Indice

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INTRODUCCIN.2
TIPOS DE DIODOS.5
Diodos de Uso Comn....5
Diodo Zener.10
Diodo Emisor de Luz (LED).12
Fotodiodos...15
Diodos de Efecto Tunel16
Diodo Varactor17
Diodo Varistor.18
Diodo Scott!" (Diodo de #arrera)...20
Diodo L$ser..22
SIMBOLOGA24
BIBLIOGRAFA.25
Introduccin
Introduccin
Diodo, componente electrnico que permite el paso de la corriente en un
solo sentido. Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son
los diodos fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con
punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los
diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de
cristal an montados dentro de un peque!o tubo de idrio y conectados a dos
cables que se sueldan a los e"tremos del tubo.
Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de
material semiconductor. El diodo #ener es un modelo especial de diodo de unin,
que utili$a silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la
corriente que la atraiesa. Debido a esta caracterstica, los diodos #ener se
utili$an como reguladores de tensin. %or otra parte, en los diodos emisores de lu$
(LED, acrnimo ingl&s de Li!"#E$i""i% Di&'(), una tensin aplicada a la unin
del semiconductor da como resultado la emisin de energa luminosa. Los LED se
utili$an en paneles num&ricos como los de los relo'es digitales electrnicos y
calculadoras de bolsillo.
%ara resoler problemas referentes a los diodos se utili$an en la actualidad
tres apro"imaciones(
La primera apro"imacin es la del diodo ideal, en la que se considera que el
diodo no tiene cada de tensin cuando conduce en sentido positio, por lo que
esta primera apro"imacin considerara que el diodo es un cortocircuito en
sentido positio. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto
cuando su polari$acin es inersa.
En la segunda apro"imacin, consideramos que el diodo tiene una cada de
tensin cuando conduce en polari$acin directa. Esta cada de tensin se )a
fi'ado en *.+ , para el diodo de silicio, lo que )ace que la segunda
apro"imacin pueda representarse como un interruptor en serie con una fuente
de *.+ ,.
La tercera apro"imacin apro"ima ms la cura del diodo a la real, que es una
cura, no una recta, y en ella colocaramos una resistencia en serie con la
fuente de *.+ ,.
b d d
R I V + = 7 . 0
-iendo, en la ecuacin anterior, R
)
la resistencia de la tercera apro"imacin
(generalmente muy peque!a), y I
'
la corriente de polari$acin del diodo. La ms
utili$ada es la segunda apro"imacin.
Los diodos de unin p.n y los $ener tienen caractersticas constructias que
los diferencian de otros. -u tama!o, en muc)os casos, no supera el de una
resistencia de capa o de pelcula de /012 y aunque su cuerpo es cilndrico, es de
menor longitud y dimetro que las resistencias. 3unque e"iste gran ariedad de
tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. 4o ocurre lo mismo con el
tama!o, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico
encontrarse un aillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. %ara aquellos cuyo tipo
concreto iene se!alado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado
mediante un anillo en el cuerpo, pr"imo a este terminal. 5tros usan cdigos de
colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms pr"imo a la anda
de color ms gruesa. E"isten fabricantes que marcan el ctodo con la letra 676 o el
nodo con la 6a6. Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en idrio.
En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos
colores, segun sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos
es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento pr"ima al
ctodo es plana.
8na forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro
en modo )metro entre sus terminales. -i el terminal de prueba se aplica de
nodo a ctodo, aparecen lecturas del orden de 9*.:*;5mega<. -i se inierten los
terminales, estas lecturas son del orden de 9**.:** 7;5mega< para el =e, y de
arios >;5mega< para el -i. -i con el multitester utili$amos el modo de prueba de
diodos, obtenemos el alor de la tensin de codo del dispositio. ?on ello
conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que
esta )ec)o (*.@.*.+ , para el el -i, *.9.*.1 para el germanio y /.9./.@ para la
mayora de los LED.
Tipos de Diodos
Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo 4 y tipo %, los
cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser
=e o -i. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo 4 y el otro tipo
%), los electrones y los )uecos que estn en, o cerca de, la regin de 6unin6, se
combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de
iones negatios y positios descubiertos recibe el nombre de Aegin de
3gotamiento por la ausencia de portadores.
E"isten tres posibilidades al aplicar un olta'e a tra&s de las terminales del diodo(
- 4o )ay polari$acin (,
d
B * ,).
- %olari$acin directa (,
d
C * ,).
- %olari$acin inersa (,
d
D * ,).
,
d
B * ,. En condiciones sin polari$acin, los portadores minoritarios
()uecos) en el material tipo 4 que se encuentran dentro de la regin de
agotamiento pasarn directamente al material tipo % y iceersa. En ausencia de
un olta'e de polari$acin aplicado, el flu'o neto de carga (corriente) en cualquier
direccin es cero para un diodo semiconductor.
La aplicacin de un olta'e positio 6presionar6 a los electrones en el
material tipo 4 y a los )uecos en el material tipo % para recombinar con los iones
de la frontera y reducir la anc)ura de la regin de agotamiento )asta
desaparecerla cuando ,D E *.+ , para diodos de -ilicio.
I
d
= I mayoritarios - I
s
?ondicin de %olari$acin Fnersa (,
d
D * ,). Ga'o esta condicin el nmero
de iones positios descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo 4
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados )acia el
potencial positio del olta'e aplicado. El nmero de iones negatios descubiertos
en el material tipo % tambi&n aumentar debido a los electrones inyectados por la
terminal negatia, las cuales ocuparn los )uecos.
El fenmeno e"plicado anteriormente, en ambos tipos de material 4 y %,
proocar que la regin de agotamiento se ensanc)e o cre$ca )asta establecer
una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto
significa que la corriente I
d
del diodo ser cero. -in embargo, el nmero de
portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no
cambiar, creando por lo tanto la corriente I
s
. La corriente que e"iste ba'o
condiciones de polari$acin inersa se denomina corriente de saturacin inersa,
I
s
.
El t&rmino 6saturacin6 proiene del )ec)o que alcan$a su m"imo niel (se
satura) en forma rpida y no cambia significatiamente con el incremento en el
potencial de polari$acin inersa, )asta que al alor ,
$
o ,%F, olta'e pico inerso.
El m"imo potencial de polari$acin inersa que puede aplicarse antes de
entrar en la regin #ener se denomina ,olta'e %ico Fnerso o ,%F nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente alores nominales de ,%F y de
corriente ms altos e interalos de temperatura ms amplios que los diodos de
germanio.
El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la
siguiente( En la $ona directa se puede considerar como un generador de tensin
continua, tensin de codo (*.@.*.+ , para el silicio y *.9.*.1 , para el germanio).
?uando se polari$a en inersa se puede considerar como un circuito abierto.
?uando se alcan$a la tensin inersa de disyuncin ($ona Fnersa) se produce un
aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositio. Este
diodo tiene un amplio margen de aplicaciones( circuitos rectificadores, limitadores,
fi'adores de niel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, me$cladores,
osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotoolcaicas, etc.
?uando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las )o'as de caractersticas suministradas
por el fabricante)(
/. La tensin inersa m"ima aplicable al componente, repetitia o no
(,AAA m" o ,A m", respectiamente) )a de ser mayor (del orden de
tres eces) que la m"ima que este a a soportar.
9. La corriente m"ima en sentido directo que puede atraesar al
componente, repetitia o no (FHA> m" e FH m" respectiamente), )e
de ser mayor (del orden del doble) que la m"ima que este a a
soportar.
:. La potencia m"ima que puede soportar el diodo (potencia nominal) )a
de ser mayor (del orden del doble) que la m"ima que este a a
soportar.
En la figura 4I*/, podemos obserar la representacin grfica o smbolo
para este tipo de diodo.
Higura 4I*/
Cur%a Diodo &eal
8no de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el
punto o regin de operacin. -i consideramos la regin definida por la direccin de
F
d
y la polaridad de ,
d
, encontraremos que el alor de la resistencia directa AH, de
acuerdo a como se define con la ley de 5)m es(
Donde ,H es el olta'e de polari$acin directo a tra&s del diodo e F
H
es la
corriente en sentido directo a tra&s del diodo. El diodo, por consiguiente, es un
corto circuito para la regin de conduccin.
-i consideramos la regin del potencial aplicado negatiamente,
Donde ,A es el olta'e de polari$acin inerso a tra&s del diodo e FA es la
corriente inersa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en
la regin en la que no )ay conduccin.
DIODO *ENER
La corriente en la regin #ener tiene una direccin opuesta a la de un diodo
polari$ado directamente. El diodo #ener es un diodo que )a sido dise!ado para
traba'ar en la regin #ener.
Higura 4I*9
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo #ener )a sido
dise!ado para traba'ar con olta'es negatios (con respecto a &l mismo). Es
importante mencionar que la regin #ener (en un diodo #ener) se controla o se
manipula ariando los nieles de dopado. 8n incremento en el nmero de
impure$as agregadas, disminuye el potencial o el olta'e de #ener ,#.
3s, se obtienen diodos #ener con potenciales o olta'es de #ener desde
./.J , a .9** , y potencias de /01 a @* 2. El diodo #ener se puede er como un
dispositio el cual cuando )a alcan$ado su potencial ,# se comporta como un
corto. Es un 6sKitc)6 o interruptor que se actia con ,# olts. -e aplica en
reguladores de olta'e o en fuentes.
Higura 4I*:
En el circuito que se muestra en la figura 4I*:, se desea proteger la carga
contra sobre olta'es, el m"imo olta'e que la carga puede soportar es 1.J olts.
-i se elige un diodo #ener cuyo ,# sea 1.J olts, entonces este se actiar
cuando el olta'e en la carga sea 1.J olts, protegi&ndola de esta manera.
De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a
grandes rasgos es la siguiente(
En la $ona directa lo podemos considerar como un generador de tensin
continua (tensin de codo). En la $ona de disrupcin, entre la tensin de codo y la
tensin $ener (,$ nom) lo podemos considerar un circuito abierto. ?uando traba'a
en la $ona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de
alor ,fB .,$.
El $ener se usa principalmente en la estabilidad de tensin traba'ando en la
$ona de disrupcin.
%odemos distinguir(
/. ,$ nom,,$( Lensin nominal del $ener (tensin en cuyo entorno traba'a
adecuadamente el $ener).
9. F$ min( >nima corriente inersa que tiene que atraesar al diodo a partir
de la cual se garanti$a el adecuado funcionamiento en la $ona de
disrupcin (,$ min).
:. F$ ma"( >"ima corriente inersa que puede atraesar el diodo a partir
de la cual el dispositio se destruye (,$ ma").
1. %$( %otencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
3pro"imadamente se corresponde con el producto de ,$ nom y F$ ma".
En la grfica 4I*/, se puede obserar la cura caracterstica de este tipo de
diodo.
=rfica 4I*/
?uando usamos un diodo $ener en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las )o'as de caractersticas suministradas
por el fabricante)(
/. %ara un correcto funcionamiento, por el $ener debe circular una corriente
inersa mayor o igual a F$ min.
9. La corriente m"ima en sentido inerso )a de ser siempre menor que F$
ma".
:. La potencia nominal %$ que puede disipar el $ener )a de ser mayor (del
orden del doble) que la m"ima que este a a soportar en el circuito.
EL DIODO EMISOR DE LU* +LED,
El LED es un diodo que produce lu$ isible (o inisible, infrarro'a) cuando se
encuentra polari$ado. El olta'e de polari$acin de un LED ara desde /.J , )asta
9.@ ,, y la corriente necesaria para que emita la lu$ a desde J m3 )asta los 9*
m3.
%rincipio de Huncionamiento(
En cualquier unin %.4 polari$ada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de )uecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa
que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las
uniones %.4 una parte de esta energa se conierte en calor y otro tanto en
fotones. En el -i y el =e el mayor porcenta'e se transforma en calor y la lu$
emitida es insignificante. %or esta ra$n se utili$a otro tipo de materiales para
fabricar los LEDMs, como Hosfuro 3rseniuro de de =alio (=a3s%) o fosfuro de =alio
(=a%).
Higura 4I*:
Los diodos emisores de lu$ se pueden conseguir en colores( erde, ro'o,
amarillo, mbar, a$ul y algunos otros.
Nay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las )o'as de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. /41**/) aunque
ambos )ayan sido producidos en el mismo lote. Lambi&n )ay que tener en cuenta
otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de /**2 puede ser
realmente de OJ2 o de /*92 o tal e$ si ser e"acto, y una fuente 6a'ustada6 a
/*, puede estar a'ustada realmente a O.O, o a /*./, o tal e$ a /*,.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un
comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p.n), sin
embargo, su tensin de codo tiene un alor mayor, normalmente entre /.9./.@ ,.
-egn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el
infrarro'o (diodos FAED), ro'o, a$ul, amarillo y erde, dependiendo de cual sea la
longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar( pilotos de se!ali$acin,
instrumentacin, optoaclopadores, etc.
Aesulta difcil distinguir, por pura inspeccin isual, el modelo del LED as
como el fabricante( los alores m"imos de tensin y corriente que puede soportar
y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. %or esto, cuando
se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo
atraiese no supere los 9* m3, precaucin de carcter general que resulta muy
lida. En la figura 4I*1, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.
Higura 4I*1
El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin
embargo coniene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de
silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapa$ de emitir fotones.
Debido a ello, la tensin de polari$acin directa ,d depende del material con el
que est& fabricado el diodo.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la
lu$ emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de
fabricacin principalmente de los dopados.
En la tabla ad'unta aparecen algunos e'emplos de materiales utili$ados
'unto con los colores conseguidos(
'aterial Lon(itud de )nda Color V
d
T*+ica
3s=a O*1 nm FA / ,
Fn=a3s% /:** nm FA / ,
3s=a3l +@*.J@* nm Ao'o /,@ ,
3s=a% @O* nm 3marillo /,P ,
Fn=a3l% @P* nm ,erde 9,+ ,
?-i 1J* nm 3$ul : ,
FOTODIODOS
Los fotodiodos. -on diodos sensibles a la lu$. =eneran un olta'e de
corriente continua proporcional a la cantidad de lu$ que incide sobre su superficie,
es decir, son diodos de unin %4 cuyas caractersticas el&ctricas dependen de la
cantidad de lu$ que incide sobre la unin. -e utili$an como medidores y sensores
de lu$ y en receptores pticos de comunicaciones.

Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas caractersticas
El efecto fundamental ba'o el cual opera un fotodiodo es la generacin de
pares electrn . )ueco debido a la energa luminosa. Este )ec)o es lo que le
diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente e"iste generacin
t&rmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor
incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el
diodo condu$ca ligeramente en inersa.
El comportamiento del fotodiodo en inersa se e claramente influenciado
por la incidencia de lu$. ?oniene recordar que el diodo real presenta unas
peque!as corrientes de fugas de alor F-. Las corrientes de fugas son debidas a
los portadores minoritarios, electrones en la $ona % y )uecos en la $ona 4. La
generacin de portadores debido a la lu$ prooca un aumento sustancial de
portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga
en inersa tal y como se e en la figura anterior.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se e alterado por la
generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores
proenientes del dopado (portadores mayoritarios) son muc)o ms numerosos
que los portadores de generacin luminosa.
Corte transversal de un fotodiodo comercial
DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel. -on dispositios muy erstiles que pueden
operar como detectores, amplificadores y osciladores. %oseen una regin de
'untura e"tremadamente delgada que permite a los portadores cru$ar con muy
ba'os olta'es de polari$acin directa y tienen una resistencia negatia, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el olta'e aplicado.
Representacin grfica de un diodo TUN! y su correspondiente grfica
LOS -ARACTORES
-on diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia ariable,
que se utili$an como sintoni$adores en sistemas de comunicaciones,
especialmente en H>.
3 m"ima capacitancia del aractor se presenta con olta'es de polari$acin
cero, cuando la capa de agotamiento es ms delgada. ?uanto ms alto es el
olta'e inerso aplicado, ms estrec)a es la capa de agotamiento y por lo tanto, la
capacitancia disminuye. Estos diodos tambi&n reciben el nombre de diodos
,aricap.
l sm"olo del diodo varactor se muestra a"a#o con una representacin del diagrama$
?uando un olta'e inerso es aplicado a la 'uncin %4, los agu'eros en la
regin % se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin 4 se atraen
a la terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin
de agotamiento, son esencialmente desproistos de portadores y se comportan
como el diel&ctrico de un condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el olta'e inerso aplicado
a &l aumenta< y puesto que la capacitancia ara inersamente con el espesor
diel&ctrico, la capacitancia de la 'untura disminuir cuando el olta'e aplicado a la
'untura %4 aumenta. En la grfica, se obsera la ariacin de la capacidad con
respecto al olta'e.
En la grfica se puede obserar el aumento no lineal en la capacitancia
cuando se disminuye el olta'e inerso. Esta no linealidad, permite que el aractor
sea utili$ado tambi&n como generador armnico.
!as consideraciones importantes del varactor son%
a) ,alor de la capacitancia.
b) ,olta'e.
c) ,ariacin en capacitancia con olta'e.
d) ,olta'e de funcionamiento m"imo.
e) ?orriente de la salida.
LOS DIODOS -ARISTOR
5 supresor de transientes, es un dispositio semiconductor utili$ado para
absorber picos de alto olta'e desarrollados en las redes de alimentacin el&ctrica.
?uando aparece un transitorio, el aristor cambia su resistencia de un alor alto a
otro alor muy ba'o. El transitorio es absorbido por el aristor, protegiendo de esa
manera los componentes sensibles del circuito. Los aristors se fabrican con un
material no.)omog&neo.(?arburo de silicio).
C&R&CTRI'TIC&'%
/. 3mplia gama de olta'es . desde /1 , a @@* , (A>-). Esto permite una
seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
9. 3lta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del
componente.
:. Liempo de respuesta de menos de 9* ns, absorbiendo el transitorio en el
instante que ocurre.
1. Ga'o consumo (en stabd.by) . irtualmente nada.
@. ,alores ba'os de capacidad, lo que )ace al aristor apropiado para la
proteccin de circuitera en conmutacin digital.
P. 3lto grado de aislamiento.
()imo impulso de corriente no repetitiva
El pico m"imo de corriente permitido a tra&s del aristor depende de la
forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
?on el fin de caracteri$ar la capacidad del aristor para resistir impulsos de
corriente, se permite generalmente que garantice un Qm"imo impulso de
corriente no repetitiaR. Este iene dado por un impulso caracteri$ado por la
forma del impulso de corriente desde J microsegundos a 9* microsegundos
siguiendo la norma SFE? P*.9T, con tal que la amplitud del olta'e del aristor
medido a / m3 no lo )ace cambiar ms del /*U como m"imo.
8n impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o
ruptura del propio componente< se recomienda por lo tanto instalar un
fusible en el circuito que utili$a el aristor, o utili$ar una ca'a protectora.
-i se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas
larga, )abra que estudiar las curas que al efecto nos proporcionan los
fabricantes, estas curas garanti$an la m"ima ariacin de olta'e (/*U)
en el aristor con / m3.
nerga m)ima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser
disipada por el aristor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de(
/. La amplitud de la corriente.
9. El olta'e correspondiente al pico de corriente.
:. La duracin del impulso.
1. El tiempo de ba'ada del impulso< la energa que se disipa durante el tiempo
entre /**U y @*U del pico de corriente.
@. La no linealidad del aristor.
3 fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se )ace con la
referencia generalmente a una onda normali$ada de la corriente. Esta onda esta
prescrita por la norma SFE? P*.9 secciona PT tiene una forma que aumenta desde
cero al alor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo )asta cero o de una
manera e"ponencial, o bien sinusoidal.
sta curva es definida por el tiempo principal virtual *t+, y el tiempo virtual al valor medio *t-,
DIODO SC.OTT/0 +DIODO DE BARRERA,
Los diodos -c)ottVy. -on dispositios que tienen una cada de olta'e
directa (,H) muy peque!a, del orden de *.: , o menos. 5peran a muy altas
elocidades y se utili$an en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y
sistemas digitales. Aeciben tambi&n el nombre de diodos de recuperacin rpida
(Hast recoery) o de portadores calientes.
?uando se reali$a una ensambladura entre una terminal metlica se )ace
un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento
)mico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la
corriente. ?uando este contacto se )ace entre un metal y una regin
semiconductora con la densidad del dopante relatiamente ba'a, las )o'as
dominantes del efecto debe ser el resistio, comen$ando tambi&n a tener un
efecto de rectificacin. 8n diodo -c)ottVy, se forma colocando una pelcula
metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura
4I*@. El metal se deposita generalmente en un tipo de material 4, debido a la
moilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica
ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.
En una deposicin de aluminio Al (: electrones en la capa de alencia),
los electrones del semiconductor tipo 4 migran )aca el metal, creando una regin
de transicin en la ensambladura.
-e puede obserar que solamente los electrones (los portadores
mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. -u conmutacin es muc)o
ms rpida que la de los diodos bipolares, una e$ que no e"istan cargas en la
regin tipo 4, siendo necesaria re)acer la barrera de potencial (tpicamente de
*,:,). La Aegin 4 tiene un dopa'e relatiamente alto, a fin de reducir la p&rdida
de conduccin, por esto, la tensin m"ima soportable para este tipo de diodo est
alrededor de los /**,.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se reali$a en fuentes de ba'a
tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significatias.
Higura 4I*@ (Diodo Scott!" construido a tra%,s de la t,cnica de C-s.)
Curva caracterstica de un diodo 'C./TT01
EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructiamente diferentes a los diodos LED
normales. Las caractersticas de un diodo lser son(
/. La emisin de lu$ es dirigida en una sola direccin( 8n diodo LED emite
fotones en muc)as direcciones. 8n diodo lser, en cambio, consigue reali$ar
un guiado de la lu$ preferencial una sola direccin.
Corte es2uemtico de la emisin de lu3 en diodos !4 y lser
Intensidad de lu3 en funcin de la longitud de onda para diodos !4 y lser
Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de
lu$ monocromtica dirigidos en una direccin determinada. ?omo adems tambi&n
puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositio ideal para
aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
E.em+lo de a+licaci/n0 El lector de discos com+actos0
8na de las muc)as aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de
informacin digital de soportes de datos tipo ?D.A5> o la reproduccin de discos
compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es id&ntico.
s2uema del funcionamiento del C4-R/(
8n )a$ lser es guiado mediante lentes )asta la superficie del ?D. 3 efectos
prcticos, se puede suponer dic)a superficie formada por $onas reflectantes y
$onas absorbentes de lu$. 3l incidir el )a$ lser en una $ona reflectante, la lu$
ser guiada )asta un detector de lu$( el sistema )a detectado un uno digital. -i el
)a$ no es refle'ado, al detector no le llega ninguna lu$( el sistema )a detectado un
cero digital.
8n con'unto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser
conertida en informacin analgica en un conertidor digital.analgico. %ero esa
es otra )istoria que debe de ser contada en otra ocasin.
SIMBOLOGA
5rfica 'im"ologa Tipos de 4iodos
Bibliografa
Bibliografa
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