Diodo Pip PDF

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS
CENTRO DE CINCIAS ECATAS E DE TECNOLOGIA

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

ESTUDO DA DINMICA DE PORTADORES EM DIODOS DE TUNELAMENTO
RESSONANTE TIPO-P

Helder Vinicius Avano Galeti

SO CARLOS
2007

ESTUDO DA DINMICA DE PORTADORES EM DIODOS DE TUNELAMENTO
RESSONANTE TIPO-P

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS
CENTRO DE CINCIAS ECATAS E DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

Estudo da dinmica de portadores em
diodos de tunelamento ressonante tipo-p

Helder Vinicius Avano Galeti

Dissertao apresentada ao
Programa de Ps-Graduao em Fsica
da Universidade Federal de So Carlos,
como parte dos requisitos para obteno
do Ttulo de Mestre em Fsica.
Orientador: Prof. Dra. Yara Galvo Gobato

SO CARLOS
2007

Ficha catalogrfica elaborada pelo DePT da
Biblioteca Comunitria da UFSCar

G154ed

Galeti, Helder Vinicius Avano.
Estudo da dinmica de portadores em diodos de
tunelamento ressonante tipo-p / Helder Vinicius Avano
Galeti. -- So Carlos : UFSCar, 2008.
85 f.

Dissertao (Mestrado) -- Universidade Federal de So
Carlos, 2007.

1. Tunelamento (Fsica). 2. Luminescncia. 3.
Heteroestruturas. 4. Poos qunticos. 5. Propriedades
pticas. I. Ttulo.

CDD: 537.5 (20
a
)

Dedico este trabalho aos meus pais,
Jos e Elizabeth, e meus irmos.

Agradecimentos

Gostaria de agradecer a Professora Yara Galvo Gobato pela orientao,
pacincia, incentivo, ensinamentos e dedicao com os quais me conduziu durante
este trabalho e que muito colaborou para meu crescimento.

A Professora Maria J os S. P. Brasil, do IFGW-UNICAMP, por disponibilizar
o laboratrio do Grupo de Propriedades pticas (GPO) para a execuo do trabalho
e pela enorme dedicao, incentivo, ensinamentos e discusses, sem os quais este
trabalho no seria possvel.

Ao Professor Gilmar Eugnio Marques e Victor Lopez-Richard, do DF-
UFSCar, pelo incentivo, ensinamentos e discusses tericas do tema abordado.

Ao Professor Fernando Ikawa, do IFGW-UNICAMP, pelas conversas e
ateno aos problemas enfrentados.

Ao Professor Mohamed Henini, da Universidade de Nottingham (UK), por
fornecer as amostras utilizadas neste trabalho.

Ao Hugo Bonete de Carvalho pelos ensinamentos, discusses e amizade
firmada durante minha passagem pela UNICAMP.

A Larinha, a menina mais XEMECA que eu conheo, grande amiga do
corao e companheira de todos os momentos, por acreditar na minha capacidade
muito mais do que eu mesmo e sempre me apontar um horizonte maior.

Ao Esquina, pela enorme e sincera amizade de irmo, por muito aprender
sobre a vida nas discusses que volta e meia temos e pelas enormes alegrias que
ainda marcam uma juventude muito bem vivida.

Ao Wagner, grande amigo de discusses impares e reflexes profundas, por
sua grande pacincia e amor para com todos ao seu redor.
Aos amigos da Federal: Botero, Hiroshi, J aka, Rgis, Fabio, Matheus,
Rejane, Daniel e todos que agreguei com o tempo, pelas muitas risadas e grandes
desafios enfrentados juntos ao longo de toda a jornada aqui em So Carlos.

Aos amigos da Embrapa: Marcelo, Garbim, Dbora e Marta pela constante
animao e pelos conhecimentos adquiridos.

Aos amigos da Unicamp, o Mrcio Cabelo e o Paulo Gomes, pelas
conversas e convivncia.

A todos meus amigos de Rio Preto e aos vrios companheiros de repblica
e amigos que conheci durante meus estudos em So Carlos, em especial meu primo
Rafael, por me mostrarem que nem tudo como se imagina, por me ajudarem a
comprende-los e pela grande influncia positiva sobre a minha pessoa.

Aos meus pais e meus irmos, pela certeza incondicional do grande amor
que nos une e por me ampararem nos momentos mais difceis ao longo do caminho
que me trouxe at aqui.

Quero lhe implorar para que seja paciente
com tudo o que no est resolvido em seu corao e
tente amar as perguntas como quartos trancados
e como livros escritos em lngua estrangeira.
No procure respostas que no podem ser dadas
porque no seria capaz de viv-las.
E a questo viver tudo. Viva as perguntas agora.
Talvez assim, gradualmente, voc sem
perceber, viver a resposta num dia distante.

Rainer Maria Rilke

Resumo

Neste trabalho, realizamos um estudo de fotoluminescncia resolvida no
tempo em diodos de tunelamento ressonante do tipo p. Em particular, estudamos
estruturas p-i-p de GaAs/AlAs com barreiras de largura simtrica e assimtrica.
Desta forma, os efeitos observados so predominantemente referentes a dinmica
de tunelamento de eltrons fotocriados na estrutura (portadores minoritrios).
Realizamos medidas de transporte e fotoluminescncia resolvida no tempo do poo
quntico e do contato em baixa temperatura e em funo da tenso aplicada na
estrutura. Para ambos os diodos, observamos uma dependncia importante do
tempo caracterstico de decaimento da fotoluminescncia do poo quntico com a
voltagem aplicada. Observamos tambm um decaimento bi-exponencial para
voltagens prximas ao tunelamento de portadores minoritrios (eltrons
fotogerados). Para emisso do contato GaAs, observamos um decaimento mono-
exponencial e uma fraca dependncia com a voltagem aplicada. Os resultados
obtidos foram interpretados a partir da difuso e tunelamento de portadores
minoritrios na estrutura.

Abstract

Photoluminescence spectroscopy has been used to provide important insight
on the tunneling dynamics of carriers in double barrier diodes. In this work, we have
performed time-resolved photoluminescence measurements in symmetric and
asymmetric p-type GaAs/AlAs resonant tunneling diodes in order to study the
tunneling dynamics of photocreated minority electrons. We observed several peaks
in the current voltage characteristics (I-V) associated to the resonant tunneling of
holes through different quantum well heavy- and light-hole sub-bands. Under light
excitation, we have observed the developing of additional peaks in the I-V curve. For
the asymmetric structure, two peaks were observed and associated to the exciton
assisted tunneling and resonant tunneling of photogenerated electrons. We have
studied the temporal evolution of the GaAs contact and quantum well (QW) emission
versus the applied bias voltage. For the QW, the luminescence comes solely from the
recombination between the lowest-energy confined levels in the QW even when the
device is biased at higher tunneling resonance peaks. For both structure, the PL
decay depends on the applied voltage and presents a bi-exponential decay for some
values of bias. The results revealed a markedly long PL decay at the bias voltage
associated the exciton assisted tunneling resonance in the current voltage
characteristic. For the GaAs emission, we observed a weak dependence of the PL
intensity versus voltage and a mono-exponential decay. We analyze our results
considering the diffusion and tunneling of minority electrons in the structure.

Sumrio

Introduo ________________________________________________10

Captulo 1 Fundamentos Tericos___________________________13
1.1 Materiais Semicondutores.....................................13
1.1.1 Heteroestruturas Semicondutoras......................14
1.2 Tunelamento Ressonante em Heteroestruturas
Semicondutoras de Barreira Dupla..................................16
1.2.1 Tunelamento Ressonante Coerente...................20
1.2.2 O Electron dwell time......................................22
1.2.3 Tunelamento incoerente ou seqencial..............28
1.3 Acmulo de carga espacial no QW e bi-estabilidade
intrnseca de corrente em DTRs.......................................29
1.4 Recombinao Radiativa de Portadores
Fotoluminescncia........................................................... 31
1.5 Estudo experimental do acmulo de carga......................32
1.6 Fotoexcitao de portadores e dinmica dos processos de
relaxao..........................................................................34
1.6.1 Dinmica do tunelamento em DTRs.................38
1.6.2 Dinmica do tunelamento em DTRs avaliados por
tcnicas pticas resolvidas no tempo...............39
1.6.3 Modelo de trs nveis e equaes de taxa.........40

Captulo 2 - Materiais e Tcnicas Experimentais_________________43

2.1 Diodos de Tunelamento Ressonante...............................43
2.2 Medidas de Transporte.....................................................45
2.3 Fotoluminescncia resolvida no tempo............................46
2.3.1 Streak Camera...................................................48

Captulo 3 Resultados e Discusso__________________________51

3.1 DTR p-i-p assimtrica.......................................................51
3.2 DTR p-i-p simtrica...........................................................71

Captulo 4 Concluses_____________________________________79

Referncias Bibliogrficas___________________________________81
10
INTRODUO

O tunelamento de uma partcula atravs de uma barreira de potencial
de espessura da ordem do comprimento de Broglie da partcula um fenmeno da
mecnica quntica que no tem anlogo clssico, sendo estudado em diferentes
ramos da Fsica. A obteno de sistemas versteis para o estudo deste tipo de
fenmeno foi durante muito tempo objeto de investigao por diversos
pesquisadores. O progresso recente de vrias tcnicas de crescimento epitaxial de
cristais, em particular o crescimento por MBE (Molecular-Beam Epitaxy) permitiu a
obteno de uma grande variedade de estruturas semicondutoras de alta qualidade
tornando possvel explorar o fenmeno de tunelamento. Alm disso, os avanos na
tecnologia de processamento de semicondutores possibilitaram a fabricao de
estruturas com dimenses de poucos nanmetros, o que tem levado descoberta
de novos fenmenos fsicos e de dispositivos velozes de tamanho reduzido. As
nanoestruturas semicondutoras so sistemas versteis para a investigao da fsica
fundamental do tunelamento, pois muitos parmetros que afetam o tunelamento
podem ser controlados com alto grau de preciso. Alm do interesse do ponto de
vista de Fsica Fundamental, o tunelamento tem um papel importante em muitos
dispositivos baseados em heteroestruturas semicondutoras, nos quais o transporte
perpendicular de portadores importante, desempenhando tambm um papel
fundamental nos Diodos de Tunelamento Ressonante (DTR), que podem operar em
freqncias acima de muitas centenas de GHz [1].
O diodo de tunelamento ressonante (DTR) foi proposto pela primeira
vez por Tsu e Esaki em 1973 logo aps o aparecimento da tcnica de MBE. O
dispositivo consiste basicamente de uma heteroestrutura semicondutora com perfil
de banda de conduo ou valncia de uma barreira dupla de potencial, ou seja, um
poo quntico (semicondutor de menor gap) entre duas barreiras (semicondutor de
maior gap). A estrutura possui em suas extremidades contatos fortemente
dopados. A probabilidade de transmisso desses sistemas atinge altos valores
quando a energia do eltron incidente prxima energia do nvel ligado no poo
quntico. Essas energias so chamadas de energias de ressonncia e o por essa
razo o nome de tunelamento ressonante. O sistema anlogo ao interfermetro
Fabry-Perot em tica. Na prtica, no podemos variar a energia do eltron incidente
11
e uma voltagem aplicada na estrutura para controlar a posio do nvel do poo
quntico com relao aos nveis do contato. A corrente tnel tem incio quando o
nvel ligado do poo quntico est em face do nvel de Fermi do emissor e decresce
rapidamente quando passa a energia mnima no emissor. Para voltagens superiores
a estrutura se torna mais transparente e a corrente aumenta novamente. A curva
caracterstica corrente tenso (I(V)) desses sistemas ento constituda por um pico
ressonante e um mnimo denominado de vale de corrente. Esse sistema apresenta
na curva caracterstica I(V) uma regio de resistncia diferencial negativa (RDN), o
que bastante interessante para aplicaes como osciladores de alta freqncia.
Vrios trabalhos foram realizados nos ltimos anos em diodos de
tunelamento ressonante. Recentemente, tais sistemas tm despertado grande
interesse no estudo de manipulao de spin para possveis aplicaes como
dispositivos de filtro de spin [3]. Tais estudos procuram explorar o comportamento
desses sistemas na presena de campo magntico, o que leva quebra de
degenerescncias de spin e possibilidade de utilizao desses dispositivos como
filtros de spin controlados por voltagem. Alm disso, vrias previses tericas
apontam para tal aplicao mesmo em condies de campo magntico nulo, devido
a efeitos de interao spin-rbita (Efeito Rashba e Dresselhaus) [4,5], o que faz do
entendimento bsico sobre esses dispositivos algo relevante e at mesmo
promissor. Compreender de uma maneira mais completa as propriedades dinmicas
de transporte e manipulao dos portadores de cargas nesse tipo de estrutura serve
como base para diversos estudos em estruturas de tunelamento ressonante que
possam vir a ser desenvolvidos, visando a explorao de propriedades qunticas.
Este trabalho teve como objetivo investigar a dinmica dos portadores
de carga em heteroestruturas de tunelamento ressonante utilizando a tcnica de
fotoluminescncia resolvida no tempo (PLRT). Esse estudo foi realizado em Diodos
de Tunelamento Ressonante (DTR) de GaAs/AlAs com barreiras simtricas e
assimtricas do tipo p-i-p. Desta forma, os efeitos observados referem-se
predominantemente a dinmica de tunelamento de eltrons fotocriados na estrutura
(portadores minoritrios). Neste estudo, determinamos os tempos caractersticos do
decaimento da fotoluminescncia do poo quntico e do contato e sua dependncia
com a voltagem aplicada. A interpretao dos resultados obtidos foi associada aos
efeitos de acmulo de cargas e ao tunelamento de portadores atravs da estrutura.
Este trabalho foi desenvolvido numa colaborao entre o Grupo Terico e
12
Experimental de Semicondutores do DF-UFSCar, o Grupo de Semicondutores da
School of Physics and Astronomy, University of Nottingham (UK) e o Grupo de
Propriedades pticas do IFGW -Unicamp, onde foi realizada grande parte das
medidas experimentais.
No Captulo 1 apresentamos os principais aspectos tericos
necessrios para compreenso deste trabalho assim como uma breve reviso
bibliogrfica de trabalhos anteriores. No Captulo 2 apresentamos a descrio das
amostras estudadas e o dispositivo experimental utilizado para medidas de
transporte e medidas de fotoluminescncia resolvida no tempo. No Captulo 3
apresentamos os resultados obtidos e discusses desse trabalho de mestrado. No
Capitulo 4 apresentamos a concluso e perspectivas desse trabalho.

CAPTULO 1 FUNDAMENTOS TERICOS

13

Neste captulo sero apresentados alguns aspectos tericos
necessrios para compreenso deste trabalho. Uma breve reviso bibliogrfica
referente ao estudo de acmulo de carga e fotoluminescncia em diodos de
tunelamento ressonante tambm apresentada.

1.1 - Materiais Semicondutores

Os semicondutores cristalinos so cristais isolantes que possuem
bandas de energia proibida pequenas, da ordem de alguns eV, denominadas de
band-gaps. Desta forma, a condutividade eltrica destes materiais depende dos
eltrons e/ou buracos excitados termicamente e tambm da densidade das impurezas
dopantes. Os semicondutores foram objetos de vrios estudos durante as ltimas
dcadas, no apenas pelo interesse do ponto de vista de fsica fundamental, mas
tambm por suas diversas aplicaes como dispositivos retificadores, transistores,
clulas fotoeltricas, magnetmetros, clulas solares, lasers e etc. Atualmente so
alvos da indstria de alta tecnologia, sendo muito teis para a construo de
dispositivos eletrnicos de alto desempenho tais como processadores, memrias,
circuitos integrados de tamanho reduzido, dispositivos optoeletrnicos de
interfaceamento entre mdias e sistemas de deteco, com grande capacidade de
processamento e de custos relativamente baixos.
Alguns dos cristais semicondutores mais estudados correspondem aos
formados por elementos da coluna IV da tabela peridica, como silcio e germnio;
compostos III-V como GaAs, AlAs, GaSb, InP, e assim por diante; compostos IV-VI
tais como PbS, PbSe, PbTe ; compostos II-VI como CdSe, CdTe e Cu
2
S; compostos
ternrios como Al
x
Ga
1-x
As e quaternrios. Entre os materiais mais utilizados
atualmente para aplicao em dispositivos optoeletrnicos, o Arseneto de Glio
(GaAs), o Arseneto de Alumnio (AlAs) e o Arseneto de Glio Alumnio (Al
x
Ga
x-1
As
0 x1), se destacam por apresentarem caractersticas muito interessantes para a
fabricao de heteroestruturas. Eles possuem estruturas cristalinas cbicas
semelhantes, do tipo zinc blend (blenda de zinco). Isso faz com que a diferena


14
entre seus parmetros de rede seja muito pequena (menor do que 0,15% em 300K)
[27], o que proporciona uma concentrao insignificante de estados e tenses
interfaciais indesejveis. A estrutura de banda do GaAs, isto , a disperso de
energia do cristal em funo do vetor de onda k, mostradas na Figura 1-1 para
algumas pontos de alta simetria como X, L e K. O GaAs possui uma estrutura com
band-gap direto, onde o mximo da banda de valncia e o mnimo da banda de
conduo esto no centro da primeira zona de Brillouin, o ponto em k=0. J para o
AlAs, com uma estrutura semelhante a da Figura 1-1, o band-gap indireto, com o
fundo da banda de conduo no ponto X
6
, abaixo do ponto
6
, e o topo da banda de
valncia permanecendo no ponto
8
.

Figura 1-1 Disperso de energia do bulk de GaAs, com band-gap direto no ponto , obtido por Yu
& Cardona [56]

1.1.1 Heteroestruturas Semicondutoras
Uma heteroestrutura semicondutora formada a partir da deposio de
camadas planas, com espessuras controladas e bem definidas, de materiais
semicondutores distintos entre si. Essas camadas so crescidas umas sobre as
outras ao longo de uma direo bem definida, como esquematizada na Figura 1-2(a).
Os semicondutores de cada camada, apesar de serem distintos em sua composio,
devem possuir redes cristalinas similares para que no haja grande diferena nos
parmetros de rede dos dois materiais adjacentes.


15
Tal disposio de ons nas redes leva a uma diferenciao nos
potenciais que agem sobre os portadores transportados perpendicularmente
direo de crescimento, j que o ban-gap diferente em cada camada. Dessa
forma, quando um material de menor band-gap for crescido entre dois outros de
maior gap, como ilustrado pela Figura 1-2(b), podemos formar uma heteroestrutura
semicondutora do tipo poo quntico (QW). Com isso, efeitos de confinamento
espacial semelhantes queles presentes numa heterojuno simples formada por
dois materiais surgem tambm nas interfaces de cada camada.
O alinhamento das bandas nessas interfaces definido por um
parmetro denominado band offset, que descreve como a diferena de energia
entre os band-gap dos dois materiais se distribui na banda de valncia e de
conduo, para a formao de barreiras e poos. No caso do sistema GaAs/GaAlAs,
cerca de 60% da diferena de energia do gap dos dois materiais est na banda de
conduo e o restante, cerca de 40%, est na banda de valncia. Em baixas
temperaturas (4K), o AlAs (
,
3,13
g di r
E
= eV
) o material de maior gap e serve,
portanto, como barreira de potencial para os portadores que se localizaro na
camada de GaAs (
,
1,52
g di r
E eV
=
) .

(a)
(b)
Figura 1-2 (a) Representao da disposio em camadas de dois materiais (GaAs e Al
x
Ga
1-x
As)
numa heteroestrutura semicondutora; (b) um exemplo de um poo quntico formado pela estrutura,
onde mostrada a energia do eltron e o potencial efetivo visto pelos eltrons como funes da
distncia z perpendicular s camadas [66].

Quando a largura do poo (a) da ordem do comprimento de onda de
de Broglie, ocorre o efeito de confinamento quntico, onde os portadores perdem a


16
liberdade de locomoo na direo z, mas mantm seu movimento livre no plano
perpendicular e formam um conjunto de estados bi-dimensionais (quase 2D). Para
calcular os nveis de energia nesta estrutura, substitui-se a equao de Schrdinger
real por uma equao envolvendo o Hamiltoniano efetivo [7]:
2
,
( ) ( ) ( ) ( )
2
ef e e e c e
e
p
V z E E
m

+ =

r r , (1)
onde a massa efetiva do eltron e o potencial efetivo visto pelos
eltrons, que leva em conta a natureza dos diferentes materiais. Este potencial
representado na Figura 1-2(b). As funes
e
m
,
( )
ef e
V z
so as funes de onda envelope, que
tm a forma:
( ) exp( ).exp( ) ( )
e x y
ik x ik y z
e
= r , (2)
onde ( )
e
z a soluo da equao de Schrdinger unidimensional no potencial da
Figura 1-2(b). Isso leva a um problema elementar de mecnica quntica, o poo
retangular de potencial, com nveis primordialmente localizados dentro do poo
quntico, mas que se estendem para dentro das regies das barreiras.

1.2 - Tunelamento Ressonante em Heteroestruturas Semicondutoras de Barreira
Dupla
Um diodo de tunelamento ressonante (DTR) uma heteroestrutura
semicondutora que possui um poo quntico no dopado inserido entre duas
barreiras de potencial, tambm no dopadas, assim como camadas fortemente
dopadas em suas extremidades, denominadas de contato. Esses contatos so
responsveis pelo excesso de portadores que so transportados ao longo da
estrutura quando aplicamos uma diferena de potencial entre as extremidades do
diodo. A dopagem em alta concentrao nos contatos causa o alargamento dos
nveis de impurezas (doadores ou aceptores) no semicondutor, podendo levar a uma
transio de fase de semicondutora para metlica, deslocando o nivel de Fermi do
material, que antes se encontrava no interior do band-gap, para dentro da banda de
conduo, permitindo aos portadores se deslocarem na presena de um campo
eltrico. Os contatos podem ser identificados como emissor ou coletor dependendo
da polaridade dos potenciais eltricos aplicados ao DTR e, consequentemente, da
emisso ou captao dos portadores majoritrios por eles. Geralmente inserido
uma camada no dopada entre os contatos fortemente dopados e as barreiras com o


17
objetivo de aumentar a relao corrente-pico e corrente-vale (P/V) na curva
caracterstica corrente-tenso ( I(V) ). Na presena de voltagem, esta camada cria
uma regio de acmulo de carga com uma forma aproximada de um poo triangular.
Nesse caso, o efeito tnel ressonante pode ocorrer de duas maneiras distintas:
tunelamento 3D-2D-3D, onde os portadores da regio do contato 3D tunelam
diretamente para um estado 2D do poo, ou atravs da camada de acumulao (2D-
2D-3D), onde os portadores se acomodam em estados discretos do poo triangular
antes de tunelarem para dentro do poo. Estes portadores injetados na regio do
poo, eventualmente tunelam para a regio do coletor (3D), aps um tempo
caracterstico.
Dessa forma, o DTR pode ser considerado como um sistema quntico
aberto, no qual os estados eletrnicos so estados quase-ligados ou ressonantes
com uma distribuio contnua no espao de energia, em vez de estados ligados com
um espectro de energia discreto. Em tais circunstncias, estados quase-ligados
denomidados estados ressonantes so formados no poo quntico, onde eltrons e
buracos so acomodados por um tempo que caracterstico da estrutura de barreira
dupla (o estado de menor energia est denotado no diagrama abaixo por E
0
) [8]. As
principais etapas do processo de tunelamento ressonante so ilustradas na Figura 1-
3 atravs dos diagramas dos perfis de potencial da banda de conduo para um DTR
tipo n-i-n, para quatro voltagens diferentes: (a) na voltagem zero, (b) na iminncia de
ressonncia, (c) em ressonncia e (d) fora de ressonncia. O sistema de barreira
dupla mais estudados na literatura corresponde quele baseado em heteroestruturas:
Al
x
Ga
1-x
As (barreira) / GaAs (poo) / Al
x
Ga
1-x
As (barreira). Neste caso, a banda de
energia geralmente descrita pelo ponto quando x <0.4.


18
Figura 1-3 - Diagramas da banda de conduo para o DTR sob quatro condies de voltagem
aplicada: (a) em voltagem zero (V=0), (b) no ponto inicial (incio do tunelamento), (c) sobre a
ressonncia e (d) logo aps a ressonncia.

O tunelamento ressonante atravs do DTR ocorre quando a energia do
eltron, que flui na estrutura a partir do contato emissor, coincide com a energia do
estado quase-ligado, E
0
, no poo quntico. O efeito da tenso externa aplicada (V)
variar o alinhamento entre os estados do emissor e os estados quase-ligados no QW.
A corrente de tunelamento comea a fluir quando E
0
alinha-se com o nvel de Fermi
(E
f
) no emissor (fig.1-3 (b)) e atinge o valor de pico quando o nvel E
0
fica na borda da
banda de conduo no emissor.
O tunelamento ressonante pode ser classificado como coerente ou
incoerente. No processo de tunelamento coerente a energia e o momento paralelo s
interfaces das barreiras so conservados, sendo que a estrutura de barreira dupla
um invariante translacional. Em outras palavras, a energia total dos eltrons, ,
pode ser separada em componentes laterais (direes
) (k E
x e ) e verticais (direo y z ):
2 2
*
( )
( )
2
x y
z
K K
E K
m
+
=
h
E + , (3)
sendo que a massa efetiva do eltron no plano
*
m xy . O movimento lateral dos
eltrons pode ser simplesmente expresso na forma de uma onda plana com vetor de
onda lateral ( , )
x y
K k k =
r
.


19
A corrente de tunelamento ressonante atravs de uma estrutura de
barreira dupla depende basicamente da probabilidade de transmisso. Uma
discusso detalhada do clculo da corrente tnel a partir dos coeficientes de
transmisso pode ser encontrada em diversos trabalhos na literatura (67-69).
Entretanto, a curva caracterstica I(V), para esse tipo de tunelamento, pode ser obtida
a partir de um modelo simples. Para o tratamento do emissor 3D fortemente dopado
(quase metlico), e temperatura zero, considera-se em primeira aproximao o
modelo de eltrons livres. Nessa aproximao os eltrons ocupam uma esfera de
Fermi de raio
f
k , que o nmero de onda de Fermi na regio do emissor. Como o
tunelamento no poo quntico conserva os nmeros de onda laterais,
x
k

e , e a
energia vertical , o estado eletrnico envolvido no processo pode ser representado
pela interao do plano com a esfera de Fermi, onde o nmero de onda
associado com a energia do estado ressonante relativo banda de conduo:
y
k
z
k q =
r r
q
h
) ( * 2 (
0
l
c
r
E E m
q

= , (4)
onde a energia do estado ressonante no poo quntico, e
0
E
l
c
E

a energia do
extremo da banda de conduo no emissor. A densidade de corrente de tunelamento
deve ento ser proporcional densidade de estados indicado pelo crculo cinza de
interseco na Figura 1-4(a) .

Figura 1-4 - (a) Representao da esfera de Fermi [8] de eltrons no emissor; (b) o diagrama de
energia do extremo de banda correspondente; e (c) a curva corrente-voltagem (I(V)) caracterstica
esperada na [8].

Entretanto, como a probabilidade de transmisso atravs do estado
ressonante aproximadamente constante no intervalo de tenso aplicada, a corrente
de tunelamento pode ser expressa da seguinte maneira:


20
) ( ) (
0
2 2
E E q k J
l
f r f
, (5)
onde
l
f
E a energia de Fermi local no emissor, definido como
l l
f f c
E E E = + . Como
proporcional a tenso aplicada, cresce linearmente at cair abaixo do
extremo da banda de conduo no emissor, fazendo com que a curva caracterstica
I(V) obtida possua uma forma aproximadamente triangular como ilustrado na Figura
1-4(c).
0
l
f
E E J
0
E

1.2.1 - Tunelamento Ressonante Coerente

A teoria de transporte quntico que se baseia no tunelamento global
coerente aquela onde o eltron no experimenta qualquer situao de quebra de
coerncia de fase atravs da estrutura. O mtodo da matriz de transferncia, para
problemas de espalhamento 1D e que foi originalmente descrito por Tsu e Esaki [9],
pode ser utilizado para o clculo da probabilidade de transmisso, . Nesse
mtodo o potencial de uma estrutura de tunelamento ressonante aproximado por
uma srie de degraus pequenos, como mostrado na Figura 1-5.
( )
z
T E

Figura 1-5 Uma srie de pequenos passos de potencial usados para clculos da matriz de
transferncia de uma estrutura de tunelamento ressonante de barreira dupla [8]

A funo de onda na i-sima seo pode ser expressa na forma de uma
onda plana:


21
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) exp( ) exp( )
i i i
z z z
i i i i
z
k k k
i
z
z A ik z B ik z = + , (6)
onde o nmero de onda complexo definido por
( ) i
z
k
( )
* (
( )
(2 ( ))
i
i
z i
z
m E V
k

=
h
)
i
z
k
i
. (7)
A equao de Schrdinger em uma dimenso deve ento ser resolvida
numericamente, incluindo somente potenciais multi-barreiras constantes, com
condies de contorno de espalhamento sobre as funes de onda. Os coeficientes
das funes de onda entre duas sees adjacentes da estrutura relacionam-se entre
si como
1
1
1
( )
1
i
z
i i
z z
i i
k
i
i
k k
A A
T
B B
+
+
+
+

=

z
E
R
, (8)
onde a matriz 4 x 4 definida em termos dos potenciais em cada regio. Assim,
de maneira anloga s sees adjacentes, os coeficientes das funes de onda no
emissor e no coletor so conectados atravs da matriz de transferncia T:
( ) i
T
z
z z
L R
E
L
E E
A A
T
B B

=

, (9)
onde
. (10)
( ) ( 1) ( 2) (2) (1)
...
N N N
T T T T T T

=
A probabilidade de transmisso atravs do DTR dada ento por
2
2
*
( )
*
z
z
R
L R
E
z R L
L
E
A
m k
T E
m k
A
= , (11)
onde so os ndices referentes funo de onda no lado emissor (Left) e
coletor (Right), respectivamente e a massa efetiva na banda de conduo
em cada camada semicondutora. A funo apresenta seus mximos
correspondendo aos estados quase ligados do poo quntico.
e L R
*( ) m z
( )
z
T E
O coeficiente de transmisso para um portador numa estrutura de
barreira dupla [10], sem voltagem aplicada (V=0 volt) e com energia prxima da
ressonncia, pode ser aproximado pela seguinte forma [11]:


22
+

+
i E E
e
A
A
z z
D d ik
E
E
z
z
z
) (
0
) 2 (
1
5
, (12)
onde a energia do estado ressonante dentro do poo quntico e sua largura,
dada por:
0
z
E
) / 2 (
) ( 2 2
4
0
0 0
1
0
0
0 2 0
0
z
z z SB
z
z
z
d
z
D
E T k
D k e E
z
h
, (13)
onde a velocidade do eltron ( ), e a probabilidade de
transmisso atravs de uma barreira simples em
0
z
v
0
/ *
z
k m = h
0
(
SB z
T E )
0
z z
E E = .
Esta expresso (Eq. (12)) para o coeficiente de transmisso chamado
frmula de Breit-Wigner [12], que uma forma geral usada para descrever o espectro
de espalhamento ressonante e largamente usada por conta de sua simplicidade.
Assim, a probabilidade de transmisso em torno do estado ressonante,
que expressa uma dependncia lorentziana em energia, dada por
2
2 2
0
( )
( )
z
z t
T E
E E
=
+
ot
. (14)

1.2.2 O Electron dwell time

Nesta seo apresentaremos algumas definies gerais de tempo de
tunelamento assim como uma reviso bibliogrfica breve dos principais trabalhos
referentes ao estudo da dinmica de tunelamento.
O tempo de tunelamento uma quantidade fsica importante no
processo de tunelamento ressonante, pois ele determina a dinmica dos portadores
nos dispositivos de tunelamento. A questo fundamental para sua definio saber
como determinar quo longo o tempo despendido por uma partcula ao atravessar
uma regio classicamente proibida como uma barreira de potencial. Alm do
interesse acadmico, essa questo ganhou muita importncia com a crescente
habilidade em se miniaturizar dispositivos semicondutores e pela necessidade
crescente do aumento de suas velocidades. Na literatura existem vrias propostas de
tempos de tunelamento com diferentes resultados, restando at hoje diferenas nas
interpretaes. Apesar das controvrsias, somente em anos recentes parece ter
comeado a surgir um consenso sobre os domnios de validade desses tempos [57].


23
Trs dificuldades principais esto envolvidas na definio de um tempo
de tunelamento: (i) a inexistncia de um nico operador em mecnica quntica que
defina o tempo caracterstico e seu valor esperado de forma unvoca, (ii) os limites
impostos pelo princpio da incerteza, haja vista que introduzir um nmero de
quantidades com dimenses de tempo, que descreva os vrios processos de
interao dinmicos entre a partcula que tunela, seu ambiente e a extenso da
funo de onda, assim como a barreira de potencial que tem conexo direta com o
modo de se realizar a medida e (iii) o fato de que a medida do tempo, num
experimento real, pode depender da maneira particular de como foi feita a medida.
Os tempos de tunelamento mais discutidos na literatura consideram
geralmente situaes onde o estado inicial e final dos eltrons tunelantes so estados
de partcula livre. Isso exclui sistemas dimensionalmente restritos, como fios e pontos
qunticos, ou tunelamento de estados quantizados na camada de acumulao de
heteroestruturas sob voltagem. A razo da omisso desses sistemas que o
conhecimento existente sobre o tratamento da dinmica de tunelamento nesses
sistemas ainda particularmente rudimentar.
bem aceito, porm, que o tempo caracterstico dos DTRs seja descrito
basicamente a partir do electron dwell time,
d
, que muito importante em
aplicaes ultra-rpidas, tais como transistores. O dwell time definido como o
tempo necessrio para um eltron, descrito por uma funo de onda, tunelar atravs
de uma barreira dupla, ou equivalentemente, o tempo no qual um eltron permanece
entre a barreira dupla. As dificuldades qunticas aparecem quando se pretende
definir o tunelemento e necessita-se definir qual porcentagem da funo do eltron
dever sair da regio de confinamento, para que possa ser considerado um eltron
tunelado.
Num tratamento clssico, o eltron visto como uma partcula quase
puntual. Assim, o dwell time pode ser definido simplesmente pelo uso da equao
de continuidade da corrente:
J
e
W
d

= , (14)
onde a densidade de corrente de tunelamento e J
W
a concentrao areal de
eltrons na estrutura de barreira dupla. A Eq. (14) significa que o dwell time pode
ser determinado usando e J
W
, que podem ser medidos experimentalmente.


24
Na mecnica quntica, o dwell time definido como o tempo de atraso
no tunelamento da funo de onda de eltron incidente, que obtido via o
deslocamento de fase do estado estacionrio, , como segue [13]:
z
z
d
E
E
=
) (
h . (15)
O deslocamento de fase, , definido pela seguinte expresso:
) exp(
i
L
R
L
R
= . (16)
Pelo uso da frmula de Breit-Wigner (12) encontra-se que
=

0
1
0
tan
z z
E E
, (17)
) 2 (
0
D d k
z
+ = . (18)
Das eqs. 15 e 17, tem-se
2 2 0
) (
) (
+

=
z z
z d
E E
E h , (19)
que em ressonncia leva a

=
h
d
. (20)
Usando a expresso (13) de , obtm-se finalmente a seguinte
expresso para o dwell time:
0
0
0
/ 2
) ( 2
1
z
z
z SB
d
v
D
E T
+
. (21)
Esta demonstrao equivalente ao tempo de reflexes mltiplas
clssico de um eltron movendo-se em um QW com velocidade , como
representado na Figura 1-6. O termo na eq. 21 a correo quntica para a
largura do poo devido penetrao de um eltron na barreira de potencial.
0
z
v
0
/ 2
z


25

Figura 1-6 Esquema de um diagrama de banda de energia de um DTR de barreira dupla e os
processos clssicos de reflexes mltiplas de um eltron [8]

Clculos numricos da evoluo temporal do pacote de onda foram
feitos por Harada e Kuroda [14] para avaliar o dwell time. Assumindo que o potencial
eletrosttico no muda com o tempo, a evoluo temporal do pacote de onda pode
ser dada pela seguinte equao:
z
z
z
z z
z
k
dk t
k E
i
k
k k
k z
k
t z

=
h
) (
2
) (
exp ) , (
) (
1
) , (
2
2 0
, (22)
onde o estado de espalhamento estacionrio com nmero de onda ,
obtido pela soluo da eq. de Schrdinger independente do tempo. Na eq. (22) a
distribuio de eltrons assumida como Gaussiana no espao- , centrado em e
com largura . O comportamento transiente do pacote de onda mostrado na
Figura 1-7 (a)-(f) para uma estrutura de barreira dupla, com espessura da barreira de
2 nm, altura da barreira de 0.4 eV e largura do poo de 5 nm.
) , (
z
k z
z
k
z
k
0
z
k
z
k
O nmero de onda central, , escolhido tal que a energia da onda
incidente coincida com a energia do estado ressonante. A amplitude da funo de
onda no QW diminui exponencialmente e, ento, o dwell time pode ser obtido como
a constante de tempo de decaimento. Os dwell times calculados esto plotados na
Figura 1-7 (g) como funo da espessura da barreira para vrios valores de largura
do poo (crculos slidos). Tambm so mostrados como linhas slidas os dwell
times obtidos usando a eq. (20) e a largura do estado ressonante, (veja o eixo do
lado direito do diagrama), obtido da funo probabilidade de transio. A
conformidade total entre os clculos baseados no mtodo transiente do pacote de
onda e aqueles baseados no princpio de incerteza (eq. 20) do os mesmos
resultados para o dwell time.
0
z
k


26

(g)

(h)
Figura 1-7 (a)-(f) Perfil de potencial e evoluo temporal de um pacote de onda de um eltron num
DTR de barreira dupla [14]; (g) Dependncia do dwell time com a espessura da barreira no seu
primeiro estado de ressonncia, onde os circulos slidos mostram o dwell time obtido da simulao do
pacote de onda, e a linha slida mostra aquele calculado da largura do nvel ressonante [14]; e (h)
Estudo experimental do tempo de decaimento da fotoluminescncia (PL) como funo da espessura da
barreira [15] em DTRs n-i-n.

Experimentalmente, atravs de tcnicas pticas resolvidas no tempo
que se consegue explorar melhor os processos de tunelamento nos DTRs, como ser
explicitado nas sees posteriores. Um estudo experimental do dwell time em DTRs
foi feito por Tsuchiya et al. [15] usando a tcnica de fotoluminescncia resolvida no


27
tempo (PLRT) com um laser pulsado em picosegundo. O decaimento da
concentrao de eltrons, n, gerada no QW pela excitao do pulso de laser
determinado pelo dwell time,
d
, e pelo tempo de recombinao radiativa,
r
,
atravs de uma simples equao de taxa:
r d
n n
dt
dn

= . (23)
Os tempos de decaimento de PL extrados em vrias temperaturas so
mostrados na Figura 1-7(h) como funo da largura da barreira. A linha ponto-
tracejada representa o dwell time do eltron calculado a partir da eq. (20). Outro
resultado terico assumindo uma altura de barreira de alta energia de 1.36 eV (Regra
de Dingle) indicada pela linha tracejada. Encontrou-se que o tempo de decaimento
medido est de acordo com os valores tericos de
d
no regime <4 nm, onde o
processo de escape por tunelamento domina o processo de recombinao radiativa.
Para barreiras espessas, os valores medidos desviam-se da linha terica, onde
alguma dependncia com a temperatura pode ser observada. Espera-se dessa
maneira que tempo de decaimento medido neste regime reflita
B
L
r
.
Em outro trabalho, Norris et al. [44] analisou como ocorre a variao na
taxa de escape de eltrons atravs de um DTR, com barreiras assimtricas em
espessura, sob ao de um campo eltrico perpendicular s camadas. Suas
amostras (tipo p-i-n) possuam espessuras fixas para a barreira mais larga (200 nm)
e variavam com relao barreira fina (12, 11 e 8,5 nm). Atravs da tcnica de PLRT
foi verificado que h um aumento na taxa de escape atravs das barreiras quando
campo eltrico aplicado, pois h uma modificao no perfil de potencial que leva a
uma reduo da espessura efetiva da barreira. Neste trabalho considerou-se que a
recombinao de portadores o processo dominante em baixas voltagens, sendo
que o tunelamento torna-se dominante em altas voltagens para as diferentes
amostras, pois as espessuras efetivas de suas barreiras tornam-se aproximadamente
iguais.

1.2.3 Tunelamento incoerente ou seqencial
Descrevemos anteriormente o processo de tunelamento coerente, onde
se assume que a coerncia de fase das ondas de eltrons conservada
completamente. No entanto, os eltrons podem sofrer processos de espalhamento


28
que causam relaxao do momentum e da energia, gerando uma quebra na
coerncia de fase. Existem diversas causas possveis para este tipo de quebra na
coerncia de fase por espalhamento: interaes eltron-fnon, espalhamento por
impurezas residuais, espalhamento de desordem, etc.
Um modelo de tunelamento seqencial foi proposto por Luryi [16, 17],
baseado nas consideraes acima como uma explicao alternativa do fenmeno de
tunelamento ressonante. Este modelo descreve o tunelamento ressonante como um
processo de tunelamento seqencial, ou seja, o tunelamento do eltron do emissor
para dentro do QW seguido pelo tunelamento para o coletor. Entre esses dois
processos o eltron pode sofrer diversos processos de espalhamento que levam
quebra na coerncia de fase no QW, relaxando para estados em quasi-equilbrio
localmente.
Num modelo fenomenolgico simples apresentado para ilustrar os
efeitos alargamento na probabilidade de transmisso por espalhamento, J onson and
Grincwajg [18] estenderam a frmula de Breit-Wigner para o regime de tunelamento
seqencial pela introduo de um fator simples, que expressa uma mudana
randmica na fase da funo de onda, e encontraram para uma barreira dupla
simtrica,
2
2 2
0
( )
( )
tot
z
tot z tot
T E
E E

=
+
, (24)
onde a largura total do nvel ressonante devido ao alargamento intrnseco,
tot
, e
ao alargamento de espalhamento extrnseco,
s
:
tot s
= + . Nota-se novamente
que est conectado com o dwell time via eq. 20. Da mesma maneira, define-se o
tempo de quebra de coerncia de fase induzido por espalhamento,
s
,
correspondendo
s
:
s
s
=
h
. (25)
A equao (25) mostra que a razo de
s
por (equivalentemente,
/
s d
) um fator importante que fornece um limite entre o tunelamento coerente
global e o regime de tunelamento seqencial. No regime de tunelamento seqencial
>1, sendo que o valor de pico da probabilidade de transmisso torna-se muito
mais largo do que aquele obtido no modelo de tunelamento ressonante coerente. Isso
/
s


29
leva ao aumento na corrente de tunelamento no regime de vale de corrente e uma
diminuio dramtica na razo pico/vale da corrente.

1.3 Acmulo de carga espacial no QW e bi-estabilidade intrnseca de corrente
em DTRs

A influncia gerada pelo processo de tunelamento ressonante sobre as
propriedades de transporte de um RTD, levanta uma questo bastante relevante:
como as cargas que ficam confinadas na regio do QW e aquelas retidas na camada
de acumulao podem influenciar o tunelamento e, consequentemente, a dinmica
dos processos de transporte. A resposta no direta, mas pode-se comear essa
investigao partindo do fato de que a presena de carga acumulada na regio do
QW sempre atua de modo a modificar a distribuio do potencial aplicado atravs do
DTR. Uma evidncia de tal influncia o fato destes dispositivos exibirem
frequentemente uma histerese na curva caracterstica corrente-tenso (I(V)) na regio
de voltagem denominada de Resistncia Diferencial Negativa (RDN). Essa histerese
pode, em primeira anlise, ser explicada pela resistncia em srie externa. A
resistncia em srie externa tem dois efeitos nas curvas caractersticas I(V) do
dispositivo de RDN: Oscilaes de circuito e histerese de corrente. A bi-estabilidade
de corrente causada pela resistncia em srie extremamente comum entre
dispositivos DTR e descrita como bi-estabilidade extrnseca [20,21]. Ela distinta de
outra forma de bi-estabilidade, chamada bi-estabilidade intrnseca. Nesse caso, a
dinmica de acmulo de carga no QW, e no mais efeitos do circuito externo, que
est vinculada histerese na I(V) dos DTRs. Embora no haja consenso na
caracterizao dessas duas formas de bi-estabilidade, Foster et al [58] e Zaslavsky et
al [59] conseguiram demonstrar a existncia de bi-estabilidade intrnseca atravs do
uso de barreiras assimtricas em um DTR. As barreiras foram utilizadas de modo a
maximizar o acmulo de carga nos poos e como argumento para provar a existncia
de bi-estabilidade intrnseca. A Figura 1-8 ilustra o efeito, mostrando as
caractersticas da curva I(V) prxima da primeira ressonncia de eltrons. Quando
aumentamos a voltagem aplicada na regio de ressonncia aumentamos a carga
acumulada no QW, modificando o perfil de potencial e deslocando o pico ressonante
para altas voltagens. Aps a ressonncia os nveis do QW so esvaziados. Se
reduzirmos a voltagem, nessa situao, o pico de ressonncia deve ocorrer em uma


30
voltagem menor j que no temos acmulo de carga no QW como ilustra Figura 1-8.
Como discutido na seo 3.5, a concentrao areal dos eltrons acumulados no
poo,
W
, pode ser expressa como
d
W
J
e

= . (26)
Isso significa que
W
depende da corrente de tunelamento e do dwel
time na estrutura. Como mencionado anteriormente, a interao eletrosttica entre
os eltrons acumulados no poo gera um deslocamento de energia dos estados
quase ligados no poo, levando a uma mudana na corrente de tunelamento. H
ento a possibilidade de existirem dois estados estveis do dispositivo, como
ilustrado na Figura 1-8, numa determinada regio de voltagem aplicada: uma corrente
alta com um grande acmulo de cargas e uma corrente baixa com um pequeno
acmulo de cargas.

(a)

(b)
Figura 1-8 Biestabilidade intrnseca numa estrutura de tunelamento ressonate de barreira dupla. Em
(a) o comportamento do perfil de potencial nas duas situaes e (b) a curva I(V) esperada do processo
de biestabilidade intrsica.

Diversos estudos tericos foram feitos paralelamente aos estudos
experimentais, para demonstrar a possibilidade de acmulo de carga espacial [22-25].
Resultados analticos, baseados nas equaes de taxa para a ocupao do eltron
no poo foram feitos pioneiramente por Sheard et al. [26], demonstrando
teoricamente que o acmulo de carga espacial um fenmeno inerente aos RTDs.
Nesses estudos, o armazenamento de eltrons no poo foi avaliado em duas
situaes extremas, isto , nos limites de tunelamento global coerente e de
tunelamento seqencial incoerente. Estudos posteriores com simulaes numricas
[60-62] utilizando teoria de transporte quntico investigaram a dinmica do
tunelamento de eltrons em regimes intermedirios mais realsticos.


31
Embora a observao de bi-estabilidade intrnseca possa ser usada
como indicador de acmulo de carga em determinadas estruturas que exibem esse
efeito, ela no uma ferramenta quantitativa geralmente aplicvel para monitorar o
acmulo de carga no QW. Diversas tcnicas pticas tm sido sistematicamente
aplicadas para esse tipo de estudo [56,63], permitindo uma investigao direta na
regio de voltagem onde os dispositivos operam.

1.4 Recombinao Radiativa de Portadores Fotoluminescncia

O processo de recombinao radiativa de portadores em um
semicondutor um fenmeno tpico de luminescncia, ou seja, um processo de
emisso de luz pelo material que classificado como fotoluminescncia (PL) pois
resulta da relaxao de elementos excitados opticamente. Ele um processo de
emisso radiativa que surge geralmente a partir de transies quantizadas de um
eltron que ocupa um estado de maior energia para um estado vazio (buraco) de
menor energia. Nesses sistemas este efeito particularmente interessante devido
possibilidade de se observar, atravs dele, aspectos estruturais tais como: eficincia
de emisso ptica, composio do material, contedo de impurezas, espessura de
camadas, alm de outros aspectos como confinamento de estados qunticos e
processos de recombinao radiativa por diferentes mecanismos (xcitons, trons e
portadores livres) [27]. Considerando todos processos de relaxao, vemos que a PL
pode fornecer informaes sobre os estados fundamentais de energia no material
uma vez que eltrons e buracos esto em seus respectivos extremos de banda aps
sua termalizao.
A PL pode fornecer informaes a respeito das funes distribuio
(FD) no bulk do material semicondutor, sendo que sua intensidade integrada em
energia resultado do produto da densidade de portadores minoritrios e majoritrios
que estejam disponveis para recombinarem. Como a PL limitada pela fotogerao
de portadores minoritrios, num RTD sua intensidade integrada ser modulada
principalmente pela densidade desses portadores no QW. Se no lugar de um pulso de
luz utiliza-se uma excitao contnua ser possvel observar fenmenos de
recombinao em estados estacionrios. A PL obtida nesse regime de excitao
denominada fotoluminescncia de onda contnua (PL CW).


32
1.5 - Estudo experimental do acmulo de carga

O acmulo de carga em DTRs pode ser estudado por tcnicas
experimentais de magnetotunelamento e fotoluminescncia [70-72]. O
magnetotunelamento permite obter as evidncias mais diretas do acmulo de cargas
em RTDs, atravs da anlise das oscilaes de corrente num campo magntico
aplicado perpendicularmente s barreiras. No entanto, fenmenos como acmulo de
carga dentro do poo quntico, o efeito das ressonncias sobre a recombinao dos
portadores no QW e o carter do transporte sobre tunelamento ressonante foram
estudados durante os ltimos anos utilizando tcnicas pticas como
fotoluminescncia de estado estacionrio (PL) ou eletroluminescncia (EL) [28-31].
Young et al. [28, 32], determinou o acmulo espacial de carga, atravs
de medidas PL. Ele analisou primeiramente a relao do acmulo de carga no QW
com a intensidade de PL, definida como a rea integrada sobre o sinal de PL de um
DTR de barreira dupla Al
0.3
Ga
0.7
As(10nm)/GaAs(5nm)/Al
0.3
Ga
0.7
As(10nm). Assumindo
que a intensidade de PL aproximadamente proporcional a
, e sabendo-se que
buracos so criados somente no poo de GaAs, um valor absoluto de
pode ser
obtido multiplicando a intensidade integrada de PL, normalizada pelo sinal da
estrutura em voltagem bias zero, e a densidade foliar de eltrons no poo em
equilbrio,
0
. O valor de
0
pode ser estimado a partir de uma modelo auto-

consistente proposto por Frensley et al. [33]. A dependncia da voltagem aplicada
com
obtida desta maneira exibe caractersticas diferenciais negativas

correspondentes quelas da curva I(V).
Entretanto, Vodjdani et al [29, 34] verificou que a contribuio do
tunelamento de buracos (portadores minoritrios) importante para a determinao
da carga acumulada no QW. Ele afirma que estimar
somente a partir de medidas

de intensidade de PL, como proposto por Young et. al., um mtodo impreciso. O
mtodo alternativo proposto por ele para se determinar
medir a dependncia
com a voltagem aplicada tanto da energia quanto da largura de linha do espectro da
PL. A largura de linha da PL tem se mostrado til na observao do acmulo de carga
espacial em experimentos feitos por Young et al. Resultados experimentais obtidos
por Hayes et al. [35] e Skolnick [36], para uma estrutura de barreira dupla assimtrica
do tipo Al
0.4
Ga
0.6
As(8.3nm)/GaAs(5.8nm)/Al
0.4
Ga
0.6
As(11.3nm), mostram bi-


33
estabilidade na curva I(V) e na dependncia da energia de PL e da largura de linha
com o bias. A diferena na largura de linha da PL surge com o alargamento da funo
de distribuio do eltron livre [37] e demonstra com isso a mudana na acumulao
de eltrons dentro do poo.
A conexo entre o acmulo de carga no QW e o tempo de tunelamento
em DTR foi discutida por Young et al [56], onde foi considerado que no regime de
tunelamento ressonante o tempo de resposta do DTR para uma mudana repentina
no potencial aplicado o tempo necessrio para que se restabelea o valor de carga
em estado estacionrio nessa nova voltagem aplicada, relacionando-se com carga e
corrente atravs da eq. (26). A dependncia desse tempo com a voltagem foi obtida
atravs da densidade de carga medida opticamente. Os valores de diminuem
monotonicamente com o aumento da voltagem aplicada, indicando uma reduo na
altura efetiva da barreira coletora e mudando a forma da barreira, de retangular para
trapezoidal. Isso permite aos eltrons escaparem rapidamente do QW para o coletor,
reduzindo o tempo de tunelamento caracterstico. Os valores obtidos para os tempos
caractersticos concordam com resultados analticos obtidos pelo modelo do dwell
time, no limite em que a ressonncia bem definida, isto , . Fora do
regime de tunelamento ressonante, porm, os resultados para os tempos
caractersticos no so bem definidos por esse modelo.
) Re( ) Im( <<
Apesar da tcnica de PL fotoluminescncia de onda contnua (PL cw)
ter alcanado uma popularidade significativa nos estudos espectroscpicos de
semicondutores, devido sua simplicidade e capacidade de utilizao para uma
grande variedade de caracterizaes, como descrito acima, ela possui algumas
limitaes. A PL cw determina somente os autovalores de energia do sistema
(
f f
E H = ), e no d qualquer informao respeito dos autoestados ou
autofunes. Apesar de fornecer alguns indcios sobre como as cargas se acomodam
nos processos de tunelamento ressonante, ela no capaz de trazer informaes
sobre a cintica temporal dos portadores ou distribuio espectral de emisso em
tempos subseqentes excitao. Essas limitaes so especialmente importantes
j que muito da cincia e tecnologia de semicondutores tratam com dispositivos
nanoestruturados de alta velocidade. Por esta razo esforos considerveis foram
feitos nas ltimas duas dcadas com o objetivo de expandir a capacidade desta
espectroscopia convencional de PL e aplic-la a estudos de dispositivos


34
semicondutores. A espectroscopia de PL resolvida no tempo (PLRT), PL resolvida
espacialmente, e PL resolvida temporal e espacialmente so exemplos de tcnicas
desenvolvidas como resposta a essas deficincias nas investigaes anteriores. A
espectroscopia de PLRT pode fornecer informaes a respeito da cintica de
recombinao, recombinao de superfcie e dinmica de transporte, etc. Alm disso,
esta tcnica bastante sensvel funo de onda, j que
2
1
f i
.

1.6 - Fotoexcitao de portadores e dinmica dos processos de relaxao

Embora muitos aspectos dos RTDs possam ser observados apenas por
medidas de transporte, o estudo tico pode permitir uma explorao maior das
propriedades de transporte e das interao dos diferentes portadores em suas
respectivas bandas de energia e tambm entre si. Quando um material semicondutor
irradiado por luz de energia maior que seu band-gap, eltrons podem ser
excitados da banda de valncia para a banda de conduo atravs da absoro de
ftons, gerando um estado desocupado na banda de valncia, ou seja, um buraco. Se
essa luz monocromtica, isto , se sua largura espectral for bastante reduzida como
no caso de um laser, a funo distribuio dos portadores fotogerados nas bandas
ser determinado pela durao da excitao e pela estrutura de banda do material.
Numa situao de equilbrio trmico as excitaes elementares em um
semicondutor tais como eltrons, buracos e fonns podem ser caracterizadas por
uma temperatura, de forma que esta a mesma temperatura da rede. Quando uma
perturbao externa tal como uma excitao ptica influncia o semicondutor, a
funo distribuio dessas excitaes elementares diferem daquelas no equilbrio
trmico e tem-se um plasma dessas partculas. Em geral, as funes distribuio fora
do equilbrio no so trmicas, ou seja, elas no podem ser caracterizadas por uma
temperatura. Sob condies especiais, entretanto, elas podem ser caracterizadas por
uma temperatura que deve ser diferente para cada excitao elementar e diferente
tambm da temperatura da rede. Utiliza-se o termo hot carriers para descrever os
elementos desses sistemas fora do equilbrio.
Para que as propriedades dos portadores nessas situaes possam ser
melhor analisadas, utiliza-se como fonte de excitao um curto pulso de luz onde os
ftons tm energia um pouco maior do que o gap do semicondutor. Com isso


35
possvel avaliar, tanto em bulks quanto em nanoestruturas semicondutoras, o
comportamento transiente das diversas excitaes elementares aps a aplicao do
pulso de luz utilizando tcnicas espectroscpicas. As chamadas excitaes pticas
ultra-rpidas (aquelas onde a largura do pulso da ordem de alguns femtosegundos)
permitem observar fenmenos de relaxao de curtssima durao e so governadas
pelo princpio de incerteza: quanto mais curto for o pulso, tanto mais ampla ser a
distribuio inicial dos estados fotopopulados. Se o pulso de excitao mais curto
do que os tempos caractersticos de termalizao para eltrons e buracos, sero
criadas distribuies no-trmicas. Especificamente, qualquer distribuio que no
possa ser fitada por uma distribuio de Maxwell-Boltzman dita distribuio no-
trmica. Caso a largura do pulso de excitao for algumas vezes maior do que o
tempo de termalizao, distribuies no-trmicas podero ser criadas em uma
condio de estado quase-estacionrio [64].
No bulk de um material semicondutor do tipo III-V excitado com um
pulso ultracurto de laser, sero criados pares eltron-buraco atravs de absoro
inter-banda (Figura 1-9). Em geral, excitam-se eltrons de todas trs bandas de
valncia em tais semicondutores. As distribuies de eltrons e buracos fotoexcitados
em funo de suas energias, as funes distribuio (FD), so determinadas pela
energia, intensidade e largura espectral do laser (determinado pela largura do pulso
no caso ideal) e as disperses das bandas de conduo e valncia. Atravs da
dependncia com esses parmetros, a evoluo temporal dos eltrons e buracos
fotogerados ser caracterizada por uma grande quantidade de constantes de tempos
caractersticos relacionados aos diversos fenmenos de relaxao.
possvel observar essa gama de tempos caractersticos inicialmente
em escalas de tempo de femtosegundos, onde esses tempos esto relacionados
relaxao de fase ultra-rpida dos estados inicialmente populados pelos portadores.
Imediatamente aps a fotoexcitao por esse pulso ultra-curto, os estados eletrnicos
fotopopulados ainda mantm a coerncia com a radiao eletromagntica e tambm
entre eles mesmos. Se o tempo de defasagem, ou o tempo para perda de coerncia,
mais rpido do que qualquer outro processo de relaxao, a funo distribuio dos
portadores ser ento no-trmica mesmo aps os estados fotopopulados terem
perdido sua coerncia. [65,66].
Em seguida, na escala de subpicosegundo e picosegundo, os tempos
caractersticos que aparecem esto relacionados aos fenmenos que ocorrem no


36
regime de termalizao e de relaxao de energia para os diferentes tipos de
portadores. Nessa etapa as propriedades dos hot-carriers so determinadas por
vrias interaes entre portadores e outras excitaes elementares presentes no
plasma, por meio de diferentes processos de espalhamento tais como espalhamento
portador-portador, espalhamento portador-fonn, espalhamento inter-vale e inter-sub-
banda. Primariamente, a energia redistribuida no sistema de portadores como
resultado das colises portador-portador, de modo que a distribuio no-trmica
inicial se aproxima de uma distribuio termalizada (ou seja, do tipo Fermi-Dirac) com
temperaturas caractersticas T
e
e T
h
para eltrons e buracos, diferente da
temperatura da rede T
L
. Eltrons e buracos iro ento termalizar um com outro
atravs de colises eltron-buraco tal que o plasma possa ser descrito por uma nica
temperatura T
c
maior do que T
L
. Em seguida o plasma resfriado at atingir a
temperatura da rede pela interao com fonns. Para T
C
> 40 K isto ocorre
primeiramente pela interao da poro de maior energia da distribuio com fonns
pticos longitudinais (LO). Finalmente, os portadores fotoexcitados tm a mesma
temperatura da rede e vo para seus repectivos extremos de banda, onde podem
recombinar radiativamente induzindo o semicondutor a voltar s condies de
equilbrio trmico.
Uma formulao apropriada da dinmica de portadores para os tempos
imediatamente aps a gerao de um par eltron-buraco, quando os nicos estados
de portadores fotopopulados so ainda induzidos pela mtua coerncia deles e
tambm pela coerncia deles com o campo eletromagntico local, baseia-se em
tcnicas qunticas de muitos-corpos, que permitem um tratamento detalhado da
dinmica entre os portadores atravs do uso de funes de correlao espacial ou
espao-temporal de duas ou mais partculas. J o domnio de tempo de
subpicosengudos e picosegundos caracterizado pela relaxao de energia
dominada por fonns e pela termalizao interna e mtua dos diferentes tipos de
eltrons e buracos atravs de colises portador-portador, que se restringem ao
regime de transporte cintico semiclssico. Aqui, a soluo das equaes de
Boltzmann dependentes do tempo para FD do tipo partcula nica para portadores e
fonns suficiente para calcular quantidades macroscpicas tais como a
termalizao e taxas de resfriamento de eltrons e buracos [65]. O tratamento terico
desses diferentes regimes de relaxao envolve necessariamente diferentes nveis de
descrio, com diversos graus de complexidade.


37
Para valores acima dessas ordens de tempo ocorrem os processos de
recombinao radiativa e difuso de portadores, que so da ordem de nanosegundos
ou mais.

Figura 1-9 Diagrama esquemtico da excitao de um semicondutor III-V por um pulso de luz ultra-
curto [65]. Os diversos processos de relaxao esto indicados por diferentes smbolos. Setas duplas
indicam espalhamento portador-portador. Setas nicas indicam espalhamento entre vales e entre
bandas de valncia (seta com ponto e trao), espalhamento portador-fonon-ptico (seta-tracejada), e
espalhamento portador-fonon-acstico (seta-slida). O lado direito da figura mostra o esquema da
distribuio inicial de eltrons e sua evoluo com o tempo.

Essa sequncia de eventos e de diferentes regimes, com algumas
escalas de tempo prximas, esto ilustradas na Figura 1-9. importante notar que as
vrias escalas de tempo importantes no problema dependem de muitos parmetros
(tais como a densidade e a energia dos portadores) e o overlap de uns com os
outros, tal que os processos de relaxao discutidos acima no so seqenciais mas
se sobrepem no tempo.

1.6.1 Dinmica do tunelamento em DTRs
Para que a luminescncia possa ser emitida a partir da recombinao
no QW de um DTR devem existir populaes de eltrons na menor sub-banda de
conduo e buracos na menor sub-banda de valncia. Essas populaes podem, em
geral, ser geradas atravs de absoro ptica direta no QW (excitao ressonante),
seguida por subsequentes processos de relaxao no-radiativos at os respectivos


38
fundos de banda, ou atravs de portadores que tunelam no poo a partir das regies
de contato. Nesse caso, tanto os portadores majoritrios (prprios da dopagem)
quantos os fotogerados (minoritrios e majoritrios) podem tunelar para dentro do
QW quando voltagem externa aplicada no dispositivo (Figura 1-10). possvel
tambm fotogerar portadores somente nas regies de contato (excitao indireta),
definindo para isso uma excitao sobre o DTR com energia estritamente maior do
que o band-gap do contato e menor do que a diferena de energia entre as menores
sub-bandas do QW. A populao de portadores majoritrios fotoexcitados nos
contatos que tunelam no QW ser, nos dois casos, desprezvel se comparada com a
populao original de portadores desse mesmo contato.

Figura 1-10 - Esquema do perfil de potencial do DTR tipo-p com substrato sob voltagem positiva,
indicando as excitaes, relaxaes e recombinaes assim como a formao das populaes de
eltrons e buracos envolvidas nos processos de tunelamento.

Os portadores minoritrios que so fotogerados nas regies do contato
iro tunelar para o QW somente se o tempo necessrio para que isso ocorra for
menor do que o tempo de recombinao desses com os portadores majoritrios livres
nessa mesma regio do contato. Essa condio somente ser satisfeita quando a
estrutura for submetida a voltagens iguais ou maiores do que aquelas do regime de
tunelamento ressonante. Nessas condies, uma regio de depleo pode ser
formada no emissor (coletor) adjacente barreira, para os eltrons (buracos) que iro
tunelar, o que aumenta significativamente o tempo de vida dos portadores
fotoexcitados que esto prximos a ela.


39

1.6.2 Dinmica do tunelamento em DTRs avaliados por tcnicas pticas
resolvidas no tempo

Existem alguns trabalhos sobre a dinmica do transporte e tempos de
tunelamento tanto de eltrons quanto de buracos em DTRs, atravs de
espectroscopia de PLRT [15, 34, 44, 48-53]. A criao de pares eltron-buraco na
amostra por pulso de laser numa escala de tempo muito pequena (<10 ps) possibilita
monitorar a evoluo temporal da PL numa escala de tempo de nanosegundos. Isso
permite extrair tempos de tunelamento de eltrons e buracos tanto para portadores
tunelando no QW quanto para o escape desses do QW.
Para que esses tempos possam ser extrados, utilizam-se normalmente
equaes de taxa das populaes de eltrons e buracos presentes tanto no QW
quanto nas camadas de acumulao. Cada processo de acrscimo ou decrscimo
dessas taxas no tempo est relacionado com a fotogerao, escape (tunelamento) e
recombinao dos portadores. Cada um desses processos descrito como a razo
de uma determinada populao pelo tempo caracterstico do processo. A PLRT
permite avaliar a dinmica das populaes em cada regio do dispositivo, j que as
energias de recombinao so bastante distintas, e sua evoluo temporal ser
produto de diversos processos que ocorrem paralelamente numa mesma regio. No
caso de um RTD que tem portadores fotogerados somente em seus contatos, as
populaes das sub-bandas de valncia e de conduo no QW sero devidas
injeo a partir dos contatos, escape atravs das barreiras e recombinao. Dessa
maneira, o tempo caracterstico observado pelo de decaimento de PL ser devido a
um ou mais tempos caractersticos, ou seja, uma composio deles, sendo possvel
tambm a distino entre diferentes processos dependendo da forma do decaimento
(mono-exponencial, bi-exponencial ou at tri-exponencial). Um modelo muito utilizado
nesses trabalhos para avaliar os tempos foi proposto por Van Hoof [49], que utiliza
um modelo de trs nveis para ajuste de a uma curva terica aos resultados
experimentais de PLRT.
Apesar disso, a grande maioria dos trabalhos que exploram a dinmica
a partir dessas equaes de balano analisam seus dados de uma maneira
satisfatria, deixando muitas dvidas sobre como o acmulo de carga poderia estar
afetando a recombinao numa extrapolao para estudos de PL cw. Outro fator que


40
deixa a desejar a quantidade pouco significativa dos trabalhos que se desdobram
sobre a dinmica de portadores em DTRs do tipo p-i-p. A grande maioria trata de
estruturas n-i-n [15, 34, 44, 48-51] e p-i-n [52, 53]. O nico trabalho encontrado na
literatura relacionado diretamente com esse tipo de estrutura [54] no discute as
variaes existentes na dinmica dos portadores devido assimetria na espessura da
barreira dupla de potencial, algo fundamental que se busca determinar aqui. O efeito
esperado que a assimetria das barreiras deva tornar mais evidente o acmulo de
carga e, desse modo, relacionar melhor a causa dos diversos efeitos observados no
caso de barreiras simtricas. Neste trabalho, realizamos um estudo sistemtico da
PLRT em diodos de tunelamento ressonante tipo-p em amostras simtricas e
assimtricas. A seguir discutiremos um modelo simples de equaes de taxa que
pode ser aplicado ao nosso estudo.

1.6.3 - Modelo de trs nveis e equaes de taxa

Nesta seo, apresentaremos um modelo de equaes de taxa utilizado
na literatura em amostras tipo-n [49]. Para um DTR de barreira dupla tipo-p, o
comportamento da emisso do QW e do GaAs p
+
pode ser explicado de um modo
natural e consistente com modelo apresentado nesta seo, no qual o eltron
tunelante tem um papel essencial, segundo uma analogia com descries de outros
trabalhos presentes na literatura [49,53]. J que a luminescncia do DTR
mensurvel e a contribuio dos buracos fotocriados para a corrente total quase
desprezvel, a evoluo temporal da PL deve seguir completamente da dinmica da
populao de eltrons nas diferentes camadas do dispositivo (Figura 1-11).
Imediatamente aps a fotoexcitao uma parte aprecivel dos eltrons criados nas
camadas GaAs tipo-p e -p
+
iro acumular-se contra a barreira de AlAs - barreira
superior ou inferior dependendo da polaridade do campo eltrico como resultado do
movimento de difuso, que muito rpido para ser observado em nesses
experimentos. A partir da camada de acumulao, eltrons podem tunelar atravs da
primeira barreira para o QW numa taxa
1
1 t
, onde eles podem recombinar em

qualquer um dos dois locais: dentro do QW como um xciton confinado com uma
probabilidade
1
r
por unidade de tempo, ou escapar atravs da segunda barreira

numa taxa
1
2 t
na camada emissora GaAs tipo-p. Nesta camada a recombinao


41
eltron-buraco ocorre aps um tempo
g
. Em tal modelo as seguintes equaes de
taxa descrevem a evoluo temporal das populaes de eltrons:
1 1
1 t
dN N
dt
= ,
2 1
2
1 2
1 1
t r t
dN N
N
dt

= +

, (27)
3 2
2 t g
dN N N
dt
3

= ,
onde e representam a populao de eltrons na camada de acumulao e no
QW, respectivamente, enquanto o nmero de eltrons que chegaram na
camada GaAs tipo-p aps tunelarem atravs do DTR. A criao de eltrons
diretamente dentro do QW rende uma pequena contribuio para a PL do xciton,
que desprezada aqui, e portanto
1
N N
N
( 0) ( 0) 0 N t N t
2
3
2 3
= = = = . Embora esse conjunto de
equaes diferenciais lineares possa ser resolvido prontamente, a forma analtica das
solues depende dos valores das constantes de tempo.

Figura 1-11 Diagrama de banda esquemtico do DTR de barreira dupla indicando as taxas de transies,
tunelamento e recombinaes, assim como as populaes de eltrons e buracos envolvidas no modelo de
trs nveis, para o caso de um DTR tipo-p.
Aps uma transformao de Laplace, um conjunto de equaes
algbricas, usando condies iniciais apropriadas
, onde o nmero de eltrons acumulados
1 10 2 3
( 0) e ( 0) ( 0) 0 N s N N s N s = = = = = = N
10


42
inicialmente. Se os plos reais das funes das funes so diferentes uns dos
outros, as solues so combinaes lineares de exponenciais simples com as
correspondentes taxas de decaimento,
i
N
1
/
1 10
( )
t
t
N t N e

=

(
1
/ (1/ 1/ )
10
2
1
2 1
( )
1 1 1
t r t
t t
t
r t t
N t e e

+
=

+

)
2
N
(28)
1 2
/
/ (1/ 1/ )
3
2 1 2
1 1 1 1 1 1 1 1
( )
g
t r t
t
t t
r t g g t r t t
N t N e e e

+

= + + +

1
, onde
10
1 2
2 1 2
1
1 1 1 1 1 1 1 1
t t
r t g g t r t t
N N

1

=

+ +

. (29)

43
CAPTULO 2 MATERIAIS E TCNICAS EXPERIMENTAIS

Neste captulo sero apresentados os materiais estudados neste
trabalho, bem como as tcnicas experimentais e metodologias empregadas na
obteno dos resultados, dando especificaes quanto montagem e parmetros
tcnicos utilizados.

2.1 Diodos de Tunelamento Ressonante

Os dispositivos estudados neste trabalho correspondem a dois DTRs
GaAs/AlAs tipo p-i-p, que diferem entre si apenas pelas larguras das barreiras. Um
dos DTRs tem barreiras simtrica, e foi denominado NU488, enquanto o outro possui
barreiras assimtricas em largura, e foi denominado NU572.
As amostras foram crescidas por Mohamed Henini da University de
Nottingham (UK), utilizando a tcnica de Epitaxia de Feixe Molecular (MBE). Atravs
dessa tcnica possvel crescer camadas cristalinas de material semicondutor de
maneira planar, a fim de controlar as espessuras das camadas e sua dopagem de
modo a obter estruturas com poos e barreiras de potencial com qualidade
significativa. As camadas cristalinas de GaAs e AlAs (semicondutores III-V) foram
depositadas sobre um substrato de GaAs (100) dopado tipo-n
+
. As camadas de GaAs
tipo p foram dopadas com Be. O dopante que nesse caso uma impureza aceitadora
j que pertence famlia II A e possui dois eltrons na camada de valncia. As
camadas que compe a heteroestrutura da amostra NU488 a partir do topo do
substrato de GaAs so detalhadas a seguir.


44
Largura da Camada Material Dopante

0.6 m GaAs
18 -3
2 10 p cm =
Contato superior
100 nm GaAs
18 -3
1 10 p cm =

100 nm GaAs
17 -3
5 10 p cm =

5.1 nm GaAs no dopado
5.1 nm AlAs no dopado Barreira
4.2 nm GaAs no dopado Poo
5.1 nm AlAs no dopado Barreira
5.1 nm GaAs no dopado
100 nm GaAs
17 -3
5 10 p cm =

100 nm GaAs
18 -3
1 10 p cm =

3.0 m GaAs
18 -3
2 10 p cm =
Contato Inferior
Substrato de GaAs n
+
Tabela 1 Estrutura do DTR tipo-p NU488

A amostra de barreiras assimtricas (NU572) semelhante amostra
simtrica (NU488), diferindo desta apenas pelas espessuras das barreiras. A
espessura da barreira mais prxima superfcie (contato superior) de 5,7 nm e a da
segunda barreira (mais prxima ao contato inferior) tem espessura 4,5 nm. A figura
2-1 ilustra um esquema do perfil de potencial de ambas as estruturas.

NU448

NU572


45

(a)

(b)
Figura 2-1 Esquema do perfil de potencial da estrutura de barreiras (a) simtrica (NU488) e (b)
assimtrica (NU572)

As estruturas foram processadas por G. Hill, da University de Sheffield
(UK) em mesas de diferentes dimetros (400, 200, 100 m ) com contato metlico
anular de AuGe na superfcie (regio denominada contato superior ou topo da
heteroestrutura) para permitir o acesso s medidas pticas quando voltagem fosse
aplicada no dispositivo. Outro contato metlico foi feito na camada de GaAs tipo-p
adjacente ao substrato, denominado de contato inferior. Os diodos selecionados para
serem estudados nas duas amostras possuam mesas de 400 m de dimetro,
escolhidos de modo a obter um melhor acesso ptico tanto para excitao do laser
como para a deteco de PL.

2.2 Medidas de Transporte

Cada diodo estudado foi apropriadamente conectado a um circuito
fechado DC (figura 1), para possibilitar a aplicao de voltagem e a leitura da
corrente sobre o diodo atravs de um uma fonte de voltagem (Keithley Modelo 230
Programmable Voltage Source) e um ampermetro (Marca Keithley Modelo 175A
Autoranging Multimeter). A Figura 2-2 mostra o esquema da montagem do circuito
para a amostra assimtrica. Para obteno das curvas de corrente versus voltagem,
denominadas I(V), foi desenvolvido um software especifico para controlar a fonte de
voltagem. A fim de minimizar possveis resistncias parasitas no circuito fechado,

46
como por exemplo, a resistncia interna do ampermetro e dos cabos, a voltagem foi
aplicada num sistema de 4 pontas, o que significa dizer que os dois terminais
provenientes da fonte de tenso tem seu valor corrigido pela queda de potencial
nesses parasitas do circuito. Para que essa correo ocorra, dois outros terminais
so conectados fonte de tenso e verificam o valor real da voltagem aplicada sobre
o diodo, fazendo com que a tenso nominal aplicada pela fonte seja realmente
aquela que est sobre os contatos do diodo.
Em todos os experimentos foi aplicada voltagem positiva sobre o
contato inferior, que contm o substrato das amostras, para que os eltrons
fotogerados no contato superior pudessem fluir em direo ao QW, possibilitando
com isso a recombinao dos portadores dentro do QW. A voltagem nesse caso
convencionalmente denominada na literatura [71,73,78] de voltagem reversa,
diferente do caso onde voltagem negativa aplicada sobre o substrato, denominado
de voltagem direta.

Figura 2-2 Esquema do circuito DC conectado ao DTR tipo-p de barreiras assimtricas, mostrando a
fonte de voltagem, ampermetro e as camadas do diodo.

2.3 - Fotoluminescncia resolvida no tempo

Existem algumas tcnicas experimentais capazes de analisar com
grande preciso a evoluo temporal da fotoluminescncia (PLRT), chegando a
escalas de tempo da ordem de fentosegundos (10
-15
s). Um pr-requisito
fundamental para isso a gerao de um sinal repetitivo do decaimento da
fotoluminescncia (PL), algo que pode ser obtido atravs de uma fonte de excitao
ptica pulsada. O uso de lasers pulsados a principal fonte de excitao ptica
utilizada por essas tcnicas. Em geral esses lasers operam de forma repetitiva com

47
frquencias de emisso de pulsos que vo de KHz at MHz e produzem pulsos de
largura temporal bastante pequenas, chegando at poucos fentosegundos.
Os experimentos que envolvem a espectroscopia de PLRT foram
realizados atravs da tcnica de streak-camera no Grupo de Propriedades pticas
do Departamento de Fsica da Matria Condensada do Instituto de Fsica da
UNICAMP. O esquema da montagem em laboratrio est ilustrado na Figura 2-3
abaixo. A amostra foi colocada num criostato de imerso e resfriada em hlio lquido
num ambiente de baixa presso (He
2
2 K). Esse criostato possui quatro janelas de
quartzo que permitem iluminar a amostra com o feixe de laser atravs de uma delas
e observar a PL emitida atravs de outra.
O contato superior do DTR foi iluminado por um feixe de laser pulsado
emitido por um laser de Titnio-Safira (Spectra Physics Modelo Tsunami),
bombeado por um laser Argnio de onda contnua (CW) de alta potncia (Spectra
Physics - Modelo 2080). A energia do fton de excitao proveniente do Ti:Sa pode
ser sintonizada entre 730 e 940 nm (isso , 1,320 e 1,700 eV) com potncia mdia de
sada entre 600 mW e 1W. O pulso de laser tem largura temporal de
aproximadamente 3 ps e frequncia de 82 MHz. Com isso o tempo estimado entre
dois pulsos consecutivos de aproximadamente 12 ns sendo, portanto a janela
temporal mxima para deteco de PL. A polarizao do feixe linear, o que no
privilegia qualquer seletividade no spin dos portadores fotogerados por essa
excitao.
A luminescncia emitida pela estrutura excitada foi coletada por um
conjunto de lentes de quartzo e focada sobre um policromador, que leva o sinal
luminoso at a streak cmera onde o sinal processado, como ser detalhado na
prxima seco. O policromador separa os comprimentos de onda da PL
espacialmente atravs de uma grade de difrao para que esse sinal seja
direcionado por espelhos at streakoscpio, a fim de analisar a evoluo temporal da
PL. A grade de difrao utilizada possua 1200 linhas por mm e a fenda de entrada
do policromador era de 50 m. A Figura 2-3 abaixo mostra o esquema da montagem
experimental.
Um espelho semirefletor foi colocado no trajeto do feixe de laser
incidente, entre o Ti:Sa e o criostato, para que alm de incidir sobre a amostra, ele
fosse tambm detectado por uma unidade de atraso, conectada ao sistema de
streak camera. Essa unidade de atraso responsvel pela sincronizao entre o

48
sinal de luminescncia captado e o pulso de laser, controlando a voltagem aplicada
sobre os defletores do tubo streak. As informaes obtidas so ento processadas
por um software apropriado para a captao de imagens fornecidas pelo sistema
streak via cmera CCD (charge-coupled device). Neste trabalho, realizamos
medidas curvas I(V) e de PLRT nos diodos tipo p simtricos e assimtricos para
diferentes voltagens aplicadas na estrutura. A seguir descreveremos brevemente o
principio de funcionamento da Streak Camera usada nas medidas de PLRT.

Figura 2-3 Esquema da montagem experimental para obteno de espectros de fotoluminescncia
resolvida no tempo

2.3.1 Streak Camera

Uma das tcnicas mais utilizadas para a deteco de PLRT
denominada streak-camera. A tcnica se constitui basicamente pela deteco de
um sinal luminoso, convertido em eltrons num fotoctodo, que tem suas trajetrias
controladas em linhas bem definidas em espao e tempo. Como o sinal luminoso
separado horizontalmente em linhas espaciais por difrao, torna-se possvel
controlar os fotoeltrons gerados por ele em faixas separadas temporalmente por um
defletor eltrico ativado por um trigger (disparador) externo, que controla a disposio
vertical dessas linhas em um anteparo. O equipamento utilizado para a realizao
dos experimentos um Streak Camera Hamamatsu (Modelo C4334) com resoluo
temporal de at 15 ps.
O streakoscpio , a parte principal da streak cmera, formado por
um tubo de eltrons chamado tubo streak responsvel pela transposio do sinal
luminoso em eltrons controlados temporalmente. Inicialmente o sinal de PL a ser

49
detectado separado espacialmente por um policromador e conduzido at a fenda
do streakoscpio por espelhos. A Figura 2-4(a) mostra o esquema de operao do
streakoscpio.
(a)

(b)
Figura 2-4 Em (a) a representao do tubo streak (streakoscpio), desde a captao dos ftons
incidentes at a obteno da imagem pela tela de fsforo. Em (b) um diagrama da sincronizao
entre o pulso de laser incidente sobre a amostra e a voltagem aplicada na placa defletora, e o sinal
luminoso captado pela tubo streak.

Como exemplos so mostrados quatro pulsos pticos que variam em
termos de tempo e espao, e que tem diferentes intensidades pticas. Eles so
introduzidos atravs da fenda e uma imagem formada sobre o fotoctodo pelo
aparato ptico. O fotoctodo converte o sinal luminoso em eltrons que so
acelerados contra uma tela de fsforo. Os fotoeltrons produzidos a partir dos quatro
pulsos pticos passam entre os eletrodos de varredura onde alta voltagem aplicada
de modo sincronizado com a luz incidente sobre o diodo (Figura 2-4(b)). Esse
defletor de fotoeltrons constitudo basicamente de duas placas metlicas
paralelas, que formam entre si um campo eltrico perpendicular e homogneo que
varia de intensidade conforme sua sincronizao com o disparador externo, nesse
caso o sinal do fotodetector que monitora o pulso de luz emitido pelo laser. Isso

50
inicia uma varredura de alta velocidade que faz com que os eltrons sejam defletidos
em ngulos ligeiramente diferentes na direo vertical, entrando posteriormente na
placa micro-canal (MCP).
Os eltrons so multiplicados na MCP por um fator de 10
4
, e
reconvertidos em imagem ptica pela tela de fsforo, formando uma nova imagem
denominada imagem streak. Desse modo, a escala de tempo fica relacionada com o
eixo vertical da imagem. Alm disso, a luminosidade das vrias imagens streak
proporcional intensidade dos respectivos pulsos pticos. A posio na direo
horizontal da imagem streak corresponde aos comprimentos de onda da PL, pois o
policromador usado para focar um espectro sobre o fotoctodo. A imagem streak
obtida tal que o eixo vertical serve como eixo temporal e o eixo horizontal como um
eixo de comprimentos de onda e no qual a luminosidade proporcional intensidade
sobre a tela de fsforo. Por fim a imagem streak obtida capturada por uma cmera
CCD que est acoplada opticamente por uma fibra com o tubo streak. A deteco
processada via contagem de ftons (photon-counting), o que exige uma baixa
densidade de PL sobre o policromador. A imagem ento processada em um
software especfico para o tratamento desses dados.

51
CAPTULO 3 RESULTADOS E DISCUSSO

Neste captulo, apresentaremos os resultados referentes ao estudo de
transporte e de fotoluminescncia resolvida no tempo obtidos para as amostras de
barreira dupla p-i-p assimtrica (NU572) e simtrica (NU448).

3.1 DTR p-i-p assimtrico

A Figura 3-1 ilustra o esquema do perfil de potencial da amostra NU572
com incidncia de luz e substrato sujeito a voltagem positiva. Nesta situao, os
eltrons fotogerados no contato superior so impelidos contra a barreira e forados a
se acumularem ali at tunelarem para o QW. J os buracos fotogerados so levados
diretamente para o contato. Os nicos buracos que tunelam para dentro do QW so
portadores majoritrios provenientes do contato inferior tipo p. Caso contrrio
(voltagem negativa aplicada ao substrato), os eltrons fluiriam diretamente para os
condutores e a recombinao de portadores no QW no seria possvel. Nessa
amostra esperado que haja um maior acmulo de buracos no QW do que na
amostra simtrica NU448, uma vez que a barreira mais espessa (5.7 nm) a
segunda barreira para o tunelamento na banda de valncia. Haver tambm um
maior acmulo de eltrons na camada prxima ao contato superior, o que pode
retardar a entrada de eltrons no QW em voltagens fora de ressonncia.
As curvas corrente-tenso (I(V)) sob incidncia de luz (potncia: 35, 70,
100 e 150 mW) e sem luz (0 mW) so mostradas na Figura 3-2. Na ausncia de luz,
observamos na curva I(V) a presena de trs picos associados com o tunelamento
ressonante atravs das sub-bandas de buracos pesados (hh
1
e hh
2
) e buracos leves
(lh
1
) do QW, indicados na figura 3-2. Na presena de luz, nota-se um aumento na

52
corrente total devido contribuio de portadores que so fotogerados no contato e
transportados atravs da estrutura. Observa-se tambm o aparecimento de dois
novos picos entre as ressonncias hh
1
e lh
1
denominados de p
1
e p
2
.

Figura 3-1 Esquema do perfil de potencial da amostra NU572 ilustrando a fotogerao, transporte e
recombinao de portadores na estrutura.

Esses picos fotoinduzidos foram observados anteriormente pelo nosso
grupo [6] e tambm por outros pesquisadores [73] e foram inicialmente associados
ao tunelamento assistido por xcitons (p
1
) e tunelamento ressonante de eltrons
fotogerados na estrutura (p
2
). Aumentando a potncia luminosa nota-se um claro
aumento no valor da corrente, com o pico p
1
deslocando seu mximo para menores
voltagens e o pico p
2
mantendo sua voltagem praticamente constante. J o pico lh
1

apresenta um tmido deslocamento para maiores voltagens. Esses comportamentos
concordam com queles observados anteriormente nas curvas I(V) com uso de
excitao CW para a mesma amostra.
A excitao ptica cria pares eltron-buraco no GaAs do contato
superior. Conforme indica a Figura 3-1, os buracos fotogerados iro fluir diretamente
para a regio dopada e os eltrons sero levados em direo ao QW, acumulando no
lado esquerdo da barreira mais espessa. Desta forma, esperamos observar um pico
referente ao tunelamento ressonante de eltrons (denotado por ressonncia e
1
) na
curva I(V). Esse pico j foi observado anteriormente na amostra simtrica NU488

53
(com QW de mesma largura) na mesma regio de voltagem que o pico p
2
(Figura 3-
2). Como veremos na prxima seo, o pico de ressonncia lh
1
na amostra NU488
observado em voltagens abaixo da ressonncia e
1
, concordando com clculos de
massa efetiva para o QW de 4,2 nm [73]. J para a amostra assimtrica, h um maior
acmulo de buracos no QW sob ao de voltagem direta, devido barreira mais
espessa. Isso faz com que o pico da ressonncia lh
1
se desloque para maiores
voltagens. No entanto, esse efeito de acmulo de carga no to importante para
os eltrons da amostra NU572, pois a segunda barreira mais estreita e de largura
semelhante a NU488. Como conseqncia em ambas as amostras o pico e
1

observado na mesma regio de voltagem.

(a) (b)
Figura 3-2 (a) Curvas caractersticas corrente-tenso da amostra NU572 a 2K, na ausncia de luz e
para quatro potencias de luz diferentese (b) e em detalhe para a regio de baixa voltagem.

Como mencionando anteriormente, o pico em menor voltagem (p
1
) foi
associado ao tunelamento assistido por xcitons. A curva I(V) sem luz mostra que em
0,27V h uma corrente tnel de buracos significativa, o que indica uma pequena
densidade de portadores majoritrios acumulados na sub-banda hh
1
. Se essa
densidade for menor do que o limite para dissociao de xciton, os buracos
acumulados no QW podero gerar um canal de tunelamento adicional para os
eltrons fotogerados. Tais eltrons podem entrar no QW e formar xcitons com os
buracos no estado hh
1
. A voltagem necessria para observao do tunelamento
assistido por excitons um pouco reduzida com relao e
1
. A formao de xcitons
ocorre por interao coulombiana entre portadores com cargas opostas em baixa

54
temperatura. O nvel excitnico tem energia reduzida quando comparado com os
estados do QW, pois tal interao leva a uma energia de ligao negativa para a
formao do xciton. Esse mecanismo anlogo ao pico adicional observado
anteriormente nas curvas I(V)s de RTDs tipo-n com uma baixa densidade de
doadores e associado ao tunelamento assistido por doadores no QW [74]. Nesse tipo
de tunelamento, o QW dopado e possui um estado ligado de doadores superficiais
em seu centro, com energia de ligao menor do que a das menores sub-bandas bi-
dimensionais do QW. Os eltrons no emissor se alinham em energia com o estado
ligado do doador em voltagens menores do que a voltagem mnima necessria para
o tunelamento atravs das sub-bandas 2D, gerando um pico adicional na curva I(V).
A Figura 3-3(a) mostra os espectros tpicos de PLRT em funo da
energia, obtidos atravs da integrao do sinal em toda a janela temporal, ou seja,
durante o intervalo de repetio do pulso de laser. O estudo de PL foi realizados
usando excitao de laser pulsado, com energia 1,55 eV e potncia quadrtica mdia
de excitao de 70 mW. Com isso os portadores so fotogerados somente nas
camadas de contato fortemente dopado do DTR, que possuem band-gap de 1,52 eV.
O sinal de PL observado corresponde apenas recombinao entre os estados
confinados de menor energia no QW (e
1
-hh
1
), uma vez que no foi observado
nenhum sinal de PL em energia maior, mesmo quando o RTD est ressonante com
os outros estados confinados no QW de maior energia, como os nveis lh
1
, hh
2
e etc.
Isso indica que se os portadores tunelarem, por exemplo, atravs do segundo nvel
confinado iro sofrer espalhamento, relaxando rpidamente para o nvel de menor
energia no QW. Alm disso, dependendo da densidade de cargas no QW, a emisso
de PL pode estar relacionada emisso por recombinao de xcitons neutros (X
0
)
ou de xciton positivamente carregados, denominados trons (X
+
) [76,77] com
energia menor, resultando em dois picos na emisso separados de
aproximadamente 2 meV. Se a largura de linha da emisso for muito larga esses
picos no resolvem apesar da emisso possuir contribuio de complexos
excitnicos.

55

Figura 3-3 - (a) Imagem de PLRT tpica para a amostra NU572 na condio de voltagem mostrada na
figura 3-1, com o eixo vertical referente ao tempo e o eixo horizontal referente aos comprimentos de
onda. (b) Espectro de PL obtido a partir da integrao ao longo da janela temporal toda.

Em 0 V no foi observado nenhum sinal de PL no QW, indicando que a
fotogerao direta de portadores no QW e a difuso de eltrons fotogerados no
contato para dentro do QW desprezvel. A emisso se torna aprecivel somente a
partir de 0,20 V. Isso se deve reduzida taxa de recombinao em voltagens
menores do que essa, uma vez que a densidade de portadores minoritrios (eltrons)
tunelando para dentro do QW insignificante nessa regio. A figura 3-4(a) apresenta
os espectros de PLRT integrados no tempo. Os mximos dos espectros de PL do
QW em funo da voltagem aplicada e a curva I(V) tambm se encontram ilustrados
na figura 4(b).

(a)
(b)
Figura 3-4 (a) Espectros tpicos de PL do QW integrados no tempo para a amostra NU572 e (b)
posio do pico de PL em funo da voltagem (pontos) com a respectiva curva caracterstica I(V) (linha
azul)
Comprimento de Onda
T
e
m
p
o


56
Na regio de voltagens prximas ao pico p
1
da I(V) observamos duas
contribuies distintas ao espectro de PL. Uma delas possui mximo em 1,670 eV e
a outra em 1,675 eV aproximadamente. A primeira delas foi inicialmente associado a
transio excitnica (1.670 eV) enquanto que a outra (1.675 eV) a transio livre. A
transio livre ocorre devido a um aumento importante de concentrao de
portadores nessa regio. Observamos que tais contribuies para o espectro de PL
apresentam evoluo temporal distintas, como ser discutido mais adiante.
Analisamos tambm a dependncia da posio dos mximos de PL em
funo da voltagem aplicada. De forma geral, observamos um deslocamento dos
mximos para regio de baixas energias quando aumentamos a voltagem aplicada a
estrutura. Esse deslocamento para baixa energia pode ser explicado pelo efeito
Stark, gerado pelo campo eltrico efetivo aplicado paralelamente corrente tunel.
Apesar disso, o aumento do acmulo de cargas no interior do QW pode aumentar a
energia dos nveis confinados por conta da formao de complexos excitnicos
(trons) no QW. Os deslocamentos observados so consequncia desses dois efeitos
que competem entre si, e dependem da carga acumulada no QW. Nota-se que aps
a ressonncia lh
1
, o mximo da PL retorna a um valor de energia maior na regio de
vale de corrente. Isso pode ser explicado pela formao de trons e xcitons na
regio de ressonncia [75]. Aumentando a voltagem logo aps o pico de
ressonncia, temos como conseqncia uma reduo de carga acumulada no QW,
reduzindo assim a probabilidade de formao de trons no QW e favorecendo a
emisso excitnica que possui energia maior. Como os picos referente a emisso por
trons e xcitons no so bem resolvidos, esse efeito resulta em um aparente
deslocamento do pico de PL para altas energias. Para voltagens superiores, o
mximo da PL volta a diminuir seu valor com o aumento da voltagem, indicando que
o deslocamento para baixas energias se deve prioritariamente ao efeito Stark. O
comportamento do aumento da energia do pico de PL observado aps a ressonncia
lh
1
ocorre tambm aps a ressonncia hh
2
.
Foram analisados tambm os espectros de PL em diferentes faixas de
tempo da janela temporal. Observamos diferenas relevantes nos espectros para
voltagens na regio do pico p
1
atribudo ao tunelamento assistido por xcitons. A
figura 3-5 ilustra esses espectros em diferentes faixas de tempo do espectro total.
Para a obteno de cada um deles foi definido, a partir da imagem de PLRT, uma
faixa de 2 ns em toda a regio de emisso de PL do QW. Desta forma, podemos

57
avaliar como o espectro evolui em termos de energia durante o tempo. Nessa regio
de voltagem, observamos uma mistura de dois picos de emisso, como ilustrado
anteriormente no espectro de PL total da Figura 3-3, que evoluem de forma distinta.
Imediatamente aps o pulso de laser (0 a 2 ns) nota-se que a emisso tem mximo
em 1,676 eV (E
2
) em todas a voltagens. Com o passar do tempo surge uma emisso
significativa centrada em 1,671 eV (E
1
). Em 0,21 V o pico E
2
diminui sua intensidade
com o tempo e E
1
aumenta sua intensidade. Ambas as emisses possuem constante
de tempo caractersticas de magnitudes elevadas, s vezes maiores do que o limite
da janela temporal (11 ns). Aumentando a voltagem, E
2
tende a manter sua
intensidade constante durante todo o espao da janela temporal, at 0,30V, enquanto
E
1
aumenta sua intensidade com o tempo at 0,25V (voltagem referente ao pico p1
na curva I(V)), quando comea a diminuir at praticamente desaparecer em 0,30V.


58

Intervalos de Integrao

Figura 3-5 Espectros de PL do QW integrados em intervalos de tempo de 2 ns, aps excitao pelo
pulso, para as voltagens em torno da ressonncia p
1
.

Esse efeito observado pode estar relacionado a dois fenmenos
diferentes: a formao e recombinao de xcitons (E
1
) e a recombinao de
portadores livres no QW (E
2
). O pico E1 apresenta uma evoluo temporal lenta
provavelmente pela natureza da formao do complexo excitnico no regime de
tunelamento assistido por xciton que deve ser mais lenta. Esse comportamento
ainda esta sendo investigado, necessitando de um estudo mais aprofundado para
interpretao de mecanismos envolvidos nessa regio de voltagem. Esse quadro de
E
1
E
2


59
evoluo da PL se mantm enquanto o tunelamento via xciton (p
1
) ainda ocorre,
sendo que o aumento da voltagem na direo de e
1
leva extino do pico E
1
,
dominando a partir de ento somente o pico E
2
. A nica emisso mantida aps essa
regio de voltagem E
2
, com variaes discernveis apenas na forma do transiente e
no mais na composio do espectro.

Figura 3-6 Imagem de PLRT da emisso do QW da amostra NU572 em 0,23V, mostrando o aumento da
intensidade de emisso com o tempo do pico E1 (maior comprimento de onda), associado formao de
xcitons.

Em DTRs tipo p-i-p sob voltagem reversa (Figura 3-1), a quantidade de
buracos injetados no QW praticamente constante no tempo, uma vez que os
buracos eventualmente fotogerados no contato inferior tem uma contribuio pouco
significativa para essa injeo. Desta forma, a dinmica de recombinao de
portadores no QW, que pode ser avaliada via transientes de PL, deve sofrer os
efeitos mais significativos em torno das ressonncias que envolvem eltrons, j que
os portadores minoritrios regem as emisses radiativas [15, 31, 49].
As figuras 3-7 e 3-8 apresentam curvas tpicas do transiente de
emisso de PL em funo da voltagem aplicada na estrutura. Podemos dividir esses
transientes em trs regimes de recombinao tpicos dependendo da voltagem
aplicada na estrutura. Dois desses regimes ocorrem em regies de baixa voltagem (<
0,60 V), onde esto presentes as ressonncias que envolvem eltrons (p
1
e e
1
) e
onde o processo de decaimento total de PL lento (constante de tempos maiores
que 10 ns). O terceiro regime est presente na regio de alta voltagem (>0,60 V),
que envolvem o tunelamento ressonante de portadores majoritrios (buracos), sob as
ressonncias indicadas (lh
1
, hh
2
, etc) onde o decaimento mais rpido (<1 ns).
Comprimento de Onda
T
e
m
p
o

60
Em valores pequenos de voltagem (<0,60 V) o tempo de vida do sinal
maior do que o tempo de repetio do laser, ou seja, maior do que a janela
temporal de deteco do sinal (11 ns), conforme mostra a figura 3-7. Isso faz com
que em t =0 exista um sinal no nulo de PL devido ao tunelamento de portadores
com tempo de vida longa, injetados pelo pulso de laser anterior. Conforme
Charbonneau et al [48] relata, a presena da camada espaora no dopada em
DTRs n-i-n pode formar uma camada de acumulao, que aumenta o tempo de vida
dos buracos nessa regio, tornando o escoamento destes para dentro do QW mais
significativo uma vez que h um reservatrio para que eles tunelem. H
consequentemente uma populao de buracos presente tanto no QW quanto na
camada de acumulao no instante que um segundo pulso de luz excita novamente
os portadores do contato superior. Esse efeito tambm pode ocorrer no caso na
amostra p-i-p, considerando que os eltrons iro se acumular prximo barreira b
1
,
como mostra a Figura 3-1.


61

Figura 3-7 Transientes de PL do QW plotados em escala exponencial, tpico para o regime de baixa
voltagem, e a respectiva curva I(V) na presena (70mW) e ausncia de iluminao por laser, para a
amostra NU572.

Existe, entretanto, uma diferena entre os processos que determinam a
forma do transiente em duas regies distintas em baixa voltagem. O primeiro regime
se concentra nas voltagens em torno de p
1
(0.23 <V <0.3 volt), onde o transiente do
espectro total tem uma intensidade instantnea de PL (
i nst
PL
I ) quase constante em
todo o intervalo da janela temporal. Este comportamento pode ser aproximado por
um decaimento mono-exponencial com altos valores de constante de tempo. Dessa

62
forma, no observamos um aumento abrupto na
i nst
PL
I imediatamente aps o pulso de
laser. Apesar disso, a intensidade integrada total de PL (
t ot
PL
I ), ou seja, o sinal de PL
integrado em energia e ao longo de toda a janela temporal exibe uma excelente
correlao com a ressonncia p
1
na curva I(V) como ilustra a figura 3-8. Uma
possvel explicao para esse comportamento que em voltagens menores do que
0,20V, a densidade de eltrons e buracos (n
e
e n
h
) no QW prxima de zero,
resultando em pequenas intensidades instantneas de PL. Aumentando a voltagem
em direo ressonncia p
1
, a densidade de portadores aumenta resultando em um
aumento na formao de xcitons no QW, proporcionando assim uma alta eficincia
quntica para recombinao radiativa.
Uma interpretao preliminar para os efeitos observados em torno de p
1

pode ser associada a ocorrncia de dois processos com tempos distintos:
tunelamento assistido por xcitons e o tunelamento convencional. O comportamento
temporal lento de E1 (Figura 3-5) pode estar associado a uma lenta formao do
complexo excitnico dentro do QW a partir de portadores que tunelam no QW. O
comportamento de E2 poder ser associado recombinao de portadores livres, que
entram no QW por tunelamento no ressonante. A baixa eficincia de PL durante os
primeiros 3 ns imediatos excitao pelo pulso de laser pode ser devida baixa
populao de eltrons que so injetados no QW. O comportamento do transiente de
PL em 0,20 V, que exibe um decaimento lento, foi associado ao tunelamento no
ressonante de eltrons. O comportamento da PL na regio de baixa voltagem um
fato que ainda exige uma investigao e interpretao mais aprofundada, pois nesse
ponto pode haver uma complexa mistura de tunelamento ressonante e no
ressonante de eltrons, buracos e tunelamento assistido por xciton.
Quando o pulso de laser fotogera portadores no contato superior, uma
grande quantidade de eltrons flui em direo barreira. Eles podem tanto se
acomodar na camada de acumulao como seguir diretamente em direo barreira.
Em baixa voltagem, quando o DTR est fora de ressonncia, o tunelamento de
eltrons para o QW ocorre com baixa probabilidade.
A partir de 0,32 V aparece no transiente a contribuio de uma emisso
que exibe intensidade crescente, ou seja, uma subida acentuada, logo aps a
excitao pelo pulso de laser, e atinge um mximo em torno de 1,2 ns. Esse tempo
de subida corresponde aproximadamente ao tempo de preenchimento da camada de

63
acumulao pela populao de eltrons fotogerados, devido ao transporte destes em
direo barreira coletora, considerando-se um rpido transporte dos eltrons da
camada de acumulao para o QW nessa regio de voltagem. O tempo de subida
pode indicar quo grande deve ser a disperso entre os tempos de vida dos
portadores minoritrios nas regies do contato GaAs prximas da barreira. Quanto
mais afinada for a subida, menor ser essa diferena. O rpido aumento na
i nst
PL
I
aps o pulso de laser surge quando a voltagem aumenta em direo a ressonncia
fotoinduzida e1. Isso pode indicar que o tunelamento ressonante de eltrons no DTR
faz com que esses portadores sejam injetados para dentro do QW numa taxa muito
maior do que em voltagens fora de ressonncia. Numa voltagem fora de ressonncia
para eltrons, a camada de acumulao serve como reservatrio para o tunelamento
destes portadores para o QW. Em torno de e
1
a situao diferente, pois os eltrons
fluem de modo mais significativo para o QW assim que atingem a primeira barreira.
Nessa condio, se logo aps o pulso de laser h um rpido e acentuado aumento
na
i nst
PL
I porque os eltrons que chegam barreira coletora encontram um canal
tunelamento com maior probabilidade de transmisso do que em voltagens fora de
ressonncia.
Quando o dispositivo est em ressonncia com e
1
, o transiente atinge
sua
i nst
PL
I mxima e em seguida diminui seu valor por um processo que sugere ser
composto por duas funes exponenciais decrescentes, como mostrados na figura 3-
7. O primeiro decaimento tem uma queda brusca, sendo consequentemente bastante
rpido. J o segundo decaimento, que mais lento, parece seguir o mesmo
comportamento observado na regio entre 0,20 - 0,30 V no caso da recombinao
dos portadores livres, que tunelam de modo no ressonante. Esse decaimento rpido
est associado ao esvaziamento de eltrons na camada de acumulao via
tunelamento ressonante. Se a fotogerao de eltrons cessa aps o pulso de luz, os
nicos eltrons que ainda iro contribuir para a emisso em tempos mais longos (fora
de ressonncia) so os restantes na camada de acumulao. Apesar dessa forma de
decaimento bi-exponencial ter sido observada anteriormente no nico trabalho
presente na literatura sobre tempos de decaimento de DTRs p-i-p [54], no h nele
uma interpretao mais aprofundada como a apresentada aqui. Os trabalhos da
literatura referentes ao estudo de DTRs tipo n-i-n [48-51] observa-se apenas um
decaimento mono-exponencial.

64
Essa forma de transiente se estende at 0,60 V, aumentando cada vez
mais a intensidade da subida com o aumento da voltagem. J o processo de
decaimento rpido diminui cada vez mais sua constante de tempo e o processo lento
tambm vai alterando sua forma, reduzindo sua presena no decaimento total at se
extinguir por completo. Esse comportamento pode ser resultado de dois efeitos que
ocorrem de maneira simultnea com o aumento da voltagem, um causado pela
distoro do potencial efetivo e o outro pela predominncia do tunelamento no-
ressonante. medida que a voltagem aumenta, a distoro do perfil de potencial
tal que a altura e espessura efetivas das barreiras se tornam cada vez menores,
parecendo mais transparentes aos eltrons, que iro tunelar com maior probabilidade
para dentro do QW. Isso relatado por Norris et al [44] num estudo em DTRs tipo n-
i-n de diferentes espessuras sob voltagem externa aplicada. Ele observou uma
convergncia para pequenos valores no tempo de decaimento de PL com o aumento
da voltagem, evidenciando a um aumento na transparncia das barreiras com uma
maior distoro no potencial efetivo. Com isso, se o dispositivo estiver fora da
condio de tunelamento ressonante de eltrons, o tunelamento no ressonante ir
ocorrer de maneira mais eficiente do que em baixa voltagem, j que a espessura
efetiva da barreira menor. Ambos os efeitos levam a um aumento significativo do
nmero de eltrons que tunelam para o QW imediatamente aps a fotogerao nos
contatos, o que prioriza a manuteno de um decaimento rpido em detrimento do
decaimento lento.


65

Figura 3-8 Transientes de PL do QW plotados em escala exponencial, tpico para o regime de alta
voltagem, e a respectiva curva I(V) na presena (70mW) e ausncia de iluminao por laser, para a
amostra NU572.

A partir de 0,64 V o decaimento rpido o nico responsvel pelo
decaimento da PL, definindo o terceiro regime de decaimento de PL do QW. Apesar
de ser sutil, observa-se tambm que a subida da PL aps o pulso de laser torna-se
cada vez mais rpida com o aumento da voltagem, como mostra a figura 3-8. Isso
pode ser um indicativo de que em alta voltagem (> 60 V) o tunelamento no-
ressonante faz a subida se tornar cada vez mais afinada e o decaimento cada vez
mais rpido, prevalecendo nas regies fora das ressonncias que envolvem eltrons.
O fato da recombinao no QW ser provavelmente excitnica aps o
estado e
1
sair de ressonncia, como abordado na discusso da figura 3-4 acima, no
interfere na interpretao de aumento e diminuio rpida da
i nst
PL
I em altas
voltagens, uma vez que parece ser o transporte via tunelamento assistido por
xciton, e no o xciton em si, o responsvel pela longa durao do decaimento em
torno de p
1
. Isso d consistncia ao argumento das recombinaes serem
excitnicas em altas voltagens.

66

Figura 3-9 (a) Curva de corrente-tenso da amostra NU572 2 K (linha azul) e intensidade
integrada da emisso do QW versus voltagem (pontos vermelhos).

A figura 3-9 apresenta a intensidade integrada de PL em funo da
voltagem aplicada juntamente com a curva caracterstica corrente-tenso I(V) para a
mesma potncia luminosa de laser (35 mW). A intensidade integrada foi calculada a
partir da rea total da banda de emisso de PL somada em todo o intervalo da janela
temporal (12 ns). Observa-se uma correlao da intensidade integrada com os picos
ressonantes p
1
e e
1
da curva I(V), em baixa voltagem (<0,70 V). Nessa regio h um
aumento da densidade de portadores minoritrios (eltrons) dentro do poo. A
corrente total no DTR devida soma das densidades de eltrons e buracos (n+ p)
que tunelam atravs estrutura. A PL, por outro lado, depende, em primeira
aproximao, do produto dessas densidades (np), sendo muito mais sensvel
variao da densidade de portadores minoritrios. A diminuio da PL integrada
observada a partir de 0.8 V est associada reduo da espessura efetiva e altura
relativa da segunda barreira (b
2
), causada pelo aumento voltagem aplicada. Isso
torna o escape de buracos do QW mais significativo do que as recombinaes
radiativas, levando perda de correlao entre I
PL
(V) e I(V).
Para uma melhor anlise do comportamento dos transientes ilustrados
acima, tomamos os tempos caractersticos obtidos a partir de ajustes mono-
exponenciais ou bi-exponenciais dependendo a voltagem aplicada na estrutura. Os
valores obtidos por esses ajustes simples levam em conta apenas a forma do
transiente e desconsidera, em primeira anlise, a influncia da soma ou composio
das intensidades de processos de decaimento distintos no transiente final obtido
experimentalmente. O modelo seqencial que utiliza equaes de taxa para os

67
portadores minoritrios proposto por Van Hoof [49], discutido no captulo anterior,
no explica os dados experimentais que exibem processos bi-exponencias. Isso
porque a soluo da equao diferencial proposta neste modelo resulta num
aumento exponencial de intensidade, seguido por um decaimento mono-exponencial.
Com isso percebe-se que necessrio imbutir no modelo outras contribuies, que
so devidas ao tunelamento no-ressonante e tunelamento assistido por xcitons.
O processo referente ao decaimento lento, que se estende escalas de
tempo da ordem ou maiores do que a janela temporal do experimento, tem sua
constante de tempo caracterstica denominada de tempo longo e existe somente nos
regimes de baixa voltagem. Ele est relacionado, como discutido anteriormente, a
processos de recombinao que envolvem processos distintos ocorrendo
simultaneamente como o tunelamento assistido por xcitons e tunelamento no
ressonante de eltrons, que vo de 0,20V at 0,60V. possvel notar, a partir da
figura 3-10, que esse tempo toma valores muito grandes sobre a ressonncia p
1
,
sendo que a estimativa de seu valor at certo ponto incerta, j que a janela
temporal d uma idia restrita do comportamento total desse processo de
decaimento, que deve se estender para valores muito maiores do que 10 ns. Como
demonstra a figura 3-7 acima, exatamente sobre p
1
o decaimento mantm o valor da
intensidade de emisso quase constante, praticamente sem alterao em tempos
imediatamente seguintes ao pulso de luz. J a partir de 0,32 V o aumento ou
modulao no valor do tempo longo que surge sobre a ressonncia e1 deve estar
relacionado ao tunelamento no ressonante de eltrons. A partir dessa mesma
voltagem aparece no transiente um processo que tem uma forte emisso logo aps o
pulso de laser, e est possivelmente relacionado ao tunelamento ressonante de
eltrons. A estimativa dos valores do tempo longo pode, no entanto, sofrer a
influncia do rpido decaimento de PL, tornando a estimativa do tempo caracterstico
nesse caso mais qualitativa.

68
(a)

(b)
Figura 3-10 (a) Tempo de decaimento de PL do QW referente ao processo mais lento, denominado
tempo longo (pontos pretos) e (b) detalhe do grfico em torno de e
1
. A curva I(V) para a mesma
condio de luz mostrada com as ressonncias destacadas nos grficos (linha azul).

O processo de decaimento rpido, que aparece no transiente somente aps a
ressonncia p
1
, tende a ser o nico presente no decaimento total em alta voltagem.
O tempo caracterstico obtido a partir desse decaimento, denominado de tempo
curto, mostrado na figura 3-11 abaixo. O comportamento desse tempo pode ser
visto, de uma maneira geral, apenas pela diminuio do seu valor com o aumento da
voltagem. Tal comportamento pode ser interpretado como resultado da diminuio da
barreira efetiva para os eltrons, que leva uma maior probabilidade de transmisso.
As modulaes observadas nesse tempo podem no ser reais, uma vez que o tempo
longo tende a desaparecer do transiente a partir de 0,60 V, indicando que os valores
obtidos pelo ajuste do tempo curto devem sofrer influncia do processo mais lento
nessa regio de mudana da forma do transiente. Sobre a ressonncia de buraco
(lh
1
), esse valor continua a diminuir e vai se estabilizar em torno de 0,12 ns em 1,60
V.


69

Figura 3-11 Tempo de decaimento de PL do QW referente ao processo mais rpido, denominado
tempo curto (pontos verdes). A curva I(V) para a mesma condio de luz mostrada com as
ressonncias destacadas (linha azul).

O contato superior e inferior de GaAs tipo-p so as camadas do DTR
que sofrem influncia dos diversos processos que ocorrem em toda a estrutura, pois
eles respondem pela criao, captura aps o tunelamento e recombinao de
portadores minoritrios nos extremos do DTR. A PL observada na regio de emisso
desses contatos pode trazer informaes sobre a recombinao de portadores nos
dois contatos, sendo que o contato superior deve ser o maior responsvel por isso,
pois h uma enorme quantidade de portadores minoritrios nessa regio se
comparado com o contato inferior. Alm disso, ele forma a camada de topo do
dispositivo, o que favorece muito a deteco de luminescncia. A reabsoro de PL
pelo contato inferior no contribui para a PL do QW, pois o portador minoritrio no
difunde para o poo.

(a)

(b)
Figura 3-12 (a) Transiente tpico de emisso de PL e (b) espectro obtido pela integrao em toda a
janela temporal ambos do contato superior de GaAs.


70
A recombinao dos portadores minoritrios que escapam do QW e
recombinam no contato inferior pode trazer alguma luz sobre a dinmica dos
portadores no QW. Devido mistura da energia de emisso de duas regies
distintas, os efeitos observados podem ser muito sutis e confundidos s vezes com
erros da prpria medida. A figura 3-12 mostra o transiente de PL tpico dos contatos
de GaAs e o respectivo espectro de PL integrado no tempo. O rpido decaimento de
PL consequncia de a recombinao ocorrer na mesma regio onde os eltrons
foram fotogerados. No foi observada nenhuma variao significativa na forma do
espectro e do transiente com o aumento da voltagem. Comparando esse transiente
com os da figura 3-7, nota-se que em baixa voltagem a PL do QW sobrevive mesmo
aps o decaimento quase completo da PL do contato GaAs, indicando que a
recombinao de portadores no contato ocorre rpidamente, muito antes do
decaimento completo no QW.
A figura 3-13 ilustra a dependncia da intensidade integrada e tempo de
decaimento em funo da voltagem aplicada na estrutura. Apesar da variao pouco
significativa na
t ot
PL
I , uma observao que pode ser feita no grfico da figura 3-13(a).
Nas ressonncias p
1
e e
1
essa intensidade pouco menor do que sobre as demais
regies de voltagem. Ela parece exibir uma anticorrelao com
t ot
PL
I do QW, fato que
pode eventualmente estar relacionado s recombinaes ocorrerem em maior
nmero no QW ou, com o aumento da voltagem, os eltrons escaparem mais
facilmente do poo e recombinarem no contato inferior.
(a)

(b)
Figura 3-13 (a) Intensidade integrada total de PL (pontos laranjas) e (b) tempo de decaimento de PL
(pontos verdes), ambos do contato de GaAs. A curva I(V) para a mesma condio de luz mostrada
com as ressonncias destacadas (linha azul).

71
O tempo de decaimento da emisso do contato foi extrado a partir de
um ajuste mono-exponencial no transiente e seus valores em funo da voltagem
so mostrados na figura 3-13(b). Apesar de no ser a funo mais adequada, ela
bem simples e contribui para uma caracterizao generalizada do decaimento. Uma
funo mais aproximada forma do transiente do contato tambm deve ser
considerada para uma modelagem mais adequada dos fenmenos, para que ele seja
capaz de aliar a interpretao conjunta dos dados da PL do QW e do contato GaAs.

3.2 DTR p-i-p simtrico

A figura 3-14 ilustra o esquema do perfil de potencial da amostra
NU448 sob a incidncia de pulso de laser quando uma voltagem positiva aplicada
ao substrato, com eltrons e buracos fluindo atravs da estrutura e recombinando
nas regies do contato e do QW.

Figura 3-14 Esquema do perfil de potencial efetivo da amostra NU448 mostrando a fotogerao,
transporte e recombinao de portadores na estrutura.


72
A figura 3-15 abaixo ilustra as curvas caractersticas corrente-tenso
com e sem incidncia de luz. Na ausncia de luz, podemos identificar as
ressonncias para buraco pesado (hh
1
, hh
2
, hh
3
) e buraco leve (lh
1
, lh
2
, lh
3
). Na
presena de luz, nota-se uma pequena variao na curva I(V) prximo de 0.5 V,
associada primeira ressonncia de eltrons (e
1
) fotogerados no contato superior.
Observe que o tunelamento ressonante de eltrons foi observado na mesma regio
de voltagem que para a amostra NU572. Isso esperado, pois ambas as amostras
possuem mesma largura de QW. No se observa na I(V), no entanto, nenhum pico
relacionado ao tunelamento assistido por xciton. Como ser visto adiante, os
transientes nessa regio mostram um decaimento lento, o que poderia indicar uma
possvel presena de um tunelamento via xciton no discernvel na I(V).

(a)

(b)

Figura 3-15 (a) Curvas I(V) sob iluminao de pulsos de laser e na ausncia de luz e (b) detalhe das
curvas para baixa voltagem.

Alguns espectros tpicos de PL do QW, integrados no intervalo da
janela temporal, so mostrados na figura 3-16 abaixo. O estudo de PL foi tambm
realizado com energia do fton de excitao de 1,55 eV, e potncia quadrtica mdia
de 35 mW, visando fotogerar portadores somente nas camadas de contato do DTR
(band-gap de 1,52 eV). De forma geral, observa-se um deslocamento para baixa
energia dos picos de emisso de PL com o aumento da voltagem, indicando uma
predominncia do Efeito Stark durante quase todo o intervalo de voltagem. As
variaes abruptas nesses picos aparecem sobre as ressonncias de buracos e
podem ser atribudos s intensas variaes da densidade de cargas no interior do

73
QW nessas condies de voltagem. Essas variaes na densidade de cargas levam
consequentemente a alteraes no campo eltrico efetivo atravs das barreiras
[Fis94], o que pode contribuir para os saltos observados.

(a)

(b)

Figura 3-16 - (a) Espectros tpicos de PL do QW integrados no tempo para a amostra NU448 e (b)
posio do pico de PL em funo da voltagem (pontos) com a respectiva curva caracterstica I(V) (linha
azul)

A anlise da evoluo temporal da forma do espectro de PL no
revelou alteraes na posio do pico de emisso aps a fotoexcitao pelo pulso de
luz. O comportamento temporal da intensidade instantnea de PL (
i nst
PL
I ) da amostra
apresentado na figura 3-17 para algumas voltagens tpicas. De uma maneira geral,
os transientes acompanham os decaimentos observados na amostra NU572. Em
0,30 V o decaimento de PL lento e mono-exponencial, apresentando um aumento
em sua intensidade aps o pulso de laser. J voltagens prximas da ressonncia de
eltrons (e
1
) o decaimento bastante lento e no apresenta alteraes na
intensidade do transiente, sendo praticamente constante ao longo de toda a janela
temporal. Isso pode indicar que o tunelamento assistido por xciton talvez esteja
ocorrendo nessa mesma regio de voltagem, apesar disso no ser aparente na I(V).
Com o aumento da voltagem surge no transiente um aumento de PL acentuado
seguido por dois processos de decaimento, um rpido e outro mais lento. Nessas
voltagens o tunelamento ressonante de eltrons poderia ser o responsvel por levar
ao rpido aumento no nmero de recombinaes no QW e, consequentemente, a um
rpido esvaziamento da camada de acumulao, como no caso da amostra
assimtrica. O processo lento estaria associado ao tunelamento convencional de
eltrons para dentro do QW. A manuteno da forma do decaimento bi-exponencial

74
s voltagens que excedem a regio de e
1
carece de uma interpretao direta e deve
ser mais bem avaliado.
Aumentando a voltagem at 1,04 V nota-se que o processo rpido de
emisso e de decaimento de PL predomina sobre o processo lento, trazendo
novamente idia de que a distoro do potencial efetivo pelo campo eltrico leva
maior transparncia das barreiras. A partir dessa voltagem a forma do decaimento
rpido, que em voltagens menores parece ser aproximado por um processo
exponencial decrescente, assume um aspecto diferente. Esse decaimento mostra
uma queda menos brusca aps a
i nst
PL
I atingir seu mximo para, somente na
seqncia, exibir uma queda mais acentuada. Tal comportamento no reportado
por outros trabalhos na literatura. Em Kab et al [54], que trata dos decaimentos de PL
num DTR tipo p-i-p, avalia-se apenas uma regio restrita de voltagens em torno de
uma suposta ressonncia e
1
, calculada teoricamente e que no aparece na curva
I(V). Nesse trabalho os nicos decaimentos observados so as formas mono e bi-
exponenciais e no h, no entanto, nenhuma suposio relevante sobre suas
causas. Talvez essa forma anmala esteja presente somente em alta voltagem,
sendo ainda bastante incerta sua origem.
Aumentando a voltagem ainda mais, em direo ressonncia hh
3
, a
intensidade total integrada de PL diminui e o decaimento mais acentuado parece
dominar o transiente aps o mximo de
i nst
PL
I , sob a condio de maior transparncia
das barreiras.


75

Figura 3-17 Transientes de PL da amostra NU448, plotados em escala logartmica, para algumas
voltagens tpicas.

A intensidade integrada da emisso do QW versus voltagem
mostrada na figura 3-18 abaixo. Pode-se notar uma boa correlao entre seus

76
valores e a curva I(V) at a voltagem em torno de 1,6 V. Como discutido
anteriormente, essa correlao se d pelo aumento da densidade de portadores no
interior do QW e um conseqente aumento no nmero de recombinaes. A partir
dessa voltagem h perda de correlao entre a corrente e a
t ot
PL
I , j que em altas
voltagens as barreiras tornam-se mais transparentes ao tunelamento de portadores
atravs do DTR. Uma variao que ainda no foi compreendido o aumento
acentuado na
t ot
PL
I prximo ressonncia lh
2
. Um comportamento semelhante foi
observado para a amostra assimtrica aps a ressonncia lh
1
. Esses
comportamentos no aparecem quando as amostra so estudadas via PL CW, algo
que deve ser mais bem estudado posteriormente para uma interpretao consistente.

Figura 3-18 Intensidade integrada total de PL em funo da voltagem para a amostra NU448
(pontos vermelhos) e a respectiva curva I(v) na mesma condio de iluminao (linha azul).

Os transientes de PL foram ajustados por mono ou bi-exponenciais
dependendo da forma do decaimento e, a partir disso, extraiu-se as constantes
caractersticas do decaimento de PL que so mostradas na figura 3-19. O processo
referente ao decaimento lento, com constante de tempo caracterstica denominada
de tempo longo, existe em torno da primeira ressonncia de eltrons. Ele toma
valores muito grandes sobre a ressonncia e
1
, sendo que a estimativa de seu valor
at certo ponto incerta j que a janela temporal do experimento muito menor do
que o tempo durante o qual a emisso perdura. J o tempo curto nesse caso parece
aumentar sobre e
1
, o que novamente pode ser um artifcio gerado pela influncia do
processo mais lento levando a estimativa dos valores nesse caso mais qualitativa.


77
(a)
(b)
Figura 3-19 - Tempo de decaimento de PL do QW referente (a) ao processo mais rpido, denominado
tempo curto (pontos verdes) e (b) ao processo mais lento, denominado tempo longo (pontos pretos). A
curva I(V) para a mesma condio de luz (linha azul) mostrada com as ressonncias destacadas.

A PL do contato de GaAs no mostrou variaes significativas tanto na forma
do transiente quanto na forma do espectro. A figura 3-20(a) mostra a intensidade
integrada total de PL em funo da voltagem aplicada na estrutura para a PL do
contato de GaAs. H uma variao pouco significativa na
t ot
PL
I , sendo que somente
aps o pico lh3 parece diminuir relativamente pouco essa intensidade. Isso pode
eventualmente estar relacionado maior rapidez com que os eltrons fluem em
direo ao contato inferior com o aumento da voltagem, atravessando toda a
estrutura com maior facilidade.

(a)

(b)
Figura 3-20 - (a) Intensidade integrada total de PL (pontos laranjas) e (b) tempo de decaimento de PL,
ambos do contato de GaAs (pontos verdes). A curva I(V) para a mesma condio de luz mostrada
com as ressonncias destacadas.


78
O tempo de decaimento da emisso do contato tambm foi extrado a
partir de um ajuste mono-exponencial no transiente e so mostrados na figura 3-
20(b). A pequena variao nos valores dessa constante indica que a forma do
transiente pouco se modifica com a voltagem, algo que no contribui para uma
anlise mais aprofundada dos resultados da PL do QW.

CAPTULO 4 - CONCLUSES
79
Captulo 4 CONCLUSES

Neste trabalho, apresentamos os resultados experimentais referentes
ao estudo das propriedades ticas e de transporte em diodos de tunelamento
ressonante GaAs/AlAs do tipo p-i-p. Realizamos um estudo sistemtico das curvas
caractersticas corrente tenso (I(V)) e da fotoluminescncia resolvida no tempo em
funo da voltagem aplicada em amostras com barreiras simtricas e assimtricas.
Para os dois diodos estudados, observamos, para vrias voltagens, um decaimento
mono-exponencial da fotoluminescncia do poo quntico e uma dependncia
importante dos tempos caractersticos com a voltagem aplicada na estrutura.
Observamos tambm um decaimento bi-exponencial para voltagens prximas ao
tunelamento de portadores minoritrios (eltrons fotogerados).
Para o diodo de barreiras assimtricas observamos, na presena de
luz, dois picos adicionais na curva caracterstica I(V) associados ao tunelamento
assistido por xcitons (p
1
) e ao tunelamento ressonante de eltrons (e
1
) fotogerados
no contato. Na regio de voltagem p
1
, observamos um splitting do espectro de PL
em dois picos associado recombinao excitnica e a recombinao de portadores
livres. Nesta mesma regio de voltagem, observamos tambm um decaimento
bastante longo da emisso do QW que maior do que o limite da janela temporal de
nosso experimento (> 11 ns). Um comportamento semelhante do decaimento
temporal foi observado para amostra de barreira simtrica para regio de voltagens
referente ao tunelamento ressonante de eltrons. Esse comportamento foi em
primeira anlise associado a dois mecanismos com tempos caractersticos distintos:
tunelamento ressonante e no ressonante de portadores minoritrios. No entanto,
uma anlise mais detalhada est sendo realizada para a determinao dos
processos envolvidos nessa regio de voltagem.
Para emisso do contato GaAs, observamos em ambas amostras um
decaimento mono-exponencial e uma fraca dependncia com a voltagem aplicada.
Os resultados obtidos nessa dissertao de mestrado foram interpretados a partir da
difuso e tunelamento de portadores minoritrios na estrutura. De forma geral,
mostramos que os diodos de tunelamento ressonante tipo p tm um grande
potencial a ser explorado tanto do ponto de vista de fsica fundamental como no
possvel desenvolvimento futuro de dispositivos opto-eletrnicos semicondutores.
CAPTULO 4 - CONCLUSES
80
Este trabalho ter continuidade no estudo da fotoluminescncia
resolvida no tempo e tambm resolvida em polarizao em DTRs tipo p na presena
de altos campos magnticos. Pretendemos estudar a dinmica de spin, a
dependncia do grau de polarizao circular do QW com os parmetros estruturais
dos DTRs responsveis por mudanas nos fatores g de Land do QW e da camada
de acumulao e tambm responsveis por mudanas na separao em energia dos
estados de spins no QW devido interaes spin rbita em DTRs tipo p. Alm disso,
pretendemos tambm estudar a dinmica de injeo de spin de portadores do gs
bidimensional de eltron que forma nos contatos e seu efeito no grau de polarizao
circular do QW.

REFERENCIAIS BIBLIOGRFICAS

81
Referncias Bibliogrficas

[1] E. R. Brown. Resonant tunneling in high-speed double barrier diodes, em Hot
Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. J . Shah (Academic,
Boston), 469-498 (1992).
[2] I. Zutic, J . Fabian, S. Das Sarma, Rev. Modern Phys. 76, 323 (2004).
[3] H. B. de Carvalho et al, Phys. Rev. B 73, 155317 (2006).
[4] E. I. Rashba, Sov. Phys. Solid State 2, 1109 (1960); Yu. A. Bychkov and E. I. Rashba, JETP
Lett. 39, 78 (1984).
[5] G. Dresselhaus, Phys. Rev. 100, 580 (1955).
[6] Y. Galvo Gobato et al., Microelectronics Journal 36, 356358 (2005).
[7] G. Bastard: Em Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures, Les ditions de
Physique (1991).
[8] H. Mizuta e T. Tanoue: Em The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes,
Cambridge University Press, 9-50 (1995).
[9] R. Tsu e L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 22, 562-564 (1973).
[10] B. Ricco e M.Y. Azbel, Phys. Rev. B29, 1970 (1984).
[11] H. C. Liu, Superlattices and Microstructures 3, 379 (1987).
[12] D. D. Coon e H. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 49, 94 (1986).
[13] E. P. Wigner, Phys. Rev. 98, 145 (1955).
[14] N. Harada e S. Kuroda, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L871 (1986).
[15] M. Tsuchiya et al., Phys. Rev. Lett. 59, 2356 (1987).
[16] S. Luryi, Appl. Phys. Lett. 47, 490 (1985).

82
[17] S. Luryi, Superlattices and Microstructures 5, 375 (1989).
[18] M. J ohnson e A. Grincwajg, Appl. Phys. Lett. 51, 1729 (1987).
[19] V. J . Goldman et al., Phys. Rev. Lett. 58, 1256 (1987).
[20] T. C. L. G. Sollner, Phys. Rev. Lett. 59, 1622 (1987).
[21] T. J . Foster et al., Phys. Rev. B39, 6205 (1989).
[22] H. L. Berkowitz e R. A. Lux, J. Vac. Sci. Technol. B5, 967 (1987).
[23] R. K. Mains et al., Appl. Phys. Lett. 55, 371 (1988).
[24] J eff. F. Young et al., Appl. Phys. Lett. 52, 1398 (1988).
[25] C. Y. Belhadj et al., Appl. Phys. Lett. 57, 58 (1990).
[26] F. W. Sheard ae G. A. Toombs, Appl. Phys. Lett. 52, 1228 (1988).
[27] G. D. Gilliland, Materials Science and Engineering R18, 99 (1997).
[28] J eff. F. Young et al., Phys. Rev. Lett. 60, 2085 (1988).
[29] N. Vodjdani et al., Appl. Phys. Lett. 55, 1528 (1989).
[30] H. Yoshimura et al., Phys. Rev. Lett. 64, 2422 (1990).
[31] M. S. Skolnick et al., Phys. Rev. B 41, 10754 (1990).
[32] J eff. F. Young et al., Superlattices and Microstructures 5, 411 (1989).
[33] W. R. Frensley et al., Phys. Rev. Lett. 62, 1207 (1989).
[34] N. Vodjdani et al., Appl. Phys. Lett. 56, 33 (1990).
[35] D. G. Hayes et al., Surface Science 228, 373 (1990).
[36] M. S. Skolnick et al., Phys. Rev. B41, 10754 (1990).
[37] M. S. Skolnick et al., Appl. Phys. Lett. 50, 1885 (1987).
[38] C. Minot et al., Appl. Phys. Lett. 51, 1626 (1987).
[39] S. Tarucha et al., Phys. Rev. B 39, 4558 (1987).

83
[40] H. Scheiner et al., Superlattices and Microstructures 5, 383 (1989).
[41] H. Scheiner et al., Phys. Rev. B 40, 10040 (1989).
[42] T. C. L. G. Sollner et al., Appl. Phys. Lett. 43, 588 (1983).
[43] J . F. Whitaker et al., Appl. Phys. Lett. 53, 385 (1988).
[44] T. B. Norris et al., Appl. Phys. Lett. 54, 60 (1989).
[45] M. K. J ackson et al., Appl. Phys. Lett. 54, 552 (1989).
[46] J . Shah et al.: Em Ultrashort Processes in Condensed Matter, ed. W. E. Bron (plenum, New
York), 53-100 (1993).
[47] A. P. Heberle et al., Phys. Status Solidi (b) 173, 381 (1992).
[48] S. Charbonneau et al., Appl. Phys. Lett. 57, 264 (1990).
[49] C. Van Hoof , E. Goovaerts e G. Borghs, Phys. Rev. B 46, 6982 (1992).
[50] D. J . Lovering et al., J. Phys.: Condens. Matter 5, 2825 (1993).
[51] D. Bertram et al., Phys. Rev. B 50, 17 309 (1994).
[52] I. Romandic et al., Microeletronic Engineering 43-44, 363 (1998).
[53] I. Romandic et al., Semicond. Sci. Technol. 15, 665 (2000).
[54] H. Ka, W. Schuddinck, E. Goovaerts E, C. Van Hoof C and G. Borghs, Microelectron. Eng.
43-44, 355 (1998).
[55] M. S. Skolnick et al., Phys. Rev. B 42, 3069 (1990).
[56] J eff F. Young, B. M. Wood and S Charbonneau . Em: Eletronic properties of multilayers and
low-dimensional semiconductor structures. ed. J . M. Chamberlain, L. Eaves and J . C. Portal (Plenum
Press NATO ASI Series, New York), 331-349 (1989).

84
[57] A. P. J auho. Tunneling times in semiconductor heterostructures: A critical review. Em
Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. J . Shah
(Academic, Boston), 469-498 (1992).
[58] T. J . Foster, M. L. Leadbeater, L. Eaves, M. Henini, O. H. Hughes, C. A. Payling, F.
W. Sheard, P. E. Simmons, G. A. Toombs, G. Hill, M. A. Pate, P Phys. Rev. B 39, 6205
(1989).
[59] A. Zaslavsky, V. J . Goldman, D. C. Tsui e J . E. Cunningham, Appl. Phys. Lett. 53,
1408 (1988).
[60] N. C. Kluksdahl, A. M. Kriman, D. K. Ferry e C. Ringhofer. Phys. Rev. B 39, 7720
(1989).
[61] H. Mizuta e C. J . Leggett, Physica, 121 A, 587-616 (1983).
[62] K. L. J ensen e F. A. Bout. Phys. Rev. Lett. 66, 1078 (1991).
[63] D. G. Hayes, M. S. Skolnick, P. E. Simmonds, L. Eaves, D. P. Halliday, M. L.
Leadbeater, M. Henini, O. H. Hughes, G. Hill, M. A. Pate em Proceedings of the Modulated
Structures and Superlattices Conference held in Ann Arbor, Michigan (1989).
[64] Wayne H. Knox. Optical studies of femtosecond carrier thermalization in GaAs, em
Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. J . Shah
(Academic, Boston), 313-343 (1992).
[65] J . Shah. Ultrafast luminescence studies of carrier relaxation and tunneling in
semiconductor nanostructures, em Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures: Physics
and Applications, ed. J . Shah (Academic, Boston), 279-307 (1992).
[65] W. Potz e P. Kocevar. Cooling of highly photoexcited electron-hole plasma in polar
semiconductor quantum wells : A balance-equation approach, em Hot Carriers in

85
Semiconductor Nanostructures: Physics and Applications, ed. J . Shah (Academic, Boston),
87-117 (1992).
[66] B. Sapoval e C. Hermann. Physics of semiconductors. Springer-Verlag, New York, 85-
86 (1993).
[67] G. A. Toombs e F. W. Sheard. Em: Eletronic properties of multilayers and low-
dimensional semiconductor structures. ed. J . M. Chamberlain, L. Eaves and J . C. Portal
(Plenum Press NATO ASI Series, New York), 257-286 (1989).
[68] P. H. Rivera and P. A. Schulz. Appl. Phys. Lett., Vol. 67, No. 18, 2675-2677 (1995).
[69] H. Onishi, T. Inata, S. Muto, N. Yokoyama, and A. Shibatomi, Appl. Phys. Lett. Vol.
49, 1248 (1986).
[70] V. J . Goldman, D. C. Tsui and J . E. Cunningham. Phys. Rev. B Vol. 35, 9387 (1987).
[71] L. Eaves, G. A. Toombs, F. W. Sheard et al. Appl. Phys. Lett. Vol. 52, 212 (1988).
[72] D. Thomas. Superlattices and Microstructures. Vol. 5, 219 (1989).
[73] T. S. Turner, L. Eaves, C. R. H. While, et al. Semicond, Sci. Technol., Vol 9, 552 (1994).
[74] J .-W. Sakai, T.M. Fromhold, P.H. Beton, et al. Phys. Rev. B, Vol. 48, 5664 (1993).
[75] T. A. Fisher, P. D. Buckle, P. E. Simmonds, et al. Phys. Rev. B, Vol. 50, 18469 (1994).
[76] F. J . Teran, L. Eaves, L. Mansouri et al. Phys. Rev. B 71, 161309 (2005).
[77] A. Vercik, Y. Galvo Gobato, I. Camps, G. E. Marques, M. J . S. P. Brasil e S. S. Makler.
Phys. Rev. B 71, 075310 (2005).
[78] R. K. Hayden, D. M. Maude, L. Eaves et al. Phys. Rev. Lett. 66 (13), 1749 (1991).
[79] R. K. Hayden, L. Eaves, M. Henini et al. Appl. Phys. Lett. 60, 1474 (1992).

Diodo Pip PDF

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Diodo Pip PDF

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

CENTRO DE CINCIAS ECATAS E DE TECNOLOGIA

pode ser estimado a partir de uma modelo auto-

obtida desta maneira exibe caractersticas diferenciais negativas

somente a partir de medidas

, onde eles podem recombinar em

por unidade de tempo, ou escapar atravs da segunda barreira

na camada emissora GaAs tipo-p. Nesta camada a recombinao

Anda mungkin juga menyukai