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Escuela Politcnica Nacional

Facultad de ingeniera elctrica y electrnica









Asignatura: Electrnica de Potencia

Transistores
Y
Redes de ayuda de conmutacin
(SNUBBERS)



NDICE
1. Transistores
1.1 BJT
1.1.1 Introduccin
1.1.2 Estructura interna
1.1.3 curvas caractersticas
1.2 MOSFET
1.2.1 Introduccin
1.2.2 Estructura interna
1.2.3 Curvas caractersticas
1.3 IGBT
1.3.1 Introduccin
1.3.2 Estructura interna
1.3.3 Curvas caractersticas
2. Redes de ayuda de conmutacin SNUBBERS
2.1 Funcin y tipos de redes de ayuda a la conmutacin
2.1.1 Justificacin
2.1.2 Clasificacin
2.1.3 Caractersticas de los diferentes tipos de Snubbers
2.2 SNUBBERS DE TENSIN DISIPATIVOS
2.2.1 Snubber de tensin RC
2.2.2 Snubber de tensin RCD
2.3 SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATIVOS
2.3.1 Snubber de corriente RLD
2.3.2 Snubber de corriente con inductancia saturable
2.4 SNUBBER UNIFICADO
2.5 SNUBBERS NO DISIPATIVOS
2.5.1 Snubber no disipativo de tensin
2.5.2 Snubber no disipativo de corriente
2.5.3 Snubber no disipativo unificado
3. BIBLIOGRAFA

1. Transistores
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
a.1 BJT
1.1.1 introduccin
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres
terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a
la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y
frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes
mviles).
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no
lineales
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede
variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca
que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est
conectado. (Transfer Resistor).

1.1.2 Estructura interna
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos
en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.



CORRIENTES EN EL TRANSISTOR


1.1.3 curvas caractersticas
Se tiene las curvas caractersticas en funcin de sus diferentes tipos de polarizacin.
a) Emisor comn
Se tiene de la siguiente manera parta los diferentes tipos de transistor


Las caractersticas de entrada en emisor comn relacionan la corriente de emisor IE, con
el voltaje en la unin de emisor-base VBE para diferentes valores del voltaje de salida VCE.


Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente de colector IC,
con el voltaje en la unin de colector-base VCB para diferentes valores de la corriente
de entrada Ib.

Aqu se distingue las diferentes formas en las que trabaja el transistor






b) Colector comn
La impedancia de entrada de esta configuracin es alta y la de salida es baja.
Las caractersticas de salida son las mismas que las de emisor comn reemplazando IC
por IE. Las caractersticas de entrada son las mismas que para emisor comn.



c) Base comn
En la configuracin de base comn la terminal de la base del transistor es comn al
circuito de entrada (izquierda) y al de salida (derecha).
Las fuentes se etiquetan repitiendo el nombre de la terminal a la cual estn
conectadas.





Estados de corte, saturacin y activo inverso
Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las curvas
caractersticas de salida.


En la regin de corte las corrientes del transistor son cero. Si se considera los efectos
de la temperatura, habr que incluir la corriente inversa de saturacin entre colector y
base.

En saturacin el transistor no funciona como fuente de corriente controlada por
corriente. Cuando est saturado biB iC

1.2 MOSFET
1.2.1 introduccin
Son dispositivos de estado slido
Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo elctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un nico tipo ( o electrones o huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarizacin
Segn en qu regin de polarizacin se encuentren, funcionan como:
o Resistencias controladas por tensin
o Amplificadores de corriente o tensin
o Fuentes de corriente
o Interruptores lgicos y de potencia
Hay de bastantes tipos, pero los ms importantes son los: MOSFET (Metal-
xido semiconductor)
Normalmente tienen tres terminales denominados:
o Drenador
o Puerta
o Fuente o surtidor
Son dispositivos gobernados por tensin
La corriente de puerta es prcticamente nula
Utilizan un solo tipo de portadores de carga, (Por eso se llaman tambin
unipolares):
o Electrones si son de canal N
o Huecos si son de canal P




Una forma de clasificacin de los Mosfets es:


1.2.2 estructura interna
Transistor mosfet de canal n (n-mos) de enriquecimiento o acumulacin (cont)

1.2.3 curvas caractersticas
Un voltaje positivo aplicado a la compuerta genera un campo elctrico que convierte la
regin p en una regin n.
Este fenmeno se conoce como inversin de superficie y permite la circulacin de
corriente entre el drain y el source

Comparacin entre BJT y el MOSFET
BJT MOSFET
Recombinacin, limita velocidad de
operacin
Controlada por corriente
Dispositivo de portadores
minoritarios
pueden generar corrientes de salida
ms elevadas para conmutacin
rpida con cargas capacitivas



Controlado por voltaje
Dispositivo de portadores
mayoritarios
Compuerta elctricamente aislada,
por lo que presenta una alta
impedancia de entrada
necesitan menos rea del chip, y
menos pasos de fabricacin
el parmetro de transconductancia
(gm) es menor
tiene una impedancia de entrada
muy alta, por lo tanto tienen menor
ganancia




1.3 IGBT
1.3.1 introduccin
El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de
potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada
de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT
Caractersticas:
a) Se puede controlar su encendido como si fuera un MOSFET
b) Cuando conduce sus prdidas son menores que un MOSFET, se comporta ms
como un bipolar (BJT)
c) Ms rpido que un bipolar (BJT) pero menos que un MOSFET

1.3.2 Estructura interna

1.3.3 curvas caractersticas

2. Redes de ayuda de conmutacin SNUBBERS
2.1 FUNCIN Y TIPOS DE REDES DE AYUDA A LA CONMUTACIN
2.1.1 Justificacin
Los semiconductores presentan unos lmites muy estrictos en cuanto a valores
mximos de tensin corriente y potencia soportados, que si son superados podran
provocar la destruccin del dispositivo
Cuando se disea un circuito se ha de poner especial cuidado en que sus
componentes puedan resistir las condiciones de trabajo ms desfavorables que
tengan lugar, tanto durante su funcionamiento normal como ante determinadas
acciones ajenas a la propia operacin normal del circuito (sobretensiones,
cortocircuitos externos, etc.).
Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o
activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo
semiconductor la sobretensin expuesta.

2.1.2 Clasificacin
En una primera clasificacin podemos diferenciar los Snubbers que absorbiendo la
energa procedente de las reactancias presentes en el circuito controlan la evolucin
de la tensin o la corriente en el interruptor que conmuta.
Como regla general incorporaremos un condensador en paralelo junto con otros
componentes, para controlar la evolucin de la tensin en el interruptor y una bobina
en serie para el control de la corriente

Otra posible clasificacin hace referencia a si la energa almacenada en los snubbers
se disipa en una resistencia, en cuyo caso los denominaremos snubber disipativo, o
RED
L
D
Q
C
RED
L
D
Q
l
S
en cambio dicha energa se transfiere a la fuente primaria o a la carga, siendo
denominados en este caso, snubbers no disipativos a pesar de que no son ideales y
por lo tanto tambin presentan pequeas prdidas.
Finalmente podemos distinguir los snubbers segn controlen la pendiente de subida
de la tensin en el interruptor (turn-off snubber o de apagado) o en cambio la
enclaven a un valor mximo determinado (voltage clamp snubber). Los snubbers de
corriente pueden incluirse en el primer tipo (controlan la pendiente de subida de la
corriente, turn-on snubber o de encendido).

2.2.2 Caractersticas de los diferentes tipos de Snubbers
Snubbers que controlan la pendiente de subida de la tensin
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el
apagado
Previenen sobretensiones y rizados de alta frecuencia
Reducen el EMI al minimizar el ruido de alta frecuencia

Snubbers que controlan la pendiente de subida de la corriente
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el
encendido
Reduce el efecto del pico de recuperacin inversa del diodo
Snubbers con enclavamiento de la tensin
Reducen la potencia disipada y el estrs en el interruptor durante el
encendido
Reduce el efecto del pico de recuperacin inversa del diodo
2.2 SNUBBERS DE TENSIN DISIPATIVOS
Elimina la energa absorbida durante las conmutacin disipndola en una resistencia.
2.2.1 Snubber de tensin RC
Consta de una resistencia y un condensador que sern colocados en paralelo con el
dispositivo. A pesar de su sencillez este circuito permite amortiguar las posibles
resonancias parsitas y controlar la pendiente de la tensin en el semiconductor.
En la siguiente figura se muestra: a) Emplazamiento del snubber RC en un circuito genrico, b)
convertidor reductor


En la figura se muestra la red RC aplicada a un circuito genrico con un interruptor en
conmutacin. La incorporacin de la red RC permitir reducir las prdidas en el paso
a bloqueo. Si los valores de R y C se escogen adecuadamente las prdidas en
conmutacin podran verse reducidas hasta un 40 %, incluyendo las presentes en la
resistencia R.

Ejemplo:
La siguiente figura corresponde con el esquema elctrico de un convertidor CC/CC
reductor, donde se ha incorporado una inductancia parsita L en serie con el diodo
y un circuito de ayuda a la conmutacin RC en paralelo con el diodo. Dicho circuito
estar encargado de la proteccin del diodo ante la sobretensin que la inductancia
L provocar durante el bloqueo de ste.
L
D
Q
C
L D
Q
R
Vcc
R
C
f

Se pueden obtener los valores de Rs y Cs adecuados para limitar tanto la tensin
mxima como la derivada de la tensin en el semiconductor.

Si asignamos a CS el valor CB (CS=Cbase), la mnima sobretensin se obtendr
cuando RS=1.3Rbase (Rbase=Vd/Irr), y el valor de la tensin en el semiconductor
bajo estas condiciones ser aproximadamente: Vdf1.5Vd.

La energa que se disipa en la resistencia RS durante el apagado del transistor
podemos calcularla como


Al final de las oscilaciones que se establecen durante la conmutacin el
condensador quedar cargado con una energa igual a:


2.2.2 Snubber de tensin RCD
Este tipo de circuitos encuentran un amplio campo de aplicacin en la proteccin
de interruptores, como es el caso de los transistores bipolares que se irn
mostrando en las sucesivas figuras. Podemos distinguir dos utilidades en los
circuitos RCD (resistencia, condensador y diodo):
Control de la pendiente de subida de la tensin en el interruptor durante el
transitorio de apagado.
Enclavamiento de la tensin en el interruptor.
RCD para el control de la evolucin de la tensin (de drenador o colector) en el
interruptor

Durante el apagado del transistor el snubber se llevara la mayor parte de la
corriente transfirindose una gran parte de la disipacin de potencia que tendra
que soportar el transistor sin snubber, a este ltimo. La fiabilidad del interruptor
aumenta puesto que el pico de potencia que ha de disipar se reduce y las
oscilaciones de alta frecuencia provocadas por los elementos parsitos del
circuito se ven amortiguadas
Para el condensador del Snubber:

Una vez seleccionado el condensador C necesitamos definir que resistencia R se ha
De incorporar para completar el diseo de la red RCD
L
O
D1
Q
C
R
I
o
D




Snubber de enclavamiento de tensin RCD
Las inductancias parsitas en serie con el interruptor pueden producir
sobretensiones excesivas durante el apagado, provocando la destruccin del
mismo. Para limitar estas sobretensiones podemos aadir al interruptor un
snubber RCD con la disposicin que se muestra en la figura:

El valor del condensador C adecuado para obtener una sobretensin mxima
admisible (Vcc) en el condensador y por tanto en el transistor

El valor de la resistencia y la potencia del mismo quedan expresada en las
siguientes ecuaciones.


D1
Q
C
R
I
m
D
CARGA
V
S
L
+
-
v
C
i
Ls
( t )


2.3 SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATIVOS
En este apartado se presentarn algunas alternativas de circuitos de ayuda a la
conmutacin capaces de controlar la evolucin de la corriente a travs del
interruptor durante el encendido. Este tipo de circuitos pueden ser identificados
en la bibliografa inglesa como turn-on snubbers
2.3.1 Snubber de corriente RLD
La siguiente figura muestra un Snubber de encendido

El Snubber de encendido mostrado en la figura anterior, reduce las prdidas de
entrada en conduccin en alta frecuencia, limitando tambin la presencia del pico
de recuperacin inversa del diodo.
Entonces mediante clculos obtenemos que le valor ptimo para el inductor es

D1
Q
R
I
m
D
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
( ) t
La energa almacenada en la bobina se disipar en la resistencia R y en el diodo de
libre circulacin D durante el apagado del transistor. La potencia disipada en R
ser:

Y por ende el valor de R ser:

El interruptor debe soportar en durante el transitorio de apagado una sobretensin
debido a la descarga de la inductancia LS sobre la resistencia R:

2.3.2 Snubber de corriente con inductancia saturable
El objetivo de un Snubber de corriente (o de encendido) es lograr que la tensin
del transistor disminuya a cero mientras la corriente de colector sea reducida.
Este efecto puede conseguirse empleando una inductancia saturable:

D1
Q
I
m
D
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
t ) (
v
C
i
C
t
fv
2
2
t
t L
V
i
fv S
S


=
La inductancia saturable del circuito se disea de modo que alcance la saturacin
despus que la tensin en el interruptor ha llegado a cero. Antes de la saturacin,
la inductancia presenta una elevada impedancia y solo fluye una pequea
corriente magnetizaste. Una vez alcanzado el paso por cero de la tensin en el
colector del transistor, la inductancia se saturar presentando una impedancia
despreciable por lo que la evolucin de la corriente hacia Im ser muy rpida. Se
consigue de esta forma minimizar la presencia de corriente cuando el transistor
soporta tensin y reducir las prdidas en el circuito.

2.4 SNUBBER UNIFICADO
Podemos plantearnos el incorporar el snubber de tensin RCD y corriente RLD en un
solo snubber, tal y como se muestra en la figura

Los componentes de este circuito LS, CS, RS se disean siguiendo los pasos
anteriormente indicados para cada tipo de snubber considerado por separado. La
potencia que ahora ha de disipar la resistencia RS depende de la energa
almacenada por los dos elementos reactivos, es decir:

2.5 SNUBBERS NO DISIPATIVOS
D1
Q
C
S
R
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
S
i
Ls
( t )
Como hemos visto hasta el momento los snubbers disipativos modifican la
evolucin de la tensin y corriente en el interruptor mediante el almacenamiento
temporal de energa en elementos reactivos como, condensador o bobina. Esta
energa posteriormente se disipa en una resistencia. Cuando el circuito trabaja en
altas frecuencias las prdidas generadas pueden llegar a ser inaceptables,
desaconsejando el uso de los snubbers disipativos.
Una posible alternativa a estos circuitos la encontramos en los snubbers no
disipativos. Podramos definirlos bsicamente como aquellos circuitos que
reciclan la energa en ellos almacenada devolvindola a la fuente de entrada, a la
carga o mantenindola en circulacin hasta el comienzo del siguiente ciclo.
Los principios bsicos de los snubbers no disipativos coinciden en general con los
mencionados anteriormente para los disipativos.
2.5.1 Snubber no disipativo de tensin
El circuito que se muestra a continuacin est pensado para controlar la evolucin
de la tensin en el interruptor, no permitiendo el enclavamiento de la misma.


2.5.2 Snubber no disipativo de corriente
D
f
Q
C
S
I
m
D
S
CARGA
V
S
L
C
O
D
C
D
O
El principio bsico de funcionamiento de un snubber de corriente consiste en
almacenar energa en una bobina durante la entrada en conduccin del interruptor
para de esta forma controlar la evolucin de la corriente que circula.

La particularidad que diferencia a unos de otros es que los snubbers de corriente no
Disipativos transfieren la energa almacenada en la bobina a la carga o a la fuente de
entrada en cada ciclo, en vez de disiparla en una resistencia como ocurre con los
disipativos.




2.5.3 Snubber no disipativo unificado
Finalmente podramos pensar en fundir los snubbers de tensin y corriente no
disipativos para aprovechar las ventajas de cada uno de ellos durante las
transiciones de apagado y encendido respectivamente. En la figura adjunta se
muestra una posible alternativa de snubber unificado y los caminos a travs de
los cuales se libera la energa almacenada en el snubber.

l
p
l
S
V
sec
D
f
V
S
i
sec
D
S
Q
+
-
CARGA
I
m
i
C
1: N
Se puede observar como el condensador CO y la bobina lS transfieren la
energa en ellos almacenada de forma paralela, quedando la bobina
sometida a la tensin vCo. A medida que CO se descarga, la tensin en lS
decrece hasta llegar a cero, momento en el que la carga queda
cortocircuitada por el diodo de libre circulacin


3. BIBLIOGRAFA


[1] M. H. RASHID.
Power Electronics: Circuits, Devices and Applications.
a. Prentice-Hall, Inc., 1988

[2] P. R. K. CHETTY.
Switch-Mode Power Supply Design

[3] http://materias.fi.uba.ar/6205/Material/Apuntes/Transistor%20MOSFET.pdf
[4] http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transis
tores%20de%20Efecto%20Campo.pdf
[5] http://www.solecmexico.com/electronica/transistorbj.pdf
[6] http://www.ee.washington.edu/research/pemodels/papers/IGBT-PESC01.pdf
[7] http://pels.edv.uniovi.es/pels/pels/Pdf/Leccion%20Snubbers.pdf
[8] http://repository.upb.edu.co:8080/jspui/bitstream/123456789/483/1/digital_1
7607.pdf