos ms importantes. Estn construidos con
materiales semiconductores pero con estructuras ms complejas que los diodos.
Son la base de la electrnica y uno de los objetivos actuales es ir reduciendo su
tamao continuamente.
Como ya sabemos, si tenemos un material semiconductor tipo P y uno de tipo N, y
los juntamos, esta unin da lugar al diodo; pieza bsica de cualquier circuito
electrnico. Este tipo de unin P-N no es la nica que se puede hacer con
materiales semiconductores. La ampliacin ms sencilla que se puede hacer a
una unin P-N es simplemente aadirle de nuevo otra capa de semiconductor tipo
P o tipo N. Es as como se obtiene lo que se conoce con el nombre de transistor
de unin bipolar. Un transistor bipolar es la unin de un material semiconductor
tipo P, uno del tipo N y de nuevo otro del tipo P; este sera el caso de un
transistor P-N-P.
Por el contrario, si unisemos dos materiales tipo N ms uno del tipo P, en medio
de ellos obtendramos un transistor tipo N-P-N. Vemos pues que existen dos tipos
de transistores segn su estructura interna. Aunque, aparentemente, ambos son
muy similares, sus caractersticas de funcionamiento van a ser opuestas.

2

1. TRANSISTOR BJT
Definicin

El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar
el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se
debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.






3

2. TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto tal y como se muestra en la Fig.
2.1, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la
que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de
ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar
las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor
de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
Fig. 2.1 Transistor
de contacto puntual

Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar observado en la Fig. 2.2, o BJT por sus siglas en
ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio
o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N
al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
4

contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.


Fig. 2.2 Diagrama de Transistor NPN

Transistor de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET) como el de la Fig. 2.3, fue el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece
un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos
una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento,
cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una
unin PN.
5

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est
separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fig. 2.3 Diagramas de transistores de efecto de campo.

Fototransistor
Los fototransistores como el de la Fig. 2.4 son sensibles a la radiacin
electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su
flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Fig. 2.4 Fototransistor

6

3. TIPOS DE CONFIGURACION
Configuracin en base comn.
La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin
analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la
realidad, ms tarde veremos porque. En la Fig. 3.1 no dibujamos WE y WC
para no emborronar el dibujo.

Fig. 3.1 Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.
El negativo de la pila V
EE
repele los electrones de la zona del emisor que
cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la
base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera
de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la
UC para salir por el colector como en la Fig. 3.2.

Fig. 3.2 Barrera de potencial.
Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero
luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos
por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no
se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector
viene de ah, el colector colecta los electrones, los recoge, eso es el "Efecto
transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada,
7

esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea
muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los
recoge, y la base es un dispositivo de control.
El convenio que tenamos con el diodo era:
En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es
como un nudo.
EJEMPLO: I
E
= 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por
lo tanto: I
B
= 1mA y I
C
= 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del
electrn es negativo y si va en contra positivo (Fig. 3.3).

Fig. 3.3 Ejemplo A

En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a I
E
para que
sea positivo (Fig. 3.4).

Fig. 3.4 Convencin para las corrientes en el transistor.
Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega,
. En condiciones de DC, los niveles de I
C
e I
E
, estn relacionados de acuerdo a lo
ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, .

DC
= I
c
/ I
e
1.5
Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores
mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as:
Ic = I
e
+ I
CBO
1.6
8

Si I
E
= 0mA. I
C
ser por lo tanto igual I
CBO
. Pero I
CBO
es una magnitud muy
pequea. Por lo tanto, I
C
ser igual a I
E
.

Configuracin en emisor comn.
Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base Comn
solo analizaremos la zona activa.

Fig. 3.5 Transistor en configuracin de Emisor Comn.
Como en la Fig. 3.5 solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La
direccin de I
E
la cambiamos como en la Fig. 3.6.

Fig. 3.6 Transistor
Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la I
B
, por ser muy pequea, en comparacin
con la I
C
.


9

Configuracin en colector comn.

Fig. 3.7 Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.
En la Fig. 3.7 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un transistor
con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso ms
comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de
impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una
impedancia muy baja.
Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector
tambin conectado a tierra, fcilmente podramoscomprender que es un circuito
similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un
conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del
circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se grafican como I
E
en funcin
de V
CE
para un rango de valores de I
B
.

















10

4. ESTRUCTURA INTERNA Y PRINCIPIOS
Estructura interna de un BJT

Un BJT (Fig. 4.1), es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos
PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y Colector). En funcin de la
situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y
PNP.

La unin correspondiente a la Base-Emisor, se
polariza en directa; y la Base-Colector en inversa.
As, por la unin Base-Colector circula una
corriente inversa. En NPN, la regin de emisor
tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la
unin Base-Emisor en directa, y la Base-Colector
en inversa, los electrones libres que proceden del
emisor llegan a la base, con mucho menor
nmero de huecos, por lo que son atrados por el
colector (con alta concentracin de impurezas).


Fig. 4.1 Diagrama de un BJT.


Funcionamiento bsico BJT

En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base-Emisor; e
inversamente la unin Base-Colector. Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios
(polarizacin directa), y Vce>Vbe (unin base-colector en inversa). La corriente de
emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor polarizada en directa y
depende de Vbe al igual que en un diodo PN.








11

5. REGIONES OPERATIVAS
Definicin de las zonas de trabajo del BJT
Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo diferente tal
como se ve en la Fig 5.1. En la regin Activa - directa, el BJT se comporta como
una fuente controlada. (Amplificacin). En el modo Corte nicamente circulan las
corrientes inversas de saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto. En
Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea, y se puede
asemejar a un interruptor cerrado. Activo - Inverso, no tiene utilidad en
amplificacin.

MODO
POLARIZACION DE LA UNION
EMISOR - BASE COLECTOR BASE
Activo - Directo Directa Inversa
Corte Inversa Inversa
Saturacin Directa Directa
Activo - Inverso Inversa Directa


Fig. 5.1 Polarizacin del Transistor















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6. RESPUESTA A LA FRECUENCIA

Diagramas de Bode
Diagrama de Bode o Respuesta de Frecuencia es la variacin causada, si
alguna, en el nivel de la seal de salida cuando la frecuencia de la seal es
cambiada o la manera en el cual el artefacto responde a cambios en la frecuencia
de la seal. Las variaciones en la salida pueden ser: en la amplitud (la ganancia
del amplificador es una funcin de la frecuencia) en el ngulo de fase (cambio en
fase) de la salida relativo a la entrada
La magnitud de la respuesta de frecuencia (diagrama de Bode) de un amplificador
es representada en la Fig. 6.1 como ideal y en la Fig. 6.2 como la real que
muestra la amplitud de la salida (ganancia de voltaje) vs. Frecuencia.

Fig. 6.1 Respuesta en frecuencia ideal de un amplificador.





Fig. 6.2 Respuesta en frecuencia tpica (real) de un amplificador.
13

Midband range rango de frecuencia donde la ganancia es ms o menos
constante y la ganancia en este rango es llamada Am.
Lower cutoff frequency (fL) frecuencia baja por la cual la ganancia es igual a (
)Am 707Am 2 2 .0 .
Upper cutoff frequency (fH) frecuencia alta por la cual la ganancia ha
disminuido 0.707Am.
Bandwidth o ancho de banda (BW) diferencia entre el upper y lower cutoff
frequencies:
H L BW = f f

Half-power points son aquellos puntos donde la ganancia es 0.707Am.
Half-power frequencies son las frecuencias de corte (upper and lower) debido a
que la potencia de salida del amplificador en los puntos de corte (cutoff) es la
mitad de la potencia de salida en el midband range. ( ) ( ) at cutoff midband P =
5.0 P
Resumiendo, a la frecuencia de corte se les llama: cutoff frecuency, break
frequency, corner frequency, half-power frequency, and 3-dB frequency.

Distorsin de amplitud
Generalmente, las seales que pasan por un amplificador ac son seales
complejas que contienen diferentes componentes de frecuencia en lugar de una
sola frecuencia (pura). Por ejemplo, las seales de audio (voz y msica) son una
combinacin de seales senosoidales con diferentes frecuencias (20 Hz a 20
kHz), las seales de video tienen un rango de frecuencia de dc a 4.5 MHz. Otro
ejemplo, lo son las seales peridicas (cuadradas o triangulares) las cuales
pueden ser representadas como la suma de muchas seales senosoidales.
Para que la seal de salida sea una versin amplificada de la entrada, un
amplificador debe amplificar todo componente de frecuencia por la misma
cantidad.
Si la respuesta en frecuencia de un amplificador es tal que la ganancia de una
frecuencia es diferente que en otra frecuencia, la salida se distorsionar ya que no
14

tendr la misma forma que la seal de entrada y esto es lo que se llama distorsin
de amplitud.
Es importante, el conocer la respuesta de frecuencia de un amplificador para
determinar si la seal se distorsionar al pasar por ste. El ancho de banda (BW)
debe cubrir todo el rango de componentes de frecuencias en la seal para que la
seal de salida no se distorsione.

Decibeles
Son las unidades usadas para comparar dos niveles de potencia la ganancia de
potencia de un sistema en dB est dada por:

P1 y P2 son las potencias de entrada y salida de un sistema, respectivamente

Si P2 > P1, la pasada ecuacin ser un nmero positivo indicando que el sistema
es un amplificador
Si P2 < P1, la pasada ecuacin ser un nmero negativo indicando que el
sistema es un atenuador (reduccin de potencia)
Si las resistencias donde P1 y P2 son consumidas son iguales, entonces la
ganancia en potencia es:

)

Si queremos conocer la ganancia de voltaje donde no necesariamente las
resistencias son iguales, se determina con la siguiente frmula
( )

)
Los dB son derivados de una razn y por lo tanto representan una comparacin
de un nivel de voltaje o debe especificar el nivel de referencia)
15

Un nivel de referencia estndar usado comnmente es el nivel de potencia de 1
mW y cuando la referencia es 1 mW, la unidad en decibeles es dBm cuya frmula
es:

)
Otra referencia estndar es 1 W

(

Para convertir de dBm a dBW se le resta 30 dB a los dBm y para convertir de
dBW a dBm se le suma 30 dB a los Dbw
Cuando el voltaje de referencia es 1V, la ganancia de voltaje en decibeles es
escrita como dBV y esta dada por:

)


Grficas logartmicas
En el eje horizontal se grafica la frecuencia como se observa en la Fig. 6.3.
Dcada el rango de valores es de diez a uno (10-1) Ejemplo (1kHz a 10 kHz,
500 Hz a 5 kHz)
Cada dcada a lo largo de cada eje ocupa la misma cantidad de espacio
Octava - el rango de valores es de dos a uno (2-1) Ejemplo (5-10, 80-160)
Cada octava ocupa la misma cantidad de espacio

Fig. 6.3 Grficas de Bode: grficas de respuesta en frecuencia vs. El
logaritmo de la frecuencia
16

La frecuencia de corte es la frecuencia en la cual la ganancia en una grfica de
respuesta de frecuencia es 3 dB menos que la ganancia central o de centro
(midband gain) (el valor es 3 dB porque el voltaje de salida es

veces el
valor en la banda central (midband)

Amplificador FET Common
Existen unas capacitancias internas en los transistores que afectan la respuesta
en frecuencia a frecuencias altas. Estas capacitancias no son colocadas
intencionalmente en el transistor o en el circuito por el que lo disea pero estn
presentes. Los capacitores internos de los transistores tambin se le conocen
como capacitores parasticos. Estas capacitancias estn presentes siempre que
dos conductores estn cerca uno de los otros. Estas capacitancias tambin son
creadas en las conexiones de las terminales y en las soldaduras. Las
capacitancias internas de los transistores o de los diodos se forman en las juntas
PN ya que hay cargan positivas en un lado de la regin depleiton y en el otro.
Las capacitancias parasticas son muy pequeas (orden de pF) y por ende afectan
la respuesta de alta frecuencia. Esto se debe a que a frecuencia alta la reactancia
capacitiva es pequea, el capacitor se comportara como un corto circuito y la
seal se ira a tierra.
El modelo equivalente para un FET a frecuencia alta es:



17

El efecto de Miller
En el rea de la electrnica es comn encontrarnos una impedancia conectada
entre la entrada y la salida de un amplificador. Esta impedancia afecta en
especial la impedancia de entrada del circuito y por ende afecta la respuesta a
frecuencias altas.
La impedancia conectada entre la entrada y la salida de un amplificador se le
conoce como impedancia de retroalimentacin (feedback) ya que regresa
corriente desde la salida del amplificador a la entrada.
Teorema de Miller- se puede representar la impedancia conectada entre la entrada
a la salida cuando se conoce la ganancia del amplificador a una impedancia que
va desde entrada a tierra y otra que va desde salida a tierra.
Usando la figura 5 demuestre que:

18



19





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22




23






24














25

7. APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES
Interruptor de transistor
En la Fig. 7.1 se utiliza un transistor como interruptor para controlar los estados
de encendido y apagado de un foco situado en una extensin del colector de la
red .Cuando el interruptor est en la posicin de encendido , tenemos una
situacin de polarizacin fija en la que el voltaje de la base al emisor est a su
nivel de 0.7v y el resistor R1 controla la corriente de la base y la impedancia de
entrada del transistor. La corriente a travs del foco ser entonces beta veces la
corriente de base y el foco se encender .Sin embargo pude surgir un problema si
el foco no ha estado encendido durante un tiempo .Cuando un foco se enciende
por primera vez, su resistencia es bastante baja, aun cuando esta se incrementara
con rapidez cuando ms dure encendido el foco. Esto pude ocasionar un alto nivel
momentneo de corriente del colector, la cual, con el tiempo podra daar el foco
y el transistor .El la Fig. 7.2 por ejemplo se incluye la recta de la carga de la
misma red con la resistencia fra y caliente del foco. Obsrvese que aun cuando
el circuito de base establece la corriente de la base, la interseccin con la recta
de carga produce una corriente ms elevada para el foco frio. Cualquier cuestin
en relacin con el nivel de encendido es fcil de corregir insertando un pequeo
resistor adicional en serie con el foco como se muestra en la Fig. 7.3
precisamente para garantizar un lmite en el cambio repentino de la corriente
cuando el bulbo se encienda por primera vez.







Fig. 7.1 Uso del transistor como interruptor para controlar los estados de
encendido y apagado de un foco.


26





Fig. 7.2 Efecto de resistencia bajo un
foco en la corriente del emisor Fig. 7.3 Resistor adicional


Manejo de relevador.
Se emplea un transistor para establecer la corriente necesaria para activar el
relevador en el circuito del colector. Sin entrada en la base del transistor, tanto la
corriente de colector y la corriente de la bobina son esencialmente 0A, y el
relevador permanecer en estado inactivo, no energizado (normalmente abierto
NA). Sin embargo, cuando se aplica un pulso positivo en la base, el transistor se
encender, estableciendo suficiente corriente a travs de la bobina del electroimn
para cerrar al relevador. Pueden surgir problemas cuando la seal de la base se
desconecta para apagar el transistor y desactivar el relevador. Idealmente, la
corriente a travs de la bobina y del transistor caer rpidamente a cero, el brazo
del relevador se libera y el relevador simplemente permanecer inactivo hasta la
siguiente seal. sin embargo, sabemos por nuestros cursos bsicos de circuitos,
que la corriente a travs de la bobina no puede cambiar instantneamente, y que
de hecho, mientras ms rpido cambie, mayor ser el voltaje inducido a travs de
la bobina como lo define V
L
=L(di
L
/dt). En este caso, la corriente que cambia
rpidamente a travs de la bobina, desarrollara un voltaje a travs de la bobina
con la polaridad que se muestra y que se presentara directamente a travs de la
salida del transistor. Es probable que su magnitud exceda los niveles nominales
mximos del transistor, y el semiconductor quedara daado permanentemente. El
voltaje a travs de la bobina no permanecer en su nivel de conmutacin ms alto
sino que oscilara como se muestra, hasta que su nivel caiga a cero a medida que
el sistema se asiente.
Esta accin destructiva puede anularse al colocar un diodo a travs de la bobina.
Durante el estado de encendido del transistor, el diodo se encuentra en
polarizacin inversa, permaneciendo como un circuito abierto sin afectar. Sin
embargo, cuando el transistor se apaga tal como en la Fig. 7.4, el voltaje a travs
27

de la bobina se invertir y polarizara de forma directa al diodo, encendindolo. La
corriente a travs del inductor establecida durante el estado de encendido del
transistor podr continuar fluyendo a travs del diodo, eliminado el cambio severo
en el nivel de corriente.


Fig. 7.4 Cuando el transistor se apaga.

Sistema de alarma con FCC.
En la Fig. 7.5 se presenta un sistema de alarma con una fuente de corriente
constante del tiempo que se acaba de revisar, Dado que

= (100)(1k) =100k
es mucho mayor que R
1
, podemos usar el enfoque aproximado y encontrar el
voltaje V
R
, como se sigue:

()


y luego el voltaje a travs de

y finalmente la corriente del emisor y del colector:
I
E

= 4.08 mA 4 mA = I
C
28


Figura 7.5 Sistema de alarma con una fuente de corriente constante y un op-
amp como comparador.
Puesto que la corriente del colector es la corriente a travs del circuito, la corriente
de 4mA permanecer prcticamente constante ante ligeras variaciones en la carga
de la red. Observe que la corriente pasa por una serie de elementos sensores y
finalmente por un op-amp diseado para comparar el nivel de 4mA con un nivel de
referencia de 2mA.
Compuertas lgicas.
El amplificador operacional, op-amp, LM2900 es uno de los cuatro que se
encuentra en el encapsulado de circuito integrado de doble lnea que aparece en
la Fig. 7.6. Las terminales 2, 3, 4, 7 y 14 se utilizaron en el diseo de la Fig. 7.6.
Solamente por motivos de inters, observe en la Fig. 7.7 el nmero de elementos
requeridos para establecer las caractersticas terminales buscadas del op-amp.
Los 2 mA en la terminal 3 del op-amp es una corriente de referencia que establece
la fuente de 16 V y R
ref
en la parte inversora de la entrada del op-amp. El nivel
de corriente de 2 mA se requiere como un nivel con el cual se compara la corriente
de 4 mA de la red. En tanto la corriente de 4 mA en la entrada no inversora del op-
amp permanezca constante, el op-amp proporciona un voltaje de salida alto que
exceder a 13.5V, con un nivel tpico de 14.2 V (de acuerdo con las hojas de
especificaciones del op-amp). Sin embargo, si la corriente del sensor cae de un
nivel de 4 mA a un nivel inferior a 2 mA, el op-amp responder con un voltaje de
salida de voltaje de salida bajo que tpicamente es cercano a 0.1 V.
La salida del op-amp entonces avisara al circuito de alarma sobre esta alteracin.
Observe de lo anterior que no es necesario que la corriente del sensor caiga
completamente hasta 0 mA para avisar al circuito de alarma: slo se requiere una
variacin con respecto al nivel de referencia que aparezca inusual, lo cual es una
buena caracterstica de la alarma.
29


Fig. 7.6 Encapsulado de doble lnea (DIP, del ingls Dual-in-Line Package).

Figura 7.7 Componentes



30


Espejo de corriente
El espejo de corriente es una red de dc en la cual la corriente a travs de la carga
es la imagen en espejo de otra corriente de la misma red. Si la corriente de control
en la red se modifica, la corriente a travs de la carga tambin lo har.

Fig. 7.8 Espejo de corriente.
En la Fig. 7.8 se presenta un espejo de corriente comn construido por dos
transistores npn. La corriente de carga es la corriente del colector Q
2
y la corriente
de control es la corriente del colector Q
1
. Observe que en particular, la corriente
del colector Q
1
se encuentra conectada directamente con la base del mismo
transistor, estableciendo el mismo potencial para cada punto. El resultado es que
V
C1
=V
B1
=V
B2
=0.7V para el transistor encendido el elemento que controla es el
resistor R. si se modifica este valor, se modifica la corriente de control como lo
determina I
R
=I
C1
= (10V-0.7V)/R (ignorando la cada de I
C1
debida a I
B
como lo
muestra la figura).
Una vez que la resistencia se varia, la corriente del colector Q
2
cambiara
inmediatamente al nuevo nivel. La operacin de la red de espejo es
completamente dependiente del hecho de tanto Q
1
como Q
2
son transistores
equivalentes, esto es, transistores con caractersticas muy similares (idealmente
las mismas). En otras palabras, una corriente de base de 10A en cualquiera de
ellos provocara la misma corriente de colector para cada uno; el voltaje base-
emisor de cada uno en el estado ser el mismo, etc.
31

La operacin de la configuracin se define mejor si primero se establece la
corriente de control a nivel deseado, digamos I
R1
. Esto definir el nivel de I
C1
y de
I
B2
a partir de I
C1
/
1
= I
R1
/
1
y establecer el nivel de B
VE
como lo muestra la figura
2. Dado que se trata de transistores pareados, idnticos, V
BE1
=V
BE2
, y el nivel
resultante de I
B2
ser el mismo que el de I
B1
. El resultado es la misma corriente de
colector (corriente de carga) definida por I
L
=I
C1
=
2
I
B2
dado que ambas betas son
iguales. En general, por lo tanto, I
L
=I
C2
=I
C1
=I
R
para transistores equivalentes.
La red contiene una medida de control integrada que intentara asegurar que
cualquier variacin de la corriente de carga ser corregida por la misma
configuracin.

Fig. 7.9 Incremento de intensidad y voltaje.
En la Fig. 7.9 encontramos que un incremento en I
B2
ocasionara que tambin se
incrementara el voltaje V
BE2
. Dado que la base de Q
2
se encuentra conectada
directamente con el colector Q
1
, el voltaje V
CE1
tambin se incrementara. Esta
accin ocasiona que el voltaje a travs del resistor de control R disminuya,
provocando que I
R
caiga. Pero si I
R
cae, la corriente de base caer, ocasionando
que tanto I
B1
como I
B2
caigan tambin. El resultado por tanto, es una sensibilidad
ante cambios no deseados que la red intentara corregir.
La secuencia completa de eventos recin descrita puede presentarse en una sola
lnea. En un extremo la corriente de carga se trata de incrementar, y en el otro
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extremo, al final de la secuencia, la corriente de carga se ve obligada a regresar a
su nivel original.


Indicador de voltaje
Incorpora tres elementos: el transistor, el diodo Zener y el LED. El indicador de
nivel de voltaje es una red relativamente simple que emplea un LED verde para
indicar el voltaje de la fuente se encuentra cercano a su nivel de monitoreo de 9V.
En la Fig. 7.10 el potencimetro se regula para establecer 5.4V en el punto
indicado. El resultado es un voltaje suficiente para encender tanto al Zener de
4.7V como al transistor y para establecer una corriente en el colector a travs del
LED de magnitud suficiente como para encender al LED verde.

Fig. 7.10 Indicador de voltaje.
Una vez que se mantiene fijo el potencimetro, el LED emitir su luz verde
mientras el voltaje de la fuente se encuentra cercano a 9V. Sin embargo, si el
voltaje en las terminales de la batera de 9V disminuye, el voltaje que estableci la
red del divisor de voltaje podra caer a 5V
De 5.4V. En el nivel de 5V, el voltaje es insuficiente para encender tanto al Zener
como al transistor, y el transistor se encontrara en el estado de apagado. El LED
33

inmediatamente se apagara, mostrando que el voltaje de la fuente ha cado por
debajo de los 9V o que la fuente de alimentacin se ha desconectado.























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CONCLUSIONES
Una vez conociendo las caractersticas tericas al trabajar con transistores
podremos entrar de lleno a prcticas, he ah la importancia de esta
investigacin al poder comprobar los conceptos, formulas y caractersticas
de los transistores como el BJT de una manera prctica. Alan Tomas
Madrid Corrales.

A travs de esta investigacin aprend los diferentes tipos de transistores al
igual que su configuracin y su comportamiento dependiendo la frecuencia
a la que estn sometidos. Sin embargo an falta aprender ms acerca de
su funcionamiento para poder llevarlos a la prctica. Omar Elaid Gonzlez
Grave.


Por medio de esta investigacin hemos observado como los transistores
son muy importantes en la utilizacin de varios circuitos, al igual que
aprendimos su funcionamiento, sus principales caractersticas y como se
desenvuelven en sus principales aplicaciones. Enrique Alexandro
Hermosillo Vzquez.

De esta investigacin aprendimos el que es un transistor, como funciona,
como calcular sus funciones y sus aplicaciones en una amplia gama de
circuitos, por lo que ya podemos empezar a trabajar con ellos durante la
realizacin de una prctica. Kevin de Jess Delgado Hernndez.








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BIBLIOGRAFIA
Electrnica: Teora de Circuitos
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky
Sexta Edicin
Pearson Educacin
1997
629 pgs.
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.slideshare.net/eloriginal/aplicaciones-del-bjt-investigacion