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O documento descreve os conceitos básicos de condutividade elétrica em materiais, incluindo condutores, isolantes e semicondutores. Explica que semicondutores como silício e germânio têm propriedades intermediárias dependendo das condições, e podem ser tornados condutores através de dopagem com impurezas de três ou cinco elétrons na camada de valência. Isto cria semicondutores extrínsecos do tipo N ou P com excesso de elétrons ou lacunas, respectivamente.
O documento descreve os conceitos básicos de condutividade elétrica em materiais, incluindo condutores, isolantes e semicondutores. Explica que semicondutores como silício e germânio têm propriedades intermediárias dependendo das condições, e podem ser tornados condutores através de dopagem com impurezas de três ou cinco elétrons na camada de valência. Isto cria semicondutores extrínsecos do tipo N ou P com excesso de elétrons ou lacunas, respectivamente.
O documento descreve os conceitos básicos de condutividade elétrica em materiais, incluindo condutores, isolantes e semicondutores. Explica que semicondutores como silício e germânio têm propriedades intermediárias dependendo das condições, e podem ser tornados condutores através de dopagem com impurezas de três ou cinco elétrons na camada de valência. Isto cria semicondutores extrínsecos do tipo N ou P com excesso de elétrons ou lacunas, respectivamente.
Condutividade eltrica: A condutividade eltrica traduz a capacidade de um determinado material conduzir melhor ou pior a eletricidade, ou de outra forma, indica o grau de oposio que um material cria passagem da corrente eltrica. Condutor eltrico: So materiais que so facilmente percorridos por corrente eltrica, como o caso da maioria dos metais. Isolantes eltricos: So materiais que se opem grandemente passagem da corrente eltrica, o caso dos plsticos. 2 Materiais semi-condutores Semi-condutor Os materiais semi-condutores so caracterizados por terem um estado intermdio entre condutores e isolantes. Quer isto dizer que estes materiais podem sob determinadas condies ter caractersticas de condutores e sob outras determinadas condies ter caractersticas de isolantes. temperatura ambiente os materiais semi-condutores so geralmente isolantes. Para os tornar condutores necessrio aplicar energia externa ao material sob alguma forma (calor, tenso, ), com este incremento energtico o material torna-se condutor eltrico. 3 tomos O tomo a parte mais pequena de que se compe a matria. Estes so constitudos por: Ncleo Parte central composta por protes (carga +) e neutres (partculas sem carga eltrica). Electres Em nmero igual aos protes, distribudos em camadas volta do ncleo (carga ).
4 A ltima camada designada por camada de valncia. Esta nunca pode ter mais que 8 electres, e quando o tem, o tomo estvel (no estabelece ligaes com outros tomos) . Camada de valncia Consoante o nmero de eletres que determinada substancia tem na ltima camada (camada de valncia) assim vai ser designada de Isolante, condutora ou semi-condutora: Camada de valncia com mais de 4 eletres O tomo tem tendncia para captar eletres para completar a ltima camada, so raros os eletres livres e a substncia um isolante. Camada de valncia com menos de 4 eletres bastante fcil que eletres da ltima camada saiam da influencia do tomo, h muitos eletres livres e a substncia um condutor. Camada de valncia com 4 eletres Em determinadas circunstncias comportam-se como isolantes e noutras como condutores. (Substncias constitudas apenas por tomos com 4 eletres na ltima camada so chamados semicondutores intrnsecos ou puros) 5 tomos de materiais condutores Os melhores materiais condutores so a Prata o Cobre e o Ouro, todos eles com 1 nico eletro na camada de valncia (Condutores - Camada de valncia com menos de 4 electres). 6 tomo de Prata tomo de Cobre tomo de Ouro 1 orbital 2 eletres 2 orbital 8 eletres 3 orbital 18 eletres 4 orbital 32 eletres 5 orbital 18 eletres 6 orbital 1 eletro 1 orbital 2 eletres 2 orbital 8 eletres 3 orbital 18 eletres 4 orbital 1 eletro 1 orbital 2 eletres 2 orbital 8 eletres 3 orbital 18 eletres 4 orbital 18 eletres 5 orbital 1 eletro Ag 47 el. Cu 29 el. Au 79 el. tomos de materiais isolantes Os tomos dos materiais isolantes contm poucos eletres livres, o que dificulta a movimentao dos mesmos, logo a passagem de corrente eltrica. (Isolantes - Camada de valncia com mais de 4 eletres) Alguns materiais desta categoria so: Plstico (resinas), Silicone, Borracha, Vidro (cermicas), leo, gua pura (desionizada), Gases raros. 7 tomo de Non 1 orbital 2 electres 2 orbital 8 electres Silcio e Germnio No estudo dos semi-condutores so de especial importncia os tomos de Silcio e Germnio, ambos com 4 eletres na camada de valncia. 8 tomo de Germnio tomo de Silcio 1 orbital 2 eletres 2 orbital 8 eletres 3 orbital 18 eletres 4 orbital 4 eletres Total: 32 eletres 1 orbital 2 eletres 2 orbital 8 eletres 3 orbital 4 eletres Total: 14 eletres Tanto o Silcio como o Germnio, so semi-condutores, porque os seus tomos apresentam 4 eletres na ltima camada. (Se apenas existirem tomos de um tipo numa substncia esta pura ou intrnseca) Ge Si Substancias semicondutoras As substncias semi- condutoras tm os seus tomos dispostos numa estrutura cristalina. Neste tipo de estrutura, os eletres da camada de valncia de cada tomo esto fortemente ligados aos eletres dos tomos adjacentes formando pares de eletres ligados que constituem ligaes covalentes, tal como mostrado na figura, sendo este um semicondutor dito intrnseco, ou seja um semicondutor tal como retirado da natureza. 9 Eletres livres Na estrutura cristalina das substncias semi-condutoras, os eletres esto estveis porque sentem 8 eletres na ltima camada (atravs das ligaes covalentes). temperatura ambiente, so raros os eletres livres. No entanto, se a temperatura aumentar alguns eletres adquirem energia suficiente para se libertarem das ligaes covalentes e tornam-se eletres livres. 10 Eletro livre Lacunas Por cada eletro que se liberta fica um lugar vazio na ligao covalente Designa-se este espao vazio por Lacuna. Para que esta lacuna seja preenchida, outro eletro ter de soltar-se originando uma nova lacuna. 11 Num semi-condutor intrnseco (puro) o nmero de lacunas igual ao nmero de eletres livres, formam: pares eletro livre / lacuna. Lacuna Cargas positivas e negativas Como uma lacuna representa um nvel de energia contrrio ao do eletro, considera-se que nos semi- condutores existem dois tipos de partculas condutoras: Eletres livres portadores de carga negativa. Lacunas portadores de carga positiva. Como o nmero de eletres livres igual ao nmero de lacunas, a substncia neutra.
temperatura ambiente as substncias semi- condutoras so isolantes. Seriam necessrias temperaturas bastante elevadas para que o nmero total de eletres livres as tornassem condutoras. 12 Movimentao das cargas Se ao cristal semi-condutor for aplicada, em extremos opostos, uma diferena de potencial, esta vai provocar um deslocamento dos pares eletro / lacuna: 13 a) b) c) d) temperatura ambiente este processo muito diminuto (intensidade de corrente muito fraca) Dopagem O acrscimo de temperatura para que as substncias intrnsecas se tornem condutoras, de tal forma elevado que esta soluo se torna invivel. A forma de se conseguir a conduo dos semi- condutores atravs da dopagem do material. Dopagem quer dizer que; ao cristal puro vo ser adicionadas impurezas, ou seja, tomos que contm 3 ou 5 eletres na camada de valncia, para que: fique com excesso de eletres livres (adio de tomos com 5 eletres na ltima camada), ou fique com excesso de lacunas (adio de tomos com 3 eletres na ltima camada). 14 Semi-condutores extrnsecos s substncias semi-condutoras dopadas chama-mos de: Semi-condutores extrnsecos 15 Cristal Puro (intrnseco) Impureza Semi- condutor extrnseco Dopagem, com acrscimo de eletres As substncias mais usadas na dopagem com 5 eletres na ltima camada so: Fsforo smbolo qumico: P (15 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 5) Arsnio smbolo qumico: As (33 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 5) Antimnio smbolo qumico: Sb (51 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 18, 5) Estes semi-condutores extrnsecos (com excesso de eletres) so chamados: Semi-condutores do tipo N 16 Semicondutores tipo N Os semi-condutores do tipo N (excesso de eletres), alm dos pares eletro / lacuna existentes no cristal puro, tm por cada tomo de impureza acrescentada, 1 eletro livre. Neste tipo de estrutura h muito mais eletres livres que lacunas. ELETRES: portadores maioritrios de carga (principais responsveis pela corrente eltrica). LACUNAS: portadores minoritrios de carga. 17 Eletro livre devido impureza acrescentada Eletro livre Par eletro / lacuna Dopagem, com excesso de lacunas As substncias mais usadas na dopagem com 3 eletres na ltima camada so: Boro smbolo qumico: B (5 eletres configurao eletrnica: 2, 3) Alumnio smbolo qumico: Al (13 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 3) Glio smbolo qumico: Ga (31 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 3) ndio smbolo qumico: In (49 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 18, 3) Estes semi-condutores extrnsecos (com excesso de lacunas) so chamados: Semi-condutores do tipo P 18 Semicondutores tipo P Os semi-condutores do tipo P (excesso de lacunas), alm dos pares eletro / lacuna existentes no cristal puro, tm por cada tomo de impureza acrescentada, 1 lacuna nas ligaes covalentes. Neste tipo de estrutura h muito mais lacunas que eletres livres. LACUNAS: portadores maioritrios de carga (principais responsveis pela corrente eltrica). ELETRES: portadores minoritrios de carga. 19 Lacuna devido impureza acrescentada Lacuna Par eletro / lacuna Semicondutores polarizados Os cristais formados pela dopagem (tipo N e P) por si s no tm grande utilidade do ponto de vista de funcionamento. Os fabricantes de componentes eletrnicos utilizam esta tcnica para a realizao de resistncias com diversos valores ohmicos (principalmente quando inseridas num circuito funcional chamado chip ou ic). 20 P N =