TRANSISTORES

Transistores de juntura bipolar (BJT)

Transistores de Efecto de Campo (FET)
Transistores Bipolares
de Unin(BJT)
Transistores y Juntura Bipolar
1947 Laboratorios Bell AT&T Primer transistor

1949 W. Shockley Teoria William Shockley ;
John Barden, Walter Brattain.

1951 Fabricacin en serie.


Transistores Bipolares de
Unin
El transistor es un
dispositivo
semiconductor de tres
capas que consiste de
dos capas materiales
tipo n y una tipo p
o bien de dos capas
materiales tipo p y
una tipo n
p n p
E
C
B
Vee Vcc
n p n
E
C
B
Vee Vcc
BJT
Se refiere al hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de
inyeccin hacia el material polarizado de
forma opuesta
Construccin Bsica del BJT
El emisor tiene gran cantidad de impurezas. Su funcin es emitir o suministrar
los portadores de carga.
La base tiene muy pocas impurezas y es muy delgada.
La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el emisor, pero
mayor que en la base. El rea del colector es la mayor de las 3, porque es el
colector el que disipa mayor cantidad de calor en el emisor o la base.
E : Emisor
C : Colector
B : Base
Operacin del Transistor
1.- Polarizacin Directa-Inversa
Para que el transistor funcione se debe
tener una unin pn polarizada
inversamente y la otra polarizada
directamente.
IE = Ic + IB
Ic = Ic mayoritarios + Ico Minoritaria

Al componente de corriente minoritaria se
le denomina corriente de fuga y es Ico
(Corriente Ic con la terminal del Emisor
Abierta)
Polarizacin en DC de BJTs
El nivel DC de un transistor en operacin es
controlado por diversos factores incluyendo el
rango de pts de operacin posibles.
Las siguientes relaciones son importantes para
un transistor:
Vbe= 0,7V
Ie= (B+1)Ib
Ic= BIb.
Para los amplificadores o transistores, el voltaje y
la corriente DC resultantes establecen un pto de
operacin sobre las caractersticas que definen una
regin que se utilizara para la amplificacin de la
seal aplicada, este pto de operacin es pto fijo
(PUNTO Q)
Ptos de operacin

La operacin en las regiones de
corte, saturacin y lineal de las
caractersticas del BJT se ofrecen
de la siguiente manera:


OPERACION EN LAS REGIONES
1.OPERACIN EN LA REGION LINEAL
1. Unin base-emisor con polarizacion
directa.
2. Unin base-colector con polarizacion
indirecta.
2. OPERACIN EN LA REGION CORTE
1. Unin base-emisor con polarizacion
inversa
3. OPERACIN EN LA REGION
SATURACION.
1. Unin base emisor con polarizacion
directa
2. Unin base colector con polarizacion
directa.
Configuracin Base Comn
Se llama as porque el terminal de la Base es
comn tanto para el circuito de entrada como
para el de salida.

Regin Activa Juntura BE directamente
BC inversamente
Regin de Corte Juntura BE Inversamente
BC inversamente
Regin de Saturacin Juntura BE directamente
BC directamente
En base comn, entrada emisor
salida colector
Curva Caracterstica de Entrada para BC en un npn

El transistor PNP es el complemento del NPN, esto significa que todas las
corrientes circulan en sentido contrario y los voltajes son inversos.
NPN not pointing in
PNP pointing in
En base comn, entrada emisor, salida colector
En emisor comn, entrada base, salida colector
En colector comn, entrada base, salida emisor
Regin Activa Juntura BE directamente
BC inversamente
Regin de Corte Juntura BE Inversamente
BC inversamente
Regin de Saturacin Juntura BE directamente
BC directamente

OJO
En el modo DC los niveles de Ic e Ie se
encuentran relacionados, para niveles
prcticos (dispositivos) podran sugerir que:

=Ic/Ie
Alfa ()

En DC Ic e IE se relacionan con .

Polarizacin DC para BC
La red de polarizacin DC incluye
las fuentes de poder y las
resistencias. El propsito de las
resistencias es hacer que el resistor
opere en la regin determinada de
inters, pero adems son parte del
circuito total del amplificador.
Con los grficos de la curva de Salida y Entrada

IE=1,4 mA
IE=1,8 mA
IE=1,2 mA
IE=1,6vmA
6
b) Supongamos que Re=0.1K
VBE
Supongamos que estamos en el comienzo y
cambiamos Rc=10K
Si suponemos que Rc es un
potencimetro y Rc baja
Vcb sube y Q sube
K
mA
Especificaciones Mx. Del Transistor
En los manuales de datos
publicados por los fabricantes
siempre estn especificados
los valores mximos y mnimos
permitidos de voltajes y
corrientes.

Ic mx. = 1 A.
Vcb mx. = 75 V
Pc mx = 7.5 W
Para una configuracin BC
Para una configuracin BC
Ic mx. Se quema
Vcb mx cae en la ruptura
Pmx. Se quema (por la
Temp., calentamiento a
largo plazo, daa al transistor
porque durar menos de lo que
deber).

Otros parmetros:
Ic rango
Vce rango
Configuracin Emisor Comn (EC)
n
p
n
+ VBB -
E IE
out
+
Vcc
-
C
IC
B
IB
CBO
I I I
I I I
I I I
I I I I
I I I
I I I
C B
CBO B C
CBO B C
CBO C B C
C B E
CBO E C

1
1
0
1
1
1
) 1 (
Iceo= Corriente de colector con emisor abierto
Entrada por la base
Salida por el colector
Configuracin de Emisor Comn
E
C
B
Ic
Ie
Ib
Se denomina debido a
que el emisor es comn
o hace referencia a los
terminales tanto de
entrada como de salida.
Transistor NPN
E
C
B
Ic
Ie
Ib


Transistor PNP
Ambos tipos obedecen a
la siguiente ecuacin:
Ie= Ic + Ib
Ecuacion que relaciona
Ic e Ib (beta):
B=Ic/Ib.
Configuracin de Emisor Comn
Conjunto de caractersticas de salida para
EC
Regin Activa
IB=30 uA
IB = 20 uA
IB = 15 uA
IB = 10 uA
IB = 7 uA
Regin de corte
ICEO IB = 0
R
e
g
i
o
n
d
e
S
a
t
u
r
a
c
i
o
n
VCEsat
Para pnp cambian
los signos de VCE
Vce (v)
Ic (mA)
Conjunto Caracterstica de entrada para
EC (npn)
VCE = 1 V
VCE = 10 V
VCE = 20 V
VBE (V)
IB(uA)

Factor de compensacin para configuracin EC ()

) 1 (
1

C
E
C
E
C
E
E
C
C
B
B
C
B
C
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I

1
1 1
1
1
1
C
C
C
C
C
C
B C E
I
I
I
I
I
I
I I I
Configuracin de Colector Comn
En colector comn, entrada
base, salida emisor.

Esta configuracin se la usa
sobre todo en propsitos de
acoplamiento de
impedancia, debido a que
tiene una alta impedancia
de entrada y una baja
impedancia de salida,
contrariamente a las
configuraciones anteriores.
Transistor PNP
Se utiliza para propsitos de
acoplamiento de impedancia
aunque el transistor esta
conectado de manera
similar a la configuracin
emisor comn.
Ie vs. Vec (PNP)curva salida
Ie vs. Vce (NPN)curva salida

Transistor NPN