Capítulo I - Física de Los Semiconductores Sep2013 PDF

Universidad de Cuenca Facultad de Ingeniera
1 Ing. Vinicio Iiguez Morn Electrnica Analgica Marzo Julio 2013

NDICE

1. Introduccin. ................................................................................................................................. 3
2. Objetivo General. .......................................................................................................................... 3
3. Objetivos Especficos..................................................................................................................... 3
4. Desarrollo. .................................................................................................................................... 3
4.1. Conceptos bsicos de la Fsica de los Semiconductores ........................................................ 3
4.2. El Modelo Atmico de Bohr .................................................................................................. 6
4.2.1. Postulados del Modelo Atmico de Bohr ...................................................................... 8
4.2.2. Niveles o bandas de energa del Modelo Atmico de Bohr ........................................... 8
4.2.3. Esquemas atmicos Modelo de Bohr ......................................................................... 9
4.2.4. Valencia Modelo de Bohr ......................................................................................... 11
4.2.5. Bandas de energa en estructuras moleculares materia........................................... 13
4.2.6. Grado de pureza de un Semiconductor ....................................................................... 16
4.3. Materiales Extrnsecos: Tipo N y Tipo P .............................................................................. 17
4.3.1. Materiales Tipo n ........................................................................................................ 17
4.3.2. Materiales Tipo p ........................................................................................................ 19
4.3.3. Efectos sobre la conduccin ........................................................................................ 20
4.4. El Diodo semiconductor - La unin P N ............................................................................ 21
4.5. Polarizacin del Diodo ......................................................................................................... 22
4.5.1. Sin Polarizacin ( ) ........................................................................................ 22
4.5.2. Polarizacin inversa ................................................................................... 23
4.5.3. Polarizacin directa .................................................................................... 24
4.6. Caractersticas V I ............................................................................................................. 25
4.7. Efectos de la Temperatura .................................................................................................. 27
4.8. Diodo ideal vs. Diodo prctico............................................................................................. 28
4.9. Niveles de Resistencia ......................................................................................................... 29
4.10. Circuitos equivalentes del Diodo ..................................................................................... 33
4.10.1. Circuito equivalente lineal por segmentos .................................................................. 34
4.10.2. Circuito equivalente simplificado ................................................................................ 35
4.10.3. Circuito equivalente ideal............................................................................................ 36
4.11. Disipacin de Potencia .................................................................................................... 36


4.12. Capacitancia del Diodo .................................................................................................... 37
4.13. Tiempo de recuperacin inversa ..................................................................................... 38
4.14. Diodos especiales ............................................................................................................ 40
4.14.1. Diodo Zener ................................................................................................................. 40
4.14.2. Otros diodos especiales............................................................................................... 43
4.15. Anlisis de circuitos con diodos ....................................................................................... 44
4.15.1. Mtodo de la recta de carga ....................................................................................... 44
4.15.2. Aplicacin del mtodo de la recta de carga (simplificado) a circuitos ms complejos 47
4.16. Aplicaciones y ejemplos de circuitos con Diodos ............................................................ 50
4.16.1. Rectificador de media onda ........................................................................................ 50
4.16.2. Rectificador de onda completa Puente de Graetz .................................................... 52
4.16.3. Rectificador de onda completa Transformador de toma central ............................. 56
4.16.4. Multiplicadores de tensin .......................................................................................... 58
5. BIBLIOGRAFA.............................................................................................................................. 61
6. REFERENCIAS DE INTERNET ........................................................................................................ 61


Captulo I: Fsica de los Semiconductores
1. Introduccin.
En el captulo inicial de la asignatura de Electrnica Analgica se estudiar la Fsica de los
semiconductores; partiendo de los materiales utilizados para su fabricacin y sus
caractersticas ms importantes. El entendimiento de los conceptos presentados en este
captulo es fundamental ya que los restantes captulos tratan sobre dispositivos que han
sido descubiertos gracias al estudio de los semiconductores y estn construidos en base a
ellos.
2. Objetivo General.
Conocer los conceptos fundamentales correspondientes a los materiales semiconductores,
para entender el funcionamiento de los elementos de estado slido que se estudiarn a lo
largo del curso.
3. Objetivos Especficos.
Introducir el concepto de semiconductor, presentando en primer lugar la clasificacin de los
materiales segn sus caractersticas elctricas. Presentar y analizar el modelo atmico de
Bohr como base fundamental para conocer la configuracin electrnica de los materiales
semiconductores. A partir del tomo de Bohr estudiar la teora de las bandas de energa,
presentar los conceptos de los materiales tipo N y tipo P. Finalmente analizar la unin de
estos materiales; es decir, las caractersticas y el funcionamiento del Diodo semiconductor.
4. Desarrollo.
4.1. Conceptos bsicos de la Fsica de los Semiconductores
Qu es lo primero que se nos viene a la mente al observar o tocar un objeto nuevo? (en
nuestro caso particular un elemento electrnico) por lo general surgen interrogantes tales
como: qu es?, qu hace?, para qu sirve? Y seguramente nuestra curiosidad nos
llevar a formular otra muy comn; de qu est hecho?
En el caso de los elementos de estado slido (diodos, transistores, etc.) o los circuitos
integrados (configuraciones circuitales de los mencionados previamente), se trata de
materiales semiconductores de alta calidad. Por lo tanto para comenzar con el estudio de la
Electrnica Analgica debemos introducir el concepto de semiconductor.


Para cumplir con este objetivo primero tenemos que recordar algunos conceptos
importantes.
La resistividad elctrica est definida por la siguiente expresin:

2
RA cm
cm
l cm

En donde R es la resistencia elctrica del material en , A es el rea de la seccin
transversal y L la longitud del segmento de material analizado.

La conductividad elctrica es la caracterstica inversa a la resistividad (
), y se define
como la medida de la capacidad de un material para dejar circular la corriente elctrica.

En general los materiales se clasificacin segn sus propiedades elctricas (resistividad
conductividad elctrica ) en:

- Dielctricos
- Conductores

Se denomina dielctrico a un material que es mal conductor de la electricidad; es decir,
aquel que tiene un valor de conductividad muy bajo. Un dielctrico se puede utilizar como
aislante elctrico gracias a esta propiedad; pero no se debe olvidar que aunque todo
dielctrico es un aislante, no todo aislante es un dielctrico.

Cuando se somete a un material dielctrico a un campo elctrico externo, se establece un
campo elctrico interno en l; y es capaz de mantenerlo en estado de equilibrio, sin que pase
corriente elctrica por l.

La energa necesaria para establecer dicho campo interno se puede recuperar total o parcialmente
en forma de energa elctrica. Debido a esta propiedad existen los capacitores, que son elementos
que almacenan energa en forma de campo elctrico.

Microscpicamente la mayor diferencia entre un metal conductor y un dielctrico radica en
la cantidad de electrones disponibles para la conduccin de corriente. Un material con alta
conductividad elctrica se lo conoce como conductor mientras que uno con un valor bajo de


esta propiedad se denomina dielctrico. Un material cuyo valor de conductividad cae en
algn lugar entre los metales y aislantes se denomina semiconductor (Sadiku).

Semiconductor: Es una clase especial de elemento cuya conductividad se encuentra entre
la de un buen conductor y la de un aislante (Boylestad & Nashelsky, 2009). En la Tabla 1 se
presentan algunos materiales y sus valores de resistividad elctrica
Tabla 1. Materiales con sus respectivos valores de resistividad elctrica
Conductor Semiconductor Dielctrico
6
10 cm

(Cobre)
50 cm (Germanio)
3
50 10 x cm (Silicio)
12
10 cm
(Mica)

Materiales utilizados para la fabricacin de semiconductores
Existen dos clases de semiconductores:
- De un solo cristal: Germanio (Ge) y Silicio (Si) estructura cristalina repetitiva
- Compuestos: Arseniuro de Galio (GaAs); Sulfuro de Cadmio (CdS); Nitruro de Galio
(GaN); Fosfuro de Galio y Arsnico (GaAsP). Estn hechos de dos o ms materiales
semiconductores diferente estructura atmica
Cuando se descubrieron los dos elementos fundamentales de la electrnica (1939 y 1949);
el elemento ms utilizado era el Germanio. Material abundante, fcil de encontrar y refinar;
pero los elementos construidos con este material eran muy sensibles a la temperatura.
El silicio era conocido, pero no se haban perfeccionado las tcnicas de refinacin de este
material; hasta 1954. El material es abundante, tiene mejor comportamiento frente a los
cambios de temperatura y su uso permiti la evolucin de la tecnologa hasta nuestros das.
A medida que aparecan y evolucionaban las aplicaciones de la electrnica, tales como los
ordenadores o los sistemas de comunicacin; tom mayor relevancia otra caracterstica de
los elementos de estado slido: la velocidad de operacin. Es entonces en 1970 que
aparece el primer transistor construido con arseniuro de galio, con aproximadamente 5
veces la velocidad de uno de silicio. Pero con algunas desventajas, su escasez por la
dificultad de fabricacin y su alto costo frente al ya conocido y mejorado silicio.


Con el tiempo, las exigencias de velocidad obligaron a investigar al nuevo material y ahora
es la base para la fabricacin de CI de VLSI (muy alta escala de integracin); aunque por
ahora el silicio domina la industria de la tecnologa.
4.2. El Modelo Atmico de Bohr
Es necesario entender cmo se estructuran los tomos de un material semiconductor, y
como se enlazan para formar un cristal. Para esto debemos recordar algunas definiciones
importantes de nuestros conocimientos bsicos de qumica, relacionados con la estructura
atmica de los elementos qumicos (Snchez, 1980). Estos son:
Masa atmica (A): Es la suma del nmero de protones y el nmero de neutrones que
conforman el ncleo del tomo. Es el peso relativo con que interviene un elemento en un
compuesto qumico.
Peso atmico estndar: Se refiere a la media de las masas atmicas relativas de un
elemento en el medio local de la corteza terrestre y la atmsfera terrestre. Su valor se
incluye en la tabla peridica con una incertidumbre entre parntesis.
Nmero atmico (Z): Nmero de cargas positivas o Protones que se encuentran en el
ncleo, y es igual al nmero de electrones que se encuentran orbitando en la corona. Este
nmero define la posicin del elemento en la Tabla Peridica. Por ejemplo: el hidrogeno
tiene ; por lo tanto se encuentra en la primera posicin, tiene 1 protn en ncleo y 1
electrn orbitando al ncleo en la corona.
Valencia atmica: Es el nmero de electrones que se encuentran en la ltima capa o capa
externa de un tomo. A estos electrones se los conoce como electrones de valencia y de
ellos depende la valencia o capacidad de combinacin de los tomos para formar
molculas.
Tabla Peridica: Es una tabla en la que se clasifican y ordenan todos elementos qumicos
conocidos, en base a sus propiedades y caractersticas. Se le atribuye a Dmitri Mendelyev,
pero la actual incluye modificaciones a su diseo realizadas por Alfred Werner. El orden de
la tabla sigue la estructura electrnica de los tomos; en ella se encuentran los elementos
distribuidos en 7 hileras denominadas periodos y 18 columnas conocidas como grupos o
familias. Tambin se divide en cuatro grupos que definen bloques segn el orbital
que estn ocupando los electrones de valencia.


En cada grupo se encuentran elementos que tienen la misma valencia atmica. Estos
elementos tienen propiedades similares. Los 18 grupos son: IA; IIA; IIIB; IVB; VB; VIB; VIIB;
VIIIB; VIIIB; VIIIB; IB; IIB; IIIA; IVA; VA; VIA; VIIA; VIIIA. Por ejemplo el arsnico est en el
grupo VA, por lo tanto tiene 5 electrones de valencia.
Las siete hileras o periodos agrupan, cada una, a elementos con propiedades diferentes
pero con masas atmicas similares. El periodo representa el nmero de orbitales o niveles
de energa permitidos que tienen los tomos que pertenecen a ese periodo.
Segn el modelo de Bohr un tomo est compuesto por una porcin central llamada ncleo,
en donde se encuentran los Protones y Neutrones; y una regin externa a ste denominada
corona atmica en donde se encuentran los electrones. La estructura atmica de este
modelo es la que se muestra en la Figura 1 (b).

(a)

(b)
Figura 1. (a) Componentes y (b) Estructura del tomo de Bohr

Atomo
Protones y Neutrones Ncleo
Electrones rbitas fijas al rededor del ncleo


Niels Bohr propone un modelo atmico tomando en cuenta las nuevas ideas de la Fsica
Cuntica, en el cual los electrones giran alrededor del ncleo describiendo rbitas
circulares. Estas rbitas tienen distintos niveles energticos que se incrementan en
magnitud a medida que se alejan del ncleo (ver Figura 1).
4.2.1. Postulados del Modelo Atmico de Bohr
El modelo de Bohr se basa en los siguientes postulados:
1. Los electrones describen rbitas circulares en torno al ncleo del tomo sin radiar
energa.

2. No todas las rbitas estn permitidas para los electrones. Se pueden encontrar
nicamente en rbitas especficas en donde su radio cumple con la condicin: el
momento angular o momento cintico del electrn debe ser mltiplo entero de

, donde
es la constante de Plank. El radio de la

primera rbita (radio de Bohr) es de 0.56 angstrom y su nivel de energa es de
(conocida como energa del estado fundamental del tomo de hidrgeno)

3. El salto de un electrn de un nivel electrnico o cuntico a otro implica la emisin o
absorcin de un nico cuanto de luz (fotn) cuya energa corresponde a la diferencia
de energa entre ambas rbitas.

4. Los electrones pueden pasar de un nivel de energa u orbital a otro (salto cuntico o
transicin electrnica) sin pasar por niveles intermedios (niveles no permitidos o
bandas prohibidas)

4.2.2. Niveles o bandas de energa del Modelo Atmico de Bohr
Son las capas de electricidad negativa que forman los electrones en la corona atmica. Los
electrones se encuentran girando en los niveles de energa a una velocidad prxima a la de
la luz y a diferentes distancias del ncleo segn su cantidad o nivel de energa. Se les
designa con las letras K, L, M, N, O, P y Q, siendo K el nivel ms bajo y cercano al ncleo;
aunque actualmente se utiliza nmeros para su denominacin 1, 2, etc.


En cada nivel de energa se pueden encontrar un cierto nmero de electrones segn su
cantidad de energa. El nmero de electrones se puede calcular con la siguiente expresin:
[1]
En donde es el nmero que se asigna a cada nivel energtico . De
este modo se tiene que:
En el nivel de energa se pueden encontrar hasta
electrones
electrones
electrones
electrones
Desde el nivel O, ya no se aplica la expresin [1], ya que desde este nivel el nmero
mximo de electrones que se pueden encontrar decrece de la misma forma.

4.2.3. Esquemas atmicos Modelo de Bohr
Para representar esquemticamente un tomo, con fines prcticos debemos conocer:
- Su nmero atmico (Z)
- Su masa atmica (A)
- El grupo y el periodo en el que se encuentra dentro de la tabla peridica
Una vez conocidos estos datos se procede de la siguiente forma:
1. El periodo indica cuantas rbitas o niveles de energa posee el tomo

2. El nmero atmico Z indica el nmero de protones que hay en el ncleo, y tambin
cuantos electrones se encuentran en la corona atmica, distribuidos en las
diferentes bandas de energa.

3. El nmero de electrones del tomo se distribuye en los niveles de energa posibles,
utilizando la expresin [1]. Para esto, se debe tener presente lo que se calcul
previamente:


En el nivel K = 1 pueden estar hasta 2 electrones
En el nivel L = 2 pueden estar hasta 8 electrones
En el nivel M = 3 pueden estar 8 o hasta 18 electrones
En el nivel N = 4 pueden estar 8, 18 o hasta 32 electrones
En el nivel O = 5 pueden estar 8 o hasta 18 electrones
En el nivel P = 6 pueden estar hasta 8 electrones
En el nivel Q = 7 pueden estar hasta 2 electrones

4. Se dibuja un crculo pequeo en donde se colocar el nmero de protones y el
nmero de neutrones del ncleo (A Z = nmero de neutrones). Esto sirve para
representar el ncleo. En otros casos, como el del ejemplo de la Figura 2, se coloca
en el interior del crculo que representa al ncleo la valencia del elemento.

5. Se traza un crculo concntrico al ncleo, y en l se dibujan tantos electrones
cuantos electrones de valencia (ltimo nivel energtico) tenga el tomo
esquematizado. Esto se hace para indicar la valencia del elemento qumico.

En la Figura 2 se presenta un ejemplo de esquema atmico, para el tomo de Germanio.
Este elemento tiene Z = 32; A(72) Z = 40; su periodo (niveles de energa) es 4 y su
distribucin electrnica es: K = 2, L = 8, M = 18, y finalmente N = 4 (dado que K + L + M =
28, solo pueden estar los 4 electrones restantes en el ltimo nivel energtico; lo que se
comprueba al constatar que el germanio se encuentra en el grupo IVA de la tabla peridica
lo que indica que tiene 4 electrones de valencia).

Figura 2. Esquema atmico para el tomo de Germanio (Ge). Izquierda: el tomo con la
distribucin completa de electrones en sus 4 niveles energticos. Derecha el mismo
esquema pero simplificado


4.2.4. Valencia Modelo de Bohr
Ya se ha visto la configuracin electrnica de un tomo, ahora con estos conocimientos se
puede analizar como se enlazan los tomos para formar molculas.
La capacidad de combinacin que tienen los tomos para unirse con otros iguales o
diferentes para formar molculas se denomina valencia. Como ya se habia visto esta
capacidad depende del nmero de electrnes de valencia, es decir de aquellos que se
encuentran la rbita ms externa del tomo.
Dicho de otra forma la valencia depende del nmero de electrones que un tomo est en
condiciones de ceder a o tomar en su nivel perifrico para tener una configuracin estable.
Esta condicin es la de tener 8 electrnes perifricos, tal como lo tienen los gases raros
(argn: A = 39, Z = 18, periodo = 3, grupo = VIIIA). El trmino valencia se utiliza para indicar
que el potencial de ionizacin requerido para remover cualquiera de estos electrones de la
estructura atmica es significativamente ms bajo que el requerido para cualquier otro
electrn de la estructura (Boylestad & Nashelsky, 2009).
Si un tomo tiene entre 1 y 4 electrnes de valencia, se dice que le sobran electrones y
tiende a cederlos porque la capa anterior ya debe estar completa 8 electrones (ejemplo
Sodio: periodo = 3, grupo = IA, Z = 11; por tanto le sobra un electrn). Mientras tanto, si a
un tomo le faltan entre 1 y 4 electrones para completar un octeto, se dice que le faltan
electrones y tiende a tomarlos de otro tomo (cloro: periodo = 3, grupo = VIIA, Z = 17; por lo
tanto le falta 1 electrn).
Clases de Valencia
Hay tres clases de valencia qumica: la electrovalencia, la covalencia y la covalencia por
coordinacin.
Electrovalencia: o enlace inico entre dos tomos, uno de los cuales cede electrones al
otro para tener una configuracin estable entre los dos; tal como la de los gases raros. En
este proceso los tomos adquieren carga elctrica, es decir se convierten en ines.
Covalencia: es un enlace entre tomos que comparten pares de electrnes perifricos,
para as tener una configuracin estable entre los dos. En este tipo de valencia no existe
prdida ni ganancia de electrnes no hay ionizacin. Ejemplo el Metano
, el carbono
tiene 4 electrones perifricos y le hacen falta 4 para formar una configuracin estable (como
la del Nen), por lo tanto con 4 tomos de hidrgeno cada uno cediendo su electrn y
tomando uno (para tener la configuracin del Helio en el nivel u rbita K).


Al unirse el tomo de carbono con los 4 tomos, se forman pares de electrones
compartidos; permitiendo que el carbono tengo 8 electrones perifricos y el hidrgeno 2.
Carbono: periodo = 2; grupo = IVA; Z = 6.
Hidrgeno: periodo = 1; grupo = IA; Z = 1.
Nen: periodo = 2; grupo IIIV (configuracin estable); Z = 10.
Helio: periodo = 1; grupo IIIV (configuracin estable); Z = 2.
Covalencia coordinada: conocida como covalencia dativa, se produce cuando un tomo
dador cede un par de electrones a otro denominado aceptor. Esta se produce en la
formacin de iones tales como el amonio o el hidronio.


4.2.5. Bandas de energa en estructuras moleculares materia
Ya se analiz la configuracin electrnica de un tomo aislado haciendo uso del modelo
atmico de Bohr. Ahora para proseguir con el estudio de los materiales semiconductores y
sus caracterstias electrnicas es importante examinar que sucede en un material a nivel
molecular. Para esto continuaremos utilizando el modelo de Bohr y los conceptos bsicos
de qumica que se presentaron en las secciones anteriores.
En los materiales semiconductores ms importantes; el silicio, el germanio y el arseniuro de
galio, sus tomos se encuentran formando enlaces covalentes. Los dos primeros son de un
solo cristal y el tercero es una estructura compuesta (arsenio y galio). En la Figura 3 se
puede apreciar el arreglo que forman los tomos de silicio y de arseniuro de galio, mediante
enlaces covalentes.

(a) (b)
Figura 3. Enlace covalente. (a) Cristal de silicio; (b) Cristal de Arseniuro de Galio
(Boylestad & Nashelsky, 2009)

Cuando los tomos se enlazan para formar la estructura molecular (cristalina) del material
interactan entre ellos, y debido a esta interaccin los electrones de valencia de un tomo
presentan ligeras diferencias en sus niveles energticos con respecto a aquellos de los
tomos adyacentes. Por lo tanto el nmero de orbitales de valencia (a nivel molecular)
dentro del material es tan elevado y la diferencia de energa entre ellos es tan pequea que
dichos orbitales en conjunto forman niveles energticos continuos. Por otro lado, y tambien
debido a las diferencias de energa entre los electrones de valencia de los tomos se crean
brechas entre las diferentes bandas.


En consecuencia a nivel molecular los materiales tambien presentan una estructura de
bandas de energa. En la Figura 4 se representan los niveles de energa a nivel atmico.

Figura 4. Niveles o bandas se energia a nivel atmico

De este modo se pueden distinguir las siguientes bandas de energa en una estructura
molecular:
- Banda de Valencia: Est banda se forma con aquellos electrones cuyo nivel de
energa es sufienciente para mantenerlos en su estructura atmica. Se encuentran
formando los enlaces y no intervienen en la conduccin elctrica.
El trmino valencia se utiliza para indicar que el potencial de ionizacin requerido
para remover cualquiera de los electrones ubicados en el ltimo nivel energtico
(banda de valencia) de la estructura atmica es significativamente ms bajo que el
requerido para cualquier otro electrn del mismo tomo.
- Banda de Conduccin: Esta banda se forma con aquellos electrnes que tienen
(se encontraban en estado libre) o adquirieron la suficiente energa (fuentes
externas) durante la interaccin para romper su estructura atmica de origen. Estos
son los responsables de la conduccin de la corriente elctrica.

Aunque el enlace covalente produce un enlace ms fuerte entre los electrones de
valencia y su tomo de origen, es posible que los electrones adquieran suficiente
energa de fuentes externas (luz en forma de fotones o calor) para romper el enlace
covalente y asumir el estado libre.


Estado libre de un electrn. Se dice que un electrn tiene el estado libre cuando se
encuentra fuera de la estructura atmica y es sensible a cualquier campo elctrico
aplicado (fuente de tensin o diferencia de potencial).

- Banda Prohibida: Brecha o nivel energtico entre las bandas de valencia y de
conduccin. Este nivel energtico resulta de la diferencia de energa entre los
electrones que permanencen en la estructura atmica y aquellos que rompieron el
enlace o se encontraban en estado libre durante la interaccin atmica. En esta
banda no puede localizarse ningn electrn, su nivel de energa est prohibido.
En la Figura 5 se muestra la configuracin de bandas de energa en una estructura
molecular. En dicha figura se pueden apreciar los niveles energticos para materiales
dielctricos, semiconductores y conductores.

Figura 5. Niveles o bandas de energa a nivel molecular. De izquierda a derecha:
Dielctrico, Semiconductor y finalmente Conductor (Boylestad & Nashelsky, 2009)

De la Figura 5 se pueden obtener algunas conclusiones muy interesantes basadas en los
conceptos presentados hasta este punto. La banda prohibida en un material dielctrico es
considerablemente mayor (ms ancha) que en los semiconductores; y en un material
conductor esta banda no existe, es decir hay un solapamiento de la banda de valencia con
la de conduccin.
La banda prohibida en un semiconductor se encuentra en un nivel medio entre la de un
dielctrico y la de un conductor. Recuerde el concepto de material semiconductor, segn su
caracterstica de conductividad elctrica. Ahora se comprende la razn de esta definicin.


De este modo se puede decir que en un buen conductor todos sus electrones de valencia
estn disponibles o libres para la conduccin de corriente elctrica.
Entonces, en un material dielctrico ser necesario un potencial de ionizacin muy elevado
que suministre la suficiente energa para provocar un salto de un electrn de valencia hacia
la banda de conduccin. Mientras que en un conductor el potencial de ionizacin ser
considerablemente ms bajo, y rpidamente se establecer una corriente elctrica. Ver
Figura 5.
Por su parte los semiconductores presentarn un comportamiento distinto para potenciales
de ionizacin opuestos; en unos casos como aislante y en otros como conductor. Como se
ver ms adelante se pueden modificar las propiedades de ciertos semiconductores para
modificar su banda prohibida.
4.2.6. Grado de pureza de un Semiconductor
Es muy raro encontrar materiales con un 100% de pureza en estado natural; es decir
totalmente libre de partculas o molculas de otros materiales (conocidos como impurezas),
porque durante la formacin del material se formaron otros simultneamente. El proceso de
aumentar la pureza (o lo que es igual: eliminar las impurezas) de un material se llama
refinacin.
El avance tecnolgico en el rea de la fabricacin de semiconductores ha permitido
alcanzar niveles de pureza extremadamente elevados, al punto de tener 1 parte de
impurezas en 10 mil millones.

La importancia del grado de pureza de un semiconductor se puede entender si se tiene en
cuenta que aadir 1 parte de impureza en 1 milln a un material de silicio puede cambiar su
condicin de deficiente conductor de electricidad a buen conductor.

Partes por milln (ppm) es la unidad de medida con la que se evala la
concentracin. Se refiere a la cantidad de unidades de la sustancia
(agente, etc.) que hay por cada milln de unidades del conjunto. Por
ejemplo en un milln de granos de arroz, si se pintara uno de negro, este
grano representara una (1) parte por milln. Equivalencia: 10.000 ppm =
1%


Al proceso de aadir impurezas a un material semiconductor se denomina Impurificacin o
dopado. La capacidad de los materiales semiconductores estudiados (Ge, Si, GaAs) de
aceptar impurezas con facilidad y rapidez, para cambiar o modificar sus propiedades ha
sido aprovechada y puesta en prctica mediante este proceso.
Los materiales semiconductores se clasifican en dos grandes grupos segn su grado de
pureza:
Intrnsecos
Extrnsecos
Material intrnseco. Es un semiconductor refinado con extremo cuidado para reducir el
contenido de impurezas al mnimo posible; es decir, es un material tan puro como lo permite
la tecnologa actual (valores 1 parte en 10 mil millones son comunes hoy en da).
En estos materiales semiconductores se denominan portadores intrnsecos a los electrones
que se encuentran libres debido solo a causas externas (luz o calor).
Material Extrnseco. Es un semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado o
impurificacin. Tiene dos partes: el material base o sustrato y la impureza. El dopado
consiste en aadir un determinado nmero de impurezas al sustrato.
4.3. Materiales Extrnsecos: Tipo N y Tipo P
Esta seccin est dedicada a estudiar dos de los materiales extrnsecos ms importantes
para la fabricacin de dispositivos semiconductores. Estos son los materiales tipo p y tipo
n, ambos obtenidos con silicio como sustrato.
La adicin de impurezas a una base de silicio puede alterar significativamente las
caractersticas del semiconductor, aun cuando se agregan 1 parte en 10 millones.
4.3.1. Materiales Tipo n
Estos materiales extrnsecos se forman aadiendo tomos con cinco electrones de valencia
(pentavalentes) a un sustrato o base de silicio (tetravalente); tales como el antimonio, el
arsnico o el fsforo. En la Figura 6 se presenta un material tipo n formado con una base de
silicio e impurezas de antimonio.
El efecto de la impureza de antimonio; en primer lugar, es la de permitir el arreglo o enlace
covalente de los cuatro electrones de valencia del silicio con cuatro de los cinco electrones
de valencia del antimonio.


En segundo lugar, queda un electrn de la impureza de antimonio que no est asociando a
ningn enlace. Por tanto este electrn se encuentra libre para moverse sobre el material. A
las impurezas pentavalentes se las conoce como tomos donadores.

Figura 6. Material tipo n. Base de silicio e impurezas de antimonio (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

Finalmente, y como efecto fundamental, es la aparicin de un nivel energtico discreto (nivel
del donador) mayor al de la banda de valencia, en donde se localizan los electrones libres
de las impurezas (ver Figura 7). Al estar localizados en este nivel energtico estos electrones
podrn absorber con gran facilidad la suficiente energa para saltar a la banda de
conduccin, a temperatura ambiente.
De este modo se incrementa la conductividad elctrica del material semiconductor a
temperatura ambiente, ya que se ha incrementado de forma significativa el nmero de
portadores libres (en este caso electrones) en la estructura molecular.
El nombre de material tipo n, hace referencia a que las impurezas agregan electrones
como portadores libres al sustrato.


Figura 7. Efecto del tomo donador en los niveles energticos de la estructura molecular de
un material tipo n (Boylestad & Nashelsky, 2009)

4.3.2. Materiales Tipo p
Estos materiales extrnsecos se forman mediante la adicin de tomos con tres electrones
de valencia como impurezas durante el proceso de dopado. Para esto se utilizan materiales
como el galio, el boro o el indio. La estructura molecular de un material tipo p con una base
o sustrato de silicio e impurezas de boro, se muestra en la Figura 8.

Figura 8. Material tipo p. Base de silicio e impurezas de boro (Boylestad & Nashelsky,
2009)


El efecto de una impureza trivalente en una base de material tetravalente es el espacio
vaci o hueco que se forma en la estructura molecular, debido a la falta de un electrn para
completar uno de los enlace covalentes.
De este modo, la banda de valencia de la estructura se encuentra incompleta, por lo tanto
esta impureza puede aceptar un electrn libre. Entonces a las impurezas trivalentes se las
denomina tomos aceptores.
La denominacin de material tipo p, significa que las impurezas agregan huecos a la
estructura molecular, los cuales se representan o consideran positivos debido a la ausencia
de un electrn (o que un electrn puede ocupar dicho espacio vaco)

4.3.3. Efectos sobre la conduccin
Los electrones en los materiales tipo n, y los huecos en los materiales tipo p se denominan
portadores mayoritarios; ya que son estos los elementos agregados por las impurezas en
la estructura molecular del sustrato. Al contrario, los huecos en los materiales tipo n y los
electrones en los materiales tipo p se denominan portadores minoritarios, ya que son
intrnsecos al material y su presencia no se debe al proceso de dopado. En la Tabla 2 se
resumen estas caractersticas, y en la Figura 9 un esquema grfico para cada tipo de
material.
Tabla 2. Clases de portadores en los materiales Tipo n y Tipo p
MATERIAL EXTRNSECO
PORTADORES
MAYORITARIOS
PORTADORES
MINORITARIOS
Tipo n Electrones Huecos
Tipo p Huecos Electrones

RECORDAR: Que el material semiconductor extrnseco sigue siendo
neutro aun cuando existe un gran nmero de portadores libres (electrones
o huecos) en la estructura molecular. Esto se debe a que el nmero de
cargas positivas presentes en los ncleos de los tomos de sustrato y en
los de impurezas equilibran al total de portadores libres.


Cuando un electrn de la estructura molecular, adquiere la energa suficiente para moverse
en el material y pasa a ocupar un hueco, se crean 1 in positivo (tomo que perdi el
electrn) y 1 in negativo (tomo que gan un electrn, perdi un hueco). Esto se
representa en la Figura 9, mediante los crculos con signos positivos y negativos en el
material tipo n y tipo p respectivamente.

Figura 9. Ilustracin de la estructura interna de los materiales tipo n y tipo p.

Para la direccin de la corriente elctrica se utilizar la del flujo convencional, es decir la del
flujo de huecos. Dicho de otra forma, se conoce que es el electrn el que adquiere energa
para moverse y ocupar un hueco, pero la direccin de flujo convencional, establece que
son las cargas positivas las que se mueven hacia las negativas. En nuestro caso eso quiere
decir que son los huecos los que fluyen hacia los electrones.
4.4. El Diodo semiconductor - La unin P N
Luego de haber estudiado a los materiales semiconductores extrnsecos tipo n y tipo p, se
puede abordar el concepto de Diodo semiconductor.
El Diodo semiconductor es un dispositivo creado mediante la unin de un material tipo n y
un material tipo p. En la Figura 10 se presenta grficamente la unin p n, y a su lado el
smbolo utilizado para representar a un diodo en los esquemas o circuitos elctricos y
electrnicos que se utilizan durante el curso.


Figura 10. Diodo semiconductor. Unin p n y smbolo elctrico (Ochoa, 2011)

Los terminales de un diodo se conocen como nodo (material tipo p) A y ctodo (material
tipo n) K (ver Figura 10).

4.5. Polarizacin del Diodo
Idealmente, el diodo se comporta como un interruptor, que permite el paso de la corriente
en una sola direccin. Especficamente, cuando se aplica un voltaje positivo de nodo a
Ctodo A-K (polarizacin directa), existe circulacin de corriente. Cuando se aplica un
voltaje negativo entre el A-K (polarizacin inversa), no existe circulacin de corriente en el
dispositivo (Ochoa, 2011).

Dado que el diodo es un dispositivo de 2 terminales, la aplicacin de un voltaje a travs de
estos ofrece 3 posibilidades:

Sin polarizacin V
D
= 0
Polarizacin directa V
D
> 0
Polarizacin inversa V
D
< 0

A continuacin se analizarn las tres posibles polarizaciones del diodo semiconductor.

4.5.1. Sin Polarizacin (
)
Sin la presencia de un campo elctrico externo
, en la unin p n solo existir la

interaccin atmica de la estructura molecular. Es decir, los portadores mayoritarios de las
regiones n y p se combinarn en las cercanas de la unin; tal como se muestra en la Figura
11.


Figura 11. Distribucin de carga interna en una unin p n sin polarizacin (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

El resultado de esta combinacin es la presencia de iones positivos en la regin n y de
iones negativos en la regin p cerca de la unin de los materiales extrnsecos. Esta regin
se denomina regin de agotamiento o empobrecimiento debido a la ausencia de portadores
libres. Esta regin representa una barrera de potencial que se opone al paso de cualquier
portador libre de una regin a otra, por lo tanto:

4.5.2. Polarizacin inversa

Cuando se aplica una tensin negativa en los terminales del diodo, es decir el polo positivo
conectado al material tipo n y el polo negativo conectado al material tipo p; los portadores
mayoritarios del material tipo n (electrones) sern atrados por el polo positivo de la fuente.
Por el contrario los iones positivos resultantes sern repelidos y se acumularn en la regin
de empobrecimiento.
Lo mismo suceder con los portadores mayoritarios (huecos) y los iones negativos
resultantes en el material tipo p; se acumularn todos en la regin de empobrecimiento. El
resultado final es un ensanchamiento de dicha regin que formar una enorme barrera de
potencial que se opondr al paso de un portador mayoritario de una regin a otra. Esto se
puede ver grficamente en la Figura 12.
Sin polarizacin, el flujo neto de carga en un diodo es igual a cero


Figura 12. Distribucin de carga interna en una unin p n con polarizacin inversa

Sin embargo existir un flujo de portadores minoritarios que se encuentran en la regin de
empobrecimiento. A medida que un portador minoritario de una regin se encuentre ms
cerca de la unin actuar sobre l una fuerza de atraccin cada vez mayor proveniente de
los iones presentes en la regin de agotamiento de la regin opuesta. Es por esto que:

La magnitud de la corriente de saturacin inversa tiene valores muy bajos, del orden los
microamperios; y actualmente no supera algunos nanos amperios.
4.5.3. Polarizacin directa

Cuando se conecta una tensin positiva al diodo; es decir, cuando el polo positivo de la
fuente se conecta al material tipo p, y el polo negativo al material tipo n, los portadores
mayoritarios de la regin n son repelidos o empujados por la fuente hacia la regin de
agotamiento. Lo mismo ocurre en la regin p.
En la regin de agotamiento los iones se combinan con los portadores mayoritarios de una y
otra regin, provocando que la barrera de potencial de la regin de agotamiento disminuya a
medida que se incrementa la tensin en terminales del dispositivo (ver Figura 13).
La corriente en el diodo bajo condiciones de polarizacin inversa se
denomina corriente de saturacin en inversa, se representa por
y se
debe al flujo de portadores minoritarios de una regin a otra;


Figura 13. Distribucin de carga interna en una unin p n con polarizacin directa

La reduccin de la regin de agotamiento continuar hasta que el flujo de portadores
corriente elctrica
sea mxima (con un crecimiento exponencial). Segn esto:

4.6. Caractersticas V I
El comportamiento del diodo bajo las diferentes formas de polarizacin queda
completamente descrito con la siguiente expresin, conocida como la ecuacin de
Shockley:
)
[2]
En donde:

: es la corriente de saturacin inversa
: es la tensin de polarizacin
: es un factor de idealidad (condiciones de operacin y construccin fsica), vara
entre 1 y 2
En un diodo con polarizacin directa circular una corriente elctrica que
se incrementar de forma exponencial a medida que se incrementa el
potencial de polarizacin.


: es el voltaje trmico. Donde k es la constantes de Boltzmann (

); T es la temperatura absoluta en kelvin (273 + temperatura en) y

q es la carga del electrn (
)

Esta ecuacin se puede graficar en un sistema de ejes cartesianos en donde se el eje de
las abscisas corresponder a la tensin o voltaje de polarizacin (positivo en dcimas de
voltios y negativo en decenas de Voltios), y el eje de las ordenadas a la corriente que circula
a travs del dispositivo (positiva en mA y negativa e uA). De esta manera se obtiene la
curva caracterstica V I (
); un ejemplo de dicha curva para un diodo semiconductor

de silicio se muestra en la Figura 14.

Figura 14. Caracterstica V I de un diodo de silicio (Boylestad & Nashelsky, 2009)


Ntese en las caractersticas V-I que el diodo no se enciende inmediatamente luego de la
aplicacin de un voltaje de polarizacin directa, sino que se encuentra desplazado del
origen. Esto se debe a la resistencia elctrica interna del diodo y a la resistencia externa del
contacto del mismo que producen una cada de tensin.

Esta tensin mnima que requiere en diodo para entrar en conduccin se denomina
potencial de conduccin, umbral o de disparo. Para diodos de silicio el valor de dicha
tensin es de 0.7 V para los de germanio es de 0.3V

4.7. Efectos de la Temperatura
Tarea Revisin Bibliogrfica


4.8. Diodo ideal vs. Diodo prctico
El funcionamiento de un diodo, en sus diferentes configuraciones de polarizacin se
asemeja al de un interruptor mecnico, dado que puede controlar la circulacin de corriente
entre sus terminales.
La diferencia entre estos dos elementos radica en que el diodo al cerrarse (polarizacin
directa) conduce en una sola direccin, solo luego de superar el nivel de tensin umbral
(0.3V, 0.7V, 1.2V para el Ge, Si y GaAs respectivamente); y cuando se encuentra abierto
(polarizacin inversa) circula una corriente mnima (saturacin inversa). Dichas
caractersticas estn perfectamente descritas por la ecuacin [2] y se muestran
grficamente en la Figura 14.
Por lo tanto para tener el comportamiento ideal, el diodo debera presentar una resistencia
infinita ( ) en polarizacin inversa, y una resistencia nula ( ). Teniendo en cuenta esto,
se puede comparar grficamente las caractersticas reales con las ideales del diodo
semiconductor. En la Figura 15 se puede apreciar en color azul la curva caracterstica del
diodo ideal y en color negro la de uno real, esta ltima definida por la ecuacin [2].

Figura 15. Caracterstica Real vs. Ideal del diodo semiconductor (Boylestad & Nashelsky,
2009)


En la Figura 16 se puede observar la apariencia de un diodo real. En dicha figura tambin se
indican las terminales del diodo y el sentido del flujo de corriente, bajo condiciones de
polarizacin directa.

Figura 16. Diodo Real

4.9. Niveles de Resistencia
Si analizamos detenidamente la grfica de la caracterstica V I de un diodo, presentada en
la Figura 14, podremos darnos cuenta que al aplicar un nivel de tensin a un diodo, circular
por l un determinado nivel de corriente; es decir, se establecer un punto de operacin.
Si el punto de operacin se mueve sobre la curva caracterstica, y se aplica la ley de Ohm
con los niveles de tensin y corriente de dicho punto, se encontrarn distintos niveles de
resistencia para diferentes puntos de operacin. Esto se debe a la caracterstica no lineal de
la curva V I del diodo (ecuacin [2]).
Por otro lado, el tipo de seal de tensin aplicada a los terminales del diodo, influir en valor
de la resistencia que presenta el dispositivo en el punto de operacin de inters. Segn esto
se tienen los siguientes tipos de resistencia:
- Resistencia de CD o esttica:
El nivel de resistencia al paso de la corriente continua en un diodo se calcula aplicando
directamente la ley de Ohm con los valores de tensin y corriente del punto de operacin
bajo estudio.

[3]


Siguiendo la curva caracterstica definida por la ecuacin [2] y aplicando est expresin, se
puede demostrar que el valor de resistencia esttica en la regin de polarizacin directa es
relativamente alto cuando la tensin se encuentra por debajo del nivel de tensin umbral.
Mientras que la resistencia es baja al superar la tensin umbral. La regin de polarizacin
inversa por su naturaleza presenta valores de resistencia muy elevados.
Gracias a esta caracterstica podemos verificar la condicin de un diodo antes de emplearlo
en un circuito, midiendo la resistencia con un multmetro. Con la punta positiva del
instrumento conectado al nodo del diodo y la negativa al ctodo, se debe medir una
resistencia baja, en el orden de los ohmios. Al contrario, si la punta negativa se conecta al
nodo la resistencia medida debe ser muy elevada, del orden de los megaohmios.
- Resistencia de CA o dinmica
Si la seal de tensin aplicada es una del tipo alterno, sinusoidal por ejemplo, el punto de
operacin del dispositivo se mover sobre la curva caracterstica alrededor de un punto
denominado punto Q. Dicho movimiento est determinado por los niveles de tensin que va
tomando la onda de la seal, con respecto al tiempo, tal como se puede apreciar en la
Figura 17. El punto Q es el punto de operacin en donde funcionara el diodo si la seal
aplicada fuese de tipo continuo.
La resistencia dinmica que presenta un diodo cuando la seal es alterna; se obtiene
aplicando la ley de ohm con los valores diferenciales de tensin y corriente centrados en el
punto Q que resultan del movimiento de dicho punto sobre la curva caracterstica. Es decir:

[4]
O, lo que es igual:

[5]
El lado derecho de esta ltima expresin, cumple perfectamente con la definicin de
derivada de una funcin. Entonces la resistencia dinmica se puede determinar invirtiendo
el valor de la pendiente de la curva caracterstica V I. Es decir, invirtiendo el valor de la
derivada con respecto a la tensin de la ecuacin [1] en el punto Q.


Figura 17. Comportamiento de un diodo frente a una seal alterna, en la regin de
polarizacin directa (Boylestad & Nashelsky, 2009)

As:
))

Luego sumando y restando en el lado derecho de la ltima expresin, el trmino:

Se obtiene:

Entonces para encontrar la resistencia dinmica se invierte esta ltima expresin, y se tiene
que:


Considerando que
es un valor muy bajo, la resistencia dinmica ser finalmente:

[6]
Para un diodo de silicio a una temperatura de servicio (comnmente), el voltaje trmico
ser de aproximadamente (seccin 4.6) y n = 1; se tendr una resistencia dinmica
de:

[7]
Por lo tanto para un diodo de silicio la resistencia dinmica depender nicamente de la
corriente que circula a travs de l; lo cual es vlido nicamente para la regin de
polarizacin directa, en la parte vertical de la curva (tensin por encima del valor umbral).
- Resistencia de CA promedio
Cuando la seal alterna aplicada a las terminales de un diodo es grande, el punto de
operacin se mover sobre la curva caracterstica V I sobre un amplio rango de valores.
Entonces para estas circunstancias la resistencia a la corriente alterna est definida por una
recta que corta a la curva V I en los valores: mnimo y mximo, de la tensin alterna
aplicada. Tal como se puede observar en la Figura 18.
Por lo tanto la resistencia dinmica promedio se obtendr aplicando la ley de Ohm,
calculado primero la diferencia entre los valores mximos y mnimos de tensin y corriente
que establece la seal alterna aplicada a las terminales del dispositivo. As:
|

[8]


Figura 18. Definicin de la resistencia dinmica promedio (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Por lo tanto la resistencia dinmica promedio se obtendr aplicando la ley de Ohm,
calculado primero la diferencia entre los valores mximos y mnimos de tensin y corriente
que establece la seal alterna aplicada a las terminales del dispositivo. As:
|

[8]
4.10. Circuitos equivalentes del Diodo
Un circuito o modelo equivalente es una combinacin de elementos apropiadamente
seleccionados para que representen mejor las caractersticas reales de un dispositivo o
sistema en una regin de operacin particular (Boylestad & Nashelsky, 2009)
El objetivo de plantear un circuito o modelo equivalente de un dispositivo es el de facilitar el
anlisis del funcionamiento del mismo dentro de una aplicacin particular; en este caso,
para poder estudiar el diodo utilizando los conceptos de circuitos elctricos que se han
aprendido con antelacin. A continuacin se presentarn tres circuitos equivalentes del
diodo semiconductor.


4.10.1. Circuito equivalente lineal por segmentos
En el modelo lineal por segmentos, como su nombre lo indica, se aproxima la curva
caracterstica del diodo mediante lneas rectas. Una sobre el eje de las abscisas (tensin)
que parte desde 0V (o para representar tambin la regin de polarizacin inversa)
hasta el valor de la tensin umbral ( para ). El crecimiento
exponencial de la curva de este punto se representa por otra lnea recta, tal como se
muestra en la Figura 19.

Figura 19. Modelo lineal por segmentos del Diodo (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Entonces, para poner en un circuito el planteamiento previo, ser necesario conectar en
serie una fuente de tensin continua o batera con el valor de tensin umbral del diodo, una
resistencia con el valor de resistencia dinmica promedio y un diodo ideal para indicar que
la circulacin de corriente es solo posible en el sentido que indica el smbolo del diodo. De
este modo se tendr el circuido presentado en la Figura 20
La fuente de tensin continua indica que el diodo no podr conducir corriente hasta que se
alcance el valor de la tensin umbral o
. Ver Figura 20
La resistencia dinmica promedio, presentada en la seccin 4.9, se calcula tomando como
valores de tensin y corriente mnimos a y la tensin umbral ( para el silicio por
ejemplo) respectivamente. Y como valores mximos, la tensin y corriente del punto de
operacin de inters.


La presencia de la resistencia AC promedio en el circuito equivalente se refleja en la
pendiente de la recta (destacada en color azul en la Figura 19) que aproxima las
caractersticas del diodo para tensiones mayores a la de umbral.

Figura 20. Circuito equivalente lineal por segmentos del Diodo (Boylestad & Nashelsky,
2009)

4.10.2. Circuito equivalente simplificado
El modelo simplificado, es una versin del modelo lineal por segmentos, en la cual se
desprecia la resistencia dinmica promedio; ya que se toma en cuenta que un circuito que
utilice diodos para su funcionamiento presentar valores de resistencia considerablemente
ms elevados que la resistencia del dispositivo. La ausencia de este elemento, hace que
una de las rectas utilizadas para la aproximacin, tenga pendiente infinita (vertical) y corte el
eje de las abscisas en la tensin umbral (0.7V en la Figura 21). Por lo tanto el circuito estar
compuesto por una fuente con el nivel de tensin umbral caracterstico del semiconductor y
un diodo ideal para indicar el nico sentido posible de circulacin de corriente, tal como se
puede ver en la Figura 21.

Figura 21. Modelo simplificado del Diodo (Boylestad & Nashelsky, 2009)


4.10.3. Circuito equivalente ideal
Al inicio de la seccin 4.8 se haba mencionado el parecido del diodo semiconductor con un
interruptor mecnico. Pues bien; el ltimo circuito equivalente, y tambin el menos exacto es
el de un interruptor que permite la circulacin de corriente en un solo sentido. Este se
conoce como circuito equivalente ideal.
El circuito equivalente ideal desprecia la resistencia dinmica promedio del diodo y la cada
de tensin a travs de ste (tensin umbral) considerando que estos valores son muy
pequeos comparados con los valores de resistencia y tensin que generalmente se
presentan en una aplicacin en donde est presente un diodo.
El modelo ideal y su curva caracterstica se presentan en la Figura 22

Figura 22. Circuito equivalente lineal del diodo (Boylestad & Nashelsky, 2009)

4.11. Disipacin de Potencia
Como todo dispositivo elctrico, el diodo semiconductor disipa cierto nivel de potencia
cuando sus terminales se encuentran conectados a una fuente de tensin. Para un diodo,
se define el coeficiente de disipacin de potencia mxima como el producto de la cada de
tensin entre sus terminales y la corriente que circula a travs de l/. Es decir:
[9]
Si se utiliza el modelo simplificado del diodo presentado en la seccin 4.10.2, en el cual el
voltaje del diodo es igual al nivel de tensin umbral, para un diodo de silicio por ejemplo, se
tendr:
[10]


4.12. Capacitancia del Diodo
Todo dispositivo electrnico o elctrico es sensible a la frecuencia (Boylestad & Nashelsky,
2009)
Cuando se presentan variaciones de frecuencia aparecen efectos capacitivos e inductivos
parsitos en cualquier dispositivo electrnico, que afectan la caracterstica de impedancia
de los mismos en especial cuando la frecuencia se eleva.
En el diodo semiconductor el efecto de la capacitancia parsita es el de mayor efecto.
Cuando la frecuencia de la seal aplicada es baja, el efecto de la capacitancia parsita es
despreciable. Teniendo en consideracin que la reactancia capacitiva se define como:

[11]
Para bajas frecuencias la capacitancia parsita tendr un mnimo valor y por lo tanto la
reactancia capacitiva tender al infinito, es decir se presentar como un circuito abierto.

Figura 23. Efecto de la capacitancia parasita en bajas frecuencias
(Ochoa, 2011)

Por el contrario, en altas frecuencias la reactancia capacitiva definida por la ecuacin [11]
tiende a disminuir, debido a que la capacitancia parsita adquiere un valor significativo y
multiplicada por un valor alto de frecuencia hace que la reactancia tienda a 0. De este modo
se presenta un efecto de corto circuito o puente entre los terminales del diodo. Tal efecto
puede eliminar por completo la funcin desempeada por el diodo dentro del circuito.


Figura 24. Efecto de la capacitancia parasita en altas frecuencias
(Ochoa, 2011)

Se presentan dos efectos capacitivos relevantes, cada uno de los cuales se manifiesta tanto
en polarizacin directa como inversa, pero uno domina sobre el otro en una u otra
polarizacin.
As tenemos que en polarizacin directa el efecto capacitivo predominante es el conocido
como capacitancia de almacenamiento o difusin; que depende directamente de la
velocidad a la cual se inyecta la carga en las regiones justo fuera de la regin de
agotamiento (Boylestad & Nashelsky, 2009).
Mientras tanto en polarizacin inversa el efecto capacitivo que predomina es el de transicin
o empobrecimiento. Este efecto se debe a que en condiciones de polarizacin inversa, se
forma una enorme barrera de potencial en la regin de agotamiento debido a la
concentracin de iones positivos en la regin n y negativos en la regin p (seccin 4.5.2);
por lo que dicha regin se comporta como un dielctrico, y junto los polos opuestos de la
fuente forma un capacitor. Y como el ancho de la regin de agotamiento se incrementa con
el potencial de polarizacin, la capacitancia de transicin se eleva.
4.13. Tiempo de recuperacin inversa
Cuando un diodo cambia del estado de polarizacin directa al de polarizacin inversa;
debido por ejemplo a que la seal aplicada es del tipo alterno (onda cuadrada o sinusoidal)
la corriente no cae a 0 inmediatamente en un diodo real.
Durante la polarizacin directa se produce un flujo elevado de portadores mayoritarios
desde la regin n hacia la regin p y viceversa. Pero los portadores mayoritarios de una
regin son considerados minoritarios en la otra (como ya se analiz en la seccin 4.5). Por
lo tanto cuando se produce el cambio de polarizacin, dichos portadores minoritarios deben
volver a la regin opuesta.


Esto representa un flujo de corriente en sentido inverso, que ocurre durante un tiempo
denominado tiempo de almacenamiento o
.
Entonces, el tiempo de almacenamiento se define como el tiempo necesario para que los
portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en sus respectivas
regiones.
Terminado este proceso de almacenamiento, la corriente que circula a travs del diodo
regresa al nivel de corriente de saturacin tpico del estado de polarizacin inversa. Pero,
para alcanzar dicho nivel se requiere un lapso de tiempo denominado intervalo de
transicin o
.
Se denomina tiempo de recuperacin inversa o
a la suma del tiempo de

almacenamiento ms el intervalo de transicin. Este concepto y los dos previos se pueden
apreciar grficamente en la

Figura 25. Tiempo de recuperacin inversa del Diodo semiconductor real (Boylestad &
Nashelsky, 2009)


4.14. Diodos especiales
4.14.1. Diodo Zener
En la seccin 4.6, se analiz la curva caracterstica V I del diodo semiconductor, en la cual
se pueden distinguir perfectamente las regiones correspondientes a las tres posibles
polarizaciones de este dispositivo de dos terminales. Adems se haba mencionado muy
brevemente que en la regin de polarizacin inversa; luego de superar cierto nivel de
tensin negativa, la corriente se incrementa significativamente en lugar de mantenerse en el
tpico valor de saturacin inversa.
Pues bien, esta parte de la curva caracterstica V I se denomina Regin Zener o de
ruptura de avalancha; y la tensin de polarizacin inversa que genera este cambio abrupto
en las caractersticas del diodo se denomina potencial Zener o
. En la Figura 26 se
muestras la curva V I de un diodo, incluyendo dicha regin.

Figura 26. Regin Zener (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Para diodos que no emplean esta caracterstica en su funcionamiento, la tensin de
polarizacin inversa mxima que se puede aplicar antes de entrar en la regin Zener se
denomina voltaje pico inverso o valor PIV.
La ubicacin de la regin Zener con respecto al eje vertical (corriente) se puede modificar,
acercndola a este eje; o dicho de otro modo, el valor de potencial Zener se puede
disminuir. Esto se logra, cuando en el proceso de dopado se incrementa la cantidad de
impurezas aadidas al sustrato.


Ntese en la Figura 26 que una vez alcanzando el potencial Zener, la tensin se mantiene
fija y se produce una circulacin de corriente (encendido) pero en sentido inverso. En
consecuencia estos dispositivos entran en su estado de conduccin cuando se les aplica
una tensin de polarizacin inversa igual al potencial Zener
. Por esta razn la simbologa

utilizada para la representacin de un diodo Zener es la mostrada en la Figura 27. En ella se
puede apreciar que para un diodo normal el sentido de conduccin es el mostrado por la
flecha del smbolo, mientras que en un Zener la direccin de conduccin es opuesta a la de
su smbolo.

Figura 27. Direccin de conduccin para: (a) Diodo Zener, (b) Diodo semiconductor

El rango de valores nominales de
para diodos Zener que se encuentran en el mercado es

muy extenso, y van desde 1.8 a 200V. Estos diodos especiales son fabricados con Silicio.
El modelo o circuito equivalente de un diodo Zener es el lineal por segmentos, dado que el
dispositivo presenta cierta resistencia al paso de la corriente en su estado de conduccin
(ntese la pendiente de la curva en la regin Zener de la Figura 26). Adems necesita la
aplicacin de una tensin inversa igual a
alcanzar su estado encendido, lo cual se

representa mediante una fuente de tensin; como se muestra en la Figura 28 (a).
A los diodos semiconductores diseados especficamente para trabajar en
la regin Zener se los conoce como Diodos Zener. Por tanto a estos
elementos se los usa con polarizacin inversa.


Figura 28. Circuito equivalente para el diodo Zener; (a) Lineal por segmentos, (b)
Simplificado

Pero en la mayora de aplicaciones la resistencia
es muy pequea y se puede despreciar,

de este modo el circuito equivalente se simplifica y queda tal como el de la Figura 28 (b).
Como ya se haba indicado la temperatura es un factor muy importante cuando se trata de
dispositivos semiconductores. El diodo Zener no es la excepcin; de hecho la temperatura
afecta al valor de potencial Zener.
El coeficiente de temperatura de un diodo Zener se puede calcular con la siguiente
expresin:

[12]
En donde:

T
C
= Coeficiente de temperatura (%/C)
V
Z
= Variacin de V
Z
con la temperatura (V)
V
Z
= Voltaje nominal del diodo Zener (V) a 25C
T
0
= Temperatura inicial (A la que se especifica V
Z
) (25C)
T
1
= Temperatura final (C)

Es importante mencionar que para diodos con potencial Zener menor a 5V es muy comn
que el coeficiente de temperatura sea negativo; es decir,
disminuye a medida que se

incrementa la temperatura.


4.14.2. Otros diodos especiales
Tarea revisin bibliogrfica: Principio de funcionamiento y aplicaciones
Diodos rectificadores
Diodos de tratamiento de seal
Diodos de capacidad variable
Fotodiodos
LED
Diodos tnel


4.15. Anlisis de circuitos con diodos
Hasta aqu se han revisado, en general, los aspectos constructivos, caractersticas
elctricas y los circuitos equivalentes de los diodos semiconductores. Ahora, con los
conceptos estudiados hasta el momento podemos analizar al diodo funcionando
conjuntamente con otros elementos, es decir los circuitos elctricos que contienen diodos.
Es importante destacar que se pueden utilizar las caractersticas reales de un dispositivo
para analizarlo dentro de una red elctrica, as como tambin sus aproximaciones (circuitos
equivalentes). Pero tomando en consideracin que los diferentes elementos o dispositivos
electrnicos que conforman un circuito presentan variaciones con respecto a sus valores
nominales (un resistor marcado con un valor de 100 no tiene exactamente este valor de
resistencia), con frecuencia las aproximaciones son un excelente mtodo de anlisis con el
cual se obtienen valores muy precisos o cercanos a los reales.
4.15.1. Mtodo de la recta de carga
Este mtodo resulta de analizar el circuito ms simple que se puede implementar con un
diodo. Dicho circuito se muestra en la Figura 29.

Figura 29. Configuracin de un diodo en serie con un resistor (Ochoa, 2011)

Supongamos que la fuente de tensin E, provee una tensin de polarizacin directa lo
suficientemente elevada como para establecer el estado de conduccin o encendido del
diodo. Por lo tanto aplicando la ley de las tensiones de Kirchhoff, se tendr:

[12]


La ltima expresin contiene las mismas variables que la curva V I del diodo, por lo tanto
es posible graficar esta recta en el mismo sistema de ejes cartesianos. La forma ms fcil
de graficar una recta es encontrar sus puntos de interseccin con los ejes coordenados. De
este modo, para la recta [12], se tendr:
Cruce con el Eje x - Tensin (
):

Cruce con el Eje y Corriente (
):

Tal como se puede observar en la Figura 30. La recta definida por la ecuacin [12] se
denomina recta de carga debido a que depende de la resistencia R del circuito. Para una
carga R diferente las intersecciones sern otras y por lo tanto el punto de operacin Q ser
diferente.

Figura 30. Trazo de la recta de carga y determinacin del punto de operacin (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

El punto de operacin Q; es decir la interseccin de la recta de carga con la curva
caracterstica V I del diodo se encuentra grficamente trazando rectas paralelas a los ejes
que pasen por Q.


Matemticamente se pueden encontrar los valores numricos de V
DQ
e I
DQ
, resolviendo
simultneamente la ecuacin [12] con la ecuacin de Shockley:

/
1
D K
kV T
D S
I I e ; es decir
utilizando las caractersticas reales del diodo.

Es notorio a primera vista que el despeje de V
D
e I
D
involucrara una metodologa no lineal,
por tanto, se ha visto conveniente utilizar el procedimiento grfico simple de la recta de
carga. La exactitud de este mtodo aproximado depender de los datos disponibles
(caracterstica V I del diodo) y de la grfica de los mismos (graduada y amplia), sin
embargo se considera vlido.

Esta primera aproximacin puede simplificarse an ms, haciendo uso del circuito
equivalente lineal por segmentos simplificado. Es decir, aquel que desprecia la
resistencia dinmica del diodo, y caracteriza al dispositivo como una fuente de tensin con
un nivel igual al voltaje umbral
(ver Figura 21).

De este modo, el punto de operacin Q ser el punto de interseccin entre dos rectas, la
una descrita por la ecuacin [12] y la otra sera:

[13]
Con lo cual la matemtica necesaria se reduce a la resolucin simultanea de las ecuaciones
[12] y [13], en la cual el valor de V
DQ
es fijo e igual a la tensin umbral, e I
DQ
es el nico
parmetro que se debe calcular. Adems presenta la ventaja de evitar la resolucin grfica
del problema; en otras palabras se linealiz el sistema de ecuaciones aproximando la curva
V I del diodo a una recta vertical.
Ejemplo 1. En la Figura 31, se muestra la recta de carga para un circuito como el presentado
en la Figura 29, en donde E = 10V, R = 0.5k y el diodo es uno de silicio.
Respuesta: V
DQ
= 0.7V; I
DQ
= 18.6mA
Si se usa el circuito aproximado ideal, los resultados ya presentan errores significativos y
se reserva su uso para cuando las tensiones del circuito sean considerablemente mayores a
la tensin umbral del diodo.


Figura 31. Grfica para el ejemplo 1 (Boylestad & Nashelsky, 2009)

4.15.2. Aplicacin del mtodo de la recta de carga (simplificado) a circuitos ms
complejos
Para circuitos simples, as como para los ms complicados; es importante primero investigar
qu estado tiene cada diodo del circuito; es decir, cuales se encuentran encendidos y
cuales apagados (polarizacin directa e inversa respectivamente). Luego de esto se puede
sustituir el elemento por el modelo apropiado; un circuito abierto o una cada de tensin de
0.7V.
Esto se consigue observando el nivel de tensin de la fuente (o las fuentes) que afectan a
los diodos del circuito. Si la tensin es superior a la tensin umbral del diodo entonces se
puede considerar que el elemento est encendido, y colocar una cada de tensin de 0.7V
(si se trata de un diodo de silicio). En caso contrario, no existe la posibilidad de que el diodo
alcance el estado encendido, por lo tanto la mejor representacin del elemento ser la de
un circuito abierto. Tal como lo establece el modelo lineal por segmentos simplificado.
Ejemplo 2. Para el circuito de la Figura 32, encontrar el valor de V2, I1, I2 e ID2. Considere
el modelo aproximado de los diodos de silicio (0.7V).


Figura 32. Circuito para el Ejemplo 2 (Ochoa, 2011)

El clculo de I1 es inmediato:
1
1
1
0.7
0.212
3.3
R
V V
I mA
R k

Luego resolvemos la malla por las leyes de Kirchhoff:

1 1 2 2
2
2
20 0.7 0.7
18.6
D D
V V V V
V V V V
V V

Luego:
2
2
2
18.6
3.32
5.6
V V
I mA
R k

Y por ltimo:
2 1 2
2 2 1
2
2
3.32 0.212
3.108
D
D
D
D
I I I
I I I
I mA mA
I mA

Implementar el circuito en Multisim 11.0, y resolver el problema utilizando los instrumentos
virtuales de medicin.


Diodos en serie
La combinacin en serie de un corto circuito con un circuito abierto es siempre un circuito
abierto, I
D
=0. Ahora en el primer diodo, como I
D
=0, y por lo tanto de la curva caracterstica
analizada con anterioridad (ecuacin de Shockley) V
D1
=0.

Luego, en el segundo segn la ley de los voltajes de Kirchhoff indica que V
D2
=20V.
NOTA: REVISAR EL EJEMPLO 2.11 DEL LIBRO
Diodos en paralelo
La combinacin de elementos en paralelo limita la corriente a valores seguros; evitando de
este modo la destruccin del dispositivo.


4.16. Aplicaciones y ejemplos de circuitos con Diodos
En la seccin anterior se estudi como obtener el punto de operacin Q de un diodo,
mediante la aplicacin del mtodo de la recta de carga simplificado; es decir, considerar a
un diodo como un circuito abierto cuando trabaja con polarizacin inversa, y como una
cada de tensin de
[V] (0.3, 0.7 y 1.2 V para ) cuando tiene polarizacin

directa.
Ahora es tiempo de utilizar este concepto pero con seales de tipo alterno aplicadas al
diodo semiconductor, tales como ondas sinusoidales u ondas cuadradas; para comprender
como afecta el diodo a estas seales.
4.16.1. Rectificador de media onda
El primero y ms simple de los circuitos que se analizarn es el rectificador de media onda,
dicho circuito se muestra en la Figura 33. La seal de entrada (
) es del tipo sinusoidal (ver

Figura 34), con periodo T. La seal resultante (
) se aplica sobre una carga resistiva R.

Figura 33. Rectificador de media onda

La seal sinusoidal aplicada tiene una parte positiva durante un tiempo igual a T/2 y una
parte negativa durante el mismo tiempo; su valor promedio es igual a 0.
Debido a las caractersticas elctricas del diodo, durante la parte positiva de la onda de
entrada, el diodo se encontrar encendido; por lo tanto circular corriente en el circuito y la
potencia ser transferida a la resistencia de carga R. (Solo por motivos didcticos se
considera inicialmente el modelo ideal del diodo).

D1
1N4148
V1
50 Vrms
60 Hz
0
R1
10k


Figura 34. Seales del rectificador de media onda. Arriba: seal sinusoidal de entrada.
Abajo: seal rectificada de salida

Durante la parte negativa de la onda, el diodo se encontrar en polarizacin inversa y por lo
tanto no circular corriente en el circuito (tan solo la corriente de saturacin inversa), es
decir no hay suministro de potencia hacia la carga R.
La seal de tensin resultante aplicada a la carga R, es la que se muestra en la parte
inferior de la Figura 34. A esta onda se la denomina seal de tensin rectificada, y tiene un
valor promedio diferente de cero. El nombre rectificador de media onda se debe a que
solamente se aprovecha un semiciclo de la onda de entrada, el positivo o el negativo.

En el caso del circuito de la Figura 33, el diodo rectificador solo permite el paso del semiciclo
positivo de la seal de entrada. Como ya se haba mencionado, la seal resultante tiene un
valor promedio diferente de cero. Dicho valor corresponde a la componente de continua

de la onda, y es el parmetro ms importante en el proceso de rectificacin (termino
independiente en la descomposicin de la seal peridica rectificada en series de Fourier).

El proceso de conversin de corriente alterna en corriente continua se
denomina RECTIFICACIN
Rectificar = corregir, modificar Cambiar la forma original de una seal


Para la seal sinusoidal rectificada se tiene (ver Figura 34):
)
De donde se obtiene:

[14]
Ahora para completar el anlisis del rectificador de media onda, aplicando el modelo lineal
por segmentos simplificado del diodo, se tendr:

[15]
La ltima expresin toma en consideracin que un diodo real conduce a partir de una
tensin umbral de polarizacin directa
(0.7V para un diodo estndar de silicio). El valor

de la tensin umbral se puede despreciar cuando
.

4.16.2. Rectificador de onda completa Puente de Graetz
Como ya se dijo en la seccin anterior, el parmetro ms importante en el proceso de
rectificacin, es el valor medio o componente de continua de la seal rectificada. Si se
requiere un mayor nivel de
que el ofrecido por un rectificador de media onda

(ecuaciones 14 y 15) se puede utilizar el circuito de la Figura 35. Este circuito utiliza cuatro
diodos en una configuracin conocida como puente de Graetz.


Figura 35. Puente rectificador de onda completa (de Graetz)

Durante el semiciclo positivo de la onda sinusoidal de entrada, los diodos D1 y D3 estarn
polarizados directamente, por lo que circular corriente a travs de la trayectoria establecida
por estos diodos y la carga resistiva R (ver Figura 36).

Figura 36. Puente de Graetz durante el semiciclo positivo de la seal de entrada

Mientras tanto, durante el semiciclo negativo de la seal de entrada, la trayectoria de
conduccin es la que se muestra en la Figura 37, y la conforman los diodos D1 y D4 con la
resistencia de carga R.
D1
1N4148
V1
50 Vrms
60 Hz
0
R1
10k
D2
1N4148
D3
1N4148
D4
1N4148


Figura 37. Puente de Graetz durante el semiciclo negativo de la seal de entrada

La seal rectificada resultante que se aplica a la carga resistiva, durante un periodo
completo T de la onda de entrada, es la que se muestra en la parte inferior de la Figura 38.

Figura 38. Seales del rectificador de onda completa (puente de Graetz). Arriba: seal de
entrada. Abajo seal rectificada de salida

El resultado ms importante es que durante todo el periodo T la polaridad de la tensin
aplicada a la carga es siempre la misma; y su valor medio ser igual al doble del obtenido
con la rectificacin de media onda; es decir:


[16]
As mismo, aplicando el modelo lineal por segmentos simplificado del diodo semiconductor,
se tendr un valor ms exacto para la componente de continua de la expresin [16]. Como
en cada trayectoria de conduccin se encuentran dos diodos, el valor mximo de la seal en
cada semiciclo ser:

Entonces, el valor medio de la seal rectificada ser:

[17]
En consecuencia la forma de onda de la tensin rectificada que se aproxima ms a la
realidad ser la que se muestra en la Figura 39.

Figura 39. Seal real de salida del rectificador de onda completa (Boylestad & Nashelsky,
2009)


4.16.3. Rectificador de onda completa Transformador de toma central
Se puede conseguir una rectificacin de onda completa con solo dos diodos; pero sta
requiere de un transformador con toma o derivacin central en su secundario, para
establecer las trayectorias de conduccin durante los semiciclos opuestos de la seal de
entrada.
El circuito necesario para este rectificador se muestra en la Figura 40; la fuente de tensin
sinusoidal se aplica al primario de un transformador elevador con relacin de transformacin
. Esta relacin es necesaria para disponer del valor mximo de la tensin sobre la
carga.

Figura 40. Rectificador de onda completa mediante transformador con toma central

La carga se conecta entre los diodos y la toma central del secundario del transformador. La
trayectoria de conduccin durante el semiciclo positivo de la onda de entrada se muestra en
la Figura 41.

Figura 41. Rectificador de onda completa durante el semiciclo positivo de la tensin de
entrada

D1
1N4148
V1
50 Vrms
60 Hz
0
R1
10k
T1
D2
1N4148
a = 2
Trafo Elevador
D5
1N4148
V3
50 Vrms
60 Hz
0
R3
10k
T3
a = 2
Trafo Elevador


La trayectoria de conduccin establecida durante el semiciclo negativo se puede observar
en la Figura 42.

Figura 42. Rectificador de onda completa durante el semiciclo negativo de la tensin de
entrada

La seal rectificada es exactamente igual a la obtenida con el puente de Graetz (ver Figura
38).
En este momento es fundamental recordar las caractersticas elctricas de los diodos
semiconductores reales, que se estudiaron para la prctica de laboratorio #1. Estas son:
a) Tensin umbral de polarizacin directa
b) Mxima tensin de polarizacin directa
c) Mxima corriente en polarizacin directa
d) Coeficiente de disipacin de potencia
e) Mxima tensin de polarizacin inversa (PIV: Voltaje Pico Inverso)
f) Corriente de saturacin inversa
g) Voltaje Zener
Todos estos parmetros se deben tomar en cuenta al momento de disear un sistema de
rectificacin. Especficamente, para el semiciclo positivo han de considerarse a), b), c) y d);
y para el semiciclo negativo los parmetros e), f) y g). Para esta ltima condicin hay que
diferenciar los requerimientos de la mxima tensin de polarizacin en inversa o PIV, para
cada uno de los tres sistemas de rectificacin presentados hasta el momento.
Para los rectificadores de media onda y onda completa el PIV necesario para asegurar el
correcto funcionamiento de los diodos debe cumplir la condicin:

V2
50 Vrms
60 Hz
0
R2
10k
T2
D4
1N4148
a = 2
Trafo Elevador


[18]
Mientras que, para el rectificador de onda completa mediante transformador con toma
central, el voltaje pico inverso de los diodos debe ser:

[19]

4.16.4. Multiplicadores de tensin
Los circuitos multiplicadores de tensin tienen la finalidad de mantener la tensin mxima
en el secundario del transformador en su nivel nominal; y a su vez elevar el nivel de tensin
rectificada a dos, tres, cuatro o n veces, en los terminales de la carga.
Duplicador de Media Onda
Mediante el circuito de la Figura 43, se obtiene una tensin igual a dos veces la tensin del
secundario del transformador T1, en las terminales del capacitor C2. Cada diodo acta
durante un semiciclo de la tensin secundaria; D1 durante el semiciclo positivo y D2 durante
el negativo, de forma que la polaridad de la tensin en las terminales de C2 es siempre
la misma. Por esta razn se conoce al circuito de la Figura 43 como Duplicador de Media
Onda
El correcto uso de los diferentes diodos rectificadores disponibles en el
mercado, y el xito de los circuitos implementados con ellos; depende en
su totalidad del buen manejo de las caractersticas nominales presentadas
por los fabricantes en las hojas de especificaciones de estos dispositivos


Figura 43. Circuito duplicador de media onda

Para comprender su funcionamiento es importante analizar separadamente cada semiciclo
de la seal sinusoidal de periodo T.
Semiciclo positivo: Durante un tiempo igual a T/2 est encendido D1 (corto circuito), por lo
tanto quedan eliminados del circuito D2 y el capacitor C2. De este modo C1 se carga al
nivel de tensin , con la polaridad indicada en la Figura 44.

Figura 44. Duplicador de media onda. Semiciclo positivo

Semiciclo negativo: El diodo D1 est apagado (circuito abierto) y D2 encendido (corto
circuito); entonces el circuito resultante es el de la Figura 45. Como C1 se encontraba
cargado al nivel y el semiciclo analizado es el negativo, la aplicacin de la ley de las
tensiones de Kirchhoff da el siguiente resultado (ver Figura 45):


[20]
La polaridad de la tensin obtenida con la expresin [20] es la que se indica en la Figura 45.
Por lo tanto el capacitor C2 se cargar a un nivel de tensin igual a dos veces la tensin del
secundario del transformador; pero con signo negativo. La forma de onda de la tensin en
las terminales de C2 es la de una seal rectificada de media onda, filtrada por el mismo C2.
La tensin inversa pico (PIV) de cada diodo debe ser mayor o igual a
.

Figura 45. Duplicador de media onda. Semiciclo negativo

Multiplicadores de Tres y Cuatro etapas
Tarea: Revisin Bibliogrfica; anlisis de las seales presentes en los diodos y capacitores
de ambos circuitos.


5. BIBLIOGRAFA
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos
(Dcima ed., Vol. 1). (L. M. Cruz Castillo, Ed.) Ciudad de Mxico, Mxico D.F., Mxico:
Pearson Educacin de Mxico.
Ochoa, D. (2011). Notas de clase para la asignatura de Electrnica Analgica. E&T (Primera ed.).
Cuenca, Azuay, Ecuador.
Sadiku, M. (s.f.). Elements of Electromagnetics.
Snchez, F. (1980). Qumica General (Primera ed.). Cuenca, Azuay, Ecuador.

6. REFERENCIAS DE INTERNET
[1] ec.kalipedia.com
[2] es.wikibooks.org
[3] quimicalibre.com
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Teor%C3%ADa_de_bandas
[5] http://es.wikipedia.org/wiki/Banda_de_valencia
[6] http://es.wikipedia.org/wiki/Partes_por_mill%C3%B3n
[7] http://charliexray.blogspot.com/2010/05/rectificador-de-media-onda-simulacion.html

Capítulo I - Física de Los Semiconductores Sep2013 PDF

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Universidad de Cuenca Facultad de Ingeniera

1 Ing. Vinicio Iiguez Morn Electrnica Analgica Marzo Julio 2013

es la constante de Plank. El radio de la

, en la unin p n solo existir la

sea mxima (con un crecimiento exponencial). Segn esto:

: es la corriente de saturacin inversa

: es el voltaje trmico. Donde k es la constantes de Boltzmann (

); T es la temperatura absoluta en kelvin (273 + temperatura en) y

); un ejemplo de dicha curva para un diodo semiconductor

es un valor muy bajo, la resistencia dinmica ser finalmente:

a la suma del tiempo de

. Por esta razn la simbologa

para diodos Zener que se encuentran en el mercado es

alcanzar su estado encendido, lo cual se

es muy pequea y se puede despreciar,

disminuye a medida que se

(ver Figura 21).

[V] (0.3, 0.7 y 1.2 V para ) cuando tiene polarizacin

) es del tipo sinusoidal (ver

) se aplica sobre una carga resistiva R.

(0.7V para un diodo estndar de silicio). El valor

que el ofrecido por un rectificador de media onda

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