Universidad Nacional del

Callao
Facultad: Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Profesional: Ingeniera Electrnica

Curso: Dispositivos Electrnicos (Laboratorio 92G) Grupo 1

Tema: Manejo de Instrumentos #1 - Multmetro

Profesor: Ingeniero Cuzcano Rivas Abilio Bernardino

Integrantes: Cucho Salinas Miguel Antonio 1223220116

Gutierrez Espinoza Hairo Alan 1223210065
Hinostroza Guillermo Lizardo Hilario 1213220313
Perez Lacherre Anthony Marcelo 1223210216
Salcedo Janampa Jair Antonio 1213220625

2014
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TRANSISTOR BIPOLAR
Objetivos:

Reconocer las caractersticas de los Transistores Bipolares.

Realizar las medidas aplicando los Transistores Bipolares
Relacionar los valores Tericos con los Prcticos.

Evaluar de forma cuantitativa la corriente que circula por los diferentes terminales del
transistor.
Proporcionar modelos elctricos equivalentes en gran seal y pequea seal. Los modelos
debern ser lineales y permitirn analizar o disear circuitos electrnicos que incluyan a este
dispositivo

Equipos y componentes requeridos:

Multmetro Digital.
05 voltmetros.
Fuente de voltaje contina de 0-30.
03 Transistores NPN BC649.
Resistores de 1 Watt opcional: 100, 1k , 1.8 k,10k, 110k, 11 k, 1.2 k.
Protoboard y cables de conexin.

Marco terico:
Transistores Bipolares. PNP y NPN
Los transistores son semiconductores que constan de 3 terminales: emisor, colector y base. Aqu tienes
imgenes de transistores.

En una de ellas, puedes ver a qu patilla corresponde cada terminal. Hay diferentes
tipos de transistores, pero en este curso slo estudiaremos los bipolares. Dentro de
ellos, segn como sea la conexin de sus componentes, hay dos tipos, los NPN y los
PNP. Se simbolizan de la siguiente manera:

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente

grande mediante una seal muy pequea.Existe una gran variedad de transistores. En
2

principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de
transistor son los siguientes:

Estructura de un transistor NPN

Estructura de un transistor PNP
Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a
PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor.
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor
por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre
Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1
Figura 2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

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Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la

unin base - colector inversamente.
3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y
Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de
la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor
se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la
tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya
que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la
corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas,
tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera:
= IC / IB
En resumen:
Saturacin

Corte

Activa

VCE

~0

~ VCC

Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia

que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un
encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92,
TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera
una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente
refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son
los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico .
Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un

radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

Modos de operacin del BJT
Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, puede operar segn 4 modos
diferentes, segn estas uniones estn en directa o en inversa. Estas regiones de
operacin son:
4

Activa
Es el modo anteriormente analizado:

unin BE en directo: |VBE| @ 0.7 V

unin BC en inverso
En esta regin de operacin se cumple que:

Se usa sobre todo en aplicaciones analgicas (por ejemplo, como amplificador).

Corte
Las dos uniones estn en inverso, por lo que no hay inyeccin de portadores
del emisor al colector y todas las corrientes son prcticamente nulas.

Saturacin
En esta regin de operacin:

Unin BE en directo: |VBE| / 0.7 V

Unin BC en directo: |VBE| / 0.8 V

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En estas condiciones existe inyeccin de portadores desde el emisor, pero

tambin desde el colector y, por tanto, se verifica (como luego comprobaremos con
ms detalle) que:

Adems, se cumple que la diferencia de tensin entre el emisor y el colector es

baja (del orden de 0.1-0.2 V). Por ejemplo, para un pnp:
Los modos de corte y saturacin se emplean sobre todo en aplicaciones
digitales.

Activa inversa
Este modo de operacin es parecido al de la regin activa, pero
intercambiando los papeles de colector y del emisor. Es decir:

Unin BE en inverso

Unin BC en directo: |VBC| @ 0.6 V

Normalmente el transistor no opera en esta regin. Recurdese que el BJT no es
completamente simtrico y est optimizado para trabajar en modo activo normal (por
ejemplo, el emisor se dopa ms que el colector).
CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros
para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes.
Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos
ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de
estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho
cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan V BE con
IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
3.1 CARACTERISTICA VBE-IB
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo
dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

CARACTERISTICA VCE-IC
Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica VCE - IC debera ser la siguiente:

Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base,

a travs de la relacin
. Por lo tanto, en el plano
- , la
representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para
los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para
).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el
grfico. Para

, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de

corte est representada por el eje de abscisas. Por contra, para

el transistor
entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es
un poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica

real.

Las diferencias son claras:

En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la

tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para

, sino que hay
una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de
saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes
electrnicos, con respecto a los transistores

cabe destacar los siguientes:

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (VCEO,

VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los
terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en
inversa y la destruccin del transistor.

Corriente continua mxima de colector,

: es la corriente mxima que
puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao.
Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia
para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas
de la ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor
es debida a los efectos de segundo orden.
Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los
terminales en la regin de saturacin.
Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation):
es la potencia mxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao.

Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento del

transistor.

Desarrollando la prctica en el Laboratorio

a. Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin.

B
0.7
0.8
0.9
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.3
9

2.4
2.5
ANOTACIONES
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------b. IMPLEMENTE EL SIGUIENTE CIRCUITO Y ENCUENTRE EL PUNTO DE
OPERACIN.

B
S/F
0.7
0.8
0.9
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.3
10

2.4
2.5
ANOTACIONES
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Conclusiones:
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Recomendaciones:
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Bibliografa:

Dispositivos Electrnicos Tomas Floyd

Electrnica y Dispositivos Electrnicos A.L. Albert
Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos Robert Boylestad
Principios de Electrnica Malvino
Mediciones y pruebas Elctricas y Electrnicas W. Bolton

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