Dissertação PDF

INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA
rea Departamental de Engenharia de Sistemas de Potncia e Automao

Prensa Eletromagntica com recuperao de energia para
corte e moldagem de chapas e tubos de Al
TYRONE AUGUSTO J ORGE
(Licenciado)

Dissertao para a obteno do grau de Mestre em Engenharia Eletrotcnica ramo de
Automao e Eletrnica Industrial

Orientadores:
Doutor Lus Manuel dos Santos Redondo
Doutor Marcos Teotnio Pereira

J ri:
Presidente: Professor Doutor Vasco Emanuel Anjos Soares (ISEL)
Vogais:
Professor Doutor Lus Manuel dos Santos Redondo (ISEL)
Doutor Marcos Teotnio Pereira
Professor Doutor J oo J os Esteves Santana (IST)

Janeiro de 2013

i
Agradecimentos
Aos meus orientadores, Doutor Lus Manuel dos Santos Redondo e Doutor Marcos
Teotnio Pereira, pelos conhecimentos transmitidos, pela orientao e disponibilidade
demonstrada ao longo do desenvolvimento deste trabalho;
Aos administradores da Lusoforma, Indstria e Comercio de E mbalagens S.A.,
Bernardo Teotnio Pereira, Gonalo Teotnio Pereira e Dr. Marcos Teotnio Pereira
pela minha integrao na empresa e no pr ojeto QREN, e pela disponibilizao um
espao dedicado, recursos humanos e materiais para o desenvolvimento e construo
da mquina;
Aos colaboradores da Lusoforma, Eng. Cludia Passarinho, Eng. Pedro Filipe, Eng.
Pedro Gaio, Eng. Srgio Morgado, Lus Amado e Fernando Silva que direta ou
indiretamente auxiliaram o desenvolvimento deste trabalho;
Aos meus pais e avs paternos pela confiana e incentivo demonstrados ao longo do
meu percurso estudantil e pelo esforo financeiro realizado para suportar o mesmo.

Este documento foi escrito em conformidade com o novo acordo ortogrfico.

ii
Resumo
Foi desenvolvido um conversor de potncia e atuador mecnico para a moldagem e corte, por
ao de presso magntica, de chapas e tubos de Al, com uma energia mxima de descarga
de 10kJ. O conversor composto por duas malhas de descarga em paralelo e duas malhas de
recuperao de energia. O circuito capaz de gerar uma corrente de pico de 50kA com uma
taxa de variao mxima de 2kA/s atravs de um atuador, recuperar at 32% da sua energia
inicial e di minuir o t empo de carga dos bancos de condensadores no mesmo valor, reduzindo
assim a potncia da fonte de alimentao primria
Foram construdos vrios atuadores de forma a otimizar o pr ocesso, considerando as vrias
funes pretendidas, como a deformao ou corte de chapas e compresso de tubos.
O circuito eltrico aproximado desenvolvido em Matlab/Simulink foi validado, considerando
apenas o funcionamento da malha primria sem o at uador e a di nmica associada, sendo
capaz de simular as respostas do sistema para vrias situaes especficas, tornando-se numa
ferramenta para otimizao do mesmo.
Experimentalmente, os resultados obtidos provam ser possvel cortar chapas Al de 0,5 e
0,8mm, com apenas 13% da ener gia total do circuito, e comprimir tubos de Al com 2mm de
espessura e 50mm de dimetro com apenas 2,4kJ.
A topologia do circuito e a construo da mquina tiveram em conta vrios aspetos que
melhoram a proteo de pessoas e equipamentos e devida sua configurao este capaz de
suportar variaes de capacidade nos bancos de condensadores e variaes de indutncia nas
bobinas de recuperao de energia sem se danificar.

Palavras-Chave:
Moldagem e corte por presso magntica; Recuperao de energia; MEM; utilizao de
semicondutores de potncia.
iii
Abstract
A power converter and actuator were developed for cutting and molding Al sheets and tubes,
using magnetic forces, considering a m aximum stored energy of 10kJ. The converter
comprises two discharge paths in parallel with two energy recovery independent circuits. This
circuit is capable of generating a 50kA peak current, with a 2kA/s rate through the actuator, and
recovering up to 32 % of the initial stored energy, decreasing the charging time of the capacitors
for the same percentage and reducing the power of the primary power supply.
Several actuators were developed with the aim of optimizing the process, considering the
various tasks proposed, such as the forming and cutting of Al sheets and tube compression.
An electric approximate circuit developed in Matlab/Simulink was validated, considering the
operation of the primary circuit without the actuator and t he associate dynamic. The simulated
circuit is capable of reproducing the systems results for several operating conditions, being a
fundamental optimization tool of the circuit proposed
Experimentally, the obtained results show that it is possible to cut Al with a thickness of 0.5 mm
to 0.8 mm with only 13 % energy stored, and compress Al tubes with 2 mm thickness and 50
mm diameter with only 2.4 kJ.
Several items related to the safety of peoples and equipments were taken into consideration
when the topology was considered and t he machine was assembled. The circuit allows for
differences in the two capacitor banks and in the inductance of the energy recovery coils without
failing.

Keywords:
Molding and cutting by magnetic pressure; use of power semiconductors; Electromagnetic
forming; Energy recovery; EMF.
.
iv
ndice
Agradecimentos ......................................................................................................................... i
Resumo...................................................................................................................................... ii
Abstract .................................................................................................................................... iii
ndice ........................................................................................................................................ iv
Lista de tabelas ....................................................................................................................... vii
Abreviaturas ........................................................................................................................... xvi
1 Introduo .......................................................................................................................... 1
1.1 Estrutura da dissertao .............................................................................................. 2
2 Moldagem por Presso Magntica ..................................................................................... 3
2.1 Principais tcnicas de moldagem a alta velocidade ..................................................... 3
2.1.1 Moldagem Explosiva ............................................................................................. 4
2.1.2 Moldagem Eletro-hidrulica .................................................................................. 5
2.1.3 Moldagem Eletromagntica .................................................................................. 6
2.2 Circuitos de MEM prticos ..........................................................................................25
2.2.1 Circuito comutado por um tirstor .........................................................................25
2.2.2 Circuito comutado por um tirstor e limitado por um dodo ...................................28
2.2.3 Circuito comutado por dois tirstores em antiparalelo ...........................................32
2.2.4 Circuito de MEM com duas malhas de atuao em paralelo ................................35
2.3 Fatores que influenciam o desempenho do sistema de MEM .....................................39
2.3.1 Escoamento do ar ................................................................................................39
2.3.2 Resistncia do ar e intervalo entre a chapa e a matriz .........................................40
2.3.3 Espessura, condutividade do material .................................................................42
2.3.4 Corrente mxima e taxa de variao ...................................................................42
2.3.5 Geometria da bobina ...........................................................................................43
2.3.6 Resistncia em CA de um condutor .....................................................................46
3 Circuito Proposto ...............................................................................................................53
3.1 Circuito de MEM com mdulos em paralelo e com recuperao de energia ...............53
v
3.2 Tempo de carga do banco de condensadores ............................................................58
3.3 Proteo de pessoas e equipamentos ........................................................................59
3.3.1 Isolamento do equipamento de comando ............................................................59
3.3.2 Proteo da fonte de corrente ..............................................................................62
3.4 Circuito de comando ...................................................................................................63
3.5 Aspetos importantes a ter em conta ............................................................................65
3.5.2 Rede de energia eltrica a montante ...................................................................68
4 Modelizao e simulaes ................................................................................................68
4.1 Circuito de MEM elementar .........................................................................................68
4.2 Circuito de MEM com dodo de roda livre ...................................................................72
4.3 Circuito de MEM com recuperao de energia ...........................................................74
4.3.1 Variao da indutncia da bobina de recuperao ..............................................77
4.4 Circuitos de MEM em paralelo ....................................................................................79
4.5 Circuito de MEM com malhas de atuao em paralelo e recuperao de energia ......81
4.5.1 Dimensionamento do circuito de potncia ............................................................82
4.5.2 Resposta tpica ....................................................................................................87
4.5.3 Resposta para uma diferena de 10% entre bancos de condensadores ..............89
4.5.4 Resposta para uma diferena de 10% entre bobina de recuperao de energia .90
4.5.5 Resposta para um curto-circuito numa das bobinas de recuperao de energia .91
4.5.6 Resposta para um circuito aberto numa das malhas de recuperao de energia 92
5 Resultados experimentais .................................................................................................93
5.1 Variao da indutncia mtua entre o atuador e a pea a deformar ...........................98
5.2 Fora atrativa ..............................................................................................................98
5.3 Circuito de Comando ..................................................................................................99
5.4 Custo Energtico ...................................................................................................... 102
5.5 Implementaes de segurana e aspetos tidos em conta na construo da mquina
102
5.5.1 Descarga dos condensadores em caso de emergncia ..................................... 103
vi
5.5.2 Situaes de defeito .......................................................................................... 105
5.5.3 Cabo de transporte de energia .......................................................................... 106
6 Concluses e futuros desenvolvimentos ......................................................................... 107
Bibliografia .............................................................................................................................. 109
Anexo 1 Atuadores ........................................................................................................... A-1
Anexo 2 Outros resultados experimentais ........................................................................ A-6
Anexo 3 - Programao grfica da interface Homem-Mquina ........................................... A-8

vii
Lista de tabelas
Tabela 1 Resposta da corrente para vrias situaes num circuito RLC srie. K
1
, K
2
, A e
so constantes a determinar pela aplicao das condies iniciais. .........................................15
Tabela 2 Energia necessria para carregar o banco de c ondensadores aps a p rimeira
atuao. ....................................................................................................................................28
Tabela 3 Valor das constantes que definem a queda de tenso do tirstor para 25C e 125C.
.................................................................................................................................................31
atuao. ....................................................................................................................................32
atuao .....................................................................................................................................35
Tabela 6 Fora de atrito dinmico provocada por uma chapa metlica quadrada com 1cm
2
a
deslocar-se pelo ar. ..................................................................................................................41
Tabela 7 Resistividade e condutividade de vrios materiais. ..................................................42
Tabela 8 Relao entre a densidade de corrente a uma profundidade d e superfcie .........47
Tabela 9 Profundidade delta do efeito pelicular para o cobre e alumnio a vrias frequncias
.................................................................................................................................................49
Tabela 10 Valores tpicos para os tempos do opto-acoplador ILQ1. ......................................61
Tabela 11 Energias recuperadas aps a a tuao do s istema para diferentes valores de
indutncia da bobina de recuperao de energia. .....................................................................78

viii
Lista de figuras
Figura 1 Exemplo de um sistema de moldagem explosiva dentro de gua ............................. 5
Figura 2 Exemplo de um sistema de moldagem electro-hidrulica dentro de gua ................. 6
Figura 3 Exemplo de um sistema de moldagem eletromagntica de chapas metlicas. ......... 7
Figura 4 Produo de juntas esfricas com neopreno (figura da direita) por um operrio, com
recurso a uma Prensa Eletromagntica (PEM) (figura da esquerda). ......................................... 8
Figura 5 Peas tubulares com as pontas crimpadas magneticamente por uma PEM. ............. 8
Figura 6 Campo magntico num concentrador de campo. A rea de maior concentrao est
representada a vermelho [18]. ................................................................................................... 9
Figura 7 Crimpagem de um tubo de alumnio e um de ao sobre uma pea de alumnio [18]. 9
Figura 8 Crimpagem de um tubo de alumnio sobre uma de ao [20]...................................... 9
Figura 9 Deformao tpica de uma chapa por MEM (V
md
=200 m/s, com um intervalo de 50s
entre imagens) [22]. ..................................................................................................................10
Figura 10 Exemplo de uma prensa hbrida, em que usado o campo magntico para
aperfeioar os acabamentos, neste caso das esquinas. ...........................................................11
Figura 11 Holograma criado numa liga de cobre com 0,13mm de espessura, formada a 2,4kJ
[2]. .............................................................................................................................................11
Figura 12 Textura criada a 2, 4kJ numa liga de magnsio usando uma chapa de cobre de
0,4mm como guia [2]. ................................................................................................................11
Figura 13 Hologramas estampados com o uso de uma prensa eletromagntica [8]. ..............11
Figura 14 Resultado tipo do c orte de c hapas de A lumnio, Cobre e A o para sistemas
pneumticos ou hidrulicos esquerda e para sistemas de MEM direita. ..............................12
Figura 15 Exemplo da deformao de uma chapa de baixa condutividade (titnio, magnsio)
usando uma de alta condutividade (cobre, alumnio) como guia. ..............................................12
Figura 16 - Circuito simplificado de moldagem eletromagntica comutado por um interruptor (S),
onde U, Rc, C, L e r so respetivamente a tenso da fonte de alimentao, a resistncia de
carga, a capacidade do banco de condensadores, a indutncia do atuador associada com a
parasita do circuito e a resistncia parasita equivalente do circuito. ..........................................13
Figura 17 Resposta em tenso e corrente da carga do banco de condensadores com uma
capacidade de 1, 2mF, uma tenso de al imentao de 2000V, uma tenso inicial nula e uma
ix
resistncia de carga de 100. U, U
C
e I
C1
so respetivamente a tenso da fonte de alimentao,
a tenso e a corrente do banco de condensadores. ..................................................................14
Figura 18 - Circuito simplificado da malha de atuao do circuito de moldagem eletromagntica.
.................................................................................................................................................14
Figura 19 Respostas de corrente para um sistema RLC srie sub-amortecido com =
0
/10 e
sobre-amortecido com = 1,1
0
, uma tenso inicial de 2000V, L=5H, C=1,2mF. As respostas
foram simuladas utilizando a mesma frequncia de ressonncia, alterando apenas o valor da
resistncia do sistema. ..............................................................................................................16
Figura 20 A curva I
L
representa a c orrente que per corre o at uador, com um pico mximo
positivo de cerca de 25kA. A curva U
C
representa a t enso no banco de condensadores, com
uma tenso inicial de 2000V. C=1,2mF, L = 5H e r=20m. .....................................................18
Figura 21 Resposta da corrente num circuito de MEM elementar para vrios valores de
energia inicial [9]. ......................................................................................................................18
Figura 22 - Interaes magnticas entre dois condutores eltrico com correntes com sentidos
opostos. ....................................................................................................................................20
Figura 23 - Interaes magnticas entre dois condutores eltrico com correntes no mesmo
sentido. .....................................................................................................................................20
Figura 24 Simulao das correntes no atuador e na pea metlica com 1mm de espessura
[24]. ...........................................................................................................................................21
Figura 25 Simulao das foras no at uador e pea metlica para 0,3mm, 0,5mm e 1mm de
espessura [24]. .........................................................................................................................22
Figura 26 Resposta tpica da corrente num circuito de MEM com um dodo de roda livre para
baixar a taxa de variao da corrente quando esta negativa [26]. ..........................................23
Figura 27 Exemplo do funcionamento de um transformador de corrente. A corrente I que
percorre o condutor d origem a uma corrente I
1
, proporcional primeira. ...............................24
Figura 28 Circuito de MEM comutador por um tirstor (T). ......................................................26
Figura 29 Resposta da corrente no atuador (I
L
) e da tenso no banco de condensadores (U
C
)
para um circuito de MEM comutado por um SCR, com uma tenso inicial de 2000V, C=1,2mF,
L = 5H e r=20m. ....................................................................................................................27
Figura 30 Circuito de MEM comutado por um tirstor e com um dodo para limitar a tenso
inversa no banco de condensadores. ........................................................................................29
x
Figura 31 - Resposta da corrente no atuador (IL) e da tenso no banco de condensadores (UC)
para um circuito de MEM comutado por um SCR e com um dodo de roda livre, com uma
tenso inicial de 2000V, C=1,2mF, L = 5H, r=20m e com uma resistncia do dodo de roda
livre R
DRL
=2m. ........................................................................................................................29
Figura 32 Resposta das correntes de dois circuitos de MEM sincronizados usados para
projetar de rebites [17]. .............................................................................................................30
Figura 33 Queda de tenso aos terminais do tirstor para correntes at 30kA a 25C e 125C.
.................................................................................................................................................31
Figura 34 - Circuito de MEM comutado por dois tirstores em antiparalelo. ...............................33
L
C
)
para um circuito de MEM comutado por dois SCR em antiparalelo, com uma tenso inicial de
2000V, C=1,2mF, L=5H e r=20m. .........................................................................................34
Figura 36 Circuito de MEM com dois ramos de descarga em paralelo. ..................................35
Figura 37 Resposta tpica de um circuito de MEM com dois ramos de descarga em paralelo.
U
0
=2000V, C1=C2=1,11mF, L=2,4mH, R
T1
=R
T2
=20m e Rdrl=5m. ........................................36
Figura 38 Circuito de MEM com trs ramos de descarga em paralelo [28]. ............................38
Figura 39 Resposta da corrente (20kA/div) e tenso (3kV/div) no circuito de MEM da Fi gura
38 [28]. ......................................................................................................................................38
Figura 40 Imperfeies na moldagem na pea do l ado direito devido pr esena de ar no
molde durante a moldagem, quando comparada com a do lado esquerdo que foi formada em
vcuo [2]. ..................................................................................................................................39
Figura 41 Ilustrao das presses atmosfricas existentes em redor da pea antes (figura do
lado esquerdo) e no m omento da s ua deformao (figura do l ado direito). P1 a pr esso
atmosfrica entre a pea e o atuador e P2 entre a Pea e o molde. .........................................40
Figura 42 Exemplo do caminho percorrido pelo ar ao projetar uma chapa a alta velocidade. 41
Figura 43 Sistema de moldagem eletromagntica com um intervalo (d) entre a chapa metlica
e o molde, para permitir a acelerao da pea .........................................................................41
Figura 44 Presso magntica em funo do nmero de espiras de um atuador com
aproximadamente 11cm de dimetro [2]. ..................................................................................43
Figura 45 Atuador de uma espira para estampagem [8]. ........................................................44
xi
Figura 46 Atuador de uma espira para o acabamento de cantos [9]. .....................................44
Figura 47 Atuador plano para moldar chapas metlicas[34]. ..................................................44
Figura 48 Atuador de campo magntico uniforme de 11 espiras [2]. ......................................44
Figura 49 Atuador plano para moldar chapas metlicas.[35] ..................................................45
Figura 50 Atuador composto por duas metades para a moldagem tubos metlicos [35]. .......45
Figura 51 Chapa para uma pilha de combustvel formada com 3 disparos [2]. .......................45
Figura 52 Distribuio da presso magntica com varias bobinas (da esquerda para a direita:
bobina de 3 barras, bobina circular plana e bobina de presso uniforme) [2]. ...........................45
Figura 53 Bobina que cria duas presses distintas, a zona P1 onde a presso magntica
mais baixa e a zona P2 onde maior. ......................................................................................46
Figura 54 Concentrao do fluxo de corrente alterna num condutor para d= e d=4 ...........48
Figura 55 Representao das profundidades peliculares num condutor de cobre cilndrico
para vrias frequncias. ............................................................................................................49
Figura 56 Facto de e feito pelicular em ordem frequncia. Clculos realizados para um
condutor de cobre com 10mm
2
. ................................................................................................50
Figura 57 Distribuio da densidade de corrente num cabo de pares tranado de cobre [38].
.................................................................................................................................................51
Figura 58 Fator de proximidade em funo da frequncia. Clculos realizados para condutor
de cobre com 10mm
2
com um espaamento de 0,1mm entre condutores. ...............................52
Figura 59 Resistncia efetiva em funo da frequncia para dois condutores de cobre de
10mm
2
distanciados 0,1mm entre si. A resistncia duplica aos 15kHz quando comparado com a
resistncia em CC. ....................................................................................................................52
Figura 60 Circuito de MEM comutado por um SCR e com recuperao de energia. ..............53
Figura 61 Transferncias de energia no circuito de MEM durante o perodo de moldagem. ..55
Figura 62 - Transferncias de energia no circuito de MEM durante o perodo de recuperao de
energia. .....................................................................................................................................56
Figura 63 Exemplo da resposta do circuito de MEM com recuperao de energia comutado
por um SCR. U
C
e I
C
so respetivamente a t enso e a corrente no banco de condensadores.
U0=1500V, C=1,2mF, L=3,5H. ................................................................................................57
xii
Figura 64 Carga do banco de condensadores atravs de uma fonte de tenso (Curvas a
preto) e uma fonte de corrente (Curvas a vermelho). ................................................................59
Figura 65 Isolamento de um sinal de comando de sada atravs de um opto-acoplador. .......60
Figura 66 Resposta do opto-acoplador a um impulso de corrente na entrada. As descries
das siglas e valores tpicos encontram-se na Tabela 10. ..........................................................61
Figura 67 Esquema da sada de al ta tenso da fonte de c orrente, onde I D1 e ID2 so
respetivamente a corrente de defeito causada por uma tenso negativa e por uma positiva. ...62
Figura 68 Circuito de carga do banco de condensadores, comutado por um IGBT. ...............63
Figura 69 Diagrama de blocos do circuito de comando da PEM ............................................64
Figura 70 Diagrama temporal dos sinais de comando. Ti, tm, tre, tpf e tif so respetivamente o
tempo de impulso, o tempo de moldagem, o t empo de r ecuperao de energia, o tempo de
proteo da fonte e o tempo de inibio da fonte. .....................................................................65
Figura 71 Circuito de MEM com recuperao de ener gia individual para cada banco de
condensadores e com o atuador ligado diretamente terra. .....................................................66
Figura 72 - Sinalizao de perigo de eletrocusso ....................................................................67
Figura 73 Smbolo eltrico da terra funcional .........................................................................67
Figura 74 Trajeto da corrente que percorre o corpo humano causada pela tenso de contato
no momento de um defeito terra. ...........................................................................................67
Figura 75 Circuito de MEM simples. .......................................................................................69
Figura 76 Resposta do circuito de M EM elementar para uma tenso inicial U
0
=1500V,
C=1,2mF e L=5H. A curva I
L
representa a corrente no at uador e a c urva U
C
a tenso no
banco de condensadores. .........................................................................................................71
Figura 77 - Circuito de MEM com uma malha de roda livre .......................................................72
Figura 78 - Resposta do circuito para uma tenso inicial U
0
=1500V, C=1,2mF, L=2.4H,
r=20m e com dodo de roda livre, Ron=8m. A curva I
L
representa a corrente no atuador e a
curva U
C
a tenso no banco de condensadores. ....................................................................74
Figura 79 Circuito de MEM com recuperao de energia .......................................................75
Figura 80 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia. UC a tenso no
banco de condensadores e IC a corrente. U
0
=1500V, C=1,2mF, L=3,5H, R=20m, Rr=42m
e Lr=120H. ..............................................................................................................................77
xiii
Figura 81 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia para vrios valores do
coeficiente de au to-indutncia da bobi na de recuperao de ene rgia. Em cima esto
representadas as respostas da corrente que percorre o atuador e em baixo a tenso do banco
de condensadores. Os ndices 1, 2 e 3 c orrespondem aos valores de i ndutncia L
1
, L
2
=2xL
1
e
L
3
=2xL
2
. ....................................................................................................................................78
Figura 82 Circuito de MEM com dois sistemas em paralelo ...................................................79
Figura 83 - Resposta do circuito de MEM em paralelo para C1=C2=1,2mF, L=5H
RT1=RT2=1m. As respostas das correntes I
C1
e I
C2
so iguais e esto sobrepostas, tal como
as das tenses U
C1
e U
C2
. .........................................................................................................80
Figura 84 Modelo do circuito de MEM com duas malhas de atuao em paralelo com
recuperao de energia. ...........................................................................................................81
Figura 85 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia
considerando os mesmos parmetros para as duas malhas de descarga. C
1
=C
2
=555F,
L=3,7H, R
1
=R
2
=13m, L
r1
=L
r2
=150H e R
r1
=R
r2
=13m. .........................................................88
Figura 86 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com uma
diferena de 10% entre as capacidades dos bancos de condensadores. C
1
=555F, C
2
=500F,
L=3,7H, R
1
=R
2
=13m, L
r1
=L
r2
=150H e R
r1
=R
r2
=13m. .........................................................89
diferena de 10% entre as indutncias das bobinas de recuperao de energia. C
1
= C
2
=555F,
L=3,7H, R
1
=R
2
=13m, L
r1
=150H, L
r2
=135H e R
r1
=R
r2
=13m. .............................................90
bobina de recuperao de energia em curto-circuito. C
1
=C
2
=555F, L=3,7H, R
1
=R
2
=13m,
L
r1
=150H, L
r2
=0H e R
r1
=R
r2
=13m. .........................................................................................91
Figura 89 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com um
ramo de recuperao de energia em circuito aberto. C
1
=C
2
=555F, L=3,7H, R
1
=R
2
=13m,
L
r1
= L
r2
=150H e R
r1
=R
r2
=13m. ...............................................................................................92
Figura 90 Resposta do circuito de MEM com dodo de roda livre. CH1 e CH4 so
respetivamente as respostas da tenso e c orrente no banc o de c ondensadores, CH3 a
resposta corrente no atuador e M a resposta da corrente calculada no dodo de roda livre. A
escala da tenso 500V/div e as correntes de 5kA/div. ........................................................93
Figura 91 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia. Com uma tenso inicial
de 1500V foi obtida uma corrente de pi co no at uador de 18kA com um tempo de subida de
xiv
cerca de 60s. A tenso no banco de condensadores estabilizou em 500V em regime
permanente, uma recuperao de 11% em relao ener gia inicial. A escala da t enso
500V/div e das correntes de 5kA/div. .....................................................................................94
Figura 92 - Resposta do c ircuito de MEM com dois ramos de des carga em paralelo e c om
recuperao de energia. Com uma tenso inicial de 1500V foi obtida uma corrente de pico num
dos bancos de condensadores de 10,5kA. A tenso no banco de condensadores estabilizou
nos 850V em regime permanente, uma recuperao de 32% em relao ener gia inicial. A
escala da tenso 500V/div e da corrente de 2kA/div. ..........................................................95
Figura 93 Chapas de Al de 0,8mm de espessura cortadas usando o atuador n 3 com uma
corrente de pico de 17kA, 2400J. ..............................................................................................96
Figura 94 Chapas de Al de 0,8mm de espessura cortadas com duas energias diferentes
usando o atuador n 2, 1350J na da esquerda e 1015J na da direita. .......................................96
Figura 95 Corte limpo realizado pelo atuador n 5 numa chapa de Al de 0,5mm de espessura
com um impulso de 1945J. .......................................................................................................96
Figura 96 Chapa de Al com 0,5mm de espessura cortada e moldada simultaneamente pelo
atuador n 2 com um impulso de 2400J. ...................................................................................96
Figura 97 Chapa de Al com 0,8mm de espessura moldada pelo atuador n2 a 2400J. ..........97
Figura 98 Alisamento das abas de uma forma pr-moldada com a aplicao da fora no
puno (esquerda) e na matriz (direita) usando o atuador n9 com uma energia de 1015J. .....97
Figura 99 Tubo de Al com 2mm de espessura e 50mm de dimetro deformado pelo atuador
n 10 com um impulso de 2400J. ..............................................................................................97
Figura 100 Tubo de Al com 1,4mm de es pessura e 19 mm de di metro deformado pelo
atuador n 13 de 8 espiras com um impulso de 4400J. a) Vista superior, b) vista lateral ..........97
Figura 101 Resposta de um sistema de MEM com dois ramos de descarga em paralelo, sem
acoplamento magntico. O sinal (M) est a 200V/div e o CH4 a 1kA/div. .................................98
Figura 102 - Resposta de um sistema de MEM com dois ramos de descarga em paralelo, com
acoplamento magntico. O sinal (M) est a 200V/div e o CH4 a 1kA/div. .................................98
Figura 103 Uso de fora atrativa para moldar uma chapa de A l distanciada de 1mm do
atuador devido presena de uma rede entre os dois. Impulso de 1350J. ...............................99
Figura 104 Sinais de comando sada da FPGA. O sinal representado no CH1 o sinal de
inibio da fonte, o CH2 o sinal de comando do IGBT da malha de carga e o sinal do CH3 o
xv
impulso de c omutao dos SCR. Todos os sinais esto a 2V /div e a escala de tempo
250s/div. .................................................................................................................................99
Figura 105 Interface Homem-Mquina para a c onfigurao de par metros dos sinais de
comando. ................................................................................................................................ 100
Figura 106 Circuito de comando composto pelas placas de disparo dos tirstores (A), a placa
de avaliao que contem uma FPGA (B), a placa de isolamento e adaptao de sinais (C) e
uma fonte de alimentao (D). ................................................................................................ 101
Figura 107 Circuito de comando do IBGT de carga.............................................................. 101
Figura 108 Barramento de t erra onde feita a ligao do condutor de proteo que liga
estrutura da PEM atravs de um condutor de 35mm
2
. ............................................................ 102
Figura 109 Circuitos de descarga dos bancos de c ondensadores compostos por dois
conjuntos de um rel e uma resistncia em srie. Cada conjunto descarrega a energia de um
banco de condensadores. ....................................................................................................... 103
Figura 110 Aparelhagem de c omando local. Da esquerda para a di reita, o i nterruptor de
habilitao/inibio da fonte de alta tenso, o interruptor de corte da alimentao e o interruptor
de corte de emergncia. ......................................................................................................... 103
Figura 111 Resposta da c orrente e tenso no banc o de c ondensadores (C=1,11mF,
V
0
=3000V) durante o acionamento da malha de dissipao de ene rgia. A linha vermelha
representa os 50V, tenso abaixo do qual j no existe perigo de el etrocusso em condies
pouco hmidas. ....................................................................................................................... 104
Figura 112 Quebra do condutor de cobre aos terminais de um atuador devido m cravagem
dos mesmos. .......................................................................................................................... 105
Figura 113 Ponto de contato da estrutura metlica que suporta o atuador com o condutor de
proteo da instalao eltrica aps um defeito terra de cerca de 20kA. ............................. 105
Figura 114 Curto-circuito entre espiras causado por um filamento mal colocado numa das
espiras da bobina. ................................................................................................................... 106
Figura 115 Cabo multifilar flexvel de cobre com 185mm
2
de seo. .................................... 106

xvi
Abreviaturas
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contnua
PEM Prensa eletromagntica
TMAV Tcnicas de Moldagem a Alta Velocidade
FEM Fora Eletromotriz
MEM Moldagem Eletromagntica
SCR Tirstor
FPGA Field-programmable gate array

1

1 Introduo
A Moldagem Eletromagntica (MEM) uma Tcnica de Moldagem de Alta Velocidade (TMAV)
em que so produzidas foras elevadas, de or igem magntica, entre uma pea metlica a
moldar e u ma bobina, chamada de a tuador firmemente fixada. Tipicamente o atuador est
inserido num circuito ressonante, onde so geradas correntes na ordem das dezenas de
milhares de amperes, com frequncias elevadas, que ao percorrerem o atuador do origem a
um campo magntico com uma taxa de variao elevada. Este campo magntico produzido no
atuador interage com a pea metlica a moldar, posicionada a apenas dcimas de milmetro, e
d origem a uma fora de repulso elevada, que projeta normalmente a pea contra um molde
fixo.
Alm da MEM, existem outras TMAV como a ex plosiva, a e lectro-hidrulica ou a
eletromagntica, que eliminam a necessidade de existir dois moldes para dar forma s peas,
tipicamente denominados como puno e matriz, passando a ser necessria apenas uma delas
para produzir o mesmo produto e reduzindo o custo de produo de moldes para metade. Para
alm disso, as TMAV demonstram ser capazes de reduzir as principais limitaes dos
processos de moldagem convencionais como a moldagem pneumtica e hidrulica [1][2][3],
provando a s ua utilidade na i ndstria atual em que ex iste cada vez mais a nec essidade de
recorrer produo em massa para reduzir os custos de produo e satisfazer a procura de
mercado. A aplicao de um sistema de moldagem de alta velocidade pode aumentar a
eficincia energtica do processo, diminuir o tempo de produo, ou possibilitar a produo de
peas que so muito difceis de fazer atravs de mtodos comuns assim possibilitando a
introduo de nov os produtos no m ercado. Das TMAV acima mencionadas, a m oldagem
eletromagntica (MEM) a que demonstra mais capacidade de ser integrada num processo
industrial devido pos sibilidade de disponibilidade de taxas de repetio mais elevadas, ao
controlo mais preciso das grandezas envolvidas no sistema e elevada capacidade de
adaptao e integrao em sistemas existentes.
Apesar de j existirem muitas aplicaes com mquinas de moldagem magntica ainda existe
campo para otimizao do processo com vista a melhorar as aplicaes industriais [4].
Em sistemas de moldagem eletromagntica comum a utilizao de dispositivos interruptores
baseados em descarregadores (i.e. spark gaps) como dispositivos de comutao de potncia
[1], que so tipicamente controlados conduo. A utilizao de dispositivos semicondutores
2
de potncia semi-comandados ou totalmente comandados permitem o aumento da flexibilidade
alm da eficincia energtica. Neste trabalho so usados semicondutores de potncia, tendo
em conta dois aspetos importantes para a implementao industrial destes sistemas, como so
a eficincia energtica e a proteo de pessoas e equipamentos.
Dado a escassez de trabalhos nestas reas, o desenvolvimento de um sistema de recuperao
de energia capaz de melhorar a e ficincia energtica dos sistemas de MEM, o es tudo do
processo de deformao a alta velocidade e o estudo de solues para a proteo de pessoas
e equipamentos so os objetivos deste estudo. Assim, a n fase deste trabalho dada na
anlise e ot imizao do circuito do atuador, como primeiro fator para melhorar o desempenho
deste tipo de sistemas.
Devido ao valor elevado das grandezas, corrente e tenso, em jogo num circuito de MEM so
utilizados tirstores (SCR) para construo da mquina aqui proposta. Esta deve ser capaz de
se adaptar facilmente a cada processo individual na indstria, atravs da sua construo em
mdulos, e dev e ser desenvolvida tendo como prioridade a pr oteo de pes soas e
equipamentos.
A implementao de um modelo eltrico para simular o sistema de MEM essencial para a
previso de resultados e anlise de comportamento, no entanto a resposta do circuito depende
significativamente do acoplamento da chapa metlica com o atuador, havendo parmetros que
variam com o movimento da pea, fazendo com que os clculos detalhados da resposta das
grandezas envolvidas na MEM sejam muito complexos [4], que no objeto de estudo neste
trabalho. Mesmo tendo isto em considerao, o modelo eltrico aqui estudado deve ser capaz
de simular a resposta aproximada do sistema, para efeitos da sua otimizao de desempenho.
Este trabalho foi abrangido no projeto QREN n1600 A2P2.
1.1 Estrutura da dissertao
Esta dissertao est organizada em seis captulos; assim alm deste, no captulo 2 descreve-
se o es tado da ar te e o princpio de f uncionamento da MEM, onde so apresentados os
circuitos eltricos mais comuns e os principais fatores que a influenciam esta tcnica de
moldagem. No captulo trs so propostos os circuitos para a construo de uma mquina de
MEM e os aspetos mais importantes a t er em conta na fase de desenvolvimento. No captulo
quatro so apresentados os modelos dos circuitos de MEM prticos e as suas respostas
simuladas com o objetivo de facilitar a compreenso do circuito proposto, atravs da anlise e
comparao das respostas de cada circuito de acordo com cada alterao realizada. No
3
captulo cinco so apresentados os resultados experimentais mais relevantes dos circuitos de
MEM prticos e do circuito proposto. Para finalizar este documento no captulo seis so tiradas
concluses e so previstos os futuros desenvolvimentos a realizar.

2 Moldagem por Presso Magntica
Num processo convencional de moldagem de peas metlicas a baixa velocidade as
propriedades do material, como o coeficiente de endurecimento de t enso (strain hardening
coeficient) e a relao de anisotropia (anisotropy ratio) e os parmetros do processo, como a
taxa de deformao (strain rate) e a temperatura, limitam o nvel de deformao que um dado
metal pode sofrer sem que se danifique e a preciso dimensional da forma final das peas
depende principalmente do retorno elstico (springback) [1][5][6]. Estes processos tradicionais
de moldagem de chapas metlicas por frico, atravs de maquinaria pneumtica, hidrulica,
eletromecnica ou hbrida, dependem de dois componentes fundamentais, o puno e a matriz,
para realizar o corte e/ou a moldagem das peas, sendo suscetveis a desgaste de material,
problemas de alinhamento e di stribuio de presso pela sua superfcie, necessidade de
lubrificao, entre outros.
Devidas s altas velocidades (e.g. 100 a 200 m/s) e foras envolvidas (e.g. 1 a 10 kN) no
processo de MEM possvel superar o efeito de springback, causado pela elasticidade do
material da pea a moldar, obtendo um produto final muito mais preciso quando comparada
com os processos tradicionais [1][7][8][9]. Com esta TMAV a distribuio da presso magntica
aplicada chapa metlica pode ser diretamente controlada atravs da geometria do atuador,
possibilitando que uma mquina de MEM possa ser facilmente adaptada a cada situao
especfica ou integrada num processo de moldagem tradicional, dando origem a uma mquina
hbrida.
2.1 Principais tcnicas de moldagem a alta velocidade
As tcnicas de moldagem a alta velocidade (TMAV) aparecem inicialmente descritas no final do
sculo XIX, sendo alvo de inmeros estudos entre os anos 1950 e 1970, aps os quais houve
uma reduo significativa de interesse na rea at aos anos 1990. Contudo, nos ltimos anos,
maioritariamente devido ao i nteresse das indstrias automveis e aer oespaciais de pr oduzir
veculos com materiais mais leves e propriedades melhoradas, houve um reaparecimento do
interesse nas TMAV.
4
O desenvolvimento da el etrnica de po tncia nos anos 90 teve tambm influncia, pois o
aparecimento de dispositivos semicondutores com propriedades melhoradas, tais como tenso
de bloqueio, corrente de conduo, tempos de comutao e perdas conduo, originou uma
evoluo no des envolvimento de nov os circuitos, para gerao das grandezas pretendidas,
mais eficientes.
As TMAV utilizam energia cintica, obtida atravs da rpida acelerao da pea a deformar a
velocidades acima dos 100 m/s numa distncia de apenas algumas dcimas a poucos
milmetros, para deformar as peas. No momento do impacto contra o molde, e de acordo com
a primeira lei de N ewton, a i nrcia da pe a responsvel por executar a deformao da
mesma. A estas velocidades as deformaes so plsticas e os materiais so irreversivelmente
deformados, permitindo a produo de peas com um elevado nvel de pormenor e melhorando
as caratersticas de moldagem do material [1].
Os mtodos mais difundidos para moldagem a alta velocidade, so os que utilizam foras de
origem explosiva, electro-hidrulica e magntica.
2.1.1 Moldagem Explosiva
A moldagem explosiva uma tcnica de moldagem a al ta velocidade onde s o utilizadas
cargas explosivas para gerar uma elevada quantidade de energia que transferida para a pea
a formar, atravs um lquido ou ar eia, na f orma de um a onda de c hoque, acelerando-a
rapidamente a velocidades at 7500m/s [10]. Com o uso desta tcnica existe a possibilidade de
reduzir o custo de produo para um dcimo na produo de peas em pequena escala [11].
Esta tcnica mais utilizada para formar peas de grandes dimenses ou que necessitem de
elevadas presses aplicadas, porque apresenta um custo de pr oduo mais baixo do que a
construo de uma prensa de al ta presso e/ou de grandes dimenses. Torna-se vantajosa
tambm na moldagem de peas em apenas uma etapa, que atravs de outro mtodos seriam
precisas vrias etapas, como a f abricao de pecas mais pequenas que depois so soldadas
umas s outras para formar o produto final. Apesar disto, esta tcnica est limitada na sua taxa
de produo de peas, pois tem um tempo de pr eparao elevado. Tambm existe a
necessidade de manter todo o espao dentro do molde em vcuo para que sejam eliminados
os problemas de evacuao do ar num curto espao de tempo. Na Figura 1 est representado
de forma simplificada um sistema de moldagem explosiva.
O molde pode ser feito de f ibra de vidro, para um baixo nmero de peas, de beto, para
grandes peas e com presses mdias, ou com ao, para peas moldadas a altas presses.
5
A moldagem explosiva foi usada no incio dos anos 1890, em que a carga explosiva era posta
diretamente em contacto com a c hapa metlica para fazer texturas. Foi tambm usada nos
anos 1960 par a formar peas para o Lockheed SR-71 Blackbird, uma aeronave de
reconhecimento.

Figura 1 Exemplo de um sistema de moldagem explosiva dentro de gua

2.1.2 Moldagem Eletro-hidrulica
Na moldagem eletro-hidrulica a energia eltrica acumulada num banco de condensadores
convertida, em parte, em energia mecnica atravs de uma descarga eltrica num filamento,
levando vaporizao de uma pequena quantidade de l quido entre os eltrodos que por sua
vez cria uma onda de choque que acelera rapidamente a pea a velocidades acima dos 300m/s
[12]. Esta tcnica est entre a moldagem explosiva e a eletromagntica, sendo que um impulso
de corrente gerado por um circuito semelhante ao usado na moldagem eletromagntica, no
entanto as ondas de choque criadas so semelhantes s da moldagem explosiva. Com esta
tcnica os custos de construo e equipamento podem ser reduzidas [13]. Uma alternativa a
esta tcnica a v aporizao de um filamento de alumnio, em que este se torna altamente
reativo e capaz de substituir os mtodos explosivos convencionais [14].
Na Figura 2 est representado um sistema de moldagem eletro-hidrulica.
Para formar peas de grandes dimenses necessrio muita energia armazenada nos
condensadores, o que origina um sistema volumoso, tornando-se assim numa soluo mais
cara comparativamente com a moldagem explosiva. Por outro lado a moldagem eletro-
hidrulica m ais adequada a processos de automao, dado ao c ontrolo mais preciso,
6
capacidade de des cargas sequenciais e o t amanho, relativamente mais compacto que o
explosivo, do sistema de conteno do processo.
O potencial desta tcnica de moldagem foi reconhecida em meados dos anos 1940 por Yutkin
L. A. e nos anos 1950 e 1960 foi implementada na produo de peas para aeronaves.

Figura 2 Exemplo de um sistema de moldagem electro-hidrulica dentro de gua

2.1.3 Moldagem Eletromagntica
A moldagem eletromagntica uma TMAV onde a fora na pea a deformar exercida sem
contacto mecnico, devido a uma interao eletromagntica, semelhante q ue existe entre
espiras do p rimrio e s ecundrio num transformador de po tncia, mas onde o secundrio,
formado por uma pea condutora eltrica no est fixo. A fora magntica aplicada pea a
deformar produzida pela repulso magntica originada entre o campo magntico produzido
por uma corrente oscilatria com grande amplitude e frequncia elevada, devido normalmente
transferncia ressonante de u ma quantidade de ener gia elevada entre um banco de
condensadores e uma bobina, denominada de atuador, e o campo magntico produzido pela
corrente induzida na pea a deformar pelo campo magntico da bobina (i.e. lei de Lenz).
O circuito eltrico do sistema composto normalmente por uma bobina, onde se cria o intenso
campo magntico, um banco de c ondensadores para armazenar energia, um dispositivo de
comutao de pot ncia e uma fonte de al imentao. Na parte mecnica apenas necessrio
um molde para dar forma pea, uma pea metlica para ser formada, que pode s er uma
7
chapa, um tubo ou uma pea pr formada e um sistema de fixao para suportar as elevadas
foras criadas no momento de atuao, de acordo com a Figura 3.
Devida r pida acelerao da pe a c omum manter-se o es pao a preencher pela pea
formada em vcuo, para eliminar os problemas de ev acuao do ar a alta velocidade. O
exemplo que se segue (Figura 3) de um sistema de deformao de chapas metlicas.

Figura 3 Exemplo de um sistema de moldagem eletromagntica de chapas metlicas.
Uma das primeiras tentativas de usar-se a tcnica de moldagem magntica foi nos anos 1920,
em que dois investigadores tentaram tirar partido da Lei de Lo renz ao curto-circuitar um
gerador de grandes dimenses. Estas tentativas falharam e a investigao foi posta de parte
at aos anos 60, em que foram observadas falhas em barramentos que transportavam grandes
correntes, devido i nterao magntica entre si. Ento surgiu a i deia de aproveitar esta fora
para realizar trabalho til com a transformao do barramento numa bobina. Aproximadamente
em 1963 foi introduzida a pr imeira prensa eletromagntica pela General Motors, para a
fabricao de juntas esfricas com neopreno (Figura 4).
8

Figura 4 Produo de juntas esfricas com neopreno (figura da direita) por um operrio, com recurso a
uma Prensa Eletromagntica (PEM) (figura da esquerda).
Em 1965 a NASA desenvolveu um martelo eletromagntico para a r emoo de amolgadelas
em chapas de aeronaves e tanques de combustvel [15].
Em 1983 f oi implementada uma prensa eletromagntica de t erceira gerao na GM, com a
bobina arrefecida a gua, para a montagem final das juntas esfricas. Esta mquina foi
incorporada numa linha de montagem de 28 estaes e produziu vrios milhes de peas.
Posteriormente foram implementadas outras mquinas por outras companhias,
maioritariamente na produo de peas tubulares, como as representadas na Figura 5.

Figura 5 Peas tubulares com as pontas crimpadas magneticamente por uma PEM.
9
Ao longo das dcadas de 80 e 90 f oram desenvolvidas vrias pistolas para inserir rebites
fazendo uso do eletromagnetismo para acelerar os mesmos [16] [17][18].
Na MEM de tubos comum a utilizao de concentradores de campo devido di ficuldade de
concentrar o c ampo magntico numa pequena rea, por causa do nmero de es piras
necessrias, distncia entre si e seco das mesmas. O concentrador de campo, chamado
Field Shaper, concentra o campo magntico criado pelo atuador numa pequena zona de modo
a criar uma elevada presso localizada [7] [19] [20].

Figura 6 Campo magntico num concentrador de campo. A rea de maior concentrao est
representada a vermelho [19].
A crimpagem eletromagntica de tubos est industrialmente difundida, havendo cerca de 400 a
500 mquinas em produo mundialmente [19]. As prximas duas figuras mostram resultados
obtidos na crimpagem de tubos metlicos.

Figura 7 Crimpagem de um tubo de alumnio e
um de ao sobre uma pea de alumnio [19].

Figura 8 Crimpagem de um tubo de alumnio
sobre uma de ao [21].

A acelerao da pea metlica acoplada magneticamente com o atuador no uniforme ao
longo da mesma devido s elevadas foras que so aplicadas localmente. Devido inercia do
10
material as zonas onde o campo magntico menos intenso aceleram mais lentamente. Em
[22] este fenmeno chamado de hper-plasticidade. A Figura 9 mostra a forma tpica que uma
chapa metlica adquire quando submetida a uma elevado campo magntico criado por um
atuador em forma de espiral, projetando a pea a 200m/s.

Figura 9 Deformao tpica de uma chapa por MEM (V
md
=200 m/s, com um intervalo de 50s entre
imagens) [23].
A moldagem eletromagntica tem uma srie de c aractersticas comuns aos mtodos
tradicionais e alta velocidade e outras especficas que podem ser vistas como vantagens:
Melhora o processo de formao devido s deformaes a alta velocidade [24];
O enrugamento pode ser largamente suprimido, devido s elevadas presses aplicadas;
A moldagem pode ser combinada com outros materiais, como plsticos ou out ros
metais;
Elevada qualidade no corte de chapas de alumnio [8] (Figura 14);
Conseguem-se obter melhores tolerncias dimensionais devido ao bai xo retorno
elstico [24];
Permite a recuperao de energia;
No existem peas mveis na m quina, suprimindo o des gaste mecnico dos
componentes;
Apenas necessrio uma matriz para formar as peas, descartando o puno utilizado
nos mtodos tradicionais como o pneumtico e hidrulica;
A necessidade de lubrificao muito baixa ou inexistente, podendo operar em salas
limpas (estreis);
No existe contacto fsico entre a pea e o at uador, no c ontaminando ou dei xando
marcas das ferramentas na pea;
Permite tambm que o acabamento da pea (isolante ou no) seja aplicado antes da
moldagem;
possvel integrar este processo nas tcnicas de moldagem tradicionais (Figura 10);
11
Em alguns casos a crimpagem de terminais ou conexes de c abos por MEM pode
reduzir a r esistncia eltrica dos contatos em 50% quando comparada com a
crimpagem realizada mecanicamente [3].
Pode ser usada para fazer hologramas ou texturas (Figura 11, Figura 12 e Figura 13).

Figura 10 Exemplo de uma prensa hbrida, em que usado o campo magntico para aperfeioar os
acabamentos, neste caso das esquinas.

Figura 11 Holograma criado numa liga de cobre
com 0,13mm de espessura, formada a 2,4kJ [2].
Figura 12 Textura criada a 2,4kJ numa liga de
magnsio usando uma chapa de cobre de 0,4mm
como guia [2].

Figura 13 Hologramas estampados com o uso de uma prensa eletromagntica [8].
12

Figura 14 Resultado tipo do corte de chapas de Alumnio, Cobre e Ao para sistemas pneumticos ou
hidrulicos esquerda e para sistemas de MEM direita.

As principais limitaes so:
No ser possvel moldar peas no condutoras ou de baixa condutividade diretamente,
sendo assim necessrio uma pea metlica para servir de guia ou puno;
Para realizar moldagens de mdia ou grande profundidade so necessrias vrias
bobinas ou a integrao num processo tradicional;
difcil concentrar bastante o campo magntico sem a aj uda de um concentrador de
campo, que reduz a eficincia do processo, porque necessrio garantir uma distncia
mnima entre espiras e manter a robustez da bobina;
Como so criadas altas tenses e c orrentes, necessrio tomar em considerao a
segurana, tanto da instalao como pessoas que operam a mquina;

Figura 15 Exemplo da deformao de uma chapa de baixa condutividade (titnio, magnsio) usando
uma de alta condutividade (cobre, alumnio) como guia.
O circuito eletrnico tpico, simplificado, para MEM est representado na Figura 16. Apesar de
ser o circuito mais simples para a MEM o que serve de base para os circuitos outros circuitos
que so apresentados posteriormente neste captulo. tambm o circuito de MEM mais usado
na prtica devido sua simplicidade e capacidade de conduo de el evadas correntes com o
uso de Spark gaps como interruptores.
13
C
L
U
Rc
S
r

Figura 16 - Circuito simplificado de moldagem eletromagntica comutado por um interruptor (S), onde U,
Rc, C, L e r so respetivamente a tenso da fonte de alimentao, a resistncia de carga, a capacidade
do banco de condensadores, a indutncia do atuador associada com a parasita do circuito e a
resistncia parasita equivalente do circuito.
Este circuito possui duas malhas distintas: A malha de carga, composta pela fonte de tenso, a
resistncia de carga e o banco de condensadores, e a malha de descarga, composta pelo
atuador, dispositivo de comutao, resistncia parasita e tambm pelo banco de
condensadores.
A malha de carga, tal como o nome indica, tem como funo carregar o banco de
condensadores com uma energia inicial, em joules, que dada por,
A carga dos condensadores apenas deve ser feita quando a malha de descarga est em aberto
para evitar que hajam correntes inversas a circular pela fonte de tenso, que podem levar sua
destruio. A tenso aos terminais do banco de condensadores durante a sua carga (t
0
t
C
)
dada por,
t
0
t
C

() =
()
=
1
() +
(
0
)
(2)
Onde q(t) carga do banco de condensadores, i
carga
a corrente de carga e v
C
(t
0
) a t enso
inicial dos condensadores.
A corrente de carga dada por,
t
0
t
C

=
()
()

(3)
Onde v(t) a tenso da fonte e v
C
(t) a tenso do banco de condensadores.

=
1
2
2

(1)
14
A Figura 17 mostra a resposta tpica da t enso e c orrente durante a carga do banc o de
condensadores.

Figura 17 Resposta em tenso e corrente da carga do banco de condensadores com uma capacidade
de 1,2mF, uma tenso de alimentao de 2000V, uma tenso inicial nula e uma resistncia de carga de
100. U, U
C
e I
C1
so respetivamente a tenso da fonte de alimentao, a tenso e a corrente do banco
de condensadores.
Uma vez carregados os condensadores, o dispositivo de comutao pode ser comandado para
fechar o circuito, dando origem a um circuito RLC. Na Figura 18 est representado o circuito
simplificado no momento da descarga, em que a fonte de alimentao no influencia o resto do
circuito, dado estar inibida.
r
L
C
I
a
U
C

Figura 18 - Circuito simplificado da malha de atuao do circuito de moldagem eletromagntica.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
500
1000
1500
2000
2500
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
5
10
15
20
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

U
U
C
I
C1
15
No momento da des carga a ene rgia armazenada nos condensadores transferida para o
atuador durante um curto espao de t empo, tipicamente na or dem das dezenas de
microssegundos. A resposta da c orrente que percorre a m alha de at uao depende dos
parmetros do circuito e pode ser uma das trs seguintes respostas:
Sobre-amortecida, quando >
0
;
Criticamente amortecida, quando =
0
;
Sub-amortecida, quando <
0
,
sendo o coeficiente de amortecimento e
0
a frequncia de ressonncia. As expresses de
e
0
so dadas por

=

2

(4)

0
=
1

(5)
A equao da c orrente que percorre o at uador e os seus zeros para cada situao esto
representados na Tabela 1.
Situao Zeros Resposta da corrente
>
0

1
= +
2
+
0
2

2
=
2
+
0
2

() =
2
+
0
2
+
2
2
+
0
2

=
0
= () =
(
1
+
2
)
<
0

1
= +
0
2

2

2
=
0
2

2

() =
cos( +)
Tabela 1 Resposta da corrente para vrias situaes num circuito RLC srie. K
1
, K
2
, A e so
constantes a determinar pela aplicao das condies iniciais.
dado pela seguinte equao,

=
0
2

2

(6)
e os valores de A e so obtidos atravs das condies iniciais do sistema.
Na Figura 19 esto representadas duas respostas de corrente, uma sobre-amortecida e uma
sub-amortecida, com a mesma frequncia de r essonncia para fins de c omparao. Das
16
respostas apresentadas a sub-amortecida que tem menos perdas devido baixa resistncia
eltrica do circuito, originando a corrente com amplitude mais elevada. Tipicamente os circuitos
de MEM tm este tipo de resposta porque a sua resistncia eltrica baixa e depende
maioritariamente das resistncias de contato e r esistncia eltrica das cabelagens, ao efeito
pelicular e ao efeito de proximidade, pois a frequncia da corrente elevada.

Figura 19 Respostas de corrente para um sistema RLC srie sub-amortecido com =
0
/10 e sobre-
amortecido com = 1,1
0
, uma tenso inicial de 2000V, L=5H, C=1,2mF. As respostas foram
simuladas utilizando a mesma frequncia de ressonncia, alterando apenas o valor da resistncia do
sistema.
Posto isto a equao que descreve o comportamento da corrente na malha de atuao ,

() =
cos( +)
(7)
Onde A e so respetivamente a amplitude mxima e a desfasagem da corrente e so dadas
pelas condies iniciais do sistema.
A resposta da tenso no banco de condensadores ,
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
x 10
-3
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
sub-amortecida
I
sobre-amortecida
17

() =
() +
()

(8)

Considerando a reduzida resistncia do circuito, a corrente que percorre a malha de descarga
pode atingir um pico de vrias dezenas de kA, que em conjunto com a baixa indutncia do
circuito, permite uma elevada taxa de v ariao da mesma. A taxa de variao mxima da
corrente limitada apenas pelo valor da a mplitude da corrente, pela indutncia e pela
resistncia do c ircuito e/ou pelos limites do di spositivo de c omutao no c aso de es te ser
semicondutor, como se mostra pela equao abaixo.

()

mx
=

( = 0
+
)
L
sen()
(9)
Onde u
C
(t=0
+
) a tenso do banco de condensadores no instante em que a malha de atuao
fechada.
A resposta tpica em corrente e em tenso da malha de atuao est representada na Figura
20.

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
x 10
-3
-2
-1
0
1
2
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
x 10
-3
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
L
U
C
18
Figura 20 A curva I
L
representa a corrente que percorre o atuador, com um pico mximo positivo de
cerca de 25kA. A curva U
C
representa a tenso no banco de condensadores, com uma tenso inicial de
2000V. C=1,2mF, L = 5H e r=20m.
Na prxima figura esto representadas algumas respostas experimentais da corrente num
circuito de MEM elementar para vrios valores de energia inicial.

Figura 21 Resposta da corrente num circuito de MEM elementar para vrios valores de energia inicial
[9].
A obteno de uma frequncia de ressonncia elevada, dada pela equao (10), importante
para que se induzam elevadas correntes de F oucault na pe a metlica, de ac ordo com a
equao de Maxwell-Faraday (11).

0
=
1

(10)
Onde
0
(rad/s) a frequncia de r essonncia, L ( H) a i ndutncia do circuito e C (F) a
capacidade do banco de condensadores.

E =
d
dt

(11)
19
Onde E a fora eletromotriz induzida (V) e o fluxo magntico (Wb).
Materiais com baixa condutividade necessitam de f requncias de r essonncia mais elevadas
para que haja uma moldagem eficiente. Estes materiais, como o titnio, so quase impossveis
de moldar diretamente, mas podem ser moldados usando outro metal de maior condutividade
como guia. Por estas razes os metais de elevada condutividade como o alumnio e o cobre,
que podem ser moldados diretamente e c om grande eficincia, so preferidos para serem
usados em moldagem eletromagntica.
A corrente de pi co gerada pelo banco de condensadores, I
mx
, pode ser estimada a partir das
equaes do circuito RLC. Considerando a resistncia e o ac oplamento magntico do circuito
como desprezveis, a corrente mxima dada pela equao (12).
Corrente mxima num circuito RLC:

=
0

(12)
Onde V
0
a tenso inicial do banco de condensadores, L a indutncia total do sistema e C
a capacidade do banco de condensadores.
Ao percorrer o atuador, a corrente cria um campo magntico intenso na sua imediao que de
acordo com a lei de Faraday da induo magntica (11) ao variar induz uma tenso na chapa
metlica a de formar, que se encontra prxima da bobi na. Esta fora eletromotriz induzida
(FEM), cujo sinal dado pel a Lei de Len z, atua sobre a r esistncia da chapa criando uma
corrente que circula na mesma, que por sua vez d origem um segundo campo magntico.
Quando um condutor eltrico que percorrido por uma corrente atravessado por um campo
eltrico ou magntico criada um fora no condutor que definida pela Lei de Lorentz,

= (
)
(13)
Onde F, q, E, v e B so respetivamente a fora que atua sobre a partcula, a carga eltrica da
partcula, o campo eltrico, a velocidade da partcula e o campo magntico.
Em comparao com o elevado campo magntico o campo eltrico em circuitos de MEM pode
ser desprezado devido ao seu baixo valor.
20
Na Figura 22 e Figura 23 esto representados os dois tipos de foras existentes entre dois
condutores paralelos. A mesma analogia pode ser feita para obter os sentidos das foras entre
o atuador e a pe a metlica de um circuito de MEM. Na primeira figura os condutores so
percorridos por corrente com sentidos contrrios, que pela equao (13) do origem a uma
fora repulsiva entre os mesmos. Na segunda figura os condutores so percorridos por
correntes no mesmo sentido, criando uma fora atrativa entre si.
B
1
B
1
I
1
I
2
F
2
C
1
C
2

a)
B
2
B
2
I
1
I
2
F
1
C
1
C
2

b)
I
1
I
2
F
2 F
1
C
1
C
2

c)
Fora F2 criada no condutor C2
devido ao campo magntico B1.
Foras repulsivas resultantes
entre os condutores
Figura 22 - Interaes magnticas entre dois condutores eltrico com correntes com sentidos opostos.

B
1
B
1
I
1
I
2
F
2
C
1
C
2

a)
B
2
B
2
I
1
I
2
F
1
C
1
C
2

b)
I
1
I
2
F
2
F
1
C
1
C
2

c)
Foras atrativas resultantes
entre os condutores
Figura 23 - Interaes magnticas entre dois condutores eltrico com correntes no mesmo sentido.

21
A Figura 24 mostra uma simulao da corrente no atuador e da corrente induzida numa chapa
metlica de al umnio de 1mm de es pessura [25]. Os restantes resultados do mesmo autor
mostram que a desfasagem da corrente induzida depende da es pessura da chapa metlica a
formar e mais significativa para espessuras menores.

Figura 24 Simulao das correntes no atuador e na pea metlica com 1mm de espessura [25].
As foras criadas entre o at uador e a c hapa metlica durante a descarga do ban co de
condensadores esto representadas na Figura 25. Esta mostra que existem foras repulsivas e
atrativas durante intervalos de tempo distintos ao longo de todo o perodo de descarga e que a
fora atrativa maior nas chapas mais finas, quando comparada com a fora de repulso [25].
22

Figura 25 Simulao das foras no atuador e pea metlica para 0,3mm, 0,5mm e 1mm de espessura
[25].
Apesar de ser possvel moldar peas metlicas magneticamente usando foras atrativas [26]
mais comum a utilizao de foras repulsivas, devido simplicidade do circuito eltrico. As foras
atrativas podem influenciar significativamente o acabamento das pea, principalmente se a sua
espessura for baixa [25]. Um exemplo do efeito da f ora atrativa num chapa metlica
apresentado no ponto 5.2. Para atenuar a i nfluncia da f ora atrativa o molde pode s er
afastado alguns milmetros da chapa metlica para permitir que a mesma acelere e se afaste
do atuador antes das foras se inverterem, resultando numa menor fora atrativa aplicada
pea devido ao pi or acoplamento magntico entre o a tuador e a pea. Outra soluo
adicionar um dodo em antiparalelo com o atuador, levando que a resposta da corrente seja
dada apenas por uma alternncia positiva e que a t axa de des cida da c orrente seja
significativamente reduzida. A resposta tpica da c orrente para a soluo com um dodo
representada na Figura 26.
23

Figura 26 Resposta tpica da corrente num circuito de MEM com um dodo de roda livre para baixar a
taxa de variao da corrente quando esta negativa [27].
Com uma taxa de descida da corrente maior no atuador a corrente induzida na pea a deformar
menor e consequentemente a fora atrativa tambm ser.
As correntes do c ircuito RLC podem ser medidas atravs de s ondas de c orrente, mas as
correntes induzidas na chapa metlica apenas podem ser estimadas, dependendo
essencialmente da distncia da pea, condutividade e espessura do material.
As sondas de corrente (Figura 27) so compostas por uma bobina toroidal, enrolada ou no,
volta de um ncleo. O condutor no qual a medida da c orrente feita passa pelo centro da
sonda. O campo magntico, provocado pela corrente que percorre o condutor, cria um campo
magntico na sua proximidade, induzindo uma tenso na sonda que diretamente proporcional
corrente que percorre o condutor, sendo a relao V/A especificada em cada sonda.
24

Figura 27 Exemplo do funcionamento de um transformador de corrente. A corrente I que percorre o
condutor d origem a uma corrente I
1
, proporcional primeira.
Atravs das leituras de c orrentes obtidas com as sondas de c orrente possvel determinar
aproximadamente o valor da presso magntica exercida na pea, assumindo que existe um
bom acoplamento entre o atuador e a pea e ambos tm uma elevada condutividade, atravs
da equao abaixo(14).

=

2
2
0
1 e
2t

(14)
Onde P
m
a presso magntica,
0
a permiabilidade magntica no vazio (4 x 10
-7
H/m), B
a induo magntica e a profundidade pelicular em unidades SI [21]. O efeito pelicular
explicado detalhadamente no ponto 2.3.6.2.
A induo magntica (B) di retamente proporcional corrente e pode ser obtida atravs da
seguinte equao (15),

=
0
.

(15)
Onde N o n mero de espiras do atuador, i a c orrente que percorre o at uador e l o
comprimento da bobina em unidades SI.
Para estimar as foras exercidas na chapa metlica a deformar, esta pode ser discretizada num
conjunto de n es piras circulares com diferentes dimetros, sendo que quanto mais espiras se
considerarem mais precisos sero os clculos. A fora eletromagntica gerada em cada espira
da pea discretizada dada por,
I
1

25

=

(16)
Onde F
n
, B
r
, I
n
, I
a
e l
n
so respetivamente a fora exercida na espira n da pea discretizada, o
campo magntico radial, a corrente induzida na espira n da pea discretizada, a corrente no
atuador e o comprimento da espira n da pea [25].
Tambm possvel estimar a fora eletromagntica por unidade de comprimento que atua
entre o atuador e a chapa metlica pela seguinte expresso,

=

0
2
2

(17)
Onde
0
, I
a
, I
2
e d so respetivamente a permeabilidade magntica no vazio, a corrente que
percorre o atuador, a corrente na chapa metlica, a distncia entre a pea e o atuador [28].
No prximo ponto so apresentados os circuitos de MEM mais utilizados na prtica.

2.2 Circuitos de MEM prticos
A obteno de uma corrente oscilatria, como a apresentada na Figura 19, pos svel se o
interruptor for bidirecional. O mais usado do tipo descarregador ou spark gap. Um
dispositivo capaz de s ubstituir o tpico spark gap o tirstor devido s ua capacidade de
conduzir correntes na o rdem das dezenas de milhares de a mperes com taxas de v ariao
mximas acima de 1000A/us, para alm de permitirem abrir o circuito quando a corrente passa
por zero. Nos prximos pontos so apresentados circuitos tpicos de MEM comutados por
tirstores e as suas vantagens e desvantagens.
A utilizao de out ros dispositivos semicondutores, como por exemplo o I GBT (transstor
bipolar de por ta isolada), ainda rara, pois as correntes elevadas obrigam u tilizao de
muitos dispositivos em paralelo o que torna a montagem mais complexo, devido
sincronizao necessria.
2.2.1 Circuito comutado por um tirstor
O tirstor (SCR) o componente mais usado, para permitir algum controlo sobre a resposta do
circuito, devido capacidade de conduzir correntes de pico elevadas (dezenas de milhares de
amperes) e c apacidade de suportar taxas de variao da corrente at alguns milhares de
26
amperes. Substituindo o tpico Spark gap por um SCR no circuito da Figura 16 obtm-se o
circuito da Figura 28.
C
L
U
Rc
T
r

Figura 28 Circuito de MEM comutador por um tirstor (T).
Com a i mplementao do tirstor vem um aumento da c omplexidade do sistema, devido
necessidade de existir um circuito de disparo para comand-lo. Devido s suas caractersticas
os SCR apenas conduzem correntes num sentido, que em conjunto com o f acto da malha de
descarga ser ressonante e t er uma resposta oscilatria amortecida implica que apenas uma
alternncia da corrente possa percorrer esta malha at que o SCR interrompa o circuito. Como
o SCR s precisa de ser comutado uma vez o circuito de comando que fornece os sinais ao
circuito de disparo relativamente simples. Tipicamente os fabricantes dos SCR disponibilizam
mdulos de disparo que j esto preparados para atuar o dispositivo, sendo apenas necessrio
fornecer um impulso de tenso, durante o tempo desejado, na sua entrada.
Na prtica, apenas necessrio existir a primeira alternncia da corrente para realizar a
moldagem, mas ao bl oquear a i nverso do s entido da c orrente tenso final no banco de
condensadores ser negativa, como se mostra na Figura 29. Este facto impe que a fonte de
alimentao de entrada consiga carregar o condensador com o valor original em tempo til, o
que aumenta a potncia da mesma.
As formas de onda criadas por este circuito, no momento da sua atuao, esto representadas
na Figura 29.
27

L
C
) para um
circuito de MEM comutado por um SCR, com uma tenso inicial de 2000V, C=1,2mF, L = 5H e r=20m.
As equaes que descrevem o comportamento da corrente que percorre o atuador e da tenso
no banco de condensadores so as mesmas que no circuito comutado por um interruptor, mas
apenas so vlidas at a corrente na malha de descarga de anular.

() =
cos( +)
(18)

() =
() +
()

(19)

A energia armazenada no banco de condensadores aps a atuao do circuito no pode ser
reutilizada porque o S CR fica polarizado inversamente e par a realizar um novo disparo
necessrio carregar o banco de condensadores com uma tenso positiva. A Tabela 2 mostra a
energia necessria para carregar o banco de condensadores aps a primeira atuao.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
x 10
-4
-1
0
1
2
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
L
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
x 10
-4
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C
28
Circuito
Energia Inicial (J)
E
I

Energia Final (J)
E
F

Energia de recarga (J)
E
R
=E
I
-E
F

E
R
/E
I

(%)
Circuito comutado por
spark gap
2400 0 2400 100
Circuito comutado por SCR 2400 -893 3293 137
Tabela 2 Energia necessria para carregar o banco de condensadores aps a primeira atuao.
A utilizao deste circuito implica um gasto maior de energia, mais 37% no caso da simulao
da Figura 29 para chegar tenso inicial partindo de um valor negativo, do que no caso em
que a tenso inicial do banco de condensadores fosse nula. Por causa desta desvantagem este
circuito no us ado na MEM dado no t razer vantagens em relao ao circuito original da
Figura 16, porm serve de base para os prximos circuitos.
Para anular a ener gia armazenada no banco de condensadores aps a at uao do sistema
basta adicionar um dodo de roda livre em paralelo com o at uador para formar uma malha de
descarga. Esta soluo apresentada no ponto 2.2.2.
Tambm possvel usar a energia armazenada para realizar trabalho, sendo apenas
necessrio que o c ircuito possua um tirstor em antiparalelo com o p rimeiro. A explicao
detalhada encontra-se no ponto 2.2.3.

2.2.2 Circuito comutado por um tirstor e limitado por um dodo
A adio de um dodo, para limitar a t enso inversa no banc o de condensadores, trs
vantagens em relao ao circuito anterior porque dissipa a energia restante em roda livre com o
atuador aps a formao da pea [29]. Assim a tenso do banco de condensadores anula-se
aps cada disparo, permitindo uma recarga do condensador mais rpida e c om menos
consumo energtico quando comparado com o circuito comutado por um SCR e sem dodo de
roda livre. A Figura 30 representa o circuito com o dodo.
29
C
L
U
R
C
T
D
RL
r

Figura 30 Circuito de MEM comutado por um tirstor e com um dodo para limitar a tenso inversa no
banco de condensadores.
Esta soluo trs outra vantagem, atravs da reduo da taxa de variao da corrente quando
esta negativa. Assim a fora atrativa na segunda metade da alternncia positiva da corrente
consideravelmente reduzida. Esta taxa de variao t anto menor quanto menor for a
resistncia do circuito de roda livre, composto pelo atuador e dodo. A Figura 31 representa a
resposta do circuito a partir do momento da sua atuao.

Figura 31 - Resposta da corrente no atuador (IL) e da tenso no banco de condensadores (UC) para um
circuito de MEM comutado por um SCR e com um dodo de roda livre, com uma tenso inicial de 2000V,
C=1,2mF, L = 5H, r=20m e com uma resistncia do dodo de roda livre R
DRL
=2m.
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
L
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01
-500
0
500
1000
1500
2000
2500
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C
30
O facto de este circuito limitar as tenses negativas no banco de condensadores influncia
positivamente o tempo de vida til dos mesmos, pois a imposio de tenses negativas aos
condensadores diminui o seu tempo de vida mdia [27].
Este circuito utilizado por [18] numa pistola de rebitar e possui uma resposta de c orrente
semelhante.

Figura 32 Resposta das correntes de dois circuitos de MEM sincronizados usados para projetar de
rebites [18].
A resposta da corrente que percorre o atuador agora descrita por duas equaes distintas.
Durante o tempo de subida da corrente e enquanto a tenso no banco de condensadores
positiva e maior que zero a equao que descreve o comportamento da corrente no atuador a
mesma que o circuito do ponto 2.2.1,

() =
cos( +)
(20)

A partir do momento em que a tenso de inverte no banco de condensadores a corrente que
percorre o atuador divida pela malha de roda livre e pela malha de atuao e a tenso no
banco de condensadores fica limitada ao somatrio da t enso do d odo de r oda livre com a
tenso do SCR,
31

() =
()
()
(21)
Onde u
C
, u
DRL
e u
T
so respectivamente a tenso no banco de condensadores, a tenso aos
terminais do dodo de roda livre e a tenso aos terminais do tirstor.
A equao seguinte descreve a queda de tenso num tirstor de potncia,
t
C
t
RP

() =
() +
ln(() +1) +
() (22)
onde A
Tvj
, B
Tvj
, C
Tvj
e D
Tvj
so constantes que dependem da temperatura do dispositivo. O valor
destas constantes est indicado na Tabela 3.
Tvj (C) A
Tvj
B
Tvj
C
Tvj
D
Tvj

25 24,11 10
6
84,38 10
6
182,8 10
3
4,181 10
3

125 20,73 10
6
105,3 10
6
146,3 10
3
543,8 10
6

Tabela 3 Valor das constantes que definem a queda de tenso do tirstor para 25C e 125C.
A queda de tenso aos terminais do tirstor est representada na Figura 33 para correntes at
30kA.

Figura 33 Queda de tenso aos terminais do tirstor para correntes at 30kA a 25C e 125C.
Considerando a mesma queda de tenso no dodo e no SCR e somando-as obtm-se a tenso
negativa mxima no ba nco de c ondensadores aps a at uao do s istema, cerca de um a
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

Queda de tenso do tirstor (V)
VTvj(25C) VTvj(125C)
32
dezena de Volts negativos. Isto significa que a maior parte da corrente do atuador percorre a
malha de roda livre e que a corrente que percorre a malha de atuao pode ser desprezada.
A resposta da corrente durante a sua descida pode ento ser aproximada equao da
corrente na malha de roda livre,

(23)
onde K o valor da corrente inicial neste perodo e i gual corrente mxima do perodo de
atuao.
O circuito da Figura 30 utilizado para substituir o circuito comutado por Spark gaps, devido ao
desgaste mecnico deste tipo de comutadores, mas no acarreta melhorias em termos
energticos como se pode ver na Tabela 4.
Circuito
Energia Inicial (J)
E
I

Energia Final (J)
E
F

E
R
=E
I
-E
F

E
R
/E
I

(%)
spark gap
2400 0 2400 100
Circuito comutado por SCR
e limitado por uma malha
de roda livre
2400 0 2400 100
Tabela 4 Energia necessria para carregar o banco de condensadores aps a primeira atuao.
Para aproveitar as caractersticas da malha de atuao RLC, pode ser usado o c ircuito do
ponto 2.2.3 que faz uso de u m segundo SCR para aumentar a eficincia energtica do
processo.

2.2.3 Circuito comutado por dois tirstores em antiparalelo
Com a adi o de um segundo SCR (T
2
) em antiparalelo com T
1
possvel utilizar a ener gia
recuperada aps cada atuao para realizar trabalho na pr xima atuao. Esta soluo tem
vantagens energticas quando comparada com os circuitos anteriores, no entanto mais
complexa porque necessita de uma fonte de alimentao bipolar e um circuito de c omando
capaz de atuar dos dois tirstores. O circuito de MEM comutado por dois SCR em antiparalelo
est representado na Figura 34.
33
C
L
R
C
T
1
r
T
2
Fonte de
tenso
bipolar

Figura 34 - Circuito de MEM comutado por dois tirstores em antiparalelo.
Com dois SCR em antiparalelo pode ex istir conduo de c orrente em ambos os sentidos,
permitindo que seja feita uma recuperao de energia e que esta possa ser usada para realizar
trabalho na prxima atuao.
A Figura 35 mostra a resposta do circuito da Figura 25 com o di sparo dos SCR em tempos
distintos sem que o banco de condensadores seja carregado entre atuaes. O primeiro pico
de corrente provocado pela conduo de T
1
e o segundo pico de corrente pela conduo de
T
2
.

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
x 10
-3
-2
-1
0
1
2
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
L
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
x 10
-3
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C
34
L
C
) para um
circuito de MEM comutado por dois SCR em antiparalelo, com uma tenso inicial de 2000V, C=1,2mF,
L=5H e r=20m.
A equao que descreve o comportamento da corrente que percorre o atuador a mesma que
o circuito do ponto 2.2.1, no entanto o valor da constante A muda consoante o sinal e valor
inicial da tenso,

() =
cos( +)
(24)
Em que o valor da amplitude, A, dado por,
=
(0
+
)

.
Assim o valor de A negativo para tenses positivas e negativo para tenses negativas no
A tenso do banco de condensadores dada pela seguinte equao, que s vlida durante
os momentos de conduo dos SCR.

() =
() +
()

(25)

Quando os SCR no so disparados a tenso no banco de condensadores constante e est
em regime permanente, exceto se a malha de carga for desinibida para fazer a carga dos
mesmos, situao em que a tenso dada pela equao (2).
Este circuito o m ais eficiente energeticamente dado ao f ato de ser possvel utilizar toda a
energia recuperada para realizar trabalho na pr xima atuao. A Tabela 5 mostra a energia
necessria para voltar a carregar o banco de condensadores aps a primeira atuao.

35
Circuito
Energia Inicial (J)
E
I

Energia Final (J)
E
F

E
R
=E
I
-E
F

E
R
/E
I

(%)
spark gap
2400 0 2400 100
Circuito comutado por SCR
e com malha de roda livre
2400 0 2400 100
Circuito comutado por dois
SCR em antiparalelo
2400 -893 1507 63
atuao

2.2.4 Circuito de MEM com duas malhas de atuao em paralelo
Devido s limitaes dos semicondutores de pot ncia c omum a utilizao de vrios
dispositivos em paralelo, formando um pilha, para aumentar a c orrente mxima que pode
percorrer o circuito de descarga. Uma variao desta soluo a u tilizao de vrios ramos
compostos por um banco de c ondensadores e um SCR em paralelo, isolados entre si por
resistncias de carga de modo que cada SCR conduza apenas a en ergia associada a u m
banco de condensadores. Na Figura 36 est representado um circuito de MEM com dois ramos
de descarga em paralelo.
C
1
L
T
1
T
2
D
RL
C
2
U
+
-
R
C1
R
C2

Figura 36 Circuito de MEM com dois ramos de descarga em paralelo.
36
A funo das resistncias de carga limitar a corrente de carga e simultaneamente isolar os
bancos de c ondensadores entre si, fazendo com que cada SCR apenas conduza a energia
associada ao seu banco de condensadores. A resposta tpica deste circuito est representada
na Figura 37.

Figura 37 Resposta tpica de um circuito de MEM com dois ramos de descarga em paralelo. U
0
=2000V,
C1=C2=1,11mF, L=2,4mH, R
T1
=R
T2
=20m e Rdrl=5m.
A equao que descreve a resposta de tenso nos bancos de condensadores durante a sua
descarga a seguinte,

1
() =
2
() =
() +
()

(26)
Com,
() = i
T1
(t) +i
T2
(t) +i
Drl
(t)
(27)
Em que i
1
(t) e i
2
(t) so respetivamente a corrente na malha de atuao 1 e 2 e i
Drl
(t) a corrente
que percorre o dodo de roda livre.
A equao que descreve a r esposta da c orrente no at uador durante a sua subida dada
aproximadamente por,
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-2
0
2
4
6
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
L
I
C1
=I
C2
I
DR
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C1
=U
C2
37

() =
cos( +) (28)
Onde , e A dependem da associao em paralelo dos bancos de condensadores. e A so
determinados pelas condies inicias do sistema.
A corrente que percorre cada malha de atuao depende da impedncia de cada uma e dada
pela expresso do divisor de corrente,

1
() =

() (29)

2
() =

() (30)
Onde Z
T
, Z
m1
e Z
m2
so respetivamente a i mpedncia total e a i mpedncia do r amo de
descarga 1 e 2.
Durante a di ssipao da ener gia no d odo de r oda livre e no at uador a corrente da ul tima
aproximadamente dada por,
Onde K o valor da amplitude inicial da corrente no perodo de dissipao de energia em roda
livre.
Em [30] foi utilizado um circuito muito semelhante, representado na Figura 38, no qual existem
trs ramos de descarga em paralelo, comutados por tirstores com dodos em antiparalelo.

(31)
38

Figura 38 Circuito de MEM com trs ramos de descarga em paralelo [30].
A resposta obtida pelo autor deste circuito est representada na Figura 39.

Figura 39 Resposta da corrente (20kA/div) e tenso (3kV/div) no circuito de MEM da Figura 38 [30].
Corrente
Tenso
39
No prximo ponto so apresentados os principais fatores que influenciam a resposta dos
circuitos de MEM.

2.3 Fatores que influenciam o desempenho do sistema de MEM
Na moldagem a alta velocidade existem fatores que influenciam o processo e que no podem
ser ignoradas como a interferncia do ar no momento da formao da pea ou a condutividade
do material, fatores que nos mtodos tradicionais so desprezveis.

2.3.1 Escoamento do ar
Em sistemas que no utilizam vcuo a c apacidade de es coamento de ar do molde um
parmetro fundamental para a qualidade da pea produzida. Como as peas so projetadas a
velocidades tipicamente acima dos 100m/s o ar contido entre a pea e o molde tem pouco
tempo para escapar, sendo este comprimindo quando o es coamento insuficiente e dando
origem a i mperfeies nas peas. Este problema pode s er minimizado com a aber tura de
pequenos orifcios no molde, para permitir a sada de ar no momento da f ormao da pea,
mas pode levar marcao das peas pelos furos.

Figura 40 Imperfeies na moldagem na pea do lado direito devido presena de ar no molde
durante a moldagem, quando comparada com a do lado esquerdo que foi formada em vcuo [2].

40
De acordo com a Figura 41, no momento em que se inicia a deformao da pea criam-se duas
zonas com presses distintas, a zona P1 onde a presso diminui e a zona P2 onde a presso
aumenta, e dependem principalmente da velocidade de moldagem e da capacidade de
escoamento do ar. Esta diferena de presses cria uma fora que se ope ao movimento inicial
da pea, no permitindo a moldagem correta da pea se forem demasiado elevadas.

Figura 41 Ilustrao das presses atmosfricas existentes em redor da pea antes (figura do lado
esquerdo) e no momento da sua deformao (figura do lado direito). P1 a presso atmosfrica entre a
pea e o atuador e P2 entre a Pea e o molde.
Tipicamente a melhor soluo retirar o ar da zona a ser preenchida pela pea, criando um
vcuo. Isto permite eliminar as imperfeies criadas pelo ar e minimizar o e feito de mola
quando a pea embate contra o molde [2] [31][32].

2.3.2 Resistncia do ar e intervalo entre a chapa e a matriz
O intervalo entre a chapa e a matriz importante para a formao de texturas, pois permite que
a pea adquira uma velocidade elevada antes de embater contra a matriz, deformando a pea
uniformemente graas sua inrcia. Assim, um intervalo demasiadamente pequeno no
permite que a pea adquira a velocidade requerida e um intervalo grande leva perda de
velocidade devido resistncia do ar e afastamento do atuador.

41

Figura 42 Exemplo do caminho percorrido
pelo ar ao projetar uma chapa a alta
velocidade.

Figura 43 Sistema de moldagem eletromagntica
com um intervalo (d) entre a chapa metlica e o molde,
para permitir a acelerao da pea
.
A resistncia do ar no desprezvel num sistema de moldagem a alta velocidade, porque
existe uma fora de atrito dinmica, contrria fora magntica aplicada, que varia com o
quadrado da velocidade. Esta fora de atrito dinmica pode ser calculada a partir da equao
(32) [33].

=
1
2

(32)
Onde F
D
a fora de atrito dinmica (N), a densidade do fluido (Kg/m
3
), v a velocidade do
objeto (m/s), C
D
um coeficiente de at rito (em unidades) e A a r ea transversal do objeto
(m
2
).
Para uma chapa metlica quadrada o coeficiente de atrito cerca de 1,28 [34][35].
Na tabela abaixo esto representados os valores da fora de atrito dinmico por cm
2
. Para os
clculos foram usados os seguintes parmetros: =1,2928 kg/m
3
, C
D
=1,28 e A=1e
-4
.
Fora de Atrito Dinmica
Fd (N)
Densidade do Ar
(kg/m^3)
Velocidade
v (m/s)
Coeficiente. de Atrito Dinmico
Cd
rea
A (m^2)
0,21 1,2928 50 1,28 0,0001
0,83 1,2928 100 1,28 0,0001
3,31 1,2928 200 1,28 0,0001
Tabela 6 Fora de atrito dinmico provocada por uma chapa metlica quadrada com 1cm
2
a deslocar-
se pelo ar.

42
2.3.3 Espessura, condutivi dade do material
A corrente induzida na pea metlica a deformar i nfluenciada pela resistncia do material.
Esta resistncia depende tanto da espessura como da condutividade eltrica do material
atravs de uma relao inversa, ou seja, quanto maior a espessura ou condutividade menor
ser a resistncia da pea.
Neste tipo de moldagens, materiais como o cobre e o al umnio so preferidos porque tm uma
boa condutividade eltrica, boas propriedades para moldagem e um preo de mercado
acessvel.
Material
Resistividade
(m) a 20 C
Condutividade
(S/m) a 20 C
Prata 1.5910
8
6.3010
7

Cobre
Puro
1.6810
8
5.9610
7

Ouro 2.4410
8
4.1010
7

Alumnio 2.8210
8
3.5010
7

Tungstnio 5.6010
8
1.7910
7

Zinco 5.9010
8
1.6910
7

Nickel 6.9910
8
1.4310
7

Lithium 9.2810
8
1.0810
7
Tabela 7 Resistividade e condutividade de vrios materiais.
A tcnica de MEM permite a moldagem de materiais de baixa condutividade com o ferro, ao e
ao inoxidvel atravs da utilizao de uma pea de alta condutividade como guia, tipicamente
chamado driver, no en tanto o material usado com guia fica inutilizado aps a moldagem,
aumentando o desperdcio da mquina.

2.3.4 Corrente mxima e taxa de variao
A amplitude da corrente e a s ua taxa de v ariao so grandezas muito importantes na
moldagem eletromagntica [1]. O valor da presso magntica proporcional ao quadrado do
campo magntico (14) e este proporcional corrente (15), logo quanto maior a corrente maior
a presso.
A tenso induzida na pea proporcional variao do fluxo (11) e este proporcional taxa
de variao da c orrente no atuador, logo a corrente induzida na pe a tanto maior quanto
maior for a taxa de variao da corrente no atuador.
43
Para que se exeram elevadas foras entre o atuador e a pea necessrio que o produto da
corrente no atuador pela corrente induzida na pea seja elevado (17). Para isso preciso que
frequncia de ressonncia seja alta e a corrente de pico elevada.

2.3.5 Geometria da bobina
fundamental que a presso magntica criada pela bobina seja localizada e controlada,
aplicando o campo magntico apenas onde necessrio e consumindo o mnimo de energia
possvel, para aumentar a ef icincia do pr ocesso. A geometria da bobina afeta a s ua
indutncia, que por sua vez afeta a taxa de variao da corrente. Uma bobina com muitas
espiras cria um intenso campo magntico na sua proximidade, mas a s ua indutncia e
resistncia tambm aumentam, baixando a corrente de pi co e a sua taxa de variao. Uma
bobina com poucas espiras permite elevadas taxas de variao e correntes de pico mas produz
um campo magntico mais fraco. Na construo de um atuador deve ser encontrado o nmero
de espiras ideal para maximizar a pr esso aplicada pea a formar. Atravs das equaes
(10), (12), (14) e (15) possvel construir um pequeno grfico, como o da Figura 44, que
relaciona a presso magntica com o nmero de espiras de um atuador.

Figura 44 Presso magntica em funo do nmero de espiras de um atuador com aproximadamente
11cm de dimetro [2].
44
Dito isto, existe um nmero timo de espiras para cada bobina. Dependendo da aplicao, o
campo magntico criado pelo atuador pode s er localizado ou d istribudo uniformemente. A
aplicao de um campo magntico localizado mais comum para o corte de chapas metlicas,
na expanso ou reduo de t ubos, em pequenas deformaes e sistemas hbridos. Em todas
estas operaes a pr esso magntica apl icada apenas a uma parte da pea, mantendo o
restante inalterado. As prximas figuras mostram atuadores realizador por outros autores.

Figura 45 Atuador de uma espira para
estampagem [8].
Figura 46 Atuador de uma espira para o
acabamento de cantos [9].

Figura 47 Atuador plano para moldar chapas
metlicas[36].
Figura 48 Atuador de campo magntico uniforme
de 11 espiras [2].

45

Figura 49 Atuador plano para moldar chapas
metlicas.[37]
Figura 50 Atuador composto por duas metades
para a moldagem tubos metlicos [37].

A aplicao de um campo magntico distribudo uniformemente necessrio para a
deformao de peas inteiras, como em chapas para pilhas de combustvel (Figura 51) ou
portas de automveis, e para a estampagem de texturas (Figura 52) e hologramas, garantindo
que a toda a pea deformada nas mesmas condies, permitindo a criao de produtos com
um elevado nvel de detalhe e preciso.

Figura 51 Chapa para uma pilha de combustvel
formada com 3 disparos [2].
Figura 52 Distribuio da presso magntica
com varias bobinas (da esquerda para a direita:
bobina de 3 barras, bobina circular plana e bobina
de presso uniforme) [2].

Em algumas aplicaes especficas necessria uma bobina que crie presses diferentes em
zonas distintas. Na Figura 53 est representada uma bobine que cria duas regies de presso
distintas, P1 e P2. Na zona P2 a presso magntica maior que na P1 porque as espiras esto
mais prximas umas das outras, concentrando o campo magntico.
46
P2
P1

Figura 53 Bobina que cria duas presses distintas, a zona P1 onde a presso magntica mais baixa
e a zona P2 onde maior.

2.3.6 Resistncia em CA de um condutor
Em corrente alternada, CA, existem dois fenmenos que afetam a r esistncia efetiva dos
condutores. Estes fenmenos so o efeito pelicular e o ef eito de pr oximidade, podendo s er
calculados os fatores que influenciam cada um de modo a obter a resistncia CA do condutor
atravs da e quao (33). A norma IEC 60287-1-1 apresenta mais informaes sobre este
assunto

= (1 +
)
(33)
onde
R a resistncia eltrica do condutor sua temperatura mxima de funcionamento (/m);
R a resistncia em CC condutor sua temperatura mxima de funcionamento (/m);
y
s
o fator de efeito pelicular;
Y
p
o fator de efeito de proximidade.

2.3.6.1 Resistncia em corrente contnua
A resistncia em corrente contnua de um condutor por unidade de medida sua temperatura
mxima admissvel dada pela equao (34) [IEC 60287-1-1].

=
0
[1 +
20
( 20)]
(34)
onde
R
0
a resistncia em CC do condutor a 20C (/m). Ver norma IEC 60228.
47
20
o coeficiente de temperatura por K a 20C. Ver tabela 2 da norma IEC 60287-1-1.
a temperatura mxima de funcionamento (C). Este valor depende do tipo de isolamento do
condutor.

2.3.6.2 O efeito pelicular
Em corrente alternada a densidade de corrente num condutor a uma profundidade da
superfcie, depende do efeito pelicular, e dada pela equao (35) [38].

=

(35)
Onde J a densidade de corrente a uma distncia d da superfcie do condutor, Js a
densidade de corrente superfcie do condutor e a profundidade pelicular.
representa a profundidade qual a densidade de corrente cai para 1/e (cerca de 37%) da
densidade de corrente superfcie.
O efeito pelicular est relacionado com a bl indagem que o campo magntico produzido pela
corrente que percorre o prprio condutor cria passagem dessa corrente. A uma profundidade
d=4x a densidade de corrente, J, cerca de 98% menor do que superfcie, de acordo com a
Tabela 8.
d J/Js (%)
d=1 36,8
d=2 13,5
d=3 5,0
d=4 1,8
d=5 0,7
Tabela 8 Relao entre a densidade de corrente a uma profundidade d e superfcie
4
62% 98%

48
Figura 54 Concentrao do fluxo de corrente alterna num condutor para d= e d=4
A expresso geral da profundidade pelicular dada por [39]:

=
1
.
2
1 +
1
. .
2
1

(36)
Onde:
- profundidade pelicular (m)
- resistividade do condutor (m)
- frequncia angular da corrente (rad/s)
- permeabilidade magntica absoluta do condutor (H/m), =
0
.
r
, com:
0
- permeabilidade magntica em vazio,
0
= 4*pi*10
-7
(H/m)
r
- permeabilidade relativa do condutor
- permeabilidade eltrica do material (F/m)

Para casos particulares a equao (36) pode ser simplificada dependendo da resistividade do
condutor eltrico [39]:
Para um bom condutor (caso tpico), com 1/ >> ., a expresso simplifica-se para:

=
2.
.

(37)

Para um mau condutor, com 1/ << ., a expresso simplifica-se para:

= 2.

(38)

Este efeito cria um aumento da resistncia efetiva do condutor e quanto maior a frequncia da
corrente (f) maior ser esta resistncia. O efeito pelicular pode ser minimizado usando
condutores especialmente concebidos para atenuar este efeito, chamados de condutores de
Litz. Para condutores de grande dimetro so usados condutores tubulares para minimizar o
custo e peso.
49
Na Tabela 9 foram calculadas algumas profundidades peliculares para o cobre e o al umnio
para as frequencias de 50Hz, 1kHz e 10kHz.

(mm)
Cobre
(m)
1,68E-08

Frequncia (Hz) Cobre Alumnio
Aluminio
(m) 2,82E-08

50 9,23 11,95
cobre
(H/m) 1,25663E-06

1000 2,06 2,67
alumnio
(H/m) 1,25667E-06

10000 0,65 0,85
Tabela 9 Profundidade delta do efeito pelicular para o cobre e alumnio a vrias frequncias
DC
50Hz 1kHz 10kHz
=9,2mm =2,1mm =0,7mm

Figura 55 Representao das profundidades peliculares num condutor de cobre cilndrico para vrias
frequncias.
A influncia do ef eito pelicular na r esistncia efetiva do condutor dado pel o fator de efeito
pelicular y
s
(39) [IEC 60287-1-1].

4
192 +0,8
4

(39)
Onde

2
=
8
10
7

(40)
f a frequncia da corrente.
Os valores de k
s
so dados pela tabela 2 da norma IEC 60287-1-1.
A equao (39) apenas vlida para valores de x
s
inferiores a 2,8.
A Figura 56 ilustra a influncia da frequncia no valor da resistncia em CA atravs do fator de
efeito pelicular y
s
.
50

Figura 56 Facto de efeito pelicular em ordem frequncia. Clculos realizados para um condutor de
cobre com 10mm
2
.

2.3.6.3 Efeito de proximidade
Quando uma corrente alternada percorre um condutor isolado pr oduzido um campo
magntico. Este campo magntico induz correntes de E ddy ou Fouc ault nos condutores
adjacentes, alterando a distribuio da densidade de corrente que os percorre.
O efeito de proximidade est relacionado com a blindagem que o campo magntico produzido
pela corrente que percorre um condutor vizinho cria passagem da corrente noutro condutor.

0,00000
0,20000
0,40000
0,60000
0,80000
1,00000
1,20000
1 10 100 1000 10000 100000
y
s

-

F
a
c
t
o
r

d
e

e
f
e
i
t
o

d
e

p
e
l
i
c
u
l
a
r

Frequncia (Hz)
51
Figura 57 Distribuio da densidade de corrente num cabo de pares tranado de cobre [40].
O efeito de proximidade pode aumentar significativamente a resistncia efetiva passagem de
corrente alternada em condutores adjacentes quando comparado com a r esistncia em
corrente contnua. Este efeito amplificado com o aumento da frequncia. A alta frequncia a
resistncia em corrente alternada pode facilmente exceder dez vezes a resistncia de corrente
contnua.
A influncia do efeito de proximidade na resistncia efetiva do condutor dada pelo fator de
efeito de proximidade y
p
(41) [IEC 60287-1-1].

4
192 +0,8

2
2,9
(41)
Onde

2
=
8
10
7

(42)
Dc o dimetro do condutor (mm), s a distncia entre os eixos dos condutores (mm);
Os valores de kp so dados pela tabela 2 da norma IEC 60287-1-1.
A equao (39) (41) apenas vlida para valores de x
p
inferiores a 2,8.
A Figura 58Figura 56 ilustra a influncia da frequncia no valor da resistncia em CA atravs
do fator de efeito pelicular y
s
.

0,00000
0,00100
0,00200
0,00300
0,00400
0,00500
0,00600
0,00700
0,00800
0,00900
0,01000
1 10 100 1000 10000 100000
y
p

-

F
a
c
t
o
r

d
e

e
f
e
i
t
o

d
e

p
r
o
x
i
m
i
d
a
d
e

Frequncia (Hz)
52
Figura 58 Fator de proximidade em funo da frequncia. Clculos realizados para condutor de cobre
com 10mm
2
com um espaamento de 0,1mm entre condutores.
Aplicando os fatores ys e yp equao (33) obtm-se a resposta frequncia da Figura 59.

Figura 59 Resistncia efetiva em funo da frequncia para dois condutores de cobre de 10mm
2

distanciados 0,1mm entre si. A resistncia duplica aos 15kHz quando comparado com a resistncia em
CC.

0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
1 10 100 1000 10000 100000
R
e
s
i
s
t
n
c
i
a

e
f
e
c
t
i
v
a

(
/
K
m
)

Frequncia (Hz)
53
3 Circuito Proposto
Neste captulo apresentado um circuito eletrnico para moldagem eletromagntica com
recuperao de energia, capaz de recuperar e armazenar parte da energia inicial no banco de
condensadores restante aps cada atuao na forma de uma tenso positiva, reduzindo a
energia e o t empo necessrio para carregar novamente os bancos de condensadores. Este
sistema muito vantajoso quando aplicado produo em srie ou em massa de algum
produto, pois permite diminuir o tempo de produo das peas devido ao menor tempo de
carga dos condensadores e simultaneamente aumentar a eficincia energtica, sem que haja
um aumento significativo na complexidade e custo da mquina.

3.1 Circuito de MEM com mdulos em paralelo e com recuperao de energia
O circuito proposto (Figura 65) constitudo por dois mdulos de potncia em paralelo, cada
um composto por um banco de condensadores, um tirstor capaz de conduzir 25kA de pico e
uma malha de recuperao de energia permitindo o disparo individual ou simultneo dos
mdulos. A tenso mxima do banco de condensadores de 3kV. A adio de malhas de
atuao e recuperao de energia ao circuito permite a obteno de maiores correntes e taxas
de variao no atuador, usando sempre o mesmo modelo de SCR. Aumentar estas grandezas
permite que o s istema possa ser usado para um maior leque de apl icaes, permitindo a
deformao de peas de maiores dimenses e o incremento das presses aplicadas.
C
1
L
T
1
D
C1
T
2
D
R2
L
R2
C
2
D
R1
L
R1
I
D
C2
T
C

Figura 60 Circuito de MEM comutado por um SCR e com recuperao de energia.
54
Este circuito pode ser dividido em trs partes para facilitar a explicao do seu funcionamento:
O circuito de carga do banco de condensadores Composto pela fonte de corrente I, o
IGBT de carga T
C
e os dodos de carga D
C1
e D
C2
;
Os ramos de recuperao de energia Cada um composto por um dodo e uma bobina
de recuperao de energia (D
R1
e L
R1
, D
R2
e L
R2
);
Os circuitos de descarga Cada um composto por um banco de condensadores, um
tirstor e um atuador. Podem existir dois atuadores, um para cada circuito, ou apenas
um que comum aos dois circuitos.
A razo para existirem dois dodos de carga em vez de apenas um que com dois possvel
isolar os bancos de condensadores um do outro, ou seja, apesar de terem uma ligao comum
no atuador eles no esto ligados em paralelo devido aos dodos de c arga. Assim alm de
garantirem a proteo da fonte contra correntes negativas garantem tambm que os bancos de
condensadores ficam isolados entre si, ficando cada SCR apenas fica responsvel pela
comutao de um banco de condensadores e pela conduo da energia associada ao mesmo.
Para manter os bancos de condensadores isolados so usadas duas malhas de recuperao
de energia independentes, garantindo que no existem trocas de energia entre os bancos de
condensadores. Como os sistemas de recuperao so independentes possvel que as
bobinas de recuperao tenham valores de indutncia diferentes entre si.
O isolamento dos bancos de c ondensadores permite tambm que cada malha de atuao
tenha um atuador. Isto permite que possam ser formadas duas peas ao mesmo tempo ou que
possam ser aplicadas diferentes presses em posies distintas de uma pea sem que seja
necessrio existir apenas um atuador de g eometria varivel. Com dois atuadores distintos
acoplados magneticamente possvel fazer um disparo simultneo em que a fora aplicada
pea proporcional ao somatrio dos campos magnticos criado por cada um.
O funcionamento do circuito pode ser explicado em trs perodos de tempo diferentes, o
perodo de carga, o perodo de moldagem e o perodo de recuperao de energia.
O perodo de c arga dos condensadores d-se enquanto est a s er transferida energia da
instalao eltrica a jusante para os bancos de condensadores, sendo o nico perodo onde
necessrio fornecer energia ao circuito de modo que se atinja a tenso inicial necessria nos
bancos de condensadores. A carga linear devida corrente constante fornecida pela fonte e
feita atravs do atuador. Isto significa que se o atuador no estiver ligado ao circuito ou
55
estiver danificado e em circuito aberto os bancos de condensadores no carregam e a fonte
dar um sinal de erro para alertar o utilizador.
Aps a sua carga os bancos de condensadores esto prontos para descarregar a sua energia
no atuador. Antes de dar o comando aos tirstores para comutarem necessrio inibir a f onte
de corrente e abr ir o circuito de c arga para proteger a m esma. Ao comandar os SCR a
comutarem inicia-se o perodo de moldagem no qual a energia transferida rapidamente entre
bancos de condensadores e o at uador (Figura 61) criando um pico de corrente na ordem das
dezenas de m ilhares de Amperes. No final deste perodo a t enso nos bancos de
condensadores negativa e no pode ser utilizada para atuar novamente o sistema.
C1
L
T1
Dc1
T2
Dr2 Lr2
C2
Dr1 Lr1
I
Dc2
1
2

Figura 61 Transferncias de energia no circuito de MEM durante o perodo de moldagem.
Imediatamente aps o perodo de moldagem inicia-se o perodo de recuperao de energia, no
qual existem transferncias de ener gia entre os bancos de c ondensadores e as bobinas de
recuperao (Figura 62), de modo a converter a tenso negativa do banco de condensadores
numa tenso positiva que pode s er utilizada para realizar trabalho na prxima atuao. Esta
inverso de sinal tem perdas associadas resistncia da malha de recuperao que podem ser
minimizadas com o aumento da indutncia das bobinas de recuperao.
56
C1
L
T1
Dc1
T2
Dr2 Lr2
C2
Dr1 Lr1
I
Dc2
3
4

Figura 62 - Transferncias de energia no circuito de MEM durante o perodo de recuperao de energia.
No final do perodo de recuperao de energia os condensadores esto parcialmente
carregados com uma tenso positiva, permitindo que na prxima carga seja possvel fornecer
menos energia do que na pr imeira carga, onde a t enso inicial era nula, obtendo a mesma
tenso de carga final.
A resposta do circuito representada pela Figura 63 e os intervalos de tempo correspondentes
a cada transferncia de energia durante os perodos de m oldagem e r ecuperao esto
representados pelos nmeros de 1 a 4.
57

Figura 63 Exemplo da resposta do circuito de MEM com recuperao de energia comutado por um
SCR. U
C
e I
C
so respetivamente a tenso e a corrente no banco de condensadores. U0=1500V,
C=1,2mF, L=3,5H.
Durante o perodo de r ecuperao considera-se que no realizado trabalho devido bai xa
taxa de v ariao da c orrente e v alor de pi co devido el evada indutncia das bobinas de
recuperao e que as perdas existentes neste perodo so inteiramente devido s perdas por
efeito de Joule causadas pelas elevadas correntes que percorrem o circuito.
Os tempos de moldagem e recuperao de energia dependem dos parmetros do sistema e
so respetivamente a durao da alternncia positiva e neg ativa da c orrente no ban co de
condensadores.
O desenho deste circuito teve em conta vrios aspetos importantes quanto pr oteo de
pessoas e equipamentos e eficincia energtica, sendo estes explicados em pormenor nos
prximos pontos.

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
x 10
-3
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
x 10
-3
-1
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

U
C
I
C
1 4 3 2
4 3 2 1
58
3.2 Tempo de carga do banco de condensadores
No caso de uma PEM que produza uma grande quantidade de peas ou que esteja integrada
numa mquina de produo em srie torna-se necessrio que esta tenha uma elevada taxa de
produo. Os trs fatores que mais influenciam esta taxa so o t empo de c arga dos
condensadores, que pode ser reduzido atravs da troca da fonte de tenso por uma fonte de
corrente ou o au mento da po tncia de carga, o aquecimento por efeito de J oule nos
componentes, que pode ser controlado atravs de ventilao forada ou sistemas de
arrefecimento, e a recuperao de energia, que pode minimizar consideravelmente o tempo de
carga dos condensadores.
A carga de um condensador atravs de uma fonte de tenso e uma resistncia de carga no
linear porque a corrente diminui ao longo do tempo, de acordo com a equao (2), pois a
tenso de carga constante. Com uma fonte de corrente a carga dos condensadores j
linear porque a tenso de carga sobe de modo que seja fornecida sempre a mesma corrente
aos condensadores, possibilitando assim cargas mais rpidas e com menos energia dissipada,
porque no necessita de uma resistncia de carga.
Na figura que se segue (Figura 64) esto representadas as respostas de tenso e c orrente
durante a carga de um banco de condensadores atravs de uma fonte de tenso e uma fonte
de corrente, para valores iguais de corrente de pico.
59

Figura 64 Carga do banco de condensadores atravs de uma fonte de tenso (Curvas a preto) e uma
fonte de corrente (Curvas a vermelho).
Devido carga mais rpida do banco de condensadores e da reduo da energia dissipada na
malha de atuao utilizada uma fonte de corrente em vez de uma fonte de tenso.

3.3 Proteo de pessoas e equipamentos
Devido presena de alta tenso e correntes na ordem das dezenas de milhares de Amperes
necessrio implementar algumas medidas de segurana de modo a proteger pessoas e
equipamentos nas imediaes da mquina. Nos prximos pontos so tratadas as principais
medidas de segurana que possibilitam uma aplicao segura deste tipo de sistemas.

3.3.1 Isolamento do equipamento de comando
Como a corrente no c ircuito de potncia pode atingir os 50kA no momento de a tuao o
potencial da massa pode elevar-se para alm dos limites dos equipamentos de c omando,
devido resistncia eltrica da mesma. Mesmo que seja de apenas 1m o potencial da massa
pode elevar-se at 50V no momento da atuao. Assim todas as entradas e sadas dos
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
500
1000
1500
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
L

Fonte

de

tenso
U
L

Fonte

de

corrente
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
0.5
1
1.5
2
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
L

Fonte

de

tenso
I
L

Fonte

de

corrente
60
equipamentos de comando devem ser isoladas atravs de opto-acopladores, para permitirem a
utilizao de massas distintas entre os equipamentos de comando e de potncia. Estes devem
ser alimentados a partir de uma fonte de tenso isolada e ambos devem ter uma tenso de
isolamento superior tenso mxima do banco de c ondensadores. Assim garante-se que a
tenso de isolamento mxima dos equipamentos de comando no excedida, impedindo que
se danifiquem. Na Figura 65 est representado um exemplo de um circuito para isolar os sinais
de comando da parte de potncia da mquina.
R1
Rb
5V
24V
Sinal Isolado
Sinal de comando
Opto-acoplador
T1
Isolamento 3kV
Circuito de
comando
Circuito de
Potncia
R2

Figura 65 Isolamento de um sinal de comando de sada atravs de um opto-acoplador.
Este circuito usado em todas as entradas e sadas digitais do sistema, no entanto afeta o
sinal de ent rada de um atraso devido aos tempos de s ubida e descida do s inal sada. A
resposta tpica de um opto-acoplador semelhante da Figura 66 representada em baixo.
61
VO
IF
t
PLH
t
PHL
t
S
t
D
t
R
t
F
50%
t
t

Figura 66 Resposta do opto-acoplador a um impulso de corrente na entrada. As descries das siglas
e valores tpicos encontram-se na Tabela 10.

Sigla Descrio Valores tpicos
I
F
Corrente entrada 20 mA
V
O
Tenso sada -
t
PLH
Tempo de propagao na subida 1,4 s
t
PHL
Tempo de propagao na descida 0,7 s
t
D
Tempo de atraso 0,8 s
t
R
Tempo de subida 1,9 s
t
S
Tempo de reteno 0,2 s
t
F
Tempo de descida 1,4 s
Tabela 10 Valores tpicos para os tempos do opto-acoplador ILQ1.
Devido aos tempos de atraso inseridos pelos opto-acopladores necessrio adicionar tempos
de atraso no programa da FPGA que controla os restantes equipamentos de modo a garantir a
preciso dos tempos fornecidos e evitar leituras erradas dos sinais.

62
3.3.2 Proteo da fonte de corrente
Tipicamente as fontes de corrente esto protegidas contra sobretenses positivas e negativas
com dispositivos supressores de picos de tenso, ligados em paralelo com a sada de alta
tenso. Para fonte unipolares os supressores entram conduo a uma tenso positiva maior
que a tenso mxima da fonte e para uma pequena tenso negativa.
No perodo de r ecuperao de energia a tenso nos bancos de condensadores pode atingir
valores de 3kV negativos, levando que os supressores da fonte de corrente entrem conduo
e que se crie a corrente ID1 da Figura 67. A resistncia R de baixa potncia (de cerca de
10W) e no est preparada para conduzir correntes de vrias centenas de Amperes, durante a
recuperao de energia do sistema, levando sua destruio.
D
1
D
1
D
2
D
2
N
N
P
P
R = 0,5
Sada de alta
tenso
Alta tenso
I
D1
I
D2

Figura 67 Esquema da sada de alta tenso da fonte de corrente, onde ID1 e ID2 so respetivamente a
corrente de defeito causada por uma tenso negativa e por uma positiva.
Para proteger a fonte de corrente contra estes picos de correntes, no momento da atuao do
sistema e durante a recuperao de energia, necessrio que esta esteja desacoplada do
circuito de potncia durante as trocas de energia entre o banco de condensadores e atuador.
Uma das formas de isolar a fonte inserindo um dispositivo semicondutor de comutao em
srie com a mesma, permitindo a abe rtura ou fecho do c ircuito estaticamente sem a
necessidade de usar rels ou contatores. O dispositivo escolhido foi um IGBT devido s suas
velocidades de comutao.
63
C I
L
T
IGBT
D
P

Figura 68 Circuito de carga do banco de condensadores, comutado por um IGBT.
A adio de um IGBT em srie com a fonte de corrente no protege a fonte contra correntes
que se criam quando a tenso no banco de condensadores maior que na fonte, devido ao
dodo em antiparalelo com o IGBT. Para proteger a fonte nestas situaes inserido um dodo
D
P
em srie com a mesma para bloquear essas correntes.

3.4 Circuito de comando
Para comandar o circuito de potncia proposto um circuito de comando composto por uma
placa de desenvolvimento que contm uma FPGA, por um circuito de adaptao de sinais e
pelos mdulos de di sparo dos SCR e de um IGBT. A FPGA contm o programa desenvolvido
em LabVIEW
TM
que controla toda a mquina atravs dos seus perifricos de entrada e sada.
O circuito de c omando proposto capaz de s er comandado localmente atravs de um a
interface na mquina e remotamente atravs de uma interface no computador para atuar o
sistema de potncia. Com o uso de uma FPGA possvel trocar informaes, atravs de uma
rede informtica local com um computador ou localmente com outros equipamentos, fazer
clculos numricos e processamento de sinais.
Os sinais de comando das entradas e sadas da FPGA devem ser isolados dos circuitos de
potncia para evitar que esta se danifique no caso de um defeito t erra, que pode el evar a
tenso de modo comum acima dos limites dos equipamentos, ou um defeito de tenso. Para
isso so usados circuitos com opto-acopladores para isolar e adaptar as tenses dos sinais de
comando entre a FPGA e a interface local.
Na Figura 69 est representado o diagrama de blocos do circuito de comando.
64
FPGA Interface Remota
Mdulo do SCR 1
Mdulo do SCR 2
Placa de
isolamento e
adaptao de
sinais
Interface Local
LAN
Fonte de corrente
Rel de segurana
Mdulo do IGBT

Figura 69 Diagrama de blocos do circuito de comando da PEM
Este circuito de c omando est preparado para comutar dois tirstores e i nclui proteo de
pessoas e equipamentos. A razo para existirem os sinais para o I GBT e rel de segurana
so explicados no prximo captulo (0).
Para controlar a fonte de corrente apenas necessria uma tenso analgica, que programa o
valor final da tenso de carga do banco de condensadores, e u m sinal de i nibio, para
desativar a fonte. Na superviso da fonte podem ser lidos vrios sinais de erro que, atravs da
FPGA ou do rel segurana, podem desativar o sistema.
De modo a proteger a fonte de corrente durante a atuao e recuperao do sistema
necessrio que exista um atraso entre os sinais de comando com uma durao superior ao
tempo de comutao dos dispositivos e que seja respeitada uma sequncia de comutao. Os
sinais de comando que devem respeitar estas condies so:
O sinal de inibio da fonte o sinal que inibe a fonte, no permitindo que a mesma
fornea energia ao sistema enquanto este tem o estado lgico 1;
O sinal de comando do IGBT o sinal responsvel pela abertura do circuito de carga
durante a atuao e recuperao do sistema. Este sinal est negado logo o IGBT
encontra-se aberto quando o estado lgico do sinal 0;
O sinal de c omando dos SCR o s inal de c omando dos mdulos de disparo dos
SCR, dado na f orma de um nico impulso, com a durao necessria para que o SCR
entre conduo e se mantenha a conduzir at a corrente que o atravessa se anular.
Para atuar o sistema necessrio, em primeiro lugar, inibir a fonte de corrente e depois abrir o
circuito de carga, ficando o circuito pronto para ser atuado atravs do sinal de comando dos
SCR.
65
Aps a at uao do s istema apenas pos svel iniciar a carga dos condensadores aps o
sistema entrar em regime permanente, ou seja, passado o tempo de moldagem e o t empo de
recuperao, fechando o circuito com o sinal do IGBT e desinibindo o sinal da fonte (por esta
ordem).
A Figura 70 mostra um exemplo dos sinais de comando ao longo do tempo.
ti
tpf
tif
Sinal de inibio
da fonte
Sinal de comando
do IGBT
Sinal de comando
dos SCR
t
v
tm tre
t
t
v
v

Figura 70 Diagrama temporal dos sinais de comando. Ti, tm, tre, tpf e tif so respetivamente o tempo
de impulso, o tempo de moldagem, o tempo de recuperao de energia, o tempo de proteo da fonte e
o tempo de inibio da fonte.

3.5 Aspetos importantes a ter em conta
Devido ao elevado valor de uma vida humana a proteo de pessoas um aspeto que deve
ser estudado e i mplementado na c onstruo de qualquer equipamento, seja ou no de al ta
tenso. A maior parte dos equipamentos disponveis no mercado esto apenas protegidos
contra contatos diretos com a tenso, atravs da insero do equipamento no interior de um
invlucro fechado, ficando a pr oteo contra contatos indiretos r esponsabilidade da
instalao eltrica. Os contatos indiretos ocorrem em situaes de defeitos onde objetos que
em situao normal no esto em tenso mas que durante o de feito esto, podendo s er
perigoso para as pessoas caso as devidas precaues no sejam tomadas.
66
3.5.1.1 Contatos diretos
A proteo contra contatos diretos feita atravs de uma estrutura metlica fechada onde se
encontra toda a el etrnica do c ircuito exceto o at uador. A estrutura ligada diretamente ao
condutor de proteo da instalao eltrica para evitar o apar ecimento de di ferenas de
potencial na m esma. O circuito da Figura 69 foi desenhado de m odo que o at uador se
mantenha ao potencial da terra durante o mximo tempo possvel porque o nico
componente do circuito que est fisicamente fora da es trutura metlica fechada e onde h
perigo de eletrocusso.
C1
L
T1
Dc1
T2
C2
I
Dc2
Exterior da
mquina
Interior da
mquina

Figura 71 Circuito de MEM com recuperao de energia individual para cada banco de condensadores
e com o atuador ligado diretamente terra.
Com esta configurao o at uador apenas est em tenso durante a atuao do s istema,
situao que dura menos de 1ms.
Para alertar os utilizadores da mquina e quem se encontre na sua proximidade deve existir
sinalizao de perigo bem legvel e vista de todos (Figura 72).
67

Figura 72 - Sinalizao de perigo de eletrocusso

3.5.1.2 Tenso de contato
No caso de existir um defeito terra como o da Figura 74 no momento em que uma pessoa
est em contato com a estrutura metlica da mquina ou se o circuito for atuado com algum
em contato com o at uador, percorrer uma corrente pelo corpo do individuo que depende
maioritariamente da sua resistncia eltrica e tenso de c ontato da estrutura (mximo 3kV).
Qualquer uma destas situaes dura menos de 1ms desde que exista uma ligao ao condutor
de proteo da instalao eltrica no caso de um defeito e um atuador de baixa indutncia no
caso do contato com o mesmo. De acordo com a norma IEEE 80 uma pessoa de 50kg capaz
de suportar uma tenso superior a 3kV durante 10ms, logo no posta em perigo em qualquer
uma das situaes mencionadas acima.
Para garantir a p roteo de pes soas a mquina deve possuir o s mbolo de t erra funcional
(Figura 73), que significa que a ligao terra essencial ao bom funcionamento da mesma.

Rt
Diferena de
potencial
C
Defeito

Figura 73 Smbolo eltrico da terra
funcional

Figura 74 Trajeto da corrente que percorre o
corpo humano causada pela tenso de contato no
momento de um defeito terra.
68
3.5.1.3 Protees mecnicas e eltricas
Num ambiente industrial, em que a mquina usada por um operrio, instrudo ou no, esta
deve estar protegida contra contatos diretos no caso de haver uma tentativa de acesso ao seu
interior, onde existem altas tenses, atravs de pormenores de construo (p. ex. no
permitindo a abertura das suas tampas pelo exterior da mquina ou com o auxlio de cadeados
ou trancas que apenas podem ser abertas com uma chave especfica) e atravs de um sistema
de deteo de abertura da porta e tampas (p. ex. usando um micro-interruptor para controlar
um dispositivo que descarregue rapidamente toda a energia armazenada no interior da
mquina e ao mesmo tempo cortando a alimentao mesma).

3.5.2 Rede de energia eltrica a montante
Para proteger a rede eltrica a montante e a fonte de alta tenso a ltima desacoplada do
circuito de potncia da PEM momentos antes do disparo, atravs do sinal de inibio da fonte,
e re-acoplada aps o disparo e quando o sistema j est em regime permanente. Assim
possvel garantir que mesmo no caso de um defeito no existiro correntes a escoar pela rede
eltrica a montante da mquina, protegendo todos os equipamentos dependentes da mesma.

4 Modelizao e simulaes
Para facilitar a compreenso do circuito proposto foram construdos modelos de circuito mais
simples. Partindo do circuito mais elementar e ir aumentando a sua complexidade at chegar
ao circuito proposto ajuda a compreender a funo de cada modificao feita ao circuito bsico
e a forma que a mesma interage com o restante circuito. Todos os modelos foram
desenvolvidos no Matlab R2009b e Simulink da The MathWorks
TM
.

4.1 Circuito de MEM elementar
O circuito de moldagem eletromagntica elementar (Figura 75), comutado com um SCR de
potncia muito simples mas o ponto de partida para os restantes circuitos de potncia deste
captulo, tornando-se importante conhecer a resposta das grandezas do mesmo para
possibilitar sua comparao com circuitos mais complexos.
69

Figura 75 Circuito de MEM simples.
O circuito elementar composto por uma fonte de corrente (I), um dodo de carga (Dc), um
banco de condensadores (C), um atuador (L), uma resistncia (R) e um tirstor (T1). O dodo Dc
tem a funo de bloquear as correntes inversas na fonte e a resistncia R simula a resistncia
dos cabos, contatos e componentes. O modelo matemtico do c ircuito obt ido atravs do
conjunto de equaes que descrevem o comportamento dos componentes ao longo do tempo,
no qual existem dois perodos distintos, o perodo de carga do banco de condensadores, de t
0
a
t
C
, e o per odo de descarga, de t
C
a t
RP
. No primeiro perodo o banc o de c ondensadores
carregado e o tirstor T1 est ao corte, logo I
A
=0. Assim no n A temos
t
0
t
C

() =
() (43)
onde i
CARGA
e i
C
so respetivamente a corrente fornecida pela fonte e a corrente do banco de
condensadores.
Como a corrente fornecida pela fonte de alimentao durante o perodo de carga constante o
integral da mesma no c omplexo e o resultado u ma carga linear dos bancos de
condensadores.
t
0
t
C

() =
()
=
1
() +
(
0
)
0
=
1
2
(
0
) (44)
Onde q(t), C, uc(t0) so respetivamente a carga e a capacidade e a t enso inicial dos bancos
de condensadores.
I
Carga
I
A

I
C

U
C

1 2
A
U
T

70
Durante o perodo de descarga a corrente no banco de condensadores a mesma que
percorre o atuador,
t
C
t
RP

() =
() (45)
onde i
A
a corrente que percorre o atuador.
A equao da malha 2 durante o mesmo perodo dada por,
t
C
t
RP

() =
() +
()
()
(46)
onde u
C
, R, L e u
T
so respetivamente a tenso no banco de condensadores, a resistncia do
sistema, a i ndutncia do sistema e a queda de tenso no tirstor, podendo a l tima ser
desprezada.
No momento da descarga a t enso do banco de condensadores dada pel a seguinte
expresso
t
C
t
RP

() =
()
=
1
() +
(
0
)
C
(47)

() =
1
cos( +) +
(
0
)
C
(48)

() =
1
2
+
2
e
t
( sen(t +) cos (t +))
tRP
tC
+
(
0
) (49)
As formas de onda obtidas a partir do circuito da Figura 75 correspondem s respostas para
um sistema sub-amortecido apenas durante a primeira alternncia positiva da corrente, devido
s caractersticas de corte do tirstor, e esto representadas na Figura 76.

71

Figura 76 Resposta do circuito de MEM elementar para uma tenso inicial U
0
=1500V, C=1,2mF e
L=5H. A curva I
L
representa a corrente no atuador e a curva U
C
a tenso no banco de condensadores.
A corrente de pico obtida foi de 20kA com taxas de variao semelhantes na subida e descida
da corrente, com o sistema carregado com uma tenso inicial de 1500V e sem acoplamento
magntico entre o at uador e c hapa metlica. Aps a at uao do s istema, j em regime
permanente, a tenso no banco de condensadores negativa, o que prejudica a prxima carga
dos condensadores porque necessrio gastar mais energia para voltar a carregar at ao valor
inicial. Para solucionar este problema i nserido um dodo em roda livre com a bobi na para
dissipar esta energia, tal como representado pela Figura 77.
Quando a t enso no banco de c ondensadores se inverte surge uma corrente na malha de
carga durante o perodo de descarga. Esta corrente pode atingir valores acima dos admissveis
pela fonte e l evar sua destruio. Esta situao deve ser evitada ao inibir a f onte durante a
descarga do circuito.

0 1 2 3 4
x 10
-4
-1
0
1
2
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 1 2 3 4
x 10
-4
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
L
U
C
72
4.2 Circuito de MEM com dodo de roda livre
No prximo circuito (Figura 77) a tenso negativa l imitada por um dodo de r oda livre Drl,
onde dissipada a energia acumulada no atuador.

Figura 77 - Circuito de MEM com uma malha de roda livre
Para obter o modelo matemtico deste circuito este tem que ser analisado em trs perodos
diferentes, o perodo de carga, o perodo de descarga e o perodo de dissipao. Nos perodos
de carga e de descarga as equaes que descrevem o comportamento do sistema so iguais
ao circuito anterior (Ponto 4.1), no entanto o ltimo d-se durante um intervalo de t empo
diferente, t
C
a t
RL
. O perodo de dissipao dado entre t
RL
e t
RP
., durante o qual toda a energia
contida no atuador dissipada na forma de calor neste e no dodo de roda livre.
O instante t
RL
dado no momento em que a tenso no atuador se inverte e o dodo de roda
livre entra conduo. A equao que descreve a forma de onda da c orrente da bobina entre
t
RL
e o regime permanente t
RP
dada por,
t
RL
t
RP

+
1

(50)
onde iRL a corrente que per corre o d odo de roda livre e iT1 a corrente que percorre o
tirstor.
Durante este perodo a corrente do at uador i gual ao somatrio da corrente que percorre o
dodo de roda livre e o t irstor porque existem dois caminhos fechados. Como a resistncia da
1 2
3
I
Carga

I
A

I
C

U
C

U
T

I
RL

73
malha de roda livre muito baixa quase toda a energia contida na bobina dissipada nesta
malha em vez de ser transferida para o banco de condensadores. Assim a equao da corrente
que percorre o atuador neste perodo pode ser aproximada seguinte expresso
t
RL
t
RP

(51)
onde K o valor da corrente inicial neste perodo e equivale corrente mxima do perodo de
atuao.
A tenso do atuador neste perodo d-se pela seguinte expresso
t
RL
t
RP

= (
)
(52)
onde V
RL
a tenso entre nodo e ctodo do dodo, u
D
queda de tenso mnima do dodo e
R
on
a resistncia conduo.
A tenso do banco de condensadores em regime permanente menor que duas dezenas de
Volts e pode ser desprezada face aos 1500V iniciais.
t
RL
t
RP

0
(53)

A resposta do circuito est representada na figura abaixo (Figura 78Figura 68).
74

Figura 78 - Resposta do circuito para uma tenso inicial U
0
=1500V, C=1,2mF, L=2.4H, r=20m e com
dodo de roda livre, Ron=8m. A curva I
L
representa a corrente no atuador e a curva U
C
a tenso no
Com a adio do dodo o tempo de descida da corrente subiu cerca de 6 vezes e a tenso em
regime permanente reduziu-se para cerca de 60V negativos. Esta tenso no nul a porque a
corrente divide-se pela malha do dodo de roda livre e pela malha do tirstor e para reduzir esta
tenso necessrio baixar a resistncia na malha de roda livre para minimizar a corrente que
passa pelo SCR.

4.3 Circuito de MEM com recuperao de energia
Uma das principais vantagens do circuito de MEM comutado com um SCR a possibilidade de
recuperar a maior parte da energia de volta para o banco de condensadores aps o disparo,
reduzindo os custos energticos e o tempo da prxima carga como j foi referido. O modelo do
circuito com recuperao de energia est representado na Figura 79. A partir deste ponto no
ser representada a malha de c arga dos bancos de c ondensadores, dado o es quema e as
equaes serem iguais para todos os circuitos.
0 1 2 3 4 5 6
x 10
-4
-2000
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 1 2 3 4 5 6
x 10
-4
-200
0
200
400
600
800
1000
1200
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
L
U
C
75

Figura 79 Circuito de MEM com recuperao de energia
As equaes que descrevem este circuito ao longo do tempo podem ser divididas em trs
perodos diferentes, o primeiro onde a corrente circula apenas atuador (de t
C
a T
1
), o segundo
onde a corrente percorre o atuador e a malha auxiliar (de T
1
a T
R
) e o terceiro onde a corrente
apenas percorre a malha auxiliar (de T
R
a T
RP
).
O primeiro perodo tem uma durao de metade da alternncia positiva da corrente, sendo a
corrente descrita pela equao caracterstica de um circuito RLC srie em regime sub-
amortecido (Tabela 1).
No segundo perodo a corrente no atuador decresce e a corrente na malha auxiliar cresce
devido inverso do sinal da tenso no banco de condensadores.
No terceiro perodo a corrente no at uador nul a e a c orrente que percorre a malha auxiliar
descrita pela mesma equao que a do at uador, mas com parmetros de di ferentes,
nomeadamente de coeficiente de auto indutncia e resistncia.
A equao que descreve a corrente que percorre o banco de condensadores a seguinte
t
C
t
RP

() =

()|
R
()|
1

=

1
cos(
1
+
1
)|
R
2
cos(
2
+
2
)|
1

(54)
onde t
R
o instante em que a corrente do atuador se anula e
I
R
I
A

U
C

I
C

76

1
=

2

(55)

2
=

(56)
em que R e L s o respetivamente a resistncia e o c oeficiente de auto-indutncia da
malha principal e R
aux
e L
aux
so respetivamente a resistncia e o coeficiente de auto-
indutncia da malha auxiliar.
A equao que descreve a resposta da tenso no banco de condensadores a seguinte

() =
()
=
1
() +
(
0
)
0

=
1
1
cos(
1
+
1
) dt
C
2
cos(
2
+
2
) dt
C
(
0
)
(57)

A resposta do circuito est representada na Figura 80, onde existe um pico de corrente positivo
que corresponde c orrente que percorre o at uador, e um pico negativo que corresponde
corrente percorre a bobina de recuperao de energia.
77

Figura 80 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia. UC a tenso no banco de
condensadores e IC a corrente. U
0
=1500V, C=1,2mF, L=3,5H, R=20m, Rr=42m e Lr=120H.

4.3.1 Variao da indutncia da bobina de recuperao
O aumento do coeficiente de auto-indutncia da bobina de recuperao de energia permite a
recuperao de mais energia devido s menores perdas por efeito de Joule, dado serem
proporcionais ao quadrado da corrente. Esta afirmao s vlida se a resistncia eltrica da
bobina se manter igual ao aumentar a sua indutncia, que possvel aumentando a seo do
condutor que compe a bobina.
A Figura 81 representa a resposta do sistema para diferentes valores de indutncia da bobina
de recuperao de energia.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
x 10
-3
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
x 10
-3
-1
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
C
78

Figura 81 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia para vrios valores do coeficiente
de auto-indutncia da bobina de recuperao de energia. Em cima esto representadas as respostas da
corrente que percorre o atuador e em baixo a tenso do banco de condensadores. Os ndices 1, 2 e 3
correspondem aos valores de indutncia L
1
, L
2
=2xL
1
e L
3
=2xL
2
.
Analisando as respostas obtidas pos svel calcular a per centagem de energia recuperada
relativamente energia inicial e energia no ponto A, no qual a tenso mnima. A Tabela 11
mostra a percentagem de energia recuperada para cada situao.
Curva
Tenso
inicial (V)
Tenso de pico
negativa (V)
(Ponto A)
Tenso em
regime
permanente (V)
Energia
final/Energia Inicial
(%)
Energia
final/Energia
Ponto A (%)
U
C1
1500 1067 881 34,5 68,2
U
C2
1500 1067 933 38,7 76,5
U
C3
1500 1067 970 41,8 82,6
Tabela 11 Energias recuperadas aps a atuao do sistema para diferentes valores de indutncia da
bobina de recuperao de energia.
Estes resultados indicam que o aumento da indutncia da bobina de recuperao de energia
para quatro vezes o seu valor inicial permite a recuperao de mais 14,4% de energia.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
x 10
-3
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
x 10
-3
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
L1
I
L2
I
L3
U
C1
U
C2
U
C3
A
79
4.4 Circuitos de MEM em paralelo
A colocao de r amos em paralelo, compostos por um banco de condensadores e um SCR
permite aumentar a corrente de pico que percorre o atuador, sem que seja necessrio substituir
os componentes existentes para suportarem correntes mais elevadas. Assim possvel
continuar a usar os SCR de 25kA e os mesmos bancos de condensadores, apenas
adicionando mais ramos at se obter a energia desejada. Na Figura 82 est representado o
circuito de MEM com dois ramos em paralelo.

Figura 82 Circuito de MEM com dois sistemas em paralelo
Usando apenas um atuador, os dois ramos tm funcionar simultaneamente porque caso
apenas um tirstor seja comandado para atuar o out ro entrar conduo devida el evada
taxa de variao da tenso aos seus terminais. Por isso este circuito pode ser visto como
apenas um circuito RLC em que a capacidade C=C1+C2, e a equao da corrente no atuador
igual do pont o 4.1 mas com um diferente valor de c apacidade. A corrente que percorre
cada banco de condensadores dada por i
A
/2
t
C
t
RP

() =
cos( + ) (58)
Onde , A e adquirem valores de acordo com a nova capacidade e resistncia do circuito.
I
L

I
C1

I
C2

U
C1

U
C2

80
t
C
t
RP

1
() =
2
() =

cos( + )
2

(59)

t
C
t
RP

1
() =
2
()
=
1
2
+
2
e
t
(sen(t +) cos (t +))
tRP
tC
+
(
0
)
(60)

A Figura 83 mostra as respostas das tenses e correntes do circuito.

Figura 83 - Resposta do circuito de MEM em paralelo para C1=C2=1,2mF, L=5H RT1=RT2=1m. As
respostas das correntes I
C1
e I
C2
so iguais e esto sobrepostas, tal como as das tenses U
C1
e U
C2
.

0 1 2 3 4 5 6
x 10
-4
-2
0
2
4
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 1 2 3 4 5 6
x 10
-4
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
L
I
C1
I
C2
U
C1
U
C2
81
4.5 Circuito de MEM com malhas de atuao em paralelo e recuperao de
energia
O modelo do circuito eltrico de MEM com malhas de atuao em paralelo e com recuperao
de energia est representado na Figura 84.

Figura 84 Modelo do circuito de MEM com duas malhas de atuao em paralelo com recuperao de
energia.
Para incluir as perdas associadas ao circuito por efeito de Joule os modelos dos tirstores e
dodos tm uma resistncia eltrica associada.
A construo de um modelo exato de um sistema de MEM muito complexa e exige que sejam
tidos em conta vrios fenmenos como a variao da i ndutncia mtua entre o at uador e a
pea metlica a deformar de acordo com a di stncia entre os mesmos, o efeito pelicular e de
proximidade, as resistncias e indutncias parasitas das cabelagens, contactos e componentes
e a r esposta dinmica dos semicondutores de potncia. Todos estes fenmenos tm uma
pequena influncia na resposta do circuito, no entanto podem ser desprezados para a obteno
uma resposta simulada aproximada.
As equaes de descrevem o comportamento aproximado do sistema so semelhantes s do
circuito de MEM com recuperao de energia do ponto 4.3. A equao da corrente no atuador
dada pela seguinte equao e existe apenas durante o perodo de descarga.
I
C2

I
C1

I
T2

I
T1

I
a

I
R1

I
R2

I
Carga

82

() =
Acos( +)
(61)
Onde , , A e dependem do valor da capacidade equivalente dos dois bancos de
condensadores em paralelo.
A corrente em cada banco de condensadores dada pel a soma de uma parte da corrente no
atuador, devido di viso da corrente pelos dois bancos, com a c orrente da malha de
recuperao associada ao mesmo, sendo esta negativa.

() =

()
Ri
()|

(62)
Em que i corresponde ao ndice do banco de condensadores e i
Ri
dado por,

() =
i
cos(
i
+
i
)
(63)

A tenso em cada banco de condensadores dada pelo integral da sua corrente da seguinte
forma,

() =
1
() +
(
0
)
0

=
1
Acos( +) dt
Ci
+
1
i
cos(
i
+
i
) dt
(
0
)
(64)

4.5.1 Dimensionamento do circuito de potncia
O circuito proposto foi pensado para apresentar uma corrente de aproximadamente 50kA,
considerando um atuador com um coeficiente de auto-indutncia de cerca de 5H (valor
estimado para as bobinas usadas) e com dois bancos de condensadores em paralelo. Estes
devem suportar uma tenso nominal de 3kV. A resistncia estimada para a malha de atuao
de 10m, devido resistncia dos cabos e das conexes.
83
4.5.1.1 Capacidade do banco de condensadores
Para determinar a capacidade dos dois bancos de condensadores para que o valor mxima da
corrente no atuador seja de 50kA quando em paralelo necessrio determinar as condies
iniciais do sistema e o instante em que o valor da corrente mximo.
A equao que descreve a resposta da corrente na malha de atuao dada por,

() =
cos( +)
(65)
E o valor mximo da corrente dado no instante em que a derivada da corrente se anula. A
partir da equao (66) determina-se esse instante.

(
= 0
(66)

=
tan
1

(67)
Os valores de A e so calculados usando as condies iniciais do sistema e dados por,

=
(0
+
)

(68)

=

2
,
0+

(69)
Resolvendo o seguinte sistema de trs equaes a trs incgnitas,

(0
+
)

=
tan
1
) =
cos(
+)

(70)
Obtm-se o valor da capacidade e o instante para qual a corrente mxima,
1,85
84
142
A capacidade calculada o s omatrio das capacidades dos dois bancos de condensadores,
tendo cada um metade da capacidade total. Considerando o uso de seis condensadores por
cada banco de condensadores obtm-se o valor da capacidade de cada condensador,

1
=
2
= =
12
=

12
=
1,85 10
3
12
154
(71)
Tendo o valor de capacidade calculado e fazendo um pequeno sobredimensionamento, o valor
de capacidade escolhido para cada condensador foi de 185F, perfazendo um total de 2,22mF
com dois bancos de condensadores de 6x185F em paralelo. Para uma capacidade total de
2,22mF prev-se uma corrente mxima no atuador de aproximadamente 53,9kA.
A energia mxima que pode ser armazenada com esta capacidade c alculada no pr ximo
ponto (4.5.1.2).

4.5.1.2 Energia mxima armazenada
A energia armazenada num banco de condensadores dada pela equao (72)

=
1
2
2

(72)
Logo a energia mxima que pode ser armazenada nos bancos de condensadores da mquina
proposta de,

=
1
2
12 185 10
6
3 10
3
= 9990
(73)
Quanto mais energia transferida para a pea a moldar melhor ser o processo de moldagem,
porque maior ser a presso aplicada e eficincia da mquina, porque mais energia usada
para realizar trabalho.

85
4.5.1.3 Taxa de variao mxima da corrente
Os SCR escolhidos (5STP 28L4200) esto individualmente limitados a uma taxa de variao
mxima da corrente de 1000A/s, acima do qual os dispositivos podem danificar-se devido
conduo localizada em vez de uniformizada ao longo de toda a sua superfcie. Isto significa
que no atuador podemos ter uma corrente com um di/dt mximo de 2kA/s, ou seja, possvel
atingir os 50kA em apenas 25s.
Para um atuador com uma indutncia de 5H e um banco de condensadores com uma
capacidade total de 2,22mF a frequncia de ressonncia do sistema pode ser calculada pela
equao (75),

0
=
1
=
1
5 10
6
2,2 10
3
9492 /
(74)

0
=

0
2
=
9491
2
1511
(75)
Com um perodo de,

=
1
0
=
1
1511
= 662
(76)
E uma taxa de variao mdia dada por (77),

4
=
50000
662 10
6
4
= 300

(77)

O instante em que a taxa de variao mxima (79) dado quando a segunda derivada da
corrente se anula (78),

2
()
2
= 0
(78)

,
0

(79)
86
Substituindo o valor de t na equao da derivada da corrente (80) obtm-se a taxa de variao
mxima da corrente dado por (81),

()
[ cos( +) sin( +)]

(80)

= 600 /
(81)
A taxa de variao mxima da corrente de 600A/s, estando bem dentro dos limites impostos
pela associao em paralelo dos tirstores (2000A/s).
Repetindo o clculo para apenas um banco de condensadores e um SRC obtm-se,

= 44620 1 cos cos
2
13447 sin
2

(82)

= 600 /
(83)

Apesar do valor da capacidade ter sido reduzido para metade o valor obtido para a taxa de
variao mxima da corrente que percorre o atuador mantm-se igual, no ent anto a taxa de
variao no SCR o dobro do caso anterior porque neste caso a corrente percorre apenas um
dispositivo em vez de se repartir igualmente por dois.
Com =/2 a taxa de variao mxima da corrente depende apenas da tenso inicial e do valor
da indutncia do circuito no dependendo da capacidade do banco de condensadores.

(0
+
)
sin
2

(84)

87
4.5.1.4 Indutncia mnima do sistema em paralelo
O valor mximo da t axa de v ariao da c orrente dos tirstores define qual a i ndutncia
mnima do sistema para que no sejam ultrapassados os limites dos dispositivos. A taxa de
variao mxima para o sistema em paralelo de 2000A/s.
Resolvendo o seguinte sistema de equaes possvel determinar qual a indutncia mnima
do sistema.

=

2

0
=
1

=
0
2

2

()
[cos( + ) sin( + )]

(85)

A indutncia mnima calculada para uma capacidade de 2,2mF foi de,

= 1,5 .
(86)

4.5.2 Resposta tpica
A Figura 85 representa a resposta simulada em condies normais do circuito de MEM com
duas malhas de descarga em paralelo. Considera-se situao como tpica quando as
capacidades dos bancos de condensadores, o coeficiente de auto-indutncia das bobinas de
recuperao de energia e os instantes em que os tirstores so atuados iguais.
88

Figura 85 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia considerando os
mesmos parmetros para as duas malhas de descarga. C
1
=C
2
=555F, L=3,7H, R
1
=R
2
=13m,
L
r1
=L
r2
=150H e R
r1
=R
r2
=13m.
A corrente de pico obtida para cada banco de condensadores foi de 12kA e para o atuador foi
24kA. A tenso inicial foi de 1500V e aps a atuao passou para 850V, recuperando 32% da
energia inicial.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-1
0
1
2
3
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
C1
I
C2
I
L
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C1
U
C2
89
4.5.3 Resposta para uma diferena de 10% entre bancos de condensadores
Devido s tolerncias dos condensadores existe a possibilidade de que as capacidades nos
bancos de condensadores sejam diferentes. Estas tolerncias so dadas pelos fabricantes e o
sistema eltrico deve ser capaz de tolerar tais variaes de capacidades. A Figura 86 mostra a
resposta das grandezas do circuito para uma diferena de 10% entre capacidades dos bancos
de condensadores.

Figura 86 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com uma diferena
de 10% entre as capacidades dos bancos de condensadores. C
1
=555F, C
2
=500F, L=3,7H,
R
1
=R
2
=13m, L
r1
=L
r2
=150H e R
r1
=R
r2
=13m.
As correntes de pico obtidas foram de 12kA para o banco de condensadores de 555F e 11kA
para o de 500F e a corrente de pi co no at uador foi de 23kA. A tenso inicial foi de 1500V e
aps a atuao passou para 857V em C
1
e 837 em C
2
, recuperando 33% e 31% da energia
inicial, respetivamente. Atravs desta simulao o circuito mostra ser capaz de suportar uma
variao de c apacidade de 10% entre os bancos de c ondensadores sem influenciar
significativamente a corrente de pico e a ener gia recuperada, permitindo que sejam utilizados
condensadores com uma tolerncia elevada, que tipicamente so mais baratos, podendo
reduzir o custo de produo da mquina.

0 0.5 1 1.5 2 2.5
x 10
-3
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
C1
I
C2
I
L
U
C1
U
C2
90
4.5.4 Resposta para uma diferena de 10% entre bobina de recuperao de
energia
Dadas as recuperaes de energia de cada banco de condensadores ser individual pode haver
diferenas de indutncia entre as bobinas de recuperao, que podem provocar diferenas de
tenso entre os bancos. A Figura 87 representa as respostas das grandezas do circuito para
uma diferena de 10% entre bobinas de recuperao.

Figura 87 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com uma diferena
de 10% entre as indutncias das bobinas de recuperao de energia. C
1
= C
2
=555F, L=3,7H,
R
1
=R
2
=13m, L
r1
=150H, L
r2
=135H e R
r1
=R
r2
=13m.
As correntes de pico obtidas foram de 12kA para C2 e 11kA para C1 e a corrente de pi co no
atuador foi de 23kA. A tenso inicial foi de 1500V e aps a atuao passou para 840V em C
1
e
835 em C
2
, recuperando cerca de 31% da energia inicial em ambos os casos. Atravs desta
simulao o circuito mostra ser capaz de suportar uma variao de indutncia de 10% entre as
bobinas de r ecuperao de ener gia sem influenciar significativamente a corrente de pi co e a
energia recuperada, permitindo que sejam utilizadas bobinas de recuperao de energia com
uma tolerncia elevada, que tipicamente so mais baratos, podendo mais uma vez reduzir o
custo de produo da mquina.
0 0.5 1 1.5 2 2.5
x 10
-3
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
C1
I
C2
I
L
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C1
U
C2
91
4.5.5 Resposta para um curto-circuito numa das bobinas de recuperao de
energia
Durante o per odo de desenvolvimento necessrio ter em conta situaes particulares que
podem acontecer a q ualquer momento durante o f uncionamento da mquina. Uma destas
situaes uma das bobinas de recuperao ficar em curto-circuito. A Figura 88 mostra a
resposta das grandezas do circuito para esta situao.

Figura 88 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com uma bobina de
recuperao de energia em curto-circuito. C
1
=C
2
=555F, L=3,7H, R
1
=R
2
=13m, L
r1
=150H, L
r2
=0H e
R
r1
=R
r2
=13m.
24kA. A tenso inicial foi de 1500V e aps a at uao passou para 660V em C2, recuperando
19% da ener gia inicial, enquanto que em C2 no houve energia recuperada. Esta simulao
mostra que apesar de um dos ramos de recuperao de energia estar em curto-circuito anda
possvel recuperar energia nos restantes ramos, no entanto a energia recuperada menor que
no caso tpico. Isto devido ao perodo em que todos os ramos do circuito esto conduo,
levando que haja trocas de energia entre eles. A partir do momento em que a corrente troca de
sinal os ramos de recuperao ficam isolados entre si e podem ter tenses diferentes.
0 0.5 1 1.5 2 2.5
x 10
-3
-1
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
C1
I
C2
I
L
U
C1
U
C2
92
4.5.6 Resposta para um circuito aberto numa das malhas de recuperao de
energia
Outra situao particular uma das malhas de recuperao de energia ficar em circuito aberto,
levando que a tenso entre bancos de condensadores suba, no pior caso para o dobro da
tenso recuperada por um banco. A Figura 89 mostra a r esposta das grandezas do circuito
nesta situao.

Figura 89 Resposta do circuito de MEM em paralelo com recuperao de energia com um ramo de
recuperao de energia em circuito aberto. C
1
=C
2
=555F, L=3,7H, R
1
=R
2
=13m, L
r1
= L
r2
=150H e
R
r1
=R
r2
=13m.
24kA. A tenso inicial foi de 1500V e aps a at uao passou para 840V em C2 e -1230V em
C1, recuperando 31% da energia inicial em C2, enquanto que nem C2 a energia recuperada
negativa e cerca de 67% da ener gia inicial. Esta simulao mostra que possvel recuperar
energia num dos ramos estando o outro em aberto. Esta situao desvantajosa para este
circuito porque a energia final de C1 no pode ser utilizada para realizar trabalho, implicando
um maior gasto de energia para voltar a carregar o banco para um valor positivo. Neste caso
em regime perante existe uma tenso diferencial entre bancos de condensadores superior
0 0.5 1 1.5 2 2.5
x 10
-3
0
1
2
x 10
4
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I
C1
I
C2
I
L
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
x 10
-3
-2000
-1000
0
1000
2000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

U
C1
U
C2
93
tenso inicial podendo causar um defeito em equipamentos que meam esta tenso caso no
estejam dimensionados para tal.

5 Resultados experimentais
Neste captulo so apresentados os resultados experimentais mais significativos dos circuitos
simulados no captulo anterior e so comparados com os resultados tericos e de simulao.
As comparaes das respostas simuladas com as obtidas na pr tica determinam se os
modelos utilizados so validos e onde podem ser melhorados, mesmo considerando que no
se teve em conta o efeito da chapa metlica no atuador.
A Figura 90 mostra as respostas para o circuito o circuito elementar com dodo em roda livre
(Figura 77).

Figura 90 Resposta do circuito de MEM com dodo de roda livre. CH1 e CH4 so respetivamente as
respostas da tenso e corrente no banco de condensadores, CH3 a resposta corrente no atuador e M
a resposta da corrente calculada no dodo de roda livre. A escala da tenso 500V/div e as correntes
de 5kA/div.
Este resultado experimental mostra que a corrente no atuador tem um tempo de subida de
cerca de 30s, atingindo uma valor mximo de 11kA para uma tenso inicial de 1k V, e um
tempo de des cida de 260s e que esta dada pela soma da corrente no banco de
condensadores e a corrente no dodo de r oda livre. O resultado experimental da tenso e
corrente do circuito com o dodo em roda livre apresenta um andamento de acordo com a
simulao da Figura 78.
94
Na Figura 91 esto representadas as respostas da tenso no banco de condensadores (CH1),
a corrente no banco de condensadores (CH4) e a corrente no atuador (CH3) para o circuito da
Figura 79, que o circuito proposto neste trabalho, com dois ramos em paralelo e recuperao
de energia.

Figura 91 Resposta do circuito de MEM com recuperao de energia. Com uma tenso inicial de
1500V foi obtida uma corrente de pico no atuador de 17kA com um tempo de subida de cerca de 60s. A
tenso no banco de condensadores estabilizou em 500V em regime permanente, uma recuperao de
11% em relao energia inicial. A escala da tenso 500V/div e das correntes de 5kA/div.
Neste ensaio foi recuperada cerca de 11% da energia inicial no banco de condensadores. A
largura de impulso esperada para a corrente do atuador era de 250s (em vez dos 120s
obtidos) com uma corrente de pi co de 17kA de acordo com a simulao da Figura 80. Esta
diferena est relacionada com a saturao da sonda de corrente, que de 1 A.s. O pico de
corrente medido atingiu 17kA em cerca de 60s e o s eu produto 1,02As, ultrapassando o
limite do eq uipamento de medida. Quando atingido este limite a l eitura tende para zero e a
forma de onda cortada, tornando invlidas as leituras da corrente de pico e da l argura de
impulso.
Uma soluo para este problema pode s er a repartio da c orrente por vrios cabos em
paralelo, fazendo a medida da c orrente em apenas um deles, de modo a bai xar o v alor do
produto da corrente pelo tempo para no saturar a sonda. Para que as medidas realizadas pela
sonda sejam precisas necessrio que a corrente se divida igualmente pelos cabos em
paralelo, situao em que a corrente no atuador dada pel o produto da corrente medida pelo
nmero de cabos em paralelo.
Na Figura 91 esto representadas as respostas da t enso e c orrente no banc o de
condensadores (M e CH4, respetivamente) para o circuito da Figura 84. Para no per mitir a
95
saturao da sonda de corrente esta foi colocada num dos bancos de condensadores, onde a
corrente metade da corrente no atuador durante o perodo de descarga.

Figura 92 - Resposta do circuito de MEM com dois ramos de descarga em paralelo e com recuperao
de energia. Com uma tenso inicial de 1500V foi obtida uma corrente de pico num dos bancos de
condensadores de 10,5kA. A tenso no banco de condensadores estabilizou nos 850V em regime
permanente, uma recuperao de 32% em relao energia inicial. A escala da tenso 500V/div e da
corrente de 2kA/div.
Considerando que a corrente no atuador igual ao dobro da corrente num dos bancos de
condensadores durante o perodo de descarga obteve-se, neste ensaio , uma corrente de pico
de cerca de 21kA (2x10,5kA) no atuador, resultado semelhante ao da Figura 85.
Durante os ensaios do circuito proposto foram-se formando e cortando vrias chapas metlicas
com diferentes energias e atuadores. Os resultados mais importantes so apresentados abaixo
enquanto que os restantes so apresentados no Anexo 2. Os atuadores construdos e usados
na obteno dos resultados experimentais esto listados no Anexo 1.
A Figura 93 mostra um corte limpo realizado numa chapa de Al de 0, 8mm de espessura com
apenas 17kA de corrente de pico. Os dois ensaios foram realizados com o circuito nas mesmas
condies no ent anto a pea da es querda estava desalinhada com o at uador, mostrando a
importncia do alinhamento da chapa e da f erramenta com o mesmo. Os resultados da Figura
94 mostram ser possvel cortar um crculo de c hapa de 0, 8mm de e spessura com apenas
1,5kV com uma energia de apenas 1350J. A tentativa de cortar a mesma chapa com
apenas1015J mostrou que a energia aplicada foi insuficiente.
96

Figura 93 Chapas de Al de 0,8mm de espessura
cortadas usando o atuador n 3 com uma corrente
de pico de 17kA, 2400J.
Figura 94 Chapas de Al de 0,8mm de espessura
cortadas com duas energias diferentes usando o
atuador n 2, 1350J na da esquerda e 1015J na da
direita.

Na Figura 95 apresenta-se um corte limpo de uma forma que combina uma circunferncia com
ngulos retos numa chapa de 0, 5mm de es pessura. Na figura do l ado a c hapa metlica foi
moldada e cortada com apenas um impulso de 2400J.

Figura 95 Corte limpo realizado pelo atuador n 5
numa chapa de Al de 0,5mm de espessura com
um impulso de 1945J.
Figura 96 Chapa de Al com 0,5mm de espessura
cortada e moldada simultaneamente pelo atuador
n 2 com um impulso de 2400J.

Na Figura 97 uma chapa de Al de 0, 8mm de espessura foi moldada com sucesso com uma
energia de 2400J . Na Figura 98 foram realizados dois ensaios sobre uma forma de A l
previamente moldada atravs de um processo pneumtico com o objetivo de alisar sua aba. Na
forma da esquerda foi aplicada uma fora no puno e na forma da direita foi aplicada na
matriz, usando a mesma energia inicial e os resultados mostram que a aplicao da fora na
97
ltima d origem a melhores resultados. Isto deve-se ao f acto da matriz ter uma rea maior
para a apl icao de uma fora magntica, logo com a mesma energia mais fora pode s er
aplicada.

Figura 97 Chapa de Al com 0,8mm de espessura
moldada pelo atuador n2 a 2400J.
Figura 98 Alisamento das abas de uma forma
pr-moldada com a aplicao da fora no puno
(esquerda) e na matriz (direita) usando o atuador
n9 com uma energia de 1015J.

A Figura 99 mostra uma pea tubular de Al com 2mm de espessura deformada a 2400J e a
Figura 100 mostra outra com 1,4mm de es pessura deformada a 440 0J. Ambas as peas
cederam sobre a presso exercida pelos atuadores e comprovam o circuito proposto capaz
de realizar a crimpagem de tubos.

Figura 99 Tubo de Al com 2mm de espessura e
50mm de dimetro deformado pelo atuador n 10
com um impulso de 2400J.
Figura 100 Tubo de Al com 1,4mm de espessura
e 19mm de dimetro deformado pelo atuador n 13
de 8 espiras com um impulso de 4400J. a) Vista
superior, b) vista lateral
a)
b)
98
5.1 Variao da indutncia mtua entre o atuador e a pea a deformar
Para determinar a variao da indutncia no sistema devido ao acoplamento magntico entre o
atuador e a pea metlica a formar foram realizados dois ensaios, um sem pea Figura 101 e
outro com pea Figura 102.

Figura 101 Resposta de um sistema de MEM
com dois ramos de descarga em paralelo, sem
acoplamento magntico. O sinal (M) est a
200V/div e o CH4 a 1kA/div.
Figura 102 - Resposta de um sistema de MEM
com dois ramos de descarga em paralelo, com
acoplamento magntico. O sinal (M) est a
200V/div e o CH4 a 1kA/div.

O calculo da variao da indutncia no atuador feito atravs da comparao dos perodos das
duas correntes obtidas mostra que esta incrementa cerca de 35% quando no existe uma pea
metlica acoplada magneticamente ao atuador.

5.2 Fora atrativa
Para demonstrar a p resena de el evadas foras atrativas entre o atuador e u ma chapa
metlica, mesmo quando distanciados de 1mm entre si, foi realizada a seguinte experiencia.
Por cima do a tuador foi colocada uma rede metlica de bai xa condutividade eltrica para
distanciar a chapa metlica, colocada por cima da rede, e simultaneamente servir de molde.
Por cima da chapa foi colocada uma pea macia, lisa e sem qualquer textura, para manter a
chapa fixada durante a sua repulso. Com esta configurao a chapa metlica apenas pode
deformar-se por fora atrativa visto que s de pode deslocar no sentido do atuador. A Figura
103 mostra o resultado experimental e a chapa metlica usada.
99

Figura 103 Uso de fora atrativa para moldar uma chapa de Al distanciada de 1mm do atuador devido
presena de uma rede entre os dois. Impulso de 1350J.

5.3 Circuito de Comando
Tal como referido no ponto 3.4 necessrio que existam tempos mortos entre os sinais de
comando que controlam o circuito de potncia. A Figura 104 mostra uma imagem dos sinais de
comando obtida experimentalmente.

Figura 104 Sinais de comando sada da FPGA. O sinal representado no CH1 o sinal de inibio da
fonte, o CH2 o sinal de comando do IGBT da malha de carga e o sinal do CH3 o impulso de
comutao dos SCR. Todos os sinais esto a 2V/div e a escala de tempo 250s/div.
100
O IGBT colocado ao corte 100s aps o sinal de inibio da fonte de corrente e conduo
100s antes de voltar a at ivar a f onte. O primeiro tempo permite que a fonte seja desligada
antes do circuito de carga ficar em aberto e o segundo tempo permite que o circuito de carga
volte a fechar antes de ativar a fonte. Estes tempos tm em conta os tempos de comutao dos
opto acopladores que isolam os sinais antes de chegarem aos circuitos de potncia. O impulso
de comando dos SCR est aproximadamente situado a meio dos sinais de inibio e do I GBT
com 440s de tempo morto aps a comutao do sinal do IGBT, 60s de durao e 400s at
a nova comutao do sinal do IGBT.
Os sinais da Figura 104 so configurados no interface Homem-Mquina desenvolvida no
LabView representado na Figura 105. O programa permite o controlo do nmero e durao dos
impulsos para o comando dos SCR, os tempos mortos do sinal de inibio da fonte e do sinal
de comando do IGBT do ramo de carga, tal como a tenso de carga.

Figura 105 Interface Homem-Mquina para a configurao de parmetros dos sinais de comando.
A programao grfica que permite o ajuste destes parmetros e o c omando do c ircuito de
potncia est representada no Anexo 3.
A Figura 106 mostra a disposio de algumas das placas que compem o circuito de comando
da PEM.
101

Figura 106 Circuito de comando composto pelas placas de disparo dos tirstores (A), a placa de
avaliao que contem uma FPGA (B), a placa de isolamento e adaptao de sinais (C) e uma fonte de
alimentao (D).
A Figura 107 mostra o circuito de disparo do IBGT de carga.

Figura 107 Circuito de comando do IBGT de carga

A
B
C
D
102
5.4 Custo Energtico
Para uma tarifa de ba ixa tenso especial tarifada num perodo horrio e par a mdias
utilizaes, de acordo com o tarifrio em vigor desde janeiro 2012, Diretiva ERSE n. 07/2011,
cada impulso de 60kJ emitido pela PEM custa em mdia 0,00032, ou seja, 3,2 por cada dez
mil peas feitas. Considerando o tarifrio de mdia tenso para utilizaes prolongadas (melhor
caso) o custo para moldar dez mil peas baixa para cerca de 2,3. Estes custos referem-se
apenas ao c onsumo energtico da PEM e s e for utilizado um sistema com recuperao de
energia este custo pode ser reduzido, no melhor caso, em 35%.

5.5 Implementaes de segurana e aspetos tidos em conta na construo da
mquina
Para melhorar a segurana da mquina foram implementadas algumas medidas preventivas.
Uma dessas medidas foi a ligao da estrutura metlica da mquina ao barramento de terra do
quadro eltrico principal da i nstalao atravs de um condutor de 35mm
2
, para minimizar a
tenso de contato durante um defeito terra e reduzir o t empo de descarga dos bancos de
condensadores.

Figura 108 Barramento de terra onde feita a ligao do condutor de proteo que liga estrutura da
PEM atravs de um condutor de 35mm
2
.
Devido s elevadas correntes que percorrem os condutores do circuito de potncia durante a
descarga dos bancos de condensadores sobre o atuador as cabelagens devem estar afastadas
o mximo possvel dos circuitos de comando e da estrutura metlica para minimizar
interferncias e vibraes causadas por tenses induzidas.
A descarga de emergncia dos bancos de condensadores e os disparos intempestivos so
descritos em pormenor nos prximos pontos.
103

5.5.1 Descarga dos condensadores em caso de emergncia
Para melhorar a segurana da mquina foi instalada uma malha de dissipao de energia para
cada banco de condensadores, composta por um rel de alta tenso e uma resistncia de
potncia de 1k (Figura 109) e comutada por um interruptor de emergncia (Figura 110). Os
rels so normalmente fechados e em caso de abertura do circuito ou falha de al imentao
estes entram conduo, fechando o circuito de dissipao de energia e dissipando a energia
existente nos bancos de condensadores.

Figura 109 Circuitos de descarga dos bancos de
condensadores compostos por dois conjuntos de
um rel e uma resistncia em srie. Cada conjunto
descarrega a energia de um banco de
condensadores.
Figura 110 Aparelhagem de c omando local. Da
esquerda para a d ireita, o interruptor de
habilitao/inibio da fonte de alta tenso, o
interruptor de corte da alimentao e o interruptor
de corte de emergncia.

O tempo de descarga dos bancos de condensadores em situao de emergncia depende da
energia contida nos mesmos e do valor da resistncia que vai dissipar a sua energia. A Figura
111mostra a r esposta da tenso e da c orrente nos bancos de c ondensadores para a sua
tenso nominal.
104

Figura 111 Resposta da corrente e tenso no banco de condensadores (C=1,11mF, V
0
=3000V)
durante o acionamento da malha de dissipao de energia. A linha vermelha representa os 50V, tenso
abaixo do qual j no existe perigo de eletrocusso em condies pouco hmidas.
O tempo de descida da tenso para valores aceitveis (50V) demora cerca de 4,5s. Este valor
depende da capacidade do banco de condensadores, da sua tenso inicial e da r esistncia de
descarga. Para obter tempos de descarga mais baixos o valor das resistncias pode ser
diminudo, no entanto necessrio garantir que so capazes de dissipar a energia na forma de
calor sem se destrurem.
A equao que descreve o comportamento da tenso nos bancos de condensadores durante a
sua descarga a seguinte.

() =
0
1

(87)
Onde V
0
e C so respetivamente a tenso inicial e a capacidade do banco de condensadores e R a
resistncia de descarga.

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
1
2
3
Tempo (s)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
1000
2000
3000
Tempo (s)
T
e
n
s
o

(
V
)

I
C
U
C
50V
105
5.5.2 Situaes de defeito
Durante a fase de ensaios ocorreram vrios defeitos que so importantes de referir e
compreender. Um dos defeitos foi a quebra do condutor que compe as espiras de um atuador
no local de cravagem do terminal (Figura 112). Esta situao ocorre quando o terminal mal
cravado, criando uma zona de elevada resistncia de contato quando o aperto insuficiente ou
enfraquecendo o condutor quando o ape rto demasiado, esmagando ou at cortando o
condutor.
Ocorreu tambm uma situao de de feito t erra em que 20kA escoaram pela estrutura
metlica ligada a um condutor de pr oteo. O defeito deu-se por falha do i solamento do
atuador, situao em que toda a estrutura metlica fica em tenso. O condutor de pr oteo
estava ligado estrutura mas apresentava uma elevada resistncia de contato devido ao
tratamento superficial da estrutura de alumnio, tornando-a isolante superfcie. A passagem
da elevada corrente por este ponto deu origem a um arco eltrico cujo resultado est na Figura
113.

Figura 112 Quebra do condutor de cobre aos
terminais de um atuador devido m cravagem
dos mesmos.
Figura 113 Ponto de contato da estrutura
metlica que suporta o atuador com o condutor de
proteo da instalao eltrica aps um defeito
terra de cerca de 20kA.

Outra situao de defeito foi um arco eltrico entre espiras de uma bobina construda com
condutor multifilamento. Durante a sua construo um dos filamentos de uma das espiras ficou
mal posicionado e enc ontrava-se muito prxima da es pira adjacente. O resultado de um a
atuao a 2000V que levou destruio do atuador mostrado na Figura 114.
106

Figura 114 Curto-circuito entre espiras causado
por um filamento mal colocado numa das espiras
da bobina.

5.5.3 Cabo de transporte de energia
Para minimizar o ef eito pelicular nos cabos de t ransporte de energia dos bancos de
condensadores para o atuador e pa ra permitir alguma flexibilidade no manuseamento do
mesmo foram utilizados cabos multifilares flexveis de 185m m
2
. A Figura 115 mostra em
pormenor a quantidade de filamentos de cobre existentes no cabo utilizado.

Figura 115 Cabo multifilar flexvel de cobre com 185mm
2
de seo.

107
6 Concluses e futuros desenvolvimentos
Neste trabalho estudou-se a tcnica de deformao mecnica por aplicao de pr esso de
origem magntica.
Foi construdo com sucesso um circuito de MEM com duas malhas de descarga em paralelo,
que armazena at 10 kJ de ener gia e pode gerar impulsos de corrente at 50 kA para uma
tenso aplicada de 30 00 V. Este circuito, permite recuperar at 32% da energia inicial
armazenada nos bancos de condensadores, mostrando claramente as suas vantagens
energticas face aos circuitos tipicamente utilizados na indstria. Juntamente com a melhoria
de eficincia energtica, o circuito proposto permite uma carga mais rpida dos bancos de
condensadores devido ener gia recuperada, o que significa que o tempo de pr oduo pode
ser reduzido tambm at 32%, assim como permite a r eduo da p otncia da f onte de
alimentao primria.
Os circuitos de simulao construdos em Matlab/Simulink foram validados porque mostram
resultados semelhantes aos prticos, permitindo realizar simulaes de situaes especficas
ou defeito para prever o comportamento do circuito sem que exista o perigo de danificar o
equipamento. Atravs das simulaes concluiu-se que o circuito permite que existam variaes
de capacidade entre os bancos de condensadores e variaes de indutncia entre as bobinas
de recuperao de en ergia, o que pode s er visto como uma vantagem porque tipicamente
componentes com maiores tolerncias dos seus parmetros tm um custo mais reduzido.
Os resultados prticos mostram ser possvel realizar um corte de uma pea de Al com 0,8mm
de espessura e 50mm de dimetro com apenas 13% da energia mxima do circuito e deformar
um tubo de Al com 2mm de espessura usando um atuador solenoidal. Os resultados mostram
tambm que uma m escolha dos aparelhos de medida, neste caso das sondas de corrente
devido ao seu limite de 1As, pode levar obteno de dados invlidos.
Relativamente proteo de pessoas a configurao do circuito proposto, em que um dos
terminais do atuador est permanentemente ligado massa, mostra ser mais segura porque o
atuador, que o nico componente externo mquina, apenas fica em tenso durante um
pequeno perodo de tempo (menor que 1ms).
No futuro prev-se a melhoria do pr ograma de comando com a adi o da apresentao das
formas de onda medidas, do acesso remoto pela Internet e sinalizao de erros e tambm a
adaptao da mesma para que possa ser incorporada numa linha de produo industrial
automatizada de peas de alumnio.
108
A melhoria dos circuitos de simulao, atravs da adi o da variao da indutncia vista no
atuador durante o perodo de moldagem e da resposta dinmica especfica dos semicondutores
de potncia utilizados, para que seja tida em conta a variao da queda de tenso aos seus
terminais devida corrente que os atravessam e tambm a corrente de recuperao inversa
dos mesmos um objetivo para o futuro para a obteno de simulaes mais precisas.
109
Bibliografia
[1] D. Glenn S., High Velocity Metal Forming, em ASM Handbook, vol. 14B, Department of
Materials Science and Engineering, The Ohio State University, 2006, pp. 405-418.
[2] M. Manish Kamal, A Uniform Pressure Electromagnetic Actuator For Forming Flat Sheets,
Ohio, The Ohio State University, 2005, pp. 61,100,135,158,181,185.
[3] I. V. Belyy, S. M. Fertik e L. T. Khimenko, Electromagnetic Metal Forming Handbook, Ohio:
Material Science and Engineering Dept., Ohio State University, 1996.
[4] M. Jianhui Shang, Electromagnetically Assisted Sheet Metal Stamping, 2006.
[5] J. Imbert, M. Worswick e P. Leplattenier, Effects of Force Distribution and Rebound on
Electromagnetically Formed Sheet Metal, 4th International Conference on High Speed
Forming, pp. 169-180, 2010.
[6] D. Glenn S., Opportunities in High-Velocity Forming of Sheet Metal, Metalforming
magazine, 1997.
[7] R. Schfer, P. Pasquale e S. Kallee, Industrial Application of the Electromagnetic Pulse
Technology, Alzenau, Germany, 2009.
[8] D. Glenn S., Agile Sheet Metal Forming: Basic Concepts and the Role of Electromagnetic
Metal Forming, p. 4, 2007.
[9] B. Scott Michael Golowin, Path Actuators for Magnetic Pulse Assisted Forming and Punch-
less Electro-Magnetic Shearing, Ohio: The Ohio State University, 2008, pp. 13-30, 59.
[10] V. Taran, V. Vovk, V. Sabelkin e A. Vovk, Explosive Forming of Metal Blanks, 2006.
[11] G. Victor e M . Niculae, Explosive Forming Economical Technology For Aerospace
Structures, Bucharest, Romania, 2010.
[12] J. Varis e H. Martikka, Prototyping of 3D sheet metal parts using electro hydraulic forming,
Mechanika, n. Nr.3(53), 2005.
[13] W. Homberg, C. Beerwald e A. Prbsting, Investigation of the Electrohydraulic Forming
110
Process with respect to the Design of Sharp Edged Contours, 4th International Conference
on High Speed Forming, 2010.
[14] M. Loeffler, H.A. Wieland, J. Neumann e C. Dreesen, Electrical Wire Explosions as a Basis
for Alternative Blasting Techniques?, International Conference on Pulsed Power
Applications, n. E.16, 27-29 March 2001.
[15] NASA, The Electromagnetic Hammer, NASA, n. SP-5034, 1965.
[16] P. B. Zieve, Low Voltage Electromagnetic Riveter - AD86-680, 1986.
[17] J. Hartmann, Development of the Handheld Low Voltage Electromagnetic Riveter,
Bellevue, WA, 1990.
[18] P. Zieve, L. Durack, B. Huffer e T. Brown, Advanced EMR Technology, 2007.
[19] S. Kallee, R. Schfer e P. Pasquale, Automotive Applications of Electromagnetic Pulse
Technology (EMPT), Alzenau, Germany, 2010.
[20] G. Zittel, A Historical Review Of High Speed Metal Forming, 4th International Conference
on High Speed Forming, pp. 14-15, 2010.
[21] P. Young-Bae, K. Heon-Young e O. Soo-Ik, Design of axial/torque joint made by
electromagnetic forming, em Thin-Walled Structures 43, 2005, p. 826844.
[22] S. D. Glenn, J. V. Vincent e D. Subrangshu, Hyperplastic Forming: Process Potential and
Factores Affecting Formability, Department of Materials Science and Engineering, The
Ohio State University, Columbus, Ohio, Columbus, 2006.
[23] V. J. Vohnout, A hybrid Quasi-static/Dynamic Process for Forming Large Sheet Metal Parts
From Aluminum Alloys, Columbus, Ohio: PhD Dissertation, the Ohio State University, 1998.
[24] B. Jos Miguel Segundo Imbert, Increased Formability and t he Effects of the ToolSheet
Interaction in Electromagnetic Forming of Aluminum Alloy Sheet, Waterloo, Ontario,
Canada, 2005.
[25] E. Paese, M. Geier, J. L. Pacheco, R. P. Homrich e J. C. S. Ortiz, Mathematical Modeling
of an Electromagnetic Forming System with Flat Spiral Coils as Actuator, 4th International
111
Conference on High Speed Forming, 2010.
[26] D. Jianghua, L. Chufeng, Z. Zhiheng, T. Fang e Y. Haiping, Numerical simulation of
magnetic flux and force in electromagnetic forming with attractive force, Journal of
Materials Processing Technology, 2007.
[27] D. Oliveira, Electromagnetic Forming of Aluminum Alloy Sheet: Experiment and Model,
Waterloo, Ontario, Canada, 2002.
[28] M. Francis C., Magneto-solid Mechanics, John Wiley & Sons, Inc., 1984.
[29] M.T.Pereira, T.Jorge, H. Canacsinh e L. M. Redondo, Magnetic Forming and Cutting of
Thin Al Sheets, 18th IEEE International Pulsed Power Conference, pp. 426-430, 19 23
June 2011.
[30] W. Hartmanni, M. Romheld and A . Donner, "A 100 kJ Pulse Unit for Electromagnetic
Forming of Large Area Sheet Metals," Power Modulator Symposium, 2006, pp. 577-581,
14-18 May 2006.
[31] American Trim, High Velocity Metal Forming (HVMF), American Trim, 2012. [Online].
Available: http://www.amtrim.com/hvmf.asp.
[32] B. Kristin E., Factores Effecting Electromagnetic Flat Sheet Forming Using The Uniform
Pressure Coil, The Ohio State University, Ohio, 2008.
[33] NASA, "The Drag Equation," NASA, 2010. [Online]. Available:
http://www.grc.nasa.gov/WWW/k-12/airplane/drageq.html.
[34] NASA, Shape Effects on D rag, NASA, 2010. [Online]. Available:
http://www.grc.nasa.gov/WWW/k-12/airplane/shaped.html.
[35] K. Gemba, Shape Effects on D rag, Department of Aerospace Engineering, California
State University, Long Beach, California, 2007.
[36] S. Golovashchenko, N. Bessonov e R. Davies, Design and Testing of Coils for Pulsed
Electromagnetic Forming, 2nd International Conference on High Speed Forming, 2006.
[37] S. Golovashchenko, Electromagnetic Forming and Joining for Automotive Applications,
112
2nd International Conference on High Speed Forming, 2006.
[38] Douglas Brooks, Skin Effect, 2009.
[39] E. Jordan, Electromagnetic Waves and Radiating Systems, Prentice Hall, 1968, p. 130.
[40] Jmag-international.com, Analysis of Impedance-Frequency Characteristics of a Cable,
2011. [Online]. Available: http://jmag-
international.com/catalog/70_Cable_ImpedanceFrequencyCharacteristics.html.

A. Anexos

A-1
Anexo 1 Atuadores
Atuador n 2

Nmero de espiras 5
Dimetro Exterior 18cm
Material da base Nylon
Material do adesivo Resina acrlica
Seo das espiras 2x2,5mm
2

Tipo de condutor Cobre unifilar
Indutncia 6,7H
Observaes O adesivo acrlico no
capaz suporta as
foras verticais
exercidas pelas
espiras.

Atuador n 3

Nmero de espiras 5
Dimetro Exterior 19x19cm
Material do adesivo Resina acrlica
2

Indutncia 10,6H
Observaes O adesivo acrlico no
capaz suporta as
foras verticais
exercidas pelas
espiras.

A-2
Atuador n 4

Nmero de espiras 4
Dimetro Exterior 10x8cm
Material da base Celoron
Material do adesivo Insulating varnish
Seo das espiras 1x6mm
2

Indutncia 1,9H
Observaes O material da base
mostra-se incapaz de
suportar as foras
laterais entre espiras.

Atuador n 5

Nmero de espiras 3,5+1,5
Material do adesivo Fibra de vidro + Epoxy
2

Tipo de condutor Cobre multiifilar
Indutncia 2,4H +1,1H
Observaes O condutor quebrou
na dobra a 90,
inutilizando o atuador.

Atuador n 6

Nmero de espiras 3+2
2

Tipo de condutor Cobre multifilar
Indutncia 1,3H +1,1H
Observaes O condutor quebrou
na dobra a 90,
inutilizando o atuador.

A-3
Atuador n 7

Nmero de espiras 4
Material da base Baquelite
Material do adesivo Insulating Varnish
Seo das espiras 1,5mm
2

entranado e
estanhado
Observaes Apresenta uma
elevada capacidade
parasita.

Atuador n 8

Nmero de espiras 5
2

Indutncia 3,7H
Observaes Suporta correntes at
35kA sem mostrar
sinais de fadiga.

Atuador n 9

Nmero de espiras 5
2

Indutncia 4 H
Observaes Suporta correntes at
35kA sem apresentar
sinais de fadiga.

A-4
Atuador n 10

Nmero de espiras 7
Dimetro Interior 50cm
Material de suporte PVC
2

Indutncia 4,7 H
Observaes A estrutura de suporte
mostrou ser incapaz
de conter as foras
criadas no atuador.

Atuador n 11

Nmero de espiras 8+8
Material de suporte Braadeira metlica
2

Indutncia 5 H +5H
Observaes Bobina com dois
conjuntos de 8 espiras.
A insuficincia de
adesivo no interior da
bobina levou
destruio dos
enrolamentos devido
s foras no seu
interior.

A-5
Atuador n 12

Nmero de espiras 6
Material de suporte Estrutura metlica
2

Indutncia 1,3H
Observaes A insuficincia de
adesivo no interior da
bobina levou
destruio dos
enrolamentos devido
s foras no seu
interior.

Atuador n 13

Nmero de espiras 4 e 8
Material de suporte Estrutura metlica
Material do adesivo Uretano
2

Indutncia 1,1H e 1,8H
Observaes Mostram ser capazes
de suportar correntes
at 35kA sem mostrar
sinais de fadiga.

A-6
Anexo 2 Outros resultados experimentais

Chapa de 0,8mm de espessura corta e moldada simultaneamente usando o atuador n 8 e uma
energia de 1945J.

Tentativa de cortar quatro crculos em
simultneo numa chapa de Al de 0,8mm com
o atuador n 8 e uma energia de 2400J.
Resultado da ut ilizao de vrias energias,
1350J, 1945J e 2400 J para cortar uma
circunferncia em chapa de Al de 0, 8mm de
espessura.

A-7

Tentativa de c orte simultneo de uma
circunferncia e um a pea hexagonal num
chapa de 0,8mm de espessura usando o
atuador n 5 com 5 espiras com 1945J.
Corte de uma chapa de 0, 5mm de espessura
usando a bobi na n5 com 5 es piras com
1945J.

Corte de uma chapa de 0, 5mm de espessura
usando a bobi na n5 com 5 es piras com
1945J.
Tentativa de corte de uma chapa de 0,5mm de
espessura usando a bobina n5 com apenas
1,5 espiras com 1945J.

A-8
Anexo 3 - Programao grfica da interface Homem-Mquina

P
r
o
g
r
a
m
a
o

g
r
f
i
c
a

d
o

i
n
t
e
r
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a
c
e

H
o
m
e
m
-
M
q
u
i
n
a

(
P
a
r
t
e

1
)

A-9

P
r
o
g
r
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o

g
r
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n
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H
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M
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(
P
a
r
t
e

2
)

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[ cos( +) sin( +)]

= 44620 1 cos cos

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