La Diode de Gunn Et LEffet Doppler Dans La Guerre Du Viet-Nam

KRIEG IM AETHER
Vorlesungen an der Eidgenssischen Technischen Hochschule in Zrich

im Wintersemester 1983/1984
Leitung:
Bundesamt fr bermittlungstruppen
Divisionr J. Biedermann, Waffenchef der bermittlungstruppen
La Diode de Gunn et lEffet Doppler
dans la guerre du Viet-Nam
Referent: M.R.E. Bichara, Dr. Ing.
Diese Vorlesung wurde durch die Stiftung HAMFU digitalisiert und als
PDF Dokument fr www.hamfu.ch aufbereitet.
La Diode de Gunn et lEffet Doppler dans la guerre du Viet-Nam - Vorlesung Krieg im Aether 1983/1984 (ETH Zrich) HAMFU History
HAMFU - www.hamfu.ch Seite 1
5-1
M. R. E. Bi c har a, Dr. , I ng.
TABLE DES MATIERES
1. Introduction
2. La Diode de Gunn
2.1. Historique
2.2. L'Effet Gunn
2.2.1. Transfert lectronique
2.2.2. Resistivit negative
2.3. Construction de la Diode
2.4. Rsultats pratiques
2.4.1. Efficacit
2.4.2. Longueur de la Diode
2.4.3. Frquence de travail
2.5. Performance des diodes de Gunn
3. L'Effet Doppler
3.1. Historique
3.2. Traitement mathmatique
4. Stabilisation de frquence
4.1. Mthodes courantes
4.2. Mthodes spciales
5. Radar Effet Doppler
5.1. Principe de base
5.2. Ralisation pratique
6. Quelques applications
5.1. Historique
6.2. Prototype mi 1itaire
6.3. Dfense de la Base de Da-Nang
6.4. Dtecteur le long du Ho-Chi-Minh Trail
6.5. Le "MERA" ou Electronique Molculaire pour Applications aux Radars
Adresse des Autors:
Marcel Bichara, Dr.,Ing.
Socit Gnrale pour l'Industrie
"Krieg im Aether", Folge XXII
1211 Genve 2
5-2
1. INTRODUCTION
En 1968, la conception, le dveloppement et la ralisation d'un radar Effet Doppler de dimensions
trs rduites et pouvant tre adapt diffrentes applications fut l'un des principaux objectifs
confis l'auteur pendant son sjour aux Etats Unis.
Une alimentation de l'antenne partir d'une source de hyperfrquence, tel qu'un klystron, aurait
pos de srieux problmes d'encombrement. Un klystron requiert des alimentations lourdes et volu-
mineuses et son coefficient de conversion de puissance d'entre en puissance d'hyperfrquence mise
est extrmement bas.
L'usage du klystron tant cart, le problme fut rsolu en dotant le radar d'un gnrateur d'hyper-
frquence la rsistivit volumique ngative, qui est connue galement sous le nom de DIODE de
GUNN (DG).
Cette diode, dont le volume n'exde gure le millimtre cube, ne pse que 30 milligrammes. Son rende-
ment nergtique, mme s'il n'atteint que quelques pourcents, est bien suprieur celui du klystron.
Il est vident que la ralisation d'un tel radar pose de nombreux problmes dont nous ne pouvons
citer ici que quelques-uns d'entre eux. Le profil du lobe de radiation doit satisfaire deux
conditions :
a) le lobe principal doit tre autant que possible indpendant de la hauteur de l'antenne par rapport
au sol ;
b) la puissance des lobes secondaires doit tre aussi faible que possible, car ces lobes sont la
source de parasites en prsence d'obstacles rflchissants.
Le radar complet, c'est--dire de l'alimentation jusqu' l'antenne, doit tre contenu dans une
boite dont les dimensions ne doivent pas dpasser 15x15x10 cm^. En plus des problmes intrinsques
au principe mme du radar, l'emploi de ce gnrateur tait soumis aux difficults inhrentes
toute nouvelle technologie.
Nous nous proposons de dcrire trs brivement l'Effet Gunn, c'est--dire le transfert lectronique,
la cration de la rsistance ngative volumique dans l'arseniure de gallium (AsGa) et l'origine des
oscillations d'hyperfrquences par la formation et la propagation des domaines.
Nous numererons les contraintes imposs pour la ralisation du radar demand et nous verrons que
les performances ont de beaucoup surpass les limites imposes. En effet, un radar pouvant tre
tenu dans le creux de la main (batteries et antenne comprises) permettait de dtecter une cen-
taine de mtres environ, un homme ne portant aucun objet mtallique et ne se dplaant qu'avec
une vitesse radiale de 1,5 cm/s (54 m/h).
Ces performances n'ont pu tre atteintes que par l'utilisation d'un tandem de diodes de Gunn dans
un circuit simple et efficace stabilisant la frquence.
Le systme d'units utilis dans cet ouvrage est le Systme MKSA rationalis.
2. LA DIODE DE GUNN
2.1. HISTORIQUE
En 1963, John B. Gunn fut le premier observer que des courants lectriques oscillants apparais-
saient quand un chantillon d'arseniure de gallium (AsGa) du type N tait soumis un champ
lectrique dpassant un certain seuil, Es . Pour des chantillons trs longs, les oscillations ob-
serves taient irrgulires et quasi alatoires. Par contre, pour un chantillon infrieur
0,25 mm, le courant prenait l'allure d'une srie de pics plus ou moins arrondis s'levant au-dessus
d'un plateau uniforme (Fig. 1).
5-3
Le courant maximal des pics tait sensiblement gal au courant observ pour un champ juste infrieur
au seuil et environ le double du courant de plateau.
Pour ces champs infrieurs celui du seuil, les chantillons suivaient le loi d'Ohm. Gunn a pu d-
montrer que 1 effet observ tait un phenomne intrinsque au matriel et non caus par des contacts
dfectueux ou des effets de surface. Plus tard, Napoli et Kennedy (1956) ont trouv que l'intervalle
de temps, t, entre les pics tait gal la longueur, L, de l'chantillon divis par la vitesse
lectronique d'entranement, V, et qu'il correspondait au courant de plateau.
Cet effet, qu'on appelle Effet Gunn, n'est pas limit l'AsGa, car Gunn lui-mme en 1964 le nota
dans le phosphure d'indium. En 1966, Foyt et McWorther l'ont galement observ dans le tellure de
cadmium. Allen et al. le signalrent aussi dans le phosphure d'AsGa riche en As et dans l'arsniure
d indium sous pression hydrostatique.
2.2. L'EFFET GUNN
Dans un semiconducteur homogne soumis des charges lectriques leves, la distribution lectro-
nique devient instable et les courants oscillants sont dus un transfert lectronique inter-valli
causant, son tour, une gnration volumique de rsistivit ngative.
2.2.1. TRANSFERT ELECTRONIQUE
Considrons la structure de la bande de conduction de l'AsGa dans la direction (000) de l'espace k
(Fig. 2). Cette structure est qualitativement la mme que dans les autres matriaux mentionns
plus haut.
Pour>c-0, il existe une valle d'nergie, appelle valle centrale, avec un rapport de masse effec-
tive, m*, gale 0,065. D'autres valles, situes aux bords des zones de Brillouin et dans les
trois directions,sont connues sous le nom de valles satellites. Les lectrons ont alors une nergie
et une masse effective plus leves. La sparation d'nergie entre les minima centraux et un minimum
des satellites est de 0,35 eV. Par contre, la valeur de la masse effective dans la premire valle
satellite n'est pas connue avec certitude. On la croit toutefois voisine de 1,2 m 0 (m0 = masse de
1 electron au repos). A temprature ambiante et champ lectrique nul, presque tous les lectrons
sont dans la valle centrale.
5-4
cc
LU
val l es satellites
(100) (000)
ESP ACE K
Fig. 2 Reprsentation de la structure de bande d'nergie de l'AsGa en espace k
avec deux des six valles satellites o aprs excitation par un champ
lectrique lev les lectrons chauds se situent
Quand le champ lectrique est faible, les valles satellites n'ont aucun effet determinant sur le
comportement des lectrons. Mais ds que le champ augmente, les lectrons acquirent de 1 energie.
La valeur moyenne de cette nergie est caractrise par la temprature des electrons dans la vallee
centrale. Cette nergie doit augmenter pour que la dissipation de puissance, par la vibration du
rseau cristallin, puisse maintenir l'quilibre nergetique avec la puissance d'entree due au champ.
2.2.2. RESISTIVITE NEGATIVE
Si ce transfert d'nergie continue, les lectrons deviendront suffisamment chauds pour qu'une
fraction apprciable d'entre eux soit transfre vers les valles satellites, o se trouve la
majorit des lectrons dans les champs levs. Ceci est videmment d au fait qu'une plus grande
masse effective entrane une plus grande densit d'tats et une diminution de la mobilit.
En bref, quand le champ augmente, il y a un transfert progressif d'lectrons de la valle centrale
aux valles satellites causant une diminution de la mobilit lectronique, laquelle a son tour en-
trane une diminution du courant crant ainsi une rsistivit ngative.
Dans les semiconducteurs capables de manifester l'effet Gunn, la mobilit moyenne dcrot avec une
rapidit suffisante sur une certaine plage de champ pour que la vitesse moyenne lectronique d-
croisse aussi.
La caractristique vitesse-champ prend, par consquent, l'allure indique par la Fig. 3 et le
matriel prsente une rsistivit ngative entre le sommet et la valle de cette caractristique.
La vitesse maximale correspond celle due au champ de seuil pour l'effet Gunn.
La rapidit de transfert des lectrons de la valle centrale aux valles satellites pour des champs
suprieurs ceux du seuil est due ce que le phnomne de diffusion dominant dans les semiconduc-
teurs polaires faibles champs lectriques provient de collisions avec les phonons polaires optiques
Stratton a dmontr que la diffusion polaire est incapable de dissiper 1 echauffement cause par
l'effet Joule au-dessus d'un certain champ critique. Par consquent, au-dessus de ce champ, qui est
trs voisin du champ de seuil, les lectrons de la valle centrale acquirent suffisamment d energie
pour pouvoir passer dans les valles satellites par collision avec les vibrations reticulaires de
courte longueur d'onde.
5-5
Fig. 3 Caractristique statique (ligne pleine) et dynamique (ligne pointille)
d'un matriel montrant l'effet Gunn. Les deux surfaces hachures sont
isomtriques.
En se basant sur le travail de Stratton, Hilsum donna la premire analyse du processus du transfert
d'lectrons dans l'AsGa. Butcher et Fawcett ont calcul la relation entre la vitesse et le champ
dans l'AsGa en tenant compte de la diffusion par phonons acoustiques dans la valle principale
et entre les valles satellites. Le rsultat est donne par la courbe en pointill dans la Fig. 4
Par contre, la courbe pleine est une approximation analytique de cette caractristique. Cette
dernire courbe se compose d'une partie linaire au-dessous du champ de seuil de 3,3 kV/cm avec
une mobilit de 6'900 cm
2
/volt-seconde, une partie linaire entre 3,3 kV/cm et 5,5 kV/cm avec
3'000 cm
2
/volt-seconde et une partie cubique jusqu'au champ de valle de 20 kV/cm au del duquel
la vitesse atteint l'asymptote de 0,86 10? cm/s.
Cependant nous avons trouv exprimentalement que les valeurs de champ de seuil varient entre
4 kV/cm et 8 kV/cm. Ces grandes variations sont trs probablement dues 1'inhomognit du dopage
de l'chantillon. A premire vue, ce problme de dopage pourrait sembler d'importance secondaire,
mais il a t la cause d'innombrables difficults dans la technologie des diodes de Gunn.
c m
/ s e c
Fig. 4 Caractristique statique (ligne pointille) et approximation analytique (ligne
pleine) et sa correspondante dynamique (ligne segmente)
6-6
2.3. CONSTRUCTION DE LA DIODE DE GUNN
Il est intressant de noter que la diode de Gunn n'est pas, vrai dire, une diode dans le sens
habituel du nom; c'est--dire une jonction de semiconducteurs N et P. En effet la diode de Gunn
est compose de deux couches semi conductrices d'arseniure de gallium monocristallin et toutes les
deux sont du type N, La construction de cette diode se fait par pitaxie en phase gazeuse ou liquide.
Le type de phase n'a pas d'importance et dpend uniquement du choix personnel du constructeur et de
l'quipement mis sa disposition. Chacun est convaincu que son choix est le meilleur, mais les
rsultats se valent.
Le substrat, du type N
+
avec un taux d'impurets de 5-10
1 8
/cm
3
, mesure environ 0,5 x 0,5 mm^ avec
une paisseur de 0,2 mm, ce qui donne un volume, pour la diode sans le support, de presque 0,05 mm
3
.
Une goutte de cire d'environ 0,2 mm de diamtre est dpose sur la couche pitaxe et, aprs erosion
chimique (solution de CP4) on y soude deux contacts ohmiques, l'un sur le substrat et l'autre sur
la partie protge prcdemment par la cire. Ce dernier contact se fait par thermocompression d'un
fil d'or 1% d'iridium. On obtient ainsi la structure montre par la Fig. 5. La base sur laquelle
est soude le substrat est galement utilise comme drain de chaleur (heatsink). Pour une puissance
leve RF mise, on inversera la diode en soudant directement la partie pitaxe sur la base,
c'est--dire sur le drain de chaleur, de faon faciliter l'vacuation de la chaleur par un chemin
plus court.
Nanmoins, deux conditions doivent tre strictement respectes:
a) les traces de cuivre sont rigoureusement proscrites,
b) les contacts de la diode doivent tre ohmiques aux tempratures de travail.
2.4. RESULTATS PRATIQUES
La Fig. 6 montre un essai d'pitaxie aboutissant quatre diodes de diamtre diffrent, savoir:
20, 60, 100 et 200 microns sur le mme substrat.
Les quatre diodes furent essayes et la photo montre que, d des considrations de courant,
d'chauffement et de puissance RF mise, le choix final de la diode fut port sur celle de
0 = 6 0 microns.
La caractristique I = f(V) est donne par la Fig, 7 o l'on peut voir les valeurs suivantes:
Ruban mt al l i que
Couche pi t axe
Al umi ne
Bas e de cui vr e
Fig. 5 Structure interne d'une diode de Gunn
(1) seuil de l'effet:
(2) point de travail :
(3) resistance sans chauffement:
(4) puissance RF mise:
4,5 V, 80 mA
5,5 V, 75 mA
R = 25 il
Pn = 7 mW
o
Avec ces quatre donnes et celle du diamtre, nous pouvons dduire un certain nombre d'autres
paramtres. Trois d'entre eux sont les suivants: fficacit - longueur de la diode - frquence
de travai1.
5-7
Fig. 6 Vue aggrandie d'une quadruple diode de Gunn dans son "pill-package". On peut
noter trs bien la soudure par thermocompression du fil d'or.
sortie en fonction de la mme tension de polarisation de la diode.
2.4.1. EFFICACITE
L'efficacit de conversion du courant continu en RF de la diode est donne par:
V
~ Pi " 5 , 5 V - 7 5 m A '
1 0 0
- 1 , 7 %
Cette valeur, vers la fin des annes 60, tait considre comme bonne.
6-8
2.4,2. LONGUEUR DE LA DIODE
Il y a deux faons de dduire ce paramtre:
a) Vu les dimensions de la diode, on devrait parler effectivement d'paisseur, nanmoins il s'agit
de la longueur parcourue par le domaine.
Sachant que l'effet de Gunn en pratique apparait partir d'un champ lectrique de 8 kV/cm, il
est facile de voir que pour une tension de 5,5 volts, l'paisseur doit tre de:
L = 6 , 9 mi cr ons.
b) Une autre mthode est d'utiliser les donnes mentionnes plus haut soit: la rsistance sans
chauffement, la rsistivit de la couche pitaxe et le diamtre de la diode:
R = 2 5 &
p - I - c m
A partir de
nous obtenons
ce qui donne:
= 6 0 mi cr ons
R = p - k r a r
-rrT
I
2 5 =
tt(3- 10
L = 7, I mi cr ons
-3
2.4.3. FREQUENCE DE TRAVAIL
Sachant que: ( vi t esse) = ( f r q u e n c e ) ( l ongueur )
(I )
et que la vitesse limite, comme vu ci-dessus, est v = 0,86 x 10
7
cm/s, la frquence est donne par:
(2) 0 , 8 6 I 0
7
= F r q . ( H z ) L o n g . ( c m )
8 6 = Fr q. ( GHz) L o ng . ( / i m ) ( 3 )
Par consquent, en substituant les valeurs numriques dans l'quation (2) nous obtenons:
8 6 = Fr q. ( GHz)
6
'
9
* ' ( ^ m )
d'o: 1 2 , 3 GHz
Cependant, cette valeur n'est qu'approximative car elle est hautement influence par les paramtres
de la cavit rsonante et par la tension de polarisation.
Exprimentalement, la frquence de travail obtenue est:
F = 1 3 , 4 G H z
5-9
Rsum des valeurs pratiques
Seuil de l'effet de Gunn
4,5 v 80 mA
Point de travail
5,5 v 75 mA
Rsistance sans chauffement R 25
Puissance RF mise P
o
7 mW
Puissance DC d'entre P
i
412,5 mW
Efficacit
1,7 %
Longueur de la diode L
7 fj. m
Frquence thorique de travail
F
T
12,3 GHz
Frquence exprimentale
F 13,4 GHz
Table 1
2.5. PERFORMANCE DES DIODES DE GUNN
La description donne jusqu'ici ne concerne qu'un seul mode d'opration de la DG, c'est--dire
le "mode fondamental ', car il est le mode avec lequel on peut travailler jusqu' des frquences
de l'ordre de 70 GHz. Au-dessus de cette frquence la DG l'AsGa oscille une subharmonique
du signal de sortie. Ceci est facilement ralisable car le signal primaire de la DG est, en effet
une impulsion donc riche en harmonique, et c'est de ces harmoniques qu'on extrait le signal voulu
Fig. 8 montre les progrs effectus en quinze ans de 1958 1983.
MI L L I - W A TTS
I O O O
100
10
LL)
C/}
Li -
er
L d
y .1
<
c.n
<
R. .01
I 10 100 1 0 0 0 GHz
FREQUENCE
Fig. 8 Performances de diodes de Gunn durant la fin des annes 60 (courbe A) et possi-
bilits actuelles dbut des annes 80 comprenant soit les modes fondamentaux soit
les modes harmoniques ainsi que les diodes au phosphure d'indium (courbe B).
Une des plus intressantes caractristiques de la DG est sa longue dure de vie et sa haute fiabi
lit. En effet une statistique datant de 1968 montre dj un MTBF suprieur 30'000 heures avec
une limite de confiance de 90%.
6-10
Une autre caractristique attrayante est la simplicit dans sa construction mcanique qui la rend
apte satisfaire de nombreuses spcifications militaires en ce qui concerne principalement le
glissement de frquence en fonction de la temprature, quoique plusieurs mthodes standards exis-
tent pour palier cette carence. Premirement, la cavit peut tre compense par un syntonisateur
particulier de faon avoir une drive infrieure 75 kHz/C pour une frquence donne. Deuxime-
ment, l'utilisation d'une cavit stalo (stable Jocal oscillator) peut reduire jusqu' 10 kHz/C la
valeur de ce coefficient de temprature. En outre ce systme aide isoler la charge de la source
et permet d'atteindre rapidement les caractristiques de fonctionnement de la DG ds sa mise en
marche.
Finalement, une autre qualit de la DG est sa renomme pour son trs faible bruit. Le bruit en
modulation d'amplitude (AM noise) est extrmement bas et comparable au meilleur tube reflex comme
aussi au klystron double cavit. Cela s'applique galement ses proprits de bruit en modula-
tion de frquence (FM noise) qui est du mme niveau que les meilleurs tubes actuels.
Dans les deux cas les proprits de bruit en AM et FM sont fonction du facteur de mrite, Q, de
la cavit de rsonance dans laquelle est place la diode de Gunn et plus cette valeur est grande
plus les deux types de bruit sont faibles.
3. L'EFFET DOPPLER
3.1. HISTORIQUE
Christian Doppler (1803-1853), professeur de mathmatique Prague et Vienne, nona le principe
de cet effet en 1842 en parlant des couleurs des toiles. Ce principe disait que la couleur d'une
source lumineuse, telle qu'une toile, doit tendre vers le bleu quand le corps de cette source
s'approche vers nous et tendre vers le rouge quand il s'loigne.
C'est Buys-Ballot (1817-1891) qui, en 1845, examinait cet effet avec des sources sonores.
3.2. TRAITEMENT MATHEMATIQUE
Quand une source sonore et un observateur ont une vitesse relative entre eux qui est non-nulle,
la tonalit du son peru par l'observateur n'est pas la mme que si cette vitesse est nulle.
L'exemple le plus commun est le changement de ton de la sirne d'une ambulance entre le moment
o elle s'approche et le moment o elle s'loigne de nous. Ce phenomne s'appelle "Effet Doppler"
Considrons ici le cas o la source se dplace la vitesse, vs , le long d'une ligne droite vers
l'observateur immobile.
Au fur et mesure que la source s'approche de l'observateur, la distance entre deux compressions
d'ondes^successives est courte, puisque le point d'mission de la deuxime compression se trouve
plus prs du point d'mission de la premire compression. Par consquent, la longueur d'onde est
ainsi diminue par rapport au cas o les vitesses seraient nulles.
La diminution, 8 , est gale la distance couverte par la source durant une vibration complte
(Fig. 9).
Si la source S couvre une distance par seconde (vitesse relative, v , l'oreille) et une distance
par vibration, S , nous avons:
V
s
= F 8
F tant la frquence de l'onde mise. La longeur d'onde, X , est rduite par 8 et la longueur
d'onde apparente, X , est exprime par:
X' = X - 8
La frquence apparente, F', est donne par:
c = F X = F'- X'
5-11
Nous avons donc:
F' =
C c
c
F
c
"
v
s
En soustrayant F des deux termes nous avons:
F ' - F = F - F
c - vs
Vs
- F (si c > > Vs ) ( 4 )
Par le mme raisonnement nous trouvons, pour le cas o la source s'loigne de l'observateur:
F " = F
et
F " < F < F'
Ce qui indique bien une augmentation de frquence l'approche de la source et une diminution de
frequence a 1'eloignement de la source.
a e
S ! !
S
l ]
e
]
1

1
2 -
S d u
/
a d a r n
?"
s a v o n s u n e
situation quelque peu diffrente de celle-ci du fait
rihlp mnhio P ^ T ^ "
6 S e t r o u v e 1
'observateur, les ondes tant rflchies par une
cible mobile. Par consequent, il faut additionner les quations (4) et (5):
F ' - F + F - F " = F + F
et en mettant A F = F ' - F "
nous obtenons:
A F = 2
" T
F
(6!
^ n
6
n
f f
? r
e n c e
+
d e
O f f e n c e , A F, tant fonction de la composante radiale de la vitesse relative
;'i
(
h
S a q u e a e s t r a n g l e f o r m
P
a r l a
S e c t i o n de dplacement de la
cible et la direction entre source et cible devient:
( 7 o )
6-12
ou bien, exprime en longueur d'onde:
A F
V
2 ^ c o s a
X
( 7 b )
Fig. 9 Effet Doppler; cas o la source se dplace et l'observateur est immobile
4. STABILISATION DE FREQUENCE
4.1. METHODES COURANTES
La stabilisation de frquence d'un oscillateur du type RC ou cavit, dpend de l'aspect technique
et de 1 ' aspect financier.
Un oscillateur de haute technicit, tel qu'une horloge atomique, aura une prcision trs pousse,
de l'ordre d'une part sur 10
1 3
, mais sera d'un prix prohibitif pour la plupart des applications.
A l'autre bout de la gamme, un simple circuit LCR avec un transistor comme composant actif ne
cotera presque rien, mais sa stabilit sera la merci de la moindre variation soit thermique
ou mcanique et sa prcision ne sera gure que d'une part sur IO*, dans le meilleur des cas. On
constate ainsi que la stabilit suit une fonction exponentielle par rapport au prix.
Parmi les nombreuses mthodes de stabilisation mcaniques, lectriques ou autres, il y en a une
qui mrite d'tre considre, car elle reprsente le meilleur compromis du point de vue cout/per-
formance,
La stabilisation par verrouillage de phase l'aide de systmes deux ou mme trois boucles est la
mthode la plus courante et qui est utilise depuis longtemps.
Ce systme consiste verrouiller l'oscillateur de travail sur une certaine harmonique d'un oscilla-
teur de rfrence, celui-ci travaillant une frquence relative beaucoup plus basse. Par ce ver-
rouillage le signal final aura la stabilit en frquence de l'oscillateur et en meme temps a
puissance de l'oscillateur de travail. Ces systmes de stabilisation comportent des stabilisateurs
et des synchronisateurs qui prsentent certains avantages mais aussi des desavantages. Certains
de ceux-ci, d'ailleur, sont incompatibles avec leur utilisation.
Le premier dsavantage est le cot lev des nombreux composants ncessaires un tel quipement.
Un autre, et de taille, est que ces systmes prsentent une augmentation du bruit de phase, ce qui
comporte, par consquent, une rduction de niveau du rapport signal/bruit et en meme temps un lar-
gissement des bandes latrales. Les erreurs de compensation de phase, les doubleurs, es multi-
plicateurs de frquence dans les gnrateurs d'harmoniques et le grand nombrede boucles de ver-
rouillage de phase internes requis dans de tels systmes sont d'autres inconvnients.
Le systme prsent ici fut dvelopp et test dans des conditions relles; d'abord dans la Zone
du Canal de Panama puis, sur le front, au Viet-Nam, pour la dfense de la base de Da-Nang.
5-13
4.2. METHODE SPECIALE
Le circuit dcrit dans ces notes, s'il n'a pas les performances long terme d'un systme plus
labor, stabilise, d'une manire considerable la frquence d'un oscillateur diode de Gunn
(DG) et se situe dans la gamme de prix des apparails similaires.
Cette stabilisation est obtenue partir de composants passifs ne demandant aucune nergie lec-
trique supplmentaire vitant ainsi le risque de pannes inopines et ne demandant qu'une fraction
du volume total de l'appareil.
4.2.1. DESCRIPTION DU CIRCUIT
a) Circuit
La frquence gnre par un oscillateur diode de Gunn (DG) a une stabilit insuffisante pour
le but demand, mais elle peut tre stabilise au moyen d'un verrouillage de phase par l'injection
d'une frquence de rfrence.
Considrons la tension d'une frquence de rfrence comme un tension d'entre, V', injecte dans
la cavit de la DG et appelions la tension de sortie V".
Ds que le verrouillage de frquence est atteint, il est vident que les deux tensions, V' et V",
doivent avoir la mme frquence. La plage de verrouillage de frquence, A F, est fonction de
plusieurs paramtres, savoir:
a) cart entre la frquence de rfrence et celle de sortie, A F,
b) frquence de sortie, F,
c) facteur de mrite de la cavit, Q,
d) puissance du signal de rfrence, P',
e) puissance du signal de sortie, P".
Nous avons la condition suivante:
Le but tant de produire un appareil de petites dimensions (comme indiqu dans la section 1)
il est exclu, priori, de le doter d'une source de frquence de rfrence spare. Celle-ci
devrait alors comporter un circuit spcial demandant une alimentation supplmentaire ainsi
qu'une augmentation de volume ncessaire pour son installation. Une ventuelle diminution du
MTBF total serait galement un inconvnient.
La solution utilise pour viter ces dsavantages rside dans l'application de 1'autoverrouillage
de phase retarde simple boucle.
Comme le nom indique, on prlve une partie du signal de sortie, V", de la DG par un coupleur di-
rectionnel et on l'injecte dans la cavit en passant par un circulateur. Le retard est introduit
par l'adjonction d'une longueur de cble coaxial dans la boucle de retour entre le coupleur et
le circulateur. Ainsi le tout agit comme une sorte de"volant de frquence'.'
Le mcanisme de cet ensemble fait que si la DG change de frquence un certain moment pour une
raison quelconque, l'arrive du signal, retarde par la boucle d'autoverrouillage avant cette
drive, rectifie le signal de sortie. Ceci, parce que la tension injecte vient s'additionner
celle de la cavit et que le domaine de l'effet de Gunn se cre seulement partir d'un cer-
tain seuil de champ lectrique.
Si la crte de l'onde injecte arrive dans la cavit trop tt ou trop tard par rapport celle
de la tension existante ce moment prcis, elle anticipera ou retardera respectivement la
formation du nouveau domaine de Gunn causant ainsi le retour la phase originale et la stabi-
lisation de frquence souhaite.
Nous avons vu plus haut qu'un "certain dlai" est ncessaire pour stabiliser la frquence. Ce
dlai est fonction de la frquence et du facteur de mrite de la cavit. Le terme "trs court"
concerne un temps de dure plus court que celui requis par la DG pour driver.
Si le signal de rfrence arrive avant qu'une drive ait lieu, le verrouillage se fait trop tt
et la frquence du signal de sortie suivra les variations alatoires de la diode.
A F (8)
b) Dlai
5-14
Si par contre le dlai est trop long, c'est--dire plus long que celui ncessaire plusieurs
variations, le verrouillage se fera, mais en comportant des variations de frquences.
D'aprs l'quation (1), la frquence naturelle d'une DG multiplie par la longueur de la diode
elle-mme, donne la vitesse limite des domaines. Ces domaines gnrent des impulsions dans une
cavit caractrise par un facteur de mrite, Q. Il s'ensuit que la rsonance s'amortit la
valeur de Ve aprs n cycles.
n =
Q_
7T
( 9 )
La dure du dlai, d'aprs cette quation, est donne par la relation suivante:
Q
TT ( G H z )
;io)
Nous remarquons que plus Q est grand, plus le dlai doit tre long et inversement plus la
frquence est grande et plus le dlai devient court.
c) Principe du systme exprimental
Un circuit a t expriment pour valuer quantitativement l'amlioration ventuelle de la
stabilisation due l'application de 1'autoverrouillage retard simple boucle. Le circuit
utilis, qui est montr sur la Fig. 10 nous permet de voir le cheminement du signal de la DG.
cl) Circulateur: Ce composant sert raliser l'injection du signal de rfrence dans la cavit
de la DG. Un composant bande troite est suffisant pour cette exprience ainsi que pour
l'application industrielle de l'appareil.
c2) Isolateur: Bien que la prsence du circulateur seul serait suffisante, l'introduction d'un
isolateur n'est faite qu' titre prventif.
c3) Premier coupleur directionnel: Ce coupleur de -3dB sert prlever une partie du signal de
sortie pour tre renvoye la DG et faire ainsi un circuit stabilisateur. La valeur exces-
sive de -3dB a t choisie pour le circuit exprimental, mais l'application industrielle
n'aura pas besoin d'une telle valeur.
c4) Deuxime coupleur directionnel: Le deuxime coupleur (-20dB), utilis seulement dans la ver-
sion exprimentale, est employ pour chanti1 loner une partie du signal de sortie et l'en-
voyer ensuite l'analyseur de spectre afin de constater l'amlioration ou la dgradation
du signal aprs traitement.
c5) Attnuateur de prcision: La mesure de la puissance injecte dans la cavit est effectue
au moyen de l'attnuateur de prcision. La raison d'utiliser un composant de haute qualit
est, premirement, d'avoir des rsultats fiables et, deuximement, d'viter des dphasages
incontrollables toujours prsents avec des attnuateurs mdiocres.
c6) Dphaseur de prcision: Puisqu'il est difficile de couper un cble coaxial ou un guide
d'ondes un multiple exacte de longueur d'ondes pour que le signal arrive au moment voulu,
aprs avoir subi le dlai optimal demand, on limine cette legre imperfection en ajustant
l'arrive de l'onde au moyen d'un dphaseur. Ici aussi l'on utilise un appareil de prcision
pour viter des attnuations incontrollables.
Les trois autre quipements n'ont pas besoin d'tre comments.
5-15
Ci r cul at or
C Z H
Gunn-
di ode
)
' >
- 3 d B
- 2 0 d B
<
X
X
at t enuat or
phas e-
shi f t er
X-meter
Power
met er
Spect r um
onal ycer
Fig. 10 Circuit de stabilisation de frquence par autoverrouiliage de
phase retard simple boucle
d) Rsultats de l'exprience
La DG tait une unit de 5 mW monte dans un botier du type D0-19 et place dans une cavit
resonante de X / 4 avec court-circuit piston et iris de couplage.
Quatre expriences ont t effectues avec deux cavits de facteur de mrite diffrents (0=215
b?; a x a " g 9 / 5 ^ L V
e
H
d e
??
t a r d
-
S 0 t
'
P
U r l a p r e m i r e
'
a v e c
^ long e r s d e
(Bande X)
P
deuX1eme, avec trois longueurs de guide d'ondes WG-16 ou WR-90
Les tables suivantes montrent l'amlioration de la stabilit de frquence obtenue.
Q = 215
Dlai optimal:
7,4 nanosec
Longueur du
cble (m)
Dlai (nanosec)
Stabilit de
frquence (x 10"
6
)
0,75
1,50
3,00
5,00
3,75
7,50
15,00
25,00
10,5
0,8
50,7
130,0
Table 2 Rsultats de la 1re exprience
Q -
1 4
Dlai optimal: 0,482 nanosec
Longueur du
cble (m)
Dlai (nanosec)
Stabilit de
frquence (x 10")
0,10
0,30
0,50
0,47
1,42
2,36
1
70
150
Table 3 Rs ultats de la 2me exprience
6-16
Les deux expriences suivantes concernent la vrification de l'quation (8) et la mise en evi-
dence de l'amlioration de la stabilit en frquence, bien que pour des raisons P u l q u e s la
longueur de cble coaxial est optimalise seulement pour le cas ou Q=215 avec L=1,50 m.
Q = 215
Attnuation totale du circuit: 7 dB
Dlai optimal : 7,4 nanosec
Longueur optimale du cble: 1,48 m
Longueur du cble: 1,50 m
Attnuation dans
la boucle (dB)
Puissance in-
jecte (/xW)
Gamme de ver-
rouillage (MHz)
Stabilit de
frquence (x 10")
- 40
0,5
0,43
9,5
- 35
1,6
0,76
4,0
- 30
5,0
1,36
3,0
- 25
15,8
2,42
1,5
- 20
50,0
4,30
0,40
- 15
158,0
7,65
0,050
- 10
500,0
13,60
0,003
- 7
998,0 19,21
0,001
Table 4 Rsultats de la 3me exprience
Q = 14
Attnuation totale
Dlai optimal:
Longueur optimale
Longueur du cble:
du circuit: 5 dB
0,48 nanosec
du cble: 0,96 m
1 ,50 m
Attnuation dans
la boucle (dB)
Puissance in-
jecte (/i W)
Gamme de ver-
rouillage (MHz)
Stabilit
frquence
de
(x 10"
6
)
- 40
0,5
6,61
150
- 35
1,6
11,75
90
- 30
5,0
20,89
50
- 25
15,8
37,14
30
- 20
50,0
66,05
13
- 15
158,0
117,50
4 ,0
- 10
500,0
208,90
1 ,2
- 5
998,0
371 ,40
0 ,3
Table 5 Rsultats de la 4me exprience
5-17
5. RADAR A EFFET DOPPLER .
5.1. PRINCIPE DE BASE
Le principe de base d'un radar effet Doppler consiste mesurer le taux de variation de frquence
de l'onde rflchie en prenant comme rfrence le signal mis.
La mesure de ce taux de variation se fait en mlangeant, dans une changeuse de frquence, le signal
rflchi avec celui mis et en utilisant seulement la diffrence entre ces deux signaux. Les autres
composantes, rsultantes des battements des deux signaux, sont automatiquement limines par l'in-
tgrateur la sortie de la mlangeuse. Par consquent, seulement la frquence la plus basse est
uti1i se.
Cette basse frquence est ensuite mesure avec prcision par rapport la frquence du signal mis,
puis l'aide de l'quation (7a) ou (7b), on obtient la vitesse radiale de dplacement de la cible.
Nous pouvons ainsi dfinir de la manire suivante le signal Doppler:
"Le signal Doppler est un signal produit par le passage de plusieurs cycles complets de diffrences
de phase entre un signal de rfrence, lequel est le signal mis, et le signal rflchi par la cible
caus par le dplacement de la cible de plusieurs longueurs d'ondes."
5.2. REALISATION PRATIQUE
5.2.1. EXIGENCES
Certaines exigences nous taient imposes pour la ralisation du radar mentionn dans la section 1
et sont rsumes comme suit:
Paramtres du radar:
porte: 2: 100 m
fonctionnement continu: ^ 8 h
temprature de fonctionnement: ^ 45 C
humidit relative: S 95t 45 C
volume: g 15x15x10 cm
3
poids: 500 g
Paramtres de la cible:
section efficace: g 0,5 m^
vitesse relative au radar: g 150 m/h
Pour satisfaire ces exigences, il tait souhaitable de concevoir cet appareil avec un minimum de
composants. En outre, la vitesse minimale de la cible dtecter exigeait de mesurer des variations
de frquence de l'ordre de 1-10"^ Hz/Hz dans des conditions climatiques et mcaniques trs dfa-
vorables.
Le diagramme schmatique de la Fig. 11 montre le minimum de composants ncessaires pour la rali-
sation d'un radar effet Doppler.
Ant enne
Ci rcul at or
I
Det ect or
Audi o
Det ect or
ampl i f i er
<Q
Head phones
Re ent r ant per sonant
" cavi t y wi t h gunn di ode
t
D. C. Suppl y
Fig. 11 Schma montrant le minimum de composants ncessaires pour
faire un radar effet Doppler
6-18
Ce radar se compose d'une diode de Gunn pour gnrer les micro-ondes, d'un circulateur pour n'uti-
liser qu'une seule antenne, d'un dtecteur, d'un amplificateur de basse frquence et d'une paire
d'couteurs.
L'lment dterminant la frquence est une cavit rentrante. La diode de Gunn, montre sur Fig. 12,
est matrialise par la croissance pitaxiale d'une couche d'arseniure de gallium de type N avec
une concentration d'impurets infrieure lO'^/cm^ sur un substrat du mme type dont sa concentra-
tion est de 5xl0
18
/
CONT ACT OHMI QUE
A s G a t y p e N
N I 0
l 5
c m "
3
A s 6 a t y p e N
+
N 5 10 c m
C O N T A C T OHMI QUE
Fig. 12 Section d'une diode de Gunn montrant les divers couches
d'AsGa et leur concentration d'impurets.
La couche pitaxe est ensuite attaque chimiquement de faon laisser quatre lots de diamtre
diffrent (voir Fig. 6). C'est un de ces lots qui est connect l'lectrode externe par un fil
d'or 1% d'iridium et soud par thermocompression.
Le fonctionnement de ce radar peut tre rsum comme suit: la puissance RF gnre par la DG est
injecte dans l'antenne en passant par le circulateur. Ce circulateur a une isolation de -20 dB,
de telle sorte que 1 % de cette puissance passe en sense inverse du circulateur, pour atteindre la
diode dtectrice. Il y a deux raisons cette fuite: a) le signal est utilis comme oscillateur
local pour obtenir le mode d'opration "homodyne"; b) cette fuite sert polariser la DG pour un
maximum de sensibilit. L'onde rflchie par la cible et aprs avoir modifi la frquence par d-
placement, est reue par l'antenne et transmise la diode dtectrice en passant par l'autre ct
du circulateur.
C'est dans la diode dtectrice que le signal rflchi se mlange au 1% du signal gnr localement
qui est pass sous forme de fuite dans le circulateur. Le mlange de ces deux signaux primaires
produit un certain nombre de signaux secondaires qui couvrent une vaste gamme de frquence. Mais
c'est seulement la diffrence la plus faible entre deux de ces frquences qui est utilise.
Cette diffrence de frquence, comme nous l'avons vu plus haut, est directement proportionnelle
la vitesse relative entre le radar et la cible et donne par consquent, le signal qui nous in-
teresse.
Le signal de la diode dtectrice est ensuite amplifi, filtr et envoy aux couteurs. Nanmoins,
un autre circuit vient encore s'ajouter aux prcdents si la vitesse relative est infrieure
I km/h, soit moins que 27,8 cm/s environ, car, cette vitesse gnre une diffrence de signaux qui
est la limite de l'audibilit humaine, 16 Hz environ.
II s'ensuit que si l'on veut dtecter des vitesses de dplacement infrieures 27,8 cm/s, il faut
recourir un "zero crossing amplifier". Ce circuit produit une impulsion chaque fois que l'ampli-
tude de l'onde sinusodale BF provenant de la dtectrice transite par le zero.
La ralisation d'un tel radar est montre sur Fig. 13. Le "zero crossing amplifier" n'est pas
visible sur la photo, puisque cette unit est un prototype de laboratoire et il est fait avec des
composants discrets dont le but tait d'essayer le principe sans miniaturisation.
La puret spectrale du signal RF gnr est excellante et peut tre vue dans Fig. 14. La dispersion
ici est de 1 MHz/div et la largeur mi-amplitude est de 400 kHz pour une onde porteuse de 10,3 GHz.
L'instabilit en frquence mesure avec d'autres appareils plus prcis qu^un analyseur de spectre
est de T o r d e de kHz.
5-19
Fig. 13 Radar effet Doppler dans sa plus simple expression, mais o on ne voit
pas le "zero crossing amplifier" ncessaire pour rendre dtectable des
vitesses radiales jusqu' 60 mtres/heure.
Fig. 14 Caractristique d'amplitude en fonction de la frquence pour montrer la
puret spectrale de la raie (Hor.: 1 MHz/div; Vert.: 10 dB/div).
6-20
Deux cibles diffrentes, un homme et une voiture ont t choisies pour dterminer la porte de ce
radar. Pour un homme, dont la section efficace est value 0,5 m
2
et marchant normalement la
vitesse de 4 km/h, la porte du radar tait de 250 m. Pour une voiture la porte dpendait du type
de vhicul, de l'angle de vue, etc., mais, dans tous les cas, tait bien suprieure au km.
Une grande partie du succs de ce radar, et de ceux mentionns dans la section 6, est due l'utili
sation d'un amplificateur courant continu, de haut gain et trs faible bruit. Cet amplificateur,
Fig. 15, consistait en quatre transistors (1 effet de champ, deux npn et un pnp) avec un gain
de 303 dB entre 0,5 Hz et 300 kHz, A 1 kHz, l'impdance d'entre pouvait atteindre 10 Mil et celle
de sortie 2 k2 avec un bruit infrieur 3nV/ |/Tiz. Le gain tait stabilis par une contre-raction
de 20 dB et le tout tait aliment par 18 V 1,5 mA. En modifiant la sortie de l'amplificateur,
on pouvait entendre les frquences infrieures 16 kHz par dformation d'onde. C'est--dire, la
sortie de cet amplificateur d'une amplitude dj considrable tait injecte dans un deuxime ampli
ficateur et le saturait fortement. Cette saturation changeait l'onde sinusodale en onde presque
carre, puis passait par un diffrentiateur. Les impulsions ainsi obtenues taient envoyes aux
couteurs de l'oprateur aprs avoir t mises en forme par un multivibrateur. Ce dernier pouvait
tre mis dans le circuit ou hors circuit volont.
Les appareils destins aux sentinelles devaient tre le plus petit possible et le moins lourd
possible. Nous avons d porter notre choix sur une cavit d'un autre type que la cavit r-entrante
en cuivre qui pesait plus que 150 g, donc trop lourde. Notre choix fut port sur la cavit en
microstrip afin de faire un circuit homogne tout en microstrip.
120 18 V
Fig. 15 Schma de l'amplificateur haut gain et faible bruit
6-21
Pour stabiliser la frquence de tels gnrateurs, il est ncessaire de les charger avec un circuit
ayant une large variation en ractance avec la frquence. Deux mthodes sont possibles soit utili-
ser le circuit en parallle ou en srie. Nous avons choisi le circuit en parallle car, il est im-
pratif d'avoir un court-circuit aussi franc que possible toutes les autres frquences. Ceci per-
met une variation de tension trs large aux bornes de la diode de Gunn et permet d'assurer de cette
faon une bonne stabilit de frquence.
En hyperfrquence, un tel circuit peut tre ralis en connectant la diode une extrmit d'une
ligne circuit ouvert en demi-onde. Pour augmenter cette variation de ractance, nous avons con-
nect la diode entre deux de ces lignes (voir Fig. 17). Le substrat de cette cavit tait en cra-
mique d'alumine de 0,25 mm d'paisseur.
L'quation dcrivant la frquence d'opration de la DG est la suivante:
>C -
w L
2 Y0 t g
2 77-1
( I I )
o: C = capacit de la diode (parasites inclus)
L = inductance de la diode
Y q = admittance caractristique de la cavit
j = F T
La diode est considre comme une combination en parallle de L, C et G (conductance de la diode).
La ligne est suppose tre sans pertes et les deux cavits en parallle avec la diode. Le couplage
capacitif entre les deux cavits au travers de la fente de 0,56 mm dans laquelle se trouve la DG
est considre comme ngligeable. La longueur, t , est la longueur lectrique de chaque cavit et
c'est la somme des longueurs physiques des cavits plus les effets de bords. Nous pouvons crire:
1= ( X / 2 - l' )
o l' = la rduction en longueur de la cavit par rapport X / 2 . Cette rduction en longueur
fournit l'inductance pour compenser la susceptance de la diode.
Les valeurs typiques de mesures des composantes parallles de la DG diffrentes frquences sont
numres la table 6. Une correction fut apporte pour dduire la capacit du "pi 11-package"
puisque la diode, monte en un microstrip n'a pas de "pi 11-package". D'aprs ces rsultats, la
susceptance inductive est considre comme ngligeable aux frquences considres puisque la ca-
pacitance quivalente est invariante par rapport la frquence. Cette supposition est valable pour
autant que l'inductance du fil ne diffre pas beaucoup de celle que l'on mesurerait quand la diode
est monte dans son "pill-package". L'quation (11) devient:
( 1 2 ;
avec v = vitesse de propagation de groupe dans le microstrip.
Y
tg ^
Frquence (GHz) Capacit parallle Conductance (^.mhos)
quivalente (pF)
8,4 0,345 12
10,0 0,335 15
11,0 0,355 40
Table 6 Admittance mesure
6-22
Si l'on utilise une valeur de C = 0,335 pF 10 GHz et Y0 = 50 ^ m h o s , nous obtenons une longueur
lectrique de 4,98 mm au lieu de X / 2 = 5,33 mm. Si nous supposons que les effets de bords sont
petits et constants avec les frquences considres et que nous avons une longueur lectrique
constante de 4,98 mm en appliquant l'quation (12), nous obtenons la courbe dcrite par Fig. 16.
On peut remarquer que la frquence reste constante dans les limites de 1% de 10 GHz pour des
variations de capacit de 153S.
capacit de la diode ( pF)
Fig. 16 Courbe indiquant le peu de variation de la frquence en
fonction de la variation de capacit de la diode.
Quand on incorpore des oscillateurs bas rendement dans des microstrips, le problme de l'va-
cuation de la chaleur devient critique. Pour surmonter cette difficult la DG fut soude directe-
ment sur la base mtallique au centre de la cavit. De cette faon, la chaleur dissipe par la
diode de Gunn est vacue directement dans la base mtallique.
Le prototype est montr par Fig. 17 o l'on peut voir une cavit de 10 mm travaillant une
frquence de 9,3 GHz. Puisque la largeur de la fente mesure 1 mm et la rduction par cavit en-
viron 0,38 mm, la frquence prvue est 9,38 GHz. Les effets de bords rduisent lgrement cette
frquence, mais nous avons un accord trs bon avec l'exprience. La transformation d'une ligne de
20 /i mhos la diode se fait par une ligne X /4 de 35 /a mhos suivie par une autre ligne X /4 de
20 /a mhos, prsentant une admittance d'environ 8 p. mhos la diode de Gunn.
5-23
entre les deux moitis de la cavit et l'adaptateur d'impdance pour
la ligne 50 ohms.
La table 7 montre les rsultats obtenues avec des diodes de Gunn diffrentes. On remarque une
variation de frquence qui est infrieure 7%.
No. du semicon-
ducteur (puce)
No. de la diode Frquence (GHz)
16 4 9,34
16 5 9,25
16 7 9,34
16 8 9,33
386 1 9,22
596 1 9,29
596 3 9,26
596 4 9,22
Table 7 Stabilit de frquence de l'oscillateur
Les pertes dans le microstrip diminuent la pente de la fonction de la tangente avec la frquence
et, en ce faisant, rduit la stabilit en frquence. La stabilit augmente avec Y0 , mais une
largeur de ligne de X /8 est considre comme limite pour viter l'instauration de modes parasi-
taires transversaux la ligne.
5-24
La table 8 montre les diverses puissances RF obtenues avec la mme puce dans un microstrip et dans
un guide d'onde.
Diode (No.) Microstrip Guide d'onde
Diode (No.)
Frquence
(GHz)
Pui ssance
(mW)
Frquence
(GHz)
Puissance
(mW)
16.4 9,34 2,4 9,45 5,0
16.7 9,34 6,8 9,41 5,2
386.1 9,22 37,8 9,56 43,8
596.1 9,29 10,1 9,32 15,8
596.4 9,22 22,6 9,30 25,2
Table 8 Comparaison des performances des diodes en microstrip et
en guide d'onde
5.2.2. RESULTATS
Gnral
Frquence:
Principe:
Type:
9 10 GHz
Effet Doppler
Portatif
Paramtres
Porte
Vitesse de cible
Vol urne
Poids
Dure de fonction
Temprature de travail
Humidit relative
Emetteur
Source:
Puissance RF mise:
Rendement des DG
Alimentation: -tension
-courant
Rcepteur
Type
Figure de bruit
Largeur de bande admise
Rapport S/B
Pertes internes
Antenne
Nombre:
Type:
Modle:
Rendement:
Gain:
Demands
100 m
S 100 m/h
15x15x10 cm
,3
^ 500 g
8 h
45 C
95%
Obtenus
200 m
S 50 m/h
14x14x6 cm
3
445 g
10 h
45 C
95%
Double DG
0,05 W
1,4%
18 V
200 mA
Homodyne
6,5 dB
100 Hz
Parabolode
Cassegrain
0,65
18,5 dB
5-25
6. QUELQUES APPLICATIONS
6.1. HISTORIQUE
Une des applications principales de ce radar fut utilis sur le front viet-namien durant la fin des
annes 60. Sa fonction tait destine la surveillance, d'o la raison de faire un appareil suf-
fisaient adaptable aux diverses types de surveillance effectuer.
Ce radar fut utilis lors de la dfense de la Base de Da-Nang et pour la mission de surveillance
le long du Ho-Chi-Minh Trail.
De nombreux quipements destins l'infanterie devait tre tests dans la zone du Canal de Panama,
cette zone simulant assez bien le climat chaud et humide du Viet-Nam,
6.2. PROTOTYPE MILITAIRE
L'auteur a construit un prototype militaire comme modle de base pour diffrentes versions prvues
et non-prvues. De ce fait dans un premier temps, la miniaturisation fut laiss de ct. Fig. 19
montre le prototype en question avec l'antenne cornet, qui sera change dans la plupart des
applications dfinitives, soit par une antenne parabolique, soit par un reseau d'antenne fente
si le volume et le poids taient limits. Le circuit schmatis de ce radar est montr sur Fig. 18.
DG AN
A
AN
C
DG
E
MV
1N23
Fig. 18 Schma du prototype militaire du radar construit pour servir
comme modle de base pour diffrentes applications.
Le schma montre la diode de Gunn, le circulateur aux fonctions multiples (comme expliques plus
haut), l'antenne, la dtectrice mlangeuse d'o l'on extrait la plus faible des diffrences de
frquence rsultante du mlange de celle de l'oscillateur local avec celle reue par l'antenne,
1'intgrateur ou cellule de filtrage, l'amplificateur 30 dB de gain suivi de l'amplificateur
satur pour dformer l'onde sinosodale l'entre et la rendre presque carre sa sortie, le
circuit diffrentiateur pour obtenir des impulsions partir des ondes carres, le multivibrateur
monostable de mise en forme des impulsions, les couteurs et le tout aliment par des batteries de
18 volts.
Au moyen de cet appareil, dont la frquence utilise tait de 9,3 GHz, nous avons obtenu les
rsultats qui sont mentionns la section 5.2.3..
6-26
Fig. 19 Modle de base du radar effet Doppler
conu pour diffrentes versions.
6.3. DEFENSE DE LA BASE DE DA-NANG
Durant la guerre du Viet-Nam la Base de Da-Nang tait constamment soumise des incursions nocturnes
des Viet-Congs causant des pertes en vies humaines et en matriel. Du au cot lev des convertis-
seurs d'images aux infrarouges et puisque l'image de la cible n'tait pas strictement ncessaire
pour se rendre compte de la prsence d'un intrus, il fut dcid d'quiper les sentinelles d'un
dispositif "pouvant dtecter la prsence de cibles gales ou plus grandes que 0,5 m
2
de section
efficace et se dplaant des vitesses radiales gales ou suprieures 100 m/h une distance
minimale de 100 m". En outre, l'quipement devait tre miniaturis, portatif, tanche la pluie,
robuste et lger.
Deux modl es furent conus: un avec une antenne parabolique et l'autre, plus petit, avec une an-
tenne microstrip rseau de fentes. Malgr l'avantage spcifique pour cette dernire application
avec ses lobes secondaires, le parabolode avec un diple ou du type Cassegrain donna les meilleurs
rsultats et on opta pour celui-ci. Son gain tait de 18,5 dB avec un angle de lobe de 19,3 pour
Le radar fut construit avec la technique des microstrips, ce qui a permis la ralisation d'un
appareil compact, robuste et surtout tanche non seulement la pluie, mais aussi une profondeur
de plusieurs mtres d'eau.
Sur le champ des oprations, l'appareil se dmontra capable de dtecter des cibles des vitesses
radiales infrieures 60 m/h, vitesses bien infrieures celles stipules dans le cahier des
charges. Cette vitesse d'ailleur quivaut la dtection de 1 Hz sur 10 GHz. La raison de cette
performance leve se trouve dans le fait que le temps de vol de l'onde est suffisament court pour
que T o nd e retourne au rcepteur (statistiquement) avant le dbut d'un glissement de frquence ou
de phase (l'amplitude ici n'intervient pas); ensuite le verrouillage de phase retarde par simple
boucle vient complter l'action stabilisatrice.
Nanmoins, l'effet d'un vent fort pouvait se manifester sous la forme d'une instabilit lente,
c'est--dire de Tordre du dixime de seconde. Ceci du fait que le vent cre des inhomognits
d'indice de rfractivit de l'air entre le radar et la cible.
Un autre lement naturel capable de perturber le bon fonctionnement de l'appareil tait la pluie.
En effet une forte pluie pouvait elle aussi causer des signaux perturbateurs, donc un bruit d'une
grandeur bien suprieure ceux du signal voulu; ce qui se traduisait par un affaiblissement du
rapport S/B. Ce rapport pouvait parfois atteindre une valeur bien infrieure 1, ce qui est loin
du minimum des 20 demands. Une autre source de difficults, mais de moindre importance, tait le
passage d'animaux d'une certaine taille dans le faisceau du radar. Mais cette difficult n'tait
pas gnante vu le peu d'animaux au front et mme s'ils se manifestaient, leur comportement tait
si caractristique qu'un oprateur arrivait les identifier avec un minimum d'exprience.
En effet ce dernier pouvait mme identifier, par le squence, le rythme et l'ampleur du signal
Doppler (ce qu'on appelle aujourd'hui la "signature radar") soit, si la cible tait un homme ou
une femme, un vietnamien ou un amricain, une tente ou des feuillages secous par le vent.
5-27
Mais quelques mois plus tard, on constata une perte en sentinelles et il s'est avr qu'avec les
metteurs de leur radar continuellement en fonction, ces sentinelles devenaient de vrais "radio-
phares" et donc, facilement reprables mme en pleine obscurit. Au vu de cette situation il fut
dcid de ramener les sentinelles l'intrieur de la Base tout en gardant leur capabilit de
dtecter des mouvements l'extrieur de la Base seulement. Il est vident que le mouvement des
troupes et de leur matriel l'intrieur du perimtre de la Base devait tre non reprable pour
ces radars.
Le nouveau cahier des charges demandait que l'on puisse "dtecter une cible de 0,5 m
2
de section
efficace entre 150 m (min) et 300 m environ. Ce radar devant tre insensible des cibles de n'im-
porte quelle taille dans un rayon entre 0 m et 150 m (max)".
En d'autres termes, ceci voulait dire qu'il fallait dtecter des cibles d'une taille gale ou
suprieure 0,5 m2 au-del de 150 m jusqu' environ 300 m, et en mme temps ne pas "voir" des
cibles similaires ou plus grandes (telles que Jeeps, camions, etc.) des distances infrieures
150 m.
Au premier abord un tel problme semble insoluble. Nanmoins, la solution fut trouve en utilisant
une ligne retard du type SAW (Surface Acoustic Wave) qui reprsentait une technique d'avant-qarde
pour ces temps-l.
Le poids et le volume de ce nouveau radar n'tant plus limits comme pour les prcdents a pu tre
amlior et il est schmatis dans la Fig. 20. Sur cette figure on peut aussi voir les mutations
principales subies par le signal pour la concidence. Le signal RF produit par la diode de Gunn
passe par le circuit de verrouillage de phase retarde simple boucle et par un isolateur passe
par un coupleur directionnel de -20 dB. Ensuite il est hachr par un modulateur diode et passe
par un deuxieme circulateur puis enfin est lanc par une antenne parabolique de 30,7 dB et de 4 8
d ouverture. Au retour, le signal RF est recueilli par la mme antenne, passe par la sortie R du
circulateur puis traverse le modulateur MD2 et, avec le signal retard par la ligne retard SAW
provenant du coupleur CD3, ils sont tous les deux mlangs et dtects par la diode 1N23 La plus
faible diffrence
d e c e s d e u x
signaux sortant de la . a r l'intgrateur form par
E l l e e s t
ensuite amplifie par l'amplificateur Al, sature et crte par l'amplificateur
S
f ^ n
r e
Sw
d l f f e r e n t l e
P
31
" Te diffrentiateur C2R2, remise en forme par le multivibrateur mono-
stable MV3 et enfin perue par l'oprateur au moyen des couteurs.
SAW
DL
E
A
Antenne
Diode de Gunn
Circulateur
Ligne retard cble coaxial
Coupleur directionnel
Modulateur diode
Multivibrateur
Ligne retard ondes
Superficielles acoustiques
Ecouteurs
Amplificateurs (2)
Fig. 20 Radar effet Doppler puis
6-28
La fonction de MV1 est de crer des "fentres" de transmission d'une dure d'une microseconde avec
un cart de 3 6 microsecondes. Une microseconde plus tard le modulateur MD2 ouvre le circuit R.
Si le signal de retour arrive pendant cette priode il est mlang, dtect et arrive aux couteurs,
sinon rien ne se passe. Ce dlai est calcul d'aprs le temps de vol aller-retour de l'onde radar
pour une cible se situant 150 m du radar. Ce dlai est semi-ajustable suivant la porte dsire.
Cet appareil a donn entire satisfaction durant toute la priode de son emploi sur le front avec
un MTBF d'environ 20'000 heures.
6.4. DETECTEUR LE LONG DU H0-CHI-MINH TRAIL
Une autre application de la diode de Gunn et de l'effet Doppler fut la surveillance du Ho-Chi-Minh
Trail, cette route Nord-Sud de l'autre ct de la frontire viet-namienne.
Ce couloir difficilement contrl par les troupes amricaines, tait une voie de ravitaillement
protge Viet-Cong. Il tait trs difficile ou presque impossible de faire une surveillance par
voie arienne cause de la dense vgtation des lieux. Par consquent, il fallait un systme plus
direct et efficace. Un type de radar effet Doppler diffrent du prcdent fut conu pour cette
application.
On pensa d'utiliser la mise feu par vibrations d'une mine pour enclancher un metteur cod. La
vibration du passage d'une troupe pieds ou mieux encore d'une troupe motorise tait suffisante
pour activer le systme de la mine et enclencher un metteur cod qui signalait l'identit de
l'metteur une base prdtermine.
Thoriquement ce systme tait au point, mais en pratique un trs grand nombre de fausses alarmes
fut enregistr soit, assez rarement, par le passage d'un animal d'une certaine taille, soit par
l'onde de choc d'un avion volant en rase-mottes, soit par les claquements des tonnerres d'orages
ou, tout simplement, par le passage d'un pauvre rfugi perdu.
Il fallait alors concevoir un autre type de radar effet Doppler. Les performances de ce nouveau
radar taient moins exigeantes que les prcdentes. En effet, la porte devait atteindre peine
une dizaine de mtres et fonctionner seulement pour une dure de 30 secondes.
Le systme complet de ce dtecteur tait compos par:
a) un radar effet Doppler dans sa plus simple expression,
b) un metteur cod pour son identification et
c) une mine vide de son explosif, mais avec le dtecteur de vibration.
Le principe de fonctionnement tait le suivant: une vibration mcanique du sol sensibilise le systme
de la mine et ferme le circuit d'alimentation du radar. Ce dernier se met en marche pour une dure
de 30*3 secondes. Si la fin de ces 30 secondes la mine ressent encore un mouvement, le signal^
Doppler du radar avec celui de la mine enclenche ensemble l'metteur qui transmet un signal cod
durant 10 secondes environ.
La ralisation d'un tel radar tait beaucoup plus facile cause de sa porte restreinte. Le rayon
de cette faible porte provenait du fait que le passage surveiller tait d'une largeur de moins
de 10 mtres et, enfin et surtout il ne fallait pas se faire localiser par l'ennemi.
Les performances requises de cet appareil taient donc minimes, car la stabilit en frquence tait
limite au temps de vol de l'onde sur une distance effective de 20 mtres; ce qui se traduit par un
lapse de temps infrieur 70 nanosecondes et c'est bien rare qu'il puisse y avoir un glissement de
frquence ou de phase (l'amplitude ne joue pas de rle dans ce cas) dans un temps aussi court. Ainsi
une simple cavit en microstrip tait suffisante. En ce qui concerne la puissance RF emise, elle ne
devait pas tre exceptionnelle car, pour un tel rayon d'action, quelques milliwatts seulement etaient
ncessaires. Quant aux variations des performances, en fonction de la temprature et/ou de l'humidi-
t rien de spcial tait faire, par contre la tropicalisation de l'quipement devait tre par-
faite, car il devait pouvoir fonctionner sans entretien de longues priodes.
Malgr l'absence totale de publicit au sujet de cet appareil il a donn entire satisfaction avec
trs peu de fausses alarmes enregistres et avec un MTBF suprieur 25'000 heures.
6.5. LE MERA OU L'ELECTRONIQUE MOLECULAIRE POUR LES APPLICATIONS AUX RADARS
Un des programmes prcurseurs du dveloppement de la technologie des circuits intgrs pour micro-
ondes est le MERA Programm (Molecular Electronics for Radar Applications).
Le rsultat principal de ce programme fut la ralisation d'un petit circuit MIC (Microwave inte-
grated Circuit) mesurant 63,5x25x7,5 mm
3
et d'un poids infrieur 20 grammes. Ce module met sur
la bande X (8,2 12,4 GHz) et contient l'metteur, le rcepteur et les fonctions du dphaseur
pour un radar rseau d'antenne verrouills en phase.
5-29
Le schma de ce module MERA est indiqu par la Fig. 21. Dans ce schma les multiplicateurs de
frquences sont utiliss pour gnrer la frquence de l'metteur et le signal de l'oscillateur
local pour le rcepteur. Durant le cycle d'mission un signal de faible puissance (2 mW) est
fourni au module 2,25 GHz, il est amplifi une puissance de 20 mW et envoy travers le r-
seau dphaseur de l'metteur. La sortie est ensuite amplifie jusqu' 2,25 W et multiplie par 4
dans un amplificateur varactor pour obtenir 9 GHz. Aprs le dviateur T-R entre 0,6 et 0,7 W RF
sont fournis l'antenne. Du ct rcepteur, l'nergie reue est mlange avec les 8,5 GHz de
l'oscillateur local obtenus en multipliant l'entre de 2,125 GHz par 4. La mlangeuse symetrique
utilise deux diodes "Schottky Barriers" avec un facteur de bruit de 12 dB. Les 500 MHz de la
moyenne frquence sont ensuite amplifis et disponibles comme signal d'entre.
,6W
30V
PULSED
-15V
x4
2.25W
-15V
o
-3dB
TR SW.
0
ANTENNA
TR
5V
0.5dB 2mW
MIXER
-6dB
PULSED
AMP
lOmW
15V
q 5V
x4
-7dB
IF PREAMP
500 MHz
PHASE _SHIFTER_
-5dB
Tx
PHASE
SHIFTER
Ai. Ai
n
LOGIC &
DRIVERS
PHASE
SHIFTER
5V
v ir \r
-a 30V
- D TR SW.
TR SW.
1
20mW
I J
PHASE SHIFTER
PREAMP
2mW
15V
Fig. 21 Schma du module "front-end" du systme MERA. Le paraboloide a t utilis
seulement pour les essais. Habituellement le module se trouve immdiatement
derrire son diple respectif.
Tx 2.25 GHz
Tx 2.125 GHz
En definitive ce qu'on veut montrer avec ces quelques dtails c'est que les applications immdiates
pour le MIC en gnral et pour l'ensemble Doppler-Gunn en particulier peuvent tre trouves si les
problmes existants sont tris et slectionns la lumire de la technique du MIC.
Les concepts radicalement nouveaux sont toujours trs lents tre accepts. Au dbut, seulement
les caractristiques les plus frappantes sont exploites. Dans le cas du MIC ces caractristiques
sont la petite taille, sa lgret, son efficacit, le bas prix et une fiabilit trs pousse. Mais
quand la technologie du MIC aura eu le temps de mrir alors seulement les avantages plus subtils
deviendront apparents.

La Diode de Gunn Et LEffet Doppler Dans La Guerre Du Viet-Nam

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

La Diode de Gunn Et LEffet Doppler Dans La Guerre Du Viet-Nam

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

KRIEG IM AETHER

Vorlesungen an der Eidgenssischen Technischen Hochschule in Zrich

Anda mungkin juga menyukai