CURSO: Dispositivos Electronicos

Problemas Resueltos

DOCENTE: Christian Farro Chirinos

Prob.1 (5 ptos.): Un transistor de efecto de campo se conecta tal y como se indica en la figura.
Con el interruptor en la posicin 1, se varia V2 desde cero voltios, y observamos que, a partir de
V2=4.5V, la intensidad I se hace constante y toma el valor de 15 ma. A continuacin el
conmutador se pasa a la posicin 2, y se pide:

a)
b)
c)
d)

La intensidad 1, cuando V2=2V y V1=0.2V

La intensidad 1, cuando V2=5V y V1=5V
La intensidad 1, cuando V2=12V y V1=3V
La intensidad 1, cuando V2=-2V y V1=3V

Solucion:
Se observa que el circuito, se trata de un F.E.T. de canal N. Como sabemos, se cumple que:
Vds= - Vp , Vgs=0V, Idss
Y que Idss=Idsat -- Vgs=0V
Teniendo en cuenta lo anterior, el enunciado se desprende que:
VGS (corte)= -4.5V
Idss=15ma

Seguidamente, pasemos a considerar los casos solicitados:

2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes caractersticas Vt= 3Voltios y k=2mA/V2. Se desea
que en corriente continua el sumidero tome un valor de VDD/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a)
Encuentre los valores de tensin de puerta a masa y la resistencia Rs de sumidero s VDD= 12V.
a) Suponiendo que Rs = 5 K determine que margen de valores tiene que tener la tensin de puerta a masa
para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.

Prob.4: a) En el circuito de la fig.1, encontrar la variacin del punto de operacin de Ids. Datos:
VDD=12V, VGG= -1V, RD=0.47K, RG=1M.
FET: IDSS max=20ma, IDSS min=8ma, VGSoff max= -6V, VGSoff min=-2V.
b): En el circuito adjunto (fig.2), tenemos una aplicacin del FET. En este caso la variacin de la
cada de voltaje en el FET para controlar el brillo de una lmpara (el brillo es una funcin no
lineal de la corriente que atraviesa la lmpara). Responder si la lmpara: se enciende, se apaga,
se atenua.
b.1) Cuando VG-S se cortocircuita.
b.2) Si la puerta (VGS) se polariza en negativo.

Fig. 1

Fig. 2

Prob.5: En el circuito que se indica, describir en forma detallada el funcionamiento del circuito.

Prob.6: En el circuito de la figura, obtener el punto de funcionamiento del transistor y dibujar la

recta de carga.

Prob.7: Indicar las ventajas y desventajas del FET.

Ventajas del FET
1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (10^7 a 10^12
ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su
utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.