Laporan Praktikum

Pengukuran Semester 3
No.Percobaan : 03
Judul Percobaan : Karakteristik Dioda
Grup : 1 (satu)
Nama Praktikum : Faar Kurnia (13130!0001)
Nama Partner : 1. "nda# $ukma % & (13130!000!)
!. $'a(ri)al (13130!00*+)
Kelas : ,eknik -istrik 3.
,an//al Percobaan : !0 $eptember !01+
,an//al Pen'era#an : 01 2ktober !01+
Program Studi Teknik Listrik
Jurusan Teknik Elektro
Politeknik Negeri Jakarta
Tahun 2014
3.1 Tujuan Praktikum
$etela# sa'a melakukan praktikum ini3 sa'a dapat :
Nilai :
a) &en//ambarkan karakteristik 45" dioda /ermanium3 silikon dan )ener.
b) &enentukan te/an/an cut in (46).
c) &en/#itun/ resistansi statis (%s).
d) &en/#itun/ resistansi dinamis (rd).
e) &enampilkan karakteristik dioda secara lan/sun/ den/an memper/unakan osiloskop.
() &embandin/kan parameter dioda /ermanium3 dioda silikon dan dioda )ener.
3.2 !asar Teori
Kita dapat men'elidiki karakteristik statik dioda3 den/an cara memasan/ dioda seri den/an
sebua# catu da'a D6 dan sebua# resistor. Kur7a karakteristik statik dioda merupakan (un/si dari
arus "
D
(arus 'an/ melalui dioda) ter#adap te/an/an 4
D
(beda te/an/an antara titik a dan b) (li#at
/ambar 1 dan /ambar !)
Karakteristik statik dioda dapat diperole# den/an men/uba# 4
DD
lalu men/ukur te/an/an
dioda (4
D
) dan arus 'an/ melalui dioda ("
D
). 8ila #ar/a 4
DD
diuba#3 maka arus "
D
dan te/an/an 4
D
akan beruba# pula. Jika anoda berada pada te/an/an lebi# tin//i daripada katoda (4
D
positi()
dioda dikatakan mendapat bias forward atau bias mau. 8ila 4
D
ne/ati( disebut bias reverse atau
bias mundur. Pada /ambar 3.13 4
6
disebut cut in voltage atau te/an/an #idup3 "
$
(arus saturasi) dan
4
P"4
adala# peak inverse voltage. 8ila kita mempun'ai karakteristik statik dioda dan kita ta#u
#ar/a 4
DD
dan %
3
maka #ar/a arus "
D
dan 4
D
dapat kita tentukan seba/ai berikut. Dari /ambar 3.1
4
DD
9 4
D
: (".%
-
) atau " 9 5 (4
D
; %
-
) : (4
DD
; %
-
)
3.2.1 !" atau #esistansi statis dioda
.plikasi te/an/an D6 pada ran/kaian 'an/ berisi dioda semikonduktor akan men/#asilkan
titik operasi pada kur7a karakteristik 'an/ tidak akan beruba# ter#adap <aktu atau disebut
resistansi statis. %esistansi statis dioda pada titik operasi dapat dicari den/an rumus seba/ai
berikut :
3.2.2 $" atau #esistansi dinamis diode
Pada input sinusoidal teradi 7ariasi input 'an/ akanmen//erakkan tiitk operasi naik turun
pada daera# karakteristik danmenetapkan peruba#an 'an/ spesi(ik pada arus dan te/an/an
sepertipada /ambar 3.33 ika tidak ada 7ariasi sin'al3 titik operasi adala# =5point.Garis lurus
membentuk tan/en pada kur7a melalui =5pointseperti pada /ambar 3.+3 akan menentukan
peruba#an te/an/an danarus 'an/ dapat di/unakan untuk menentukan resistansi dinamik
darikarakteristik dioda. %esistansi dinamik diode dapat dicari den/an rumusseba/ai berikut:
Garis lurus membentuk tan/en pada kur7a melalui =5point seperti pada /ambar 3.+3 akan
menentukan peruba#an te/an/an dan arus 'an/ dapat di/unakan untuk menentukan resistansi
dinamik dari karakteristik dioda. %esistansi dinamik diode dapat dicari den/an rumus seba/ai
berikut:
!$%T$# PE#$L$T$N
1. Po<er suppl' D6
!. Po<er suppl' .6
3. &ultimeter
+. 2siloskop
*. Dioda /ermanium3 silikon dan )ener
1. %esistor 100>
?. Protoboard
@. -ead
!&$'#$( #$N')$&$N

P#*SE!+# PE#"*,$$N
1. Kami membuat ran/kaian sama seperti /ambar 13 kemudian kami per/unakan dioda
/ermanium3 dan kami catat #asil pen/ukurann'a pada tabel 1.
!. Kami membuat ran/kaian sama seperti /ambar !3 kemudian kami per/unakan dioda
/ermanium3 dan kami catat #asil pen/ukurann'a pada tabel 1.
3. Kami ulan/i prosedur 1 dan ! den/an men//anti diodan'a menadi dioda silikon3 dan #asil
pen/ukurann'a terdapat pada tabel !.
+. Kami ulan/i prosedur 1 dan ! den/an men//anti diodan'a menadi dioda )ener3 dan #asil
pen/ukurann'a terdapat pada tabel 3.
*. Kami membuat ran/kaian sama seperti /ambar 33 kemudian kami #idupkan osiloskop
pada (ormat displa' A5B3 kemudian kami menaikkan te/an/an sumber D6 secara
perla#an5la#an sampai maksimum. Kemudian kami /ambar #asiln'a pada kertas
milimeter. Kami /unakan dioda silikon3 /ermanium dan dioda )ener secara ber/antian.
T$,EL E-$L+$S&
,abel 1 : Dioda /ermanium
8ias &au 8ias &undur
4F (7olt) "F (m.) 4% (7olt) "%(m.)
0.31 0.* 1 3 x 10
-3
0.*+ ! 3 5.2 x 10
-3
0.?1 * 1 8.4 x 10
-3
0.@1 ? @ 11 x 10
-3
1 10 10 13.5 x 10
-3
1.1? 1* 1! 16.5 x 10
-3
1.31 !0 1+ 18 x 10
-3
1.*3 30 11 23 x 10
-3
1.1+ +0 1@ 27 x 10
-3
1.?@ *0 !0 31 x 10
-3
,abel ! : Dioda silikon
8ias &au 8ias &undur
4F (7olt) "F (m.) 4% (7olt) "%(m.)
0.** 0.* 1 10
-3
0.11 ! 3 2 x 10
-3
0.1? * 1 3.2 x 10
-3
0.1@ ? @ 4.5 x 10
-3
0.10* 10 10 5.3 x 10
-3
0.?! 1* 1! 6.3 x 10
-3
0.?3 !0 1+ 7.3 x 10
-3
0.?+ 30 11 8.3 x 10
-3
0.?1 +0 1@ 9.3 x 10
-3
0.??* *0 !0 10.3 x 10
-3
,abel 3 : Dioda )ener
8ias &au 8ias &undur
4F (7olt) "F (m.) 4% (7olt) "%(m.)
0.?+ 0.* 1 10
-3
0.?1 ! 3 2 x 10
-3
0.?@ * 1 3.2 x 10
-3
0.@ ? @ 4.2 x 10
-3
0.@1* 10 10 5.2 x 10
-3
0.@!* 1* 1! 6.1 x 10
-3
0.@+ !0 1+ 7.1 x 10
-3
0.@* 30 11 8.1 x 10
-3
0.@1 +0 1@ 9.1x 10
-3
0.@? *0 !0 -