Eletrnica de Bsica

Transistor de Unijuno
Conceituao
A sigla UJT vem do idioma ingls unijunction transistor e quer dizer transistor de
unijuno. O UJT um tipo de transistor muito usado porque simplifica
consideravelmente os circuitos osciladores, disparadores e temporizadores.
O UJT feito de uma barra de silcio do tipo N, fracamente dopada, com uma juno
PN. Ele apresenta trs terminais: emissor (E), base 1 (B1), base 2 (B2).
As bases B1 e B2 so ligadas nas extremidades da barra e o terminal de emissor, por
sua vez, liga-se ao cristal P. Veja o esquema de construo de um UJT e sua
representao simblica.
Figura 106
O encapsulamento do UJT tem a forma de um transistor comum. Entretanto, suas
caractersticas eltricas so completamente diferentes, como veremos mais adiante.
interessante notar que o UJT um gerador de pulsos estreitos de alta potncia e de
curta durao. Assim sendo, pode ser usado tanto em circuitos de chaveamento como
em osciladores.
7
ALTEC
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Caractersticas Tcnicas do transistor de Unijuno UJT
Na figura abaixo, mostramos o esquema de um circuito equivalente simplificado do
UJT. Este circuito usado somente para mostrar as caractersticas e o funcionamento
do UJT.
Figura 107
Assim, no circuito equivalente simplificado, temos:
V: o diodo que representa a juno PN formada entre emissor-base;
BB
V : a tenso de polarizao aplicada entre as bases B1 e B2.
Os limites desta tenso dependem das caractersticas de cada UJT. Estas
caractersticas esto contidas no manual do fabricante.
E
V : a tenso que se aplica entrada do componente sendo que:
E BB
V V >
V
V
: a queda de tenso no diodo formado pela juno PN que de 0,2 ou 0,6V. Esses
valores dependem do cristal empregado na fabricao do UJT, que pode ser de
germnio ou de silcio.
BB
R : a resistncia do cristal N entre as bases B1 e B2, representada pela soma de
1 B
R e de
2 B
R .
BB
R , determinada pela dopagem e pela geometria da barra de
cristal N. Assim, para
BB E
R V , 0 = ter um valor compreendido entre 4K e 10K.
8
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Razo (eta), ou Relao intrnseca de is!aro
A razo q uma das caractersticas do UJT fornecida pelo fabricante. Ela serve para
determinar a tenso de disparo do transistor. A razo q representa a relao
1 B
R e
2 B
R .
Para calcul-la, emprega-se a seguinte frmula:
BB
B
B B
B
R
R
R R
R
1
2 1
1
=
+
=
A razo q determinada pela geometria do UJT e depende da localizao do emissor
em relao s bases B1 e Be. O valor de q varia entre 0,5 e 0,8.
"rinc!io de #unciona$ento
#U%C&'%()*%T' ' TR(%+&+T'R U%&JU%,-' . UJT
A figura 98 mostra a estrutura do UJT e seu circuito eltrico equivalente que ser
usado para a descrio do funcionamento do mesmo.
Figura 108
A bateria
BB
V mantm uma tenso fixa entre as bases B1 e B2, enquanto a tenso
de emissor elevada lentamente a partir de zero (
E
V = 0 V).
nicialmente, a juno PN formada entre o emissor, que um cristal com dopagem P e
a barra de silcio com dopagem N, est inversamente polarizada e a corrente
E
I
negativa, muito pequena e aproximadamente constante (Figura 109).
/
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Figura 109
As pores
2 1 B B
R e R da barra formam um divisor de tenso para
BB
V (Figura 98),
essa situao persiste at
E
V atingir
BB
V , anulando a corrente
E
I (Figura 110).
Logo:
0 = =
E BB E
I V V
Figura 110
Aumentando-se ainda mais
E
V , a juno PN conduz fracamente at atingir a tenso
de pico (
P
V ), que a barreira de potencial do diodo V (Figura 111).
Logo:
V V V
BB P
6 , 0 + =

01
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Figura 111
Uma vez atingida a tenso de pico, no se pode elevar mais
E
V sem danificar o
unijuno. Por isso mais conveniente considerar agora que a corrente de emissor
extremamente elevada a partir de
P
I . O que acontece ento que o diodo V (emissor)
polarizado diretamente passa a injetar um grande nmero de portadores minoritrios
(P) na barra (N) fracamente dopada.
Ao aumentar a concentrao de portadores na barra, ocorre a elevao da
condutividade da mesma entre o emissor e a base 1, reduzindo assim
1 B
R . A este
fenmeno d-se o nome de $odulao da conduti2idade. Aumentando a corrente
2 B
I a um valor grande em comparao com
E
I , ocorre um aumento da tenso em
2 B
R e conseqentemente diminui a tenso em
1 B
R . Assim, a medida que
E
I
aumenta
E
V , diminui (Figura 112).
Figura 112
A resistncia contnua
1 B
R continua diminuindo at
E
I atingir o valor de ponto de
vale, originando os valores
V V
I e V
(Figura 113).
00
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Figura 113
A partir do ponto de vale (
V
V
), a corrente
E
I torna-se maior que
2 B
I , com isto o
valor da tenso em
1 B
R passa a aumentar com
E
I . A partir da, a caracterstica
E E
I V aproximadamente igual a de uma juno PN simples em regime de forte
polarizao (Figura 114).
Figura 114
O funcionamento do UJT facilmente entendido quando se faz analogia entre o
mesmo e dois transistores bipolares na configurao mostrada na figura 115.
03
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Figura 115
Analisando o circuito da figura acima observa-se que, quando a tenso no emissor for
tal que polarize Q2 diretamente, este ir para a condio de saturao e fornecer
corrente de base para Q1; e que, tambm, ir para a condio de saturao,
praticamente curto circuitando
1 B
R , levando-a a um valor muito pequeno.
CUR4( C(R(CT*R5+T&C( ' TR(%+&+T'R * U%&JU%,-'.UJT
Cur2a caracterstica do e$issor do UJT
A curva caracterstica do emissor fornece a relao entre tenso e corrente de emissor.
Caracteriza-se pelo ponto de pico (
P
V ) e pelo ponto de vale (
V
V
). ndica, tambm,
as regies de corte, de saturao e de resistncia negativa.
Normalmente, a curva caracterstica do emissor configurada como mostra o grfico
da figura a seguir.
06
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Figura 116
Re7io de corte
Observando a figura a seguir, vemos que no ponto de pico (
P
V ) a inclinao da curva
caracterstica do emissor zero. Em pontos esquerda de
P
V , na juno base 1, o
emissor est in2ersa$ente !olarizada e no h corrente de emissor. Esta regio
denominada re7io de corte.

Figura 117
Re7io de resist8ncia ne7ati2a ou resist8ncia incre$ental ne7ati2a
De acordo com a figura a seguir, nos pontos direita do
P
V , a juno est
direta$ente !olarizada. Nesse caso, h corrente de emissor.
09
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Figura 118
No ponto de vale (
V
V
), a inclinao da curva caracterstica tambm zero. Entre os
pontos
P
V e
V
V
, um aumento em
E
I sempre acompanhado de uma diminuio
em
E
V . Esta regio denominada re7io de resist8ncia ne7ati2a.
Re7io de saturao
De acordo com a figura 119, a regio direita de
V
V
denomina-se regio de
saturao, onde um aumento de
E
I acompanhado por um aumento de
E
V .
Figura 119
0:
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Dependendo da regio da curva caracterstica que se deseja polarizar o UJT, este
pode funcionar de trs maneiras:
a) Operao monoestvel.
b) Operao biestvel.
c) Operao astvel.
Nesta unidade, nos deteremos ao estudo do UJT operando no modo astvel, por ser a
sua principal e mais comum aplicao.
Cur2a caracterstica de ;ase (#i7ura 031)

Figura 120
Observe que para corrente
E
I = 0, o UJT provoca variao linear entre os valores
2 B BB
I e V , funcionando como um resistor de alto valor hmico e para valores de
E
I > 0, esta relao no linear, devido a resistncia negativa de
1 B
R .
"'<(R&=(,-' ' TR(%+&+T'R * U%&JU%,-'
Para que um UJT funcione, necessrio que a juno emissor-base 1 esteja
polarizada diretamente. Quando o emissor atinge a tenso de pico
P
V , a resistncia
R cai bruscamente, como foi explicado anteriormente.
O esquema, a seguir, mostra um circuito tpico de estabilizao e polarizao do UJT.
0>
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Figura 121
A base B2 do UJT polarizada com potencial positivo em relao a base B1 com uma
tenso
BB
V .
A juno do emissor deve ser polarizada inversamente e a tenso emissor-base 1 (
1 EB
V ) deve ser menor que
BB
V .
T*+T* ' TR(%+&+T'R * U%&JU%,-' UJT
Teste do UJT da $edida de suas resist8ncias
Quando se testa um UJT, deve-se efetuar algumas medidas de resistncia que so:
) 2 1 ( 1 B a B de R
BB

Figura 122
';ser2ao
O valor da resistncia medida entre
1 B
R e
2 B
R (
BB
R ) deve estar entre 4K e 10K.
2
D B
R
1
(do emissor base B1, com polarizao direta)
3
D B
R
2
(do emissor base 2, com polarizao direta).
07
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Figura 123
';ser2ao
Na polarizao direta, os valores das resistncias
D B
R
1
e
D B
R
2
so pequenos e
muito
variados. sto ocorre porque a resistncia do diodo polarizado depende diretamente da
corrente que circula atravs dele.
Com corrente semelhante na mesma escala do ohmmetro, a base
D B
R
1
deve ser
20% superior
D B
R
2
.
4
R B
R
1
(do emissor base B1, com polarizao inversa)
Figura 124
5
R B
R
2
(do emissor base B2, com polarizao inversa)
Figura 125
';ser2ao
Na polarizao inversa, os valores encontrados devem ser infinitos ou muito altos, se
comparados com as outras medidas na polarizao direta.
08
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'scilador de Rela?ao
O oscilador de relaxao um circuito multivibrador em que a freqncia controlada
pela carga ou descarga de um capacitor atravs de um resistor.
A figura, a seguir, mostra um circuito tpico de oscilador de relaxao em que se utiliza
o UJT. Mostra tambm as formas de onda por ele gerado nos pontos A e B.
Figura 125
No circuito, o resistor R1 tem duas funes: fornecer pulsos de tenso na sada do
oscilador; limitar a corrente de descarga do capacitor e assim proteger o UJT.
O resistor R2 estabiliza termicamente o UJT por meio da variao da tenso.
0/
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#unciona$ento
O perodo de oscilao do circuito pode ser dividido em dois intervalos:
Figura 126
De acordo com a figura anterior, no primeiro intervalo o UJT est em corte e o
capacitor se carrega com a constante de tempo RC. No segundo, o transistor est
saturado e o capacitor descarrega-se atravs do diodo e da resistncia R1.
Assim, quando S acionada, o capacitor C comea a carregar atravs de R at atingir
a tenso de disparo
P
V , dada por:
V BB P
V V n V + =
O disparo provoca a reduo da resistncia entre o emissor e a base 1 (
1 B
R ). C
descarregado atravs de um agudo pulso de corrente que flui entre o emissor e B1,
limitado por R1.
Quando a tenso
E
V cai e atinge a tenso de vale (
V
V
), o UJT entra em corte e o
ciclo se repete.
A forma serrilhada da onda A causada pela carga relativamente lenta do capacitor e
sua descarga muito rpida.
31
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A forma de onda no ponto B corresponde a um pico de tenso provocado pela
descarga rpida de C atravs de R1. O perodo da forma de onda de sada do
oscilador de relaxao com UJT pode ser determinado utilizando as seguintes
formulas:

=
P CC
v CC
V V
V V
In C R T ou
n
In C R T
1
1
30
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"R'J*T' ' '+C&<('R * R*<(@(,-' C') UJT
"rojetar o oscilador de rela?ao $ostrado no dia7ra$a a;ai?oA
Figura 127
Para que se possa projetar um oscilador de relaxao, necessrio ter as seguintes
caractersticas:
() Buanto ao UJTC
1 Relao intrnseca de disparo (q), fornecida pelo fabricante.
2 Tenso de saturao (), fornecida pelo fabricante.
3 Tenso de vale (), fornecida pelo fabricante, que pode ser calculada
aproximadamente por:
2
. SAT E
V
V
V =
4 Corrente de vale (
V
I
), fornecida pelo fabricante.
5 Corrente de pico (
P
I ), fornecida pelo fabricante.
6 Resistncia entre bases (
BB
R ),fornecida pelo fabricante.
7 Tenso de pico (
P
V ), calculada pela expresso:
V V V
CC P
7 , 0 + =
D) Buanto ao circuitoC
1 Tenso de alimentao (
CC
V
);
2 Freqncia desejada (Hz);
3 Valor do resistor para a constante RC (KC).
33
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() eter$inar os 2alores do resistor R0 e do ca!acitor C ,se7undo a EreBF8ncia
desejadaA
Determinar a faixa de valores de R1 para que o UJT entre em oscilao no modo
astvel e, tambm, limitando as correntes de pico e de vale do UJT, sabendo que:
V V
CC
30 =
= 0.5
V V
V
1 = mA I
V
10 =
A I
P
10 = = k R
BB
5 F = 100Hz T = 10ms
Determinar a tenso de pico
( )
P
V
.
V V V
CC P
7 , 0 + =
V V V
P
7 , 0 30 5 , 0 + =
V V
P
7 , 15 =
Determinar os valores mnimo e mximo de R1.
P
P CC
V
V CC
I
V V
R
I
V V
> <

1
A
V V
R
mA
V V
10
7 , 15 30
1
10
1 30
> <

2,9KC < R1 > 1,43 M C

Determinar o valor de C para a freqncia desejada com o resistor disponvel da faixa
de valores permitido. Escolhendo R1 igual a 10k, podemos calcular o valor de C,
sabendo que:
1
R = 10K C F = 100Hz T = 10mS

=
n
C R T
1
1
ln 1

=
n
Ln R
T
C
1
1
1
F
k
mS
k
mS
C 443 , 1
693 , 0 10
10
5 , 0 1
1
ln 10
10
=

=

=
C = 1,443F
ou,
36
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=
p cc
v cc
V V
V V
C R T ln 1

=
p cc
v cc
V V
V V
R
T
C
ln 1
F
k
mS
V V
V V
k
mS
C 414 , 1
707 , 0 10
10
7 , 15 30
1 30
ln 10
10
=

=

=
C = 1,414F
Portanto, o valor comercial mais prximo do capacitor calculado ser:
1,5F x 63V
D) eter$inar o 2alor de RD0A
A funo de RB1 limitar a corrente de emissor do UJT que mxima, no momento da
descarga do capacitor, porque a mesma ocorre quando a tenso de emissor atinge o
valor de
P
V , logo o clculo de RB1 dado por:
MX E
P
I
V
RB > 1
Onde, V MX E
I I =
Logo, para o oscilador em questo, teremos:
= > k
mA
V
RB 57 , 1
10
7 , 15
1
RD0 G 0,:7 HI
Portanto, o valor comercial mais prximo do resistor RB1 calculado de 1,8 K.
RD0 J 0,8 HI
C) eter$inar o 2alor de RD3A
39
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A funo de RB2 dar estabilidade trmica ao circuito, j que a dependncia trmica
P
V est intrinsecamente ligada s caractersticas construtivas do UJT, o valor de RB2
pode ser determinada aproximadamente por:
( )

1 1 7 , 0
2
RB
V
R
RB
CC
BB

+

=
Logo, para o oscilador em questo RB2 dado por:
5 , 0
8 , 1 1 ) 5 , 0 1 (
30 5 , 0
5 7 , 0
2

+

=
k k
V
k
RB
RB2 = 233,33 + 1800 = 2033,33 C
RB2 = 2033,33 C
Portanto, o valor comercial mais prximo do resistor RB2 calculado de 2200 C
RD3 J 3H 3I
Todas as Eor$as de onda !resentes no circuito seroC
3:
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Figura 128
("<&C(,-' ' '+C&<('R * R*<(@(,-' C') ' UJT
3>
ALTEC
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Controle de dis!aro de u$ $ulti2i;rador ;iestK2el
Como j vimos, o circuito do multivibrador biestvel necessita de um pulso externo
para inverter a condio de corte/saturao dos dois transistores.
Uma das maneiras de fornecer esse pulso pela utilizao do UJT. Nesse caso, o UJT
trabalha como oscilador de relaxao e fornece pulsos que fazem a inverso de estado
dos transistores do multivibrador.
Na figura a seguir, o UJT funciona como controlador do multivibrador disparado pelo
emissor.
Figura 129
Quando se liga a chave S1, o capacitor C3 comea a se carregar atravs de R7 e R8,
que fazem parte do circuito de controle do disparo. Ao mesmo tempo, um dos
transistores do flip-flop fica saturado, enquanto o outro permanece em corte.
37
ALTEC
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Figura 130
Observe a figura abaixo; quando a tenso em C3 atinge o valor de
P
V , o UJT, a
rpida descarga de C3 sobre R6 gera, nessa resistncia, um pulso de tenso em forma
de agulha.
Esse pulso eleva a tenso de emissor e faz com que o transistor saturado entre em
corte, comutando flip-flop.
Figura 131
38
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 132
Ao atingir a tenso
V
V
, o UJT entra em corte e inicia um novo ciclo de carga em C3.
O UJT fornece pulsos que determinam a freqncia do multivibrador. Por sua vez, a
freqncia fornecida pelo multivibrador corresponde metade da freqncia dos
pulsos provenientes do UJT.
O oscilador de relaxao com UJT tambm tem grande aplicao em circuitos de
potncia, no controle do disparo de tiristores denominados de RetiEicadores
Controlados de +ilcio (+CR), que sero estudados posteriormente.
*@*RC5C&' * #&@(,-'
1 O que significa a sigla UJT?
3/
ALTEC
Pulsos em R6
Pulsos no coletor
de V1 ou V2
Eletrnica de Bsica
2 Complete:
No UJT tem-se uma.................................. de silcio, tipo ...............................................,
fracamente dopada com uma juno PN.
3 O UJT apresenta trs terminais que so:
4 ndique (V) para as alternativas verdadeiras e (F) para as alternativas falsas nas
afirmaes abaixo.
Da parte de silcio, citada na questo 2, saem dois terminais que so: base 1 e emissor
ou base 2 e emissor ou base 1 e base 2?
5 Faa a simbologia do UJT, identificando seus terminais.
6 Esboce o circuito equivalente de um UJT.
7 Cite trs caractersticas tcnicas do UJT que voc julga importante. Justifique sua
resposta.
8 Qual a importncia da relao intrnseca de disparo (q) do UJT?
9 Descreva sucintamente o funcionamento do UJT.
10 Complete a frase abaixo.
A corrente de emissor nula (igual a zero) quando o produto de q por
BB
V for igual
a ..................................................
11 dentificar na curva caracterstica abaixo as trs regies de funcionamento do UJT.
61
ALTEC
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Figura 139
12 No circuito abaixo coloque as polaridades das tenses
BB
V =
E
V .
Figura 140
13 Na medida da resistncia entre base 1 e base 2, deve ser encontrado um valor
prximo ao indicado pelo fabricante. Certo ou errado?
14 Qual a medida de resistncia que no depende da polaridade do ohmmetro?
60
ALTEC
Eletrnica de Bsica
15 Complete a frase abaixo.
Com correntes semelhantes na mesma escala do ohmmetro, a resistncia da base 2,
RB2D deve ser 20% ............................................ RB1D.
16 - O que faz com que o UJT altere o valor de sua resistncia entre a base 1 e o
emissor?
17 - Porque necessrio a utilizao de um circuito RC ligado ao emissor do UJT na
configurao como oscilador de relaxao?
18 - Desenvolver o projeto de um oscilador de relaxao usando o UJT 2N 2646 para
uma freqncia de 30Hz e tenso de alimentao de 15
CC
V
, e o resistor disponvel
para a constante RC de 15K.
19 - Descreva sucintamente o funcionamento do oscilador de relaxao com UJT.
20 - Porque a tenso no capacitor decresce rapidamente a partir de um certo valor?
21 - A que se deve a forma de onda pontiaguda do sinal na base 1 do UJT?
22 - Com relao ao sinal na base 1, por que o mesmo possui um perodo to curto?
63
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<a;oratLrio 0/ (TUJ)
)aterial UtilizadoC
Fonte regulvel dupla de 0 a 30V;
nstrumento: multmetro; osciloscpio digital,
Resistores: 10k /1W (R1), 100 /1W (R2), 1k /1W (R3),
Capacitor: 100nF(Polister) e 4,7F(Eletroltico),
Transistores: TUJ 2N2646
Potencimetro: 100k (P1).
"rocedi$ento de anKliseC
1. Consulte os dados tcnicos referentes ao transistor TUJ utilizado e responda:
2. Qual o valor da corrente de pico?
3. Qual o valor da relao intrnseca de corte?
4. Qual o valor da resistncia entre as bases?
5. Qual o valor da corrente de vale?
6. Teste o componente que se encontra na sua bancada e desenhe abaixo a
disposio dos seus terminais.
7. Explique como, na prtica, voc realiza a identificao dos terminais do TUJ.
66
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8. Monte o circuito abaixo:
9. Ligue o circuito. Atravs do osciloscpio, anote, as formas de ondas na base 1 e
no capacitorA(%o esBuea de indicar a$!litude e o !erodo de cada sinal
solicitado)A
10. Varie o potencimetro e observe o que altera nas formas de ondas do circuito.
JustiEiBue o ocorridoA
11. Feche a chave ch1 e observe o que altera nas formas de onda do circuito.
JustiEiBue o ocorridoA
12. Volte a abrir a chave ch1.
13. Feche a chave ch2 e observe o que altera nas formas de onda do circuito.
JustiEiBue o ocorridoA
14. Volte a abrir a chave ch2.
69
ALTEC
Eletrnica de Bsica
15. Calcule o valor do q atravs da seguinte expresso: Vp < Vd + qVBB e verifique
se o valor encontrado est dentro da faixa dada pelo fabricante, conforme
manual consultado.
16. Mea a freqncia mnima e mxima de oscilao do circuito, atravs do
osciloscpio.
17. Calcule a freqncia mnima e mxima de oscilao do circuito e compare com
os valores obtidos na prtica, atribuindo a que elementos pode haver diferena
entre estes valores.
18. Aumente Vcc para 15V e verifique se houve alterao no valor da freqncia de
oscilao do circuito.*?!liBue a sua res!osta.
19. Troque o capacitor de 100nF por um de 4,7F e justifique as mudanas
encontradas na forma de onda do capacitor.
6:
ALTEC
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+CR
Caractersticas #sicas do RetiEicador Controlado de +ilcio
Os retificadores convertem, prontamente, a energia CA em CC. Dentre os principais
retificadores h o retiEicador no controlado e o retiEicador controlado, como o
tiristor.
Tiristor
O termo tiristor serve para denominar qualquer dispositivo semicondutor de quatro
camadas. Atualmente, no entanto, mais empregado para designar dispositivo
retificador de trs terminais.
O tiristor um componente de chaveamento, cujo funcionamento depende de um
processo de regenerao positiva que permite o seu travamento.
O retificador controlado de silcio ou SCR (do ingls: Silicon Controlled Rectifier), como
conhecido. o tiristor de maior uso, pois possibilita o controle de potncias
altssimas atravs do controle da corrente que convertida de CA em CC.
Esta a diferena fundamental entre o SCR e o retificador no controlado.
MistLricoC
dealizado e fabricado pela primeira vez em 1957, foi imediatamente batizado de
Thyratron Slido, pelo fato de se assemelhar com vlvula Thyatron.
Do ponto de vista eltrico, o SCR supera de longe as vlvulas Thyatron. Sua
baixssima queda de tenso no sentido de conduo, funcionamento instantneo,
ausncia de filamento e disparo por meio de pequenos sinais, significam uma
eficincia altssima.
6>
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Eletrnica de Bsica
Caractersticas Esicas do +CR
O SCR um tiristor unidirecional. A figura seguinte mostra o smbolo e a estrutura
interna do SCR com suas quatro camadas e trs terminais: anodo (A), catodo (K) e
gatilho ou gate (G).
Figura 143
O SCR difere de um retificador comum de dois terminais no que diz respeito ao
controle da corrente.
O gatilho ou 7ate (porta em ingls) o terceiro terminal do SCR. Trata-se de um
eletrodo conectado a uma das regies semicondutoras para controle de corrente.
Ele d uma nova dimenso operao do retificador, pois com baixo nvel de corrente
no 7ate controla altos nveis de corrente de anodo.
A corrente do SCR, ainda que polarizado diretamente, baixa at o momento em que
a tenso de anodo se iguala ou ultrapassa o valor Vbo (tenso e ruptura direta).
Quando a Vbo atingida, o SCR passa a conduzir, sendo altamente condutivo.
Pode-se controlar o valor da Vbo pelo nvel de corrente do gatilho, pois ao se injetar
uma pequena corrente no 7ate, o SCR ter o valor da tenso de ruptura diminudo.
H SCRs de vrias capacidades: os de baixa corrente que podem prover corrente de
anodo menor que 1A e os de alta corrente que permitem corrente de anodo de
centenas de ampres . O SCR de baixa corrente assemelha-se a um transistor cujos
trs terminais esto contidos num invlucro hermeticamente fechado.
67
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 144
O SCR de alta corrente assemelha-se ao retificador de silcio de potncia, pois
tambm montado em invlucro metlico para facilitar a dissipao de calor gerado
nas junes semicondutoras, sendo os tipos mais usuais:
a) Rosca (Figura 145)
b) Disco (Figura 146) c) Mdulo (Figura 147)
68
ALTEC
Eletrnica de Bsica
+$;oloC


Nos desenhos dos circuitos eletrnicos o SCR identificado atravs de um dos
smbolos apresentados acima:
Circuitos eBui2alentesC
Com o intuito de facilitar o estudo do SCR, podemos da sua estrutura interna, obter os
circuitos equivalentes a diodo e a transistor que sero de grande ajuda para melhor
entendimento do funcionamento deste componente.
&dentiEicao dos ter$inaisC
Testar o SCR semelhante ao processo de testar simultaneamente trs diodos ligados
como no circuito equivalente abaixo:


6/
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Tabela de teste


*ta!as dos circuitos co$ +CRC
Nos circuitos com SCR's possumos duas etapas bem destintas: Etapa de potncia e a
etapa de disparo.
91
ALTEC
POLARZAO RESSTNCA
A + C -
A - C +
A + G -
A - G +
G - C +
G + C - Baixa
Eletrnica de Bsica
A etapa de potncia ou etapa de fora consiste na parte do circuito onde circula uma
corrente de maior intensidade e onde aplicamos uma tenso de maior valor.
A etapa de disparo consiste na parte do circuito onde circula a corrente de gate do
SCR.
Uma das caractersticas fundamentais do SCR conseguir controlar altas correntes
(Corrente andica) a partir de pequenas correntes (Corrente de gate).
No circuito de disparo temos um pequeno consumo de potncia, enquanto no circuito
de potncia temos uma grande dissipao de potncia, pois ai que se encontra
ligada a carga.
(nalo7ia co$ 3 Transistores
O funcionamento do SCR melhor compreendido a partir da anlise do circuito
montado a partir de dois transistores, ilustrados a seguir.
Figura 148
90
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Uma tenso positiva no gate polariza diretamente a juno base emissor do
transistor V2 saturando-o. sto permite a passagem da corrente atravs do coletor de
V2 (corrente de base de V1).
Figura 149
Se o anodo do SCR for positivo ( emissor de V1), a juno emissor-base de V1 ser
diretamente polarizada saturando-o.
Figura 150
Depois de ligado, o transistor V1 supre V2 com corrente de base. Removida a tenso e
a corrente de gate, o SCR estar ainda em conduo devido ao ciclo: o transistor
V2 supre V1 com corrente de base e, por sua vez, o transistor V1 supre V2 com
corrente de base.
93
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 151
O SCR continua operando at que a corrente anodo-catodo (ak) seja interrompida.
sto ocorre em duas situaes : quando se desliga a corrente ak e quando se abaixa a
corrente ak a valores inferiores a um valor mnimo, chamado de corrente de
manuteno h (do ingls current hold).
96
ALTEC
Eletrnica de Bsica
"olarizao
Passaremos a analisar o comportamento do SCR para algumas situaes de
polarizao.
"olarizao direta anodo.catodo e 7ate a;ertoC
Sem sinal no gate, ao aumentarmos Vcc, chegar a um valor de tenso no qual o SCR
passar a conduzir, visto que a corrente de fuga do coletor de T1 ser introduzida na
base de T2, fazendo com que surja a corrente de coletor de T2 que por sua vez a
corrente de base de T1.
Acorrente de coletor de T1 agora maior e volta a entrar na base de T2 e este
processo(realimentao positiva ou feedback regenerativo) responsvel pelo
crescimento da corrente andica, levando, desta forma, o SCR a conduo.
Vale a pena ressaltar que este modo de disparo ao usado na prtica, pois requer um
valor muito alto de tenso entre anodo-catodo capaz de gerar uma corrente que d
inicio ao processo de realimentao positiva.
Essa tenso direta de anodo-catodo chamada de tenso DR*(H'4*R.
99
ALTEC
Eletrnica de Bsica
"olarizao re2ersa anodo.catodo e 7ate a;ertoC
Como pode ser visto na figura acima, os transistores esto reversamente polarizados e
apenas uma corrente de fuga circula. Caso o valor da tenso reversa ultrapasse o
valor suportado pelo componente, o mesmo poder se danificar. Esta tenso reversa
de ruptura chamada de tenso de DR*(H'N% ou tenso reversa mxima.
"olarizao direta anodo.catodo e !olarizao direta do 7ate.catodoC
9:
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Como podemos ver no circuito acima, ao aplicarmos uma tenso V2 capaz de fazer
circular b2, T2 conduz e este ao conduzir leva T1 conduo. T1 conduzindo, sua
corrente de coletor passa a ser a corrente na base de T2 (realimentao positiva).
O SCR conduz, neste caso, com valores de tenses menores do que no caso onde o
gate se encontrava aberto.
J que a corrente de T1 passa a alimentar a base de T2, podemos retirar o sinal do
gate que o SCR permanece conduzindo, ou seja, o SCR engatou.
Quando o SCR conduz, a sua tenso anodo-catodo da ordem de 0,7V a 2V e
praticamente toda a tenso da fonte aparece na carga.
O sinal do gate do SCR s pode ser retirado e o mesmo permanecer conduzindo, se a
corrente que circula no anodo for maior do que a corrente de engatamento.
(L LATCHNG CURRENT). Caso seja colocada uma corrente no anodo menor do
que o valor especificado pelo fabricante como L, o SCR dispara, mas no engata.
Cur2a caracterstica do +CRC
Figura 154
9>
ALTEC
Eletrnica de Bsica
CKlculo de !olarizao do +CR e$ CAC
Ao ligarmos o SCR em C.C, devemos nos preocupar com dois aspectos importantes:
O valor adequado de G e o valor adequado de A.
Uma polarizao mal feita poder trazer transtornos no funcionamento do componente
como os que so descritos a seguir:
1. ' +CR no dis!araC Quando o SCR no dispara a corrente de gate est
insuficiente e podemos resolver este problema, diminuindo o resistor de gate a
fim da corrente aumentar sua intensidade. A corrente de gate deve ficar acima
do valor mnimo (GTmin.) e abaixo do valor mximo(GTmax.)
2. ' +CR no en7ataC Quando na prtica voc retira o sinal do gate e o SCR
no permanece conduzindo, sinal que o SCR no engatou, ou seja, a
corrente andica est abaixo de L. Para resolver tal problema, devemos
aumentar a corrente andica, diminuindo o valor da resistncia em srie com o
anodo do SCR.
A seguir dado um exemplo de circuito com o SCR polarizado em C.C, bem como os
clculos do RG e RL.
97
ALTEC
Eletrnica de Bsica
';ser2aoC Podemos observar que a presena da chave CH1 no gate do SCR
justificvel uma vez que a corrente de gate s necessria no momento do disparo do
componente.
CKlculo do ROC

ROJ 4ROP&RO
A tenso no resistor de gate(VRG) dada por VCC 0,7, pois a tenso na juno
gate-catodo de valor igual a tenso de uma juno PN. O valor de RG deve ser
escolhido dentro do limite de mnimo e mximo de corrente de gate, ou seja,
GTmin< G<GT Max.


Para o exemplo, foi escolhida uma G = 100A.
Ento temos:
RG 10 0,7/ 0,0001
RG = 93000D ou 93K
Para calcularmos o RL, devemos escolher uma corrente andica capaz de engatar o
SCR(A > L) e abaixo da corrente mxima, a fim de no danificar o componente
(A <A Max.).
Escolhendo A = 50mA.
Ento temos:
RL = VRL/RL
Ou seja VRL = (VCC - VSCR),
RL = 10 -0,7/ 0,05
RL = 186D
98
ALTEC
Eletrnica de Bsica
CodiEicao da srie T&C
Uma famlia de tiristores muito comum no mercado a srie TC. Vale a pena ressaltar
que a srie TP para transistores, enquanto a srie TC para tiristores.
Na srie TC temos as seguintes convenes:
1. O nmero 1(um) iniciando o nmero da srie indica que um tiristor
unidirecional(SCR) e o nmero 2(Dois) iniciando o nmero da srie indica um
tiristor bidirecional.
Ex: TC 106
ndica tiristor unidirecional

TC 206
ndica tiristor bidirecional
2. Quanto maior o nmero da srie, maior a intensidade de corrente que o
tiristor suporta.
Ex: TC 126 suporta uma corrente maior que o TC 106.
3. A letra que segue o nmero da srie representa VDRM(Tenso mxima direta,
com o tiristor bloqueado).Ou seja tenso mxima que pode ser aplicada ao
tiristor.
Ex: TC 106 A
100V
TC 106 B
200V
9/
ALTEC
Eletrnica de Bsica
4anta7ens e des2anta7ens dos tiristores e$ relao aos relsC
O tiristor por ser uma chave de estado slido, vem apresentando uma srie de
vantagens em relao ao rel eletromecnico com suas peas moveis.
4anta7ens dos tiristoresC
1. nexistncia de partes moveis. Nos tiristores no h contatos que devam ser
periodicamente limpos, nem molas para serem trocadas, nem partes
metlicas sujeitas corroso, nem perigo de centelhamento.
2. Velocidade elevada de comutao. Os tiristores so mais rpidos no
chaveamento do os rels.
3. Vida til maior.
es2anta7ens dos tiristoresC
1. O tiristor no uma chave ideal.O tiristor quando se encontra em conduo
tem nos seus terminais uma tenso de 0,7V a 2V.
2. Cada tiristor representa um contato e um rel pode ter mais de um contato.
:1
ALTEC
Eletrnica de Bsica
C(R(CT*R5+T&C(+ &%Q)&C(+ ' +CR
O SCR possui caractersticas que vo alm dos tipos de polarizao direta ou inversa,
que so chamadas de caractersticas dinR$icas, sendo as mais usuais:
Caractersticas diPdt
O SCR quando est polarizado diretamente e recebe um pulso de gatilho (pulso
aplicado ao terminal de gate), inicia-se a circulao de corrente de anodo em uma
pequena rea da pastilha em torno do eletrodo de gate. Esta rea aumenta
radicalmente a uma velocidade de 0,05 a 0,1 mm/S.
Figura 165
Caso a corrente de anodo aumente a uma velocidade excessiva em relao
velocidade di/dt, ocorrem aquecimentos localizados muito altos em pequenas reas
que podem danificar o componente.
Existem SCRs de potncia com valores de di/dt compreendido entre 50 e 200 A/us.
A figura seguinte mostra curvas tpicas de variao de corrente, tenso e potncia
dissipada aps a aplicao da corrente de gatilho.
:0
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 166
Quanto mais lenta for a subida da corrente de anodo em funo do tempo, tem-se
melhor distribuio da potncia a ser dissipada, como pode ser observado nas curvas
a seguir, onde tm-se valores diferentes de di/dt e uma mesma tenso entre anodo-
catodo.
Figura 167
A relao di/dt pode ser alterada colocando-se indutores em srie com o circuito de
potncia do SCR, pois o indutor provoca atraso na corrente de anodo, o que faz com
que a potncia dissipada no instante da comutao seja melhor distribuda. Como
pode ser visto na figura seguinte.
:3
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 168
Observa-se na figura que a corrente somente estabilizada no momento t2, ao passo
que o SCR foi disparado no instante t0. A este intervalo de tempo d-se o nome de
te$!o de dis!aro.
O indutor altera o tempo de desligamento do SCR, pois o mesmo continua em
conduo mesmo com polarizao inversa (no espao compreendido entre t3 e t4).
Com isto, o SCR somente poder receber um novo pulso de disparo no instante t5,
garantindo, assim, que no ocorra conduo espontnea. Este perodo de tempo de t0
a t5 chamado de te$!o de recu!erao. Caso o SCR receba um novo pulso de
disparo em um tempo menor que o seu tempo de recuperao nominal, este novo
pulso ser disparado erradamente, pois a tenso na carga no ter o mesmo valor
para outros pulsos de disparo nas mesmas condies.
Caracterstica d2Pdt
a taxa de variao da tenso entre o anodo e catodo em funo do tempo.
Quando o SCR desligado, o indutor em srie produz uma tenso inversa alta que
pode ser maior que a mxima tenso inversa de bloqueio permitida para o SCR. Desta
forma, coloca-se em risco o SCR provocando condues indesejveis. A fim de
proteger o SCR coloca-se um circuito RC em paralelo ao anodo e catodo do SCR,
:6
ALTEC
Eletrnica de Bsica
chamado de circuito Ssnu;;erT ou a$ortecedor. comum ligar da mesma maneira
um varistor (VDR) para garantir melhor proteo, como pode ser visto na figura
seguinte.
Figura 169
Caracterstica do !ulso de 7atilUo
Como foi visto anteriormente, para que o SCR entre em conduo, necessrio que o
mesmo esteja diretamente polarizado e que receba um pulso positivo no gatilho.
Embora isto seja verdade, preciso que o pulso de gatilho tenha as seguintes
caractersticas:
a) A sua amplitude seja superior a um valor crtico especificado pelo fabricante;
b) A corrente de gatilho seja igual ou superior ao triplo de g mnimo, especificado
pelo fabricante, portando, g = 3 x g min;
c) A potncia dissipada na juno gate catodo no exceda o limite especificado
pelo fabricante.
O pulso de disparo ideal deveria ter nvel de tenso e transio bem definidos, embora
na pratica isto no acontea. o que mostra a figura a seguir.
:9
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Figura 170
Cur2a caracterstica de 7atilUo
Atravs da curva caracterstica de gatilho, mostrada na figura 171, pode-se determinar
com segurana a corrente e tenso de gatilho.
Sendo:
GT corrente mnima de disparo
VGT tenso mnima de disparo
PGmx mxima potncia de gate
Figura 171
::
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Cur2a caracterstica de !ot8ncia
A potncia dissipada pelo SCR varia de acordo com o Rn7ulo de dis!aro, pois a
tenso mdia na carga determinada em funo do instante em que ocorre este
disparo. Um exemplo de curva de dissipao de potncia pode ser visto na figura a
seguir.


Figura 172
:>
ALTEC
Sendo:
Sin. corrente em forma de onda
senoidal
Rec. corrente em forma de onda
retangular.
Cont. corrente contnua.
Ptav potncia mdia em Watts.
tav. corrente mdia em Ampres.
Eletrnica de Bsica
Cur2a caracterstica de resist8ncia tr$ica
Para que se possa especificar corretamente um SCR, necessrio determinar as
condies de transferncia do calor gerado na juno semicondutora para o meio
ambiente. Esta transferncia limita sensivelmente a potncia mxima de trabalho para
o SCR.
Um exemplo deste tipo de curva pode ser visto na figura a seguir.
Figura 173
"(RQ)*TR'+ ' +CR
Os parmetros do SCR so fornecidos com referncia a valores mximos absolutos,
sendo que no podem ser ultrapassados, sob pena de destruio do dispositivo. Os
parmetros mais comuns fornecidos pelos fabricantes so:
<i$ites de corrente
rrm mxima corrente reversa de pico repetitivo
T mxima corrente contnua
Tav mxima corrente mdia
Tsm mxima corrente de surto no repetitivo
Tm mxima corrente eficaz

dt I
2
capacidade de corrente de surto para fuso di/dt taxa de subida de
corrente de conduo.
<i$ites de tenso
:7
ALTEC
Sendo:
Rthja resistncia trmica da
juno ao ambiente em C/W.
Tamb temperatura ambiente em
C.
Ptav potncia mdia em Watts.
Eletrnica de Bsica
Os limites de tenso, listados abaixo, so referentes a figura a seguir. Referem-se a
transientes na rede eltrica.
Figura 174
Vdsm tenso de pico no repetitivo no estado desligado
Vdrm tenso de pico repetitivo no estado desligado
Vdwm tenso de crista no estado desligado
Vrwm tenso reversa de crista em operao
Vrrm tenso reversa de pico repetitivo
Vrsm tenso reversa de pico no repetitivo
<i$ites tr$icos
Tj mx temperatura de juno
RThjc resistncia trmica da juno ao encapsulamento
RThja resistncia trmica da juno ao ambiente
<i$ite $ecRnico
F fora de aplicao (montagem)
)todos de is!aro de u$ +CR
:8
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Sero analisadas as possveis formas de disparo do SCR. Alguns desses disparos so
indesejveis, por isso devero ser utilizadas protees para evitar o disparo errtico.
is!aro !or tenso de DR*(H'4*R (4D')C
Existe um valor de tenso entre anodo-catodo capaz de levar o SCR do estado de
corte ao estado de conduo, sem aplicao de corrente de gate, essa tenso
conhecida como tenso de BREAKOVER.
is!aro atra2s de sinal a!licado ao 7ateC
O mtodo usual de disparo do SCR atravs da aplicao de uma corrente no gate.
Esta corrente propicia o incio do processo regenerativo interno que coloca o SCR em
conduo.
Ao dispararmos o SCR com uma corrente no gate, devemos manter esta corrente at
que a corrente andica atinja um valor superior a L.
Como j foi mencionado, uma vez que o SCR estiver conduzindo, podemos retirar a
corrente do gate que o componente permanecer em conduo. Em decorrncia deste
fato, no necessrio a presena constante da corrente no gate quando o SCR opera
em C.C.
is!aro !or rudo (+inais de interEer8ncia)C
Esta forma de disparo indesejvel, pois o tiristor poder conduzir a qualquer
momento, desde que o gate capte estes sinais de interferncia. Este tipo de disparo s
ocorre para a linha de SCR's mais sensveis(Ex: TC 106), onde pequenos nveis de
sinal no gate so suficientes para disparar o componente.
Para evitar o disparo por rudo, devemos utilizar um resistor entre gate-catodo que ir
desviar parte do rudo(sinal de interferncia), evitando com isso o disparo do SCR.Na
figura abaixo temos a localizao do resistor que evita o disparo do SCR por rudo e
vale a pena ressaltar que em alguns casos, como no TC 116 e TC 126, este resistor
j vem colocado internamente no componente.
is!aro !elo eEeito d4PdtC
:/
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Sabemos que toda juno PN reversamente polarizada, apresenta caracterstica
capacitiva. Na estrutura interna do SCR percebemos, atravs da figura, que a juno
J2 se encontra polarizada reversamente da possui o efeito capacitivo.
Um capacitor se constitui um curto para altas freqncias. Quando tivermos uma
variao brusca de tenso, haver no capacitor uma pequena corrente capacitiva que
ser injetada no gate do SCR. Caso o valor da corrente capacitiva seja suficiente para
que haja o processo regenerativo, o SCR entra em conduo.
Convm ressaltar que quanto maior for a potncia do SCR, maior ser a capacitncia
da juno.
Podemos reduzir o efeito da variao brusca de tenso no SCR, colocando um circuito
que amortea esta variao de tenso.
Este circuito constitudo de um ramo RC em paralelo com os terminais anodo e
catodo do SCR. Este circuito conhecido como SNUBBER(Amortecedor).Como
mostra a figura abaixo:
O capacitor possui a propriedade de se opor a variao de tenso, visto que a tenso
nos seus terminais cresce de forma gradativa. Por este motivo, a tenso entre anodo e
catodo no ir variar bruscamente.
>1
ALTEC
Eletrnica de Bsica
is!aro !or te$!eraturaC
medida que a temperatura da juno aumentada, diversos parmentros do SCR
variam tais como: FUGA, VBO, H.
Notamos que o aumento da temperatura facilita o disparo do SCR, uma vez que h um
aumento da corrente de fuga, diminuio de VBO e uma diminuio de H, ou seja, as
alteraes nestes parmetros contribuem para uma maior facilidade de disparo do
componente.
+CR e$ corrente alternadaC
Quando analisamos o comportamento do SCR, vimos que seu princpio de
funcionamento semelhante ao de um diodo, pois a conduo de corrente principal
neste dispositivo s feita num sentido. Nos circuitos de corrente contnua, o fato do
SCR conduzir corrente num sentido no de grande importncia desde que sempre
lembremos de polariz-lo no sentido direto. No circuito de corrente alternada o fato do
SCR ter comportamento similar a um diodo muito importante. Temos duas
possibilidades de comportamento para o SCR num circuito de corrente alternada,
lembrando que esta inverte seu sentido de circulao na razo de 60 Hz.
Se, durante a aplicao do pulso de disparo, o SCR estiver com sua tenso anodo-
catodo polarizando-o reversamente, no ocorrer o disparo, mas se por outro lado, o
SCR se encontrar diretamente polarizado e for aplicado um pulso de disparo, o mesmo
entrar em conduo.
Supondo que o pulso de disparo desaparea, o SCR permanecer em conduo
somente enquanto ele estiver polarizado no sentido direto, ou seja, enquanto A for
maior que H(Corrente de manuteno).
O controle do SCR percebido quando aplicado em corrente alternada, pois quanto
maior a corrente aplicada ao gate, menor ser a tenso anodo-catodo necessria para
o SCR disparar.
Na figura abaixo temos um circuito de controle de potncia atravs do SCR.
Circuito
>0
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Com o aumento de P1, ocorre uma diminuio na corrente de gate e isto faz com que
o SCR exija uma tenso maior entre anodo-catodo para o seu disparo. Neste caso o
SCR leva mais tempo cortado e a carga recebe sinal por um intervalo de tempo menor.
Podemos observar que enquanto o SCR se encontra cortado, ele se comporta como
uma chave aberta e praticamente toda tenso de entrada aparece nos seus terminais
anodo-catodo. Quando o SCR dispara, ele se comporta como uma chave fechada e
toda tenso do circuito aparece praticamente em cima da carga,ficando uma tenso
entre 0,7V a 2v em cima do SCR.
Notamos que quanto maior o valor de G, o SCR dispara com um valor menor de
tenso anodo-catodo, ou seja, dispara mais cedo e isto permite que para a carga
passe uma maior parte do sinal da rede, fazendo com que a mesma dissipe uma maior
potncia.
Conclumos, portanto, que podemos fazer o controle da potncia dissipada na carga a
partir do controle da corrente do gate. J que maiores correntes de gate fazem o SCR
disparar mias cedo e com isto a carga dissipa mais potncia.
A tenso anodo-catodo na qual o SCR dispara, possui um ngulo correspondente,
chamado de Rn7ulo de dis!aro (V). A tenso na qual o SCR corta possui um ngulo
correspondente, chamado de Rn7ulo de corte (W), normalmente este ngulo fica em
torno de 180.
O Rn7ulo de conduo (X) definido como a diferena entre o ngulo de corte e o
ngulo de disparo.
>3
ALTEC
Eletrnica de Bsica
O controle de potncia atravs do controle de fase consiste no processo de controlar a
potncia dissipada pela carga atravs da variao do ngulo de disparo.
No circuito anterior, a faixa de ngulo de disparo do circuito de 0 a 90, pelo fato da
corrente de gate estar em fase com a tenso. O ngulo mximo , neste circuito, de
90 visto que se diminuirmos G o mximo valor de tenso que anodo-catodo pode
atingir, a fim de conseguir disparar o SCR, o valor da tenso de pico e este se
localiza a 90.
O efeito prtico deste circuito pequeno, pois a faixa de controle de potncia vai de
25% a 50%.
Quando V J 1Y, a potncia dissipada na carga de 50% da potncia mxima, visto que
o SCR perde meio ciclo de sinal da rede, pois no conduz quando polarizado
reversamente.
Quando V J/1Y, a potncia dissipada na carga de 25% da potncia mxima, pois a
carga s aproveita um quarto do ciclo do sinal da rede.
O diodo D1 est presente no circuito, a fim de evitar danos a juno gate-catodo por
polarizao reversa.
O circuito abaixo realiza o controle de potncia com uma faixa de ngulo de disparo de
0 a 180.
>6
ALTEC
Eletrnica de Bsica
No circuito acima, o ngulo de disparo consegue ultrapassar de 90, pois G s surgir
quando a tenso no capacitor atingir(VD1 + VGC = 1,4V) e este tempo controlado
atravs de P1 que agora controla o valor da corrente de carga do capacitor. Quanto
maior o valor de P1, menor o valor da corrente de carga e mais tempo o capacitor leva
para atingir a tenso necessria para fazer surgir a corrente de gate e com isto o SCR
demora para disparar, ou seja, o ngulo de disparo(d) aumenta.
No circuito anterior, a faixa de d de 0 a 180 e a faixa de controle de potncia de
0% a 50%.
Quando V J 1Y, o SCR dispara no incio do semiciclo, portanto, neste caso a potncia
dissipada na carga de 50%.
Quando V J 081Y, no ira passar para a carga tenso e isto far com que a mesma no
dissipe potncia, ou seja, P=0%. A partir da aplicao em C.A podemos compreender o
nome SCR para este componente.
RetiEicadorC A corrente s circula em um sentido,
ControladoC Ao variar a corrente de gate, controlamos a tenso de disparo do
componente e a potncia dissipada na carga.
+ilcioC Material utilizado na sua fabricao.
CKlculo da tenso na car7aC
VDCr = Vmx/2 (1 + cosd)
*?erccios de #i?ao
R*T&#&C('R C'%TR'<(' * +&<5C&' +CR
>9
ALTEC
Eletrnica de Bsica

1 - Descreva uma caracterstica fsica do SCR.
2 - Complete o desenho abaixo indicando a dopagem das partes da estrutura.
Figura 200
3 - Desenhe o smbolo do SCR.
4 - Explique o funcionamento do circuito a seguir (Figura 201):
5 - Qual o significado de corrente inversa de bloqueio (dr)?
6 - Esboce uma curva caracterstica do SCR.
>:
ALTEC
Eletrnica de Bsica
7 - No diagrama a seguir, hachure o circuito de disparo do SCR.
.
8 - Complete a frase:
Normalmente no .................................................. da tenso de entrada (V ent.) com a
tenso C. C. do gate (Vg) ocorre o disparo do SCR.
9 - Em um circuito de disparo de SCR por deslocamento de fase, o que necessrio
ocorrer para que o SCR seja disparado?
. 10 - Qual o nome do circuito com UJT que usado para disparar SCRs?
11 - Cite uma caracterstica de disparo do SCR ligado a um TCA 780.
12 - Complete a frase:
O SCR estar em .................................................. quando a resistncia entre o anodo
e o catodo apresentar um valor de alguns OHMS.
13 - Dimensionar por processo aritmtico o dissipador de calor para o SCR SKT 10,
sabendo que a potncia a ser dissipada de 20 W e a temperatura ambiente de 25
C; o disparo ser senoidal a 60 E.
>>
ALTEC
Eletrnica de Bsica
14 - Dimensionar por processo grfico o dissipador de calor para o SCR SKT 240,
sabendo que a potncia a ser dissipada de 400 W, a temperatura ambiente de
25C e o disparo ser contnuo.
15 - Analise a eficcia dos processos de dimensionamento de dissipador de calor
estudados, e responda:
O SCR quando montado em dissipador de calor trabalha em condies mais
favorveis? Por qu?
16 - Descreva dois cuidados que devemos ter nas montagens com tiristores.
>7
ALTEC
Eletrnica de Bsica
<a;oratLrio 31(+CR)
)aterial UtilizadoC
Fonte regulvel dupla de 0 a 30V;
nstrumento: multmetro; osciloscpio digital,
Resistores: Diversos
SCR's: Diversos
LED.
"rocedi$ento de anKliseC
1. Teste os SCR's que se encontram na sua bancada e apresente, abaixo, a
disposio dos terminais dos mesmos.
2. Explique como, na prtica, voc identifica se um SCR est ruim ou disparado
por rudo.
3. Consulte o manual de tiristores e calcule o circuito a seguir,a fim que o mesmo
engate e no danifique o SCR TC 106.
>8
ALTEC
Eletrnica de Bsica
4. Mencione os cuidados que devem ser tomados para polarizar corretamente o
SCR em C.C.
5. Acione S1 e observe o que ocorre no circuito. Explique o fenmeno observado.
6. Como, na prtica, voc verifica se um SCR engatou?
7. Acione S2 e observe o que ocorre no circuito. Explique o fenmeno ocorrido.
8. Acione S3 e observe o que ocorre no circuito. Explique o fenmeno ocorrido.
9. Troque R2 por um resistor de 330k, volte acionar S1 e verifique o que ocorre no
circuito. Explique o fenmeno ocorrido.
10. Volte a colocar o R2 inicial.
11. Ligue o circuito, acione S1 e mea as tenses solicitadas:

VGC:
VAC:
VLED:
12. Justifique os valores de tenses encontrados no item anterior.
>/
ALTEC
Eletrnica de Bsica
13. Troque o TC 106 pelo 116 ou 126, acione S1 e verifique o que ocorre no
circuito.
14. Resolva o problema encontrado no item anterior e explique qual a soluo
dada.
15. Em que situaes voc utilizaria o SCR no lugar de transistores?
71
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Circuitos a!licati2os do +CR e$ CACC
Procedimento e anlise:
1. Monte o circuito abaixo:
2. Com o LDR submetido a luz ambiente, observe o que ocorre com o circuito.
3. Com o LDR no escuro, verifique como o circuito se comporta.
70
ALTEC
Eletrnica de Bsica
4. Monte o circuito abaixo:
5. Na luz ambiente qual o comportamento do circuito?
6. Projete um feixe de luz no fototransistor e observe o que ocorre no circuito.
73
ALTEC
Eletrnica de Bsica
7. Monte o circuito abaixo:
8. Ao ligar o circuito o SCR dispara porque?
9. Aproxime o im do circuito e verifique o comportamento do mesmo.
10. Troque o TC 106 pelo TC 116 e verifique o que ocorre no circuito.


76
ALTEC
Eletrnica de Bsica
Circuitos de controle de !ot8ncia co$ +CRC
Procedimento e anlise:
1. Monte o circuito da figura abaixo:
2. Varie o potencimetro e observe o que ocorre com d. Justifique o ocorrido.
3. Com o osciloscpio, observe as formas de ondas na carga e no anodo-catodo
do SCR para um dado valor de d. Anote as mesmas abaixo.
79
ALTEC
Eletrnica de Bsica
4. Verifique qual o mximo d que o circuito atinge e justifique o valor encontrado.
5. Mea com o multmetro, o valor VDC na carga para d = 0
6. Calcule o valor de VDC na carga para o caso anterior e compare com o
medido.
7. Com o multmetro em VDC, observe o que ocorre com a tenso na carga
medida que o d varia. Justifique o ocorrido.
8. Retire o resistor RGC(gate-catodo) do circuito, observe o comportamento e
justifique o ocorrido.
9. Monte o circuito abaixo:
7:
ALTEC
Eletrnica de Bsica
10. Com o osciloscpio, observe a forma de onda na carga e no anodo-catodo do
SCR. Verifique qual a nova faixa de variao de d. Explique a mudana.
11. Coloque o LDR no circuito, de tal forma que o mesmo s passe a funcionar ao
escurecer.
12. Aproxime um radio AM do circuito, varie o potencimetro e verifique o que
ocorre.
7>
ALTEC
Eletrnica de Bsica
77
ALTEC
Eletrnica de Potncia
&(C
&ntroduoC
Do ponto de vista didtico, fica sempre uma dvida onde situar os DAC's, pois na
realidade no so diodos, no so transistores e tambm no so tiristores. Como uma
grande aplicao para os DAC's o disparo de TRAC's, iremos realizar o estudo deste
componente antes do componente do qual ele ir proporcionar o disparo.
As iniciais do nome DAC representam: &'* (<T*R%(T&4* CURR*%T, ou seja,
diodo de corrente alternada.
*strutura internaC
O DAC construdo, em grande parte, do mesmo modo que um transistor bipolar. O
dispositivo tem trs camadas semicondutoras alternadamente dopadas, como se pode ver
na figura. Entretanto, ele difere do transistor bipolar devido s concentraes de dopagem
em torno das duas junes serem iguais e aos terminais conectados unicamente s
camadas externas. No h conexo eltrica na sua regio intermediria.
Uma vez que o DAC tem apenas dois terminais, ele geralmente encapsulado em
invlucros de metal ou de plstico com terminais axiais. Portanto, o dispositivo lembra em
muito um diodo de juno PN comum na aparncia. Porm, ele , algumas vezes,
tambm encapsulado como um transistor bipolar convencional, mas com apenas dois
terminais.
+$;oloC

73
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Teste do &(CC
Na prtica, para verificarmos se um DAC se encontra em perfeito estado, devemos
encontrar duas resistncias altas. As duas resistncias altas decorrem do fato do mesmo
s conduzir quando nos seus terminais aplicarmos VBR, como ser visto mais adiante, e
no caso de aplicarmos em um multmetro isso no acontece.
Caso voc encontre alguma resistncia baixa no teste do DAC, o mesmo se encontra
danificado.
Cur2a caracterstica
Na figura abaixo, apresentamos a curva caracterstica do DAC, onde podemos perceber
que o DAC comea a conduzir quando a tenso atinge o valor VBR que se encontra na
faixa de 25V a 35V nos DAC's mais comuns. No instante em que o DAC comea a
conduzir, produz-se uma regio de resistncia negativa, na qual a queda de tenso
provoca um aumento de corrente.
Figura 208
74
SENA AL
Eletrnica de Potncia
A inverso de polaridade sobre o componente produzir os mesmos efeitos, ou seja, o
DAC um componente bilateral e se comporta de forma praticamente igual para os dois
tipos de polarizao possveis.
Nos manuais do DAC, encontramos o valor mximo da tenso de assimetria que a
diferena entre o VBR1 do primeiro quadrante e o VRb2 do terceiro quadrante, visto que o
componente na prtica no perfeitamente simtrico.
As tenses VBR1 e VBR2 so muito prximas, podendo ter uma variao de
aproximadamente 10% uma relao a outra.
As correntes BR1 e BR2 tambm so muito prximas e podem variar de acordo com o
tipo de dispositivo. Um valor tpico 200A.
(!licao !ara o &(C
Proteo contra sobretenso;
Gerador dente-de-serra;
Disparo de TRAC.
"roteo contra so;retensoC
Neste tipo de aplicao o DAC passa a conduzir quando a tenso nos seus terminais
aumentar (Atingindo VBR), protegendo desta forma o elemento que estiver em paralelo
com ele de uma sobretenso.Como mostra na figura abaixo.


75
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Oerador de dente de serraC
No circuito da figura abaixo o DAC passa a conduzir, quando a tenso no capacitor atingir
a VBR e desta forma a resistncia interna do DAC cai, permitindo assim que ocorra a
descarga do capacitor, at um valor no qual o DAC volta a cortar.
Vale apena ressaltar que a tenso de alimentao deste circuito deve ser superior ao
valor de VBR do DAC utilizado, a fim de permitir que o capacitor possa atingir o valor
suficiente de tenso para provocar o disparo.
O potencimetro P1 permite variar a corrente de carga do capacitor e com isto o tempo
que o mesmo leva para atingir VBR. Desta forma temos condies de alterar o perodo da
forma de onda e de forma inversa a sua freqncia.
O perodo da forma de onda dado pela seguinte expresso:
T = R.C Ln(VCC-Vcorte/VCC-VBR
Circuito de dis!aro de TR&(CC
No prximo captulo ser explicado a utilizao do DAC para disparo do TRAC, pois
faremos o estudo deste componente.
76
SENA AL
Eletrnica de Potncia
TR&(C
&ntroduoC
O retificador controlado de silcio (SCR) que vimos, capaz de controlar o fluxo de
corrente em uma direo, sendo, portanto, um dispositivo unidirecional. Para realizar o
controle de um ciclo completo de sinal CA, necessrio o uso de dois SCR's em
antiparalelo ou ento converter cada ciclo em um sinal CC pulsado, antes de aplic-lo a
um nico SCR. Nestas aplicaes, onde preciso adquirir o controle total de um sinal
alternado, freqentemente mais fcil utilizar um dispositivo chamado de Tiristor
;idirecionalA Tal dispositivo comumente chamado de TR&(C. O TRAC tem as mesmas
caractersticas bsicas de comutao que o SCR, entretanto, exibe estas caractersticas
em ambas as direes. sto torna o TRAC equivalente a dois SCr's em antiparalelo.
*strutura interna e s$;oloC
*strutura +$;olo
Figura 209
77
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Teste do TR&(CC
Na prtica, devemos encontrar duas resistncias baixas no teste do TRAC. Estas duas
resistncias baixas so entre os terminais MT1 e gate, nos dois sentidos de polarizao,
pois estamos empregando a resistncia da pastilha P comum a estes terminais.
O terminal que sobrou, quando encontramos duas resistncias baixas o MT2, inclusive
o MT2, na maioria dos casos, a carcaa do TRAC.
Para identificarmos quem MT1 e gate, devemos consultar o manual, pois atravs do
teste prtico no podemos diferenciar estes dois terminais.
#unciona$entoC
A figura, a seguir, mostra o circuito equivalente simplificado do TRAC, a partir de dois
SCRs, o qual ser utilizado na descrio do funcionamento do mesmo.
Figura 210
Nesse circuito, quando o teminal T1 mais positivo que T2, o SCR V1 fica diretamente
polarizado e V2, inversamente. Nessa condio, o SCR V1 est em condies de
conduzir, desde que receba um pulso em seu gate enquanto V2 permanece em corte.
78
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Figura 211
Se a polaridade da tenso aplicada for invertida, o modo de funcionamento do circuito
tambm se inverter. Nesse caso, o SCR V2 passar condio de polarizao direta e,
portanto, conduo. V1, por sua vez, estar inversamente polarizado ou em corte.
Figura 212
';ser2ao
Aos terminais (T) do TRAC no se aplicam as denominaes anodo e catodo, mas usam-
se os coeficientes (T1 e T2) para design-los.
O terminal T1 serve como referncia para as medidas de tenso do gate e do terminal
T2.
79
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Cur2a caracterstica do TR&(C
Figura 212
Na curva caracterstica, vemos que a conduo do TRAC ocorre nos quadrantes e ,
desde que ao gate do TRAC sejam aplicados sinais de disparo.
Estes sinais podem ser positivos ou negativos, o que torna possvel as seguintes
modalidades de funcionamento:
No quandrante :
Modalidade + T2 positivo e gate positivo
Modalidade T2 positivo e gate negativo
No quadrante
Modalidade + T2 negativo e gate positivo
Modalidade T2 negativo e gate negativo
Os dispositivos fabricados atualmente so mais eficientes para as modalidades + e .
A eficincia menor para a modalidade e muito pequena para a + . Por estas razes
o TRAC no deve ser usado nestas modalidades.
80
SENA AL
Eletrnica de Potncia
Na curva caracterstica tambm observamos que o TRAC permanece em bloqueio,
enquanto no houver sinal no gate; e, no conduz, se a tenso entre T1 e T2 no
ultrapassar a VBO ( tenso de ruptura) do dispositivo.
Quando VBO ultrapassada, o TRAC entra em estado de conduo. A corrente que flui
atravs dele limitada apenas pela resistncia do circuito externo. Esta propriedade o
torna imune aos transientes eltricos, dispensando assim o uso de dispositivos de
proteo.
O disparo do TRAC ocorre pela aplicao de sinal positivo ou negativo no gate. O
TRAC pode ser acionado por corrente alternada, por corrente contnua, ou por fontes de
pulsos.
(!licao
a ) Controle de te$!eratura
O circuito esquematizado, a seguir, empregado para regular automaticamente a
temperatura de fornos, estufas, aquecedores eltricos, depsitos de lquidos, etc.
Figura 213
#unciona$ento do circuitoC
O termistor Rb o elemento sensor de temperatura e o resistor R3 incorpora, ao circuito,
o controle de estabilidade. Desse modo, evita-se variaes contnuas entre as
temperaturas mxima e mnima.
81
SENA AL
Eletrnica de Potncia
; ) Co$utador !or controle de Ease
chamado circuito com duas constantes de tempo por ter dois capacitores, C3 e C4,
ligados ao circuito de disparo. Este recurso largamente empregado no controle de
iluminao dimmer ou controle de velocidade de pequenos motores, tais como:
furadeiras, ventiladores, liquidificadores, etc.
Figura 214
Os elementos C1, L1, C2 e R1, colocados entrada do circuito, constituem um filtro que
evita as interferncias na rede, devido rapidez de comutao do TRAC.
R4 e C4 diminuem o efeito da histerese que ocorre no momento de comutao do TRAC.
#unciona$ento do circuitoC
Com disparo do DAC, C4 descarrega-se rapidamente. C3 mantm-se carregado, pois o
resistor R4 dificulta a sua descarga instantnea e aumenta a constante de tempo RC.
Quando o DAC deixa de conduzir, o capacitor C3, carregado com tenso maior que C4,
transfere parte de sua carga para C4, e a simetria dos disparos do TRAC permanece
constante em todos os ciclo.
82
SENA AL
Eletrnica de Potncia
#or$as de onda no circuito
Figura 215
Com este circuito possvel controlar a potncia da carga desde um valor mnimo at o
seu valor mximo.
c ) TR&(C usado e$ aco!la$ento L!tico
O TRAC pode ser disparado atravs de incidncia de luz nas suas pastilhas
semicondutoras. Esta possibilidade permite o uso do TRAC em acoplamento ptico entre
um circuito DC e um outro AC de potncia. O dispositivo que permite este tipo de
operao chamado PHOTO TRAC.
O PHOTO TRAC usado para disparar um outro TRAC, conectado na configurao
normal, o qual controla a potncia da carga.
Dois exemplos de PHOTOTRAC so os circuitos integrados MOC 3009 / 3012,
fabricados pela TEXAS NSTRUMENTS.
A figura seguinte mostra dois exemplos tpicos desta aplicao em acoplamento de
circuito digital / corrente alternada de potncia.
83
SENA AL
Eletrnica de Potncia
a ) Para carga resitiva.
Figura 217
b ) Para carga indutiva.
Figura 218
84
SENA AL
Eletrnica de Potncia
)aterial UtilizadoC
Fonte regulvel dupla de 0 a 30V;
nstrumento: multmetro; osciloscpio digital,
Resistores: 4,7k, 1k
Potencimetro de 220k
Triac
Capacitor de 150 nF e 10nF,
Lampada Neon
Diac
"rocedi$ento de anKliseC
1. Teste o Triac e identifique os seus terminais.Desenhe abaixo a disposio do
mesmo.
85
SENA AL
<a;oratLrio 30(Triac)
Eletrnica de Potncia
2. Monte o circuito abaixo:
3. nicialmente deixe ch1 fechada e ch2 aberta, pois desta forma o circuito apresenta
apenas 1 constante de tempo.
4. Varie o potencimetro e verifique o que ocorre no circuito.
5. Com o osciloscpio, observe as formas de onda na carga e no Triac, anote as
mesmas.
86
SENA AL
Eletrnica de Potncia
6. Mea o valor de VDC na carga e justifique o resultado.
7. Coloque um curto no Diac e observe, ao variar o potencimetro, o efeito sobre as
formas de ondas.
8. Retire o Diac e troque este componente por uma lmpada neon. Varie o
potencimetro e compare as formas de ondas deste caso para a situao com Diac.
9. Volte a colocar o Diac.
10. Abra a chave ch1 e feche a chave ch2. O circuito, agora apresentar duas
constantes de tempo.
11. Varie o potencimetro e observe o que modificou no funcinamento do circuito.
12. Coloque um ventilador no lugar da lmpada e observe o que ocorre no circuito.
87
SENA AL
Eletrnica de Potncia
(co!lador L!tico
&ntroduoC
Acopladores pticos ou isoladores pticos.
Os acopladores pticos surgiram na dcada de 70 e so utilizados na eletrnica para
acoplar dois circuitos que operam com nveis diferentes de potncia.
Os acopladores pticos consistem em uma fonte de luz (fotoemissor) e um fotosensor,
que deve ter alta sensibilidade na faixa de freqncia de luz emitida pelo fotoemissor.
A luz acoplada ao sensor atravs de um material dieltrico transparente ou atravs
do prprio ar.
Um dado muito importante dos acopladores pticos a CTR(Current transfer ratio =
razo de transferncia de corrente) que exprime a razo entre a corrente de sada e a
de entrada.
desejvel fazer a CTR a maior possvel, porm para conseguir isto necessria
uma diminuio da distncia entre o fotoemissor e o fotosensor. Logo, podemos
concluir que ao aproximarmos a fonte de luz do sensor, a CTR aumenta, mas a tenso
de isolao cai e isto torna esta distncia um parmetro crtico no projeto dos
acopladores pticos.
Basicamente, todos os acopladores pticos usam led's de infravermelho, pois so os
que melhor se casam com a sensibilidade dos detectores de silcio.
Ti!os de aco!ladores L!ticosC
Nos diversos tipos de acopladores pticos, o elemento fotoemissor o led, enquanto o
elemento fotosensor poder ser: um fotodiodo, um fototransistor, um fotodiac, um
fotoscr.
88
SENA AL
Eletrnica de Potncia
(co!lador L!tico co$ EotodiodoC
Os fotodiodos possuem caractersticas de velocidade de resposta elevada, sendo este
tipo de sensor ideal para transmisso de dados em alta velocidade. Os fotodiodos so
poucos sensveis, exigindo um grande nvel de sinal por parte do elemento
fotoemissor.
(co!lador L!tico co$ EototransistorC
O acoplador ptico com fototransistor possuem uma sensibilidade maior do que os
acopladores com fotodiodo, embora a resposta seja mais lenta.
+i$;oloC
Para os casos que se deseja maior ganho, pode ser utilizado um Darligton no lugar do
transistor comum. Com a configurao Darligton apresenta menor velocidade em
relao ao transistor comum, so indicados para aplicao de baixa velocidade.
+i$;oloC
89
SENA AL
Eletrnica de Potncia
(co!lador L!tico co$ EotoscrC
Os fotosscr(SCR ativados luz), tambm conhecidos como LASCR, pode ser usado
como elemento sensivelnos acopladores pticos. Como mostra o smbolo.
+i$;oloC

90
SENA AL
Eletrnica de Potncia
)aterial UtilizadoC
Fonte regulvel dupla de 0 a 30V;
nstrumento: multmetro; osciloscpio digital,
Resistores: 4,7k, 1k,47k
TL 111
TL 113
"rocedi$ento de anKliseC
1. Consulte os dados tcnicos dos acopladores pticos e preencha os dados
solicitados abaixo:
T&< 000C
CTR:
VCEO:
CMax:
Ledmax:
T&< 006C
CTR:
VCEO:
CMax:
Ledmax:
2. Anote abaixo a pinagem para estes acopladores pticos a fim de realizar o teste
do mesmo.
91
SENA AL
<a;oratLrio 33(aco!lador)
Eletrnica de Potncia
3. Teste o acoplador ptico e verifique se o mesmo est em perfeito estado.
4. Monte o circuito abaixo:
5. Mea os valores abaixo:
VLed =
VRC =
VRD =
VCE =
6. Calcule a CTR apresentada pelo acoplador no circuito acima:
CTR calculada =
7. Troque o TL 111 pelo TL 113 e verifique os novos valores:
VLed =
VRC =
92
SENA AL
Eletrnica de Potncia
VRD =
VCE =
8. Calcule a nova CTR.
CTR calculada =
9. Compare os dois resultados obtidos nos itens anteriores e justifique a diferena
encontrada.
10. Lique a chave S1 do circuito e observe o que ocorre no mesmo.
11. Troque o TL 111 pelo TL 113 abra a chave S1 e mea os valores abaixo:
VLed =
VRC =
VRD =
VCE =


93
SENA AL