Tema 1 Diodos 14 CAS PDF

Fundamentos de Electrnica
Departamento de Tecnoloxa Electrnica

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Tema 1: Fsica de dispositivos
El diodo de unin
Profesores: Carlos Martnez-Pealver Freire
Alfonso Lago Ferreiro
2 Curso Grado en Ingeniera en Electrnica Industrial y
Automtica.
2
El diodo de unin:
Conceptos fundamentales.
Introduccin a la fsica del estado slido: semiconductores.
La unin P-N en equilibrio.
La unin P-N polarizada directamente.
La unin P-N polarizada inversamente.
Diodo ideal y diodo real.
Modelos del diodo.
Manejo de las hojas caractersticas.
Diodos especiales.
3
Conceptos fundamentales:
Modelo atmico de Bohr:
El tomo se concibe como un pequeo sistema solar formado
por un ncleo central, cargado positivamente, alrededor del cual
giran, en rbitas elpticas o circulares diferentes, una serie de
partculas elementales (electrones) con masa m y carga
elctrica q
m = 9,1110
-31
kg.
q = 1,610
-19
coulomb.
Un tomo se dice neutro cuando la carga positiva del ncleo es
igual al nmero de electrones dispuestos alrededor del mismo
de forma similar a como estn dispuestos los planetas alrededor
del sol.
Los electrones se mueven en distintos orbitales (denominados
capas)
4
Distribucin de las capas:
Nmeros cunticos Nombre del nivel Nmero de estados Nombre de la capa
n l m m
s
1 0 0 1/2 1S 2 K
2 0 0 1/2 2S 2
L
2 1
-1
0
+1
1/2
1/2
1/2
2P 6
3 0 0 1/2 3S 2
M
3 1
-1
0
+1
1/2
1/2
1/2
3P 6
3 2
-2
-1
0
+1
+2
1/2
1/2
1/2
1/2
1/2
3D 10
Nmero de electrones por capa: 2 n
2
5
Ejemplo de tomo de cobre: (nmero atmico: 29)
Orbitales estables:
El ncleo positivo atrae a los electrones de
los orbitales que se mantienen en sus rbitas
debido a la fuerza centrfuga creada por su
movimiento circular.
El orbital es estable cuando la fuerza
centrfuga y la fuerza de atraccin del ncleo
son iguales.
Cuanto ms lejana es la rbita del electrn,
menor es la atraccin del ncleo. El electrn
se mueve ms lentamente y la fuerza
centrfuga es menor.
Electrn de valencia
Capas
6
Parte interna del ncleo:
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior denominado
orbital de valencia.
La parte interna del tomo se considera como el ncleo ms todos
los orbitales internos.
Ejemplo cobre:
Electrn libre:
Puesto que la atraccin entre la parte interna y el electrn de
valencia es muy dbil, una fuerza externa puede fcilmente
arrancar este electrn del tomo de cobre.
Por eso al electrn de valencia se le denomina electrn libre.
7
Material conductor:
Es aquel en el que la tensin ms pequea puede hacer que los
electrones libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen menos de 4 electrones de valencia.
Principales conductores: plata, cobre y oro.
Material aislante:
Es aquel en el que se necesita una elevada tensin para que los
electrones libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen ms de 4 electrones de valencia.
Principales aislantes: diamante, vidrio.
No existen materiales aislantes perfectos. Presentan una resistencia
elctrica 2,5x1024 veces mayor que los conductores.
Material semiconductor:
Es aquel que presenta propiedades elctricas entre las de un conductor y
un aislante.
Poseen 4 electrones de valencia.
Principales semiconductores: germanio, silicio.
8
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Cristal de silicio: Cuando los tomos de silicio se combinan para
formar un slido, lo hacen segn un patrn ordenado denominado
cristal.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
Enlace covalente: Puesto que los electrones compartidos son
atrados por fuerzas con sentido opuesto, se convierten en un
enlace entre los tomos, denominado enlace covalente.
0K
Si: silicio
Grupo IV de la
tabla peridica
9
Temperatura ambiente: Es la temperatura del aire circundante. Cuando la
temperatura se encuentra por encima del cero absoluto (-273C), la energa
trmica de dicho aire hace que los tomos vibren y estas vibraciones pueden
hacer que se desligue un electrn del orbital de valencia.
Hueco: Vaco en el orbital de valencia. Se comporta como una
carga positiva.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
0K
300K
+
Electrn
Hueco
10
Semiconductor intrnseco: Es un semiconductor puro. Un cristal de
silicio, a temperatura ambiente, acta como un aislante porque tiene
pocos electrones libres y huecos.
Semiconductor intrnseco: Accin de un campo elctrico.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
+
11
Conclusiones:
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de
portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las propiedades
elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor resistencia
12
Dopaje: Consiste en aadir tomos de impurezas a un cristal
intrnseco con el fin de incrementar su conductividad elctrica.
Semiconductor extrnseco: Semiconductor dopado
Tipos de semiconductores extrnsecos.
Semiconductor tipo N: El semiconductor se dopa con un exceso de
electrones libres mediante impurezas pentavalentes. La cantidad de
electrones libres (portadores mayoritarios) supera a la de huecos
(portadores minoritarios).
Semiconductor tipo P: El semiconductor se dopa con un exceso de
huecos mediante impurezas trivalentes. La cantidad de huecos
(portadores mayoritarios) supera a la de electrones libres (portadores
minoritarios).
13
Semiconductor extrnseco
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
Sb: antimonio
Impurezas del
grupo V de la
tabla peridica
Sb
: TIPO N
Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Sb
+
A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados
14
Semiconductor extrnseco
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
Al: aluminio
Impurezas del
grupo III de la
tabla peridica
Al
: TIPO P
Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Al
-
A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados
+
15
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de
carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
Efecto de difusin
Concentracin de huecos Concentracin de electrones
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
Zona de transicin
Distribucin de potencial
+
Portadores minoritarios
-
+ + + + +
Portadores mayoritarios
- - - - -
Vo
Efecto de campo
En el equilibrio, circulan a travs de la unin PN cuatro corrientes que,
compensndose dos a dos, dan una resultante nula.
18
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
P
N
+
19
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones
en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
P
N
Concentracin de huecos Concentracin de electrones
Zona de transicin
+
20
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
P
N
Zona de transicin
+
-
+ + + + +
- - - - -
Vo VB
VD
En polarizacin directa, predominan las corrientes debidas a
portadores mayoritarios. Inyeccin de portadores.
21
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay
circulacin de corriente.
P
N
22
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
P
N
Zona de transicin
+
-
+ + + + +
- - - - -
En polarizacin inversa, predominan las corrientes debidas
a portadores minoritarios. Corriente inversa de saturacin.
Vo
VB
VI
23
Conclusiones:
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica.
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
La unin P-N.
24
INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I
+
-
V
I I
V
Corto
(R = 0)
+
-
V
I I
V
Abierto
(R = )
+
-
V
I I
V
Batera
+
-
I I
V
Resistencia
(R)
V
I
+
-
V
V
Fuente
Corriente
I
25
+
-
V
I
P
N
I
V
DIODO IDEAL
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
El grfico V-I no es una
lnea recta.
26
DIODO REAL
p n
nodo ctodo
Smbolo:
A K
Ecuacin:
|
|
.
|
\
|
=

1 e I I
T K
q V
S D
D
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo
0.5 1.0 1.5
25
50
75
100
125
150
175
200
codo
C
o
r
r
i
e
n
t
e

n
o
d
o

e
n

m
A
Polarizacin
directa
Polarizacin
inversa
200 400 600
Tensin nodo-ctodo en V
20
40
60
80
100
120
140
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
i
o
d
o

e
n

m
A
ruptura
27
I
V
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
I
V
Tensin de codo y
Resistencia directa.
I
V
Ideal
I
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
Resistencia inversa
28
DIODO: Cuando se usa cada aproximacin
1 aproximacin: Es adecuada para la mayor parte de las aplicaciones y en las
que se intenta localizar averas.
2 aproximacin: Es adecuada para aplicaciones en las que se requiere valores de
tensin y corriente de carga ms exactos.
3 aproximacin: Es adecuada para aplicaciones en las que se requiere mayor
exactitud cuando la resistencia interna del diodo es 1/100 veces mayor que la
resistencia Thevenin del circuito de carga.
DIODO: Deteccin de averas
Si la resistencia es extremadamente pequea tanto en directa como en inversa:
diodo cortocircuitado.
Si la resistencia es elevada en directa o en inversa: diodo en circuito abierto.
Si la resistencia es relativamente baja en inversa: diodo con fugas.
Si la relacin entre la resistencia en inversa y en directa es mayor que 1000: diodo
en buen estado.
29
I
V
Corriente mxima
Lmite trmico,
seccin del conductor
Tensin inversa
mxima
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
DIODO: LIMITACIONES
30
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
Una hoja de caractersticas enumera informacin sobre los siguientes aspectos de un
dispositivo semiconductor:
- Parmetros y caractersticas de operacin ms importantes.
- Tipos de encapsulado y terminales del dispositivo
- Procedimiento para la realizacin de pruebas.
- Aplicaciones tpicas
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa
V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
31
DIODO: Parmetros obtenidos de las hojas de caractersticas
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
i
r
e
c
t
a

m
A
0 0.5 1.0
1.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Tensin directa en V
Clculo Resistencia Interna:
La hojas de caractersticas no la
especifican pero proporcionan
informacin suficiente para
calcularla.
175 mA - 75 mA
0.875 V - 0.75 V
R
B
= 1.25 O
R
B
=
.
.
32
DIODO: Parmetros obtenidos de las hojas caractersticas
La resistencia en continua
disminuye al aumentar la
corriente.
75 mA
0.75 V
R
F
= 10 O
R
F
=
175 mA
0.875 V
R
F
= 5 O
R
F
=
Resistencia DC
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
i
r
e
c
t
a

m
A
0 0.5 1.0
1.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Tensin directa en V
.
.
33
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Un circuito con diodos se puede resolver de diferentes formas:
1. Usando la primera aproximacin (ideal).
2. Usando la segunda aproximacin.
3. Usando la tercera aproximacin.
4. Usando un simulador de circuitos.
5. Usando la curva caracterstica de un diodo:
1. Encontrar la corriente mxima usando la ley de Ohm.
2. La tensin de corte es la de la fuente de alimentacin.
3. Localizar estos dos puntos en la curva del diodo.
4. Conectar ambos puntos con una recta (recta de carga).
5. La interseccin es la solucin.
34
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
i
r
e
c
t
a

e
n

m
A
0 0.5 1.0 1.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Tensin directa en V
I
max
=
1.5 V
10 O
V
corte
= 1.5 V
Q
Q es el punto de trabajo
.
Solucin Grfica
10 O
1.5 V
35
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
Podemos aadir al modelo lineal
la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)
Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima
Aplicacintpica:circuitoestabilizadorcondiodozener
V
E
R
L
R
S
+
V
RL
Interesa que
la tensin V
RL
sea constante
V
z
V
I
I
zmin
I
zmax
V
Z
I
Z
I
L
I
S
Se disea para que su punto de trabajo est en la zona de funcionamiento seguro (zona
zener).
La tensin en el zener (y por tanto, en la carga) ser constante e igual a V
z
slo si las
variaciones de V
E
y/o R
L
producen cambios en I
Z
tales que: I
zmin
I
Z
I
Zmax
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
37
Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN
polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)
A
K
A
K
DIODOS ESPECIALES
Montaje bsico con un diodo LED
Presenta una tensin umbral, V
, de aproximadamente 2V.
Debe circular una corriente suficiente por el diodo para que emita luz. La luminancia
emitida es proporcional a la corriente que lo atraviesa.
Para un buena visibilidad, se requieren tpicamente de 15 a 20 mA.
Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
DIODOS ESPECIALES
39
Fotodiodos (Photodiode)
0
i
V
i
opt
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
0
V
T
1
T
2
>T
1
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
DIODOS ESPECIALES
40
APLICACIN DIODOS LED Y FOTODIODOS
Fuente de
seal
V
1
R
1
Un circuito optoacoplador combina un diodo LED con un fotodiodo
Fuente de
alimentacin
R
2
V
2
41
Clulas solares (Solar Cell)
i
V
V
CA
i
CC
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.
Paneles de clulas
solares
Zona
uso
DIODOS ESPECIALES
42
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia
El efecto Schottky fue predicho tericamente en
1938 por Walter H. Schottky
DIODOS ESPECIALES
43
Detectores reflexin de objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS

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