Anda di halaman 1dari 7

Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 Jurusan Fisika FMIPA ITS

Surabaya, 3 Nopember 2009


PENGARUH DAYA RF TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS
a-Si:H YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE
HWC-VHF-PECVD

Elang Jaka Sobirin, Satwiko Sidopekso


Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Universitas Negeri Jakarta (UNJ)
Jl. Pemuda No. 10, Rawamangun, Jakarta 13220
E-mail: elang.jaka.s@gmail.com

Toto Winata
Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Laboratorium PECVD, Institut Teknologi Bandung (ITB)
Jl. Ganesa 10, Bandung 40132

Abstrak
Silikon amorf terhidrogenisasi (a-Si:H) merupakan material non-kristalin yang dapat diaplikasikan
pada devais sel surya. Dalam penelitian ini lapisan tipis a-Si:H ditumbuhkan dengan gas silan
(SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) sebagai sumber gas dengan menggunakan metode Hot Wire
Cell Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HWC-VHF-PECVD)
diatas substrat gelas corning 7059 pada frekuensi radio 70 MHz dengan daya yang bervariasi, yaitu
10, 15, 20, 30 dan 40 Watt, serta penambahan filamen panas dengan suhu 800 oC yang terintegrasi
dalam sistem gas masukan. Konduktivitas lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan pada daya 15
Watt menghasilkan sensitivitas penyinaran sebesar 4,63x105. Hasil karakterisasi juga menunjukan
bahwa laju deposisi meningkat dari 2,73 Å/s sampai 6,80 Å/s dengan meningkatnya daya rf dari 10
sampai 40 Watt.
Kata kunci: a-Si:H, Sensitivitas Penyinaran, HWC-VHF-PECVD, Daya rf

Abstract
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a non-crystalline material which can be
applied for a solar-cell device. In this research, a-Si:H thin film was deposited by 10%
silane gas (SiH4) in Hydrogen (H2) as the gas source using the method of Hot Wire Cell
Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HWC-VHF-PECVD)
on the surface of 7059 corning glass substrate at the radio frequency of 70 MHz, various
power of 10, 15, 20, 30 and 40 Watts, and the addition of hot wire filament with
temperature of 800 oC integrated inside the gas inlet system. The conductivity of the films
deposited at 15 Watts resulted in the best photosensitivity of 4.63x105. The characterization
result also showed that the deposition rate increased from 2.73 Å/s to 6.80 Å/s as the rf
power increased from 10 to 40 Watts.
Keywords: a-Si:H, Photosensitivity, HWC-VHF-PECVD, rf Power

1. Pendahuluan satu penyebab mahalnya biaya produksi c-


Perkembangan pembuatan material Si [6].
berbasis amorf silikon (a-Si) sebagai Material a-Si dapat tumbuhkan
material yang menggantikan kristal silikon dengan metode Plasma Enhanced
(c-Si) ataupun poli silikon (poli-Si) dalam Chemical Vapor Deposition (PECVD)
aplikasi beberapa bahan semikonduktor dengan memanfaatkan plasma sebagai
terus berkembang. Material berbasis amorf media penumbuhannya. Pada metode ini
lebih unggul dalam hal biaya punumbuhan yang menggunakan gas Silan (SiH4)
material tersebut. Tingginya temperatur sebagai gas sumber yang terkandung 10%
penumbuhan (>1000 oC) menjadi salah dalam gas Hidrogen (H2) dan didapatkan

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-1


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009
Surabaya, 3 Nopember 2009
material amorf silikon dengan kandungan radikal-radikal yang lebih sederhana.
hidrogen sekitar 10-20% [4], sejak saaat itu Dengan demikian, dapat diperoleh lapisan
material ini dikenal dengan nama amorf a-Si:H dengan laju deposisi yang tinggi.
silikon terhidrogenisasi (a-Si:H). Selain itu, ketidakhomogenan tegangan
antar elektroda yang ditimbulkan oleh
frekuensi yang sangat tinggi diharapkan
tidak memberi pengaruh yang besar pada
homogenitas lapisan a-Si:H yang
dihasilkan, karena gas-gas yang akan
diuraikan oleh daya rf sudah berbentuk
spesies-spesies yang tidak stabil.

Gambar 1. Struktur atom (a) c-Si, (b) a-Si 2. Eksperimen


dan (c) a-Si:H [7]. Lapisan tipis a-Si:H dalam studi ini
ditumbuhkan di atas gelas corning 7059
Pengembangan teknik penumbuhan dengan menggunakan sistem HWC-VHF-
PECVD terus berkembang dengan pesat PECVD yang terdiri dari chamber
selain penumbuhan material amorf silikon stainless stell berdiameter 8 inci dan tinggi
paduan (a-SiC:H, a-SiGe:H, a-SiN:H). 12 inci tipe SS-304 dengan tingkat
Perkembangan teknik itu adalah PECVD kevakuman sekitar -25 mTorr.
chamber ganda, VHF-PECVD, HW- Di dalam chamber ditambahkan
PECVD, HWC-PECVD dan HWC-VHF- filamen dari kawat tungsten dengan
PECVD (perkembangan di Laboratorium diameter 1,2 mm diletakkan sejajar dengan
Fisika Material Elektronik PECVD, substrat dan terintegrasi dengan sistem gas
Departemen Fisika, Institut Teknologi masukan. Kawat tungsten dibuat berbentuk
Bandung) . spiral (lilitan) dengan diameter 5,0 mm dan
Secara umum metode HWC-VHF- panjang 20 mm yang berfungsi sebagai
PECVD hampir sama dengan metode hot-wire dan dipanaskan dengan
PECVD konvensional. Hanya saja dengan menggunakan sumber arus tetap.
meningkatkan frekuensi pembangkit daya Pengukuran suhu filamen panas ini
rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz dan dilakukan dengan alat tambahan yaitu
menambahkan filamen panas berupa Infrared Pyrometers dengan tingkat
tungsten wire pada sistem gas masukkan intensitas penyinaran sebesar 5% untuk
yang sejajar substrat, sehingga gas Silan material tungsten.
(SiH4) akan lebih radikal pada saat Perbedaan konfigurasi chamber
memasuki daerah elektroda karena pada PECVD konvensional dan HWC-
terdisosiasi terlebih dahulu oleh elemen VHF-PECVD dapat dilihat pada gambar 2.
pemanas. Perbedaan tersebut terdapat pada besarnya
Filamen yang terletak dalam sistem frekuensi pembangkit daya rf, peletakan
gas masukan dan peletakannya jauh dari sistem gas masukan dan penambahan
substrat akan membuat molekul-molekul filamen panas yang terintegrasi dalam
gas terlebih dahulu diuraikan oleh filamen sistem gas masukan.
panas sebelum memasuki kawasan Penumbuhan material a-Si:H
elektroda. Diperkirakan bahwa molekul- memiliki beberapa parameter optimasi
molekul yang memasuki kawasan yang menentukan sifat-sifat fisis yang
elektroda sudah berbentuk spesies-spesies dihasilkan. Parameter optimasi tersebut
tidak setabil, sehingga medan listrik yang adalah:
dihasilkan dari pembangkit daya rf 70 1. Laju aliran gas Silan (SiH4).
MHz dapat lebih mudah membantu proses 2. Tekanan chamber.
penguraian spesies-spesies menjadi 3. Temperatur substrat.

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-2


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 Jurusan Fisika FMIPA ITS
Surabaya, 3 Nopember 2009
4. Frekuensi rf. itu memvakumkan chamber sesuai dengan
5. Daya rf. parameter penumbuhan dan memanaskan
6. Tegangan filamen. substrat yang telah diletakkan di elektroda
7. Temperatur filamen. negatif dengan menggunakan Load Lock.
8. Lama deposisi. Setelah substrat mencapai kestabilan suhu
Tahapan optimasi ini terus dioptimalkan penumbuhan. Dilanjutkan dengan
untuk mendapatkan material a-Si:H yang mengalirkan gas SiH4 diteruskan dengan
berkualitas baik. menghidupkan daya rf pada frekuensi 70
MHz dan mengatur tekanan penumbuhan.
Tabel 1. Parameter penumbuhan lapisan 3. Deposisi.
tipis Setelah plasma terbentuk ditandai
Parameter optimasi HWC-VHF- dengan adanya sinar warna ungu,
PECVD dilanjutkan dengan menghidupkan filamen
Laju aliran gas SiH4 70 sccm panas dengan tegangan 4,5 V, pengukuran
Tekanan deposisi 300 mTorr temperatur filamen dengan Infrared
Temperatur substrat 275 oC Pyrometers. Setelah semua selesai,
Frekuensi rf 70 MHz
deposisi siap dilakukan. Perhitungan
Daya rf 10-40 Watt
Tegangan filamen 4,5 Volt
lamanya deposisi dimulai pada saat
Temperatur filamen 800 oC membuka penutup substrat (shutter).
Lama deposisi 5400 s

Gambar 3. Skema perpipaan PECVD


ganda [7].
Gambar 2. Skema chamber (a) PECVD
dan (b) HWC-VHF-PECVD [8].

Penumbuhan lapisan tipis a-Si:H terbagi


menjadi 3 tahapan, yaitu:

1. Preparasi substrat.
Substrat gelas corning dibersihkan
dengan alkohol 70% dan disemprotkan
dengan gas Nitrogen (N2) hingga substrat Gambar 4. Keadaan di dalam chamber (a)
bersih dan tidak ada lagi titik-titik debu tanpa hot-wire dan (b) dengan hot-wire.
dan kotoran yang melekat pada permukaan
substrat. Karakterisasi dilakukan dengan
transmitansi UV-Vis untuk mengetahui
2. Pradeposisi. ketebalan lapisan, koefisien absorpsi dan
Menghidupkan mesin reaktor celah pita optik. Karakterisasi selanjunya
PECVD, membersihkan chamber dan adalah pengukuran konduktivitas untuk
mengalirkan gas N2 agar chamber reaktor mengetahui konduktivitas gelap,
bersih dan siap dilakukan deposisi. Setelah konduktivitas terang dan nilai sensitivitas

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-3


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009
Surabaya, 3 Nopember 2009
penyinaran. terbentuk pada permukaan pertumbuhan
saat deposisi berlangsung. Cacat seperti ini
3. Hasil dan Pembahasan lebih banyak cacat ekor pita (band-tail
Konduktivitas defect) yang menghambat mobilitas
Konduktivitas adalah ukuran pembawa muatan pada pita energi, yang
kemampuan lapisan tipis tersebut dalam diketahui sebagai penyebab menurunnya
menghantarkan arus listrik. Pengukuran nilai konduktivitas lapisan.
konduktivitas sebelumnya telah melalui Pada lapisan tipis a-Si:H yang
tahapan metalisasi untuk menumbuhkan ditumbuhkan pada daya rf 10 Watt nilai
kontak logam pada lapisan tipis dengan konduktivitas terang dan konduktivitas
menggunakan teknik evaporasi. gelap tidak menunjukkan perbedaaan yang
Konduktivitas yang mencakup signifikan. Ini dimungkinkan terdapat
konduktivitas gelap (pengukuran tanpa banyak cacat pada ekor pita yang
disinari) dan konduktivitas terang menghambat mobilitas pembawa muatan
(pengukuran dengan disinari) yang diukur pada pita energi sehingga pada saat
dengan metode dua titik (Coplanar). diberikan penyinaran arus yang dihasilkan
Pengukuran dilakukan dengan tidak jauh berbeda seperti arus yang
menggunakan Fluke 8605A (Voltmeter) dihasilkan pada pengukuran konduktivitas
dan Keithley 617 (Amperemeter). gelap. Lain halnya dengan lapisan yang
ditumbuhkan dengan daya 15 Watt,
Tabel 2. Hasil pengukuran konduktivitas walaupun terjadi penurunan nilai
Daya Konduktivitas Konduktivitas konduktivitas gelap dan terangnya tetapi
(Watt) Gelap Terang pemberian cahaya pada saat pengukuran
(S/cm) (S/cm) konduktivitas terang memberikan nilai
10 2,70 x 10-4 2,66 x 10-4 yang sangat signifikan. Ini
15 4,36 x 10-11 2,01 x 10-5 mengindikasikan adanya perbaikan
20 2,88 x 10 -12
6,35 x 10-7 struktur lapisan yang ditumbuhkan pada
daya 15 Watt. Hal ini juga diperkuat
30 1,51 x 10-10 8,97 x 10-6
-10 dengan meningkatnya celah pita optik
40 2,53 x 10 1,01 x 10-5
seperti pada gambar 9 dari 1,68 eV
menjadi 1,69 eV seiring meningkatnya laju
deposisi dari 2,73 Å/s menjadi 3,03 Å/s
seperti pada gambar 8.
Pada lapisan yang ditumbuhkan
dengan daya 20 Watt konduktivitas gelap
dan terangnya kembali menurun meskipun
daya rf ditingkatkan. Hal ini mungkin
disebabkan meningkatnya keadaan-
keadaan terlokalisasi (localized states)
yang meningkat akibat tingginya laju
deposisi sehingga menyebabkan
terperangkapnya atom hidrogen (H2). Hal
Gambar 5. Konduktivitas sebagai fungsi ini diperkuat dengan meningkatnya laju
daya rf deposisi dari 3,03 Å/s menjadi 3,24 Å/s.
Konduktivitas mulai meningkat
Penurunan nilai konduktivitas pada pada lapisan yang ditumbuhkan dengan
laju deposisi yang tinggi diduga keadaan- daya 30 dan 40 Watt. Pada keadaan ini
keadaan cacat banyak terbentuk pada laju lebih didominasi pada perbaikan struktur
deposisi yang cukup tinggi. Hal ini akibat dan keadaan-keadaan celah pita optik.
ketidakteraturan ikatan-ikatan yang Pada keadaan ini banyak mempengaruhi

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-4


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 Jurusan Fisika FMIPA ITS
Surabaya, 3 Nopember 2009
perbaikan nilai konduktivitas.

Sensitivitas
Sensitivitas didapat dari rasio
antara konduktivitas terang dan
konduktivitas gelap. Sensitivitas
penyinaran memberikan informasi
kepekaan lapisan terhadap cahaya saat
diberi penyinaran. Nilai sensitivitas
tertinggi 4,63x105 untuk lapisan yang
ditumbuhkan pada daya 15 Watt.
Gambar 7. Hasil pengukuran UV-Vis.
Sensitivitas terendah dihasilkan pada daya
10 Watt sebesar 0,95. Berikut adalah
Dari hasil didapat bahwa laju
gambar hasil perhitungan dari nilai
deposisi meningkat dari 2,73-6,80 Å/s
sensitivitas penyinaran. Nilai sensistivitas
dengan meningkatnya daya rf dari 10-40
penyinaran yang baik untuk digunakan
Watt. Dari hasil dapat diketahui bahwa
untuk aplikasi sel surya ketika memiliki
pada daya rf yang tinggi, reaksi pada
sensitivitas penyinaran sebesar 103 [6].
permukaan pertumbuhan akan lebih cepat
membentuk lapisan. Selain itu laju deposisi
yang tinggi akan menekan biaya
pertumbuhan karena gas sumber reaktan
akan lebih sedikit digunakan .

Gambar 6. Sensitivitas penyinaran sebagai


fungsi daya rf.

Laju Deposisi
Laju deposisi ditentukan dengan Gambar 8. Laju deposisi sebagai fungsi
mengukur ketebalan lapisan persatuan daya rf.
waktu dengan menentukan nilai
transmitansi maksimum dan transmitansi Celah Pita Optik
minimum dari hasil karakterisai dengan Penentuan celah pita optik dapat
UV-Vis. ditentukan melalui spektrum transmitansi
UV-Vis dengan metode Tauc Plot.
Spektroskopi UV-Vis menunjukan
transmitansi skpetrum dengan panjang
gelombang 190-820 nm.
Celah pita optik didapat dari
persamaan yaitu ( α hv ) 1 / 2 = B ( hv − E opt )
dengan menarik bagian linier dari grafik
antara hv dan α hv hingga α hv = 0 .
Secara umum peningkatan daya rf

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-5


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009
Surabaya, 3 Nopember 2009
mengindikasikan telah memberikan
kontribusi pada perbaikan struktur lapisan 4. Simpulan
tipis a-Si:H yang terbentuk. Dugaan ini Secara keseluruhan hasil dan
diperkuat dengan penurunan nilai celah pembahasan yang diutarakan adalah
pita optik dari 1,68 eV menjadi 1,61 eV, gambaran pada parameter optimasi
yang berarti bahwa kandungan ikatan penumbuhan. Sebagaimana diketahui
hidrogen dalam lapisan a-Si:H yang bahwa kompleksitas kinetika reaksi dalam
dideposisi pada daya rf 10 Watt secara plasma saat proses deposisi sampai saat ini
kualitatif lebih tinggi dibanding kandungan belum diketahui secara pasti. Namum
ikatan hidrogen dalam lapisan a-Si:H yang demikian, analisa teoritis dan kenyataan
dideposisi pada daya 40 Watt. eksperimental turut membantu
Sebagaimana diketahui penguraian gas memberikan gambaran-gambaran yang
sumber menjadi radikal-radikal yang lebih baik dalam menganalisa mekanisme
sederhana lebih efektif terjadi pada daya rf tersebut.
yang lebih tinggi. Meskipun demikian, Dari hasil karakterisasi didapat
pembentukan radikal ionik dalam plasma bahwa konduktivitas gelap tertinggi
tidak dapat dihindari. Semakin tinggi daya 2,7x10-4 S/cm, konduktivitas terang
yang diberikan, radikal ionik akan semakin 2,66x10-4 pada daya 10 Watt. Laju deposisi
banyak terbentuk. Pada kondisi tertentu meningkat dari 2,73 – 6,80 Å/s dengan
radikal ionik dapat merusak lapisan yang meningkatnya daya rf dari 10 - 40 Watt.
telah terbentuk, kemungkinan besar Celah pita optik terkecil pada 1,61 eV pada
disebabkan oleh pembentukan keadaan- daya 40 Watt dan terbesar pada 1,69 eV
keadaan cacat (defect states) dalam lapisan pada daya 30 Watt. Sensitivitas penyinaran
yang semakin banyak akibat bombardemen tertinggi 4,63x105 untuk lapisan yang
ionik pada daya rf yang cukup tinggi, ditumbuhkan dengan daya 15 Watt.
terutama keadaan-keadaan cacat pada Secara umum terdapat perbedaan
daerah celah pita. Indikasi peningkatan karakteristik pada variasi daya dimana
cacat celah pita (bandgap defect) dapat lapisan yang paling baik digunakan adalah
dilihat dari penurunan nilai celah pita lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan
optik. Selain itu pada laju deposisi yang pada daya 15 Watt dengan nilai sensitivitas
tinggi juga dapat mengakibatkan penyinaran yang baik yaitu 4,63x105
terperangkapnya atom hidrogen saat karena sudah melewati batas minimal
penumbuhan lapisan sehingga celah pita sensitivitas penyinaran sebesar 103 [6].
optik meningkat. Hal ini terjadi pada
lapisan yang ditumbuhkan pada daya 15 Daftar Pustaka
dan 30 Watt. [1]Abdullah, M dan Khairurrijal.
Karakterisasi Nanomaterial.
Laboratorium Sintesis Fungsional
Nanomaterial ITB. Jurnal Nanosains
& Nanoteknologi. Vol 2 No. 1
Februari 2009. (2008)
[2]Amiruddin, S., Usman, I., Mursal,
Winata, T. & Sukirno. Studi Optimasi
Parameter Daya RF untuk
Penumbuhan Lapisan Tipis
Mikrokristal Silikon dengan Metode
Hot Wire Cell PECVD. PROC. ITB
Sains & Tek. Vol 37 A, No. 1, 2005:
Gambar 9. Celah pita optik sebagai fungsi 13-22. (2005)
daya rf. [3]Ida, U., Supu, A., Mursal., Sukirno., Winata,
T., & M. Barmawi. Analisis Sifat-sifat

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-6


Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 Jurusan Fisika FMIPA ITS
Surabaya, 3 Nopember 2009
Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Tipis Silikon Amorf Terhidrogensisasi
Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi dan Aplikasinya Pada Devais Sel
Daya RF. Jurnal Matematika & Sains ITB. Surya. Disertasi Doktoral ITB. (2006)
Vol 10 No. 2, Juni 2005: 63-68. (2005) [8] Winata, T dan Ida, U. The Influence of
[4]Street, R. A. Hydrogenated Amorphous Silane Gas Flow Rate on
Silicon. Cambridge University press, Optoelectronic Properties of µc-Si:H
Cambridge. (1991) Prepared by HWC-VHF-PECVD
[5]Swanepoel, R. et al. Determination of Technique. Jurnal Sains ITB. Vol 40 A
The Thickness and Optical Constanta No. 2, 2008: 130-137 (2008).
of Amorphous Silicon. Journal Applied [9] Y, T, Kim., S, G, Yon., H, Kim., S, J,
Physics. 10. (1993) Suh., G, E, Jang., and D, H, Yoon.
[6] Takahasi, K and Konagai, M. Crystallization of a-Si:H and a-SiC:H
Amorphous Silicon Solar Cell. Nort Thin Film Deposited by PECVD.
Oxford Academic Publisher Ltd. Journal of Ceramic Processeing
London. (1986) Research Vol. 6 No. 4, 2005: 294-297.
[7] Usman, Ida. Penumbuhan Lapisan (2005).

Prosiding Seminar Fisika dan Aplikasinya 2009 M1-7