Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se clasifican en tres grupos,
de acuerdo con su grado de control: 1. Dispositivos no controlados 2. Dispositivos semicontrolados 3. Dispositivos totalmente controlados DISPOSITIVOS NO CONTROLADOS - DIODOS DE POTENCIA El diodo es un interruptor unidireccional , sus principales caractersticas son: Tiene una estructura P-N; con una rea mayor para soportar mayores corrientes en conduccin (en el orden de los KA) y tensiones inversas (en el orden de los KA). El mayor tamao se debe al aumento de una regin intermedia n de bajo dopaje que lo diferencia de los diodos de seal. La tensin de cada aumenta a 1 o 2 V siento esta nueva regin es la causante de este fenmeno. Tiene dos estados de recuperacin: Recuperacin inversa: Es el tiempo de paso de conduccin a bloqueo (on - off) Recuperacin Directa: Es el tiempo de paso de bloqueo a conduccin (off -on) Los tipos de diodos de potencia son: Diodos Schotky, Diodos de recuperacin rpida Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea. DISPOSITIVOS SEMICONTROLADOS - TIRISTORES Es una estructura de cuatro capas (P-N-P-N) El paso de On a Off, realiza normalmente por control externo El paso de Off a On, se da cuando la correinte del tiristor es mas pequea que la corriente de mantenimiento. Sus tipos dentro de estos semiconductores son: SCR (Rectificador Controlado de Silicio) TRIAC (Triodo de Corriente Alterna) GTO (Gate Turn-Off Thyristor) TIRISTORES - SCR
Es el dispositivo que control mayor potencia. Soporta mayor tensin inversa entre sus terminales La corriente establece en el sentido nodo- ctodo. Nuevos parmetros en su recta de funcionamiento ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa, comportndose como un diodo ZONA DE BLOQUE DIRECTO( VAK >0 sin disparo).- Comporta como un circuito abierto hasta alcanzar el voltaje de ruptura ZONA CONDUCCIN (VAK >0 disparado).- Se comporta como interruptor cerrado y se mantiene hasta que sea menor a la corriente de mantenimiento.
- TRIAC
Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales A1 y A2 Puede disparse con tensiones de puerta de ambos signos, pero solo tiene un gate en el exterior, es decir un solo circuito de control Funciona como dos SCR en antiparalelo Mximo 1000v, 15 A, 15kW, 50/60 Hz. - GTO: Mximo 5000v, 4000A El GTO tiene control externo en el paso de conduccin a bloqueo, de On a Off. Y tambien permiete controlar externamente el paso de OFF a ON. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR Si gate + pasa de estado de ON a OFF Si gate oasa de estado de OFF a ON
TRANSISOTES
Los transistores de potencia tambien trabajan en zona de conmutacin, es cir en ON-OFF Sus ventajas es que son totalmente controlados Se clasifican en BJT (B IPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) MOSFET IGBT
BJT Son interruptores de potencia controlados por corriente. Los de tipo npn son los mas utilizados Consumen mayor energa que los SCR Se controlan por la base Trabaja en 3 zonas pricipalmente CORTE.- No inyecta corriente a la base (interruptor abierto) ACTIVA.- Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona como amplificador mas no como semiconductor de potencia SATURACION.- Inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.
- MOSFET Son transistores controlados por Tensin. Debido al aislamiento de xido de silicio de la base. Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia: De canal n y de canal p Desventaja.- Maneja reducida potencia porque se calientan mucho Ventaja.- Son los transistores mas rpidos que existen Trabaja en 3 zonas fundamentalmente: CORTE.- VG y Vcc es menor al voltaje de umbral. Interruptor abierto HMICA.- Si Vg y Vcc es mayor a Vp y Vcc, se cierra el transistor modelado por una resistencia. SATURACION.- Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el drain-source elevado
IGBT Son dispositivos semiconductores hbridos Une la velocidad de disparo de un MOSFET con las pequeas prdidas de conduccin de un BJT Velocidad de conmutacion en KhZ menor al MOSFET Maneja hasta decenas de amperios, 1200-2000v Tiene una entrada de alta impedancia No presenta problemas de ruptura secundaria como los BJT Tambien son activados por tensin
Tablas de comparaciones y rendimientos de los diferentes semiconductores de potencia