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Conceitos gerais

Materiais condutores e isolantes


Condutividade eltrica:
A condutividade eltrica traduz a capacidade de um
determinado material conduzir melhor ou pior a eletricidade,
ou de outra forma, indica o grau de oposio que um
material cria passagem da corrente eltrica.
Condutor eltrico:
So materiais que so facilmente percorridos por corrente
eltrica, como o caso da maioria dos metais.
Isolantes eltricos:
So materiais que se opem grandemente passagem da
corrente eltrica, o caso dos plsticos.
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Materiais semi-condutores
Semi-condutor
Os materiais semi-condutores so caracterizados por
terem um estado intermdio entre condutores e isolantes.
Quer isto dizer que estes materiais podem sob
determinadas condies ter caractersticas de
condutores e sob outras determinadas condies ter
caractersticas de isolantes.
temperatura ambiente os materiais semi-condutores
so geralmente isolantes. Para os tornar condutores
necessrio aplicar energia externa ao material sob
alguma forma (calor, tenso, ), com este incremento
energtico o material torna-se condutor eltrico.
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tomos
O tomo a parte mais pequena de que se compe a
matria. Estes so constitudos por:
Ncleo Parte central composta por protes (carga +) e
neutres (partculas sem carga eltrica).
Electres Em nmero igual aos protes, distribudos em
camadas volta do ncleo (carga ).

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A ltima camada
designada por camada de
valncia.
Esta nunca pode ter mais
que 8 electres, e quando
o tem, o tomo estvel
(no estabelece ligaes
com outros tomos) .
Camada de valncia
Consoante o nmero de eletres que determinada
substancia tem na ltima camada (camada de valncia)
assim vai ser designada de Isolante, condutora ou
semi-condutora:
Camada de valncia com mais de 4 eletres O tomo tem
tendncia para captar eletres para completar a ltima camada, so raros
os eletres livres e a substncia um isolante.
Camada de valncia com menos de 4 eletres bastante
fcil que eletres da ltima camada saiam da influencia do tomo, h
muitos eletres livres e a substncia um condutor.
Camada de valncia com 4 eletres Em determinadas
circunstncias comportam-se como isolantes e noutras como condutores.
(Substncias constitudas apenas por tomos com 4 eletres na ltima
camada so chamados semicondutores intrnsecos ou puros)
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tomos de materiais condutores
Os melhores materiais condutores so a Prata o Cobre
e o Ouro, todos eles com 1 nico eletro na camada de
valncia (Condutores - Camada de valncia com menos de 4 electres).
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tomo de Prata tomo de Cobre tomo de Ouro
1 orbital 2 eletres
2 orbital 8 eletres
3 orbital 18 eletres
4 orbital 32 eletres
5 orbital 18 eletres
6 orbital 1 eletro
1 orbital 2 eletres
2 orbital 8 eletres
3 orbital 18 eletres
4 orbital 1 eletro
1 orbital 2 eletres
2 orbital 8 eletres
3 orbital 18 eletres
4 orbital 18 eletres
5 orbital 1 eletro
Ag
47 el.
Cu
29 el.
Au
79 el.
tomos de materiais isolantes
Os tomos dos materiais isolantes contm poucos
eletres livres, o que dificulta a movimentao dos
mesmos, logo a passagem de corrente eltrica.
(Isolantes - Camada de valncia com mais de 4 eletres)
Alguns materiais desta categoria so:
Plstico (resinas),
Silicone,
Borracha,
Vidro (cermicas),
leo,
gua pura (desionizada),
Gases raros.
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tomo de Non
1 orbital 2 electres
2 orbital 8 electres
Silcio e Germnio
No estudo dos semi-condutores so de especial
importncia os tomos de Silcio e Germnio, ambos
com 4 eletres na camada de valncia.
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tomo de
Germnio
tomo de
Silcio
1 orbital 2 eletres
2 orbital 8 eletres
3 orbital 18 eletres
4 orbital 4 eletres
Total: 32 eletres
1 orbital 2 eletres
2 orbital 8 eletres
3 orbital 4 eletres
Total: 14 eletres
Tanto o Silcio como o Germnio, so semi-condutores, porque os seus
tomos apresentam 4 eletres na ltima camada. (Se apenas existirem
tomos de um tipo numa substncia esta pura ou intrnseca)
Ge Si
Substancias semicondutoras
As substncias semi-
condutoras tm os seus
tomos dispostos numa
estrutura cristalina.
Neste tipo de estrutura, os
eletres da camada de
valncia de cada tomo
esto fortemente ligados
aos eletres dos tomos
adjacentes formando pares de eletres ligados que
constituem ligaes covalentes, tal como mostrado na
figura, sendo este um semicondutor dito intrnseco, ou seja um
semicondutor tal como retirado da natureza.
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Eletres livres
Na estrutura cristalina das substncias semi-condutoras,
os eletres esto estveis porque sentem 8 eletres
na ltima camada (atravs das ligaes covalentes).
temperatura ambiente,
so raros os eletres livres.
No entanto, se a
temperatura aumentar
alguns eletres adquirem
energia suficiente para se
libertarem das ligaes
covalentes e tornam-se
eletres livres.
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Eletro livre
Lacunas
Por cada eletro que se liberta fica um lugar vazio na
ligao covalente Designa-se este espao vazio por
Lacuna.
Para que esta lacuna seja
preenchida, outro eletro ter
de soltar-se originando uma
nova lacuna.
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Num semi-condutor intrnseco
(puro) o nmero de lacunas
igual ao nmero de eletres
livres, formam:
pares eletro livre / lacuna.
Lacuna
Cargas positivas e negativas
Como uma lacuna representa um nvel de energia
contrrio ao do eletro, considera-se que nos semi-
condutores existem dois tipos de partculas condutoras:
Eletres livres portadores de carga negativa.
Lacunas portadores de carga positiva.
Como o nmero de eletres livres igual ao nmero de
lacunas, a substncia neutra.

temperatura ambiente as substncias semi-
condutoras so isolantes. Seriam necessrias
temperaturas bastante elevadas para que o nmero
total de eletres livres as tornassem condutoras.
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Movimentao das cargas
Se ao cristal semi-condutor for aplicada, em extremos
opostos, uma diferena de potencial, esta vai provocar
um deslocamento dos pares eletro / lacuna:
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a) b)
c) d)
temperatura ambiente este processo muito diminuto (intensidade de corrente muito fraca)
Dopagem
O acrscimo de temperatura para que as substncias
intrnsecas se tornem condutoras, de tal forma
elevado que esta soluo se torna invivel.
A forma de se conseguir a conduo dos semi-
condutores atravs da dopagem do material.
Dopagem quer dizer que; ao cristal puro vo ser
adicionadas impurezas, ou seja, tomos que contm 3
ou 5 eletres na camada de valncia, para que:
fique com excesso de eletres livres (adio de tomos com 5
eletres na ltima camada),
ou fique com excesso de lacunas (adio de tomos com 3 eletres
na ltima camada).
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Semi-condutores extrnsecos
s substncias semi-condutoras dopadas
chama-mos de:
Semi-condutores extrnsecos
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Cristal
Puro
(intrnseco)
Impureza
Semi-
condutor
extrnseco
Dopagem, com acrscimo de eletres
As substncias mais usadas na dopagem com 5
eletres na ltima camada so:
Fsforo smbolo qumico: P
(15 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 5)
Arsnio smbolo qumico: As
(33 eletres configurao eletrnica:
2, 8, 18, 5)
Antimnio smbolo qumico: Sb
(51 eletres configurao eletrnica:
2, 8, 18, 18, 5)
Estes semi-condutores extrnsecos (com excesso de eletres)
so chamados:
Semi-condutores do tipo N
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Semicondutores tipo N
Os semi-condutores do tipo N (excesso de
eletres), alm dos pares eletro / lacuna
existentes no cristal puro, tm por cada tomo de
impureza acrescentada, 1 eletro livre.
Neste tipo de estrutura h
muito mais eletres livres que
lacunas.
ELETRES:
portadores maioritrios de carga
(principais responsveis pela
corrente eltrica).
LACUNAS:
portadores minoritrios
de carga.
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Eletro livre devido
impureza
acrescentada
Eletro livre
Par eletro / lacuna
Dopagem, com excesso de lacunas
As substncias mais usadas na dopagem com 3
eletres na ltima camada so:
Boro smbolo qumico: B
(5 eletres configurao eletrnica: 2, 3)
Alumnio smbolo qumico: Al
(13 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 3)
Glio smbolo qumico: Ga
(31 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 3)
ndio smbolo qumico: In
(49 eletres configurao eletrnica: 2, 8, 18, 18, 3)
Estes semi-condutores extrnsecos (com excesso de lacunas)
so chamados:
Semi-condutores do tipo P
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Semicondutores tipo P
Os semi-condutores do tipo P (excesso de lacunas),
alm dos pares eletro / lacuna existentes no cristal
puro, tm por cada tomo de impureza acrescentada, 1
lacuna nas ligaes covalentes.
Neste tipo de estrutura h
muito mais lacunas que
eletres livres.
LACUNAS:
portadores maioritrios de carga
(principais responsveis pela
corrente eltrica).
ELETRES:
portadores minoritrios
de carga.
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Lacuna devido
impureza
acrescentada
Lacuna
Par eletro / lacuna
Semicondutores polarizados
Os cristais formados pela dopagem (tipo N e P) por si s no
tm grande utilidade do ponto de vista de funcionamento.
Os fabricantes de componentes eletrnicos utilizam esta
tcnica para a realizao de resistncias com diversos
valores ohmicos (principalmente quando inseridas num
circuito funcional chamado chip ou ic).
20
P
N
=

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