PRINCIPIOS DE LAS MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en

grandes cantidades. Las memorias semiconductoras estn formadas por matrices
de elementos de almacenamiento que pueden ser latches o condensadores.

UNIDADES DE DATOS BINARIOS: BITS, BYTES, NIBBLES Y PALABRAS.
Como regla general, las memorias almacenan datos en unidades que tienen
de uno a ocho bits. La unidad menor de datos binarios es, como ya lo sabemos el
bit. En muchas aplicaciones, se tratan los datos en unidades de 8 bits,
denominadas bytes o en mltiplos de unidades de 8 bits. El byte se puede dividir
en dos unidades de 4 bits, que reciben el nombre de nibbles. Una unidad completa
de informacin se denomina palabra y est formada, generalmente por uno o ms
bytes. Algunas memorias almacenan datos en grupos de 9 bits; un grupo de 9 bits
consta de un byte ms un bit de paridad.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA.
Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar un 1
o un 0 y se denomina celda. Las memorias estn formadas por matrices de
celdas, como se ilustra en la siguiente imagen, en la que se utilizan 64 celdas a
modo de ejemplo. Cada bloque de la matriz de memoria representa una celda de
almacenamiento y su situacin se puede especificar mediante una fila y una
columna:

La matriz de 64 celdas se puede organizar de muchas maneras en funcin de las
unidades de datos, en la figura anterior (a) se muestra una matriz de 8x8, que se
puede entender como una memoria de 64 bits o como una memoria de 8 bytes. La
parte (b) de la figura nos muestra una matriz de 16x4, que es una memoria de 16
nibbles y la parte (c) presenta una matriz de 64x1 que es una memoria de 64 bits.
Una memoria se identifica mediante el nmero de palabras que puede almacenar,
multiplicado por el tamao por el tamao de palabra. Por ejemplo, una memoria de
16k x 8, puede almacenar 16,384 palbras de ocho bits

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS MEMORIAS.
La posicin de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina
direccin. Por ejemplo, en la figura siguiente (a), la direccin de un bit en la matriz
se especifica mediante la fila y la columna en que est, tal como se muestra. En la
figura (b), la direccin de un byte se especifica nicamente mediante la fila. Como
puede verse; la direccin depende de cmo se organice la memoria en unidades
de datos. Las computadoras personales disponen de memorias organizadas en
bytes. Esto significa que el grupo ms pequeo de bits que se puede direccionar
es ocho.


La capacidad de una memoria es el nmero total de unidades de datos que puede
almacenar. Por ejemplo, en la matriz de memoria organizada en bits de la figura
(a), la capacidad total es de 64 bits. En la matriz de memoria organizada en bytes
de la figura (b), la capacidad es de 8 bytes, que es lo mismo que 64 bits.
Tpicamente, las memorias de computadora disponen de 32Mbytes, o ms, de
memoria interna.

OPERACIONES BSICAS DE LAS MEMORIAS.
Puesto que una memoria almacena datos binarios, los datos deben
introducirse en la memoria y deben poder recuperarse cuando se necesiten. La
operacin de escritura coloca los datos en una posicin especfica de la memoria y
la operacin de lectura extrae los datos de una direccin especfica de memoria.
La operacin de direccionamiento, que forma parte tanto de la operacin de
lectura como de la de escritura, selecciona la direccin de memoria especifica.
Las unidades de datos se introducen en la memoria durante la operacin de
escritura y se extraen de la memoria durante la operacin de lectura a travs de
un conjunto de lneas que se denominan bus de datos.

La operacin de escritura. En la siguiente figura se muestra la operacin
de escritura simplificada. Para almacenar un byte de datos en la memoria, se
introduce en el bus de direcciones un cdigo que se encuentra almacenado en el
registro de direcciones.
Una vez que el cdigo de direccin est ya en el bus, el decodificador de
direcciones decodifica la direccin y selecciona la posicin de memoria
especificada. La memoria recibe entonces una orden de escritura y los datos
almacenados en el registro de datos se introducen en el bus de datos, y se
almacenan en la direccin de memoria especificada, completndose as la
operacin de escritura. Cuando se escribe un nuevo byte de datos en una
direccin de memoria, se sobrescribe y destruye el byte de datos actualmente
almacenado en esa direccin.




La operacin de lectura. En la siguiente figura se muestra la operacin de
lectura simplificada. De nuevo, se introduce en el bus de direcciones un cdigo
almacenado en el registro de direcciones. Una vez que el cdigo de direccin se
encuentra en el bus, el decodificador de direcciones decodifica la direccin y
selecciona la posicin especificada de la memoria. La memoria recibe entonces
una orden de lectura y una copia del byte de datos almacenado en la direccin
de memoria seleccionada se introduce en el bus de datos y se carga en el registro
de datos, finalizando as la operacin de lectura. Cuando se lee un byte de datos
de una direccin de memoria, ste sigue almacenado en dicha direccin y no se
destruye. Esto se denomina lectura no destructiva.





LAS MEMORIA RAM Y ROM.
Las dos principales categoras de memorias semiconductoras son las
memorias RAM y ROM. La memoria RAM (random-access memory, memoria de
acceso aleatorio) es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a
cualquier direccin de memoria y stas se pueden seleccionar en cualquier orden,
tanto en la operacin de lectura como de escritura. Todas las RAM poseen la
capacidad de lectura y escritura. Debido a que las memorias RAM pierden los
datos almacenados cuando se desconecta la alimentacin, reciben el nombre de
memorias voltiles.

La memoria ROM (read-only memory, memoria de slo lectura) es un tipo
de memoria en la que los datos se almacenan de forma permanente o
semipermanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no existe la
operacin de escritura como en las RAM. La ROM, al igual que la RAM, es una
memoria de acceso aleatorio pero, tradicionalmente, el trmino RAM se reserva
para las memorias de acceso aleatorio de lectura/escritura.
Debido a que las ROM mantienen los datos almacenados incluso si se desconecta
la alimentacin, reciben el nombre de memorias no voltiles.

MEMORIAS DE ACCESOALEATORIO (RAM).
Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden
escribir o leer en cualquier direccin seleccionada en cualquier orden. Cuando se
escriben los datos en una determinada direccin de la RAM, los datos
almacenados previamente son reemplazados por la nueva unidad de datos.
Cuando una unidad de datos se lee de una determinada direccin RAM, los datos
de esa direccin permanecen almacenados y no son destruidos por la operacin
de lectura. Esta operacin no destructiva de lectura se puede entender como una
copia del contenido de una direccin, dejando dicho contenido intacto. La RAM se
utilizaba habitualmente para almacenamiento de datos a corto plazo, ya que no
pueden conservar los datos almacenados cuando se desconecta la alimentacin.

LA FAMILIA DE MEMORIAS RAM.
Las dos categoras de memorias RAM son la RAM esttica (SRAM) y la
RAM dinmica (DRAM). Las RAM estticas utilizan flip-flops como elementos de
almacenamiento y, por tanto, pueden almacenar datos de forma indefinida siempre
que se aplique una alimentacin continua. Las RAM dinmicas utilizan
condensadores como elemento de almacenamiento y no pueden mantener los
datos mucho tiempo sin recargar los condensadores mediante el proceso de
refresco. Tanto las SRAM como las DRAM perdern los datos cuando se elimine
la alimentacin continua, por lo que se clasifican como memorias voltiles.
Los datos pueden leerse mucho ms rpido en una SRAM que en una
DRAM. Sin embargo, las DRAM pueden almacenar muchos ms datos que las
SRAM.



MEMORIAS DE SOL LECTURA (ROM)
Una ROM mantiene de forma permanente o semipermanente los datos
almacenados, que pueden ser ledos, pero, o no se pueden cambiar en absoluto, o
se requiere un equipo especial para ello. Una ROM almacena datos que se utilizan
repetidamente en las aplicaciones, tales como tablas, conversiones o
instrucciones programadas para la inicializacin y el funcionamiento de un
sistema. Las ROM mantienen los datos almacenados cuando se desconecta la
alimentacin.

LA FAMILIA DE LAS MOMORIAS ROM
La siguiente figura nos muestra cmo se clasifican las memorias ROM
semiconductoras. La ROM de mscara es un tipo de memoria en la que los datos
se almacenan permanentemente en la memoria durante el proceso de fabricacin.
La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que el usuario, con
ayuda de equipos especializados, almacena elctricamente lo datos. Tanto la
ROM de mscara como la PROM pueden ser de cualquier tecnologa MOS o
Bipolar. La EPROM, o memoria PROM borrable (erasable PROM) es
exclusivamente un dispositivo MOS. La UV EPROM puede ser programada
elctricamente por el usuario, pero los datos almacenados deben borrarse
mediante la exposicin a la luz ultravioleta durante un periodo de varios minutos.
La PROM borrable elctricamente (EEPROM o

PROM, Electrically Erasable

PROM) se puede borrar en unos pocos milisegundos.



Las memorias PROM son bsicamente iguales que las ROM de mscara, una vez
que han sido programadas. La diferencia consiste en que las PROM salen de
fbrica sin estar programadas y se programan a medida para satisfacer las
necesidades del usuario.

MEMORIAS EPROM (EEPROM Y UV EPROM)
Una EPROM es una PROM borrable. A diferencia de una PROM ordinaria,
una EPROM puede ser reprogramada si antes se borra el programa existente en
la matriz de memoria.
Una EPROM utiliza una matriz NMOSFET con una estructura de puerta aislada.
Los bits de datos en este tipo de matriz se representan mediante la presencia o
ausencia de una carga almacenada en la puerta. El borrado de un bit de datos es
un proceso que elimina la carga de la puerta.
Los dos tipos fundamentales de memorias PROM borrables con las PROM
borrables por rayos ultravioleta (UV PROM) y las PROM borrables elctricamente
(EEPROM).

MEMORIAS EEPROM
Las PROM borrables elctricamente se pueden borrar y programar
mediante impulsos elctricos. Ya que se pueden grabar y borrar elctricamente,
las EEPROM se pueden reprogramar dentro del propio circuito final, lo que
permite reconfigurar cualquier sistema.
Los dos tipos de EEPROM son la MOS de puerta flotante y la de silicio xico
nitroso metal (MNOS, metal nitride-oxide silicon). La aplicacin de una tensin en
la puerta de control de la estructura de puerta flotante permite la eliminacin y el
almacenamiento de la carga en la puerta flotante.