Anda di halaman 1dari 10

G R A P H E N E

Page 1
Sejarah Graphene
Karbon memiliki tiga bentuk alotrop (bentuk alam yang ditemukan), yaitu arang, intan, grafit.
Grafit umum dipakai dalam kehidupan sehari-hari contohnya dalam bentuk isi pensil. Intan sering
dimanfaatkan sebagai perhiasan dan memiliki harga jual yang tinggi. Sedangkan arang, merupakan sisa
dari pembakaran bahan organik. Ketiga materi ini tersusun dari karbon namun memiliki wujud yang
berbeda, dikarenakan susunan atom-atom di dalamnya juga berbeda.
a)
b) c)

Gambar 1. Tiga bentuk alotrop karbon: a) Grafit, b) Intan, c) Arang
Daripada intan, graphene ternyata lebih dekat hubungannya dengan grafit. Grafit sangat lunak
sehingga bisa digunakan untuk menulis (isi pensil) dan intan sangat keras sehingga bisa digunakan
sebagai mata bor. Pada grafit, susunan yang berbentuk layer sangat lemah ketika mendapat tekanan,
sehingga ketika menulis hubungan antar layernya terputus dan ada yang terbawa di kertas.
Hubungannya dengan graphene, graphene sendiri adalah layer yang menyusun susunan di
grafit. Jadi, dari susunan yang sebegitu tebalnya di ambil satu lapisan sebagai graphene. Pada tahun
2004 kelompok riset dari Universitas Manchester yang dipimpin oleh Andre K. Geim dan Kostya
Novoselov melakukan percobaan dengan menggunakan sejenis selotip untuk mengambil satu lapisan
itu dengan ketebalan hanya satu atom saja, yaitu atom karbon yang disusun menyamping pada kisi yang
menyerupai sarang lebah dan diperkirakan sebagai bahan superkonduktor tertipis. Satu lapisan itu
adalah dasar dari semua alotropi karbon [1].



G R A P H E N E

Page 2

Gambar 2. Andre Geim(kiri) dan K. Novoselov(kanan)

Apa itu graphene?

Gambar 3. Graphene
Lalu dari satu lapis itu. Apa saja yang bisa dilakukannya? atau apa keunggulannya?

Pertama. Graphene adalah material yang paling tipis sekaligus yang paling kuat diantaranya. Ia
bersifat elastis seperti karet dan tahan dari liquid dan gas. Karena strukturnya yang begitu rapi, ia dapat
digunakan sebagai saringan super detail, karena atom-atom besar tidak lewat diantaranya. Ini adalah
bagian dari teknologi nano.
Kedua. Ia sangat baik dalam menghantarkan arus listrik, hampir sama dengan tembaga. Ia dapat
menjadi substans yang luar biasa dalam membangun processor karena ia mempunyai sifat yang lebih
baik daripada silikon. Karena strukturnya yang terdiri dari karbon saja, maka ia dapat digunakan sebagai
sensor yang sangat sensitif. Karena jika ada atom penyusup di antaranya maka daya hantarnya bisa
berkurang, hal ini dapat digunakan sebagai sensor.
Ketiga. Ia sangat kuat. Sehingga jika diibaratkan ada sebuah benda sebesar dan seberat gajah
ditaruh di atas sebuah pensil (maksudnya disini agar gayanya terpusat di satu titik). Lalu kemudian
digunakan untuk merobek atau mematahkan graphene dengan ketebalan seperti selembar kertas maka
itu tidak akan cukup. Kekuatan ini setara dengan 200 kali kekuatan baja. Hal ini pada umumnya dapat
membantu di setiap bidang karena material yang sangat kuat cenderung dibutuhkan ketahanannya.
Kekuatannya yang luar biasa dapat pula untuk membuat material komposit baru yang
superkuat sekaligus super ringan, yang bisa digunakan untuk bahan rancang bangun pesawat, mobil, dan
satelit, tambah Komite Nobel. United States Geological Survey Mineral Resources Program mencatat,


G R A P H E N E

Page 3
pada tahun 2007 produksi grafit (sebagai bahan graphene) dunia mencapai 1,11 juta ton. Sayangnya,
produksi bahan graphene secara massal belum ada sehingga belum digunakan untuk membuat produk
konsumen. Kebanyakan ilmuwan mempelajarinya untuk mengetahui dasar fisikanya, kata Strano.
Masih banyak lagi kelebihan dan pemanfaatan dari graphene ini seperti dari sisi optik dan lain
sebagainya dan akan dibahas lebih detil di bab selanjutnya [2].

Sifat dan Karakteristik
Graphene tampak berupa material kristaline berdimensi dua pada suhu kamar memperlihatkan struktur
jaringan karbon yang benar benar teratur dalam dua dimensi yaitu dimensi panjang dan dimensi lebar.
Keteraturan yang tinggi bahkan tanpa cacat ini timbul sebagai akibat dari ikatan antar atom karbonnya
yang kuat. Unit dasar struktur ini hanya terdiri atas enam atom karbon yang saling bergabung secara
kimiawi. Jarak antar atom C nya sama dengan 0,142 nm. Konfigurasinya menyerupai struktur sarng
lebah dengan ketebalan ukuran orde atom, dalam 1 mm grafit terdapat 3000 lapisan graphene.
Adapun sifat dan karakteristik graphene yang lainnya akan dijelaskan dibawah ini :
1. Memiliki transparansi sangat tinggi, hal ini disebabkan oleh dimensi graphene yang mirip
selembar kertas dan ketebalannya yang berorde atom. Namun meskipun memiliki
transparansi yang tinggi graphene tetap memiliki kerapatan yang cukup tinggi yaitu 0,77
mg/m
2
.
2. Memiliki daya tahan terhadap tekanan sebesar 42 N/m, dibandingkan dengan baja yang
memiliki kekuatan tekanan 0,25 1,2x109 N/m. Jika dianggap terdapat baja yang
ketebalannya sama dengan graphene, maka kekuatan baja tersebut setara dengan 0,084
0,40 N/m. Sehingga dapat dikatakan bahwa graphene seratus kali lebih kuat dari baja.
3. Ikatan atom karbonnya sangat fleksibel yang memungkinkan jaringannya merenggang
hingga 20 % dari ukuran awal.
4. Bersifat konduktor listrik dan konduktor panas. Sifat konduktivitas listrik graphene berasal
dari elektron ikatan phi yang terdelokalisasi disepanjang ikatan C-C dan bertindak sebagai
pembawa muatan. Graphene merupakan bahan superkonduktor, namun dapat berubah
menjadi semikonduktor dengan menambahkan dopping. Dopping ini akan memutuskan
ikatan phi pada atom karbon yang bersangkutan, sehingga menurunkan konduktivitas listrik
graphene atau membuka band gap.
5. Tingkat resistivitasnya menuju nol.
6. Kisi kisi pada graphene memungkinkan elektronnya untuk dapat menempuh jarak yang
jauh dalam graphene tanpa gangguan. Pada konduktor normal, elektron biasanya
mengalami pantulan berkali kali yang dapat melemahkan daya kerja konduktor. Namun
hal ini tidak terjadi pada graphene.
7. Elektron elektron pada graphene berperilaku sebagai partikel cahaya, foton foton tanpa
massa yang dalam keadaan vakum dapat bergerak dengan dengan kecepatan 300.000.000
m/s. Elektron dalam graphene karea tidak memiliki massa dapat bergerak dengan kecepatan
konstan sebesar 1.000.000 m/s.


G R A P H E N E

Page 4
8. Dengan transparansi hampir 98 % dan dapat menghantarkan arus listrik dengan sangat baik,
graphene berpeluang untuk diaplikasikan pada pembuatan lapisan sentuh yang transparan,
panel listrik dan sel surya.
9. ampuran graphene dengan bahan plastik dapat membuat bahan plastik bersifat
menghantarkan panas. esistansi plastik akan meningkat sampai bersamaan dengan
meningkatnya kekuatan mekanis. Hal ini memberi peluang untuk menghasilkan material
baru yang sangat kuat, tipis, elastis dan tembus pandang.
10. Menjelaskan beberapa fenomena fisika kuantun yang menggambarkan bagaimana sebuah
partikel kadang kadang dapat melewati sebuah penghalang yang pada keadaan normal
akan menghalangi partikel tersebut. Semakin tebal penghalang, maka semakin kecil
kemungkinan dapat melewatinya. Namun hal ini tidak berlaku pada elektron yang bergerak
didalam graphene, elektronnya dapat bergerak bebas layaknya tidak ada penghalang [1].

Metode Sintesis
Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene. Metode-metode ini terbagi menjadi
dua, yaitu pembelahan grafit menjadi lapisan-lapisan graphene (top down) dan penumbuhan graphene
secara langsung dari atom-atom karbon (bottom up). Yang termasuk metode top down adalah metode
pengelupasan sadangkan metode bottom up adalah reduksi Graphene Oksida, dispersi dalam cairan,
dan pertumbuhan epitaksial.
Berikut penjelasan lebih rinci mengenai berbagai macam metode pembuatan graphene :
a. Pengelupasan
Metode pengelupasan merupakan metode yang digunakan oleh Andre Geim dan Konstantin
Novoselov (penemu graphene). Dalam metode pengelupasan, selotip direkatkan pada grafit lalu
dikelupas sehingga di selotip tersebut ada lapisan tipis grafit. Perekatan selotip dilakukan berkali-kali
sampai didapat satu lapisan graphene.
Andre Geim dan Konstantin Novoselov menemukan graphene dengan tidak sengaja. Mulanya, beliau
sedang bekerja di laboratorium kemudian melihat peneliti seniornya yang sedang meneliti grafit.
Peneliti seniornya tersebut menempelkan selotip ke grafit dan mengelupasnya dengan tujuan
membersihkan grafit lalu membuang selotip tersebut ke tempat sampah. Andre Geim dan Konstantin
Novoselov tertarik dengan lapisan grafit yang ada di selotip tersebut. Ternyata setelah mereka kaji dan
dilakukan karakterisasi, lapisan grafit yang menempel di selotip ini lebih memiliki sifat unggul dari pada
grafitnya.
Keunggulan dari metode ini adalah graphene yang dihasilkan berkualitas tinggi (murni atau tidak
memiliki impuritas) karena diambil langsung dari grafit. Selain itu, kualitasnya tinggi karena tidak
digunakan pelarut saat mensintesisnya sehingga tidak ada sifat pelarut yang terbawa ke graphene yang
dihasilkan. Sedangkan kelemahan dari metode ini adalah hasil produksi dalam skala kecil, biaya produksi
tinggi, dan tebal graphene yang tidak rata. Metode ini cocok jika graphene yang dihasilan untuk
penelitian dimana jumlah produksi yang diinginkan memang skala laboratorium.
Selotip tidak mempengaruhi graphene yang terbentuk karena sifat graphene yaitu
konduktivitas listrik yang baik (disebabkan karena elektron bergerak sangat cepat dengan kecepatan
relativistik karena massa dari graphene sangat kecil sehingga dianggap nol), konduktivitas panas yang


G R A P H E N E

Page 5
baik (disebabkan perbandingan luas permukaan dan volumenya yang besar sehingga konduktivitas
panas graphene lebih besar dibanding material lainnya), band gap nol (dipengaruhi oleh bentuk tepi pita
graphene), sifat optiknya yaitu sifat transparannya yang baik (karena graphene hanya setebal satu
atom). Dengan meninjau penyebab dari sifat-sifat yang dimiliki graphene maka selotip tidak
mempengaruhi sifat graphene yang terbentuk.
Tahap lanjutan dari proses pengelupasan adalah drawing method yaitu mentransfer lapisan graphene
pada selotip ke substrat dengan cara menempelkan lapisan tersebut ke substrat
1
. Substrat yang biasa
digunakan adalah silikon (Si) dan Silika (SiO
2
). Silikon yang semula bersifat semikonduktor lalu didoping
oleh graphene sehingga memiliki konduktivitas listrik sangat baik dan menjadi konduktor. Dengan
adanya metode ini, graphene yang terbentuk dapat langsung digunakan.
b. Reduksi Graphene Oksida (GO)
Tahapan sintesisnya adalah Graphene Oksida (GO) dilarutkan dalam air. Karena GO bersifat hidrofobik,
lembaran-lembaran GO langsung terpisah dari kristal asalnya. Kemudian, untuk mendapatkan graphene,
GO diendapkan dan direduksi dengan hidrazin.
Graphene yang dihasilkan ternyata tidak rata dan memiliki konduktivitas yang rendah, yaitu 0,05 - 2
S/cm karena masih adanya atom impuritas yaitu sisa pereduksi dan pelarut yang menempel pada
graphene. Tetapi bukan berarti metode ini tidak bisa diterapkan. Metode ini berguna jika graphene yang
dihasilkan diaplikasikan untuk tinta, cat, dan elektroda dimana tidak membutuhkan tingkat
konduktivitas terlalu tinggi. Selain memiliki kekurangan, metode ini juga memiliki kelebihan yaitu hasil
produksi dalam jumlah besar dan biaya produksi murah.
c. Dispersi Dalam Cairan
Pada metode ini, cairan yang digunakan adalah larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene
sulfonate). Saat dilarutkan, grafit terlepas dengan sendirinya karena sifatnya yang hidrofobik. Setelah
itu, dilakukan pengendapan dan pengeringan sehingga graphene dapat dikumpulkan. Jenis larutan yang
dapat digunakan untuk metode ini memiliki kriteria grafit tidak larut dalam pelarut tersebut. Namun
sampai saat ini, larutan yang digunakan adalah larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene
sulfonate).
Graphene yang dihasilkan memiliki tebal sekitar 150 nm, dan memiliki konduktivitas 1500 S/m. Nilai
konduktivitas yang rendah ini disebabkan amsih menempelnya molekul surfaktan sehingga mengganggu
jalannya elektron dan menurunkan konduktivitas. Walaupun demikian, cara ini memiliki keunggulan
bahwa memerlukan sedikit biaya dan hasil produksi cukup banyak.
Metode ini sangat cocok diterapkan jika graphene yang dihasilkan digunakan untuk elektroda
transparan dan untuk sensor dimana tidak membutuhkan tingkat konduktivitas terlalu tinggi.
d. Pertumbuhan Epitaksial
Metode pertumbuhan epitaksial adalah metode yang menggunakan substrat sebagai bibit
pertumbuhannya sehingga ikatan antara lembaran grafena bagian bawah dengan substrat dapat
memengaruhi sifat-sifat lapisan karbon
2
. Berdasarkan substratnya, pertumbuhan epitaksial dibedakan
menjadi penumbuhan dengan CVD Logam (Chemical Vapor Deposition) dan Penumbuhan dari Silikon
Karbida.





G R A P H E N E

Page 6
i) Penumbuhan dengan CVD Logam
Mekanisme penumbuhan graphene pada logam :
1. Logam (Cu dan Ni) bersuhu suhu 1000
o
C direaksikan dengan gas (metana + hidrogen) ;
alasan digunakan logam Cu dan Ni karena logam ini dapat dikikis dengan etsa sehingga
graphene yang dihasilkan tidak terikat pada substrat logam. Etsa adalah peristiwa
pengikisan bagian permukaan logam dengan menggunakan asam kuat
2. Suhu diturunkan sampai suhu ruang sehingga atom karbon mengendap di permukaan
logam menjadi graphene (Jawaban pertanyaan dari Sena Harimurty)
3. Graphene yang telah ditumbuhkan pada logam tersebut dipindahkan ke substrat
PMMA (Polymethyl Metcrylate) sedangkan logamnya dietsa hingga habis. Alasan
digunakannya PMMA karena dapat dikikis habis dengan aseton sehingga graphene yang
terbentuk tidak terikat pada PMMA.
Selain PMMA, polimer lain juga berpotensi untuk mejadi substrat kemudian dilakukan proses annealing
(dipanaskan pada suhu tertentu dan pada waktu tertentu) sehingga polimer terkikis habis. Tetapi,
sampai saat ini polimer yang digunakan sebagai substrat adalah PMMA karena sifat PMMA yang
fleksibel jadi jika tidak dikikis pun graphene yang menempel di PMMA dapat menjadi produk fleksibel
yang bersifat konduktor dan dapat diterapkan untuk flexible screens, dan solar cell.
Graphene yang ditumbuhkan dengan
metode ini memiliki mobilitas pembawa
muatan yang tinggi (100-2000 cm
2
/Vs)
karena substrat tempat tumbuhnya telah
dikikis habis dan jumlah graphene yang
dihasilkan dalam skala cukup besar.
Tetapi kelemahan pada metode ini adalah
biaya produksi yang besar, logam harus
dipanaskan sampai suhu 1000
o
C, dan
prosesnya yang cukup lama. Hasil graphene
dengan metode ini dapat diterapkan untuk
touch screens, fleksibel LED, fleksibel OLED,
dan solar cell.



ii) Penumbuhan dengan Silikon Karbida


G R A P H E N E

Page 7
Penumbuhan dengan Silikon Karbida berarti menggunakan Silikon Karbida (SiC) sebagai substrat
pertumbuhannya. Ada dua cara penumbuhannya yaitu :
Cara I
Substrat SiC dipoles sampai rata kemudian dipanaskan (1500
o
C) dalam Ultra High Vacuum (10-10torr)
sehingga atom-atom Si menyublim dan atom karbon tertinggal di permukaan membentuk graphene.
Cara II
Substrat SiC dipanaskan (1500
o
C) dalam vakum tingkat sedang (10-5 torr) dengan menyisakan gas (O
2
,
H
2
O, CO
2
). Gas-gas tersebut bereaksi dengan SiC dan menyisakan atom karbon yang membentuk
graphene.
Keunggulan dari metode ini adalah substrat SiC dapat langsung digunakan sebagai piranti elektronik dan
menghasilkan graphene berkualitas tinggi karena tidak menggunakan pelarut. Selain itu, dihasilkan
graphene berkualitas tinggi karena atom Si tidak berekasi dengan karbon, melainkan menyublim pada
cara I dan bereaksi dengan gas-gas pada cara II. Sedangkan kelemahan dari metode ini adalah biaya
produksi yang tinggi karena mahalnya harga substrat dan memerlukan suhu yang tinggi mencapai
1500
o
C.
Graphene yang dihasilkan dengan menggunakan metode ini dapat diaplikasikan menjadi transistor,
jumper atau interconnect sircuit, dan memory card.

e. Metode Unzipping Multi-walled Carnon Nanotubes
Salah satu metode pembuatan Carbon Nanotubes adalah dengan menggulung graphene pada
arah tertentu sehingga membentuk tabung atau tube. Akan terbentuk Carbon nanotubes multi-walled
saat lapisan graphene yang digulung lebih dari satu (banyak). Metode Unzipping Multi-walled Carnon
Nanotubes adalah metode yang membuka kembali gulungan tersebut sehingga menjadi lapisan
graphene kembali.
Keunggulan dari metode ini adalah menghasilkan graphene dengan kualitas tinggi karena tidak
adanya atom impuritas dan biaya produksinya yang murah. Sedangkan kelemahannya adalah skala hasil
produksinya tidak besar. Metode ini cocok diterapkan jika ingin menghasilkan graphene yang digunakan
untuk transistor efek medan dan superkapasitor yang membutuhkan tingkat konduktivitas sangat tinggi.

Aplikasi
Aplikasi yang pertama kali akan menggunakan material graphene yaitu sebagai bahan pengganti
logam mahal seperti Indium selenida yang terdapat dalam sel surya. Kedua, sebagai bahan perangkat
komunikasi. Produk seperti ponsel, akan diintegrasikan dengan pakaian, potongan kertas atau bahkan
pada jendela rumah. Aplikasi lainnya yaitu sebagai display transparan yang dapat diintegrasikan dimana
saja seperti pada jendela, gelas, dan di dinding. Semua itu membutuhkan material yang sangat tipis dan
transparan yaitu graphene.
Produk produk yang mengandung graphene seperti sel surya mungkin akan beredar di pasaran
dalam waktu beberapa tahun, sedangkan untuk aplikasi yang lebih kompleks seperti komputer atau
ponsel akan memakan waktu yang lebih lama yaitu 5 atau 10 tahun kedepan. Secara umum produk
produk tersebut akan berdampak di pasaran dalam kurun waktu sekitar 20 tahun.
Tantangan yang dihadapi adalah bagaimana cara untuk memproduksi graphene secara massal
mengingat graphene pertama kali diisolasi menggunakan teknik Tape Scotch yaitu satu strip tipis


G R A P H E N E

Page 8
dikelupas dari satu blok grafit dengan menggunakan selotip. Mengingat bahannya yang sangat tipis
maka dalam mengisolasi diperlukan tindakan yang hati-hati, jika tidak akan berdampak pada sifat
bahannya.
Ambisinya adalah suatu saat graphene dapat diproduksi massal dengan mekanisme yang sama
halnya dengan mencetak surat kabar, dari gulungan ke gulungan dengan peralatan yang sama, dan hal
ini akan mengubah ekonomi industri elektronik secara keseluruhan.

Pendeteksi molekul gas tunggal
Grafena dapat digunakan sebagai sensor yang sangat baik untuk menentukan struktur 2D
dimana keseluruhan isi grafena memiliki permukaan yang besar, membuat grafena sangat efisien untuk
mendeteksi molekul yang diadsorpsi.Lokasi dari adsorpsi mengalami perubahan dalam tahanan listrik.
Saat efek ini terjadi dalam material lain, grafena memiliki keunggulan karena mempunyai konduktivitas
listrik yang tinggi dan rendahnya gangguan, yang membuat grafena ini tidak mengalami perubahan
dalam mendeteksi.

Ultrakapasitor
Menurut Prof. Rod Ruoff grafin memiliki luas permukaan 2630 M2/gram dapat membentuk
lapisan-lapisan dan menghasilkan ruang-ruang yang dapat menyimpan energi sehingga bisa digunakan
sebagai ultrakapasitor. Ultrakapasitor dari grafena ini mempunyai rapat massa yang tinggi dibandingkan
dengan kapasitor-kapasitor dielektrik konvensional. Selain itu ultrakapasitor dari grafena memiliki range
yang besar dalam menangkap energi dan menyimpan energi tersebut sehingga dapat pula dijadikan
sebagai sumber daya primer bila dikombinasikan dengan aki atau sel bahan bakar. Ultrakapasitor dari
grafena dapat menangkap kembali energi yang terbuang dengan mengubah energi kinetik menjadi
energi potensial sehingga akan mengurangi kalor yang terbuang. Industri dapat mengurangi energi yang
terbuang dengan memasang ultrakapasitor dalam mesin-mesin produksi dan dapat pula diterapkan
pada bus, truk dan kereta api.

Graphene Nanoribbons
Graphene Nanoribbons (GNRs) adalah lapisan tunggal yang esensial dari grafena yang dipotong
dengan pola tertentu untuk menghasilkan sifat-sifat listrik tergantung dari tepi lembaran tersebut, dapat
berbentuk Z atau armchair. Berdasarkan perhitungan prediksi tigh binding bahwa GNR yang zigzag
bersifat logam, sedangkan armchair dapat bersifat logam ataupun semilogam tergantung lebarnya. GNR
dapat mempunyai sifat logam hingga semikonduktor tergantung chirality-nya. GNR bertepi zigzag
bersifat logam dengan bentuk khas pada kedua sisinya tanpa memperhatikan lebarnya. Sementara GNR
bertepi armchair dapat bersifat logam ataupun semikonduktor tergantung pada lebar NA. GNR armchair
akan bersifat logam jika NA = 3k + 2 ( k adalah bilangan bulat ) dan jika tidak maka bersifat
semikonduktor. Akhir-akhir ini bermacam-macam junction seperti bentuk L, bentuk T dan bentuk Z di
dasarkan pada dua jenis GNR yang telah diusulkan tersebut. Walaupun junction-junction ini memiliki
bentuk geometri yang sama dengan junction Quasi satu dimensi yang lain, keadaan elektronnya sangat
berbeda dari junction yang lain karena pada GNR elektron-elektronnya mempunyai sifat yang khas.
Perhitungan DFT akhir-akhir ini memperlihatkan nanoribbons armchair bersifat semikonduktor
dengan skala [energi] GAP nya berbanding terbalik dengan lebarnya . Hasil eksperimen `memperlihatkan


G R A P H E N E

Page 9
bahwa energi GAP benar-benar meningkat dengan menurunnya lebar GNR . Meskipun demikian tidak
ada data eksperimen yang mengukur energi GAP dari suatu GNR dan mengidentifikasi dengan tepat
struktur tepinya .
Nanoribbons zigzag juga bersifat semikonduktor dan memiliki spin tepi yang terpolarisasi.
Struktur 2Dnya memiliki daya hantar listrik dan termal yang tinggi dengan ganguan yang kecil
memungkinkan GNR digunakan sebagai alternatif pengganti tembaga untuk sambungan-sambungan
sirkuit tembaga. Beberapa penelitian juga dilakukan untuk membuat Quantum dots dengan mengubah
lebar GNR pada titik tertentu disepanjang pita untuk membuat quantum confinement.

Transistor Grafena
Transistor grafena sudah ditemukan sejak 2 tahun yang lalu, namun transistor tersebut masih
mengalami kebocoran dan memengaruhi penampilan atau performa jika digunakan pada chip
komputer, akan tetapi setelah dua tahun berikutnya kebocoran dari graphene dapat ditutupi dan telah
diciptakan transistor grafena yang benar-benar stabil. Transistor grafena memiliki kelebihan
dibandingkan dengan material lain seperti silikon,diantaranya tidak cepat membusuk dan tidak cepat
teroksidasi [3].




























G R A P H E N E

Page 10



Sumber:
[1] Widiatmoko, Eko. GRAPHENE : SIFAT, FABRIKASI, DAN APLIKASINYA. Bandung : Jurusan Fisika, Institut
Teknologi Bandung
[2] http://distrokaos.com/2012/11/29/baterai-super-aplikasi-teknologi-graphene/
[3] http://www.himasaifi.com/2011/08/mengenal-graphene-dan-manfaatnya.html