UNIVERSIDAD AUTNOMA DE AGUASCALIENTES CENTRO DE CIENCIAS BSICAS INGENIERA EN SISTEM

AS COMPUTACIONALES DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRNICOS ELECTRNICA I PRCTICAS DE LA

BORATORIO PRCTICA 1: CARACTERISTICAS DEL DIODO DE UNIN
ALUMNOS: VICTOR AARN ARELLANO LUCIO MAYRA ALEJANDRA VALOS ALBA JORGE EDUARDO DE LA
TORRE BERNAL JUVENTINO SAUCEDO NAVARRO
GRADO Y GRUPO: 7 B EDIFICIO: 58-C
AGUASCALIENTES, AGS., A 7 DE SEPTIEMBRE DE 2010

Tabla de contenido
OBJETIVO: ......................................................................
................................................................................
.................. 2 MARCO TERICO ...............................................
................................................................................
.............................. 2 PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS ....................
................................................................................
................................. 5 CONCLUSIONES:...............................
................................................................................
................................................ 8 FUENTES DE INFORMACIN ........
................................................................................
..................................................... 8
Practica
#1.
CARACTERISTICAS DEL
DIODO DE
UNION
OBJETIVO:
Verificar un diodo usando un hmetro. Medir y anotar las tensiones de polarizacin i
nversa y directa del diodo semiconductor. Graficar las curvas caractersticas de u
n diodo usando voltajes y corrientes de polarizacin directa e inversa.
MARCO TERICO
Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y
n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ningu
no de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal
, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los
dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). El diodo
semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar,
prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones
de silicio (la ms utilizada) y de germanio.
Smbolo del diodo (A - nodo, K - ctodo) Los diodos constan de dos partes, una llamad
a N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta b
arrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproxima
damente en el diodo de silicio. Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga esp

acial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es de
cir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo
est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nod
o del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar qu
e: El polo positivo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con
lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo negativo de la bate
ra atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entr
e los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de c
arga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficient
e para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplaza
do hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zo
na p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrad
o por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al f
inal del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y no llega h
asta la batera. Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo posi

tivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se
explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres
de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor de
ntro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al ve
rse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (
8 electrones en la capa de valencia) y una carga elctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones l
ibres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalent
es con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el
electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libr
es cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de va
lencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. En es
ta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efec
to de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produc
iendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de satu
racin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficient
es tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener esta
bilidad. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corrient
e superficial de fuga no es despreciable. Curva caracterstica del diodo
Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera d
e potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de
cara espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la b
arrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente lieram
ente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embaro, cuando la tensin externa super
a la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen randes variaciones de la intensidad de corrien
te. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conduci
r el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de
calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corrie
nte inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polariz
ar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temper
atura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fuas. Es la pequea corriente que circula por la superfi

cie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin apli
cada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial
de fuas. Tensin de ruptura (Vr o PIV). Es la tensin inversa mxima que el diodo pu
ede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar invers
amente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad,
a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupt
a la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, c
omo los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalanc
ha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se eneran pares electrn-hueco qu
e provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los
electrones se aceleran incrementando su enera cintica de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos el
ectrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms
electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente rande. Este fenmeno se produce para valores
de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopad
o est el material, menor es la anchura de la zona de cara. Puesto que el campo e
lctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuan
do el diodo 5 est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser rande
, del orden de 310 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se prod
uce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ru
ptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos ef
ectos.
PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS
Material y/o equipo utilizado Multmetro. 2 Diodos 1N4001. Resistencia 10K. Fuente
. PARTE I. RESISTENCIA DEL DIODO Checar que el diodo este en buen estado, midindo
lo con el Multmetro y adems checando la resistencia en inversa y en directa. Anota
r sus resultados. VD(volts) RESISTENCIA RESISTENCIA POL. POL. DIRECTA INVERSA D1
0.57 6.7M D2 0.51 4.97M Armar el circuito de la siuiente fiura. 10k
Variar el voltaje de la fuente hasta que casi no haya variacin en el voltaje del
diodo. Medir la corriente y por medio de la ley de ohm calcular la resistencia e
n polarizacin directa. Invierta la fuente y mida el voltaje en el diodo y la corr
iente, calcular la resistencia en polarizacin inversa.
2
V1
1

= =
= =
6.33 0.57 0 =
= 11.10
PARTE II. Curva caracterstica de diodo. Variar el voltaje de la fuente de 0 a 15V
con incrementos de 0.5 V Medir el voltaje y la corriente en el diodo. Graficar
sus resultados.
Directamente Vi 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Vd(Volts) 0.18 0.43 0.47 0
.49 0.51 0.52 0.53 0.54 0.54 0.55 0.56 0.56 0.57 0.57 0.58 0.58 Id(mA) 0 0.062 0
.157 0.25 0.345 0.44 0.54 0.63 0.73 0.83 0.93 1.03 1.13 1.18 1.23 1.36
Vd vs. Id en polarizacin directa
1.5
1
0.5
0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 Variar el voltaje de la fuente de voltaje desde
-0 a -15V con variaciones de -0.5V Al iual que en la polarizacin directa medir e
l voltaje y la corriente en el diodo y raficar los resultados. Inversamente Vol
taje(Volts) Vd(Volts) Id(mA) 0 0 0 1 -1.12 0 2 -2.04 0 3 -3.06 0

4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
-4.06 -5.02 -6.1 -7.07 -8.09 -9.02 -10.22 -11.04 -12.05 -13.08 -14.11 -15.14
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Vd vs. Id Polarizacin Inversa
0 0 -5 -10 -15 -20 2 4 6 8 10 12 14 16
PARTE III. COMPUERTAS CON DIODOS Armar los circuitos de las siuientes fiuras.
5V
5V
5V Vx
2 1
10k
Vx
1
2
5V
5V Vy
2 1 +
Vy
1
2 +
Vs
10k
Vs
Fiura1
Fiura2
Llenar las siuientes tablas con los resultados del voltaje medido en cada circu
ito para cada caso. Vx Vy Vs 0 0 0.5068 V 0 5 0.5425 V 5 0 0.5359 V 5 5 5.108 V
Tabla para la fiura 1 Vx 0 0 5 5 Tabla para la fiura 2 Vy 0 5 0 5 Vs 0 4.58 V
4.58V 4.61V

CONCLUSIONES:
Al polarizar un diodo se comporta similar al funcionamiento de un interruptor, p
articularmente en polarizacin directa el diodo se comporta como el interruptor ce
rrado (o como en corto circuito), es decir, permite la circulacin de la corriente
en el sistema, en cambio en polarizacin inversa acta como un interruptor abierto
por lo que no permite el flujo de electrones en el tramo en que se encuentre imp
lantado. Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de las ms comunes es el
proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.D.). En
este caso se utiliza el diodo como rectificador. Un diodo acta tambin hasta cierto
punto como un condensador o capacitor variable, controlado por una diferencia d
e potencial (Voltaje de umbral). Cuando se rafica el comportamiento del diodo e
n polarizacin directa se obtiene una respuesta exponencial creciente.

FUENTES DE INFORMACIN
Diodos semiconductores. Electrnica Fcil. http://www.electronicafacil.net/tutoriale
s/Diodos-Semiconductores.php Diodo semiconductor. Electrnica Unicrom. http://www.
unicrom.com/Tut_diodo.asp Diodo. Wikipedia la enciclopedia libre. http://es.wiki
pedia.or/wiki/Diodo