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CONTENIDO
Prologo

Introduccin

Parte I. Semiconductores

Capitulo I. Las principales Propiedades de los Semiconductores

1.1. Semiconductores Intrisecos
1.1.1. Electrones Libres en el Cristal
1.1.2. Holes
1.1.3. Generacion y Recombinacion
Generacion Termica
Recombinacion Electron-Hole
Concentracion Intriseca
Diagrama de Simple Banda

1.2 Semiconductores Impuros
1.2.1 Donadores de Impurezas
1.2.2 Receptores de Impurezas
1.2.3 La Dependencia de temperatura de la Concentracion de portadores
1.2.4 Minoria de Portadores
1.2.5 Diagrama de Bandas
Compensacion

1.3 Niveles de Profundidad
1.3.1 Compensacion por Niveles de Profundidad
1.3.2 Generacion a travs de Niveles de profundidad
1.3.3 Recombinacion a travs de Niveles de profundidad

1.4 Resumen

Capitulo II Movimiento de Electrones y Holes dentro del Cristal

2.1 Movimiento Trmico
2.1.1 Distribucin de Energa de Electrones
2.1.2 Distribucin de energa de Holes

2.2 Movimiento en el Campo elctrico
2.2.1 Electrones calientes
2.2.2 Diagrama de Bandas

2.3 Difusion
2.3.1 Coeficiente de Difusion
2.3.2 Corriente de Difusion
2.3.3 Longitud de Difussion
Vii

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6


2


2.4 Resumen

Parte II. Barreras y Uniones

Caitulo III. La Barrera en la Frontera del Cristal

3.1 Funcion de Trabajo
3.1.1 Volver, Volver, Que yo llamo de vuelta
3.1.2 Doble Capa de Carga (Dipolo)
3.1.3 Como Definir la Fucnion del Trabajo
Marco Rojo del Efecto Fotoelectrico Extrinseco
Emision Termoionica
3.1.4 Que funcin de Trabajo es igual a
Funcion de Trabajo en Metales
Funcion de Trabajo en semiconductores

3.2 Estados de superficie
3.3 Bandas de Flexion, Potencial de Superficie
3.4 Resumen

Capitulo IV. Los Parametros Principales de las Barreras de potencial

4.1 Como Penetra el Campo Electrico en el Metal, Semiconductor y Dielectrico
Semiconductor
4.1.1 Porq que el Campo Electrico prcticamente NO penetra en el Metal
4.1.2 Como penetra el Campo Electrico en un Dielectrico
4.1.3 Como y en que profundidad penetra el Campo Elctrico en un Semiconductor

4.2 La Dependencia del Campo en la Coordenada
4.3 Ecuacion de Poisson
4.4 Unas palabras sobre la Acumulacion de Capas
4.5 Resumen

Capitulo V. Union p-n

5.1 Formas para Obtener Uniones p-n
5.1.1 Aleacion
5.1.2 Difusion
5.1.3 Implantacion de Iones

5.2 Barreras en la Frontera
5.2.1 La Altura de la Barrera
5.2.2 Agotamiento de la Capa. Anchura de la Barrera
5.2.3 Equilibrio Maravilloso
5.2.4 La Polarizacion Inversa
Altura y Forma de la Barrera
Corriente Inversa
3


Capacidad de la Barrera

5.2.5 La Polarizacion hacia Adelante
La Altura de la Barrera
Corriente hacia Adelante
Inyeccion

5.3 Resumen

Capitulo VI. Diodos con Uniones p-n

6.1 Fotodiodos
6.2 Capacitores variables
6.3 Diodos Emisores de Luz
6.4 Celdas solares
6.5 Diodos Rectificadores
6.6 Resumen

Parte III. Transistores

Capitulo VII. Transistores Bipolares

7.1 Principio de Operacin de un Transistor bipolar
7.1.1 Corriente de Amplificacion
7.1.2 Parabola acera de lo que importante y que es insignificante
7.1.3 Velocidad de Respuesta del Transistor

7.2 Algunas Palabras acerca de los Tipos y Manufactura de Transistores Bipolares
7.3 Circuitos de Transistores mas Simples
7.4 Resumen

Capitulo VIII. Efecto del Campo en Transistores

8.1 El Comienzo
8.1.1 La Idea principal
8.1.2 Estimaciones Simples
8.1.3 Viejos Conocidos

8.2 Madurez y floreciencia
8.2.1 JFET (unin p-n por efecto del campo en un transistor)
8.2.2 La fortuna Favorece a los Valientes MOSFET

8.3 Epitaxia
8.4 Algunos Detalles Importantes
8.5 El trabajo de los FETs en los Regimes Actuales
8.5.1 Los Principales Parametros de los FETs
Transconductancia
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Velocidad de Respuesta

8.6 FET como un elemento del Circuito Electonico
8.7 Resumen

Capitulo IX. Transistores y la Vida

9.1 El primer Rey
9.2 Patito Feo
9.3 Viva el Nuevo Rey
9.4 El Rey Desaparece. Viva el Rey Nuevo
9.5 Reclamantes al Trono
Circuitos Integrados tridimensionales
Elementos Semiconductores de las Computadoras Opticas
Bioelectronica

Conclusion

















5


Introduccin
Donde hay una voluntad, hay una manera.

Es un largo camino a Tipperaty,
Es un largo camino por recorrer,
Es un largo camino para la pequea Mary,
A la dulce chica que conozco

Los dispositivos semiconductores son numerosos, incluso los ms importantes se hacen por
decenas, con cada uno de ellos, como una regla, teniendo demasiadas muestras.
En el libro veras un gran numero de referencias de libros, cientos de paginas, las referencias de los
libros mencionan solo las principales propiedades de los dispositivos semiconductores mas
utilizados, pero no dice nada de los principios fsicos del trabajo de los dispositivos.
Estos principios se dan en otros gruesos volmenes, de nuevo cientos de pginas cada uno,
finalmente, hay muchos libros grandes que describen la aplicacin de dispositivos semiconductores.
Cmo se puede orientar a s mismo entre los numerosos dispositivos y principios?
El punto es que el trabajo de la gran cantidad de dispositivos se basa en un nmero de ideas de un
lugar limitado. Algunos de estos son muy sencillos e evidentes, otros requieren cierto esfuerzo y
paciencia. Despus de haber percibido esas ideas y principios, podemos ver el diseo y principio de
operacin de prcticamente cualquier dispositivo semiconductor.
Primero. En la parte I de este libro, Semiconductores, vamos a conocer las principales propiedades
de los semiconductores. Es lo ms esencial para saber y para entender el trabajo de cualquier
dispositivo semiconductor. Algunos dispositivos se basan en una propiedad remarcable de
semiconductores su habilidad para cambiar su resistencia elctrica incluso en la menor alteracin de
las condiciones ambientales. Por lo tanto, la medicin de la resistencia de los semiconductores, se
puede medir la temperatura y la iluminacin, presin y el campo magntico, el campo elctrico y la
velocidad del movimiento del lquido o gas, la aceleracin en la medida de una cortina de humo en
las locales. Tales dispositivos son ampliamente utilizados en los hogares y la industria, la
investigacin cientfica y el servicio militar, millones y millones de estos productos se fabrican cada
ao.
Las principales propiedades de un semiconductor y el trabajo de los dispositivos, basados en sus
propiedades, se han discutido en nuestro libro conociendo a los semiconductores. Por lo tanto,
incluso si has ledo este libro, te recomendamos no pasar la primera parte del libro. Esto se debe a
que usamos una tcnica muy sencilla y expresiva el lenguaje de diagramas de energa. Este
lenguaje no fue empleado para describir los dispositivos semiconductores ms simples, pero
result ser ms til al describir el trabajo de los diodos y transistores. Las bases de este lenguaje son
introducidas en la parte 1 de este libro. Sin embargo, con el fin de comprender el principio de los
diodos y transistores, no es suficiente conocer la properities de semiconductores. Esto es muy
esencial para estudiar muy interesado, inusual y no con fenmenos simples el llamado uniones.
Esta puede see una unin homogenea, un regin dentro del semiconductor, cuyas partes diferentes
se dopan con diferentes impurezas; estas pueden ser unios heterogenas, en la cercana de sus bordes
aparecen regiones propiedades muy peculiares barreras de energa, que determinan el trabajo de
diodos y transistores.
Las propiedades de las uniones sern discutidas en la parte II de este libro. Y aqu vamos a discutoir
varios tipos de diodos, en la tercera parte de este libro se dedica a las propiedades de diseo, trabajo
y aplicacin de transistores.
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PARTE I
Semiconductores


El fsico ingles Cavendish ha probado
experimentalmente que el agua conduce la electricidad
400 millones de veces mas que los metales; sin embargo
estos no son malos conductores de electricidad.
Los cuerpos que toman la posicin intermedia entre
conductores y no conductores son llamados usualmente
SEMICONDUCTORES.
Ivan Dvigubsky


Existe una notable variacin en la conductividad de diferentes substancias que uno no puede evitar
ser sorprendido por estas. La conductividad de un buen conductor, como la plata, esta alrededor de

veces mejor que la conductividad de un buen aislador, como el vidrio. La mejor comprensin
de la diferencia entre la conductividad de buenos metales y los buenos aislantes, es igual a la
diferencia entre el dimetro de la galaxia y la longitud de 1cm!.

La importancia de los tomos de cualquier substancia es que son elctricamente neutros, cualquier
tomo, plata, nitrgeno, oxigeno, germanio o silicio contiene el mismo numero de carga positiva de
protones y carga negativa de electrones. As, en general, todos los tomos son neutrales. El
volumen, lleno con partculas neutras, es incapaz de conducir la corriente elctrica. Por consiguiente,
el volumen lleno con tomos separados aislados de cualquier substancia plata, silicio o diamante-
es un aislante ideal.


Pero por que las substancias, cuando estn en el estado solido, tienen bastantes conductividades
diferentes?
Los slidos estn compuestos de los mismos tomos, por otra parte, los tomos de de uno y de la
misma substancia, e.g. de carbn (C), depende del tipo del cristal, puede ser o un buen conductor
(grafito) o un perfecto aislante (diamante).
El ejemplo anterior; sugiere que si el solido es un metal o un dielctrico, depende no tanto de las
propiedades de los tomos que forman el cristal, si no del tipo de enlaces de los tomos en la red
cristalina del cuerpo solido.
La figura 1 y 2 demuestran dos tipos principales de la red cristalina. La figura 1 ilustra la principal
propiedad de los metales cristalinos. La red cristalina esta formada por iones positivamente
cargados, no por tomos neutrales. Mientras que la red se forma, cada tomo pierde un electrn de
valencia, y estos electrones (los crculos negros en la fig.1) no pertenecen a ningn ion especifico del
metal. Estos electrones se dicen que son colectivizados por el cristal y pueden moverse libremente
bajo la accin del campo elctrico externo. Hay

de portadores libres electrones- en cada

centmetro cubico del metal. No es de extraar que los metales sean perfectos conductores.
El esquema de la red cristalina del silicio, se muestra en la fig. 2, demostrando otro tipo de enlace en
el cristal. Cada tomo es vinculado con el tomo cercano por medio de fuertes lazos de electrones.
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Fig. 1. Diagrama esquemtico de la red cristalina de un metal. La red regular cargada positivamente de iones esta
hundido en el gas de electrones libres, no teniendo lazos estrechos con iones separados.


Fig. 2. Diagrama esquemtico de la red cristalina del silicio (Si). Las lneas vinculadas a los tomos del silicio
representan lazos de electrones.


El campo que mantienen los electrones en sus orbitas es demasiado fuerte. Por orden de magnitud
hacen

V/m. por lo tanto no es fcil de romper el electrn acoplado entre el tomo y eliminar
el electrn de la orbita.
Y mientras que todos los serotipos de electrones son acoplados en la orbita interatmica, no hay
electrones libres en el cristal i.e. no hay electrones capaces de moverse bajo la accin del campo
elctrico externo dentro del cristal. Por lo tanto, el cristal ideal, se muestra en la fig. 2, siendo un
dielctrico ideal.
Pero por desgracia, como sabemos por experiencia propia los objetos ideales en el mundo real
existen solo en nuestra imaginacin. Cualquier defecto de la red cristalina, cualquier impureza
extranjera, incluso el calor, es capaz de romper los lazos del electrn mostrado en la fig. 2 y liberar
algunos electrones de la orbita interatmica. Estos electrones sueltos pueden moverse bajo la accin
externa del campo elctrico. Asi, de echo todo cristal puede conducir corriente elctrica. Lo grande
de la conductividad depende en el nmero de electrones sueltos. El ultimo depende de que tan difcil
sea para romper los vnculos que mantienen el electrn en la orbita interatmica.
8


La energa necesaria para romper el lazo del electrn y liberar el electrn es normalmente designado
por el smbolo Eg. El ndice g viene de la palabra gap (brecha, vacio, hueco) en diferentes
cristales no-metlicos, la cantidad de energa varia desde cero a varias decenas de electrovoltios.
El valor de Eg es una de las caractersticas ms importantes de un cristal no-metlico.
Si el valor de Eg es grande, entonces el calentamiento del cristal subir a una temperatura muy alta
creando un nmero apreciable de electrones libres, pero si el valor de Eg es suficientemente grande,
Entonces el cristal se derretir creando un transportador libre.
Los materiales con valores grandes de Eg son dielctricos tpicos, un ejemplo conocido de un
dielctrico es la sal comn, sodio clorhdrico (NaCl), el valor de Eg para NaCl es 8 eV.

Por otro lado, en metales, donde todos los electrones son libres incluso a la temperatura del cero
absoluto, su conductividad es muy buena, esta claro que los cristales con volmenes chicos de Eg
toman la posicin intermedia entre los conductores y no conductores, a estas substancia son llamadas
semiconductores. Es decir, los semiconductores son materiales no-metal cuya energa es relativamente baja.

El valor de Eg para semiconductores tpicos varia de pocas decimas de un electrovoltio a dos o tres
electrovolts, por lo tanto, para un antimonio de indio (InSb), Eg= 0.17 eV. Para germanio (Ge), el
material usado para hacer buenos transistores y diodos semiconductores, Eg= 0.72 eV. Para el silicio
(Si), que es el principal material para los modernos semiconductores electrnicos, Eg = 1.1 eV,
arsnico de galio (GaAs) el material mas prometedor para semiconductores electrnicos para un
futuro cercano, Eg= 1.4 eV. En el semiconductor ternario compuesto por GaAlAs usado para hacer
semiconductores diodos emisores de luz y lser, el valor de Eg varia de 1.4 eV (GaAs) a 2.17 eV
(AlAs), dependiendo de la cantidad relativa que contienen Al y Ga. Carbn de Silicio, el material de
mejor confiabilidad y estabilidad de diodos emisores de luz, es capaz de operar a muy altas
temperaturas, su Eg 3 eV.
Hemos mencionado solamente los materiales semiconductores ms importantes.
Pero cientos de semiconductores compuestos han sido sintetizados, estudiados y utilizados.

la unidad de energa de un electrovolt (1 eV) es igual a 1.6

J. el electrn adquiere la energa de 1 eV

despus de que pase la diferencia de potencial de 1V. Cuando hablamos de las propiedades de los slidos, son muy
convenientes para la importancia de la energa de los electrones. Usaremos frecuentemente esta unidad.
















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Capitulo I

Las principales propiedades de los semiconductores

1.1 semiconductores intrnsecos

Los semiconductores intrnsecos son semiconductores que en cada concentracin transportadores
libres de corriente se define solo por la temperatura y por la cantidad de energa nica Eg dada al
semiconductor.

Una pregunta lgica puede ser: que otra cosa puede determinar la concentracin de portadores
libres. Como veremos en el futuro, una de las caractersticas ms importantes de los
semiconductores es su sensibilidad muy alta para las cantidades de impurezas demasiado pequeas.
Una muy insignificante (e inapreciable en cualquier otro material) adicin a la sustancia extraa un
tomo por milln o incluso por mil millones de semiconductores puede cambiar sus propiedades
hasta tal punto que la concentracin de los portadores libres puedan ser determinados no por las
propiedades intrnsecas de los semiconductores, pero por la cantidad y caractersticas de las
impurezas que puedan aadirse.

Vamos a imaginar la situacin ms simple: los semiconductores cristalinos no tienen defectos y no se
pueden contar sus impurezas, en la red cristalina real, cada electrn en mantenido en su orbita, como
se muestra en la figura 2, tomara la energa Eg para liberarse. La temperatura del cristal es T. que
parte del lazo del electrn ser roto? O, cuantos electrones son capaces de moverse bajo la accin
del campo, i.e. electrones de conduccin, habr en cristal?

El movimiento trmico catico tiende a romper los lazos entre los atomos. El valor de la energa del
movimiento trmico es conocido como kT, donde k es la constante Boltsman, el valor de k= 1.38

J/K o 8.6

eV/K.
A temperatura ambiente (300 K), la energa del movimiento trmico kT 0.042 eV, cuando la
temperatura es mas alta -- +200C o 500 K, la energa kT = 0.043 eV, pero como es sabido, el
valor de Eg para los semiconductores tpicos es mucho mas alto. Puede ser que en estos casos el
movimiento trmico sea incapaz de romper un solo lazo de electrn y, siempre que kT Eg, no
habr portadores libres en el cristal.
Sin embargo, el valor de kT se caracteriza solo por la energa trmica promedio de las partculas.
Gracias a la caracterstica catica del movimiento trmico en cualquier momento del tiempo, habr
tales atomos en el cristal cuya energa resultara mayor que el valor de Eg. Tales tomos no sern
numerosos. Pero estos existirn, y una parte de los lazos de electrones entre los atomos sern rotos.
Lo que se llevara a cabo se muestra en la Fig. 3. Uno de los vnculos esta roto (entre los atomos 19 y
20). El electrn, comienza a desalojarse de su orbita, dentro del rea formada por los atomos 1, 2, 7
y 8.







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Fig. 3. uno de los lazos del electrn (entre los tomos 19 y 20) esta roto por el movimiento catico trmico. Un electrn
de conduccin aparecido (localizado entre los atomos 1, 2, 7 y 8). El electrn cargado negativamente se mover contra
el campo elctrico F (a la derecha).



1.1.1 Electrones libres en el cristal

De la Fig. 3, es claro que cuando hablamos acerca de un electrn desalojado de su orbita,
preferiremos usar la palabra libre, por lo menos mentalmente, entre comillas.
El electrn que es actualmente libre es el que esta en el vacio.
Es llamado electrn libre en el cristal a un hecho complejo en el campo elctrico. Los campos
elctricos estn formados por los iones de la red y por la valencia de electrones de los atomos
vecinos.
Bajo la accin del campo elctrico externo, F, un electrn libre en el vacio se mueve con una
aceleracin constante a= qF/

(q es la carga del electron,

es la masa del electron libre). El

libre electron en el cristal puede moverse libremente por un corto periodo de tiempo, despus de
lo cual es seguro que choce con un atomo de la red (Fig. 3). Entonces, cuando usamos el trmino el
electrn libre en el cristal, hay que tener en mente que esto no es un hecho sino una habilidad para
realizar un movimiento dirigido bajo la accin del campo elctrico externo, conduciendo una
corriente elctrica. Es por eso que los electrones libres en el cristal son llamados electrones de
conduccin.


1.1.2 Holes

Cuando el lazo del electrn es quebrado (Fig. 3), el cristal adquiere no una, si no 2 posibilidades de
conducir la corriente elctrica. Vamos a comparar el comportamiento del electrn de conduccin
con el lazo quebrado (en la Fig. 3, se muestra entre los tomos 19 y 20). Si el campo externo no es
aplicado al cristal, el electrn viajara caticamente entre los tomos de la red bajo la accin de
oscilaciones trmicas. Y que pasara con los lazos rotos?
Cualquiera de los electrones que une los tomos 19 y 20 con el tomo adyacente puede obtener la
trayectoria del electrn desalojado y restablecer as el lazo roto entre los tomos 19 y 20. Si pasara a
ser el electrn el que haba sido enlazado, es decir, los tomos 14 y 19, entonces el lazo roto tomara
esta posicin. Siendo desplazado a la posicin entre los tomos 9 y 14, o entre los tomos 18 y 19.
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Tambin puede moverse al lugar entre los tomos 14 y 15, al igual que el electrn, el lazo roto viajara
caticamente entre los tomos de la red.

Si el cristal acta sobre el campo elctrico externo, entonces adems del movimiento catico, el
electrn libre, como una partcula cargada negativamente, adquirir un movimiento dirigido contra el
campo elctrico. Que pasa con el enlace roto?. Miremos otra vez la Fig. 3. Ahora cualquiera de los
electrones, relacionados con los tomos 19 y 20 con los tomos adyacentes, pueden cambiar la
trayectoria entre estos 2 atomos (i.e. tomos 19 y 20). Sin embargo, debido a la accin del campo
externo, este cambio es ms probable para los electrones relacionados con los atomos 18 y 19 que se
sale por el campo externo al lugar del enlace roto. El movimiento dirigido a lo largo del campo,
ser aadido al movimiento catico, sin embargo, esto no significa que el lazo roto ser
necesariamente sustituido por el electrn enlazado con los atomos 18 y 19 y que al hole 1) seguro o
2) indispensablemente o 3) necesariamente aparecer entre los atomos 17 y 18. El campo elctrico
externo no detiene el movimiento catico de los lazos rotos. Solo aade al movimiento catico
algunos elementos del movimiento dirigido. Tenga en cuanta que los movimientos de un enlaces
roto en direccin apuesta al movimiento del electrn se mueve a lo largo del campo elctrico, en
otras palabras, este se comporta como una partcula cargada positivamente.
No hace falta decir que el enlace esta roto, de hecho no es una verdadera partcula.
A diferencia del electrn, este no puede ser extrado de forma cristalina y ser estudiado en el vacio,
sin embargo, cuando discutimos las propiedades del cristalino es mucho mas fcil ver el
desplazamiento del lazo roto que el desplazamiento real de electrones de una orbita a otra, un lazo
roto como este es llamado un agujero y se dice que es un cuasi partculas.
Cuando un cristalino se acta por un campo elctrico, a continuacin, una ruptura en el enlace, un
hole, es una fuente adicional de conductividad. Electrones de enlaces adyacentes brincando de un
lazo roto a otro se mueve contra el campo y conduce la corriente, si nos definimos como
mecanismos de conductividad por medio de la nocin de un hole, estaramos considerando el hole,
viajando en el campo en direccin opuesta a la de los electrones para ser una partcula cargada
positivamente cuya carga es igual a la magnitud que del electrn.
Debemos esperar que el electrn de conduccin y el hole se muevan con la misma velocidad y
magnitud que la del electrn?
Difcilmente, miremos la Fig. 3, podemos ver que las condiciones del movimiento de un electrn
libre sin el cristal y las condiciones del movimiento de un electrn de un enlace a otro son
absolutamente diferentes, el movimiento de una orbita a otra resulta ser mucho mas difcil, en el
mismo campo externo, el hole, por regla, se mueve mas lentamente que el electrn.


1.1.3 Generacin y Recombinacin

El movimiento trmico catico tiene constantes rupturas de enlaces de electrones entre los atomos y
genera electrones libres y holes. Es posible que finalmente, como resultado del proceso, todos los
enlaces de electrones sean quebrados y el semiconductor se convierta en un metal? No, es imposible.

Moviendo caticamente en el cristal, el electrn libre y el hole pueden pasar a estar cerca el uno del
otro, el electrn libre tomara este lugar en la trayectoria libre del enlace interatmico y tanto el
electrn libre como el hole desaparecern simultneamente. Este proceso es llamado recombinacin
que, cuando se traduce del latn significa reunin. En una condicin de estado estacionario, no hay
un equilibrio dinmico: el nmero de electrones y de holes (pares electrn-hole) generando cada
segundo en el volumen del semiconductor una cuenta de generacin trmica igual a la del nmero de
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los aniquilados en cuenta de la recombinacin. Un cierto equilibrio de concentracin de electrones y
holes se establecen en el semiconductor a una determinada temperatura.
En los cristales cuyas propiedades estudiaremos, los electrones y holes siempre son creados en pares
y estos siempre se deterioraran en pares. Por lo tanto, la concentracin de electrones

es igual a la
concentracin de agujeros

(el exponente i proviene de la palabra intrnseco). Vamos a

determinar la dependencia de la temperatura de la concentracin de equilibrio del libre portador

.
Para hacerlo, debemos determinar cuantos portadores libres son formados en una unidad de
volumen del semiconductor por unidad de tiempo y cuantos de ellos aparecen en el proceso de
recombinacin, en el caso del equilibrio, estos dos valores deben ser iguales entre si. Equiparando el
uno del otro, determinaremos la concentracin de equilibrio de los portadores.

Generacin trmica.
Hemos aprendido las caractersticas principales de los pares electrn-hole generados bajo la accin
del movimiento trmico, tomando mucha mas energa que la energa promedio kT, investigando
varios procesos fsicos que a menudo encontramos, situaciones donde para que un determinado
evento tenga lugar es necesario gastar una larga porcin de energa E, mucho mayor que kT. Lo
que sucede cuando estudiamos la evaporacin del agua, o la decadencia de los ncleos, cuando
investigamos la emisin de electrones por el ctodo en el tubo de vacio o la distribucin de la
densidad de gases en la atmosfera. En una de las partes principales de fsica, fsica esttica, se
demuestra que la probabilidad de cada uno de eventos es siempre proporcional al exponente (-
E/kT):

w e-

(1)

Donde e es un numero igual a 2.7183 esto es llamado base logartmica natural.

Los valores de las energas = Eg, necesariamente para quebrar el enlace de electron en varios
semiconductores, es de nuetro conocimiento, consecuentemente, sabiendo la temperatura T,
podemos calcular por Eq. (1) la probabilidad de formacin de un par de electrn-hole en materiales
diferentes. A temperatura ambiente (kT=0.026 eV), para InSb (Eg. = 0.17 eV), esta probabilidad es
proporcional a

1.44

para Si (Eg = 1.1 eV), la probabilidad de proporcionalidad

para

4.23

, para GaAs (Eg = 1.4 eV),

4.12

.

Los ejemplos ilustran la principal funcin de la dependencia exponencial: con el cambio de ndice
del exponente, el valor de los exponentes cambian demasiado. El incremento de por
aproximadamente 1.27 de veces disminuye la probabilidad de la formacin de un par electro-hole
aproximadamente por 100 000 veces (cf. La probabilidad para Si y GaAs). Tomemos de cuenta que
un cambio similar de la probabilidad de formar electrones y holes ocurren en el y el mismo
semiconductor si la temperatura es cambiada, as que para disminuir la probabilidad de formar un
par electrn-hole en Si por 100 000 de veces, esto es suficiente para enfriar el cristal de silicio,
bajando la temperatura de la temperatura ambiente a -78, i.e. la temperatura del hielo seco, usada
en tiendas de helados. As el nmero de pares de electrones-holes

comenzando a formar por

segundo en una unidad de volumen de un semiconductor es

(2)
13




Donde es un coeficiente de probabilidad, diferente para diferentes semiconductores. Por otra
parte, gracias a la recombinacin, un cierto nmero de portadores de cargas

desaparecer de la
misma unidad de volumen cada segundo. Asi que, de que depende lo que hace el nmero de
transportadores de recombinacin?

La recombinacin electrn-hole.
A fin de recombinarse, el electrn y el hole deben cumplir, De que depende lo que hace la
frecuencia de sus reuniones?
Vamos a hacer mentalmente los siguientes experimentos, miraremos algunos atomos de la red
cristalina y marquemos la apariencia de un hole en sus alrededores, esta claro que su mejor nmero
de holes por unidad de volumen del semiconductor, la mayor frecuencia que figure en el mismo. La
probabilidad de la apariencia de un hole es proporcional a la concentracin de holes

. Por la
misma razn, la probabilidad de la apariencia de un electron libre en la proximidad de que un atomo
es proporcional de una apariencia simultanea tanto el electron como el hole en la proximidad de un
tomo. Esta probabilidad (i.e. la probabilidad de su unin y recombinacin) es proporcional al
producto de concentraciones de electrones y holes

, asi, el nmero de transportadores

recombinando cada segundo por unidad de volumen es la siguiente:

(3)

El coeficiente as como en Eq. (2), son diferentes para distintos semiconductores.
Desde

, obtenemos:

(4)


Igualando los nmeros de los pares recin hechos

para el nmero de los pares parecidos

,
obteniendo:

(5)

Por lo tanto obtenemos:

= (A

(6)


Los valores de A y B en Eq. (6) son medidos en

, que son conocidos por todos los

semiconductores que se ocupar con, la temperatura ambiente los valores sin tener limites
aproximadamente de

, sabiendo los valores de A y de B, es mas fcil calcular

por la Eq (6) el valor de la concentracin de transportadores intrnsecos en un semiconductor de
cualquier temperatura.
14




Concentracin intrnseca.
La tabla 1 muestra los valores de Eg y

para algunos semiconductores de temperatura ambiente
(300 K).

Semiconductor InSb Ge Si Inp GaAs Gap Sic

, eV 0.17 0.72 1.1 1.3 1.4 2.3 2.4 3.2

Concentracion
Intriseca

1.3

2.4

1.1

5.7

1.4

0.8
0.12

Recordemos que cada centmetro cubico de metal contiene ~

electrones de conduccin. De la
tabla 1, podemos ver que cuando un semiconductor con un valor bajo de Eg InSb, la
concentracin de electrones intrnsecos a temperatura ambiente es de 1 milln de veces mas baja que
la de un metal comn.
En el Silicio, esto es un trilln de veces (con un factor de

) mas chico. En GaAs, esto es mas

bajo que un factor de

y en el carbn de silicio (SiC), este es mas bajo que el factor

.
Podemos ver en la Eq. (6) que la concentracin de transportadores, (y consecuentemente la
conductividad) crece bruscamente, sin cambiar con la temperatura. La principal contribucin dentro
de la temperatura depende de la concentracin intrnseca hecha por un exponente.
La tabla 2 muestra los valores de

a una temperatura de 500 K para los mismos materiales
semiconductores:

Semiconductor InSb Ge Si InP GaAs GaP SiC
Concentracion
Intriseca

) a500 K
4.8

6.4

5.6

1.4

7.2

4.4

Podemos ver que el mejor Eg es, la temperatura mas abrupta de la concentracin de de crecimiento
intrnseco. Si la temperatura incrementa 1.7 de veces, la concentracin intriseca de InSb incrementa
a 3.7 veces, en el Silicio, cerca de 5 000 veces, y en SiC, un exponente de

.
Un crecimiento abrupto de conductividad con el aumento de temperatura es una de las
caractersticas de las propiedades de los semiconductores intrnsecos.

Diagrama de simple banda.
Es muy simple, y con mtodos fciles, dando una descripcin cualitativa de lo que sabemos del
proceso de generacin y recombinacin. A esto se le es llamado mtodo de diagrama de bandas.
El mtodo o lenguaje de diagrama de bandas es ampliamente usado cuando analizamos los
dispositivos semiconductores, permite describir la situacin ms complicada en una distinta y
concisa forma y a veces muy indispensable. En esta seccin usaremos el lenguaje del diagrama de
banda para hacer la nocin ms simple.

A fin de tener el electrn y el hole actuando en un semiconductor, es necesario gastar la energa Eg.
Representaremos el proceso del origen de este par esquemticamente (Fig. 4). Supongamos que el
15


electrn esta en la orbita conectando los atomos de silicio, este posee la energa

. (El exponente
v denota valencia, para que tratemos con electrones de valencia.)

Con el fin de obtener un electrn de conduccin y un hole, (para formar un par electrn-hole), es
necesario gastar la energa, o, en otras palabras, vencer la barrera de energa cuya altura es Eg. La
energa Eg puede ser obtenida de las fluctuaciones trmicas de la red o bien de un bien energtico
cuntico de luz- fotones. En caso de que la barrera de energa sea vencida, el electrn llegara al nivel

, (el exponente c denota conductividad) por lo que aparece un electron de conduccin (punto
negro) y un hole (encerrado en un circulo marcado con +).
El diagrama de banda hace la nocin de la barrera de energa distinta y obvia: es una porcin de
energa, necesaria para algunos procesos que tendrn lugar.


Fig. 4 diagrama de banda ilustando el proceso de generacin y recombinacin en un semiconductor intriseco.

El proceso de la recombinacin de electrones y holes en semiconductores intrnsecos tambin puede
ser imaginado fcilmente por mtodos de un diagrama de banda. En la Fig. 4, este proceso es
indicado por una flecha punteada. La misma cantidad de energa Eg que se gasto para formar un par
electrn-hole se desprende del proceso de recombinacin. A veces la recombinacin es seguida por
el origen de una luz cuntica el fotn con la energa Eg. Pero muy a menudo el electrn y el hole
se recombinan sin dar origen a cualquier fotn. Entonces la energa Eg es transferida a la red,
calentndola, en nuestra peticin el artista representa el diagrama de banda en la Fig. 5 incluso mas
vivamente. Solo muy pocos electrones bajo la accin del movimiento trmico logran romper las
cadenas del campo elctrico que mantienen la valencia de electrones en la orbita interatmica (en el
nivel

). Los ms afortunados son los electrones de conduccin, su concentracin es proporcional

al exponente (-Eg/kT). Sin embargo, deben estar atentos, por que pueden entran fcilmente en un
hole (recombinacin) y terminar en el nivel

.










Fig. 5 ilustracion viva del diagrama de banda en la Fig. 4.
16


1.2 semiconductores impuros.

No hay cosas ideales en la naturaleza, y no hay substancias que contengan solo atomos de un tipo
definido. Cualquier cristal real, incluyendo el semiconductor cristalino, siempre contiene ciertas
impurezas extraas. Las impurezas son encontradas en materias primas naturales de cuyos
semiconductores son sintetizados, adems, hay impurezas en la pared de los hornos e instalaciones
donde la sntesis y purificacin de semiconductores toman lugar y en la atmosfera por igual.

Un centmetro cubico de varios cristales contiene

atomos, una substancia es usualmente

llamada pura si esta contiene un tomo extrao por 1000 atomos intrnsecos (i.e. la concentracin de
impureza es 0.1%). Del punto de vista qumico, la substancia ser absolutamente pura si esta
contiene un atomo extrao por 100 000 atomos intrnsecos, sin embargo, esto significa que cada
centmetro cubico de la substancia contendr

atomos extraos.
Y ahora vamos a imaginar que hay una impureza en el semiconductor que es capaz de liberar
fcilmente un electron libre o formar un hole (luego, veremos que muchas impurezas poseen esta
propiedad). El germanio, absolutamente puro del punto de vista qumico, (la concentracin de
impurezas ser solo de 0.001%) a temperatura ambiente contendr tales nmeros de electrones
impuros que exceder el numero de electrones intrnsecos por un factor de 4000, en el silicio, el
numero de electrones impuros ser 10 000 000 veces mayor que la de unos intrnsecos: en el fosfuro
de galio, ser

veces mayor.
Es por eso que en una prctica, rara vez se ocupa con materiales semiconductores intrnsecos, la
gran mayora de materiales semiconductores contienen cierta cantidad controlada de impurezas que
proporciona el necesario valor de la conductividad.
Veremos como la densidad de transportadores libres en un cristal son afectados por impurezas.
Iniciaremos con un ejemplo simple.


1.2.1 Donadores de impurezas.

Vamos a asumir que un tomo intrnseco de alguna manera se meti en un cristal de silicio y ocupo
un lugar en uno de los sitios de la red del cristal, sustituyendo su anfitrin legal el tomo de silicio.
Ahora, miremos la figura 6, el tomo de As toma el lugar del tomo de silicio en el sitio 15, el tomo
de silicio tiene 4 electrones de valencia, el tomo de arsnico tiene 5 electrones de valencia, el cuarto
electrn de valencia del tomo de arsnico hace enlaces con los atomos cercanos del silicio (tomos
9, 14, 16 y 21). Que pasa con el 5to electrn?
El quinto electrn se llevara acabo por el tomo de As, pero mucho mas dbil que los otros 4
electrones, que estn muy fuertemente unidos en su orbita del electrn, determinado por la
estructura del cristal de silicio. La energa E, necesariamente para romper un enlace del quinto
electrn con el tomo de arsnico y para transformarlo en un libre electrn, es mucho menor que la
energa Eg necesariamente para romper el enlace entre el tomo de silicio y formar un par de
electrn-hole.






17












Fig. 6. El atomo donador (As) en la red cristalina del Silicio

La impureza cuyo atomos regalan sus electrones fcilmente son llamados donadores de impurezas,
de la palabra en latn donare de ah la palabra donor, y por final dar.

Los

tomos de un donador, como el arsnico, son intoducidos dentro de cada centmetro cubico
de un cristal, ahora por primera vez, consideremos la situacin mas simple la temperatura del cristal
es T= 0 K. es evidente que en este caso el cristal sigue siendo un dielctrico ideal: ya que toma una
muy baja cantidad de energa para quebrar el quinto electrn del tomo de arsnico la temperatura
inicia igual que el cero absoluto si no hay energa de cualquier oscilaciones trmicas. Si la
temperatura del cristal es T>0, entonces el equilibrio de la densidad de la impureza de electrones

es determinada por la exprecion, analgica para la Eq. (6)

= (A

(7)


En lugar de un alto valor Eg, tenemos en el exponente un valor mucho menor . La ionizacin de
energa (que en ocasiones es llamada la activacin de energa de impurezas)de arsnico en silicio
es muy pequea, esto es igual a 0.05 eV, que es 20 veces menor que la energa Eg necesaria para
crear un par de electron-hole en silicio. De acuerdo con la Eq (7) (y de acuerdo al sentido comn),
significa que la ionizacin de los atomos de arsnico, i.e. el desprendimiento del quinto electrn
extra, tomara lugar a una temperatura mucho mas baja que la de la generacin o la de electrones y
holes intrnsecos.
Consideremos ahora el silicio en el que una impureza donante (As) a sido introducida, la densidad de
los atomos impuros es

=

.

Esto implica que hay 10 000 000 tomos de silicio por cada tomo de As, del punto de vista
qumico, no hay arsnico en todo el silicio, pero el valor

=

es muy tpico de muchos

casos de importante practica.
En silicio A B

. Ahora por las Eqs (6) y (7), esto es muy fcil para calcular que con
la temperatura a 10K, la densidad de electrones impuros hara

2.5

, mientras que la
densidad de los electrones intrnsecos seria mas baja que incluso si un cristal fuera el mas grande de
la galaxia, no habra un solo transportador intrnseco en ella.

18


A una temperatura de 50k, el valor

es igual a 3

, mientras que la concentracin de

los electrones intrnsecos es aun prcticamente igual a cero en cualquier cristal real, tenga en cuenta
que a esta temperatura, alrededor del primero y el tercer tomo impuro han sido ionizados.
En cuanto a la temperatura ambiente (300k), seria un error para calcular la concentracin de los
electrones impuros por medio de la Eq (7) ya que no es exacto pero solo una aproximacin. Puede
ser usado solo en los casos donde el valor

sea calculado siendo menor que la concentracin de
los atomos impuros

, i.e. cuando kT E.
Pero si la temperatura es mas alta que kT E (o por otra parte si kT > E), entonces todos los
atomos impuros llegaran a ser ioniozados y la concentracin de los electrones impuros es solo igual
a

. Este fenmeno es llamado la saturacin /agotamiento) de impureza el termino parece
bastante razonable, cuando la temperatura es bastantemente alta, todos los atomos de la impureza
regalan un electrn extra y la fuente de los electrones es agotada. Ningn aumento adicional en
la temperatura de los cristales incrementara la concentracin de los electrones de la impureza.

En el silicio, la temperatura ambiente (300k) corresponde a la regin de saturacin de impurezas. Por
lo que ene nuestro ejemplo cuando T= 300k,

=

=

. La concentracin de los
electrones intrnsecos

a 300 k es igual a solo

(mire la tabla 1), que es 100 000

veces menor. Y solo a la temperatura de 600k (300C) la concentracin intriseca en silicio ser
igual a

y se convierte igual a la concentracin de las impurezas.

Cuando la concentracin de la impureza Nd

, el cristal de silicio debe ser calentado a

la temperatura un poco mas que 1000k (700C) de modo que la concentracin intrnseca podra ser
igual a la concentracin de impurezas.


1.2.2 Receptor de impurezas.

La figura 7 muestra la red cristalina del silicio en donde uno de los sitios es ocupado por el tomo de
impureza de boro. El Boro (B) es trivalente hay tres electrones en su capa electrnica externa, es un
electrn corto que hace un enlace completo con el tomo cercano del silicio.

Comparando el dibujo del lazo del electrn del tomo B en la Fig. 7 con la configuracin de los
enlaces de electrn alrededor del tomo 19 en la Fig. 3 las situaciones son muy similares, no es
cierto? Tanto el tomo de silicio en la Fig. 3 y el tomo B en la figura 7 carecen de un electrn. Pero
tambin hay una gran diferencia entre estos, todos los tomos del silicio son absolutamente
idnticos, y el enlace vacio, el hole, que ahora pertenece al tomo 19 puede en cualquier momento
acercarse al tomo 14, y al tomo 9 y as sucesivamente.
No se necesita ninguna energa para que el hole se desplace en el cristal, pero un tomo de boro es
un extrao en la estructura cristalina del silicio. Para hacer que electrn vecino del tomo de silicio
pase al boro, es necesario gastar la energa E, esta energa, la activacin de energa, no es grande
(para el atomo B en Si, esto es nicamente 0.045 eV), y sin embargo no es cero, como en el caso de
un hole en la Fig. 3. Ningn hole se formara en el cristal hasta que la barrera de energa E se
supere, no importa lo pequeo que sea.




19











Fig. 7. El atomo receptor (B) en la red cristalina del Silicio.

Supongamos que, las vibraciones de la red o bien el cuanto de luz han suministrado la energa
necesaria, y que los electrones del tomo de silicio han legado al boro, ahora la situacin seria
idntica a la que mostramos en la Fig. 3. Existiendo una relacin de vacios en la red, i.e. un hole
transportador libre de carga positiva, as las impurezas aceptadoras crean holes -transportadores
libres en un semiconductor cristalino. Si la temperatura del cristal es T>0, entonces el equilibrio de
densidad de la impureza de holes

se puede encontrar en la expresin analgica de la Eq. 7.

= (B

(8)

El valor de B aqu es el mismo que en la Eq 6,

es la densidad de los aceptores.

La apariencia de un hole en un semiconductor de impurezas no es acompaado por la apariencia de
electrn de conduccin, que se ve claramente en la Fig. 7.
La ecuacin 8, como la Eq. 7, son bastante aproximadas, puede ser usada solo si el valor

, calcula
que, es mucho menor que la concentracin de atomos de impureza

, i.e. cuando kT<< E. si kt

E, o por otra parte si kT > E, cuando todos los atomos de boro se quitan los electrones
cercanos a los atomos del silicio, y la concentracin de holes

sera igual a la concentracin de las

impurezas introducidas

.


1.2.3 la dependencia de la temperatura de la concentracin de los transportadores.

Un semiconductor en el que se han introducido algunas impurezas donantes es llamado
semiconductor electrnico, o semiconductor de tipo-n, la letra n viene de la palabra negativo,
mostrando que el semiconductor contiene muchas partculas cargadas positivamente electrones.

Un semiconductor en el que se han introducido algunas impurezas aceptadoras, es llamado
semiconductor hole, o semiconductor tipo-p, la letra p viene de la palabra positivo, mostrando
que el semiconductor contiene partculas-holes cargadas positivamente.

En la fig. 8 se muestra una curva, donde da un breve resumen de lo que hemos aprendido acerca de
las propiedades intrnsecas y de semiconductores de impurezas, la curva representa una dependencia
de la temperatura tpica de la densidad de equilibrio de transportadores libres en un semiconductor.
El valor del logaritmo natural de la concentracin de electrones en n (si el semiconductor es tipo
n) o en p (si el semiconductor es de tipo p) es trazado en la coordenada y. Tomemos de cuenta
que este no es el valor de T pero es el valor inverso

que es trazado en la abscisa.

20












Fig. 8. La dependencia de temperatura tpica de la concentracin de portadores
1

Ahora discutiremos la dependencia mostrada en la Fig. 8 comenzando por la derecha, de la regin de
temperatura baja, donde el valor

ser grande, y avanzaremos en la abscisa de derecha a

izquierda, como hemos visto a temperaturas bajas la densidad del transportador (electrn o hole) en
un semiconductor es determinada por la densidad de centros de impurezas. La densidad de
transportadores incrementa con el aumento de temperatura, y esta seccin de la curva es
determinada por la Eq. 7 para el electrn o por la Eq. 8 para el semiconductor hole, a cierta
temperatura esta dependencia es saturada, es una regin de saturacin de impurezas.
Todos los tomos de impurezas ya se han ionizado y la concentracin de transportadores es igual a
la concentracin donante (para el semiconductor tipo n) o para la concentracin aceptadora (para
semiconductores tipo p), pero la densidad de transportador intrnseca es todava mucho menor que
la de la impureza. Finalmente, en la regin de temperaturas aun ms altas, hay un incremento
abrupto de conductividad donde la dependencia de n (T) es expresada por la Eq. 6 y ahora unas
palabras sobre la eleccin de coordenadas de la Fig. 8, tomando el algoritmo de la Eq. 6.

In

In (AB) -

(9)



Y denotaremos x =

; y= In

= In (AB), b= Eg/ 2k, Eq. 9, les resultara familiar: y= - bx-

la ecuacin de una lnea recta. Entonces, si trazamos In

en la coordenada y, y 1/T en la abscisa

hasta la Eq. 6 es valida, entonces la dependencia In

(1/T) debe ser una lnea recta. Y, lo que es

especialmente importante, la pendiente de la curva de la lnea recta es b=Eg/2k es directamente
proporcional a los parmetros importantes del semiconductor Eg. En los primeros trabajos sobre
los semiconductores esta forma de definir Eg es utilizada muy a menudo. Hoy en da es usada
algunas veces, cuando estudiamos las propiedades de nuevos semiconductores.
Si la misma operacin de tomar el logaritmo es repetido con la Eq. 7 o la 8, es fcil ver que la
pendiente de la lnea recta In n (1/T) es proporcional al valor .


1.2.4 minora de transportadores

Ahora hablaremos de la importante pregunta con respecto a la concentracin de holes en un
semiconductor electrnico y la concentracin de electrones en un semiconductor hole.
21


En primer lugar debemos mencionar que cuando el tomo donante se ioniza y cede el paso a un
electrn ningn hole se forma, el tomo del arsnico en la red cristalina del Si, por instancia,
teniendo que ceder el quinto electrn de valencia sigue estando obligado con el tomo adyacente de
Silicio por 4 enlaces validos. No hay un lugar vacio donde electrones de la orbita adyacente sean
desplazados, por lo tanto ningn hole es formado.

En esta parte, podra aparecer que los semiconductores electrnicos deben tener la mayor cantidad
de holes como los semiconductores absolutamente intrnsecos puros, pero este punto de vista
podra estar mal, es cierto que a una temperatura dada T, el nmero de enlaces de electrones
quebrados y los pares de electrones-holes, aparecen cada segundo en un semiconductor electrnico
que en uno intrnseco, esto significa que un hole se reunir con un electrn mucho mas a menudo y
cada vez este resultara en una recombinacin y como resultado la desaparicin del hole, teniendo
menos holes en los semiconductores tipo-n que en un semiconductor intrnseco. Una ecuacin ms
simple conectando ola densidad de equilibrio de holes p y los electrones n en un semiconductor


pn =

(T) (10)

Cuanto mayor sea el nmero de electrones, menor ser el nmero de holes y viceversa.

La cantidad

en Eq. 10 representa el valor de la densidad de transportadores intrnsecos a una

temperatura T y es definida por la Eq. 6.
Mediante el uso de las ecuaciones 10 y 6 esto es mas fcil de calcular que en el tipo-n de Silicio, es
decir, a temperatura ambiente, y con la densidad electrnica de

, la densidad del hole ser

, i.e. 10 millones de veces menor que la de los electrones. Por lo que parece bastante
natural que los electrones en el semiconductor tipo-n sean llamados los portadores mayoritarios
mientras que los holes sean llamados los transportadores minoritarios.
En el semiconductor dopado con aceptadores; en el semiconductor hole, esto es solo lo contrario,
los holes sern transportadores mayoritarios, mientras que los electrones sern transportadores
minoritarios.

La aparicin de un hole en un semiconductor tipo-n no es acompaado por la aparicin de un
electrn de conduccin, podemos verlo en la Fig. 7, ele electrn en un semiconductor hole aparece
solo en la generacin de pares electrn-hole exactamente de la misma manera que en un
semiconductor intrnseco, peor mucho antes que un semiconductor intrnseco porque la posibilidad
de una colisin con un hole y recombinacin es muy alta.

As, lo que pasa con el electrn en un semiconductor hole es absolutamente lo mismo para los holes
en el semiconductor tipo-n.
No es de extraar que la ecuacin 10 sea valida para los semiconductores tipo-p, pero ahora ms
holes que electrones, es decir, si en el tipo-p de Silicio la mayor concentracin de transportadores,
i.e. holes, seria

, la menor concentracin de transportadores i.e. de electrones seria

.




22


1.2.5 Diagrama de Bandas

En la seccin precia discutimos las caractersticas principales de impurezas cuya activacin de
energa no es grande, y constituye solo una pequea parte de la energa Eg degenerando un par
electrn-hole, tales impurezas son llamadas superficiales. La Fig. 9 indica el diagrama de banda,
ilustrando el comportamiento de las impurezas superficiales, tambin muestra el proceso de un
cristal que contiene centros de aceptadores superficiales.
El nivel de energa

difiere del nivel de energa

por el valor del nivel de energa de activacin

aceptadora , de acuerdo con T=0, el nivel de

esta vacio, sin electrones, recordando que

esta energa, la activacin de energa no es grande (para el tomo de boro en Silicio, es de 0.045 eV)
y sin embargo no es cero, ningn hole ser formado en el cristal hasta que la barrera de energa
sea vencida, no importa que tan pequea sea

Con la temperatura T=0, aunque sea lo suficientemente baja que kT<<, los holes aparecern en
el cristal, su concentracin es definida por la ecuacin 8, pero la ecuacin 8 tambin define la
concentracin de electrones en el nivel

en la temperatura T. de hecho los holes en el cristal tipo-

p son formados solos por que los electrones del nivel

son capturados por el aceptador de nivel

, el numero de electrones capturados por el nivel de aceptador es igual al numero de holes

mviles que aparecen en el cristal.

Fig. 9. Aparicin de holes en el cristal con niveles receptores superficiales (a); aparicin de electrones en el cristal con
niveles donadores superficiales (b).


El proceso de la formacin de holes y la captura de electrones por el centro aceptador es mostrado
en la Fig. 9(a) por una flecha solida.
El tomo aceptador que a capturado el electrn es cargado negativamente, este enlace de electrn no
puede transferir la corriente, se lleva acabo por un buen tomo aceptor, esto se puede ver en la Fig.
9(a) que para liberar el electrn, capturado como el nivel aceptador, es necesario ejercer la energa E
=

= /

/ (el proceso de liberar el electrn es transferida al nivel

, mostrado en la
Fig. 9(a) por la flecha punteada (cf. Fig. 4)).

23


Si

(nivel superficial), entonces la energa necesaria para liberar el electrn, capturado por
el aceptador, es casi tan grande como la energa Eg. Cuando el valor de kT es del mismo valor de

, o incluso mayor, todos los centros aceptadores sern adoptados por los electrones y la
concentracin de holes ser igual a

-la concentracin de tomos aceptadores introducidos en el

cristal (agotamiento de impurezas).
La figura 9(b) muestra un diagrama de banda de un semiconductor electrnico conteniendo el
donante de impurezas superficial, con T=0, la concentracin de electrones de conduccin en el nivel

es igual a cero, la energa del nivel

, corresponde al centro de donacin, que se llena con los

electrones, los tomos donantes que mantienen los electrones son neutrales, cuando T no es muy
alta, la concentracin de electrones en el nivel

es definida por la Eq. 7, los tomos donantes que

tienden a dar sus electrones al nivel

son cargados positivamente, la concentracin de los centros

de donantes cargados positivamente son, naturalmente, definidos tambin por la Eq. 7.
Cuando kT

, la concentracin de electrones libres en el nivel

y la concentracin de los
centros de donacin cargados positivamente son iguales a

(agotamiento de impurezas).
Los centros de donantes cargados positivamente pueden capturar un electrn del nivel

, entonces
aparece un hole en el cristal, pero al fin de transferir un electrn del nivel

al nivel

y por lo
tanto crear un hole en el cristal (este proceso es mostrado en la Fig. 9(b) por la flecha punteada), es
necesario superar la barrera de energa cuya elevacin es Eg=

Eg.
Pongan atencin para la importante funcin, que es claramente en los diagramas: si los electrones no
son afectados por perturbaciones externas estarn en los niveles ms bajos de energa.
De echo, en el semiconductor intrnseco cuando T=0 y no hay iluminacin, sabemos que no hay
electrones ni holes, en el lenguaje de diagrama de banda (Fig. 4) esto significa que todos los
electrones son los mas bajos niveles posibles de energa, al nivel de energa

En un semiconductor conteniendo el centro de aceptadores con T=0, y sin nada de iluminacin,
todos los electrones tambin estn en el nivel

. Los niveles

estn vacios (Fig. 9(a)).

En un semiconductor conteniendo donantes (Fig. 9 (b)), con T=0. Los electrones estn en el nivel

, pero por que no en el nivel

?

La cosa, es que los electrones tienden a ocupar el mas bajo nivel posible de energa, en el
semiconductor cristalino conteniendo donadores, con T=0, el nivel

esta lleno de electrones, si no

hay lugares vacios y los electrones ocupen el mas bajo nivel posible el nivel

, cuenta lo que
significa en el sentido fsico. El nivel

corresponde a la energa de electrones vinculados a los

tomos de silicio el uno del otro, con T=0, todos los electrones en sus orbitas (Fig. 2) y sin lugares
vacios (holes) que electrones del nivel donante

pudieran ocupar.


Compensacin

De haber aprendido algunas frases en el lenguaje de diagrama de bandas, podramos resolver los
problemas de la materia en segundos, en una distincin y forma inmemorable, para obtener la
respuesta en forma tradicional, uno debera usar su muy sutil razonamiento fsico.
El problema es formulado de la siguiente manera:
Asumiremos que el la misma cantidad de donadores y aceptadores de impurezas superficiales son
simultneamente introducidos en un semiconductor, por instancia, la misma cantidad de arsnico y
boro son introducidos en el semiconductor, que es lo que pasa? La repuesta natural es que tendr
una gran concentracin de libre transportadores de ambos signos electrones y holes.
24


Pero, la respuesta esta absolutamente equivocada. La respuesta correcta es que no tendr ningn
electrn de impurezas ni holes de impurezas en el semiconductor, este se comporta como un
semiconductor intrnseco. Miremos la Fig. 10(a), todos los electrones del nivel donante

se
acercan al menor nivel vacio de aceptador

. Ahora, con el fin de crear un electrn libre en el

cristal, es necesario pasar por la energa Eg-

, que es casi tan grande como la energa Eg,

necesaria para crear un par de electrn-hole en un semiconductor intrnseco, esto es apenas posible
por el hole para aparecer en el cristal: todo lugar vacio en el nivel del aceptador a sido llenado por
electrones del nivel donador

, no hay lugares vacios en el nivel aceptador para los electrones del

nivel

, ya que pueden aparecer un hole en el cristal, y es necesario ya sea para la transferencia del
electrn del nivel

directamente al nivel

(que requiere la energa Eg), o para el lugar vacio del

nivel

. Para hacerlo, es necesario transferir el electrn del nivel

al nivel

(la energa necesaria

para Eg-

es casi tan grande como Eg), echemos un vistazo en la fig. 10(a) para ver que el
semiconductor, en la que el donante y el receptor de las impurezas superficiales fueron introducidas
en la misma concentracin donde se comportan casi d ela misma manera que un semiconductor
intrnseco, este fenmeno es llamado compensacin, la introduccin del receptor compensado por
la accin del donador de impurezas y viceversa.

Fig. 10 compensacion (s) compensacin llena. La concentracin donadora

es igual a la concentracin receptora

.
(b), (c) concentracin parcial:

>

(b);

<

(c).

A que corresponde la imagen fsica en el diagrama de energa de la figura 10(a)?
Razonemos. Los tomos de los donadores de impurezas introducidos en el cristal fcilmente regalar
sus electrones redundantes que se convertirn en libres, los tomos receptores de impurezas
capturaran electrones de su red mas cercana y formaran un adecuado numero de holes, los
electrones de impurezas y holes comenzaran a vagar caticamente alrededor del cristal y antes o
despus se reunirn y recombinaran, de conformidad con las condiciones del problema bajo
consideracin, el numero de electrones que pueden ser fcilmente liberados son exactamente los
mismos en el numero de holes (puesto que la concentracin de donadores superficiales es igual a la
de los receptores). Despus de que los electrones de impurezas y los holes se renan, recombinen y
desaparezcan, no habr ms tomos en el cristal que fcilmente podra generar un electrn o un
hole.
De hecho, si consideramos el ejemplo con el Silicio en el que el arsnico y el boro fueron
introducidos, veremos que por cada tomo de arsnico solo habr 4 electrones de valencia a la
25


izquierda, lugar casi tan bien como los cuatro electrones de valencia en poder de los tomos de
silicio, lo mismo puede decirse para el tomo de boro, en ganancia con el cuarto electrn, el tomo
de boro esta formado por enlaces con los tomos vecinos del Silicio tan slidos como los que
existen entre los tomos de silicio, como resultado de esto, al fin de generar electrones de
conduccin o holes, es necesario gastar una cantidad de energa casi tan grande como en la
generacin de un par de electrn-hole en el silicio intrnseco.

Y que pasara si la concentracin del donador y receptor de impurezas no fueran igual? La figura
10(b) y la (c) nos permite responder esto.
La figura 10(b) refiere al caso donde la cantidad de los donadores de impurezas es mayor que la del
receptor de impurezas, y el donador de impurezas no es mas que compensado parcialmente. El
nivel del receptor es inoperable (no se pueden formar holes de impurezas), todava hay electrones
a la izquierda del nivel donador

, su concentracin debe ser igual a

. El semiconductor se
comportara igual que la de tipo-p, cuya concentracin de donadores es igual a

.
La figura 10(c) ilustra el caso donde

>

, el nivel donador esta absolutamente vacio, y aun hay

lugares vacios en el nivel del receptor, su concentracin es

y debe comportarse como un

semiconductor tipo-p con la concentracin del receptor

.
Los diagramas de energa nos ayudaran a entender la generacin y recombinacin y el movimiento
de los transportadores libres que sern considerados en un capitulo siguiente. Peor el significado
completo de los diagramas ser evidente en la segunda parte del libro, donde estudiaremos las
barreras de energa, que son formadas en los lmites entre los semiconductores y el medio circulante
o en la frontera entre los semiconductores de tipo p y n.


1.3 niveles de profundidad

Hay una larga lista de impurezas para cualquier semiconductor que son comnmente usados, como
el Silicio, Germanio, arsnico de Galio, Fosforo de Indio, etc. Para el Silicio, por ejemplo, esta lista
contiene varias decenas de nombres, que incluyen tales substancias conocidas como el Arsnico,
Boro, Fosforo, Aluminio, Plata, Cobre, Cadmio, Cobalto, Oro, Hierro, Oxigeno, Mercurio, Platino,
Molibdeno, Nquel, Paladio, Sulfuro, selenio, Zinc y muchos mas otros elementos

Cada uno de los elementos son caracterizados, como una impureza en el silicio, por la activacin de
energa , los valores de las energas estn en los rangos desde 0.05 eV (donadores y receptores
superficiales) hasta 0.8-0.9 eV, estos dos valores caractersticos de impurezas mas profundas, son
bastante comparables con la energa Eg en el silicio (1.1 eV).
Uno podra pensar que mientras la impureza sea mas profunda (i.e.la mayor ), mas pequeo es
papel que debe desempear. Y realmente, esto se desprende de las Eqs. 7 y 8 que con el incremento
de la densidad de libres electrones (o holes) cae muy rpido exponencialmente, las ecuaciones 7 y
8 son validas para cualquier valor de , pero la conclusin de que las impurezas profundas
puedan pasarse por alto seria un error.
Las impurezas profundas en un semiconductor juegan un papel muy importante: actan como
compensadores, centros de combinacin y centros de recombinacin, vamos a considerar cada uno
de estos papeles a su vez.


1.3.1 compensacin por niveles de profundidad
26



Imaginemos que queremos obtener un semiconductor, por decir, GaAs, con una resistividad muy
alta. Especialistas en la manufacturacin de dispositivos de semiconductores con frecuencia se
enfrentan a distintos problemas, pelculas o placas cuya resistencia es muy alta se utilizan a menudo
como sustrato para las capas muy delgadas del mismo semiconductor conteniendo diferente dopaje
de impurezas aplicadas.

El semiconductor intrnseco tiene la mayor resistencia con su numero de transportadores libres
siendo el mas pequeo, peor lo que hemos aprendido acerca de las impurezas en un semiconductor
es mas que suficiente para darnos cuenta de que tan difcil es para obtener semiconductores
intrnsecos, incluso la mas mnima densidad de impurezas superficiales hace que la densidad de
electrones y de holes incremente por cientos, miles o incluso millones de veces.
Todo lo posible para deshacerse de las impurezas superficiales implica a lo largo, complejidad y
extensas operaciones para purificar los materiales, pero hasta el momento, resultados considerables
han sido obtenidas por el germanio y el silicio. Para GaAs, por ejemplo, no importa que tan
moderna sea la tecnologa moderna, el nivel de densidad de impurezas superficiales es todava N

, este valor es 10 billones de veces menor que la densidad de Galio y del Arsnico en
GaAs, pero sigue siendo cien mil veces mayor que la densidad de electrones intrnsecos y holes en el
mismo material a temperatura ambiente (mrese la tabla 1).

As que, que hay que hacer?
La respuesta es muy simple, no trataremos de purificar el semiconductor muy a fondo contemos

o incluso

de donadores superficiales y tambin introduciremos en el

semiconductor una impureza adicional, cuya concentracin sigue siendo mayor, es decir,

, peor esta impureza cada segundo ser un receptor de profundidad.

Que pasara aqu?
Como sabemos, los electrones creados por los donadores superficiales continuaran su movimiento
catico causando un movimiento trmico, antes o despus, cada electrn se acercara a un electrn, el
receptor profundo se ocupara de todos los electrones creados por los donadores de poca
profundidad y estos nos eran fciles de liberar los electrones, la energa de activacin de estos
electrones de impurezas profundas es muy grande.

La Fig. 11 (b) corresponde ala situacin cuando adems de los donadores superficiales, el cristal
contiene un elemento que es un receptor de profundidad (

). La letra t viene de la apalabra

trampa, todos los electrones del donador superficial han sido recogidos por el nivel receptor de
profundidad, para liberarlos es necesario pasar por una gran energa

, prcticamente no
hay transportadores libres en el cristal.









27








Fig.11. compensacin con un nivel de impureza profunda

Con el receptor de impurezas siendo introducido, el numero de electrones libres disminuye
bruscamente, por lo tanto, introduciendo un receptor de impurezas, realmente compensa la
presencia de donadores de impurezas. Ya no importa si la cantidad de receptores de profundidad es
varias veces mayor por la de los donadores superficiales, todos los electrones creados por el donador
superficial estn seguros que sern tomados (capturados).

Pero que hay de los receptores extras?
Estos son capaces de tomar los electrones de los tomos de un semiconductor y formar holes, pero
serian profundos, su energa de activacin

es grande y en consecuencia, la concentracin de

holes no ser grande en todos los dems.

En el caso de GaAs tanto el cromo como el oxigeno son introducidos en el GaAs, que no estn
purificados completamente, si antes de la incorporacin de una impureza de profundidad, GaAs, era
de tipo-n, y el cromo es introducido, el cromo es un receptor de profundidad en GaAs y si
inicialmente GaAs era de tipo-p, y el oxigeno es introducido; este ser un donador de profundidad
en GaAs. Los donadores de profundidad se compensan por los receptores de impurezas
superficiales al igual al igual que los receptores de profundidad se compensan por los donadores de
impurezas superficiales.
Como resultado obtenemos un mono cristal de GaAs con una resistencia muy alta de hasta

ohmios cm. Los sustratos de el semi-aislador arsnico de galio es ampliamente usado cuando
manufacturan dispositivos de GaAs.


1.3.2 Generacin a travs de niveles de profundidad

Sabemos que si tomamos la energa de Eg. Para la aparicin de un electrn y un hole en un
semiconductor intrnseco, Fig. 12(a) vuelve a dar (comparar con la Fig. 4) un diagrama esquemtico
ilustrando el proceso de la generacin de pares de electrn-hole.

Si la energa Eg se va obteniendo de la fluctuacin trmica de la red y el valor de Eg es mucho mayor
que la energa trmica media kT, entonces este proceso es poco probable, como sabemos, esto es
proporcional al exponente (-Eg/kT) (mirar eq. 2). Pero es posible gastar la energa necesaria para
liberar el electrn no de un paso, pero en dos pasos como se muestra en la figura 12(b). Primero
impartimos la primera porcin de la energa, i.e. Eg/2
Un proceso que consta de 2 etapas es ms eficaz para las impurezas cuya activacin de energa es
Eg/2, y despus la segunda porcin, tambin igual a Eg/2, es fcil ver si logramos esto, el proceso
de generacin de electrones y holes podra ser mucho ms intensivo.

28


Tal vez la siguiente comparacin podra ilustrar esta idea, imaginemos que somos nosotros y no el
electrn quien debe superar una barrera alta de una sola vez sin ningn tipo de escaleras.
Si la barrera es de 3m de grande, luego, entre los billones de personas que habitan nuestro planeta,
solo una decena ser capaz de superarla, peor la misma barrera ha sido dividida en dos partes, cada
una de un metro de alto, y podra ser superada por muchas mas personas, cada decimo hombre seria
capaz de hacerlo. (Fig. 13).


















Fig. 12. Diagrama esquematico de la generacin de un par electron-hole. (a) La barrera se ha superado de una sola
vez (b) la misma barrera a sido dividida en dos partes.













Fig. 13 es mucho mas fcil subir dos escaleras de un metro de lato cada una, que superar una barrera de dos metros de
lato de un solo paso.

Ahora miremos que el nivel de profundidad cuya activacin de energa es Eg/2 serian las
escaleras-niveles- mostrado en la fig. 12(b).
Asumamos que el receptor de impurezas cuya activacin de energa es es introducido
en un semiconductor. El receptor tomara a distancia los electrones de los tomos vecinos del
semiconductor, por lo tanto los holes formados se estarn moviendo caticamente en el cristal.
29


Anteriormente, cuando examinamos el comportamiento del receptor superficial, no pensamos que
ele electrn fuera adoptado por el tomo receptor, y que es correcto.
La pequea activacin de energa corresponde al paso pequeo por las escaleras de la energa
(fig. 9).
Relacionando el electrn del receptor superficial y la liberacin que requiere una gran cantidad de
energa, prcticamente es igual a Eg, esto es muy diferente ahora, cuando el electrn es tomado por
el receptor profundo. Las fluctuaciones trmicas de la red, tienen ms probabilidades de romper el
electrn del receptor y liberarlos, como resultado del proceso de 2-pasos, un par electron-hole ha
sido creado en el cristal.
El receptor ha vuelto a adquirir la capacidad para llevar un electrn del tomo vecino de un
semiconductor y formar el siguiente hole, etc. La taza de generacin de pares electrones-hole es
incrementada abruptamente.

Supongamos que un material semiconductor tiene un nivel receptor. Si la activacin de energa del
receptor es menos que Eg/2, entonces el electrn del nivel Ev saltara a ella con bastante facilidad,
pero ser bastante difcil de transferirse al nivel Ec (que se libera). Aqu una analoga exacta con una
escalera:
Si vas a subir una altura de 2 metros y el nico vuelo de escaleras es de 30 cm de alto, ser muy fcil
para subir, peor en cuanto a los restantes 1.70 m, seria tan difcil para subir como la original de 2
metros de largo, la versin optima seria contar con dos tramos de escalera de la misma altura.
As, la introduccin de impurezas de profundidad incrementa en gran medida la taza de generacin
de pares electron-hole. Que en muchos casos parece que, en la presencia de niveles de profundidad,
la concentracin de electrones y holes debe crecer considerablemente, sin embargo, esto no es as.

En la siguiente seccin, veremos que los niveles de profundidad incrementa no solo la taza de su
generacin, si no tambin la velocidad de recombinacin de electrones y holes, como resultado, las
ecuaciones 7, 8 y 10 son validas y dan descripciones correctas del equilibrio de densidad de
electrones y holes, pero en este caso Qu importa si hay centros de profundidad en todo el cristal?

Los puntos que hasta ahora hemos hablado son acerca de la situacin mas simple, la situacin de
equilibrio donde el numero de transportadores creados por el movimiento catico es exactamente
el mismo que el de los transportadores que pierden durante ese tiempo debido a la recombinacin
en esas condiciones. Las impurezas no pueden manifestarse as mismas como centros de generacin,
debido a su presencia, el incremento en la taza de generacin de transportadores es absolutamente el
mismo que la del incremento en la taza de su propia recombinacin.
Para hacer las actividades de los centros de generacin explcitos, es necesario romper el equilibrio
entre el proceso de generacin y recombinacin creando una situacin no-equilibrio. La mejor forma
es creando condiciones donde el proceso de generacin ira bajo las mismas condiciones de
equilibrio, mientras que el proceso de recombinacin no tomara lugar en todo esto.

Como podemos manejar esto?
Resulta no ser tan difcil despus de todo, es necesario crear un fuerte campo elctrico en algunas
partes del semiconductor, entonces los transportadores libres tanto electrones como holes- se
llevaran fuera de la regin con gran rapidez y su densidad en esta regin se convertira a pequea,
entonces, la taza de recombinacin, inicia proporcional al producto de las densidades de electrones
como de holes (mirar eq. 3), disminuir considerablemente, sin que nada se reconvine.

30


Y que hay sobre el proceso de recombinacin?
Esto es afectado solo dbilmente por el campo elctrico, el campo elctrico, es capaz de ofrecer la
regin de un semiconductor de cualquier transportador libre, no tendr prcticamente influencia en
la taza de generacin.
El campo elctrico, remueve los transportadores libres, estipulando la aparicin de una corriente
elctrica en el circuito. Los dems transportadores libre generados en el semiconductor, son ms
fuertes en la corriente elctrica. La corriente en ele circuito es directamente proporcional a la taza de
generacin de pares electron-hole.
En muchos dispositivos semiconductores, sean diodos o transistores en un cierto rgimen de
trabajo, hay una regin de campo elctrico fuerte. La corriente que fluye a travs de estos
dispositivos en el rgimen son determinadas por las densidades de los niveles de profundidad
introducidas en el semiconductor.



1.3.3 Recombinacin a travs de niveles de profundidad.


Como hemos mencionado, en la ecuaciones 7 y 8 son validas para cualquier nivel profundidad y
superficial. De acuerdo a estas ecuaciones, el nivel ms profundo, en cuanto menor sea el equilibrio
de concentracin de los centros generados por los portadores a la temperatura dada T.
Por otro lado, como hemos visto, los niveles de profundidad con la energa de ionizacin
incrementa abruptamente la taza de generacin de portadores.

Como pueden estas 2 condiciones realizarse a la vez?
Esto es posible peor solo en un caso: si los centros de profundidad que aceleran abruptamente la
generacin e pares electron-hole, no se acelerara la aniquilacin (recombinacin) por menos de este.

Como hemos visto en la seccin previa, en los niveles para actuar como centros de generacin, debe
de haber una situacin no-equilibrio en el cristal.
La concentracin de portadores en el cristal debe ser menor que la concentracin de equilibrio. Para
que los niveles acten como centros de recombinacin, una situacin de no-equilibrio es requerida,
peor en este caso la concentracin de portadores en el cristal debe ser mayor que la concentracin
de equilibrio.

Vamos a iluminar un espcimen del material semiconductor investigando con la luz cuya energa
cuntica es

, es mayor que la energa de creacin de pares electron-hole en el material Eg,

habr exceso de electrones y holes en el espcimen (en comparacin con los de equilibrio) y la
conductancia de la muestra incrementara.
Cuando apaguemos la luz, esta claro que dentro de poco, la densidad de electrones y holes llegaran a
un valor de equilibrio, el exceso de electrones y holes se re combinan mueren, por q?
La respuesta es clara: despus de que la luz ha sido apagada, el balance entre la generacin y
recombinacin es rota, el proceso de generacin creara un cierto nmero de portadores por unidad
de tiempo. En el estado de equilibrio, el nmero de nuevos portadores es la misma que los
portadores pareciendo a causa de la recombinacin.
31


Pero inmediatamente despus de que la luz es apagada, el exceso de portadores todava se encuentra
en la muestra, y el nmero tanto de electrones como de holes ser mayor que en el estado de
equilibrio.

La taza de recombinacin es proporcional al numero de electrones y holes por unidad de volumen
(mirar eq. 3), as que los electrones pierden mas rpidamente de lo que aparecen. La densidad de los
portadores se hace mas pequea, y disminuir hasta llegar al estado de equilibrio y la taza de
regeneracin volver a ser igual a la taza de recombinacin.
El tiempo que toma la densidad en regresar al estado de equilibrio es determinada por la vida
del exceso de portadores, cuanto antes la densidad regrese a este valor de equilibrio, mas corto ser
la vida de los portadores, y el proceso de recombinacin mas rpido.
Medir el tiempo de vida en muestras con diferentes impurezas, podemos estudiar la influencia de
varios centros de impurezas superficiales en la taza de recombinacin, introduciendo centros de
impurezas superficiales incrementara la densidad de equilibro de los portadores en la muestra pero
no en la influencia de su vida.
Pero introduciendo impurezas de profundidad cuya activacin de energa tomando Eg/2
inmediatamente los exponemos como asesinos, a pesar de que su densidad es muy pequea, estas
impurezas pueden cortar el tiempo de vida cientos de veces, por lo tanto, introduciendo oro o plata
en la concentracin de

(0.0000001%) en Silicio acelerando la muerte de portadores no-

equilibrio por un ciento de veces, su tiempo de vida en silicio acorta de

hasta

s. (para
oro y platino, los valores en Silicio son iguales para Eg/2).


Entonces, por que los niveles de profundidad actan como centros efectivos de la recombinacin?
Imaginemos un electrn y un hole errante en el cristal, a fin de cumplir recombinacin y
desaparicin, es necesario que deba estar cerca el uno del otro en las proximidades de uno y el
mismo tomo de la red cristalina.
Tal situacin es, en general, posible pero rara vez se produce.
Asumiremos que hay un centro de impurezas en el cristal cuya activacin de energa es grande,
debe aparecer un electrn en las proximidades de este centro, estando seguro de ser atrapado por un
centro de impureza.
Este centro mantendr el electrn atrapado hasta que un hole aparezca en la vecindad; tan pronto
esto suceda el electrn y el hole se re combinaran. El asesino se ha comprometido en esta tarea de
aniquilar pares electron-hole, y este listo para comenzar de nuevo.

A veces es importante para electrones y holes aparecer en el dispositivo tan pronto como sea
posible, a menudo es muy esencial para conmutacin rpida de dispositivos semiconductores, las
impurezas creando eficaces centros de recombinacin deberan ser incorporadas en el material. A
veces, en lo contrario electrones y holes deben vivir, en este caso, el semiconductor es purificado a
fondo







32


1.4 Resumen

Los semiconductores son tales materiales cuya conductividad a una temperatura de 0 absoluto es
igual a 0, todos los electrones de valencia inician enlazados en las orbitas interatmicas, y por lo
tanto no pueden conducir una corriente elctrica.
La energa de los enlaces de electrn no son my grandes, e incluso cuando la temperatura no es alta,
los enlaces del electrn son rotos bajo cuenta del movimiento trmico. Aparecen electrones libres
(electrones de conduccin) y holes, su concentracin incrementa exponencialmente con el
incremento de temperatura y de acuerdo con el aumento de temperatura, la conductividad de
semiconductores incrementa exponencialmente tambin.

Algunas impurezas (donadores) son capaces de regalar sus electrones con facilidad, mientras que
otras (receptores) pueden tomar electrones del tomo de un semiconductor. Introduciendo tales
impurezas, impurezas superficiales, incluso en bajas cantidades, puede incrementar el numero de
portadores libres en un grado muy alto y por lo tanto aumentar en gran medida la conductividad del
semiconductor.
Introduciendo en el semiconductor niveles de profundidad con una gran energa de ionizacin
incrementa tanto la taza de generacin y la taza de recombinacin de electrones y holes. Con
Eg/2 el incremento de tazas de generacin y recombinacin es especialmente mayor.
La influencia de los niveles de profundidad es especialmente fuerte en una situacin de no-equilibrio,
cuando la concentracin de electrones y holes es mayor que en las condiciones de equilibrio, la
presencia de centros de profundidad se muestra por una disminucin abrupta del tiempo de vida de
portadores no-equilibrio .
Cuando la concentracin de electrones y holes es menor que la concentracin de equilibrio (es decir,
bajo la accin del campo elctrico) la presencia de centros de profundidad son mostrados por un
incremento abrupto de la corriente.





















33


Capitulo II



Movimiento de Electrones y Holes en el Interior del Cristal


tomos de cualquier substancia estn en constante movimiento trmico, con frecuencia chocan los
portadores libres con los tomos de la red cristalina, (chocan cientos de billones de trillones de veces
por segundo) resultando en electrones y holes el gasto de sus vidas en constante movimiento catico
trmico. Si un campo electrnico es aplicado para un cristal, la carga de portadores sin parar su
movimiento catico trmico tambin adquirir un movimiento dirigido.
El electrn cargado negativamente se desviara al electrodo positivo, mientras que los holes cargados
positivamente se desviaran a uno negativo, el movimiento dirigido de portadores libres bajo la
accin del campo elctrico es una corriente elctrica.
La corriente elctrica puede tomar lugar, como pronto aprenderemos incluso si el campo elctrico
externo no es aplicado al cristal.
Cada vez que cierta parte de un cristal tenga ms portadores libres (electrones e.g.) que la regin
adyacente, en la accin del movimiento catico trmico, los portadores iniciaran su movimiento
dirigido hacia la regin de una densidad baja.
Este fenmeno es llamado difusin y la corriente elctrica creada por esta, es llamada corriente
de difusin.
En este capitulo, consideraremos los principales tipos de movimiento de portadores libres: el
movimiento trmico, el movimiento en el campo elctrico y difusin.


2.1 movimiento trmico

Electrones libres y holes estn en estado de movimiento catico bajo la accin de la red de
fluctuaciones trmicas.
La energa media del movimiento trmico de electrones (o holes) es igual a 3/2 kT. Igualando este
valor ala energa cintica de la partcula

, podemos encontrar la velocidad media o del

movimiento catico del electrn (o del hole):


(

)1/2 (11)

Donde T=300k, asumiendo que la masa de los portadores libres es igual a la masa de los electrones
libres, encontramos que la velocidad es

2.1.1 Distribucin de energa de los electrones

La energa promedio y velocidad promedio del movimiento trmico catico son importantes
caractersticas de los portadores libres en un semiconductor.
34


Sin embrago, esta calor que debido al carcter aleatorio del movimiento trmico catico en un
momento dado de tiempo entre los portadores libres (electrones y holes), estn seguros de ser tales
cuya energa y velocidad es mucho mas alta que su valor promedio.
Vamos a asumir que la concentracin de electrones libres en el semiconductor tipo-n es igual a

.
Cuntos electrones calientes cuya energa cintica es mucho mayor que la energa promedio
contiene un cristal por

?
O en otras palabras, que es la concentracin de electrones cuya energa cintica es ?

Leamos de nuevo por favor el prrafo anterior en la ecuacin 1.
Esta concentracin puede ser determinada por una ecuacin aproximada:

(12)

O, si vamos a encontrar el electrn libre del nivel de energa de Ec,

(12a)
La distribucin de energa de electrones puede ser fcilmente ilustrada en el diagrama de energa
(Fig. 14). Este diagrama no se ve normal. Primero que todo, el nivel Ev que se da generalmente en el
diagrama de energa junto con el nivel Ec no se ven all.
La cosa es que hasta ahora hemos presentado los diagramas de energa del proceso cuya energa por
orden de magnitud fue igual a Ec Ev = Eg, i.e. para el semiconductor tpico que alcanza el valor de
, en este caso estamos interesados en la distribucin en el que la escala de la energa
caracterstica es un valor mucho menor de la orden de kT (0.025 eV a temperatura ambiente). Lo
que ocurre con los electrones en el nivel Ec parece ser visto por nosotros a travs de un
microscopio, el nivel de Ec es muy inferior, mas all del campo de visin de la lente.

La energa cintica de electrones al nivel Ec es igual a cero.
El incremento de la energa cintica corresponde al movimiento hacia arriba del electrn en el
diagrama, podemos verlo en la Fig. 14 que se desprende de la ecuacin 12, la mayora de los
electrones tienen su energa cintica a la orden de kT. Sin embargo, hay algunos electrones muy
energticos con mayor energa, sin embargo, no son numerosos.

Se puede ver en la Fig. 14, que los electrones de conduccin se han liberado con una basta rea
(zona) de energa E>Ec, esta rea es llamada banda de conduccin.

Loa foto mostrada en la Fig. 14 se parece mucho al movimiento de pelotas de plstico usadas para
jugar ping-pong en una bandeja de agitacin.
Cuanto mayor sea la temperatura, mayor ser la amplitud de oscilaciones de la bandeja, como
resultado de este agitamiento la mayora de las pelotas-electrn vuelan muy alto, correspondiendo a
la energa kT. Pero gracias al carcter catico de sus colisiones uno con el otro, algunas de las
pelotas (aunque muy pocas de ellas) pasan a adquirir una gran cantidad de energa.




35


2.1.2 distribucin de energa de holes

La distribucin de energa es una caracterstica inherente no solo de electrones de conduccin libres,
si no tambin de los holes. La velocidad promedio del enlace roto -el hole movindose en el cristal-
depende de la frecuencia con la que llegaran los electrones de las orbitas vecinas. El proceso de
sustitucin de un enlace roto, inicia con un proceso aleatorio, determinado por el movimiento
catico trmico, esto es claro que en cualquier momento habr holes corriendo caticamente ya sea
ms rpido o mas lento que los dems.
La energa promedio del movimiento catico trmico de holes es, naturalmente, 3/2 kT y la
velocidad promedio es definida por la ecuacin 11. La distribucin de energa de holes es descrita
por una expresin aproximada, anloga a la ecuacin 12.

(13)

O, si al contar la energa del hole del nivel eV


||
(13a)

Un atento lector podra preguntarse por que los signos (||) en el ndice del exponente.
Estos signos muestran que al hacer calibraciones de acuerdo con la Eq. (13a), se debe de usar el
modulo de diferencia E Ev.

De donde vienen estos signos?
El diagrama de energa, ilustrando la distribucin de energa de holes es mostrada en la Fig. 15. El
nivel Ec no es mostrado en el diagrama, la escala elegida aqu pone esto muy encima del nivel Ev. La
inmensa mayora de holes tiene una energa cintica del orden de kT y se encuentra dentro del nivel
de energa que esta a distancia del nivel Ev, en la otra cara de esto, es similar a la de los
electrones, sin embargo, como se desprende de la Fig. 15, hay un lugar de diferencia significativa. En
el diagrama de energa, el incremento de energa dele electrn corresponde al movimiento de
electrones hacia arriba a lo largo de la escala de energa, mientras que el incremento de energa del
hole corresponde al movimiento de holes baja a lo largo de la escala de energa.

Por lo tanto, si los electrones se asemejan a pequeas pelotas en una bandeja de agitacin, entonces
los holes son las mismas pelotas para el tenis de mesa en un cubo de agua. Si el cubo de agua esta en
reposo, todos los holes fluirn hasta tomar su lugar cerca del nivel Ev justo debajo de la cubierta,
como resultado del movimiento trmico, puede hundirse mas profundo.

Por que ele incremento de energa de holes corresponde al movimiento bajo de holes, peor no
hacia arriba de lo largo de la escala de energa? Esto no es fcil de explicar.
Francamente hablando, este es uno de los puntos mas difciles (si no el mas difcil) en este libro, por
lo tanto no sugerimos unos i no tres diferentes explicaciones.

La primera explicacin puede ser llamada explicacin de los principios.
Uno de los matemticos mas brillantes de Francia del siglo 18 siendo incapaz de explicar la esencia
de un fenmeno complejo con el heredero del trono francs, se dice que exclamo: su majestad,
crame que es tanto, para que el prncipe real respondiera: seor! Por que perdemos tanto
tiempo?, palabra de caballero honesto es mas que suficiente, entonces, la primera manera es
36


simplemente confiar y recordar que el crecimiento de energa de un hole, a diferencia de la del
electrn, corresponde al incremento (y no a la disminucin) del movimiento largo de la escala de
energa.

La segunda explicacin esta basada en el echo de que, si bien el concepto de hole es mas
conveniente, un hole no es una partcula, pero si una cuasipartcula. Y cuando discutimos una idea
complicada o fenmenos vinculados con holes, es muy til, y algunas veces incluso mas esencial
recordar que la cuasipartcula hole- aparecen cuando el electrn sale de la orbita de la unin
interatmica y desaparece cuando el electrn regresa a esta.
Consideremos el siguiente problema: permitir que un cuanto de luz cuya energa

es mucho
mayor que Eg siendo absorbida en un cristal semiconductor. El fotn cuya energa

no
solo rompe los enlaces del electrn, el resto de la energa

se transfiere de los
portadores recin hechos electrn y hole- como energa cintica.
Supongamos primero que todo el exceso de energa es transferido al electrn recin hecho, el
diagrama de energa correspondiente al proceso es mostrado en la Fig. 16(a). al recibir la energa
cintica superior a , el electrn en la banda de conduccin en el diagrama de energa vuela muy alto.

El espacio de energa, i.e. la distancia en el diagrama de energa entre ele electrn y el hole, es igual a

, como debe de ser a causa de la ley de la conservacin de la energa.

Y ahora supongamos lo contrario, que todo el exceso de energa del fotn sea transferido no al
electrn, pero si al hole, Cmo podemos describir el proceso en el diagrama de energa?

De acuerdo a la condicin, el nuevo electrn hecho tiene un mnimo de energa posible, por lo que
se debe colocar en el diagrama lo ms cerca posible del nivel Ec en el borde inferior de la banda de
conduccin [Fig. 16(b)], y, Dnde debemos colocar en el diagrama el hole energtico cuya energa
cintica es ?

La ley de la conservacin de la materia demanda estrictamente que la diferencia de energa ante el
electrn recin hecho y el hole es

, consecuentemente, el hole solo puede ser colocado en

por debajo del nivel Ev [Fig. 16(b)] cuanto mayor sea la energa cintica del nuevo
hole , ser menor en el diagrama de energa.

La tercera explicacin es principalmente para la mayor bsqueda y para estudiantes curiosos. La ley
de la conservacin de la energa ciertamente no ser argumentada, y aun este truco de colocar el hole
por debajo del nivel Ev llamadas por la misma protesta interior.

Primero que todo, esto es por que no esta claro lo que la banda de energa situada por debajo del
nivel Ev corresponda tambin.
Cuando se introdujo el concepto de este nivel (Fig. 4 y el texto referido a este) que significaba la
energa de un enlace de electrn en la orbita interatmica de los tomos del silicio.
Esto es como si tomamos el nivel Ev para ser el punto inicial de contar con la energa. De hecho si
el electrn del nivel Ev se le da una cierta cantidad de energa, puede pasar por encima del nivel
receptor (Fig. 10c) si ele electrn del nivel Ev es impartido de la energa Eg, esta puede ser liberada
(Fig. 4, 5). Una porcin de energa aun mas grande hara el electrn energtico y caliente con una
gran cantidad de energa cintica (Fig. 16a), con energa mayores que Ev, actuando igual esta claro.
Pero que hace la banda de energa ms pequea que Ev, corresponden tambin? Para responder a
37


esta difcil pregunta, debemos darnos cuenta que la energa del electrn, consolidados en las rbitas
interatmicas de los tomos de silicio es.
Imaginemos que hay un simple tomo aislado, para arrancar un electrn de valencia perdido de su
capa electrnica externa es necesario gastar cierta cantidad de energa, llamada energa de ionizacin

(Fig. 17a) ahora vamos a tener otro tomo idntico al enfoque de ese tomo. Mientras que estn
lejos uno del otro, el valor de la energa de ionizacin de cualquiera de ellos es absolutamente el
mismo e iguales

.sin embargo, si se acercan el uno al otro para que interaccionen las rbitas de sus
electrones se convierte en sensible, i.e. el electrn puede de vez en cuando salir de un tomo a otro,
la situacin ser distinta. Antes de todo, se puede ver que los valores de la energa de la ionizacin
de los tomos ya no sern igual, en este caso hay dos distintos valores de energa de ionizacin (Fig.
17b). la energa del nivel

correspondiendo al electron de valencia, se dice entonces que se divide,

en segundo lugar, ninguno de estos nuevos valores de la energa, generalmente hablando, es igual al
valor de

de un atomo aislado, y en tercero, cuanto ms cerca estn los tomos entre s y ms

fuerte sea la interaccin de las rbitas de sus electrones, la mayor, naturalmente, es la energa gap
entre los niveles de divisin.
Pero si hay 4 tomos interactuando, situado no muy lejos el uno del otro, el nivel

sera dividido en
4 niveles (Fig. 17c), donde hay N tomos interactuando, el nivel ser dividido en N niveles (Fig.
17d), la divisin de niveles donde interactuaron es un fenmeno observado no solo entre tomos y
electrones, es una caracterstica de cualquier sistema oscilatorio en la mecnica y la ingeniera de
radio.
En la Fig. 17e, a la izquierda, podemos ver un circuito simple LC, con la capacitancia

e
inductancia

, la frecuencia circular de oscilaciones withinel el circuito se sabe que es

. Ahora podemos tomar un circuito idntico con los mismos valores de capacitancia e
inductancia

y colocarlo cerca de la primera, de modo que la interaccin entre la inductancia y

los circuitos puede ser notable (i.e. el coeficiente de induccin mutua entre la inductancia del
circuito no debe ser demasiado pequea). O, hablando sobre este en detalle, parte del flujo
magntico, generado por el inductor, debe penetrar en las bobinas vecinas del inductor. Entonces
podemos estar seguros de que este sistema de dos circuitos conectados entre s tiene unas
caractersticas de la resonancia, mostrada en la Fig. 17e, a la derecha. La frecuencia de resonancia

se ha dividido en 2 frecuencias cercanas

. El acoplamiento ms fuerte entre la interaccin

de los circuitos, en cuanto mayor sea la diferencia entre las frecuencias

La figura 17(f) muestra un ejemplo de la divisin de niveles de energa en 2 pndulos idnticos

de
largo, interactuando entre si, si los pndulos son aislados, la frecuencia circular de oscilaciones de
ambos es igual a

, (donde g es aceleracin de libre cada).

Siempre que exista una interaccin entre los pndulos, dos de ellos sern suspendidos en la misma
viga, no muy rgida, las oscilaciones sern caracterizadas no por una sino dos frecuencias

,
con

Ahora, que se conoce el fenmeno de la divisin de los niveles de energa mientras estn
interactuando; entenderemos que no podemos hablar de un solo valor de la energa del electrn,
consolidados en las rbitas interatmicas de los tomos de silicio.
Un cristal semiconductor presenta un sistema de tomos interactuando estrechamente, siendo su
densidad

. Por lo tanto cada centmetro cubico del cristal contiene un gran

numero de niveles de energa (

, correspondiendo a los electrones de valencia, consolidados en

la rbita atmica (Fig. 17d). la magnitud de la divisin, i.e. la energa gap entre los niveles vecinos es
muy chica, por lo que prcticamente hay espectros continuos de la energa de los electrones de
38


valencia. Esta regin de energas es llamada banda de valencia. Podemos ver que el nivel

, que
hemos mencionado antes cuando discutimos los diagramas de energa, corresponde al nivel ms alto
de todos los niveles posibles de electrones de valencia, o, a la parte superior de la banda de valencia.
Un cuanto de luz cuya energa es Eg, puede transferir un electrn del nivel

al nivel de
conduccin

, y qu hay de un cuanto de luz cuya energa es mayor?

Tal cuntica, siempre que su exceso de energa

, transferidos a un hole, se agarrara

del electrn no del nivel

, pero si de un nivel mucho ms profundo de la banda de valencia (Fig.

18b). Sabemos que los electrones tienden a ocupar el estado de energa mas bajo, tan pronto como
un nivel libre aparece en la profundidad de la banda de valencia, no cubiertos con un electrn (un
hole), los electrones del nivel mas alto tienden a asumirse, (Fig. 18b). El nivel vacio (el hole) as pues,
tienden a subir a la parte superior de la banda de valencia, la mayor energa cintica del hole

, la
mas profunda que sabemos esta en el diagrama de energa, por lo tanto, es evidente que, si bien el
hole se mueve hacia arriba en los diagramas de energa, este perder su energa cintica (se enfra).
La figura 18 muestra una gran regin de energa por debajo del nivel

es accesible a los holes, esta

regin es llamada banda de valencia, si un cristal semiconductor no tiene impurezas o defectos
formando los niveles de energa que se extienden entre los niveles

. Esta rea de energas es

llamada la banda prohibida.
Asi, a temperatura T la media energa de electrones de conduccin y holes es definida por la
ecuacin (11). Sin embargo, existen muchos mas portadores energticos cuya energa es mucho
mayor que la media energa. En los diagramas de energa el movimiento hacia arriba de de la escala
de energa de los electrones corresponde a su incremento de energa, mientras que el incremento de
energa de los holes corresponde al movimiento hacia debajo de la escala de energa.


2.2 movimiento en el campo elctrico.

Una desviacin de partculas (electrones y holes) dirigido a lo largo del campo elctrico se aade por
el movimiento trmico catico.
Si no hay campo elctrico, entonces el electrn (o el hole) toma parte solo en el movimiento trmico
catico, no hay movimiento dirigido, ya que no hay tales direcciones que ele electrn o el hole
puedan preferir. Entonces, aunque los portadores se muevan caticamente con una gran velocidad

m/s, la velocidad del movimiento directo es igual a cero.

En la presencia del campo elctrico, los electrones (o holes) continan su baile loco, la frecuencia de
sus colisiones es, como antes,

veces por segundo, sigue siendo imposible predecir

cuando el portador fluir despus de su siguiente colisin, tanto como adelante como si adelante o
hacia atrs, para la derecha o para la izquierda, arriba o hacia abajo, en que Angulo y en que
direccin. Pero no importa hacia donde fluya, el campo elctrico siempre se manejara, aunque tal
vez muy dbilmente, en la misma direccin, que resultara en la apariencia de un movimiento directo.
En el campo elctrico F del electrn (o del hole) se acta por una fuerza , bajo la accin de
esta fuerza, el portador adquiere una aceleracin = /m a lo largo de la lnea del campo.
Movindose sin alguna colisin, durante el tiempo t, el portador adquirir una velocidad en la
direccin del campo v = at = qFt/m.
A fin de calcular la velocidad media adquirido por el portador bajo las condiciones de colisiones
repetidas, debemos recordar dos circunstancias.
En primer lugar, como ya sabemos, despus de una colisin el portador puede moverse en cualquier
direccin, esto significa que la velocidad del movimiento directo despus de las colisiones es igual a
39


cero. En segundo lugar, desde que las colisiones son bastante accidentales, el tiempo de voladores
libres de los portadores tambin pueden ser muy diferentes.
Esto se puede ver claramente en la Fig. 19, mostrando la velocidad-tiempo dependiendo del
movimiento directo.
La velocidad media del movimiento directo v es igual al producto de la aceleracin y el tiempo
medio entre las colisiones

.


V =

F= F (14)


As, la velocidad del movimiento directo que a menudo se llama velocidad derivaba de libres
portadores en le cristal es proporcional al campo elctrico.
Ya hemos aclarado la diferencia fundamental entre el electrn que es actualmente libre y llamado
libre electrn en un cristal semiconductor, la conduccin del electrn. En el cristal, las colisiones
caticas siendo mas frecuentes, no es la aceleracin pero la velocidad de electrones de conduccin (o
el hole) que es proporcional al campo.
El coeficiente de la proporcionalidad en la Eq. 14 es llamado movilidad.


=

(15)


La tabla 2 nos muestra los valores de la movilidad de electrones y holes de los ms importantes
materiales semiconductores a temperatura ambiente.

En campos dbiles, donde la velocidad del movimiento directo en muy chico en comparacin con
el movimiento trmico, ni la presencia ni la ausencia del campo puede afectar el carcter de las
colisiones de los portadores con la red cristalina. La movilidad de es un valor constante, este no
depende del campo elctrico F.
El rango de los campos elctricos donde la velocidad derivada v es directamente proporcional a F a
menudo se denomina regin lineal u hmico. Dependiendo del material y la temperatura, los
valores de los campos de esta regin F

V/m, la velocidad de deriva es v

. La regin es lineal por que la velocidad v crece linealmente con el incremento del campo
F, y este es hmico porque es esta v-F dependencia que corresponde a la ley de Ohm. De echo, la
dependencia lineal de la corriente I en el voltaje U corresponde a la ley de Ohms. O, que es el
mismo, la densidad de corriente j es proporcional a la intensidad del campo F, este es fcil de ver
que j es proporcional a F, siempre que la movilidad sea un valor constante.

j = q

= q

F (15a)
El valor de q

es llamado conductividad, y la expresin (15a) a menudo se llama lay de

ohm en una forma diferencial.



40


2.2.1 electrones calientes

Cuando la energa, adquiridos por los portadores bajo la accin de los campos elctricos, comienza
igual a la energa del movimiento trmico, el tiempo medio entre las colisiones

por regla comienza

a disminuir. En un campo elctrico muy fuerte, en la mayora de los casos de tiempo entre las
colisiones

sern inversamente proporcionales a la intensidad del campo F.

De acuerdo alas ecuaciones 14 y 15, eso significa que la velocidad de deriva de tales energticos,
calientes portadores no depender en un campo elctrico F. las dependencias dela velocidad
derivada en el campo para Ge y Si son mostrados en la Fig.20. Se ve que en los campos elctricos
dbiles la velocidad es siempre proporcional al campo. Esta parte de la curva es llamada regin
hmica o lineal. El campo fuerte, ms lento el crecimiento de la velocidad de deriva, y cuando el
campo es lo suficientemente fuerte, la velocidad deja de depender en el campo F por completo.
(Esta es una regin de velocidad saturada). Cuanto menor sea la movilidad de los portadores en un
campo elctrico dbil. Ms fuerte sea el campo elctrico debe ser por la velocidad a estar saturado.
En germanio cuando el campo es F 5 kV/cm, la velocidad de electrones en partculas no depende
en el campo campo por ms tiempo. La velocidad de holes saturados por F 5 kV/cm. Los valores
de la velocidad saturada

tanto para los electrones y los holes son aproximadamente los mismos, y
son iguales a

cm/s. en Si, el electron de velocidad saturada es

cm/s, y que se
logra cuando F 5 kV/cm. Para holes en Si, el valor de la velocidad de saturacin es tambin

cm/s, pero es mucho ms fuerte que haba llegado en los campos elctricos: F

2.2.2 diagrama de bandas

En caso de que halla un campo elctrico en un semiconductor, el diagrama de energa que describe
el comportamiento de los electrones y holes adquieren una nueva forma, para entender una mejor
comprensin de esto, vamos al primer debate del caso mas simple: un voltaje U es aplicado a una
pieza del semiconductor cuya longitud es L (Fig. 21).
Hay un campo elctrico uniforme en el semiconductor F=U/L, bajo la accin del campo elctrico,
los electrones se mueven del ctodo al nodo, los holes se mueven en la direccin opuesta del nodo
al ctodo. Hay un diferencial de potencial U entre el ctodo y el nodo, esto significa que el potencial
de energa del electrn cerca del nodo por valor E = qU (donde q es la carga del electrn).
Cuando se mueven del ctodo al nodo, el electrn, si este no choca con la red del semiconductor,
seria expulsado por el campo elctrico F, como resultado de que este pudiera perder este potencial
de energa qU que esta cerca del ctodo, y tendra exactamente la misma energa cintica cerca del
nodo. Pero, como hemos sabido, movindose en el semiconductor, el electrn muy a menudo
choca con la red. Como resultado de esto, el electrn no adquiere ninguna energa cintica adicional
mientras se mueva al nodo, y todos sus valores de su energa de potencial qU es transferida a la red
cristalina del semiconductor y son liberados en forma de calor Joules.
Para el hole de carga positiva que se mueve en el campo elctrico del nodo al ctodo, el potencial
de energa es ms alto en el nodo. El hole tambin pierde esta energa en colisin con la red
mientras se mueve hacia el contacto del ctodo.
Para el caso mostrado en la Fig 21(a), el potencial U cambia linealmente con la coordenada, por lo
que el diagrama de energa se ve como se muestra en la figura 21(b). La energa, por ejemplo, de un
electrn que esta en la banda de conduccin en el nivel

en el ctodo es mas largo que la energa

41


del electrn similar en el nodo por el valor de qU. La misma consulta el mismo se refiere a los
electrones que estn, por ejemplo, en la banda prohibida en el nivel donador [indicado por los
puntos de la lnea en la figura 21(b)], o en cualquier otro nivel, de profundidad o superficial, donador
o receptor, electrones en el nivel

, etc.

Y que pasa con los holes?
La energa de un hole, por ejemplo, en la banda de valencia del nivel

en el catodo es mas chico

que la energa de un hole similar en el nodo por el valor qU. Uno debe recordar que mientras mas
grande sea la energa del hole, menor ser su posicionamiento en el diagrama de energa (Fig. 16).
La dependencia de energa en la coordenada E(x) adquiere la forma de un "cerro". Las pelotas de
ping-pong (electrones) bajan el cerro, del ctodo al nodo, las mismas pelotas en el balde de agua
(los holes) subirn la escala de energa, movindose del nodo al ctodo.
Esto es muy importante que los parmetros describen el nacimiento y la muerte de los electrones y
holes en cualquier punto del cristal no dependen de si hay o no hay ningn campo elctrico en la
muestra. Se puede observar que, por ejemplo, en el punto x0 el electrn debe tener la misma energa

a fin de dejar la banda de valencia por la banada de conduccin. La aplicacin del campo
elctrico no afecta la energa de ionizacin de los niveles donadores o receptores o las
velocidades de la generacin y la recombinacin a travs de los niveles de profundidad.
Cuanto mayor sea el voltaje aplicado a la muestra, ser ms pronunciada la colina.
La figura 21 indica que la tangente el Angulo entre las lneas del diagrama y el eje de occisas es
proporcional a la intensidad del campo F en la muestra: qU/ L F. y cmo ser el
diagrama de energa como en el caso del campo en la muestra si no es uniforme, i.e. si la intensidad
del campo F tiene diferentes valores en diferentes puntos de la muestra? Esta situacin es muy
comn cuando estudiamos los dispositivos semiconductores.

La figura 22 muestras un diagrama de energa para el caso donde el voltaje en la parte izquierda de la
muestra cerca del punto

caen mucho mas rpido que en la parte derecha cerca del punto

.
Podemos ver que

(16)

Es suficiente con echar una mirada al diagrama de energa para tener una idea viva de cmo la
intensidad del campo se distribuye en la muestra, sin embargo, no es ni una sola, ni la ventaja ms
importante del diagrama de energa.
Como podemos ver en la segunda parte de este libro, el diagrama de energa es especialmente til
cuando no solo el campo elctrico, sino tambin la difusin desempeada de un papel importante en
el movimiento de los portadores.


2.3 Difusin
La palabra difusin viene de la palabra en latn diffussio (desbordamiento, penetracin). Esta
nocin puede ser aplicada a gases, lquidos y slidos.
El olor de un perfume derramado en una habitacin se extiende por todo el piso, incluso si el
radiador esta desenchufado, la ventana este cerrada y todas las grietas sean calafateadas hasta hacer
42


que el aire este absolutamente inmvil, las molculas del perfume eventualmente penetraran en otras
habitaciones debido al proceso de difusin.
Una fina capa de sustancia que contiene una gran cantidad de impurezas se aplica a la superficie de
una placa de semiconductores completamente limpia de las impurezas, algn tiempo despus las
impurezas pueden ser encontradas en la placa del semiconductor muy lejos de la superficie, la
impureza se interna en la placa debido al proceso de difusin. La taza de difusin de impurezas en
un semiconductor incrementa mucho ms con el incremento de temperatura. A temperatura
ambiente esto tomara dcadas para que la impureza penetre en el volumen de un semiconductor,
pero cuando la temperatura es lo suficientemente alta, el proceso de fusin puede tomar unas
cuantas horas o incluso unos pocos minutos, (incidentalmente, la introduccin difusiva de
impurezas es ampliamente utilizado en la fabricacin de dispositivos semiconductores).
Qu hay en comn entre los fenmenos descritos arriba?
Es lo que hace a la esencia misma del proceso de difusin la penetracin espontanea de la
substancia, inafectado por cualquier otra influencia desde el lugar donde tiene una gran cantidad al
lugar donde su cantidad es escasa.
El proceso de difusin es una consecuencia directa del movimiento catico trmico de atomos (o
molculas), esto es muy importante para entender por que el movimiento catico desordenado de
partculas conduce al desplazamiento directo de la substancia desde una rea con densidad alta a una
rea con densidad baja. La respuesta es muy simple.
Vamos a discutir el caso con el perfume derramado.
Imaginemos un hemisferio que rodea el lquido derramado por el cual las molculas pueden penetrar
con bastante facilidad. Contaremos las molculas del perfume que pasan por la superficie del
hemisferio desde dentro y desde fuera, las molculas del perfume colisionaran con las molculas del
aire y se dispersaran en diferentes direcciones. Aquellos de ellos que se acercan a la superficie de
nuestro hemisferio imaginario, iniciaran en una determinada direccin, pudiendo atravesar la
superficie, si la densidad de las molculas del perfume eran iguales en ambos lados del hemisferio,
entonces la secuencia de molculas dirigidas afuera seria igual a la secuencia de molculas dirigidas
adentro.

Pero en nuestro caso las cosas son diferentes, la densidad de las molculas del perfume es mayor al
lugar donde el perfume ha sido derramado y este se hace ms pequeo cuanto mas nos movemos de
este (Fig. 23). Fuera de la superficie, la densidad del perfume ser mas baja que su interior, bajo la
influencia del movimiento catico, la misma fraccin de molculas que estn cerca de la superficie
de nuestro hemisferio imaginario cruzara en ambas direcciones desde el exterior e interior. La misma
fraccin pero de una cantidad diferente, porque la densidad es mas alta dentro del hemisferio que
fuera de este, por lo tanto un mayor numero de las molculas del perfume atravesara la superficie
desde el interior que desde el exterior. Una corriente de molculas se forma, directamente afuera la
corriente que apareci como un resultado de un movimiento catico. As es como el proceso de
difusin se forma, el proceso que resulta en la equiparacin de las densidades.

De lo que se ha dicho es evidente que cuanto mayor sea la densidad de diferencia en ambos lados de
nuestra superficie imaginaria, mayor ser la corriente molecular causada por la difusin. La diferencia
de densidades determina la relacin entre las dos corrientes movindose en direcciones opuestas, la
taza de cambio de densidad con la cordenada x es caracterizada por la derivacin de las densidades
con respecto a las coordenadas , por lo tanto el flujo difusivo de portadores se espera que sea
proporcional a

43

(17)

Por qu hay un signo menos antes de la parte derecha de la ecuacin?
La figura 25 nos ayudara a responder esta pregunta. Donde la derivada es positiva, el flujo se
dirige contra la direccin positiva del eje x y viceversa.
El factor de proporcionalidad D es llamado coeficiente de difusin.


2.3.1 Coeficiente de difusin

El coeficiente de difusin D en la ecuacin 17 es definido por la velocidad trmica de las molculas

y la duracin media de la ruta de acceso libre de las molculas . Movindose con la velocidad
trmica

, la molcula puede cubrir diferentes distancias entre las colisiones (Fig. 19), sin embargo,
la duracin media de la ruta de acceso libre l ciertamente iguales al producto de la velocidad trmica
y el tiempo medio entre las colisiones

:

L =

(18)

Mientras mayor sea l ms rara vez la molcula cambia su trayectoria despus de las colisiones con
otras molculas, en nuestro ejemplo con el perfume derramado, es obvio que si las colisiones con las
molculas del aire no imparten el movimiento de las molculas del perfume con carcter catico
ambulante, entonces, comenzando desde la superficie del perfume con una velocidad

, la
molecula del perfume podra llegar al extremo de la habitacin cuya duracin de L es en tiempo

. Pero en realidad, tomara mas tiempo en llegar. Las colisiones mas frecuentes con las
molculas del aire, el camino libre l mas corto, la difusin ms lenta de las molculas del perfume y
el menor coeficiente de difusin D.
Con el crecimiento de la velocidad trmica de las molculas

, es natural esperar que el coeficiente

de difusin crezca.
Una conclusin rigurosa muestra que el coeficiente de difusin D esta conectado con los valores

y l por una relacin muy simple:

D =

(19)

De la ecuacin 19 es obvio que la dimensin del coeficiente D es [D] =

.
Ahora, vamos a dejar atrs las molculas de perfume y volvamos a nuestros viejos amigos los
portadores libres en un semiconductor.
Hay una relacin simple entre el coeficiente de difusin de cualquier partcula y su movilidad.
Reescribiremos la ecuacin 19 como

D =

(20)

Y lo susitituiremos dentro del cuadro de la velocidad termica de la ecuacion (11)

D =

(21)

44


Comparando las ecuaciones (21) y (14) para la movilidad de las partculas, obtenemos

D =

(22)

Sabiendo el valor de la movilidad a una temoperatura dada, podemos encontrar facilmenmete de la
ecucacion (22) el valor del coeficiente de difusin.
La relacin entre el coeficiente de difusin y movilidad, establecido por la ecuacin (22), es valida no
solo para electrones y holes si no tambin para ulgunas partculas tanto cargadas y descargadas, ya
sea en movimiento del campo gravitatorio o del campo elctrico. Esta relacin es una reflejo vivo
del echo de que tanto el movimiento dirigido de partculas bajo la accin de fuerza y el proceso de
difusin es obstaculizado por uno y el mismo proceso por las coliciones de las partculas que se
producen en intervalos de tiempo medio

con la velocidad trmica promedio de partculas

.
La conexin entre el coeficiente de difusin y movilidad fue establecido por Albert Einstein, y la
ecucacion (22) es llamada la relacin Einstein.
Sustituyendo dentro de la ecucion (22) la constante Boltzmann y la craga del electron q, no es difcil
asegurarse que a temperatura ambiente (300 K) el valor kT/q sea igual alrededor de 0.026 V. por lo
tanto (miremos la tabla 2) a temperatura ambiente, el coefisiente de difusin de los electrones en
InSb esta alrededor de 0.2

/s de los electrones en Ge, esto es 0.01

/s, y en GaAs, 0.025

/s.


2.3.2 Corriente de Difusin

Supongamos que una parte de un semiconductor tiene una mayor densidad de portadores que las
secciones cercanas, esto podra pasar si una cierta seccin de un semiconductor se calienta o se
ilumina. Tal como ya sabemos, debido a la difusin, los electrones fuiran de la mas lata a la mas baja
regin de densidad, pero el flujo directo de electrones es por definicin una corriente elctrica.
Sabiendo la distribucin de los portadores n(x), podemos encontrar faciolmente la densidad de la
corriente de difusin.

(23)


La densidad de la corriente de difusin es igual al flujo de densidad de los portadores de carga
definidos por la ecucacion (17) multiplicados por la carga del electron.
En el calculo de la corriente de difusin, debemos tener en cuenta a la carga de los portadores cuyo
comportamiento esta en estudio. Si la carga es negativa (los electrones), aunque el flujo de electrones
se dirigirn hacia la regin de la menor densidad del portador, la corriente de difusin del electron
fluir en la direccin opuesta hacia la densidad ms alta:

|q|

, en esta ecuacin,

es el coeficiente de difusin de los electrones.

Si la carga es positiva (los holes), la direccin de la corriente de difusin es la misma como la del
flujo del hole hacia la densidad mas baja:

-|q|

, donde

es el coeficiente de
difusin de los holes.
La corriente de difusin es una corriente real no distinta que la corriente que aparece bajo la accin
del campo elctrico F, al pasar, esta produce calor Joules, al igual que la corriente de conduccin (i.e.
45


la corriente que aparece bajo la accin del campo elctrico). La corriente de difusin causa la
desviacin de la aguja magnetica.
La corriente de difusin juega un papel muy importante en el trabajo de la mayora de los
dispositivos semiconductores.


2.3.3 Difusion de Longitud

Supongamos que podemos ver el movimiento de un simple portador, melectron o hole,
colisionando con las impurezas, decetos, y las oscilaciones trmicas de la red, los portadores
caticamente apresurados, cambiando despus de cada solision la direccion de su movimiento (Fig.
24). Entre colisiones, el portador (para el bien de la claridad en el futuro, nosotros hablaremos del
electron) cubre la distancia igual que el camino libre medio l.a que distancia (L) del punto de inicio
el electron estar despus de las colisiones N?

Este problema de random wandering es conocido en estadsticas matematicas como el camino del
borracho, tanto para el borracho y el electron (aunque por razones diferentes) la direccin del
siguiente paso es bastante impredecible y no depende del paso previo. Por lo tanto, el problema que
nos interesa se puede formular por la siguiente manera: hasta que punto mas alla del punto de
partida ira el hombre borracho despus de haber dado N pasos, cada paso de largo l?
No hace falta decir quer si no hablamos del borracho, la respuesta ser muy evidente: haber echo N
pasos, cada paso de N longuitud, el hombre estara en la distancia L = Nl del punto de partida. Pero
de la figura 24 y denuestra experiencia de observacin propia, sabemos que el camino recorrido por
el borracho despus de haber dado N pasos ser mas corto.
Una solucin simple aunque un poco engorroso muestra que para el hombre borracho (y para el
electron) despus de N pasos, cada paso de l distancia, la distancia recorrida ser

L= (23)
Vamos a reformular la ecucion (23) de otra forma. Que el movimiento de los electrones en una
cierta direccin bajo la accin de difusin durante el tiempo t. durante ese tiempo, en promedio,
cada electron hara N=t/

pasos de l distancia, donde

es el tiempo medio entre las colisiones, l

es la longitud del camino libre. Por lo tanto, en promedio, el camino recorrido bajo la accin de
difusin durante el tiempo t ser igual a (mirar ec. (18)):

L

(24)

La ecuacin (24) establece una dependencia inusual de distancia-tiempo. De acuerdo con la ecuacin
(24), el tiempo necesario para convertir la distancia L en cuenta de difusin es proporcional a

(25)

Los tamaos de los dispositivos semiconductores modernos son obtenidos por medio de un
micrmetro (

o incluso una fraccin de un micormetro. Asumiendo que el valor de D =

/s (ver la seccin previa), concluiremos que el electron cubrir una cantidad de camino de
46


difusin L

m durante un tiempo de

s y el camino L

m durante

s, por lo
tanto, en dispositivos modernos la transportacin de difusin es un rpido e importante proceso.
En algunos tipos de dispositivos, un cierto tipo de difusin, la difusin de los portadores en exceso
(no equilibrio), juega un papel muy importante. La pecularidad de estos tipos de difusin es que el
no equilibrio de los portadores, mientras que la difusin, a la misma vez se mueve lejos del lugar de
su introduccin en el semiconductor, y luego perecen (recombinacin).
Como estudiamos en la seccin 1.3.3 (recombinacin a travez de niveles de profundidad), el proceso
de recombinacin, hemos establecido lo siguiente: si mediante la iluminacin de un semiconductor,
creamos exceso de portadores, despus de que la luz se ha apagado, la concentracin del exceso d
eportadores disminuir. Su vida , el tiempo que tarda el exceso de portadores en recombinarse,
depende en naturaleza del semiconductor, del tipo y de la densidad de las impurezas de profundidad
en el material, y se encuentra entre los lmites de

s.
Vamos a discutir el experimento representado en la figura 25, la muestra del semiconductor
iluminado por una luz con un cuanto de energa , que es mayor que la energa para formar pares
de electron-hole Eg. La muestra de la superficie es cubierta por una placa de metal con una abertura
en ella, la luz no penetra a travez del metal, por lo que el par electron-hole creado por la luz aparece
solo directamente bajo la raura (Fig. 25a).

Cuando encendemos la luz y luego la apagamos (Fig. 25b), asumimos que el flash es tan corto que
los electrones que aparecen bajo la accin de luz no tienen tiempo para difundirse bajo la influencia
de la difusin o recombinacin. En este caso, la distribucin de electrones inmediatamente despus
del fin del pulso de la luz corresponder a al curva 1. Que pasara con ele exceso de electrones no
equilibrio siguientes?
Como sabemos, los portadores no/equilibrio se recombinaran (morir) con una caracterstica de vida
. Adems, estas viajaran bajo la accin de difusin de la regin de mayor densidad a la regin de
menor densidad. Las curvas 2-4 (Fig. 25b) indican lo que ocurre con el paquete del exceso de
portadores debido a la accin conjunta del proceso de ambos, recombinacin y difusin.
Los electrones, creados por la luz, se recombinan durante el tiempo de la orden de , de acuerdo a la
ecuacin (24) al morir tienen tiempo para pasar de la regin iluminada donde aparecieron a la regin
de la sombra donde cubre la distancia de la orden de la longitud de difusin

(26)

Ahora vamos a conducir el seguimiento del experimento. Cuandpo encendamos la luz y la dejemos
encendida por un periode de tiempo indefinido (Fig. 25c), inmediatamente despus que la luz haya
sido encendida, los electrones no equilibrio existirn solo en la regin iluminada (curva 1). Entonces
el paquete de electrones comenzara a fundirse debido a la difusin, aunque el proceso de generacin
de los portadores por la luz dominara sobre el proceso de recombinacin. La concentracin en la
regin iluminada todava incrementara (curvas 2 y 3). La curla 4 corresponde al estado estacionario.
La distribucin de electrones corresponde a la curva 4 se mantendr estable mientras la luz se
encuentre encendida. El nmero de portadores creados por la luz es exactamente el mismo que el
numero de portadores perdidos debido a la recombinacin. En cada punto el numero de portadores,
entregados por difusin de regiones cercanas con una concentracin alta, es igual a la suma de los
nmeros de portadores dejando este punto para la region cercana con una concentracin baja y en
numero de portadores recombinados.
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Los portadores no equilibrio, creados en la regin iluminada, penetran en la regin sombreada en
cuanto a varias longitudes de difusin

.
La figura 25 (d) indica lo que pasara si la luz es desconectada. La recombinacin de portadores no
equilibrio, el proceso de recombinacin tomaria un tiempo


2.4 Sumary

Los portadores libres estn en un estado de movimiento catico al azar, que es muy rpido. Bajo
condiciones inusuales la velocidad promedio de cada movimiento catico es de

m/s. el
campo elctrico causa una deriva dirigida de portadores que es anadida al movimiento catico. Si el
campo es dbil, la velocidad media de la deriva es proporcional al campo elctrico (ley de ohms). En
un campo fuerte, la velocidad de la deriva de portadores es saturada. Si la concentracin de
portadores libres en el semiconductor es no-uniforme, entonces parece la difusin, un flujo de
portadores dirigidos de una regin de densidad alta a aquellas regiones dondddddde la densidad es
baja.





Parte II

Barreras y Uniones


En la primera parte de este libro dimos mucha informacin acerca de las propiedades de los
semiconductores que son llamadas propiedades de volumen. Que en el conocimiento es bastante
escencial para el entendimiento del trabajo de cualquier dispositivo semiconductor.
Sin embargo, el conocimiento es insuficiente para comprender los trabajos principales de diodos y
transistores. En el trabajo de diodos y transistores, en mejor papel es jugado por el fenmeno
llamado efectos de limite. Los naturales mas inevitables para cualquier dispositivo, cualquier
estructura del semiconductor los limites son la frontera entre el semiconductor y su medio
ambiente (aire o vacio). Para que nuestro conocimiento de estos nuevos rangos de problemas,
empezaremos por estudiar estos limites. El conocimiento de las propiedades de los limites facilitara
en gran medida el entendimiento de cualquier otro fenmeno de limites, por no hablar del echo de
que esas propiedades son mas interesantes por si mismas como tales.








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Capitilo 3

La Barrera en los Lmites del Cristal

Estoy en prisin, detrs
de los barrotes

Alexander Pushkin
1799 1837


Asumamos que hay una pieza de un semiconductor o metal enfrente de nosotros, y sabemos que
hay un cierto nmero de electrones libres (electrones de conduccin) en este. Si este es un metal,
cada centmetro cubico de este contendr

electrones libres. Por otra parte, no hay

prcticamente electones libres en el medio circundante (el aire) (Fig. 26a). Siendo conciente del
fenmeno de difusin, entendemos que de acuerdo a cada criterio y a cada regla, debe figurar un
flujo de difusin de electrones del metal que son numerosas en el aire que prcticamente no tienen
todos los electrones. Y al igual que la piscina del perfume derramado se evapora, los electroens libres
del metal o del semiconductor debe evaporarse algn tiempo despus.
Por otra parte, podramos fcilmente calcular el tiempo en que los electrones deberan haber dejado
el cristal. Por orden de magnitud, el tiempo es igual al tiempo de la difusin del electron a traves del
cristal.

, donde L es el tamao del cristal y D es el coeficiente de difusin. Los manuales

suelen contener los valores de la smobilidades de los electrones en diferentes materiales. Por decir,
para oro (Au), la movilidad es

/ (V.s). Usando la relacin Einstein (22), encontramos

que el coeficiente de difusin en Au esta alrededor de 0.75

/s. por lo tanto, de una pieza de oro

cuyo tamao es de 1cm, los electrones de conduccin tendrn que desaparecer a causa de la difusin
durante un periodo de tiempo t=1.3s.
Pero, en realidad, nada de esto sucede en todo. Y los adornos de oro de troya que estn alrededor de
3 mil aos, e incluso los nativos son de oro, que haban logrado refugiarse en el aire millones de aos
conteniendo la misma concentracin de electrones de conduccin como una barra de oro recin
salida del horno de fundicin.


3.1 Funciones de Trabajo

Que es lo que impide que los electroens salgan del metal?
Pensando en que llegamos a la conclusin en que la lnea de demacracin entre el cristal y el medio
circundante (para areas de simplicidad empezaremos a considerar el tiempo para el vacio) el electron
debe ser afectado por una cierta fuerza evitando que deje el cristal, esta fuerza actua sobre el cristal
en la cercana del borde y desaparece a cierta distancia de la frontera, tanto fuera del cristal como
dentro de el (Fig. 26b).
Es evidente que la fuerza de sujecion de las partculas cargadas electrons- es el campo elctrico, por
lo tanto la Fig. 26(b) nos muestra una vision cualitativa de la distribucin del campo elctrico cerca
de la superficie del cristal.
La misma idea de fuerza previniendo los electrones al salir del cristal pueden se fcilmente
demostrados en el lenguaje de diagrama de bandas (Fig. 26c).
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Imaginemos que un electron en el cristal se acerca a la frontera, la velocidad del electron es
directamente perpendicular a la frontera, el electron tiende a salir del cristal, pero, tan pronto que
entre en la zona afectada por la fuerza manteniendolo dentro del cristal (Fig. 26b), su
fuerza comienza a disminuir. Pero si la particula se mueve en la regin afectada por la fuerza ,
dirigido contra el movimiento, a fin de superar esa fuerza y cubrir la distancia , la particula podra
realizar el siguiente trabajo . La energa cinetica de la particula disminuir
por el valor . Si la energa cinetica E de la particula que ha fluido hasta la frontera no es grande,
la particula pasara esta energa muy cerca, movindose sin el campo de la fuerza de frenado
. Su energa se redusira a cero, entonces el electron volver hacia atrs, y se acelerara bajo la accin
de la misma fuerza, fluyendo de forma recta en el cristal.
La energa cinetica mayor del electron volando arriba de la frontera, cuanto mas se penetra en el area
de la fuerza de frenado se actua.
Finalmente, podemos imaginar que habr un gran electron energtico que podr seguir toda la
longuitud e la regin donde la fuerza de frenado esta actuando y volando fuera de el. El minimo
de energa cinetica del electron debe tener para realizar lo que se llama funcin de trabajo y es
usualmente designada por la letra Greek (Fig. 26c). Este trabajo es ciertamente igual a la diferencia
entre la energa del electron en reposo al vacio

y que del electron en reposo en el cristal

.
Asi, para dejar el cristal, el electron debe superar el potencial de barrera de un alto .

Como aparece la fuerza que posee el electron sin el cristal?
O, en otras palabras, cual es la naturaleza de la funcin del trabajo?


3.1.1 Volver, Regresar, yo te llamo de vuelta

Los primeros intentos de explicar la naturaleza fsica de la funcin del trabajo se realizaron a
p`rincipios del siglo 20 por dos destacados cientficos: el cientfico alemn Walter Shottky y el
americano Irwing Langmuir. Su idea era muys simple, tan pronto el electron sale del cristal, la ultima
que hasta ese momento era electricamente neutra se convierte en positiva. Y, como es natural, esta
inicia a atraer a los electrones cargados negativamente, y tiende a atraerlos de vuelta.
a fin de superar la atraccin y volar lejos, el electrn que ha dejado el cristal debe poseer una energa
cintica determinada, su valor minimo ser evidentemente igual al trabajo donado por el electron al
dejar el cristal, como un mecanismo de formacin de la barrera elctrica en la frontera,
evidentemente, debe existir en todos los materiales.
Langmuir y Schottky calcularon el valor esperado de la funsion del trabajo para metales, se encontr
que para superar la fuerza de atraccin y dejar el cristal, el electron tendra que gastar una energa de
1 a 2 eV.
Sin embargo, el mecanismo, considerado por Langmuir y Schottky, demostr no ser la nica causa
de prevencin del electron en la salida del cristal.



3.1.2 Doble Capa (dipolo) de carga