Transistor JFET

El JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico,

esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo
elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin
entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V
GS
. Segn este valor, la salida del
transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres
zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Funcionamiento

Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva V
GS
entre puerta
y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente I
D
) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta V
GS
sobrepasa
un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de
electrones I
D
entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de
V
GS
se le denomina V
p
. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V
GS
y
V
p
son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que V
p
.
As, segn el valor de V
GS
se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que V
p
(puesto que V
p
es tambin negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que V
p
. Los distintos valores de la I
D
en funcin de la V
GS
vienen
dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el
circuito que viene definida por la propia I
D
y la tensin entre el drenador y la fuente
V
DS
. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin
de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa:
hmica y saturacin.

Construccin
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la. Observe que la mayor
parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas
en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto
hmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal
llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos
y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente
el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la
compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los
potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin.
El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura,
que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin.
Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de
portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conduccin a travs de la regin.
Su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser
polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin se
hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms
difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto
mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre
fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos
los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al
drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .

Figura 5.2 Transistor JFET

Curvas caractersticas de drenador de un JFET
En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caractersticas
de surtidor comn de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el
que se han obtenido dichas curvas.
Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje ( I
D
) se hace
ms pequea a medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre la puerta y el
surtidor ( V
GS
).


Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar
cuatro zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de
saturacin.
En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surtidor ( V
DS
) aumenta
excesivamente, el JFET entra en la regin de ruptura y se produce una avalancha que
puede destruir el transistor. En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior,
es del orden de 16 V.
En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta
como un interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensin negativa del graduador o
puerta es suficiente para estrangular totalmente el canal. En las curvas anteriores, se
observa que esta tensin V
GS
es de -1.2 V. A esta tensin se la representa por
V
GS
(apag).
En la regin de saturacin, el transistor se convierte en un buen conductor (se comporta
como un interruptor cerrado). Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de
puerta y fuente, y V
GS
=0. Para este valor (observa las curvas caractersticas), la
corriente se mantiene prcticamente constante (aproxiamdamente I
D
=4 mA) a partir del
codo de la curva (aproximadamente V
DS
=3V).
A esta corriente se la conoce por IDSS y es la mxima que se puede dar en el drenador
de un JFET con la puerta en cortocircuito. Segn las curvas de la figura, I
DSS
=4mA.
La regin activa del JFET se encuentra entre las regiones de saturacin y ruptura. Segn
las curvas expuestas, esta regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de V
DS.

Curvas de transferencia o transconductancia.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (I
D
) en funcin
de las variaciones que experimenta la tensin de graduador-surtidor (V
GS
) para valores
de V
DS
constantes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una
parbola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se corresponde con las
curvas de drenador del JFET.
De esta forma, conociendo los valores de I
DSS
y V
GS
(apag) (datos que suele
proporcionar el fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el valor de la
corriente I
D
para cualquier valor de la tensin V
GS
aplicada a la puerta.

Ecuacin de Shockley








Bibliografa
Diseo de circuitos microelectrnicos - Jaeger Richard y Blalock Travis - McGraw
Hill - 2da. edicin.
Electrnica fsica y microelectrnica - Luis Rosado - Paraninfo - Edicin de 1987
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos - Boylestad, Nashelsky -
Pearson - 8va. edicin