Anda di halaman 1dari 4

JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA Elang Jaka Sobirin, dkk

VOLUME 5, NOMOR 2
JUNI 2009

Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode


HWC-VHF-PECVD Pada Variasi Daya rf
Elang Jaka Sobirin dan Satwiko S
Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Negeri Jakarta (UNJ)
Jl. Pemuda No. 10 Rawamangun, Jakarta 13220
Email: elang.jaka.s@gmail.com, sidopekso61@yahoo.com.au

Toto Winata
Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Laboratorium PECVD, Departemen Fisika Institut Teknologi Bandung (ITB)
Jl. Ganesa 10, Bandung 40132

Abstrak
Metode Hot Wire Cell Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah
metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan antara VHF-PECVD dan
HWC-PECVD. Pada motede ini diharapkan mendapatkan laju deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi
serta kandungan hidrogen yang rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas
Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi daya 10-50 Watt, temperatur
substrat 275 oC, tekanan chamber 300 mTorr, Temperatur filament 800 oC serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70
sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan
frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan
mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.
Kata Kunci: Preparasi; a-Si:H; HWC-VHF-PECVD; dan Daya rf

Abstract
Hot wire cell very high frequency PECVD (Plasma Enchanced Chemical Vapor Deposition) is a development
method from conventional PECVD and combined method between VHF-PECVD and HWC-PECVD. This
method expected to gain high deposition rate, high conductivity and less hydrogen composition. Mixture of ten
percents silane (SiH4) gas diluated hydrogen (H2) and grew above the substrate corning glass 7059 with
increasing rf power form 10-50 Watt, substrate temperature 275 oC, chamber preassure 300 mTorr, temperature
filament 800 oC and glow discharge 70 sccm of gas SiH4. In the hot wire cell very high PECVD method, reactant
gases are decomposed as a result of reaction with a heated filament and also increasing of frequency for rf power
from 13,56 MHz to 70 MHz. In this case of growing parameter expected to gain a better thin film of a-Si:H.
Keywords: Preparation; a-Si:H; HWC-VHF-PECVD; and rf Power

1. Pendahuluan yang terkandung 10% dalam gas Hidrogen (H2).


Ternyata didapatkan material amorf silikon dengan
Perkembangan pembuatan material berbasis kandungan hidrogen sekitar 10-20% [2], sejak saaat
amorf silikon (a-Si) sebagai material yang itu material ini dikenal dengan nama amorf silikon
menggantikan kristal silikon (c-Si) ataupun poli terhidrogenisasi (a-Si:H).
silikon (poli-Si) dalam aplikasi beberapa bahan Pengembangan teknik penumbuhan PECVD
semikonduktor terus berkembang. Material terus berkembang dengan pesat selain penumbuhan
berbasis amorf lebih unggul dalam hal biaya material amorf silikon paduan (a-SiC:H, a-SiGe:H, a-
punumbuhan material tersebut. Tingginya SiN:H). Perkembangan teknik itu adalah PECVD
temperatur penumbuhan (>1000 oC) menjadi salah chamber ganda, VHF-PECVD, HW-PECVD, HWC-
satu penyebab mahalnya bisaya produksi [4]. PECVD dan HWC-VHF-PECVD (perkembangan di
Material a-Si dapat tumbuhkan dengan Laboratorium Fisika Material Elektronik PECVD,
metode Plasma Enhanced Chemical Vapor Departemen Fisika, Institut Teknologi Bandung) .
Deposition (PECVD) dengan memanfaatkan plasma Secara umum metode HWC-VHF-PECVD
sebagai media penumbuhannya. Pada metode ini hampr sama dengan PECVD konvensional. Hanya
menggunakan gas Silan (SiH4) sebagai gas sumber saja dengan meningkatkan frekuensi pembangkit

© Jurusan Fisika FMIPA ITS 090206-1


JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA Elang Jaka Sobirin, dkk
VOLUME 5, NOMOR 2
JUNI 2009

daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz dan beberapa parameter optimasi yang menentukan sifat-
menambahkan filamen panas berupa tungsten wire sifat fisis yang dihasilkan. Parameter optimasi
pada sistem gas masukkan yang sejajar substrat, tersebut adalah:
sehingga gas Silan (SiH4) akan lebih radikal pada 1. Laju aliran gas Silan (SiH4).
saat memasuki daerah elektroda karena terdisosiasi 2. Tekanan chamber.
terlebih dahulu oleh elemen pemanas. 3. Temperatur substrat.
4. Frekuensi rf.
2. Preparasi 5. Daya rf.
6. Tegangan filament.
Lapisan tipis a-Si:H dalam studi ini 7. Temperatur filament.
ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 dengan 8. Lama deposisi.
menggunakan sistem HWC-VHF-PECVD yang
terdiri dari chamber stainless stell berdiameter 8 Tahapan optimasi tersebut terus dioptimalkan agar
inci dan tinggi 12 inci tipe SS-304 dengan mendapatkan material a-Si:H yang berkualitas baik.
kevakuman sekitar -25 mTorr.
Di dalam chamber ditambahkan filamen Tabel 1. Parameter penumbuhan lapisan tipis yang
dari kawat tungsten dengan diameter 1,2 mm akan dilakukan.
diletakkan sejajar dengan substrat dan terintegrasi Parameter optimasi HWC-VHF-PECVD
dengan sistem gas masukan. Kawat tungsten dibuat
Laju aliran gas SiH4 70 sccm
berbentuk spiral (lilitan) dengan diameter 5,0 mm
Tekanan deposisi 300 mTorr
dan panjang 20 mm. Agar dapat berfungsi sebagai
Temperatur substrat 275 oC
hot-wire, filamen dipanaskan dengan menggunakan
Frekuensi rf 70 MHz
sumber arus tetap. Pengukuran suhu filamen panas
Daya rf 10-50 Watt
ini dilakukan dengan alat tambahan yaitu Infrared
Tegangan filament 4,5 Volt
Pyrometers dengan tingkat intensitas penyinaran
Temperatur filament 800 oC
sebesar 5% untuk material tungsten.
Lama deposisi 5400 s
Untuk perbedaan konfigurasi chamber
pada PECVD dan HW-Cell-PECVD dapat dilihat
Tahapan penumbuhan terbagi menjadi 3 tahapan,
pada gambar 1.
yaitu:
1. Preparasi substrat.
Pada tahapan ini substrat gelas corning
dibersihkan dengan alkohol 70% dan di semprotkan
dengan gas Nitrogen (N2) hingga substrat bersih
hingga tidak ada lagi titik-titik debu yang menempel
pada substrat.

2. Pradeposisi.
Pada tahapan ini mulai menghidupkan
mesin PECVD, membersihkan chamber dan
mengalirkan gas N2 agar chamber reaktor bersih dan
siap dilakukan deposisi. Setelah itu memvakumkan
chamber dan memanaskan substrat yang telah
diletakkan di elektroda negatif dengan menggunakan
Load Lock. Setelah substrat mencapai kesetabilan
suhu penumbuhan, diteruskan dengan menghidupkan
daya rf pada frekuensi 70 MHz, menggeset tekanan
penumbuhan, dilanjutkan dengan mengalirkan gas
SiH4 hingga plasma terbentuk.

3. Deposisi.
Setelah plasma terbentuk ditandai dengan
Gambar 1. Skema chamber (a) PECVD dan (b) adanya sinar warna ungu, dilanjutkan dengan
HWC-VHF-PECVD [6]. menghidupkan filament panas dengan tegangan 4,5
V, pengukuran temperatur filament dengan Infrared
Penumbuhan material a-Si:H memiliki pyrometers. Setelah semua selesai deposisi siap

© Jurusan Fisika FMIPA ITS 090206-2


JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA Elang Jaka Sobirin, dkk
VOLUME 5, NOMOR 2
JUNI 2009

dilakukan. Perhitungan lamanya deposisi dimulai Degan persamaan:


pada saat membuka penutup substrat (shutter). λ 1λ 2
d= ……………………...…….(1)
2( λ 1n 2 − λ 2 n1 )

Dimana: d = ketebalan lapisan


λ = Panjang gelombang
n1 = indeks bias lapisan pada λ1
n2 = indeks bias lapisan pada λ2

pada absorpsi lemah dan menengah berlaku:


1
 
1 2

   TM − Tm  s 2 + 1     TM − Tm  s 2 + 1   2
2

n =   2s 
 TM .Tm
+
 2
 +   2s 
    TM .Tm
+
 2
 − s  
2

 
..(2)
Gambar 2. Skema perpipaan pada PECVD ganda  
 
[5].
pada absorpsi transparan berlaku:
3. Karaterisasi sampel  
1
1 2

  2s s 2 + 1    2s s 2 + 1  2
2
2 
n =  −  +  −  − s   ……………....(3)
1) UV-Vis   Tm 2    Tm

2   
 
Pengukuran transmitansi UV-Vis
dilakukan untuk mendapatkan ketebalan lapisan,
Dimana s adalah indeks bias gelas corning (s=1,51).
laju deposisi, koefisien absorpsi dan celah pita
optik.
2) Pengukuran Konduktivitas
Laju deposisi
Sebelum pengukuran konduktivitas
laju deposisi adalah ketebalan lapisan
sampel di metalisasi dengan evaporasi dari logam
persatuan waktu.
alumunium sebagai kontak logam pada pengukuran
konduktivitas.
Koefisien absorpsi
Ketebalan lapisan
Koefisien absorpsi merupakan hubungan
Ketebalan lapisan didapat dengan
antara transmitansi sebagai fungsi gelombang dengan
mengolah data hasil karakterisai UV-Vis pada
ketebalan lapisan yang di ukur dengan UV-Vis.
transmitansi lemah dan menengah. Berikut adlah
skema penentuan transmitansi lemah dan
1 I 1
menengah. α = − ln = − ln T ( λ ) ……………..….....(4)
d I0 d

Dimana: α = koefisien absorpsi.


T(λ) = transmitansi sebagai fungsi
gelombang.

Celah pita Optik


Penentuan celah pita optik lapisan dapat
ditentukan melalui spektrum transmitansi UV-Vis
dengan metoda Tauc plot. Dengan menarik
ekstrapolasi pada daerah linier dari grafik hubungan
(αhv)1/2 dengan (hv) hingga mematong sumber
energi.

Gambar 3. Penentuan transmitansi maksimum


(TM) dan transimtansi minimum (Tm) dari hasil
pengukuran UV-Vis [3]. ( α hv ) 1 / 2 = B ( hv − E opt ) .....................................(5)

© Jurusan Fisika FMIPA ITS 090206-3


JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA Elang Jaka Sobirin, dkk
VOLUME 5, NOMOR 2
JUNI 2009

Parameter optimasi menjadi indikator utama


Dimana: h = konstanta Plank. sifat-sifat fisis yang akan dihasilkan. Namum,
v = frekuensi foton. pengembangan untuk mendapatkan material a-Si:H
B = Konstanta. tetap berlandaskan pada teknologi yang mudah,
Eopt = celah pita optik. murah, efisien dan memiliki kualitas yang baik.
Tahap karakterisasi menjadi tahapan
Konduktivitas Listrik terakhir yang menunjukan siaft-sifat fisis yang
dihasilkan dengan optimasi parameter penumbuhan
Konduktivitas listrik adalah kemampuan yang dilakukan. Sifat-sifat fisis yang diperoleh
suatu bahan dalam mengalirkan arus listrik. Pada menjadi tolak ukur tahapan optimasi selanjutnya agar
pengukuran ini menggunakan metode dua titik mendapatkan kualitas lapisan tipis a-Si:H yang lebih
(koplanar) yang menggunakan fluke 8506 baik lagi.
(amperemeter) dan keithley 617 (voltmeter). Pada
pengukuran konduktivitas terang menggunakan
lampu xenon 24 volt, 250 Watt pada jarak Daftar Pustaka
penyinaran 22 cm.
[1] Abdullah, M dan Khairurrijal. Karakterisasi
Nanomaterial. Laboratorium Sintesis
Fungsional Nanomaterial ITB. Junal Nanosains
& Nanoteknologi. Vol 2 No. 1 Februari 2009.
(2008)
[2] Street, R. A. Hydrogenated Amorphous Silicon.
Cambridge University press, Cambridge. (1991)
[3] Swanepoel, R. et al. Determination of The
Thickness and Optical Constanta of Amorphous
Silicon. Journal Applied Physics. 10. (1993)
[4] Takahasi, K and Konagai, M. Amorphous Silicon
Solar Cell. Nort Oxford Academic Publisher
Ltd. London. (1986)
Gambar 4. Skema pengukuran konduktivitas. [5] Usman, Ida. Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon
Amorf Terhidrogensisasi dengan Teknik HWC-
σ =
1
=
L ……………………………..……(6) VHF-PECVD dan Aplikasinya Pada Devais Sel
ρ RA
Surya. Disertasi Doktoral ITB. (2006)
[6] Winata, T dan Ida, U. The Influence of Silane Gas
Dimana: σ = konduktivitas listrik. Flow Rate on Optoelectronic Properties of µc-
R = Resistansi lapisan. Si:H Prepared by HWC-VHF-PECVD
L = jarak antar logam. Technique. Jurnal Sains ITB. Vol 40 A No. 2,
A = Luas penampang yang dilewatkan a 2008: 130-137 (2008)
rus

4. Simpulan

Metode HWC-VHF-PECVD adalah


metode penumbuhan lapisan tipis a-Si:H yang
merupakan metode pengembangan dari metode-
metode sebelumnya yang mempunyai beberapa
kelemahan.

© Jurusan Fisika FMIPA ITS 090206-4