Nuevos Dispositivos de Control de Potencia PDF

NUEVOS DISPOSITIVOS
DE C ONT R OL DE
POTENCIA
APLICACIONES PRCTICAS
AUTOR:
RAFAEL RUIZ LPEZ
NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS
AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ
NUEVOS DISPOSITIVOS
DE CONTROL DE POTENCIA.
RAFAEL RUIZ LPEZ
EDITA:
CSIF ENSEANZA
SEVILLA
Pag.1
Rafael Ruiz Lpez

email: rrl1971@hotmail.com
Diseo de portada e imgenes: Rafael Ruiz Lpez. Todas las imgenes que
aparecen en esta obra han sido elaboradas por el autor o son de dominio
pblico.
EDITA: CSIF Enseanza Sevilla.
Impreso en Espaa Printed in Spain
ISBN: 978-84-693-1028-1
Depsito Legal: SE 3078-2010
Reservados todos los derechos. Queda rigurosamente prohibida, sin la autorizacin escrita
del autor, la reproduccin total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, bajo las
sanciones establecidas en las leyes, incluidos la reprografa y el tratamiento informtico.
Pag.2
PRLOGO
El constante avance de la ciencia y la tecnologa ha provocado que en los
ltimos aos, a nivel industrial y domstico, el incremento de equipos de control y
regulacin de potencia para mltiples procesos, que hasta ahora no tenan regulacin
precisa. Esto a sido posible, debido al aumento del rendimiento, la reduccin de
tamao y precio, para potencias considerables, en este tipo de equipos.
Este libro se realiza con la intencin de servir a profesionales e Ingenieros que
quieran profundizar en los Nuevos Dispositivos de Control de Potencia con cierta
rigurosidad, y adems dar al principiante las ideas generales para entender un
Dispositivo de Control de Potencia, ayudandonos de una parte inminentemente
prctica.
Para ello, se comienza analizando en profundidad el nuevo y ms utilizado
dispositivo electrnico de potencia para control de velocidad, el IGBT, siguiendo con
un estudio detallado de los bloques fundamentales del mdulo de potencia de un
convertidor de frecuencia, que ser el Dispositivo objeto de detallado estudio, debido
a su extendido uso en la industria, para el control de velocidad de los diferentes y
variados equipos de potencia utilizados en todo tipo de industria.
Se continuara analizando el mdulo de Regulacin y Control haciendo hincapi
en el control senoidal PWM mediante tablas de funcin de existencia.
El mdulo de Regulacin y Control necesita un interface para poder actuar
sobre el mdulo de potencia, que tambin analizaremos, estos sern los drivers de
control, que sern los actuadores para los dispositivos electrnicos de potencia que
son controlados por la lgica del microprocesador del mdulo de control.
Terminaremos con un ltimo capitulo donde de forma prctica
implementaremos con componentes fsicos comerciales, los circuitos de los mdulos
analizados en capitulos anteriores, para darle una dimensin prctica e intuitiva que
nos facilite el entendimiento de lo estudiado con anterioridad.
Rafael Ruiz Lpez

Ingeniero Tcnico Industrial
Especialidad Electrnica Industrial
Pag.3
NDICE:
Introduccin .
08
I.
El IGBT ...
10
1.1. Generalidades. ..
10
1.2. Estructura bsica del IGBT. ...
10
1.3. Funcionamiento fsico del IGBT. . ..
11
1.3.a. Estado de bloqueo. ..
11
1.3.b. Estado de Conduccin. ..
12
1.4. Fenmeno de bloqueo de puerta (latch up) en los IGBTs. ... ...
13
1.4.a. Causas del bloqueo de puerta. ...
13
1.4.b. Eliminacin del bloqueo de puerta. ..........
15
1.5. Caractersticas tensin-corriente del IGBT. ..........
16
1.6. Caractersticas de conmutacin del IGBT.
17
1.6.a. Transitorio de encendido. ..........
17
1.6.b. Transitorio de apagado. .
18
1.7. reas de funcionamiento seguro del IGBT (SOA) y limitaciones

en el funcionamiento del IGBT. ..........
19
Convertidores CA/CC . . ...
21
2.1 Introduccin a los convertidores CA/CC. ...
21
2.1.1 Generalidades. .
21
2.1.2. Circuitos rectificadores polifsicos simples. .
22
2.1.3. Circuitos rectificadores polifsicos mltiples-serie. .
23
2.2.- Montaje en puente. .
24
2.2.1 Deduccin del montaje puente.
24
2.2.2. Funcionamiento. ...
25
2.2.3. Valor medio de la tensin de salida. ...
28
2.2.4. Anlisis armnico de la tensin de salida. ..
28
2.2.5. Valor medio de la corriente de salida.
32
2.2.6. Solicitacin en tensin de los semiconductores. .
32
2.2.7. Solicitacin en corriente de los semiconductores. .............
33
2.2.8. Solicitacin en corriente de la lnea. ...
33
II.
Pag.4
2.2.9. Anlisis armnico de la corriente de lnea.
33
2.2.10. Reaccin del puente sobre la red de alimentacin. .............
34
2.2.11. Cadas de tensin en un montaje puente.
37
2.3.- Puente rectificador con IGBTs. .
38
2.3.1. Generalidades ..
38
2.3.2. Funcionamiento ...
38
III.
Filtro LC .....
40
40
3.2. Rizado de corriente y tensin. .
40
3.2.1. Rizado de corriente en un circuito inductivo. ..
40
3.2.2. Integral temporal del rizado de tensin. ...
41
3.3. Reduccin del rizado de tensin. Diseo del filtro LC. .
42
3.3.1. Clculo del filtro LC conocida la inductancia de carga. .
42
3.3.2. Clculo del filtro LC para inductancia de carga variable. ..
44
3.4. Consideraciones para el diseo. .
45
IV.
Convertidores CC/CA ...
46
4.1. Introduccin a los convertidores CC/CA. ..
46
4.1.1. Generalidades. .
46
4.1.2. Distintos tipos de convertidores CC/CA. ..
47
4.2. Montaje semipuente monofsico.
49
4.2.1. Funcionamiento. ..
49
4.2.2. Control de la tensin alterna. .
51
4.2.2.a. Control rectangular dos niveles. .
51
4.2.2.b. Control PWM senoidal dos niveles.
51
4.2.3. Anlisis armnico de la tensin alterna.
52
4.2.3.a. Pulso nico dos niveles.
52
4.2.3.b. PWM senoidal dos niveles. ..
53
4.3. Montaje puente monofsico.
57
57
60
4.3.2.a. Control rectangular dos niveles. .
60
4.3.2.b. Control rectangular tres niveles.
61
4.3.2.c. Control PWM senoidal dos niveles.
61
Pag.5
4.3.2.d. Control PWM senoidal tres niveles. ...
61
4.3.3. Anlisis armnico de la tensin alterna .
61
62
4.3.3.b. Pulso nico tres niveles. ..
62
4.3.3.c. PWM senoidal dos niveles. ..
63
4.3.3.d. PWM senoidal tres niveles. .
64
4.4. Montaje en puente trifsico.
68
68
4.4.1.a. Pulso nico por semiciclo.
68
4.4.1.b. PWM senoidal. .....
69
69
4.4.2.a. Control rectangular. .
70
4.4.2.b. Control PWM senoidal. ...
70
70
4.4.3.a. Pulso nico. ...
70
4.4.3.b. PWM senoidal. .
71
Mdulo de Control y Regulacin ..
73
5.1. La Funcin de Existencia.
73
5.1.1. Introduccin a la Funcin de Existencia. ...
73
5.1.2. Variables de Control de la Funcin de Existencia. ...
74
5.2. Aplicaciones de las Funciones de Existencia al control de convertidores. .....
74
5.2.1. Tabla de Funciones de Existencia (fes).
75
5.2.2. Lectura Secuencial de una tabla de fes.
75
5.2.3. Requerimientos de Software para leer una tabla de fes. .
76
5.3. PWM o Generacin de una tensin alterna sinusoidal sin armnicos. ..
77
5.3.1. Generacin del PWM. .
77
5.3.2. Variacin de la tensin en la salida. ..
81
5.4. Indices de modulacin en frecuencia y en amplitud en PWM.
83
5.4.1. Indice de modulacin en frecuencia (mf ). .....
83
5.4.2. Relacin de modulacin en amplitud (ma ). ..
84
V.
VI.
Circuitos de Puerta (Drivers) ..
85
85
6.2. Topologas bsicas. ...
85
Pag.6
6.3. Aislamiento del circuito de puerta.
87
VII. Aplicaciones Prcticas ......
88
7.1. Mdulo de potencia. .
88
7.1.1. Rectificador de potencia. ...
88
7.1.2. Filtro del rectificador.
89
7.1.3. Puente de IGBTs.
90
7.2. Mdulos SEMITRANS M IGBT de SEMIKRON. ..
92
7.2.1. Ventajas de los mdulos SEMITRANSM IGBT. ..
92
7.2.2. Informacin tcnica de los mdulos SEMITRANSM IGBT. .......
94
7.2.3. Caractersticas tcnicas mdulo SKM 75 GB 121 D ...
105
7.2.3.a. Nomenclatura. .
105
7.2.3.b. Caractersticas generales. ...
105
7.2.3.c. Aplicaciones tpicas.
106
7.2.3.d. Valores mximos absolutos. ...
106
7.2.3.e. Caractersticas Especificas.
107
7.3. Semidriver SKHI 21 de SEMIKRON para circuito de Puerta. ...
108
7.3.1. Propiedades y funciones del driver hbrido. .
108
7.3.2. Descripcin de los bloques del mdulo.
109
7.3.3. Componentes externos. ...
112
7.3.4. Precauciones y lmites en frecuencia.
112
7.3.5. Caractersticas tcnicas semidriver SKHI 21. ..
113
7.3.5.a. Valores mximos absolutos. ...
113
7.3.5.b. Caractersticas Elctricas. ..
113
114
7.4.1. Generacin de Tablas.
114
7.4.2. Variacin de la frecuencia ...
116
7.4.3. Variacin de la amplitud.
117
7.4.4. Control proporcional de tensin-frecuencia. .
117
7.5. Bloque de Proteccin.
117
7.5.1.Proteccin contra sobretensiones.
118
7.5.2.Proteccin contra sobreintensidades
121
7.5.3. Proteccin contra elevados valores de di/dt. ...
124
BIBLIOGRAFA................
126
7.4. Control de onduladores en puente-completo PWM, onda programada
Pag.7
NUEVOS DISPOSITIVOS DE CONTROL DEPOTENCIA

INTRODUCCIN
En muchas circunstancias de nuestra vida hemos de adaptar nuestro ritmo de trabajo a
ciertos condicionantes. Factores como consumo energtico, desgastes, mayores prestaciones,
etc. hacen necesario ajustar la velocidad en los procesos de fabricacin industrial.
En muchos casos los motores tienen equipos de control con los cuales se puede ajustar
su velocidad y condiciones de funcionamiento.
Desde la invencin del motor de induccin se ha trabajado en los mtodos para variar
su velocidad. En un principio dicha variacin se realiza mediante el uso de motores y
generadores intermedios o grupos que permitan cambiar su velocidad, como el grupo WardLeonard y el grupo motor-alternador.
Estos grupos nos dan una idea de lo complicado que resultaba el control de los motores
de alterna. Los motores de corriente continua son controlados con mayor facilidad y han
dominado el campo de los accionamientos de velocidad variable ya que, a pesar de los de
corriente alterna son ms baratos y ms robustos, requieren un equipo de control ms caro.
Sin embargo se est produciendo un mayor desarrollo de los accionamientos de
velocidad variable que utilizan motores de corriente alterna. Para tales accionamientos de
velocidad variable se utilizan controladores o reguladores de velocidad electrnicos. Estos
controlan la velocidad y el par de los motores de corriente alterna convirtiendo las magnitudes
fijas de frecuencia y tensin de la red de distribucin de electricidad en magnitudes variables.
El convertidor de frecuencia es el dispositivo electrnico capaz de controlar motores de
corriente alterna sin perdidas notables y es el ideal para controlar sistemas de accionamiento
con motores de induccin.
Existen en el mercado diferentes tipos de convertidores de frecuencia, diferencindose
en el mtodo de control de puerta empleado, en el circuito intermedio utilizado y en el tipo de
modulacin.
Al ser este, el Dispositivo de control de Potencia ms ampliamente utilizado en la
industria para el control de los motores de induccin, vamos a realizar el estudio de sus
circuitos principales desde la utilizacin de componentes electrnicos tradicionales hasta los
actuales componentes electrnicos ms innovadores como los IGBTS.
Aplicaciones prcticas, las encontramos en todos los sectores industriales que necesiten
control de velocidad de determinados procesos, y en el sector domestico lo encontramos en los
sistemas de aire acondicionado tipo Inverter, que es un mtodo de control de motores de
corriente alterna de los compresores, con convertidor de frecuencia, en funcin de la
temperatura, llamndose a este mtodo de control Control Inverter.
Palabra inglesa que simboliza el mdulo inversor que constituye uno de los circuitos
principales del convertidor de frecuencia.
Pg. 8
En este libro vamos a desarrollar de forma general los nuevos dispositivos de control de
potencia como los IGBTS en los convertidores de frecuencia, realizando una aplicacin
prctica en estos sistemas cada vez ms populares como son los Sistemas de Aire
Acondicionado Tipo Inverter.
Todos los convertidores utilizan el mismo principio bsico: la red de suministro
elctrico est conectada con un rectificador que transforma la corriente alterna (c.a.) en
corriente continua(c.c), la cual sin embargo, no es completamente lineal.. Por tanto, se filtra
esta corriente en un circuito intermedio antes de transformarla, en el inversor, en una nueva
corriente alterna a frecuencia variable. A esta parte se le suele denominar Mdulo de Potencia,
y vamos a estudiar los nuevos dispositivos de control de potencia como son los IGBTS para
estos circuitos.
El circuito de control y regulacin controla los dems componentes (componentes de
potencia) de tal manera que la tensin y la frecuencia de salida estn adaptadas la una a la otra,
la relacin entre tensin y frecuencia debe mantenerse constante para que el motor sea capaz de
proporcionar el par nominal independientemente de la velocidad. Esto quiere decir que se
cambian la tensin y la frecuencia en la misma proporcin.
Diagrama de Bloques de un Convertidor de Frecuencia

La constitucin de los cuatro circuitos principales, (rectificador, circuito intermedio, inversor,
circuito de control y regulacin) depende mucho del tipo de conversin de frecuencia en
cuestin. Vamos a ver a continuacin estos circuitos principales de forma general, antes
veremos un capitulo sobre los IGBTS y terminaremos con una aplicacin prctica de diseo
empleando el control PWM (modulacin de anchura de impulsos) mediante el procedimiento
de forma de onda programada y utilizando un puente rectificador a diodos, un circuito
intermedio simple, y un puente inversor con dispositivos semiconductores IGBTs.
Pg. 9
1. EL IGBT.
1.1. Generalidades.
Los BJTs y los MOSFETs tienen caractersticas que se complementan mutuamente en
algunos aspectos. Comparativamente, los BJTs tienen prdidas de conduccin ms bajas en el
estado de encendido, especialmente en dispositivos con grandes tensiones de bloqueo, pero
tienen tiempos de conmutacin ms largos, principalmente en el apagado; por contra, los
MOSFETs se pueden encender y apagar mucho ms rpido, pero sus prdidas en el estado de
conduccin son mayores, sobre todo en los dispositivos con tensiones de bloqueo ms altas
(unas pocas centenas de voltio o ms).
Estas observaciones han llevado a intentar combinar los BJTs y los MOSFETs
monolticamente en la misma oblea para realizar un nuevo dispositivo que combine las mejores
cualidades de ambos.
Estos esfuerzos han conducido al desarrollo del dispositivo llamado transistor bipolar
de puerta aislada IGBT, cuyas aplicaciones estn en aumento.
1.2. Estructura bsica del IGBT.

El smbolo para un IGBT de canal n se muestra en la figura 1. Caso de tratarse de uno
de canal p la flecha que indica el sentido positivo de la corriente estara en sentido contrario.
Hay algunas discrepancias entre los ingenieros sobre el smbolo y nomenclatura que se usa con
el IGBT en nuestro caso preferimos considerar el IGBT bsicamente como un BJT con un
MOSFET en la entrada de puerta. Este dispositivo tiene colector, emisor y puerta.
Colector
Puerta
Emisor
Figura 1. Smbolo del IGBT
En la figura 2 se muestra la estructura bsica de un IGBT de canal n genrico. La

principal diferencia respecto al MOSFET de potencia es la presencia en su estructura de la capa
p+ formando el colector del IGBT, sta inyecta portadores minoritarios en la zona n-. La puerta
y el emisor se disponen en una estructura similar a la del MOSFET. Los niveles de dopado en
cada una de las capas del IGBT tambin son similares, excepto en los de la regin central p
(body region) que son muy elevados. Tambin es posible hacer un IGBT de canal p
cambiando el tipo de dopado en cada capa del dispositivo.
Pg. 10
puerta
emisor
SiO2
J
3
n+
n+
p
J2
regin central
regin de deriva
ncapa amortiguador
n+
p+
J1
Metalizacin
capa de inyeccin
colector
Figura 2. Estructura bsica del IGBT.

En la estructura del IGBT mostrada aparece un tiristor parsito. El encendido de este
tiristor es indeseable y, para evitar su activacin, se han estudiado diversas estructuras, basadas
principalmente en la modificacin de la regin central que forma las uniones J2 y J3. En esta
lnea, como en el MOSFET de potencia, se conserva la metalizacin del emisor sobre la regin
central. Esta unin ayuda a minimizar el posible encendido del tiristor parsito, como se
explicar ms adelante.
La capa amortiguadora n+(buffer layer) entre la capa de inyeccin (injecting layer) y la
regin de deriva (drift region) no es esencial para el funcionamiento del IGBT por lo que
algunos IGBTs se construyen sin ella. Estos IGBTs se conocen con el nombre de IGBTs
simtricos, mientras que los que tienen esta capa amortiguadora se denominan IGBTs
asimtricos. Si la densidad de dopado y el espesor de esta capa se eligen apropiadamente, se
puede mejorar significativamente el funcionamiento del IGBT reduciendo la cada de tensin
del dispositivo en el estado de conduccin y el tiempo del apagado. Como contrapartida, la
presencia de esta capa reduce enormemente la capacidad de bloqueo inverso del IGBT.
1.3. Funcionamiento fsico del IGBT.

En trminos muy simples, el IGBT funciona como un MOSFET cuya regin de deriva
fuera modulada en conductividad mediante la inyeccin de portadores minoritarios (huecos en
el caso del IGBT canal n ilustrado en la figura 2). Esto se consigue aadiendo una capa
adicional p+ entre lo que era el drenador del MOSFET y su metalizacin, formando la unin J1
que se polarizar directamente, actuando como un diodo. La inyeccin de portadores reduce la
resistencia de la zona de deriva y por tanto su cada de tensin en estado de conduccin lo que
implica menores prdidas por conduccin que el MOSFET.
1.3.a. Estado de bloqueo.
Cuando se aplica una tensin negativa al colector con respecto al emisor, la unin J1 se
polarizar inversamente estando el dispositivo bloqueado. La tensin puerta-emisor (VGE),
controla el estado del dispositivo. Si se aplica una tensin positiva al colector respecto al
emisor cuando VGE es menor que la de umbral (VGEth), el dispositivo est en el estado de
bloqueo. La unin J1 est directamente polarizada y la tensin colector-emisor (VCE) aplicada
cae a travs de la unin denominada J2 fluyendo slo una pequea corriente de fuga. Este
funcionamiento en bloqueo es prcticamente idntico al del MOSFET.
Pg. 11
La zona de deplexin de la unin J2 se extiende principalmente en la regin de deriva n, ya que la regin central tipo p se dopa mucho ms fuertemente que la regin de deriva. Si el
espesor de la regin de deriva es lo suficientemente grande como para que la zona de deplexin
no toque la capa de inyeccin p+, no es necesaria la capa amortiguadora n+ como se describi
anteriormente este tipo de IGBT se llama simtrico y puede bloquear tensiones inversas tan
altas como las directas, sta capacidad de bloqueo se hace de especial importancia en
aplicaciones de corriente alterna.
Sin embargo, es posible reducir el espesor necesario de la regin de deriva
aproximadamente a la mitad si se usa una estructura asimtrica similar a la que se emplea en
diodos de potencia. Con esta geometra, la zona de deplexin se puede extender en todas las
direcciones a travs de la regin de deriva con tensiones significativamente por debajo del
lmite de ruptura deseado. El contacto entre la zona de deplexin y la capa p+ se evita
insertando la capa amortiguadora n+. Este tipo de estructura da el nombre de IGBT asimtrico.
Si la longitud de la regin de deriva es ms corta, las prdidas en conduccin son ms bajas
pero la presencia de esta capa amortiguadora trae como consecuencia que la capacidad de
bloqueo inverso sea bastante baja (unas pocas decenas de voltio) y, por consiguiente, esta capa
aparece slo para aplicaciones muy concretas.
1.3.b. Estado de Conduccin.
Si se aplica una tensin positiva al colector con respecto al emisor cuando VGE supera la
de umbral, tiene lugar una redistribucin de cargas en la regin central formndose un canal n
dentro de dicha regin (debajo de la puerta del IGBT) de modo que se une la regin de deriva
n- con la difusin de emisor n+ fluyendo una corriente de electrones del emisor a la regin de
deriva que vuelve a producir una inyeccin de huecos importante de la capa de inyeccin p+ a
la regin de deriva n-. Tan pronto como los huecos estn en la regin central p, su carga
espacial atrae a los electrones de la fuente que estn en contacto con la regin central
recombinndose rpidamente los huecos en exceso.
La unin formada por la regin central tipo p y la regin de deriva n- acta como el
colector de un transistor pnp. Este transistor estar formado por la zona p de drenador como
emisor, la zona n- de deriva como base y la zona p+ central como colector. De este modo, se
podr establecer el IGBT como el modelo equivalente de la figura 3 en la que se encuentra un
transistor principal conducido por el MOSFET.
colector
resistencia
de la regin
de deriva
VJ1
-
Vderiva
+
-
puerta
ID R canal
emisor
Figura 3. Circuito equivalente de un IGBT.

Pg. 12
A diferencia del circuito Darlington convencional, el mando del MOSFET en el circuito

equivalente del IGBT lleva la mayora de la corriente total. Esta divisin desigual del flujo de
la corriente total es deseable debido a razones que tienen que ver con la posibilidad de
encendido del tiristor parsito. En esta situacin, la cada de tensin directa en estado de
conduccin, segn el circuito equivalente de la figura 3, se puede expresar como:
VCE ( on ) = VJ 1 + Vderiva + I D Rcanal
La cada de tensin a travs de la unin J1 que est polarizada en directo, tiene en
principio un valor aproximadamente constante de 0.7 a 1.0 V. La cada a travs de la regin de
deriva es prcticamente constante. La tensin Vderiva es mucho menor en el IGBT que en el
MOSFET debido a la modulacin de la conductividad de la regin de deriva; esto es lo que
hace que la tensin en conduccin del IGBT sea mucho menor que la de un MOSFET de
potencia. El uso de la estructura asimtrica tambin ayuda a mantener la Vderiva pequea. La
cada de tensin en el canal se debe a la resistencia hmica de ste.
1.4. Fenmeno de bloqueo de puerta (latch up) en los IGBTs.

El fenmeno que se describe en este apartado es de especial importancia ya que
constituye una de las principales limitaciones en el uso de los IGBTs, los fabricantes de
semiconductores han desarrollado diferentes estructuras para evitarlo y son los propios
fabricantes quienes deben de aclarar cuales son las medidas que tiene que tomar el usuario para
que dicho fenmeno no se produzca.
1.4.a. Causas del bloqueo de puerta.
Los caminos frecuentados por los huecos inyectados en la regin de deriva (o base del
transistor pnp) son cruciales en el funcionamiento del IGBT. Una componente de la corriente
de huecos se traslada verticalmente hacia la fuente. Sin embargo, la mayora de los huecos son
atrados a la regin central lateralmente, como se dibuja en la figura 4. Este flujo de corriente
lateral producir una cada de tensin lateral en la resistencia hmica de la regin central. Esto
har que la unin J3 se polarice en directo.
puerta
emis or
n+
n+
re sist encia
la teral
nn+
p+
colect or
Figura 4. Seccin vertical de un IGBT mostrando

el camino frecuentado por las corrientes.
Si la tensin es lo suficientemente grande, se producir una importante inyeccin de
electrones de la difusin de emisor a la regin central encendindose el transistor parsito npn
dibujado en la figura 5. Si esto ocurre el tiristor parsito formado por los transistores parsitos
Pg. 13
tambin se encender dando lugar a una falta en el control del IGBT por bloqueo de puerta.
Para un IGBT con una geometra especfica, hay un valor crtico de la corriente de deriva que
producir una cada de tensin lateral lo suficientemente grande como para activar el tiristor.
Por tanto, los fabricantes de dispositivos especifican el pico permisible de la corriente de
colector ICM que puede fluir sin que se produzca el bloqueo de puerta. Tambin hay una VGE
mxima que evita que este flujo de corriente exceda el mximo permisible.
puerta
emisor
n+
n+
nn+
p+
colector
Figura 5. Seccin vertical de un IGBT mostrando

los transistores parsitos.
Una vez que el IGBT est fuera de control, la puerta no tiene ningn efecto sobre la
corriente de deriva. La nica forma de recuperar el control en el IGBT es forzar la conmutacin
de la corriente del mismo modo que para un tiristor convencional. Si la falta de control no se
soluciona rpidamente, el IGBT se destruir por el exceso de disipacin de energa. En la
figura 6 se muestra un circuito equivalente ms completo para el IGBT, que incluye el
transistor parsito npn y la resistencia lateral que se extiende en la regin central.
resistencia
de la regin
de deriva
colector
puerta
resistencia
lateral
emisor
Figura 6. Circuito equivalente del IGBT mostrando

los transistores que forman el tiristor parsito.
La descripcin del bloqueo de puerta se produce en el modo esttico ya que ocurre
cuando la corriente continua en conduccin excede de un valor crtico. Desafortunadamente,
bajo las condiciones dinmicas, cuando el IGBT est conmutando del encendido al apagado, se
puede dar la circunstancia de que se encuentre fuera de control para valores de la corriente de
colector menores que el valor de la corriente esttica.
Considrese el IGBT dentro del circuito de un convertidor CC/CC; cuando el IGBT se
apaga, la parte del MOSFET del dispositivo se apaga con bastante rapidez con lo cual la parte
de la corriente total que circula por ste se hace cero. Hay un rpido aumento de la tensin
colector-emisor, que se debe soportar a travs de la unin J2. Esto da lugar a una rpida
Pg. 14
expansin de la zona de deplexin de esta unin en las regiones central y de deriva,

especialmente en la capa de deriva debido a su bajo dopado. Esto aumenta el factor de
transporte de base pnp del transistor pnp, que significa que una fraccin ms grande de los
huecos inyectados en la regin de deriva sobrevivir el cruce de la regin de deriva y se
acumular en la unin J2. La magnitud del flujo de corriente de huecos lateral aumentar y, por
tanto, tambin lo har la tensin lateral. En consecuencia, las condiciones para la falta de
control se satisfacen aunque la corriente en conduccin previa al inicio del apagado estuviera
por debajo del valor esttico necesario para que se produjera la falta de control. El valor de ICM
especificado por el fabricante del dispositivo se da normalmente para el modo dinmico.
1.4.b. Eliminacin del bloqueo de puerta.
Para evitar la falta de control en el IGBT hay varios pasos que el usuario del dispositivo
puede tomar y que el fabricante del dispositivo debe tener en cuenta para aumentar la corriente
crtica necesaria para el inicio de esta. El usuario tiene la responsabilidad de disear circuitos
donde la posibilidad de sobrecorrientes que excedan a ICM se minimice. Sin embargo, es
imposible eliminar esta posibilidad por completo. Otro paso que se puede dar es hacer ms
lento el IGBT en el apagado para que la proporcin de crecimiento de regin de deplexin en
la regin de deriva se haga ms lenta teniendo los huecos presentes en la regin de deriva un
tiempo mayor para recombinarse, reduciendo de este modo el flujo de corriente lateral en la
regin central durante el apagado. Para aumentar el tiempo de apagado tan slo hay que utilizar
una resistencia de puerta Rg mayor.
El fabricante del dispositivo persigue aumentar el valor de la corriente umbral ICM
disminuyendo la resistencia lateral mostrada en el circuito equivalente. Esto se puede hacer de
diversas formas:
- Primero, la anchura lateral de las difusiones de emisor, denominada Ld en la
figura 7, se debe mantener tan pequea como sea posible.
- Segundo, la regin central se divide con frecuencia en dos regiones separadas
con diferentes niveles de densidad de dopado de aceptores, como se ilustra en la figura 7. La
regin del canal donde tiene lugar la redistribucin de cargas se dopa a un nivel moderado y la
profundidad de la regin p no es mucho ms profunda que la regin de fuente n+. La otra parte
de la regin central por debajo de las regiones de fuente n+ se dopa mucho ms fuertemente y
se hace mucho ms gruesa. Esto hace la resistencia lateral mucho ms pequea debido a que el
rea de seccin transversal es mayor y a que la conductividad es ms alta.
puerta
em is or
p
n+
n+
p+
n-
Ld
n+
p+
colector
Figura 7. Posible modificacin en la estrctura de

un IGBT para evitar el bloqueo de puerta.
Otra posible modificacin de la regin central se muestra en la figura 8, donde una de
las difusiones de fuente se elimina de la clula bsica del IGBT. Esto permite a la corriente de
Pg. 15
huecos que se agrupe por completo en el lado de la clula donde se ha trasladado la fuente.
Esta estructura de derivacin de huecos proporciona un camino alternativo para la componente
de corriente de huecos que no tiene que fluir lateralmente por debajo de una de las regiones de
fuente. Esta geometra es bastante eficaz al elevar la falta de control umbral pero a expensas de
reducir la trasconductancia del IGBT, puesto que la anchura efectiva de la puerta se reduce
debido a la prdida de la segunda regin en la clula bsica. Hechos como estos han
minimizado notablemente. el problema de la falta de control en los IGBTs.
pue rta
em is o r
p+
n+
p
camino de la
corriente
de huecos
nn+
p+
colector
Figura 8. Posible modificacin para eliminar el

bloqueo de puerta eliminando una difusin de
emisor.
1.5. Caractersticas tensin-corriente del IGBT.

Las caractersticas V-I de un IGBT en directa son similares a las de un transistor de
unin bipolar bsico excepto que el parmetro de control es una tensin (VGE) en lugar de una
corriente. En la figura 9 se muestran las caractersticas de un IGBT de canal n, para otro tipo p
seran lo mismo pero las polaridades de las tensiones y corrientes estaran invertidas.
IC
GE
aum entando
IC
VGS
VGS
VGS
VRM
VGS
V(BR)CES
VGE (th)
VCE
vGE
Figura 9. Caractersticas estticas del IGBT.

La unin J2 bloquea cualquier tensin directa cuando el IGBT est bloqueado. La
tensin inversa de bloqueo indicada en la caracterstica se puede hacer tan grande como la
tensin directa de bloqueo si el dispositivo se fabrica sin la capa amortiguadora n+. La unin J1
es la unin de bloqueo inverso.
Pg. 16
La curva IC = f (VGE) mostrada es idntica a la del MOSFET de potencia. La curva es

prcticamente lineal para VGE mayor que el umbral. Si es menor que dicha tensin el IGBT
est en el estado de bloqueo. La tensin mxima que se aplicara a los terminales puerta-emisor
estar normalmente limitada por la corriente de colector mxima que se permite que fluya.
1.6. Caractersticas de conmutacin del IGBT.

Estudiaremos separadamente la conmutacin de corte a conduccin (transitorio de
encendido) y de conduccin a corte (transitorio de apagado). Las formas de onda son las de un
IGBT dentro de un circuito CC/CC o troceador (Chopper).
1.6.a. Transitorio de encendido.
Para encender un IGBT se aplica una tensin en el circuito de control de puerta.
Cuando ha alcanzado la tensin de umbral VGE(th) la corriente de colector comienza a aumentar.
El intervalo de tiempo entre el instante en que VGE alcanza el 10% de su valor final y el
instante en que IC ha alcanzado el 10% de su valor final, se llama tiempo de retardo de
encendido td(on).
En el intervalo de tiempo posterior cuando la corriente de colector IC alcanza el 90% de
su valor final se llama tiempo de subida tr. Durante este periodo de tiempo tienen lugar la
mayor parte de las prdidas de potencia de encendido. La suma del tiempo de retardo de
encendido y del tiempo de subida recibe el nombre de tiempo de encendido ton.
Al final del ton , la tensin colector-emisor VCE normalmente an no a cado a su valor
final VCE(on). Esto es importante para el clculo de la disipacin de potencia. Las formas de
onda de la tensin y la corriente se muestran en la figura 10.
vGE
VGE(th)
IC
td(on)
t
vCE
tr
VCE(on)
t
t Vcaid a
Figura 10. Transitorio de encendido.

En el intervalo tVcaida observado en la forma de onda de VCE hay dos zonas diferenciadas
por el cambio de pendiente en la curva; una se debe a la capacidad de puerta-colector, la cual
aumentar en la parte MOSFET del IGBT para VCE bajas, y otra a la parte transistor pnp del
Pg. 17
IGBT que se satura ms lentamente que la parte MOSFET del IGBT. Mientras que el transistor
pnp no llegue a saturarse, no se llevar a cabo el aprovechamiento completo de la modulacin
de la conductividad de la regin drenador-deriva, por lo que la tensin a travs del IGBT no
cae a su valor final en conduccin.
1.6.b. Transitorio de apagado.
Para cortar el IGBT, debe suprimirse la tensin en el circuito de control de puerta,
aveces incluso debe invertirse.
Primero hay un tiempo de retardo td(off) perteneciente al instante en que la tensin
puerta-emisor ha cado al 90% de su valor inicial y el instante en que la corriente de colector ha
descendido al 90% de su valor inicial. El intervalo de tiempo posterior en que la corriente de
colector cae al 10% de su valor, se llama tiempo de bajada tf.
La suma de td(off) y tf se denomina tiempo de apagado o de desconexin toff.
Las formas de onda de la tensin y corriente de apagado se muestran en la figura 11. El
tiempo de retardo de apagado td(off) y el tiempo de subida de la tensin tVsubida, se gobiernan
mediante la parte MOSFET del IGBT.
vGE
t
td(o ff)
V GE(th)
t
IC
corriente
del MOSFET
corriente
del BJT
t
vCE
t Vsubida
Figura 11. Transitorio de apagado.

Es importante destacar que en la forma de onda de la corriente de colector hay dos
intervalos de tiempo distintos. La rpida cada que ocurre durante tf corresponde al apagado de
la parte MOSFET del IGBT. La corriente de colector durante el intervalo de cada ms lento se
debe a la carga almacenada en la regin de deriva n-. Como la seccin MOSFET est
bloqueada y no hay tensin inversa aplicada en los terminales del IGBT, no hay posibilidad de
traslado de la carga almacenada.
La nica forma de que los portadores en exceso se puedan trasladar, al menos en un
IGBT sin capa amortiguadora n+ , es por recombinacin dentro de la regin de deriva n-. Como
es deseable que la vida media de los portadores en exceso en esta regin sea grande para que la
cada de tensin en el estado de conduccin sea baja, la duracin del intervalo en el que la
Pg. 18
corriente del BJT se anula en el apagado ser largo. Sin embargo esto es indeseable porque la
disipacin de energa en este intervalo ser elevada ya que la VCE est bloqueada. Este tiempo
aumenta con la temperatura, como en un BJT de potencia. Con frecuencia, se utiliza la
irradiacin de electrones en el IGBT para que la vida media en la regin de deriva tenga el
valor deseado.
El traslado de la carga almacenada desde la regin de deriva por difusin de huecos a la
capa p+ puede reducir significativamente el tiempo de extincin de la parte BJT si el flujo de
difusin de huecos se puede hacer grande. En la estructura de un IGBT sin la capa
amortiguadora, tal difusin no puede producirse ya que el gradiente de la distribucin de
huecos est en la direccin equivocada, es decir, la densidad de huecos en el lado p+ es mayor
que la densidad de huecos en exceso en la regin de deriva. De ah que, los huecos en exceso
se quedan en la regin de deriva. Sin embargo, la presencia de una capa amortiguadora
diseada convenientemente, modifica notablemente esta situacin. Esta capa tiene una vida
media de portadores mucho menor y, de este modo acta como sumidero para los huecos en
exceso. La mayor proporcin de recombinacin de huecos en la capa amortiguadora eleva el
gradiente de la densidad de huecos en la regin de deriva durante el apagado el cual produce un
gran flujo de difusin de huecos hacia la capa amortiguadora. Esta eleva enormemente la
proporcin de huecos trasladados desde la regin de deriva y, por tanto, se reduce la cola del
IGBT.
Los IGBTs estn disponibles comercialmente con tensiones de bloqueo de 1000V y
capacidades de corriente en estado de conduccin de 200 A con tiempos de apagado de 1 s o
menos. Se han presentado dispositivos prototipo con tiempos de apagado similares pero con
tensiones de bloqueo y corrientes en estado de conduccin mayores (1800 - 2000 V). Se
observar que utilizando capa amortiguadora para reducir el tiempo de apagado no se necesita
la reduccin de la vida media del portador en la regin de deriva, por lo que no hay un aumento
significativo en las prdidas por conduccin en el estado de conduccin.
1.7. reas de funcionamiento seguro del IGBT (SOA) y limitaciones

en el funcionamiento del IGBT.
El IGBT tiene grandes reas de funcionamiento durante el encendido y el apagado. El
rea de funcionamiento seguro en polarizacin directa (FBSOA) mostrada en la figura 12 es
cuadrada para tiempos de conmutacin cortos, idntica a la del MOSFET de potencia para
tiempos de encendido menores de 1 ms. Para tiempos de conmutacin ms largos, el IGBT est
trmicamente limitado, lo cual es idntico tambin al comportamiento del MOSFET de
potencia.
Pg. 19

IC
IC
1000 V/S
-5
10 sec
10-4 sec
2 00 0 V/S
DC
3000 V/S
dvC E /dt
reaplicada
vCE
vCE
Figura 12. Area de funcionamiento segoro del

IGBT: (a) en polarizacin directa (FBSOA);
(b) en polarizacin inversa (RBSOA).
El rea de funcionamiento seguro en polarizacin inversa (RBSOA) es algo diferente al
FBSOA. La esquina superior derecha del RBSOA se corta progresivamente y se hace ms
pequea cuando el valor del gradiente de tensin de colector-emisor dvCE /dt reaplicado crece.
La razn de esta restriccin en funcin del dvCE/dt reaplicado es para evitar el bloqueo de
puerta en el IGBT. Un valor demasiado grande de dvCE /dt durante el apagado producir la falta
de control del IGBT de la misma manera que en los tiristores y en los GTOs. Afortunadamente,
este valor es bastante grande comparndolo favorablemente con otros dispositivos de potencia.
Hay tambin una tensin puerta-emisor mxima VGE(max). Mientras no se supere esta
tensin, si se produce un fallo en el circuito externo de modo que la corriente intenta crecer
hasta ICM, se producir en el IGBT un abandono del estado de saturacin y entrar en la regin
activa donde la corriente se hace constante e independiente de la tensin colector-emisor. Bajo
estas condiciones el IGBT se debe apagar tan rpido como sea posible debido a la excesiva
disipacin de potencia. Este comportamiento es deseable ya que no se producir el bloqueo de
puerta y se mantendr el control de puerta sobre la corriente de colector.
Cuando VGE est entre 10 y 15 V, se obtienen corrientes de colector de 4 a 10 veces el
valor de la corriente nominal. Medidas recientes indican que el dispositivo puede soportar
dichas corrientes durante 5 10 s dependiendo del valor de VCE pudindose cortar el IGBT
mediante la puerta.
La mxima corriente de colector ICM se fija para evitar el bloqueo de puerta.
Normalmente se determina en base a las condiciones dinmicas.
La mxima tensin colector-emisor permitida se fija en la tensin de ruptura del
transistor pnp. La del transistor pnp es bastante baja por lo que su tensin de ruptura es
prcticamente la tensin de ruptura de la unin J2.
La mxima temperatura de la unin permitida en los IGBTs disponibles
comercialmente es de 150 C. Una caracterstica muy deseable del IGBT es el hecho de que la
tensin en estado de conduccin VCE(on) vara muy poco entre la temperatura ambiente y la
mxima temperatura de la unin. En un MOSFET de potencia la tensin en estado de
conduccin aumenta significativamente cuando aumenta la temperatura en la unin.
Pg. 20
2. CONVERTIDORES CA/CC.
2.1 Introduccin a los convertidores CA/CC.
2.1.1 Generalidades.
En la mayora de las aplicaciones industriales la corriente alterna suministrada por la
red se convierte en primer lugar a corriente continua para su utilizacin posterior. Esta misin
es asignada a los convertidores CA/CC. La tendencia actual es la conversin CA/CC de manera
no controlada usando diodos, pero en algunas de las aplicaciones es necesario tener una
corriente continua controlable. Los convertidores CA/CC son, entre los convertidores estticos
de conmutacin natural, los ms utilizados. Si originalmente fueron realizados con la ayuda de
rectificadores de vapor de mercurio, con la introduccin de los tiristores y los diversos tipos de
transistores, se ha posibilitado una cierta normalizacin, tendindose en la actualidad a la
utilizacin casi exclusivamente de los montajes en puente.
Los convertidores estticos de conmutacin natural pueden realizar funciones bastante
diferentes ya que son capaces de funcionar como rectificador o como ondulador. Los
convertidores CA/CC estn formados, en general, por la asociacin de un transformador, el
montaje rectificador propiamente dicho que est constituido por un conjunto de dispositivos
semiconductores con o sin mando y, eventualmente un sistema de filtrado de la corriente
rectificada. Naturalmente, a estos elementos de base se encuentran asociados diferentes
dispositivos de medida, maniobra y proteccin.
Entre las aplicaciones ms habituales de estos equipos destacan las siguientes:
- Alimentacin de los convertidores CC/CC y CC/CA. Para estas aplicaciones se
conecta a la salida un filtro LC con un condensador de capacidad muy alta, de forma que ste
quede cargado a un valor muy prximo al pico de tensin alterna. Se consigue de este modo
que la tensin continua de alimentacin de los convertidores mencionados pueda considerarse
ideal.
- Regulacin y control de motores de corriente continua y corriente alterna
(acompaado del convertidor CC/CA).
- Sistemas de traccin alimentados por corriente continua.
- Baos electrolticos o galvnicos para la industria electroqumica.
En el estudio de estos convertidores se harn una serie de suposiciones, caso de no
indicarse lo contrario:
- Los semiconductores (diodos) son ideales.
- No se tienen en cuenta las cadas de tensin inductivas y resistivas provocadas por el
transformador de alimentacin.
- Tampoco se consideran los efectos que el convertidor provoca sobre la red de
alimentacin.
Pg. 21
En nuestro caso nos vamos a referir en todo momento a convertidores CA/CC con
semiconductores no controlados, debido a que se ajusta de forma satisfactoria a los
requerimientos exigidos.
2.1.2. Circuitos rectificadores polifsicos simples.

Estos circuitos presentan una configuracin con secundario del transformador en
estrella y punto neutro. Un circuito rectificador polifsico simple constituye un grupo
conmutante.
La tensin continua en vaco ser en cada instante igual a una composicin de las
tensiones alternas. Denominaremos U1 ,U2 y U3 a las tensiones entre fase y neutro de cada
devanado secundario.
Para que un diodo conduzca es necesario que su tensin nodo-ctodo sea mayor que
cero (consideremos diodos ideales). Si D1 conduce la tensin aplicada a D2 ser uD2 = U2 - U1
y la tensin continua uC = U1; por tanto en el instante en que U2>U1 el diodo D2 comenzar a
conducir, D1 se bloquear y la tensin continua ser uC = U2.
Figura 13. Grupo conmutante.
Dependiendo de como estn agrupados los semiconductores podemos tener una

conexin poliandica (ctodos comunes) o policatdica (nodos comunes).
Una caracterstica importante consiste en que un grupo conmutante de ctodos comunes
genera idntica tensin instantnea que otro de nodos comunes y tensiones en oposicin de
fase.
Pg. 22
Figura 14. Montaje poliandico y policatdico con

tensiones secundarias en oposicin de fase.
Los arrollamientos secundarios del transformador representados slo conducen
corrientes unidireccionales debido a la presencia en serie con cada uno de ellos de un diodo.
2.1.3. Circuitos rectificadores polifsicos mltiples-serie.

Estn formados por la conexin en serie de varios montajes polifsicos simples
desfasados entre s. Si se denomina q al nmero de fases de cada circuito simple y s al nmero
de circuitos conectados en serie, el nmero total de intervalos de conduccin idnticos que
aparecer ser p = sq estando los s circuitos elementales desfasados entre s 2/p. La puesta en
serie de los circuitos simples no tiene ninguna precaucin especial. El valor medio de la tensin
continua ser la suma de los valores medios de cada grupo simple.
2Uc
Figura 15. Montaje rectificador constituido por la

puesta en serie de dos circuitos trifsicos
simple.
Pg. 23
2.2.- Montaje en puente.

2.2.1 Deduccin del montaje puente.
Un circuito en puente o en conexin Gretz est derivado de la conexin en serie de dos
circuitos trifsicos simples, si cambiamos de signo las fases del secundario del segundo grupo
conmutante de la figura 3 y la conexin ctodos comunes en nodos comunes, el montaje serie
no ha cambiado debido a la caracterstica citada anteriormente (un grupo conmutante de
ctodos comunes genera idntica tensin instantnea que otro de nodos comunes y tensiones
en oposicin de fase).
2Uc
Figura 16. Deduccin del montaje puente.
Debido a que ahora los puntos medios de ambas estrellas se encuentran directamente
unidos, los dos secundarios pueden fundirse en uno slo a condicin de que cada devanado del
nuevo secundario est dimensionado para conducir la suma de las corrientes que antes
conducan los devanados originales. Estos circuitos tambin reciben la denominacin de
montajes en doble va debido a que la corriente en los arrollamientos del transformador es
bidireccional.
El transformador es recorrido por una corriente bidireccional de donde resulta un mejor
aprovechamiento del mismo en comparacin con los circuitos simples en los que los devanados
secundarios estn recorridos por corrientes unidireccionales. Ntese que el grupo de
dispositivos semiconductores con ctodo comn utilizar las semiondas positivas del sistema
de tensiones alternas constituyendo dicho ctodo el polo positivo del montaje. De igual modo,
el grupo de dispositivos semiconductores con nodo comn utiliza los semiperiodos negativos
de las tensiones secundarias y su nodo constituye as el polo negativo. El nmero de fases de
cada circuito polifsico simple q recibe, como se ha dicho, el nombre de ndice de conmutacin
ya que es precisamente igual al nmero de fases de cada grupo conmutante. Mientras que el
nmero total de fases del sistema, en este caso p = sq, se denomina ndice de pulsacin.
24
2.2.2. Funcionamiento.
Generalmente, el esquema de un montaje en puente trifsico se representa de la manera
ilustrada en la siguiente figura.
D1
D3
D5
uc
D4
D6
D2
U1 U2 U3
Figura 17. Montaje en puente de Gretz.
El transformador no est indicado ya que el montaje en puente puede conectarse

directamente a la red trifsica. Se debe prever un transformador solamente en el caso de una
separacin galvnica o para transformar la tensin de la red de alimentacin en otra tensin,
segn la tensin continua deseada. A veces se hace indispensable prever bobinas de induccin,
llamadas selfs de conmutacin en las tres fases de alimentacin, a fin de reducir las
repercusiones de la conmutacin sobre la red de alimentacin.
Este tipo de montaje est formado por tres ramas, poseyendo cada una dos dispositivos
semiconductores en serie. Entre estos dos dispositivos se conecta una fase de alimentacin. Los
nodos de los dispositivos inferiores D4, D6 y D2 estn conectados juntos, formando el borne
negativo de la tensin continua siendo el borne positivo el correspondiente a la conexin de los
ctodos de los dispositivos superiores D1, D3 y D5.
La numeracin adoptada para los diodos no es caprichosa, responde al orden de
conduccin de los semiconductores.
Las tensiones u1, u2 y u3 son las tensiones simples de la red de alimentacin trifsica,
medidas respecto al punto neutro N de la red de alimentacin alterna. Se sabe que, en este caso,
dos grupos conmutantes estn montados en serie en el montaje en puente trifsico. Esto puede
expresarse por el nmero s de grupos conmutantes en serie que aqu ser s = 2. El ndice de
pulsacin p se refiere siempre al convertidor completo, indicando el nmero de pulsaciones que
presenta la tensin uC durante un perodo de la tensin de alimentacin que, en este caso, es p =
6 mientras que el ndice de conmutacin q se refiere a un solo grupo conmutante de modo que
q = 3. En este caso, se tiene p = sq no siendo esta relacin vlida para el montaje en puente
monofsico.
La forma de onda de la tensin de salida de los montajes en estrella aparece igualmente
en el caso de circuitos mltiples serie con p = qs. Sin embargo, las generatrices no sern
tensiones simples de amplitud 2U, sino suma o media aritmtica de las s tensiones simples.
Pg. 25
Dentro del cuadro de hiptesis ya mencionadas las tensiones generadas por cada uno de
los grupos A y B sern las de la figura 6. Estas dos tensiones se suman aritmticamente en cada
instante para obtener la tensin en bornes del circuito de continua.
Si la tensin de la fase n viene dada por la expresin:
u = 2U cost
n
Sabiendo que en conduccin continua siempre habr dos semiconductores en

conduccin de distintos grupos y, por lo tanto, a la salida se tendr una de las tensiones de
lnea; el valor mximo de la tensin de salida se puede calcular mediante una composicin
vectorial. Se puede demostrar que la tensin resultante est formada por una serie de arcos de
sinusoide cuya amplitud viene dada por la ecuacin:
U m = 2 2U cos
y desfasadas entre s 2/p cubriendo cada una de ellas este intervalo.

Particularizando para el puente trifsico tenemos:
U m = 6U
La ondulacin de la tensin de salida ser hexafsica ya que, segn los semiconductores
en conduccin, a la salida se tienen las tres tensiones de lnea y sus opuestas.
Los intervalos de conduccin de cada grupo conmutante no varan frente al montaje en
estrella trifsico, obteniendo las siguientes formas de onda:
Pg. 26
uc
uc A,B
Grupo A
Grupo B
iD
D1
D2
D3
D4
D5
D6
iV
i1
i2
i3
Fig 18. Forma de la tensin continua uc , corrientes en los

diodos iD y corientes de linea iV para un montaje en puente
trifsico.
Pg. 27
2.2.3. Valor medio de la tensin de salida.

El clculo del valor medio de la tensin de salida se obtiene mediante la expresin:
T
U C0
1
= uC (t )dt
To
U C0 =
1
2
p 6
U co =
U m cost dt
U sen
2.2.4. Anlisis armnico de la tensin de salida.

Se supone una funcin peridica de la variable x = t cuyo perodo es T = 2/ que se
puede desarrollar en serie de Fourier segn la expresin:
y = f (t ) = (an sen nt + bn cos nt )

n=0
siendo n un nmero entero que indica el rango u orden de la armnica. El trmino

correspondiente a n = 1 es una sinusoide de la misma pulsacin que la funcin por lo que se
denomina trmino o componente fundamental. El trmino de rango n es una sinusoide de
pulsacin n veces la de la funcin y corresponde a la armnica de rango n o, simplemente,
armnica n. El trmino an sen nt es el trmino seno y bn cos nt, el trmino coseno. El trmino
de rango 0 no posee trmino seno y corresponde al valor medio de la funcin b0. Ntese que la
funcin f(t) es peridica de 0 a 2. Por ltimo, los coeficientes an y bn vienen dados por las
expresiones:
an =
bn =
f (t ) sen ntdt
0
f (t ) cos ntdt
0
Sea f la frecuencia de la red de alimentacin, T su perodo y = 2f la pulsacin

angular correspondiente. Sea, a su vez, p el nmero de secciones idnticas o impulsos por
perodo (nmero total de fases); la onda de tensin continua es peridica de perodo T/p,
pulsacin ' = p y frecuencia f ' = pf. El rango de las armnicas presentes en la tensin
continua ser designado por n con respecto a la frecuencia de la sinusoide generatriz y por k
respecto a la frecuencia de la onda (no sinusoidal) que representa la tensin continua. Si la
frecuencia de una armnica de orden n es fn, se tendr:
fn
=k
f'
luego:
n=kp
Pg. 28
fn
=n
f
Segn esto, entre t = 0 y t = [(2/p)] la tensin continua responde a la ecuacin:
uc = 2U cos t
p
Para aplicar las expresiones anteriores, utilizadas en el anlisis de Fourier, uC deber

venir expresada en funcin de la pulsacin ' = p ya que su perodo es T/p o, lo que es lo
mismo, de una nueva variable que ser z = pt. Si adems se hace coincidir la discontinuidad
de la curva de uC con el origen para mayor comodidad de clculo se tiene:
z
uc = 2U cos
p p
t
2
p
T
p
2=
Figura 19. Magnitudes auxiliares para el analisis

de armnicos.
El coeficiente an para la armnica de orden k respecto a la frecuencia f' o de orden n

respecto a f, valdr con z = 't:
an =
2U
sen kz cos p p dz
0
Transformando el producto seno-coseno en suma mediante la relacin trigonomtrica:
sen A cos B =
sen( A + B) + sen( A B)
2
se obtiene an=0; operando de igual modo se obtiene para el coeficiente de b:
bn = U co
Teniendo en cuenta que:
Pg. 29
2
2
= U co 2
2
k p 1
n 1
2
1
bo =
2

2
f (t )dt = U
co
kz = k ' t
la expresin general del desarrollo en serie de Fourier de la tensin continua ser:
uc = U co + (a n sen kz + bn cos kz ) =
n =1
n
= U co + bn cos z
p
n =1
UCO representa el valor medio de la tensin continua. Cada trmino de orden k (k=1 a
) representa una sinusoide cn sen(kz + ) de pulsacin k' igual a k veces la de uC. Esta, a su
vez, es igual a p veces la de la red. Por consiguiente, la primera armnica de la tensin
rectificada (k = 1) ser de pulsacin ' = p, o sea, p veces la de la red.
La amplitud de las diferentes armnicas ser:
2U n = cn = an2 + bn2 = U co
y la fase:
tg =
2n
n 1
2
bn
an
De un modo general, la tensin uC en bornes de un circuito rectificador o inversor cuyo

nmero de impulsos o nmero total de fases sea p, con independencia de la estructura interna
del montaje que ha generado sta, contiene todas las armnicas mltiplos de p. El rango de las
armnicas ser k = 1, 2,... k respecto a la frecuencia o pulsacin ' de la tensin uC y n = p,
2p,... kp respecto a la frecuencia o pulsacin de la tensin de alimentacin.
Recurdese que n debe ser mltiplo entero de p. De la ecuacin anterior se obtiene que
la relacin entre el valor eficaz de una armnica de rango n respecto al valor medio de la
tensin rectificada se escribe:
Un
2
= 2
U co n 1
Pg. 30
La tabla 1 nos da una relacin de la composicin de armnicos para distintas

pulsaciones.
p
n
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
2
-66.7
-13.3
-5.71
-3.17
-2.02
-1.40
-1.03
-0.78
-0.62
-0.5
-0.41
-0.35
3
--25.0
--5.71
--2.50
--1.40
--0.89
--0.62
--0.45
--0.35
6
-----5.71
-----1.40
-----0.62
-----0.35
12
-----------1.40
-----------0.35
Tabla 1. Amplitudes de los armnicos de la tensin

continua en % de UC0.
La amplitud de la armnica de rango n depende nicamente de n y es independiente del

nmero de intervalos de conduccin por perodo p.
El espectro de armnicos de la tensin para un puente trifsico est representado en la
figura siguiente:
cn
UC0
1
0.5
3 4
10 11 12 13 14 15
Figura 20. Espectro de armnicos de la tensin

para un puente trifsico.
Podemos ver como los armnicos de tensin decrecen muy rpidamente, de modo que
el armnico de orden 6 es c6=0.05 UC0 y el de orden 12 c12=0.01 UC0.
Pg. 31
2.2.5. Valor medio de la corriente de salida.

El valor medio de la corriente depende lgicamente de la carga, vamos a suponer una
carga genrica como la de la figura 21, que puede representar por ejemplo un motor de
corriente continua.
i
c
E
Uc
Figura 21. Esquema equivalente de la carga

(motor DC)
Con una carga como la anterior se llega a la expresin:
U C E = uR + u L
Ic =
1
(U C E )
R
Suponiendo que la inductancia de carga L , el valor instantneo iC de la corriente es

igual al valor medio IC. Como la corriente iC siempre debe ser positiva es necesario que UC >
E. En el caso contrario, es decir, UC < E, los dispositivos semiconductores estn bloqueados y
no circula ninguna corriente.
2.2.6. Solicitacin en tensin de los semiconductores.

Dado que el montaje en puente trifsico corresponde a la conexin en serie de dos
grupos conmutantes, la solicitacin en tensin de los dispositivos semiconductores es igual a la
de un montaje estrella, representando un grupo conmutante. La tensin inversa mxima que
debe soportar ser en algn momento la tensin compuesta mxima de las tensiones de
alimentacin del circuito, en el caso de un puente trifsico ser 6U.
Pg. 32
2.2.7. Solicitacin en corriente de los semiconductores.

Cada dispositivo semiconductor es recorrido por la corriente continua IC durante un
periodo de tiempo igual al visto en la figura 6 (despreciando el efecto de la conmutacin). El
valor medio y el eficaz de la corriente que circula por un dispositivo es pues:
I D med =
1
Ic
q
1
2
I D ef =
2 / q
2
c
dt =
1
Ic
q
2.2.8. Solicitacin en corriente de la lnea.

En los montajes en puente ya descritos, cada fase secundaria del transformador se
encuentra conectada a dos dispositivos semiconductores de modo que por el arrollamiento
puede circular corriente en ambos sentidos, apareciendo dos bloques de corriente de amplitud
IC y duracin 2/q, uno positivo (conduccin en el sentido neutro-fase del dispositivo
semiconductor cuyo nodo se encuentra conectado al secundario del transformador) y otro
negativo (debido a la conduccin en sentido fase-neutro del dispositivo semiconductor cuyo
ctodo se encuentra directamente unido al transformador). Evidentemente, el valor medio de la
corriente es nulo a lo largo de un perodo. Calculando sobre medio perodo, su valor ser junto
con el eficaz:
I vm =
2Ic
q
Iv =
I cef
q
El factor de forma ser:

Kf =
I cef
q
q
= K fc
2 Ic
2
Las expresiones anteriores se simplifican si la ondulacin de la corriente es reducida

(Kfc 1) obtenindose respectivamente:
Iv =
Ic 2
q
Kf =
q
2
Estos montajes doble va o en puente, en los cuales la corriente a la entrada del circuito
rectificador es bidireccional, pueden ser conectados directamente a la red de alimentacin si
sta es monofsica, para q = 2 o bien si es trifsico para q = 3. No es necesaria la utilizacin del
neutro como retorno de corriente continua, como ocurrira en el caso de montajes polifsicos
simples, y las corrientes tomadas de la red son alternas si bien no rigurosamente sinusoidales.
2.2.9. Anlisis armnico de la corriente de lnea.

Para la descomposicin de la corriente de lnea, es til escoger el origen del eje de
tiempo. La serie de Fourier solamente contiene de esta manera trminos seno.
Pg. 33
Para las amplitudes In de los armnicos se obtiene, teniendo en cuenta la simetra de la

corriente:
2 3
In =
I
n c
I = 0
n = 1,5,7,11,13,...
n = 2,3,4,6,8,9,...
El signo + es vlido para n = 1, 11, 13,... y el signo - para n = 5, 7, 17, 19,...

El valor de pico de los armnicos es proporcional a 1/n. Solamente aparecen los
armnicos de orden n = 5, 7, 11, 13,..., todos los otros se anulan, o sea, los de orden par y los
de orden mltiplo de 3.
El valor de pico de la onda fundamental de la corriente de red es:
2 3
I1 =
I c = 1103
. Ic
Es pues superior un 10% aproximadamente en relacin con el valor de la corriente

continua IC.
La figura 22 representa el espectro de armnicos referidos a la amplitud de la onda
fundamental. Los que tienen n = 5 y 7 estn dibujados hacia abajo teniendo en cuenta su signo.
El montaje en puente trifsico es ms favorable que el rectificador trifsico simple; ya que
produce menos armnicos.
In
I1
1
0.5
5
1
3 4
7
6
10 11 12 13 14 15 16
Figura 22. Espectro de armnicos de la corriente

de linea para un montaje trifsico.
2.2.10. Reaccin del puente sobre la red de alimentacin.

Estos convertidores provocan una reaccin sobre la red de alimentacin alterna a causa
de las corrientes no senoidales que circulan por las fases que alimentan. El estudio de la forma
de la corriente de la red necesita un desarrollo en serie de Fourier a fin de determinar los
armnicos asociados. Las corrientes rectangulares provocan tambin una deformacin de la
tensin de alimentacin y los consiguientes problemas relativos a este fenmeno.
Pg. 34
2.2.10.a. Influencia sobre la tensin de alimentacin.
Las corrientes de lnea tienen una influencia desfavorable sobre la red y sobre las otras
instalaciones elctricas. Los armnicos de corriente producen una cada de tensin
suplementaria a lo largo de la inductancia en la lnea de alimentacin provocando una
distorsin de la tensin senoidal. Tambin pueden existir resonancias en ciertos puntos de la
red, sintonizadas a las frecuencias de los armnicos. Estos armnicos tambin inducen
tensiones parsitas a frecuencias elevadas en las lneas que se encuentran cerca de las lneas de
alimentacin.
Para estudiar la distorsin de la tensin de alimentacin, se utilizar la figura 12 que
representa el esquema equivalente simplificado de una red trifsica alimentando un convertidor
CA/CC.
Lc
LL
LT
us
uv
un
Fig23. Esquema equivalente para el estudio de distorsin en la alimentacin.
Todas las magnitudes estn reducidas a tensiones simples. US es la tensin simple de

una subestacin cuya potencia de cortocircuito es muy elevada respecto a la del convertidor
CA/CC. Se puede pues suponer que esta tensin es senoidal y no est afectada por el
convertidor CA/CC. La tensin UV es la de la red a la cual est conectado el convertidor de
corriente. En este punto estn conectados generalmente otros consumidores, por ejemplo,
motores, lmparas, etc. Entre la subestacin y este punto est la inductancia cclica LL de la
lnea de transmisin de la que se desprecia su resistencia mientras que LT es la inductancia de
cortocircuito del transformador. Su suma forma la inductancia de conmutacin LC del
convertidor CA/CC. La lnea de alimentacin y el transformador estn recorridos por la
corriente de lnea iV del convertidor CA/CC.
La construccin de la forma de la tensin Un es anloga a la de la tensin continua uC.
Durante el tiempo de solapamiento Un es igual a la mitad de la suma de las dos tensiones
simples asociadas a las fases que estn conmutando. Esto explica una disminucin o un
aumento de la tensin Un segn la di/dt de la corriente de red. Siendo Un la diferencia entre la
tensin Un y la forma senoidal correspondiente a US.
Para la desviacin UV de la tensin UV en relacin a la tensin senoidal US, se obtiene:
U V =
LL
U n
LL + LT
ya que LL y LT forman un divisor de tensin inductivo.

La tensin de red UV queda deformada presentando impulsos superpuestos con
variaciones rpidas. Cuanto ms pequea es LT respecto a LL, ms grande es esta deformacin.
Si el convertidor CA/CC en montaje en puente trifsico est conectado directamente a la red
sin un transformador intermedio, la forma de la tensin UV es idntica a la de la tensin Un. En
este caso, a menudo se conectan bobinas de conmutacin entre la red de alimentacin y el
convertidor CA/CC que se coloca en lugar de LT a fin de reducir las distorsiones sobre la
Pg. 35
tensin UV. Estos cambios rpidos de la tensin alterna UV provocan perturbaciones mediante
acoplamiento capacitivo sobre los dispositivos de regulacin y control o sobre otros aparatos
de pequea corriente.
2.2.10.b. Filtros de alisado.
Los armnicos presentes en la tensin de lnea UV pueden dar lugar a resonancias en la

red de alimentacin si esta ltima contiene condensadores, por ejemplo, los condensadores de
compensacin de fase (ver figura 24). Para evitar este fenmeno se hace necesario a veces la
instalacin de filtros en la red de alimentacin.
LL 1
LL 2
LT
C
Figura 24. Posibilidad de una resonancia a causa
del condensador C.
Para los convertidores CA/CC de pulsacin hexafsica, es suficiente prever tres filtros
LC serie. El primero debe estar sintonizado a la frecuencia igual a n = 5 veces la frecuencia de
red, el segundo a una frecuencia correspondiente a n = 7 veces la frecuencia de red, mientras
que el tercero debe sintonizarse a una frecuencia doce veces la frecuencia de red a fin de
atenuar simultneamente los armnicos de orden 11 y 13.
Para el dimensionamiento de los filtros es necesario tener en cuenta la influencia de
estos ltimos sobre las otras frecuencias. No debe despreciarse la amortiguacin de los
fenmenos transitorios. Esta combinacin de filtros de alisado est representada en la figura
14. Estos filtros LC serie absorben los armnicos de corriente producidos por el convertidor
CA/CC. Gracias a la fuerte interconexin de las redes de alimentacin, no se hace
generalmente necesario instalar estos filtros mas que en casos especiales.
LL 1
LL 2
LT
Figura 25. Filtros de alisado para los armnicos de orden n = 5, 7 y 11, 13.
Pg. 36
2.2.11. Cadas de tensin en un montaje puente.

La tensin continua mxima ideal UC0 estudiada hasta ahora no es realmente la tensin
continua que suministra el montaje puente debido a que se producen unas cadas de tensin en
las inductancias de la red de alimentacin, las propias del transformador si ste existe e incluso
las inductancias de las conexiones entre transformador y montaje rectificador propiamente
dicho. Por otro lado cada fase secundaria posee igualmente una resistencia hmica, todas estas
cadas de tensin aumentan cuando aumenta la corriente del circuito. Por ltimo los propios
semiconductores tienen una cada de tensin directa.
Resumiendo, la cada de tensin total es debida a los efectos inductivos (uX), por las
resistencias hmicas de los devanados (ur), y por la cada de tensin propia de los diodos (ua).
a. Cada inductiva.
En la transferencia de la corriente Ic de un semiconductor a otro, sta no se produce

instantneamente (como se represent de manera ideal en la figura 6), debido a las inductancias
del circuito LC. De modo que mientras que la corriente en el semiconductor que la transfiere
decrece, la corriente en el semiconductor que comienza su conduccin crece. As, se produce
un intervalo en que los dos semiconductores conducen a la vez, ste intervalo viene dado por el
ngulo de solapamiento , que para un montaje puente viene dado por:
cos( ') = 1
LC I C
2U sen
= 1
2 X c Ic
6
y la reduccin del valor medio por:
uX = s
q
3
X c Ic = X c Ic
2
b. Cada de tensin debida a las resistencias.
La cada de tensin debida a las resistencias se puede calcular de una manera

aproximada mediante:
ur =
PCOBRE
Ic
Siendo generalmente las prdidas en el cobre de un transformador un dato

relativamente fcil de conocer.
c. Cada de tensin debida a los semiconductores.
En el caso de los montajes en puente, el circuito de la corriente Ic pasa por dos

semiconductores, uno de cada grupo de modo que, la cada de tensin debida a stos es:
ua = 2ud
Pg. 37
2.3.- Puente rectificador con IGBTs.

2.3.1. Generalidades
El reciente aumento del IGBT ha hecho que se realizen estudios de convertidores donde
este dispositivo tome parte, son de especial interes aquellos montajes que puedan ser lo mas
verstiles posible, como son los rectificadores que puedan utilizarse como inversores
autnomos, es decir los convertidores reversibles.
Podriamos realizar el estudio de un puente rectificador con IGBT donde slo se
dispusieran de los mismos para rectificar, bastara simplemente con mantener una tensin en la
puerta adecuada en cada instante, para que cada IGBT condugera en el momento adecuado,
obteniendo a la salida una tensin rectificada con la misma forma de onda que un rectificador a
diodos o a tiristores convencionales, pero esto carece de interes, pues los tiristores o en su caso
los diodos cumplen perfectamente su papel de rectificador en convertidores CA/CC.
Es importante destacar que si bien no es necesario disponer de diodos en antiparalelo
con los IGBTs, mejoran las caracteristicas del dispositivo durante la conmutacin. La presencia
de estos diodos en antiparalelo en principio dificulta la posibilidad de rectificar con IGBTs.
Por otro lado se hace muy interesante la posibilidad de la realizacin de mdulos
estandar que puedan utilizarse como cualquier tipo de convertidor modificando tan slo el
control que se ejerza sobre el equipo.
Las ventajas de los convertidores con IGBTs se hacen muy palpables en los inversores,
como veremos en posteriores anexos, el intento de realizar mdulos estandar que puedan
utilizarse como cualquier tipo de convertidor modificando tan slo el control que se ejerza
sobre el equipo, trae como consecuencia el rectificador con IGBTs al que dedicamos este
apartado.
No obstante las realizaciones prcticas de este tipo de rectificadores son escassimas, y
se deben principalmente a prototipos, es por ello que no nos detengamos con detalle en el
estudio de este tipo de rectificadores.
Describiremos el funcionamiento del puente monofsico, ya que la extensin al
trifasico es muy simple. El puente rectificador con IGBTs est representado en la figura
siguiente:
Pg. 38
T1
UC
D1
T2
D2
T1 '
D 1'
D2'
T2 '
UE
LS
Figura 26. Rectificador con IGBTs.
La tensin a la salida ser una tensin continua regulable, cuyo valor mximo ser la
tensin proporcionada por el puente rectificador a diodos.
El funcionamiento se basa en la eliminacin de la tensin rectificada por los diodos
mediante la conduccin de determinados IGBTs que cortocircuitan la alimentacin. Es por esto
por lo que la inductancia de cortocircuito LS es de gran importancia y su dimensionamiento
debe ser el adecuado.
La tensin UE es la tensin alterna de entrada, y UC es la tensin continua rectificada.
Cuando los diodos D1 y D2 conducen o estn preparados para conducir, los IGBTs T1
y T2 estn preparados para conducir ya que la tensin colector emisor es positiva y la corriente
circular en el sentido permeable del semiconductor.
Si en el instante descrito anteriormente enviamos inpulsos de puerta a uno de los dos
transistores citados, produciremos un cortocircuito en la alimentacin. La corriente no llegar a
la carga y circular a travs de la inductancia de cortocircuito.
El funcionamiento en el otro semiperiodo de la tensin alterna es anlogo al descrito.
Dependiendo del troceado de la tensin rectificada obtendremos una tensin continua
controlada. La forma de onda de la tensin rectificada es la siguiente.
UC
Figura 27. Forma de onda de la tensin rectificada.
Pg. 39
3. RECTIFICADOR CON FILTRO LC.

3.1. Generalidades.
En algunas aplicaciones el convertidor CA/CC tiene que proporcionar una tensin
continua as como una corriente libre de rizado, al menos en un porcentaje tolerable. Todo ello
se consigue filtrando la onda de tensin del salida del circuito de potencia. Para ello existen
diversos tipos de filtros que presentan ventajas y desventajas en funcin de su complejidad o
sencillez.
Para obtener factores de rizado pequeos sin necesidad de utilizar grandes inductancias
o capacidades, se combinan la capacidad en paralelo con la induccin en serie, dando lugar a
un filtro LC como el representado en la figura.
L
RECTIFICADOR
carga
Figura 28. Filtro LC.
Las combinaciones de valores normales de L y C originan rizados mucho menores de

los que podran obtenerse con una L o una C solas.
3.2. Rizado de corriente y tensin.

Dependiendo de las caractersticas del circuito de carga, las fluctuaciones de la
corriente continua se cuantifica a partir de una integral del rizado de la tensin o de la amplitud
del armnico principal. El rizado de la tensin provoca fluctuaciones de la corriente, y puesto
que muchas aplicaciones necesitan que dichas fluctuaciones no excedan de un determinado
valor especificado, es necesario cuantificarlas, y eventualmente reducirlas por medio de un
choque o un filtro de rizado.
3.2.1. Rizado de corriente en un circuito inductivo.
En un circuito inductivo, la tensin en la inductancia determina la proporcin de rizado

o de decrecimiento de la corriente, y la integral de esta tensin, tomada en un determinado
perodo de tiempo, representa la variacin total de la corriente durante ese perodo, de acuerdo
con la ley de la induccin en la forma integral:
Integral temporal de la tensin
-->
u dt = L di <--
Oscilacin de la corriente
Si el intervalo de integracin es idntico al intervalo durante el cual crece la corriente

(desde t1 a t2 en la figura 16) o en que decrece (desde t2 a t3), la di representa la
oscilacin total de la corriente entre los valores mximo y mnimo. Esto se ilustra en la figura
16, donde la integral tensin-tiempo se representa por el rea sombreada, y la oscilacin total
de la corriente mediante I. Esta ondulacin est superpuesta al valor medio de la corriente,
que es igual al valor medio de la tensin dividido por la resistencia del circuito.
Pg. 40

Integral de tensin absorbida
por la inductancia durante
=
el aumento de la corriente
Tensin de salida

Integral de tensin suministrada
por la inductancia durante
el descenso de la corriente
Tensin en la resistencia
Corriente
Valor medio de la corriente (Uc/R)
Figura 29. Tensin y corriente continuas con carga

inductiva.
En la figura anterior la tensin en bornes de la inductancia es la diferencia entre la

tensin de salida y la tensin en bornes de la resistencia. Si despreciamos las fluctuaciones de
corriente en relacin a su valor medio, y consideramos una cada de tensin constante en la
resistencia, tendremos que el rizado de tensin es absorbido por la inductancia del circuito (la
inductancia del rectificador en serie con la inductancia del circuito de carga). Por tanto, bajo
estas consideraciones, la ondulacin de la corriente I, puede ser determinada fcilmente
mediante la integral del rizado de la tensin.
3.2.2. Integral temporal del rizado de tensin.
La integral del rizado de tensin se representa mediante las reas sombreadas en la

siguiente figura.
t
Figura 30. Area representativa de la integral
tensin tiempo del rizado de tensin.
Para determinar su valor introducimos el ngulo auxiliar que se define como:
Pg. 41
sen =
UC
Um
Este ngulo determina el lmite superior e inferior de integracin, caso de no tenerse en

cuenta la conmutacin. Deducimos de la figura que:
udt =
U m [sen t - sen ] dt
Cuyo resultado es:

1
udt = U [2 cos ( 2 ) sen ]
m
Esta relacin permite la cuantificacin de la integral temporal del rizado de tensin.
3.3. Reduccin del rizado de tensin. Diseo del filtro LC.

A la hora de pasar al diseo y dimensionamiento del filtro LC, necesario para reducir el
rizado de la tensin de salida, se puede realizar por diversos mtodos. De entre todos ellos,
estudiaremos los dos ms importantes.
3.3.1. Clculo del filtro LC conocida la inductancia de carga.
Un filtro LC, tal como el mostrado, reduce una tensin senoidal de cualquier frecuencia
angular en la relacin:
1
1
Tension en del condensador
= C = 2
LC 1
Tension en la bobina y el condensador L 1
C
Esta relacin es vlida siempre que la salida del filtro est a circuito abierto; por otro
lado, la corriente transportada al circuito de carga provocar una cada de tensin adicional en
el choque.
La tensin en la entrada del filtro, conectado a la salida de un rectificador, es el rizado
de tensin superpuesto a la tensin continua. La tensin continua no se ve afectada por el filtro,
pero las fluctuaciones sern eliminadas. Cada armnico se reducir individualmente. De
acuerdo con la ecuacin anterior, la atenuacin es prcticamente proporcional al cuadrado de la
frecuencia. Por lo tanto, las armnicas mayores se reducirn bastante ms que las menores, y es
suficiente en la mayora de los casos referirnos slo al primer armnico, cuya frecuencia es p
veces la frecuencia de alimentacin.
Veamos el procedimiento de diseo aplicado a un ejemplo en el que tenemos las
siguientes caractersticas: montaje rectificador en puente trifsico con semiconductores no
controlados, tendremos que p = 6 y = 0. En primer lugar, debemos fijar el valor de la
oscilacin en corriente deseada a la salida del filtro. Pongamos por ejemplo que I=1mA.
En el puente de Gretz, el valor medio de la tensin de salida vale:
Pg. 42
U C0 =
2q
2V sen
= 514.41 v
Determinamos la amplitud del primer armnico. Este se producir para n=6, pues la
frecuencia de la tensin de salida del puente ser 6 veces superior a la de la alimentacin (fS =
300 Hz):
2b6 = U C0
2
= 5.71 0 0 de U C0 = 29.32 v
6 -1
2
El valor eficaz de dicha tensin ser:

b 6 ef =
29. 32
= 20. 73 v
2
Suponiendo que en la carga vamos a tener conectada una inductancia de 0.5 H, la

ondulacin de la tensin que se producir en la misma vendr dada por:
V = I L = 1 103 2 300 0. 5 = 0. 94 v
Con estos datos ya podemos determinar el porcentaje de atenuacin, que viene dado
por:
Valor eficaz 1er armnico 20.73
=
= 22
Ondulacin de tensin
0.94
Con este valor de atenuacin, nos vamos a las curvas de la figura 18, obteniendo, para p
= 6, el valor del producto LC:
LC = 4.5(ms) = 4.5 106 s2
2
Teniendo en cuenta que estas curvas estn construidas para una frecuencia de la
alimentacin de f = 60 Hz, hacemos la conversin para la frecuencia de f = 50 Hz:
2
60
LC = 6.48 106 s2
50
y as tenemos
2 LC = (2 300) 6.48 106 = 23.0238

2
Si por ejemplo fijamos la inductancia del filtro L = 5 mH , determinamos el valor de C

de la ecuacin anterior:
C=
23. 0238
= 1295. 99 F
2 L
De este modo ya tenemos definidos los valores de inductancia y capacidad del filtro
LC, para obtener en la carga un rizado de corriente de 1 mA.
Este mtodo de estudio presenta el inconveniente de que se fundamenta en el
conocimiento de la inductancia de la carga. Esto a veces no es posible por ejemplo en
aplicaciones donde la carga puede variar ampliamente.
Pg. 43
3.3.2. Clculo del filtro LC para inductancia de carga variable.
Debido a que no siempre vamos a conocer los parmetros de la carga, como son
inductancia, resistencia hmica y capacidad, debemos desarrollar un mtodo de clculo de
filtros donde el rizado sea, dentro de lo posible, independiente de la carga.
Como sabemos la tensin suministrada por un rectificador tiene una ondulacin, de
manera que podemos expresar el valor de la tensin como:
uc (t ) = (an sen nt + bn cos nt )

n= 0
El primer termino de la serie es la tensin continua de salida, los trminos sucesivos son
los armnicos de alterna. Debe elegirse una L apropiada para que oponga una alta reactancia al
primer armnico existente, con lo cual se obtiene una reactancia mayor para el siguiente
armnico. La reactancia del condensador C para el primer armnico es mayor que para los
sucesivos armnicos. En el anlisis seguido en este mtodo se hace la hiptesis simplificadora
de que las corrientes debidas a los armnico superiores son despreciables, y nicamente
consideraremos el armnico de menor orden. Resulta inmediato que si el diseo de un filtro es
satisfactorio para los armnicos de orden bajo, con mayor razn lo ser para los de orden
superior.
Puesto que C es una capacidad de paso para la corriente alterna, conviene elegirla de
forma que:
1
<< R
nC
expresin que va a constituir una hiptesis de partida. Con esta condicin la impedancia
de entrada del circuito para el armnico de menor orden de frecuencia n resulta:
jR
Z = njL nC
j
R
nC
Si la desigualdad anterior se considera como condicin de diseo, j/nC es despreciable
frente a R, quedando:
1
Z = j nL
nC
La intensidad alterna que circular debida al primer armnico ser:
IL =
bn
Z
Si la corriente alterna que circula por la resistencia es:

In =
1
IC
nCR
En virtud de la hiptesis anterior se tiene IC IL, por tanto:

In =
bn
R(n 2 LC 1)
2
Pg. 44
Por otro lado la intensidad continua de carga es:

I=
UC
R
Si definimos el factor de rizado (Q) como el cociente entre la corriente alterna y la

continua que circula por la carga tenemos:
Q=
In
bn
=
2
I U C n 2 LC 1
Podemos despejar el producto LC dejando el factor de rizado Q como una condicin de

diseo, de modo que:
bn
+Q
UC
LC = 2
n Q 2
Donde bn es el valor eficaz del armnico de tensin de menor orden, n es el orden del
armnico con respecto a la pulsacin fundamental y UC el valor medio de la tensin
continua.
3.4. Consideraciones para el diseo.

Debemos tener en cuenta los siguientes aspectos:
Una inductancia pequea producir menos prdidas en el filtro.
Una relacin L/C pequea reducir sobretensiones cuando se desconecte la carga y
bajadas de tensin cuando se conecte.
Una relacin L/C grande, reduce la ondulacin de corriente y la corriente mnima a la
que se produce la conduccin discontinua, recordemos que en conduccin discontinua la
tensin suministrada aumenta.
Evidentemente la ltima palabra la tiene el diseador, en funcin de las necesidades del
filtro, pero generalmente interesa un condensador de capacidad lo ms grande posible con una
inductancia tal que la ondulacin de corriente sea pequea para evitar la conduccin
discontinua.
Pg. 45
4. CONVERTIDORES CC/CA.
4.1. Introduccin a los convertidores CC/CA.
4.1.1. Generalidades.
Los convertidores CC/CA, denominados inversores u onduladores, permiten producir
una tensin alterna de frecuencia variable a partir de una fuente de tensin continua.
Normalmente, la tensin alterna no slo es variable en frecuencia, sino tambin en amplitud.
Se distingue entre inversores monofsicos o trifsicos segn el sistema alterno generado
a la salida. Se pueden obtener sistemas trifsicos a partir de tres inversores monofsicos, pero
no abordaremos esta posibilidad.
Las aplicaciones de los inversores son muy numerosas, principalmente se utilizan para
accionar motores de corriente alterna y como fuentes de alimentacin ininterrumpidas.
Los inversores utilizados en accionamientos de corriente trifsica, generalmente en la
alimentacin de motores asincronos de velocidad variable, forman parte de un convertidor de
frecuencia. Este tipo de accionamientos se utiliza para instalaciones fijas o para equipos de
traccin. En esta clase de aplicaciones las potencias en juego son muy importantes.
Las fuentes de alimentacin ininterrumpidas sirven para suministrar energa a
consumidores que no pueden soportar ninguna interrupcin de alimentacin, como son por
ejemplo los ordenadores de gran envergadura. En este tipo de aplicaciones el inversor est
alimentado mediante un acumulador o batera. Esta se carga constantemente a partir de la red
de alimentacin alterna mediante un rectificador. En caso de avera de la red, la batera
garantiza el suministro de energia durante un cierto periodo de tiempo. La utilizacin de
inversores en este campo hace necesaria una fiabilidad muy elevada.
Tambin se pueden aplicar en redes de a bordo de barcos, aviones, etc. Donde los
inversores se alimentan de acumuladores y convierten la energa continua en un sistema alterno
de tensin y frecuencia constante.
Para el estudio del funcionamiento se harn las siguientes suposiciones, caso de no

indicarse lo contrario:
- Los semiconductores son ideales.
- La conmutacin es instantnea e ideal, cuando se conecta el IGBT de una rama
instantneamente se desconecta el otro, y viceversa, a esta suposicin se la denomina ausencia
de tiempo en blanco (blanking time).
Pg. 46
4.1.2. Distintos tipos de convertidores CC/CA.

Se pueden identificar dos tipos de inversores, los inversores con fuente de tensin (VSI)
que se alimentan mediante una fuente de tensin continua y los inversores con fuente de
corriente (CSI) que se alimenta con una fuente de corriente continua. La naturaleza de la carga
alterna debe igualarse con el suministro de continua, o sea, los inversores con fuente de tensin
suministran corriente a los receptores y los inversores con fuente de corriente suministran
tensin a los receptores.
Los inversores alimentados por corriente se utilizan slo para accionamientos de
motores de muy alta potencia, por lo que no se estudiarn en este capitulo.
Los inversores alimentados por tensin pueden dividirse en las siguientes categoras:
- Inversores de onda cuadrada, tambin denominados de pulso nico dos niveles.
En estos inversores se controla la tensin continua de alimentacin del inversor, para controlar
as la magnitud de la tensin alterna a la salida, por tanto lo nico que se controla con el
inversor es la frecuencia de salida. La forma de onda de la tensin de salida es cuadrada,
conmutando entre dos niveles de tensiones y con una nica conmutacin por periodo, de ah el
nombre de estos convertidores.
US
Figura 31. Tensin de salida en inversores pulso

nico dos niveles.
- Inversores monofsicos con eliminacin de tensin, tambin denominados de pulso

nico tres niveles. En este caso es posible modificar la magnitud y la frecuencia de salida, an
cuando la tensin de alimentacin sea fija. La forma de onda de la salida conmuta entre tres
niveles de tensiones, conmutando una sla vez por periodo, de ah el nombre de estos
inversores. Ntese que esta tcnica de funcionamiento es vlida slo para inversores
monofsicos.
Pg. 47

US
Figura 32. Tensin de salida en inversores pulso

nico tres niveles.
- Inversores modulados en anchura de impulso (PWM), o de pulso mltiple.

Este tipo de inversores controlan la tensin de salida tanto en magnitud como en frecuencia. La
tensin se conmuta muchas veces durante un periodo. Existen diversas tcnicas PWM, siendo
sin duda el PWM senoidal la ms importante, en la que el valor medio movil varia
senoidalmente en relacin al periodo fundamental T. Dependiendo del tipo de conmutacin,
como veremos a continuacin, podemos tener PWM dos niveles (conmutacin bipolar), o
PWM tres niveles (conmutacin unipolar).
US
US
t
Figura 33. Tensin de salida en inversores PWM
senoidales dos y tres niveles.
Pg. 48
4.2. Montaje semipuente monofsico.

Este inversor realiza la conversin de la tensin continua en tensin alterna y su
esquema est representado en la figura siguiente:
T1
D1
T1'
D1'
UE
CARGA
US
Figura 34. Montaje semipuente monofsico.
Los dos condensadores de la entrada son identicos y de capacidad muy elevada, el

punto medio es la masa del circuito de potencia, en cada condensador caen UE/2 V.
La capacidad de los condensadores de entrada debe ser lo suficientemente grande para
asegurar una tensin rezonablemente constante entre los extremos de los condensadores.
La tensin en la carga es positiva si conectamos T1 manteniendo T1 bloqueado, la
tensin se hace negativa si operamos de manera contraria.
La amplitud de la tensin a la salida es la mitad de la de la entrada, esta es una
caracteristica de los montajes semipuente.
Los distintos modos de funcionamiento posibles para los semiconductores estn
representados en la figura siguiente. Con una secuencia de control apropiada sobre los
semiconductores, se puede pasar de un modo de funcionamiento a otro modificando as la
forma de la tensin en bornes de la carga.
Pg. 49
T1
UE
UE
D1'
CAR GA
CAR GA
US
US
US > 0
US < 0
I>0
I>0
D1
UE
UE
T1'
CAR GA
CAR GA
US
US
US > 0
U S< 0
I<0
I<0
Figura 35. Modos de funcionamiento de un

montaje semipuente monofsico.
En un funcionamiento pulso nico dos niveles, para obtener la tensin rectangular, la

tensin alterna conmuta entre -UE/2 y +UE/2 a intervalos regulares segn un semiperiodo de
T/2. El semiperiodo positivo lo proporciona la conduccin de T1 o D1 y el negativo T1 o D1.
La conduccin de unos u otros depender del sentido de la corriente. En la figura 6 se
representa las formas de onda de la corriente y la tensin indicando los modos de
funcionamiento:
US
I
UE
2
t
-UE
2
Figura 36. Tensin y corriente de salida con carga

inductiva.
Este tipo de montaje no puede funcionar en la categora de pulso nico tres niveles ni
PWM tres niveles, puesto que la tensin de salida no puede ser nula.
Para un funcionamiento PWM, la tensin alterna conmuta entre -UE/2 y +UE/2 a
intervalos irregulares, teniendo por tanto un PWM dos niveles. La tensin se conmuta varias
veces sobre un periodo. Con una carga resistiva e inductiva se obtienen formas de corriente
casi senoidales, de periodo fundamental T. Los intervalos positivos los proporciona, al igual
Pg. 50
que antes, la conduccin de T1 o D1 y los negativos T1 o D1. La conduccin de unos u otros

depender del sentido de la corriente.
US
I
T
UE
2
t
-UE
2
c,d
a,b
c,d

inductiva.
4.2.2. Control de la tensin alterna.

La magnitud de la tensin de salida y su frecuencia depende de la duracin de las
conexiones y desconexiones de los distintos semiconductores. Para controlar la salida, es
necesario modificar los valores de los tiempos de conexin y desconexin.
4.2.2.a. Control rectangular dos niveles.
Podemos variar la tensin alterna disminuyendo la tensin continua de alimentacin UE

del inversor. Esta posibilidad ha sido poco utilizada debido a que estos montajes se han
realizado con tiristores, y stos requieren un circuito LC para la extincin; para ciertos valores
de tensin, el circuito de extincin es incapaz de exinguir la corriente que circula por los
tiristores. Esta es la razn por la cual este mtodo de control se ha utilizado slo en
aplicaciones donde las variaciones de la magnitud de salida requeridas son muy pequeas. En
montajes con IGBTs este problema se solventa debido a que no se requiere circuito de
extincin.
Las seales de conmutacin las podemos obtener con ayuda de una seal cuadrada.
4.2.2.b. Control PWM senoidal dos niveles.
Las seales de conmutacin pueden generarse mediante la comparacin de una seal

portadora triangular, con una seal moduladora senoidal, cuya frecuencia es mucho menor que
la de la portadora.
Pg. 51
La frecuencia de conmutacin ser la de la seal portadora, y la frecuencia de la tensin

alterna de salida ser la de la seal moduladora, si variamos la frecuencia de la seal
moduladora, variaremos la frecuencia de la tensin de salida, del mismo modo si aumentamos
la amplitud de la moduladora con respecto a la portadora, aumentamos la magnitud de la
tensin de salida.
Cuando la tensin de control es mayor que la seal portadora, (vm > vp), conectamos T1
y la salida ser UE/2, de lo contrario conectamos T1 y la salida ser naturalmente -UE/2.

El anlisis armnico de la tensin depende del mtodo empleado para generar dicha
tensin alterna. Distinguiremos, por tanto, el estudio de armnicos entre pulso nico y pulso
mltiple.
Partiendo para el anlisis del desarrollo en serie de Fourier segn la expresin ya

conocida:

n=0
Sabiendo que:
uS =
(a
n =1
an =
bn =
f (t ) sen ntdt
sen nt + bn cos nt )
f (t ) cos ntdt
0
Si hacemos coincidir el eje de ordenadas de forma que uS sea una funcin par,
obtenemos:
an = 0
bn =
2U E

sen n
2
n
El primer armnico, que es el de mayor importancia, tiene una frecuencia igual a la

frecuencia de salida f y los sucesivos son de frecuencia nf.
Pg. 52
Podemos representar los armnicos de la tensin como se muestra en la siguiente

figura:
E
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
11
13
15
Figura 38. Espectro de armnicos de la tensin de

salida para un inversor semipuente, pulso
nico dos niveles.
4.2.3.b. PWM senoidal dos niveles.
El estudio del anlisis armnico de una tensin de salida modulada en anchura de

impulsos, se complica considerblemente para indices de modulacin en frecuencia elevados.
El indice de modulacin en frecuencia debe ser un nmero impar y entero, de esta
manera obtenemos que la tensin de salida es una funcin impar, { f (-t) = -f (t) }, con respecto
al origen de tiempos. Eliminamos as todos los armnicos debidos a los trminos coseno del
desarrollo en serie de Fourier, por otro lado al ser entero, tenemos un PWM sincrono.
Los armnicos aparecen en bandas centradas alrededor de la frecuencia de conmutacin
y de sus mltiplos, es decir, alrededor de los armnicos mf , 2mf , 3mf , etc. Este patrn general
se mantiene siempre que 0 < ma < 1.
Para indices de modulacin en frecuencia mf 9 la amplitud de los armnicos son
prcticamente independientes de mf, aunque mf define la frecuencia a la cual tienen lugar.
Tericamente, la frecuencia a la cual tiene lugar los armnicos es:
f n = ( gm f h) f c
Los armnicos existentes sern:
n = g (m f ) h
Pg. 53
Para valores impares de g, slo existen los armnicos que tienen valores pares de h; y
para valores pares de g, slo existen los armnicos que tienen valores impares de h.
En la tabla 2, los armnicos de la tensin de salida estn expresados en tanto por ciento
de UE y estn tabulados en funcin de ma, considerando que mf 9. En la tabla slo aparacen
los armnicos que tienen una amplitud significativa para valores de hasta g=4.
n
1
mf
mf 2
mf 4
2mf 1
2mf 3
2mf 5
3mf
3mf 2
3mf 4
3mf 6
4mf 1
4mf 3
4mf 5
4mf 7
0.2
10
62.1
0.8
--
0.4
20
57.5
3.05
--
ma
0.6
30
50.3
6.55
--
0.8
40
40.9
11
--
1
50
30.05
15.9
0.9
9.5
---
16.3
1.2
--
18.5
3.55
--
15.7
6.95
0.65
9.05
10.6
1.65
16.75
2.2
---
6.15
6.95
0.6
--
4.15
10.15
2.35
--
8.55
8.8
5.2
0.8
5.65
3.1
7.85
2.2
8.15
0.6
---
7.85
3.5
---
0.4
6.6
1.7
--
5.25
5.75
4.2
0.85
3.4
0.45
5.95
2.5

de salida de un inversor semipuente PWM, en
% de UE considerando mf 9.
Como podemos desprender de la tabla, el armnico fundamental varia linealmente

respecto de ma. Con ma > 1, se pierde la linealidad, es ms, si ma es suficientemente grande, la
salida del inversor degenera en una onda cuadrada. Podemos deducir que en sobremodulacin
la amplitud del armnico fundamental ser:
UE
2U E
< u1 <
2
Pg. 54
modo:
El espectro de armnicos puede representarse para un valor concreto de ma del siguiente

Un
U
E
0.4
mf-4
mf-2
mf
mf+2 mf+4
mf-3 mf-1
2mf
mf+1 mf+3

salida de un inversor semipuente PWM
(ma=0.8 y mf 9).
Del mismo modo para sobremodulacin obtenemos el siguiente espectro:
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
3 5
7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27

salida de un inversor semipuente PWM
(ma=2.5 y mf =15).
Para estudiar ms detalladamente los armnicos consultar los trabajos de J. W. A.

Wilson y J. A. Yeamans Intrinsic Harmonics of Idealized Inverter PWM Systems, (1976
IEEE/IAS Annual Meeting), pginas 611-616.
Pg. 55
4.3. Montaje puente monofsico.

El montaje puente monofsico es el mismo que vimos para el montaje en puente
completo de un convertidor CC/CC. La entrada es una tensin continua, y ahora la salida ser
una tensin alterna regulable en amplitud y frecuencia.
Figura 41. Montaje puente monofsico.
En este montaje, al igual que se hizo para el convertidor CC/CC, debemos hacer la
distincin entre conexin del IGBT y conduccin del IGBT, debido a la presencia de diodos en
antiparalelo con los IGBTs.
Cuando conectamos un IGBT, conducir dependiendo de la direccin de la corriente en
ese instante, es decir, conducir si la corriente circula en el sentido permeable del IGBT; en
caso contrario, an con seal en la puerta para que conduzca, permanecer bloqueado y entrar
en conduccin su diodo en antiparalelo.
El puente se compone de dos ramas, en cada rama si se conecta un IGBT el otro estar
desconectado y viceversa, nunca se conectarn a la vez los dos IGBTs de una misma rama
puesto que esto producira el cortocircuito de la alimentacin a travs de esa rama.
Con la misma tensin de entrada, la tensin de salida mxima de este convertidor es
doble que para el montaje semipuente. Esto implica que para la misma potencia, la corriente de
salida y la corriente de conmutacin tambin es doble.
Los distintos modos de funcionamiento estn representados en la figura 12:
Pg. 57
T2
T1
UE
UE
T2'
D1'
T1'
UE
CARGA
US
Us = 0
I<0
Us < 0
I<0
D1
D2
D2'
US
T1
CARGA
Us = 0
I>0
D2
T1'
US
Us > 0
I>0
UE
CARGA
US
T2'
CARGA
UE
UE
UE
D1
UE
T2
D2
D1'
CARGA
CARGA
CARGA
US
CARGA
US
US
Us < 0
I>0
Us = 0
I>0
US
Us > 0
I<0
Us = 0
I<0
Figura 42. Modos de funcionamiento de un

montaje puente monofsico.
La tensin v1N ser UE si T1 o D1 conduce y T1 y D1 estn bloqueados, del mismo

modo ser cero si T1 o D1 conduce y T1 y D1 estn bloqueados. Las misma relaciones
existen para la otra rama, es decir, para v2N.
Teniendo en cuenta que la tensin de salida es uS = v1N - v2N , con una secuencia de
control apropiada sobre los semiconductores, se puede pasar de un modo de funcionamiento a
otro, modificando as la tensin en la carga.
Para obtener la tensin rectangular, la tensin alterna conmuta entre +UE y -UE a
intervalos regulares segn un semiperiodo de T/2. El semiperiodo positivo lo proporciona la
conduccin de T1 o D1 con T2 o D2 y el negativo T1 o D1 con T2 o D2. La conduccin de
unos u otros depender del sentido de la corriente.
US
I
UE
t
-UE

inductiva.
Pg. 58
4.3.1.b. Pulso nico tres niveles.
Podemos variar la tensin alterna conmutando alternativamente entre 0, +UE, 0, -UE, 0,

etc. La tensin varia por escalones simtricos. Estamos haciendo uso de los modos de
funcionamiento en los que la tensin de salida es nula.
Para que uS sea +UE deben conducir T1 o D1 con T2 o D2, para que sea -UE
conducirn T1 o D1 con T2 o D2 y para que sea nula debe cumplirse que dos
semiconductores superiores del puente conduzcan, esto es, que conduzcan T1 y D2, o D1 y T2,
dependiendo de la direccin de la corriente, se llega a la misma conclusin si conducen dos
semiconductores inferiores del puente.
US
I
UE
t
-U
E
d,h
b,f

inductiva.
4.3.1.c. PWM senoidal dos niveles.
Este funcionamiento se basa en la conmutacin bipolar, este tipo de conmutacin se

explic con anterioridad para el montaje puente completo dentro del anexo dedicado a los
convertidores CC/CC, consiste en considerar los semiconductores T1, T2 y T2, T1 como un
par de conmutacin, de modo que los dos semiconductores de un mismo par conmutan a la vez.
Con este tipo de PWM, la forma de onda de la tensin de salida es semejante a la del
montaje semipuente monofsico, con la salvedad de que ahora la conmutacin se produce entre
+UE y -UE en lugar de +UE/2 y -UE/2. Esta es la razn por la que a este modelo de inversor se
le denomina de conmutacin bipolar.
US
I
T
UE
t
-UE
c,g
a,e
c,g

inductiva.
4.3.1.d. PWM senoidal tres niveles.
Para un funcionamiento PWM senoidal tres niveles utilizaremos una conmutacin

unipolar, ahora los semiconductores T1, T2 y T2, T1 conmutan independientemente, por
Pg. 59
tanto cada rama del puente se controla por separado. De esta forma se aprovechan los modos
de funcionamiento del puente en los que la tensin de salida es nula. Los modos de
funcionamiento en conmutacin bipolar son todos los mostrados en la figura 10 para el montaje
puente monofsico.
Si T1 o D1 conduce la tensin v1N ser igual a UE, si es T1 o D1 el que conduce v1N
ser cero. Para la segunda rama se obtienen resultados anlogos. Destacaremos nuevamente
que cuando dos semiconductores superiores del puente conducen la tensin de salida es cero, y
la corriente de salida circula en un lazo cerrado a travs de T1 y D2, o D1 y T2, dependiendo
de la direccin de la corriente. Durante este intervalo la corriente de entrada al puente es nula.
Las mismas consideraciones son vlidas si conducen dos semiconductores inferiores del
puente.
En este tipo de PWM, cuando tiene lugar una conmutacin, la tensin de salida
conmuta entre cero y UE o entre cero y -UE, esta es la razn de que se le denomine
conmutacin unipolar.
Con este funcionamiento se reducen a la mitad los saltos de la tensin de salida con
cada conmutacin, pasando de saltos de tensin de 2UE a saltos de slo UE.
US
T
UE
t
-UE
g,d,h
e,b,f
a,b,f
c,d,h

inductiva.

Como ya hemos visto, hay diferentes posibilidades de obtener una tensin alterna a la
salida que sea regulable en magnitud y frecuencia. Dependiendo del tipo de variacin necesaria
a la salida y del funcionamiento escogido para obtener esa variacin existen distintos mtodos
de control de la tensin alterna, como veremos a continuacin.
4.3.2.a. Control rectangular dos niveles.
La nica manera posible de variar la magnitud de la tensin alterna es disminuyendo la

tensin continua de alimentacin UE del inversor. Esta posibilidad, como se explic con
anterioridad para el montaje semipuente, ha sido poco utilizada por los problemas de extincin
que provocan los tiristores, si recurrimos al IGBT este problema se solventa debido a que no se
requiere circuito de extincin.
Las seales de conmutacin las podemos obtener con ayuda de una seal cuadrada que
en el semiperiodo positivo conecte T1 y T2, y en el negativo conecte T1 y T2.
Pg. 60
4.3.2.b. Control rectangular tres niveles.
Podemos variar la tensin alterna conmutando alternativamente entre 0, +UE, 0, -UE, 0,

etc. La tensin varia por escalones simtricos. El ngulo correspondiente al tiempo en que la
salida es nula se le denomina ngulo de solapamiento, debido a que durante ese tiempo las
seales de control de los IGBTs superiores de las dos ramas tienen el mismo valor lgico se
solapan, evidentemente las de los inferiores tambin permanecen al mismo valor lgico.
Las seales de conmutacin las obtenemos comparando una seal triangular de la
frecuencia deseada a la salida, con dos tensiones de referencia simtricas, una positiva y otra
negativa. Las seales de conmutacin para la primera rama se obtendrn por comparacin con
VR1 y las de la segunda se obtendrn con la simtrica VR2.
Cuando VR1 es mayor que la triangular conectaremos T1 y cuando la triangular sea
mayor que VR2 conectaremos T2. La seal de control de T1 es la negada de T1, y la de T2 la
opuesta de T2.
Definiremos como el ngulo correspondiente al tiempo en que la salida permanece al
valor de UE, Si << T/2, los armnicos superiores de la tensin son muy superiores respecto a
la onda fundamental, por lo que no es favorable una variacin grande de la tensin. Este
mtodo tambin se conoce con el nombre de eliminacin de tensin.
4.3.2.c. Control PWM senoidal dos niveles.
Las seales de conmutacin pueden generarse, igual que se hizo para el montaje
semipuente monofsico, comparando una seal portadora triangular, con una seal moduladora
senoidal.
Cuando la tensin de control es mayor que la seal portadora, (vm > vp), conectamos T1
y T2, de lo contrario conectamos T2 y T1.
4.3.2.d. Control PWM senoidal tres niveles.
Las dos ramas del puente se controlan separadamente mediante la comparacin de una
seal triangular con dos seales senoidales de control, desfasadas entre si 180 grados. Las
seales de conmutacin para la primera rama se obtienen comparando con VM1 y las de la
segunda con VM2 .
Cuando VM1 es mayor que la triangular conectamos T1, y cuando sea menor
conectamos T1. Por otro lado, cuando VM2 es mayor que la triangular conectamos T2, y en
caso contrario conectaremos T2.
El control que se ha descrito tiene la ventaja de doblar la frecuencia de conmutacin, es
decir, la frecuencia de conmutacin del puente es el doble de la frecuencia de la seal
triangular.
4.3.3. Anlisis armnico de la tensin alterna

A la hora de analizar la composicin de armnicos de la tensin de salida, como es
natural, tendremos que tener en cuenta cual ha sido el mtodo empleado en la generacin de la
tensin alterna, ya que cada mtodo origina una forma de onda de salida diferente, y por tanto
una composicin de armnicos diferente.
Pg. 61
La composicin de armnicos de la tensin de salida de un inversor en puente

monofsico con este funcionamiento es muy similar a al de un montaje semipuente.
Partiendo, por tanto, de lo expuesto para el montaje semipuente, obtenemos los
siguientes resultados:
an = 0
bn =
4U E

sen n
2
n
Vemos que este montaje produce los mismos armnicos que un semipuente solo que del
doble de amplitud. El primer armnico tiene una frecuencia igual a la frecuencia de la tensin
de salida y los sucesivos son de frecuencia n veces la de salida.
Podemos representar los armnicos de la tensin como se muestra en la figura:
E
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
11
13
15
Figura 47. Espectro de armnicos de la tensin de salida para un

inversor en puente monofsico, pulso nico dos niveles.
4.3.3.b. Pulso nico tres niveles.
Aplicando el desarrollo en serie de Fourier y sabiendo que:
uS = (an sen nt + bn cos nt )

n =1
an =
bn =
f (t ) sen ntdt
0
f (t ) cos ntdt
0
obtenemos:
an = 0
Pg. 62
bn =
2U E

sen n [1 cos(n )]
2
n
Donde es el ngulo correspondiente al tiempo en que la salida es +UE, o -UE.

Los armnicos existentes estn representados en la figura 18, su amplitud depender del
ngulo , o lo que es lo mismo del ngulo de solapamiento. El armnico fundamental tiene una
frecuencia igual a la frecuencia de la tensin de salida f , y los sucesivos son de frecuencia nf.
Un
U1
1
n=1
0.5
n=3
0.25
n=5
180
120
60
Figura 48. Amplitud de las diferentes armnicas en funcin de .

4.3.3.c. PWM senoidal dos niveles.
El anlisis armnico realizado para el montaje semipuente PWM pulso mltiple dos
niveles se aplica ntegramente a este montaje. Por tanto la nica diferencia reside en que la
amplitud de los diferentes armnicos, incluido el fundamental, es doble que para el montaje
semipuente.
En la tabla 3 se presenta el valor de la amplitud de los diferentes armnicos en tanto por
ciento de la tensin de entrada.
n
1
mf
mf 2
mf 4
2mf 1
2mf 3
2mf 5
3mf
3mf 2
3mf 4
3mf 6
4mf 1
4mf 3
4mf 5
4mf 7
0.2
20
124.2
1.6
--
0.4
40
115
6.1
--
ma
0.6
60
100.6
13.1
--
0.8
80
81.8
22
--
1
100
60.1
31.8
1.8
19
---
32.6
2.4
--
37
7.1
--
31.4
13.9
1.3
18.1
21.2
3.3
33.5
4.4
---
12.3
13.9
1.2
--
8.3
20.3
4.7
--
17.1
17.6
10.4
1.6
11.3
6.2
15.7
4.4
16.3
1.2
---
15.7
7
---
0.8
13.2
3.4
--
10.5
11.5
8.4
1.7
6.8
0.9
11.9
5
Pg. 63
Tabla 3. Amplitudes de los armnicos de la tensin de

salida en % de UE considerando mf 9.
Del mismo modo que en el inversor semipuente el armnico fundamental varia

linealmente respecto de ma. Con ma > 1, tambin se pierde la linealidad, y si ma es
suficientemente grande, la salida del inversor degenera en una onda cuadrada. Podemos
deducir que en sobremodulacin la amplitud del armnico fundamental ser:
U E < u1 <
modo:
4U E
El espectro de armnicos puede representarse para un valor concreto de ma del siguiente

Un
U
E
0.8
mf-4
mf-2
mf
mf+2 mf+4
mf-3 mf-1
2mf
mf+1 mf+3

salida (ma=0.8).
4.3.3.d. PWM senoidal tres niveles.
La principal ventaja de este funcionamiento es la posibilidad de doblar la frecuencia de

conmutacin, de forma que los armnicos inferiores en el espectro de armnicos de la tensin
de salida aparecen en bandas del doble de la frecuencia de conmutacin.
Si escogemos mf par (mf deba ser impar para PWM dos niveles), el armnico
fundamental de las tensiones v1N y v2N estn desfasados 180 grados. Por tanto, las componentes
armnicas, de frecuencia igual a la frecuencia de conmutacin, de v1N y v2N tienen la misma
fase (1N - 2N = 180 mf = 0, puesto que estn desplazadas 180 grados y mf es par).
Como resultado, se obtiene que la componente armnica, de frecuencia igual a la de
conmutacin, de la tensin de salida vS = v1N - v2N se anula. Adems los armnicos de la banda
centrada en la frecuencia de conmutacin desaparecen. De manera similar, el armnico
dominante de el doble de la frecuencia de conmutacin se anula, mientras que los armnicos de
su banda no.
Pg. 64
En la tabla 4 se presenta el valor de la amplitud de los diferentes armnicos en tanto por

ciento de la tensin de entrada.
n
1
2mf 1
2mf 3
2mf 5
4mf 1
4mf 3
4mf 5
4mf 7
0.2
20
19
---
0.4
40
32.6
2.4
--
ma
0.6
60
37
7.1
--
0.8
80
31.4
13.9
1.3
1
100
18.1
21.2
3.3
16.3
1.2
---
15.7
7
---
0.8
13.2
3.4
--
10.5
11.5
8.4
1.7
6.8
0.9
11.9
5
Tabla 4. Amplitudes de los armnicos de la tensin de

salida de un inversor puente monofsico PWM
tres niveles, en % de UE considerando mf 10.
Si comparamos el PWM dos niveles y el tres niveles, podemos ver que en ambos casos,
la fundamental tiene la misma magnitud para un mismo valor de ma. Sin embargo, en el PWM
tres niveles, los armnicos de tensin dominantes centrados alrededor de mf desaparecen,
dando lugar a un considerable menor nmero de armnicos.
Ahora el armnico fundamental tambin varia linealmente respecto de ma (para ma 1).
Con ma > 1 se pierde la linealidad y en sobremodulacin la amplitud del armnico fundamental
ser:
U E < u1 <
4U E
El espectro de armnicos para un ma determinado ser:

Un
U
E
0.8
mf-3
mf-1
2mf
mf+1 mf+3
4mf-3 4mf-1
4mf
4mf+1 4mf+3

salida (ma=0.8)
En las figuras 21 a la 24 estn representadas las curvas aproximadas reales de las

amplitudes de los principales armnicos
Pg. 65
Un 1
UE
n=1
.9
.8
.7
.6
.5
.4
.3
n=5
n=3
.2
.1
0
n=7
.1 .2 .3 .4 .5 .6 .7 .8 .9
1 ma
Figura 51. Amplitud de los principales armnicos

en funcin de ma con mf=2.
Un 1
UE
n=1
.9
.8
.7
.6
.5
.4
n=9
.3
.2
.1
0
n=11
n=7
.1 .2 .3 .4 .5 .6 .7 .8 .9
1 ma

Pg. 66
Un 1
UE
n=1
.9
.8
.7
.6
.5
.4
n=9
.3
.2
n=11
.1
0
n=7
.1 .2 .3 .4 .5 .6 .7 .8 .9
1 ma

Un
UE
1.3
n=1
1.2
1.1
1
.9
.8
.7
.6
.5
.4
.3
n=3
.2
.1
n=5
n=7
.5
1.5
2 ma

en funcin de ma con mf=10. No se
representan los armnicos de orden 19 y
superiores.
Pg. 67
4.4. Montaje en puente trifsico.

Este inversor consta de tres ramas, cada rama del inversor funciona de manera similar a
la descrita en el montaje semipuente monofsico, el esquema de un convertidor CC/CA con
montaje en puente trifsico est representado en la figura siguiente:
T1
UE
D1
T2
T1'
D2
T3
D1'
T2'
D3
D2'
T3'
D3'
Figura 55. Montaje en puente trifsico.
La salida de cada rama con respecto al neutro N, depende nicamente de UE y del

estado de conmutacin de los IGBTs, la tensin en la carga es independiente del sentido de la
corriente puesto que siempre permanece conectado uno de los dos IGBTs.
El valor medio de la salida de cada rama con respecto al neutro es idntico, es decir, la
componente continua de las tres salidas es la misma. Esta componente continua se elimina en
las tensiones de lnea.
4.4.1.a. Pulso nico por semiciclo.
En los convertidores trifsicos con funcionamiento pulso nico por semiciclo no

haremos la distincin entre dos o tres niveles, ya que slo existe una posibilidad de
funcionamiento, donde las tensiones fase neutro conmutan entre dos niveles y las tensiones de
lnea lo hacen a tres niveles.
En este modo de funcionamiento cada IGBT est conectado medio periodo, por lo que
en cualquier instante hay tres IGBTs conectados.
Pg. 68
1N
2N
3N
12
t
Figura 56. Tension de salida del puente trifsico en
funcionamiento pulso nico por semiciclo.
Cuando T1 est conectado v1N ser UE, si conectamos T1 la tensin fase neutro ser
nula. Los mismos resultados se obtienen para las otras dos fases, teniendo en cuenta que hay un
desfase de 120 grados entre cada una de ellas.
La tensin de lnea v12 de salida est representada en la figura 22, podemos ver que se
mantiene al valor UE durante un tercio del periodo (120 grados), conmuta a cero y
posteriormente pasa a -UE durante otro tercio del periodo.
4.4.1.b. PWM senoidal.
Al igual que en el apartado anterior, en los convertidores trifsicos con funcionamiento

PWM no haremos distincin entre dos o tres niveles, ya que slo existe una posibilidad de
funcionamiento, donde las tensiones fase-neutro conmutan entre dos niveles y las tensiones de
lnea lo hacen a tres niveles.
Las tensiones fase-neutro conmutan entre +UE y cero a intervalos irregulares, teniendo
por tanto un PWM dos niveles. Cuando T1 est conectado v1N ser UE, si conectamos T1 la
tensin fase neutro ser nula. La tensin se conmuta varias veces sobre un periodo. Los mismos
resultados se obtienen para las otras dos fases, teniendo en cuenta que hay un desfase de 120
grados entre cada una de ellas.

Al igual que en los inversores monofsicos, el objetivo perseguido es controlar las
tensiones de salida trifsicas en amplitud y frecuencia, a ser posible con una alimentacin de
entrada del puente constante
Pg. 69
4.4.2.a. Control rectangular.
Slo podremos controlar la amplitud de la tensin alterna trifsica de salida si la tensin

de entrada UE es regulable. Las mismas consideraciones hechas en el control rectangular de un
montaje semipuente monofsico tienen validez en este apartado.
Las seales de conmutacin las obtenemos mediante tres seales rectagulares
desfasadas 120 grados entre s. La frecuencia de la tensin de salida ser la misma que la de las
seales rectangulares de control, por tanto, a diferencia de la amplitud de la tensin alterna, la
frecuencia de salida si que podemos controlarla.
4.4.2.b. Control PWM senoidal.
Para obtener una tensin de salida trifsica regulable, obtendremos las seales de
conmutacin de los distintos semiconductores comparando la misma seal triangular con tres
seales de control senoidales, una para cada rama, que estarn desfasadas entre s 120 grados.
Cuando la tensin de control de una determinada rama sea mayor que la seal triangular
conectaremos el IGBT superior de la rama correspondiente, en caso contrario conectaremos el
inferior.
La frecuencia de conmutacin ser la de la seal portadora, y la frecuencia de la tensin
alterna de salida ser la de la seal moduladora, si variamos la frecuencia de la seal
moduladora, variaremos la frecuencia de la tensin de salida, del mismo modo si aumentamos
la amplitud de la moduladora con respecto a la portadora, aumentamos la magnitud de la
tensin de salida.

En funcin del mtodo empleado para obtener la tensin alterna tendremos una
composicin de armnicos distinta, por tanto analizaremos por separado el funcionamiento en
pulso nico y en PWM senoidal.
4.4.3.a. Pulso nico.
Para el anlisis armnico partimos del desarrollo en serie de Fourier segn la expresin
ya conocida:

n=0
Teniendo en cuenta que las tres tensiones de salida son idnticas con la salvedad del
desfase de 120 grados, para la composicin de armnicos estudiaremos slo una de ellas,
sabiendo que:
ulinea = (an sen nt + bn cos nt )

n =1
an =
bn =
f (t ) sen ntdt
0
f (t ) cos ntdt
0
Pg. 70
obtenemos:
an = 0
bn =
2U E
2
sen n
[1 cos(n )]
3
n
El primer armnico, que es el de mayor importancia, tiene una frecuencia igual a la

frecuencia de salida f y los sucesivos son de frecuencia nf.
Podemos representar los armnicos de la tensin como se muestra en la siguiente figura:
Un
U1
1
0.5
3 4
10 11 12 13 14 15 16

salida para un inversor trifsico con
funcionamiento pulso nico.
4.4.3.b. PWM senoidal.
En los inversores trifsicos tendremos en cuenta slo los armnicos de la tensin de

lnea. Los armnicos de las tensiones de cada una de las ramas, por ejemplo de v1N, son
idnticos a los armnicos estudiados en el PWM senoidal para el montaje semipuente
monofsico, donde slo existen armnicos impares en bandas centradas alrededor de la
frecuencia de conmutacin y de sus mltiplos siempre que mf sea impar y ma < 1.
La diferencia de fase entre los armnicos que se produce a la frecuencia mf en las
tensiones de fase, por ejemplo v1N y v2N, es de (120 mf) grados. Esta diferencia de fase ser
nula (mltiplo de 360) siempre que mf sea impar y mltiplo de tres. Por tanto se anulan los
armnicos de frecuencia mf de las tensiones de lnea. El mismo argumento puede aplicarse para
los armnicos mltiplos impares de mf.
As, en las tensiones de lnea de un montaje puente trifsico eliminamos parte de los
armnicos dominantes que aparecan en los montajes monofsicos, como podemos comprobar
en la siguiente tabla.
Pg. 71
n
1
mf 2
mf 4
2mf 1
2mf 5
3mf 2
3mf 4
4mf 1
4mf 5
4mf 7
0.2
17.32
1.38
--
0.4
34.64
5.28
--
ma
0.6
51.96
11.34
--
0.8
69.28
19.05
0.71
1
86.6
27.54
1.56
16.45
--
28.23
--
32.04
--
27.19
1.12
15.67
2.85
3.81
--
12.03
1.04
17.58
4.07
15.24
9
5.37
13.59
14.11
---
13.59
---
0.69
2.94
--
9.09
7.27
1.47
5.88
10.3
4.33

de salida en % de UE considerando mf 9.
Como podemos ver en la tabla, el armnico fundamental varia linealmente respecto de

ma. La diferencia de amplitud de los armnicos presentes en el montaje trifsico con respecto a
los del monofsico se debe a que la tensin de salida es una tensin de lnea, as por ejemplo:
( u12 ) n = 3 ( u1N ) n
Con ma > 1, se pierde la linealidad, es ms, si ma es suficientemente grande, la salida del
inversor degenera en una onda de pulso nico por semiciclo. Podemos deducir que en
sobremodulacin la amplitud del armnico fundamental ser:
3U E
2 3U E
< ( u12 )1 <
2
En sobremodulacin aparecen mayor nmero de armnicos en bandas centradas
alrededor de la frecuencia de conmutacin y de sus mltiplos, pero los armnicos dominantes
pueden tener menor amplitud que en la zona lineal. Por tanto, dependiendo de la naturaleza de
la carga y de la frecuencia de conmutacin, las prdidas de potencia en sobremodulacin
pueden ser incluso menores que en la zona lineal.
Pg. 72
5. MDULO DE CONTROL Y REGULACIN

El Control del flujo de potencia se puede realizar de manera automtica solamente
efectuando un control sobre la secuencia de encendido de los conmutadores del convertidor.
Este control lo vamos a realizar mediante la funcin de existencia
5.1. La Funcin de Existencia.

La representacin precisa de la secuencia encendido de los conmutadores se realiza
mediante su expresin matemtica a la cual denominamos funcin de existencia que permitir
su representacin grfica.
5.1.1. Introduccin a la Funcin de Existencia.

La funcin de existencia de un conmutador tiene valor 1 cuando este est
cerrado y valor 0 cuando est abierto. Esta funcin de existencia ser un tren de pulsos de
amplitud unitaria como el de la siguiente figura.
Fig.58.Tren de pulsos
Ni los periodos del valor 0, ni los de valor 1, deben tener la misma duracin, pero
la condicin de que exista una secuencia repetitiva implica que la funcin de existencia es un
funcin peridica (grupos de pulsos repetitivos).
Podemos clasificar las funciones de existencia en dos grupos:
- simples o no-moduladas, en las que la suma de los pulsos de valor 1 y los intervalos
de valor 0 no mantienen una proporcin fija.
La funcin de existencia simple de la figura 2.1, tras aplicar el desarrollo de Fourier
queda expresada como:
H wt =
1 2
+
A
n =
(
n =1
n
)
A ) cos(nt )
n
sin(
Pg. 73
5.1.2 Variables de Control de la Funcin de Existencia.

Hay dos variables que definen una funcin de existencia: su amplitud y su
duracin. La amplitud por definicin est limitada a valores 0 y 1, por tanto las nicas
variables disponibles para realizar el CONTROL son de tipo temporal. Las variables
temporales pueden ser de tres tipos diferentes:
1 ) Ciclo de servicio del tren de pulsos, definido como la duracin del periodo
de valor 1 con respecto al periodo total, que obviamente corresponde a la variacin del
parmetro A en la ecuacin.
2) Frecuencia de repeticin del tren de pulsos, que corresponde a la variacin
de la frecuencia angular, w, en la misma ecuacin.
3) Fase o desplazamiento de tiempo respecto a una referencia exterior fijada.
Da lugar a una tcnica muy importante que introduce una funcin moduladora de fase en el
argumento de todos los trminos oscilatorios de la ecuacin.
Estas tres variables se pueden usar individualmente o en la combinacin
adecuada para el diseo del control deseado.
5.2. Aplicaciones de las Funciones de Existencia al control de

convertidores.
El generador debe hacer que dichas secuencias sean las correctas para obtener la
salida prevista. Por tanto, la onda de salida ser tanto ms perfecta cuanta ms precisin tenga
la combinacin de todas ellas.
El Microprocesador genera, en una memoria EPROM las funciones de
existencia de los conmutadores del convertidor a los diferentes frecuencias, a esto se le
denomina TABLA DE LAS FUNCIONES DE EXISTENCIA . Una tabla de Fes slo
representa un periodo de cada una de las funciones de existencia que la integran.
Esta tabla permanece fija durante toda la conversin y es el orden de lectura de
las posiciones de memoria lo que permite el control de la conduccin de cada semiconductor.
La secuencia de posiciones de memoria que debe ser leda y mandada a los conmutadores
vendr determinada otras variables externas .
A este tcnica se le denomina FORMA DE ONDA PROGRAMADA ya que las
funciones de existencia son almacenadas en memoria y pueden ser recuperadas como y cuando
se necesiten para efectuar la funcin deseada en el convertidor. Se puede decir que el control
Pg. 74
depende de la memoria, y por esta razn es importante elegir correctamente sus caractersticas,
en especial el tiempo de acceso que deber ser suficientemente bajo.
La cantidad de memoria necesaria para las Tablas de Fes es muy pequea en
comparacin con otros modos de control similares.
5.2.1. Tabla de Funciones de Existencia (fes).

La Longitud es el nmero de bytes consecutivos de la memoria que representan un
periodo completo de las funciones de existencia.
La Anchura es el nmero de bits de cada byte que realmente contiene una parte
proporcional de las Fes.
Tanto la longitud como la anchura de las tablas estn determinadas (y a veces limitadas)
por una serie de factores, como por ejemplo:
1.- Tipo de conversin a realizar (cada tipo impone unas Fes distintas a sus
conmutadores).
2.- N de semiconductores del convertidor seleccionado.
3.- Velocidad del sistema uP para leer un determinado nmero de posiciones por
periodo.
4.- Complejidad del software necesario para leer la tabla de Fes en funcin de unas
variables externas.
5.- N de bits de trabajo del sistema uP (en nuestro caso trabaja con 8 bits y por eso la
anchura mxima ser de ocho columnas).
La longitud y la anchura de tablas determinan:
1.- Contenido de armnicas en la onda de salida.
2.- Precisin del sistema.
5.2.2. Lectura Secuencial de una tabla de fes.

Una tabla de Fes representa un slo periodo de cada funcin de existencia. Esto
quiere decir que el tiempo invertido en leer la tabla debe ser igual a la duracin de dicho
periodo.
Se considera que todas las posiciones de memoria, permanecen vigentes el mismo
tiempo; de esta forma, la suma de estas duraciones es igual al periodo de la onda deseada. El
tiempo que transcurre entre el envo de una posicin de memoria a los conmutadores y el envo
de la siguiente se denomina tiempo de vigencia de una posicin de memoria.
El tiempo de vigencia depende de ciertos parmetros para que todas las posiciones estn
vigentes exactamente el mismo tiempo, se carga el tiempo de vigencia en un temporizador.
Este se va descontando y al llegar a cero manda una seal, de recarga y reinicia el descontaje.
A esto se denomina Modo FREE-RUN. La seal del temporizador habilita un LATCH, cuya
Pg. 75
misin es poner en contacto las lneas de salida del sistema uP con los conmutadores del
convertidor que se esta controlando, que permite el paso de las seales de control.
La lectura temporizada de cualquier Tabla de Fes se efecta de la siguiente forma:
1.- Suponemos una posicin cualquiera i vigente en la salida del LATCH
2- El LATCH permanece deshabilitado mientras el temporizador se est descontando;
en su entrada est la posicin siguiente i+l esperando que ste sea habilitado.
3- Cuando el descontaje del temporizador llega a cero, habilita el LATCH poniendo en
vigencia la posicin i+l
4- Finalmente se cierra el LATCH y se repite la misma operacin con la posicin
siguiente i+2
5.2.3. Requerimientos de Software para leer una tabla de fes.

El PROGRAMA de lectura de una Tabla de Fes tiene que cumplir, principalmente,
los siguientes requerimientos:
- Reconocer el instante de comienzo de lectura
-Reconocer determinadas posiciones de memoria en las que se deben realizar
operaciones especiales.
- Atender las seales del bucle de regulacin y actuar en consecuencia, modificando
incluso la secuencia normal de lectura.
- Tener siempre preparada la posicin siguiente, a la que est vigente en cada momento,
en la entrada del latch antes de que este sea habilitado por el temporizador.
-Atender mensajes del usuario.
-Comprobar cada una de las posiciones para detectar el final de la tabla.
- Una vez detectado el final, restaurar los punteros, registros, etc.., para que el uP pueda
comenzar a leer de nuevo el principio de la Tabla.
Las operaciones especiales, antes mencionadas, se realizan durante el transcurso de un
tv, es decir, mientras esta vigente una posicin de memoria.
Pg. 76
5.3. Pwm o generacin de una tensin alterna sinusoidal sin

armnicos .
Para generar correctamente la secuencia de ceros y unos lgicos existen diversos
procedimientos, el ms usual por la supresin de armnicos que conlleva es el PWM
(Modulacin de Anchura de Pulso).
El PWM se puede generar de diversas formas. Se puede implementar por
hardware, creando los circuitos y registros apropiados para obtener las salidas deseadas.
Tambin se podra desarrollar por software, grabando en una EPROM la secuencia de unos y
ceros lgicos que atacarn a los canales de puerta; esto es, en forma binaria.
Otros procedimientos de obtencin del PWM sern mezcla entre software y hardware,
como por ejemplo, obtener por solfware la generacin de la onda moduladora, y por hardware
la portadora y la secuencia final de pulsos que atacar a los canales de puerta.
Existen tambin diversos procedimientos que varan de unos a otros en las diversas
mejoras introducidas, tanto en sotfware como en hardware en relacin a la supresin de
armnicos e inmunidad a las interferencias electromagnticas.
5.3.1. Generacin del PWM.

Con este mtodo (PWM), el ondulador obtiene la tensin de salida recortando
adecuadamente la tensin constante con la que se alimenta.
Aislando uno de los polos del ondulador;
Fig. 59. Ondulador
Pg. 77
vemos que la tensin de salida esta formada por una sucesin de ondas rectangulares de
amplitud igual a la tensin continua de alimentacin y duracin variable segn la ley de
modulacin escogida. Si la carga presenta una constante de tiempo elevada, por ejemplo el
estator de un motor, al controlar los dos contactores siguiendo un modelo senoidal, la tensin
fundamental de salida y la corriente en la carga se aproximan a una seal senoidal.
Fig.60. Modulacin PWM
Las leyes de modulacin son numerosas, las ms difundidas comparan, en

general, tensiones de referencia, que son imagen de la tensin de salida buscada, a una seal
triangular simtrica cuya frecuencia es mltiplo de la frecuencia de la onda fundamental. Esta
seal triangular se denomina portadora.
Veamos lo que sucede a lo largo de un periodo de la seal triangular:
Fig..61. Comparacin entre la seal triangular y la referencia
Se superpone a la seal triangular una tensin de referencia uo, esta dos seales se
cortan en los puntos de abcisas y 2-. Sus intersecciones determinan el valor medio de la
tensin troceada que viene dada por la expresin:
Pg. 78
U moy =
E 2
(
1)
2
; siendo E la tensin continua de alimentacin.
Por otra parte:
(1 +
U0
)
Up
; siendo up el valor de cresta de la
portadora.
De ambas ecuaciones podemos obtener la relacin:
2U moy
E
U0
Up
Como en un troceador, Umoy es proporcional a Uo. Si Uo es una tensin senoidal

de frecuencia fo<<fp se obtendr una tensin Umoy tambin senoidal proporcional a Uo/Up ; se
puede regular la tensin de salida del Ondulador actuando sobre esta relacin de tensiones. La
respuesta de este tipo de montaje es muy rpida ya que su retardo estadstico es igual a un
semiperiodo de la seal triangular.
A la seal de referencia tambin se le denomina moduladora .
El valor de la relacin de frecuencia entre la portadora triangular y la
moduladora resulta de un compromiso entre una buena neutralizacin de armnicos y un buen
rendimiento del ondulador, rendimiento que se deteriora a medida que la frecuencia de
troceado aumenta. Esto es muy acusado en los Onduladores con tiristores.
Tomemos ahora el caso de una portadora triangular a la que se superpone una
seal de referencia senoidal , y examinemos la onda de tensin que resulta, tomada entre la
salida de los dos troceadores y el borne negativo de la alimentacin. Con la condicin de que
UoUp, se observa que cada interseccin de las dos seales superpuestas controla el cambio de
estado de un comparador que da las rdenes de conmutacin a los troceadores que constituyen
una fase del Ondulador. La tensin de salida slo puede tener, instantneamente, dos valores:
Ue y 0 voltios.
Pg. 79
Fig.62. Portadora triangular con referencia senoidal
Fig. 63. Formas de onda de la comparacin
El principio descrito para una fase se aplica, naturalmente, al montaje trifsico

representando en la figura 64. Un generador de onda triangular suministra a las tres fases la
portadora comn. La referencia es propia de cada fase, estando las tres fases decaladas 120.
Fig. 64. Comparacin Trifsica
El esquema de la figura 65 muestra el principio de la modulacin trifsica. Las

tensiones de cada polo son, aqu tambin, bipolares, de valor Ue y 0 voltios; mientras que las
tensiones entre fases tienen tres estados posibles +Ue, cero, -Ue.
Pg. 80
Fig. 65. Principio de modulacin trifsica
5.3.2 Variacin de la tensin en la salida

Al aplicar el tren de pulsos modulado a los dos conmutadores de una fase
obtenemos una tensin sinusoidal de amplitud constante prxima a Ue (la tensin continua de
alimentacin), para obtener una tensin de salida variable en amplitud existen varios mtodos
de los que sealaremos los ms importantes.
a. Ondulador configurando en medio-puente
1- Variar la amplitud de la onda de referencia senoidal manteniendo constante la de la

onda portadora (tambin se puede hacer al contrario pero resulta ms dificulto).
Este procedimiento de control de amplitud y el mtodo de forma de onda
programada son incompatibles.
2- Alimentar el Ondulador con una tensin continua variable. Dicha variacin se
efecta bien mediante un Chopper, o bien directamente con un rectificador de conmutadores
controlables.
b. Ondulador configurado en puente completo
El mtodo ms importante para la variacin de la amplitud a los Onduladores en

Puente-completo es el Desplazamiento Controlado. Este mtodo se basa en la relacin entre
las tensiones de los polos que constituyen cada fase.
Pg. 81
Para una fase del Puente-completo en las que U10 y U10 son las tensiones de ambos
polos mientras que U10 , que es la tensin de fase, se define como:
U10 = U10 - U10
T1
UC
T2
D1
D2
T1 '
D 1'
D2'
T2 '
UE
Ls
Fig. 66. Fase del puente completo
Como sabemos, el funcionamiento deseado en el polo se consigue aplicando al

conmutador T1 una funcin de existencia H2 y al conmutador T1 la funcin H2,
complementaria de H1.
Si aplicamos tambin H1 y H2 respectivamente a los conmutadores T2 y T2 del
segundo polo, obtenemos una U10 igual, en cada instante, a U10. En este caso, segn la
ecuacin anterior, la tensin de fase U10 permanece nula en todo momento. Podramos decir
que, para un desplazamiento nulo (0 grados ) entre las funciones de existencia de los polos 1 y
2 la tensin de salida se anula.
Si aplicamos a T2 y T2 las funciones de existencia complementarias de H1 y H2
respectivamente, conseguiremos que:
1.- Mientras el polo 1 produce una tensin U10 = Ue, el polo 2 anula su tensin
U10. Por tanto, U10 es igual a la mxima tensin positiva.
U10 = +Ue
Pg. 82
2.- De la misma forma, cuando el polo 2 genera una tensin U10, la tensin
producida por el polo 1 es nula. En consecuencia, la tensin de fase es mxima aunque con
signo negativo.
U10 = - Ue
En definitiva, cuando el desplazamiento entre las funciones de existencia de los polos 1
y 2 es mximo, 180 grados (o sea, son complementarias entre si), la tensin de fase es mxima.
Variando el ngulo de desfase, o desplazamiento, entre las funciones de existencia de
ambos polos, en un rango de 0 a 180 grados, obtenemos una modulacin de la tensin por fase
entre 0 voltios y la tensin de alimentacin Ue, (aunque nunca llega a alcanzar este valor
mximo).
5.4. Indices de modulacin en frecuencia y en amplitud en PWM.

Hemos visto que para obtener una tensin de salida PWM , compararemos una seal
variable en el tiempo (como puede ser una seal triangular), que llamaremos portadora, con
una seal de control, o moduladora, que es constante o que varia lentamente con respecto a la
portadora; si la seal de control es senoidal tenemos un PWM senoidal.
Es importante matizar que el principio de la tcnica PWM no es exclusivo para una
seal de control senoidal, es decir, la seal moduladora puede ser cualquiera siempre que vare
lentamente en relacin con la portadora. Debido a que estamos estudiando inversores donde la
tensin de salida que queremos obtener es alterna senoidal nos acogemos al PWM senoidal, ya
que se ajusta de forma satisfactoria a los requerimientos exigidos.
As para generar una tensin de salida senoidal, comparamos una seal de control
senoidal con una seal triangular. La frecuencia de la triangular (portadora), establece la
frecuencia de conmutacin del inversor. La seal de control (moduladora), modula la relacin
entre los tiempos de conexin y desconexin de los semiconductores, estableciendo la
frecuencia de la tensin alterna de salida y la magnitud de la tensin de salida.
En la tcnica PWM se define el ndice de modulacin en frecuencia (mf) y la relacin
de modulacin en amplitud (ma) como:
mf =
fp
fm
ma =
Vm
Vp
El ndice de modulacin en frecuencia es el cociente entre la frecuencia de la seal

triangular y la de control, y la relacin de modulacin en amplitud resulta del cociente de la
amplitud de la seal de control entre la de la seal triangular.
5.4.1. Indice de modulacin en frecuencia (mf ).

Puesto que es relativamente fcil filtrar los armonicos de tensin de orden superior, es
recomendable utilizar una frecuencia de conmutacin tan alta como sea posible, teniendo en
Pg. 83
cuenta que las perdidas por conmutacin en el inversor aumentan proporcionalmente con la
frecuencia.
En la mayora de las aplicaciones, la frecuencia de conmutacin se escoje o bien menor
de los 6 kHz o bien mayor de los 20 kHz, esto se hace para evitar el rango de frecuencias
audibles.
Si la frecuencia de conmutacin ptima para una determinada aplicacin est dentro de
el rango de frecuencias audibles, casi con toda seguridad, las desventajas que produzca un
aumento de la frecuencia de conmutacin por encima de los 20 kHz son compensadas por las
ventajas de un ruido no audible.
Por tanto en aplicaciones de 50 o 60 Hz, tales como accionamientos de motores (donde
la frecuencia fundamental de la salida del inversor requerida debe ser hasta un mximo de 200
Hz), el indice de modulacin en frecuencia debe ser 9 o incluso menor para las frecuencias de
conmutacin menores de 2 kHz. Por otro lado, mf debe ser mayor que 100 para frecuencias de
conmutacin mayores de 20 kHz.
Por otra parte, debemos evitar un indice mf que produzca interferencias en las llamadas
frecuencias prohibidas, como son las de seales de ferrocarril o de telefona.
Indice de modulacin en frecuencia pequeo (mf 21).
Para pequeos valores de mf la seal triangular y la seal de control deberan estar

sincronizadas, dando lugar a lo que se conoce como PWM sncrono. Este tipo de PWM
requiere que mf sea un nmero entero. La razn de utilizar un PWM sincrono consiste en que
en el asincrono se generan una serie de subarmnicos de la frecuencia fundamental que son
indeseables en un gran nmero de aplicaciones.
Para valores muy pequeos de mf es particularmente importante hacer coincidir los
pasos por cero de las seales portadora y moduladora, de modo que en ese punto, la pendiente
en una seal sea de signo contrario a la de la otra.
Indice de modulacin en frecuencia grande (mf > 21).
La amplitud de los subarmnicos debidos al PWM asncrono son pequeos para valores
altos de mf , por tanto puede utilizarse este procedimiento cuando la frecuencia de la triangular
se mantenga constante, mientras que la frecuencia de la seal de control vara. No obstante, si
el inversor est alimentando un motor de corriente alterna, debe evitarse un PWM asncrono,
puesto que los subarmonicos de frecuencia cero o muy prxima a cero, incluso aunque sean
muy pequeos en amplitud, producirn grandes corrientes, las cuales son muy perjudiciales, y
por tanto indeseables.
5.4.2. Relacin de modulacin en amplitud (ma ).

La relacin de modulacin determina la amplitud del primer armnico de la tensin de
salida. Para 0 < ma < 1 el valor de la amplitud de dicho armnico vara linealmente con ma y
los dems armnicos de la tensin alterna de salida aparacen en bandas centradas alrededor de
la frecuencia de conmutacin y de sus mltiplos, es decir, alrededor de los armnicos mf , 2mf ,
3mf , etc.
Pg. 84
Sobremodulacin (ma > 1).
Si deseamos que la amplitud de la componente fundamental sea mayor que la

proporcionada en el rango lineal descrito anteriormente tenemos que hacer ma > 1, esta
operacin se denomina sobremodulacin. La sobremodulacin proboca ms armnicos en
comparacin con el rango lineal.
Los armnicos con amplitudes dominantes en el ramgo lineal, pueden no serlo durante
la sobremodulacin. En aplicaciones donde se aplique una sobremodulacin es recomendable
utilizar un PWM sincrono, as como hacer coincidir los pasos por cero de las seales portadora
y moduladora, de modo que en ese punto, la pendiente en una seal sea de signo contrario a la
de la otra.
En aplicaciones de fuentes de alimentacin ininterrumpida hay que evitar la
sobremodulacin a toda costa para minimizar la distorsin de la tensin de salida, en cambio,
en accionamientos de motores de induccin es ms comn encontrar aplicaciones con
sobremodulacin.
Si ma es suficientemente grande, la salida del inversor degenera en una onda cuadrada,
se pierden las caractersticas del inversor modulado en anchura de impulsos, pasando a la
categora de inversor de onda cuadrada.
6. Circuitos de puerta (Drivers).

La seal de control de conmutacin la suministra normalmente como hemos visto en el
capitulo anterior, un circuito lgico digital, estos circuitos no pueden actuar sobre la puerta del
IGBT directamente puesto que a menudo no estn preparados para suministrar una corriente de
puerta de la magnitud apropiada. Se hace necesario un circuito interface entre las seales de
control y la puerta del IGBT.
6.1. Generalidades.
El circuito de puerta del IGBT es de suma importancia ya que de el depende la
velocidad de la conmutacin, ya que la pendiente de VCE y de IC durante la conmutacin tienen
una dependencia directa con la corriente de puerta. Esto permite al diseador controlar la
velocidad de la conmutacin.
Influye por tanto en los tiempos de conmutacin de encendido y apagado, as como en
sus energas correspondientes y en la frecuencia mxima de conmutacin.
La principal desventaja de una conmutacin rpida consiste en el aumento de los
problemas debidos a las corrientes de recuperacin inversa en diodos de libre circulacin y en
las sobretensiones producidas por las inductancias parsitas. Teniendo en cuenta estos aspectos
la conmutacin ser tan lenta como sea posible siempre que las perdidas por conmutacin no
sean importantes.
6.2. Topologas bsicas.

No trataremos de dar una descripcin detallada de las diferentes topologas posibles,
puesto que estas son muy numerosas, se tratar de dar una nocin bsica de las topologas para
un circuito de puerta.
Pg. 85
Un circuito muy simple es el siguiente:

V GG
R1
R2
Comparador
Figura 67. Circuito de puerta de un IGBT con

velocidad de conmutacin lenta.
El funcionamiento es bien sencillo, el transistor de salida del comparador (por ejemplo

el LM311) controla el IGBT. Si el transistor de salida esta cortado el IGBT podr conducir si
su tensin VCE es positiva y viceversa. Cuando el transistor conduce debe absorber una
corriente VGG/R1, para evitar grandes prdidas en el control la resistencia R1 tendr que ser
elevada, lo que har que la conmutacin del IGBT sea ms lenta.
Un mtodo simple de evitar el problema anterior es utilizar dos transistores en
configuracin totem-pole de modo que el comparador acta sobre la entrada totem-pole.
VGG
RG
Comparador
Figura 68. Circuito de puerta con configuracin totempole para tiempos de conmutacin rpidos.
Si el IGBT requiere tensiones positivas para el encendido y negativas para el apagado,

se utilizaran dos tensiones simtricas respecto del emisor del IGBT como se muestra en la fig.
VGG
RG
- V GG
Figura 69. Circuito de puerta con alimentacin simtrica.
Pg. 86
6.3. Aislamiento del circuito de puerta.

Es necesario aislar el circuito de puerta del de potencia mediante optoacopladores o
transformadores de aislamiento.
Con el uso de optoacopladores hay que tener la precaucin de aislar la fuente de
alimentacin VGG del terminal de emisor de IGBT.
En los circuitos de puerta con transformadores de aislamiento se puede transmitir la
seal de control, as como la potencia necesaria, a travs del propio transformador, esto hace
innecesario el uso de optoacopladores.
Estas consideraciones conducen al empleo de un semidriver en el circuito de puerta, en
el mdulo de potencia, y nos aporta, entre otras muchas, las siguientes propiedades y
funciones:
1.- Genera los impulsos necesarios para gobernar la puerta de los IGBT.
2.- Podr medirse la temperatura del radiador con un termodisyuntor bimetlico
(bimetal termal trip), una seal de error se activar cuando la temperatura sea excesiva.
3.- Constituye una proteccin contra cortocircuitos para dos IGBTs conectados
en serie. Los dos IGBTs de la rama del puente estarn interconectados para evitar que ambos
conduzcan simultneamente. En caso de cortocircuito ambos IGBTs sern desconectados
inmediatamente. Una memoria de error evita que los IGBTs se activen de nuevo. El tiempo de
bloqueo entre la seal de apagado de un IGBT y el disparo de la seal de activacin del otro es
de 2.7 s ( > tdoff ), ste tiempo podr aumentarse por medio de una resistencia externa.
4.- Las seales de conmutacin las transmiten unos transformadores de
aislamiento. Las tensiones de aislamiento se dan en las hojas de caractersticas. El gradiente de
tensin mximo entre el primario y el secundario es 25 kV/s.
5.-Las entradas tienen caracterstica como disparadores de Schmitt para suprimir
impulsos espreos. Los impulsos de encendido y apagado menores de 0.5 s no se transmiten.
6.- Para optimizar las velocidades de encendido y apagado pueden conectarse
resistencias externamente de acuerdo con las condiciones de funcionamiento.
Cada semidriver descrito controla la puerta de los dos IGBTs de la misma rama por lo
que sern necesarios tres semidriver, uno por cada rama.
Pg. 87
7. APLICACIN PRCTICA
7.1. Mdulo de potencia.
Internamente, el mdulo se compone de dos montajes puente claramente
diferenciados: un montaje puente trifsico de diodos, cuya principal aplicacin ser
proporcionar una tensin rectificada unidireccional al otro montaje puente, formado por tres
ramas con dos IGBTs en serie cada una, y un diodo en antiparalelo con cada IGBT.
T1
UE
D1
T2
T1 '
D2
T3
D1'
T2'
D3
D2'
T3 '
D3'
Figura 70. Montajes en puente que componen el

mdulo de potencia.
Tambin consta de tres semidriver necesarios para el buen funcionamiento del puente
de IGBTs.
A continuacin, vamos a describir por separado cada una de las partes que lo
componen.
7.1.1. Rectificador de potencia.

A la hora de seleccionar un rectificador o convertidor CA/CC con unas buenas
prestaciones, se hace necesario fijarse en las caractersticas en tensin y corriente continuas
para alimentar a los transistores IGBTs. El requerimiento ms importante para su alimentacin
a partir de una fuente de tensin continua es que no exista gran cantidad de armnicos ni un
rizado excesivo a la salida, reducindose de este modo notablemente las prdidas en los IGBTs.
Por su coste, y por no necesitar un control de la tensin continua se elige para el
rectificador, semiconductores no controlados.
Por estos motivos el rectificador que se utiliza es un puente de diodos trifsico. ste, al
proporcionarnos a su salida una tensin hexafsica, nos ofrece una tensin rectificada con un
Pg. 88
nmero menor de armnicos que los puentes monofsicos. As mismo, al disponer de esa
forma de onda, a la hora de filtrar ser ms fcil reducir el rizado de la tensin y de la corriente.
t
2
p
Figura 71. Tensin de salida de un puente trifsico.
El rectificador de potencia se compone de tres ramas de dos diodos en serie cada

una. Cada rama completa es un bloque.
7.1.2. Filtro del rectificador.

El rectificador debe proporcionar una tensin continua as como una corriente
libre de rizado, al menos en un porcentaje tolerable. Esto se consigue filtrando la onda de
tensin de salida del circuito de potencia.
Para obtener factores de rizado pequeos sin necesidad de utilizar grandes
inductancias o capacidades, se emplean los filtros denominados de seccin L, donde se
combinan con la induccin en serie un condensador en paralelo.
Debido a que cuanto mayor sea el rizado mayores sern las prdidas de los
IGBTs, reduciremos dentro de lo posible dichas ondulaciones, para lo cual fijamos un factor de
rizado Q = 0.1 %.
En el diseo del filtro LC se opta por una relacin L/C relativamente pequea.
De esta manera reducimos las sobretensiones al desconectar la carga y anlogamente
reducimos las bajadas de tensin al conectar la carga. Por otro lado cuanto menor sea L
menores sern las prdidas en el filtro.
Un filtro con dos condensadores en serie, quedara configurado como muestra la
figura
Pg. 89
L
C
Uc
+
M
Figura 72. Filtro para el rectificador de potencia.
En cuanto a la inductancia del filtro, en los circuitos electrnicos de potencia, las

inductancias necesarias para determinadas aplicaciones, como son las destinadas al filtro de
alisado que nos ocupa, presentan un problema especial, puesto que a diferencia de otros
componentes como los condensadores, slo estn disponibles en un pequeo abanico de
caractersticas y propiedades.
7.1.3. Puente de IGBTs.

A la hora de realizar un estudio de convertidores CC/CC y CC/CA necesitamos
los semiconductores apropiados para tales efectos y pensamos en las posibilidades de mercado.
De entre las distintas posibilidades de semiconductores convencionales (tiristor,
BJT, MOSFET, MCT e IGBT), nos decantamos por este ltimo por los siguientes motivos:
1.- Los denominados contactores estticos a tiristores requeriran un importante tamao
del equipo, ya que requieren muchos accesorios y protecciones, como son los condensadores
de extincin y los circuitos de proteccin, adems estos contactores estn muy limitados en
cuanto a frecuencia de conmutacin por lo que se desecha esta posibilidad.
2.- La combinacin monoltica en la misma oblea del IGBT para combinar las mejores
cualidades de los BJTs y los MOSFETs, puesto que tienen caractersticas que se complementan
mutuamente en algunos aspectos. Comparativamente, los BJTs tienen prdidas de conduccin
ms bajas en el estado de encendido, especialmente en dispositivos con grandes tensiones de
bloqueo, pero tienen tiempos de conmutacin ms largos, principalmente en el apagado; por
contra, los MOSFETs se pueden encender y apagar mucho ms rpido, pero sus prdidas en el
estado de conduccin son mayores, sobre todo en los dispositivos con tensiones de bloqueo
ms altas (unas pocas centenas de voltio o ms). El IGBT se sita en la media de dichas
caractersticas.
3.- El avance tecnolgico y el desarrollo del IGBT durante los ltimos aos, ha
hecho que obtenga una gran aceptacin en el mercado y en la industria. Adems sus
aplicaciones en convertidores estn en continuo aumento, cosa que an no ha ocurrido con el
MCT.
Pg. 90
El puente de IGBTs se compone de tres ramas de dos IGBTs en serie cada una,
adems cada IGBT posee un diodo en antiparalelo, cada rama completa es un bloque que puede
adquirirse directamente en el mercado.
Tambin pueden adquirirse en el mercado un bloque que contenga el puente
completo, esto es el conjunto de las tres ramas, al igual que con el rectificador de potencia esta
posibilidad se acepta, pues se hara ms compacto el equipo.
En el mercado podemos encontrar bloques que contienen IGBTs homogneos
(IGHT), estos fueron diseados para mejorar los IGBT con estructura epitaxial (IGET). El
IGHT, puesto que es un IGBT, se controla por tensin ofreciendo beneficios tanto de la
tecnologa MOS como de la BIPOLAR, proporcionando una alta impedancia de entrada y
velocidad de conmutacin, adems de las siguientes ventajas:
1.- La fabricacin interna del diodo de libre circulacin reduce cuatro de las
inductancias ms importantes como se muestra en la figura 4. Con la eliminacin de estas
inductancias junto con el diodo de libre circulacin se reduce el pico de tensin durante la
desconexin con lo que se podrn alcanzar mayores velocidades de conmutacin o bien
obtener menos prdidas por conmutacin.
4
2
7
1
Figura 73. Reduccin de las inductancias parsitas.
2.- La ausencia de grandes picos hace innecesarios los costosos circuitos de

proteccin (snubbers) eliminando de ste modo del 10 al 20% de los costes del circuito por
mdulo, eliminando tambin otra fuente importante de prdidas de potencia.
3.- Debido a que el diodo de libre circulacin tiene una recuperacin inversa
muy rpida, no se necesitan snubbers para la corriente en la conexin.
4.- El IGHT no posee capa amortiguadora, dicha capa se dopa con impurezas
como el oro o el platino. Cuando se alcanzan altas temperatura, estas impurezas tiene el efecto
negativo de aumentar la cola de los IGBTs entre 2 y 5 veces; al eliminar la capa se reduce la
corriente de cola a altas temperaturas permitiendo mayores frecuencias de conmutacin y
menores prdidas por conmutacin. Como puede verse en la figura 15 a altas temperaturas se
obtiene un incremento de la corriente de cola de slo el 30%.
Pg. 91
5.- El IGHT posee un coeficiente de temperatura positivo, consiguindose una

distribucin equitativa de corriente de dos mdulos conectados en paralelo, esto es debido a
que la cada de tensin directa en estado de encendido VCEsat es prcticamente independiente de
la temperatura.
6.- La unin n+p+ debida al diseo con capa epitaxial permite el aumento de la
eficacia del emisor con altas corrientes existiendo la posibilidad del fenmeno de bloqueo de
puerta (latch up).
Los polos positivo y negativo de las ramas se unen mediante una placa de
aluminio, para evitar de este modo inductancias parsitas y reducir el nmero de cableados
internos.
7.2. Mdulos SEMITRANS M IGBT de SEMIKRON.

El IGBT simtrico o sin capa amortiguadora visto hasta ahora tambin tiene otras
denominaciones como IGBT sin capa insertada NPT (no punch throught) o IGBT homogneo
(IGHT). Del mismo modo el IGBT asimtrico tambin se denomina de capa insertada PT
(punch throught) o IGBT epitaxial (IGET).
7.2.1. Ventajas de los mdulos SEMITRANS M IGBT.

Este tipo de mdulos utiliza IGBTs homogneos. El IGHT fue diseado para mejorar
los IGBT con estructura epitaxial.
El IGHT, puesto que es un IGBT, se controla por tensin ofreciendo beneficios tanto de
la tecnologa MOS como de la BIPOLAR, proporcionando una alta impedancia de entrada y
velocidad de conmutacin, una eficaz distribucin de corriente cuando trabajan mdulos en
paralelo y prdidas por conmutacin prcticamente independientes de la temperatura.
Estas caractersticas, junto con el rea de funcionamiento seguro, el diseo de los
mdulos para reducir las inductancias parsitas y un tratamiento tecnolgico del material para
obtener una vida til ms larga, permite su utilizacin con altas tensiones, corrientes y
frecuencias sin necesidad de circuitos auxiliares adicionales.
7.2.1.a. Diseo con diodo interno.
El diseo de los mdulos SEMITRANS M tiene una ventaja importante consistente en

la fabricacin interna del diodo de libre circulacin reduciendo 4 de las inductancias ms
importantes como se muestra en la figura 13.
Pg. 92
2
3
5
6
Figura 74. Reduccin de las inductancias parsitas

en un mdulo doble.
Con la eliminacin de estas inductancias junto con el diodo de libre circulacin se

reduce el pico de tensin durante la desconexin con lo que se podrn alcanzar mayores
velocidades de conmutacin o bien obtener menos prdidas por conmutacin.
La ausencia de grandes picos hace innecesarios los costosos circuitos de proteccin
(snubbers) eliminando de ste modo del 10 al 20% de los costes del circuito por mdulo,
eliminando tambin otra fuente importante de prdidas de potencia.
Debido a que el diodo de libre circulacin tiene una recuperacin inversa muy rpida,
no se necesitan snubbers para la corriente en la conexin.
7.2.1.b. Coeficiente de temperatura positivo.
Con este coeficiente se consigue una distribucin equitativa de corriente de dos

mdulos conectados en paralelo, esto es debido a que la cada de tensin directa en estado de
encendido VCEsat es prcticamente independiente de la temperatura.
Cuando funcionan dos chips en paralelo el chip que disipa mayor potencia se calentar
ms, de manera que fuerza al otro chip a conducir ms corriente, al aumentar la corriente en el
otro chip tambin aumenta la temperatura, ecualizndose en cierto modo las temperaturas de
ambos chips.
Es importante destacar que el IGET tiene una zona, en la que no se produce una
distribucin de corriente ya que el chip ms caliente es el que conduce ms corriente.
7.2.1.c. Sin capa amortiguadora.
El IGHT no posee capa amortiguadora, dicha capa se dopa con impurezas como el oro
o el platino. Cuando se alcanzan altas temperatura, estas impurezas tiene el efecto negativo de
aumentar la cola de los IGETs entre 2 y 5 veces; al eliminar la capa se reduce la corriente de
cola a altas temperaturas permitiendo mayores frecuencias de conmutacin y menores prdidas
por conmutacin.
La unin n+p+ debida al diseo con capa epitaxial permite el aumento de la eficacia del
emisor con altas corrientes existiendo la posibilidad del fenmeno de bloqueo de puerta (latch
up).
Pg. 93
7.2.2. Informacin tcnica de los mdulos SEMITRANS M IGBT.

7.2.2.a. El chip IGBT.
El IGBT tiene una puerta aislada por una capa de xido y una fina estructura celular,
como un MOSFET de potencia pero sobre la capa de colector (drenador) tiene una unin PN,
la cual inyecta portadores minoritarios en el canal cuando el IGBT est en estado de
conduccin, as se reduce considerablemente las prdidas en el estado de conduccin, debido a
esta estructura, el IGBT exhibe una mezcla de propiedades entre MOSFET y BJT.
Dentro de las propiedades similares al MOSFET tenemos:
- Puerta controlada por tensin.
- Capacidad de entrada, la cual tiene que ser cargada y descargada durante la
conexin y desconexin.
- Peligro de dao por descarga electrosttica.
En cuanto a las del BJT tenemos:
- La tensin de saturacin en conduccin depende slo un poco de la corriente
de colector; no se produce incremento de la resistencia directa con la temperatura. Por tanto,
las prdidas de potencia en el estado de conduccin son pequeas.
- Despus del apagado, los portadores minoritarios necesitan tiempo para
recombinarse, lo cual produce una corriente de cola.
Debido a la capa de colector tipo p, el IGBT tiene forma de estructura de cuatro capas
entre el emisor y el colector, formando un tiristor parsito. Este tiristor puede producir el
bloqueo de puerta (latch up) con corrientes de colector muy altas. Si tiene lugar el bloqueo de
puerta el IGBT no puede desconectarse mediante la puerta. Con los mdulos SEMITRANS M
IGBT, sin embargo, este comportamiento se ha eliminado mediante una estructura NPT.
PUERTA
EMISOR
+
n
p+
_
n
p+
COLECT
OR
Figura 75. Estructura de un IGBT simtrico de

SEMIKRON.
Pg. 94
7.2.2.b. Polaridades y denominacin de los terminales.
En el estado de conduccin la unin de la capa de colector est inundada por portadores

de carga. El IGBT funciona por tanto como un transistor npn con una puerta MOS. En
consecuencia, el terminal correspondiente al drenador de MOSFET de potencia se llama
colector, y el correspondiente a la fuente se llama emisor.
La tensin de control se aplica entre puerta y emisor, con tensin de puerta positiva el
IGBT se enciende y la corriente de salida positiva (corriente de colector) fluye del colector al
emisor. No es posible el flujo de corriente de salida en direccin contraria, para ello se provee
un diodo inverso, el cual conduce esta corriente.
7.2.2.c. Tensin de saturacin (VCE sat).
Con corriente de colector constante la tensin colector-emisor VCE disminuye cuando

aumenta la tensin de mando, hasta que se alcanza un valor de saturacin por debajo del cual
no caer aunque tengamos valores de la tensin de mando muy altos.
Este valor de saturacin multiplicado por la corriente de colector, da el valor ms bajo
posible de la disipacin de potencia en estado de conduccin (excluyendo las prdidas por
conmutacin).
7.2.2.d. Tiempos de conmutacin y control de puerta.
En los transistores bipolares estos tiempos estn referidos en base a las formas de onda
de la corriente de base y la corriente de colector; por el contrario, en los IGBTs, estos tiempos
estn referidos en base a la tensin de puerta y la corriente de colector.
V CE
90%
10%
V CE
I
C
90%
90%
CT
10%
10%
ta
td(on)
tb
tr
t2
t1
td(off)
ton
tf
to ff
Pg. 95
t3
Figura 76. Formas de onda de la tensin de mando (VGE), tensin colectoremisor (VCE) y corriente de colector(IC) durante la conexin y la desconexin.
La figura 18 muestra las formas de onda tpicas. Puesto que estas formas de onda
dependen de las condiciones del circuito, los valores dados en los catlogos slo deben usarse a
nivel de orientacin. Los valores exactos slo podrn medirse en el circuito prctico.
Durante el encendido se produce un pico de corriente debido a la corriente de
recuperacin del diodo de libre circulacin; durante la desconexin se produce un pico de
tensin VCE debido a las inductancias parsitas.
Los tiempos de conmutacin del IGBT dependen principalmente de la capacidad
interna y las inductancias parsitas junto con la resistencia interna de la fuente de tensin del
control de puerta. Para cargar y descargar las capacidades rpidamente y para reducir los
transitorios debidos a la inductancia del circuito de puerta es aconsejable una baja impedancia
interna de la fuente de tensin de control. Esto reduce los tiempos y las prdidas de
conmutacin.
Por otra parte, un encendido muy rpido provoca un pico de corriente de recuperacin
inversa muy alto a travs del diodo, que aparece en el IGBT como un pico adicional de la
corriente de colector, y en desconexiones muy rpidas se produce un transitorio de tensin muy
alto debido a la inductancia parsita entre colector y emisor. Por tanto debe encontrarse una
situacin de compromiso en la resistencia de puerta.
En cualquier caso es muy importante reducir al mnimo las inductancias parsitas en el
circuito de puerta utilizando cables lo ms cortos posible. Esta inductancia junto con la
capacidad parsita de los IGBTs puede generar oscilaciones indeseables. Por la misma razn,
la conexin entre el emisor y el circuito de puerta tiene que hacerse a travs del terminal
diseado especficamente para ello, as eliminamos cualquier acoplamiento con el circuito
principal de emisor.
La tensin de puerta emisor mxima VGEmax, que se especifica en el catlogo como
VGES (en la mayora de los casos 20 V), no debe excederse bajo ningn concepto, puesto que
esto provocara inmediatamente la destruccin del IGBT. Se recomienda conectar un diodo
zener entre la puerta y el emisor como una medida de proteccin.
Los tiempos de conmutacin dados en las hojas de caractersticas estn medidos en el
circuito siguiente:
RL
C
R Gon
3,3
LL
VGE
VCC
E
R Goff
3,3
Figura 77. Circuito para medir los tiempos de

conmutacin.
Pg. 96
Para mayor informacin concerniente al control de puerta de los IGBT ver el apartado
dedicado al SEMIDRIVER SKHI 21.
Tiempos durante el encendido.
Para encender un IGBT se genera una tensin ascendente en el circuito de control de

puerta. Debido a la resistencia interna de la fuente de tensin y a las capacidades internas de
puerta-emisor del IGBT, la tensin real de puerta-emisor VGE se eleva escalonadamente.
Cuando ha alcanzado la tensin de umbral VGE(th) la corriente de colector comienza a aumentar.
El intervalo de tiempo entre el instante en que VGE alcanza el 10% de su valor final y el
instante en que IC ha alcanzado el 10% de su valor final, se llama tiempo de retardo de
encendido td(on).
En el intervalo de tiempo posterior cuando la corriente de colector IC alcanza el 90% de
su valor final se llama tiempo de subida tr. Durante este periodo de tiempo tienen lugar la
mayor parte de las prdidas de potencia de encendido.
La suma del tiempo de retardo de encendido y del tiempo de subida recibe el nombre de
tiempo de encendido ton.
Al final del ton , la tensin colector-emisor VCE normalmente an no a cado a su valor
final VCEsat (ver figura 18). Esto deber tenerse en cuenta durante el clculo de la disipacin en
el encendido.
El pico de la corriente de colector mostrado se debe al pico de recuperacin inversa de
la corriente del diodo de libre circulacin. Este pico de corriente tambin debe tenerse en
cuenta para cualquier clculo de disipacin de potencia en el encendido.
Tiempos durante el apagado.
Para descebar el IGBT, la tensin en el circuito de control de puerta debe bascular de

forma instantnea a cero. No se requiere una tensin de puerta negativa, puesto que slo
reducira de forma insignificante el tiempo de apagado o desconexin. De nuevo la resistencia
del circuito de puerta tiene gran influencia.
Primero hay un tiempo de retardo al apagado td(off) perteneciente al instante en que la
tensin puerta-emisor ha cado al 90% de su valor inicial y el instante en que la corriente de
colector ha descendido al 90% de su valor inicial. El intervalo de tiempo posterior en que la
corriente de colector cae al 10% de su valor, se llama tiempo de bajada tf.
La suma de td(off) y tf se denomina tiempo de apagado o de desconexin toff.
7.2.2.e. Corriente de cola ICT , tiempo de cola.
El reducir las prdidas en el estado de conduccin del IGBT favorablemente con

respecto al MOSFET, como ya se ha visto, trae como consecuencia la corriente de cola. As,
para frecuencias de conmutacin entre 10 y 20 kHz las prdidas de conmutacin previstas de
los mdulos SEMITRANS M IGBT estn diseadas para una corriente de cola muy baja que
no aumenta con la temperatura de la unin, esto se consigue a expensas de una tensin de
saturacin un poco mayor que la mnima posible.
La corriente y el tiempo de cola son propiedades intrnsecas al IGBT, pero tambin
dependen de las condiciones de funcionamiento. La disipacin de energa durante el intervalo
de tiempo t2 - t3 viene dada en los catlogos para unas condiciones determinadas; este valor
tpico puede emplearse para establecer comparaciones o para hacer aproximaciones.
La ecuacin que pone de manifiesto estas perdidas es:
Pg. 97
t3
Woff 23 = iC VCE dt
t2
Como la tensin colector-emisor ya ha alcanzado su valor final para t2, en la mayora de

los casos,
t3
Woff 23 = VCCE iC dt
t2
Para el clculo exacto de la disipacin de potencia las formas de onda de corriente y

tensin deberan determinarse con circuitos prcticos.
7.2.2.f. Transitorio de tensin durante la desconexin, inductancia de
colector-emisor (LCE).
Para una baja disipacin de potencia en la desconexin, es deseable una gran pendiente
de cada de la corriente de colector. Por otra parte, una cada rpida de IC genera en las
inductancias parsitas del circuito principal un pico de tensin transitorio que se superpone a la
tensin colector-emisor, esto puede destruir al IGBT. Para evitarlo se recomiendan las
siguientes medidas:
- El uso de diodos de libre circulacin para afianzar la inductancia de
carga (en los mdulos SEMITRANS M IGBT estos diodos estn construidos internamente).
- Cuidar los circuitos de conexionado para minimizar las inductancias
parsitas de las conexiones.
- Supresin de sobretensiones mediante una red RC o RCD conectada tan
prxima como sea posible al mdulo IGBT.
Lo que permanece sin suprimir es la inductancia parsita interna de colector-emisor LCE
(dada en las hojas de caractersticas). Con pendientes elevadas de cada de la corriente de
colector, la tensin tiene que moderarse debido al transitorio de tensin generado por LCE. La
tensin medida a travs de los terminales de colector y emisor VCE(term) sera:
di
VCE ( term) VCES C LCE
dt
Esta frmula slo tiene en cuenta la inductancia parsita interna LCE.
Por otro lado es posible reducir la pendiente de cada de la corriente de colector
conectando una serie de resistencias, entre la puerta y el circuito de control de puerta, que
decelera la descarga de la capacidad de puerta-emisor. Puesto que estas resistencias
incrementan la resistencia total del circuito de puerta, aumenta el peligro de exceder el
transitorio de tensin de puerta-emisor. Por lo tanto, se recomienda colocar un diodo zener
protector entre la puerta y el emisor.
En cualquier caso, una cada suave de la corriente de colector provoca un gran aumento
de la disipacin de potencia durante la desconexin.
7.2.2.g. Desconexin bajo condiciones de sobrecarga.
El intervalo de tiempo mximo para desconectar una corriente de sobrecarga actuando

sobre la puerta es de 10 s. Es favorable minimizar cuanto sea posible el tiempo de
desconexin mediante la tensin de control.
Pg. 98
La sobrecorriente puede detectarse tanto en el lado de corriente continua de un inversor

como en cada IGBT individual, por ejemplo, examinando la tensin colector-emisor VCE. Por
ltimo, tambin pueden detectarse cortocircuitos entre el circuito de carga y tierra.
7.2.2.h. Diodos inversos.
Los mdulos SEMITRANS M IGBT contienen en su interior unos diodos inversos

diseados en chips independientes, cuyas propiedades son optimizar la operacin de
conmutacin del IGBT.
7.2.2.i. Clculo de la temperatura de la unin Tj.
El valor limitador ms importante con respecto al nivel de corriente permisible de un

IGBT es, como en la mayora de los elementos semiconductores de potencia, la temperatura
mxima permisible en la unin TjM. Desafortunadamente, sta no puede medirse directamente,
pero puede calcularse a partir de la resistencia trmica interna unin-caja Rthjc y la disipacin
total de potencia PTOT . Puesto que esta ltima tambin es un parmetro bsico para calcular las
condiciones de enfriamiento, ms adelante procederemos a su determinacin.
Normalmente se requiere que un transistor de conmutacin conduzca pulsos de
corriente peridicos de frecuencia y amplitud constantes. Bajo estas condiciones, es
conveniente calcular la energa disipada durante un solo pulso de la corriente. Esta energa
puede subdividirse en la energa de encendido Won, energa de estado de conduccin Wcond y la
energa de apagado Woff. Estas se describen mediante las frmulas generales:
tb
Won = i (t )v (t )dt
ta
t1
Wcond = i (t )v (t )dt
tb
t2
t3
t1
t2
Woff = Woff 12 + Woff 23 = i (t )v (t )dt + i (t )v (t )dt
Se considera que la forma de onda de la corriente de colector es trapezoidal, como se

muestra en la figura 18. La cada de la corriente de cola ICT es prcticamente lineal. Esta es
bastante pequea comparada con ICM. Entonces tenemos:
i (t ) on = I CM
t
tb t a
i (t ) cond = I CM
t
i (t ) 12 = I CM 1
t 2 t1
t
i (t ) 23 = I CT 1
t2 t3
t b t a t on
t b t1 = t cond
t 2 t1 = t off 12
t 3 t 2 = t off 23
En cuanto a la forma de onda de VCE para el proceso de encendido, podemos distinguir

tres casos:
Pg. 99
- Se aplica una tensin colector-emisor igual a la tensin de alimentacin

VCE durante el tiempo de encendido completo, y despus cae de forma instantnea. Este es el
peor caso, en el que se producen las mayores prdidas de encendido.
ton
Won = I CM
0
t
t on
VCCE dt =
I CM VCCE t on
2
- La tensin colector-emisor VCE cae en la misma proporcin con que

aumenta la corriente de colector ICM. Este es el caso ms comn.
ton
Won = I CM
0
t
t on
I V t
t
VCCE 1 dt = CM CCE on
6
t on
En este caso la disipacin de energa durante el encendido es una tercera parte de la del
primer caso.
- La tensin colector-emisor cae al comienzo del instante de encendido
de forma instantnea, a un estado continuo de tensin muy baja Vcond . Este es el mejor caso,
pues da las menores prdidas (a menudo despreciable).
ton
Won = I CM
0
t
t on
Vcond dt =
I CM Vcond t on
2
I CM
Vcond
I CM
Vcond
I CM
Vcond
Figura 78. Tres formas de onda tpicas de tensin

y corriente durante el encendido.
Resumiendo, la disipacin de energa en el encendido viene dada, para los tres casos
anteriores por la ecuacin
Won =
I CM VCCE t on
Kon
con
Pg. 100
K on = 2
(1er caso)
K on = 6
(2 caso)
K on = 2
VCCE
Vcond
(3er caso)
A menudo, las formas de onda de corriente y tensin reales son muy parecidas a las
anteriormente descritas; por lo que los valores de Won pueden aplicarse de forma inmediata.
Para el proceso de apagado, desde t1 hasta t2 , anlogamente al proceso de encendido se
pueden considerar tres casos: nivel de tensin alto constante; la tensin aumenta en la misma
proporcin que cae la corriente; nivel bajo de tensin constante:
I CM VCCE t off
Woff 12 =
Koff
con
K off = 2
(1er caso)
K off = 6
(2 caso)
K off = 2
VCCE
Vcond
(3er caso)
Para la corriente de cola ICT, en la mayora de los casos se considera que la tensin VCE
ha llegado a su valor mximo:
Woff 23 =
I CT VCCE t off 23
2
Esto muestra de nuevo la importancia de una corriente de cola muy baja.

Para el estado de conduccin se aplica la ecuacin:
Wcond = I CM Vcond t cond

Para aproximaciones de la disipacin de energa, se dan valores tpicos en las hojas de
caractersticas de Woff12 y Woff23. En las hojas de caractersticas, tambin aparecen valores de
ton y toff12 para clculos aproximados. Como los valores reales dependen considerablemente de
las condiciones del circuito de puerta, es muy recomendable determinarlos mediante las
medidas en el circuito real.
Vcond puede tomarse de la caracterstica de saturacin. Es conveniente empezar
conociendo la temperatura de la caja Tcaja y realizar los siguientes clculos para cada IGBT
individual.
La temperatura media de la unin Tj(AV) se calcular a partir de la resistencia trmica
unin-caja Rthjc y la disipacin de potencia media total PTOT(AV). Los resultados anteriores de la
disipacin media de energa por pulso sobre un perodo completo sern:
PTOT ( AV ) =
Won + Wcond + Woff 12 + Woff 23

T
= f Won + Wcond + Woff 12 + Woff 23
A partir de la PTOT(AV), se calcular la temperatura media virtual de la unin Tj(AV):
Pg. 101
Tj ( AV ) = Tcaja + PTOT ( AV ) Rthjc
Cuando los mdulos IGBT funcionan a frecuencias inferiores a 3 kHz , la oscilacin de

la temperatura de la unin Tj, no puede aproximarse a Tj(AV). En este caso, el valor mximo de
la oscilacin de la temperatura de la unin TjM se calcular utilizando el diagrama de la
resistencia trmica en funcin de la duracin del pulso tP (ver figura 23), junto con la mxima
disipacin total de potencia PTOTM.
iC
Tj
TjM
Tj(AV)
Tj
ICM
iC
tP
1
T= _
f
Figura 79. Variacin de la temperatura de la unin Tj con

la corriente de colector para bajas frecuencias.
Obtenemos PTOTM a partir de la disipacin de energa media por pulso sobre la duracin
del pulso tP:
PTOTM =
Won + Wcond + Wofff 12 + Woff 23

tP
luego
TjM = Tcaja + PTOTM R( thjc) p
Es importante, a la hora de los clculos, utilizar el diagrama de R(thjc)p en funcin de tP.
Debe tenerse en cuenta el pico de la disipacin PTOTM media por pulso.
Para valores altos de D y pequeos de tP ( a altas frecuencias) la curva R(thjc)p se hace
horizontal, lo que implica que a estas frecuencias la temperatura de la unin no oscila, por lo
que Tj(AV) = TjM. Por tanto, para frecuencias mayores de 3 kHz, los resultados de los clculos
utilizando PTOT(AV) y Rthjc son correctos, es decir, en estos casos no es necesario el diagrama
R(thjc)p .
7.2.2.j. Clculo de corriente de colector mxima permisible.
La corriente de colector permisible ICM puede calcularse, para un IGBT dado, mediante
la frmula siguiente, deducida para una temperatura determinada.
1.- Frecuencia f 3 kHz; TjM = Tj(AV).
Pg. 102
PTOT ( AV ) =
Tj ( AV ) Tcaja
Rthjc
= f (Won + Wcond + Woff 12 + Woff 23 )
I V t
I CM VCCE t off 12 I CT VCCE t off 23
= f CM CCE on + I CM Vcond t cond +

+
2
k on
k off
Tj ( AV ) Tcaja
I CM =
fRthjc
I CT VCCE
t
t off
VCCE on +
k on k off
t off 23
2
+ Vcond t cond
2.- Frecuencia f < 3 kHz; TjM > Tj(AV).

TjM Tcaja
I CM =
R( thjc) p
I CT VCCE
t
t off
VCCE on +
k on k off
t off 23
2
+ Vcond t cond
Estos clculos slo servirn en el punto trmico dado.

7.2.2.k. Clculo de las condiciones de enfriamiento.
En las secciones anteriores, todos los clculos se hacan para una temperatura de la caja
dada Tcaja. De hecho, la temperatura de la caja resulta de las condiciones de enfriamiento.
Primero, la resistencia trmica del contacto caja-radiador que se da en los catlogos
debe tenerse en cuenta; si la multiplicamos por la disipacin de potencia PTOT(AV), (las
variaciones de la temperatura con la frecuencia no se tendrn en cuenta a este nivel), nos
proporciona la diferencia de temperaturas entre la caja y el radiador:
Tcaja Th = PTOT ( AV ) Rthch
La temperatura del radiador Th resulta finalmente de la temperatura ambiente Tamb del
medio de refrigeracin (normalmente el aire), la resistencia trmica radiador-ambiente Rthha y
de la suma de la disipacin total de potencia media PTOT(AV) de todos los transistores y de
otras fuentes de calor montadas en el radiador.
Th = Tamb + Rthha PTOT ( AV )
Al contrario que Rthjc y Rthch, la resistencia trmica Rthha no es un parmetro fijo. Su

valor vara en funcin del tipo de refrigeracin utilizado (conveccin natural o ventilacin
forzada); as con ventilador de refrigeracin la resistencia trmica depender del flujo de aire.
Adems hay que diferenciar entre si la potencia que se disipa procedente de una simple fuente
de calor o si procede de varias fuentes uniformemente distribuidas sobre la superficie del
Pg. 103
radiador. Tambin juegan un papel importante el tamao de las superficies de contacto de las
fuentes de calor.
7.2.2.l. Medida de la disipacin de energa.
Como ya hemos visto en los clculos anteriores, la disipacin de energa por pulso Won
+ Wcond + Woff12 + Woff23 slo puede calcularse de forma aproximada. Por lo tanto, a menudo
ser necesario comprobar estos clculos mediante mediciones. Con este propsito la ecuacin
Th = Tamb + Rthha PTOT ( AV )
deber transformarse en:

PTOT ( AV ) =
Th Tamb
Rthha
Puesto que la disipacin de energa de cada IGBT va a ser medida, el smbolo

sumatorio puede omitirse.
El proceso de la medicin se hara como sigue. Un pequeo radiador, suficiente para un
solo mdulo, (pequeo para proporcionar gran diferencia en temperatura), est fijado
firmemente a un pequeo ventilador (con ventilacin forzada la resistencia trmica no depende
de la disipacin de potencia y los parmetros de estado continuo se estabilizan con mayor
rapidez). Se montan dos sensores de temperatura; uno midiendo la temperatura del flujo de aire
hacia el radiador, y otro la del mismo radiador. Los puntos fijados se eligen arbitrariamente,
pero las posiciones de montaje deberan guardar el mismo orden para asegurar la reproduccin
de los resultados.
El mdulo a medir se monta segn el proceso descrito anteriormente. As puede
medirse cualquier IGBT simple o todos juntos.
Primero, el IGBT a medir se conecta a una fuente de alimentacin constante y estable y
lo hacemos conmutar al estado de conduccin. La potencia aplicada PDC se determina midiendo
la corriente y la tensin. Mediante la diferencia de temperaturas medida en los dos sensores
obtenemos la resistencia trmica del proceso de enfriamiento experimental ser
Rthha =
Th1 Tamb
PDC
Sin alterar el proceso mecnico, el IGBT se conecta ahora al circuito en desarrollo

(mediante terminales cortos) y se opera bajo condiciones reales de impulsos. Entonces
medimos una nueva diferencia de temperaturas Th2-Tamb. Con la resistencia trmica calculada a
partir de la frmula anterior, la determinacin de las prdidas de potencia medias es
PTOT =
Th 2 Tamb 2
Rthha
7.2.2.m. Instrucciones importantes de manipulacin.
Para eliminar cargas electrostticas en la puerta que podran destruir el IGBT, el

mdulo est embalado en una bolsa de espuma plstica conductora que conecta las puertas y
los emisores elctricamente.
Cuando se desembala el mdulo y durante su montaje, deben usarse bandas de puesta a
tierra y lugares de trabajo tambin en contacto con la tierra.
Pg. 104
7.2.3. Caractersticas tcnicas mdulo SKM 75 GB 121 D

Del cdigo del mdulo podemos extraer la siguiente informacin:
SK
= Componente de SEMIKRON
= Tecnologa MOS
75
= 75A de corriente de colector continua
= Dispositivo IGBT
= Dos IGBTs conectados en serie
12
= 1200V de tensin colector-emisor
= Tipo de encapsulado
= Diodo de recuperacin inversa construido internamente.
7.2.3.a.Nomenclatura
Para designar las tensiones se utilizan dos subndices, el primero de ellos identifica el
terminal positivo.
Con frecuencia puede aparecer un tercer subndice indicando unas condiciones
determinadas; as por ejemplo tenemos:
S = Con los terminales cortocircuitados (short circuit)
R = Para una resistencia determinada.
V = Para una tensin especificada.
Adems de los dos o tres subndices hay otros para determinar condiciones de servicio
como son:
(th) = Tensin de umbral.
sat = Tensin de saturacin.
Ejemplo: VCES es la tensin colector-emisor directa con la puerta cortocircuitada al
emisor.
Las tensiones de alimentacin se indican repitiendo el subndice del terminal de
referencia, esto es para la tensin colector-emisor de alimentacin tenemos VCCE (generalmente
VCC ya que no hay posibilidad de confusin), para la tensin puerta-emisor de alimentacin
VGG.
Los subndices para las corrientes se rigen con las mismas normas, los principales
subndices para las corrientes son:
M = Valor mximo de pico.
R = Repetitivo
S = No repetitivo.
7.2.3.b. Caractersticas generales.
- Entrada MOS (control por tensin)
Pg. 105
- Canal N
- Baja tensin de saturacin
- Corriente de cola muy baja
- Baja sensibilidad a la temperatura
- Gran capacidad de cortocircuito
- Bloqueo de puerta (lach up) eliminado
- Diodos de rpida recuperacin inversa
7.2.3.c. Aplicaciones tpicas
- Fuentes de alimentacin conmutadas
- Convertidores para motores de CC

- Convertidores CC/CA autnomos
- Control de velocidad de motores de CA
- Troceadores (choppers) de CC
- Calentamiento inductivo
- Fuentes de alimentacin ininterrumpidas
- Aplicaciones generales de potencia en modo de conmutacin
- Soldadores electrnicos
- Trabajos con frecuencias de conmutacin por encima de los 15 kHz
7.2.3.d. Valores mximos absolutos

SMBOLO
VCES
VCGR
IC
ICM
VGES
Ptot
Tj, Tstg
Visol
humedad
clima
Diodo inverso
IF= - IC
IFM= - ICM
CONDICIONES 1)
RGE=20k
Tcaja = 25 / 80 C
Tcaja = 25 / 80 C
Por IGBT, Tcaja = 25C
AC, 1 min
DIN 40 040
DIN IEC 68 T.1
Pg. 106
VALOR
1200
1200
75/50
150/100
20
500
-55...+150
2500
Clase F
55/150/56
UNIDADES
V
V
A
A
V
W
C
V
75
150
A
A
7.2.3.e. Caractersticas Especificas

SMBOLO
V(BR)CES
VGE(th)
ICES
IGES
VCEsat
gfs
CCHC
Cies
Coes
Cres
LCE
td(on)
tr
td(off)
tf
Woff12
Woff23
Diodo inverso
VF = VEC
trr
CONDICIONES 1)
VGE = 0; IC = 1mA
VGE = VCE; IC = 4 mA
VGE = 0 ------- Tj = 25 C
VCE = VCES - Tj = 125 C
VGE = 20 V; VCE = 0
VGE = 15 V ------ Tj = 25 C
IC = 75 A --------- Tj = 150 C
VCE = 20 V; IC = 75 A
por IGBT
VGE = 0
VCE = 25 V
f = 1 MHz
VCC = 60 V
VGE = 15 V
IC = 75 A
Rgon = Rgoff = 3.3
Tj = 125 C
IF = 75 A; VGE = 0; (Tj = 125 C)

Tj = 25 C2)
Tj = 125 C2)
Qrr
Tj = 25/125 C2)
fs
fs = tf/(trr-tf)
Caractersticas trmicas
Rthjc
Por IGBT
Rthjc
Por diodo
Rthch
Por mdulo
min.
VCES
4.5
-----22
------------
tip.
-5.5
0.01
--3.5
4
32
-8
640
250
-1003)
2203)
280/2504)
3503)/100
6.3
3.14)
mx.
-6.5
1
4
100
4
5
-1
---20
-------
UNIDADES
V
V
mA
mA
nA
V
V
S
pF
nF
pF
pF
nH
nS
nS
nS
nS
mWs
mWs
------
2.7 (2.1)
-250
2.5/10
12)
3.2
-----
V
nS
nS
C
----
----
0.25
0.9
0.05
C/W
C/W
C/W
1)
Tcaja = 25 C, si no hay otras especificaciones.

IF = -IC; VR = 600 V; -diF/dt = 80 A/S; VGE = 0.
3)
Carga resistiva.
4)
Carga inductiva.
5)
Rgoff = 6.6 .
2)
Pg. 107
7.3. Semidriver SKHI 21 de SEMIKRON para circuito de Puerta.

El semidriver SKHI 21 es un doble driver hbrido para IGBT cuyas propiedades,
funciones y caractersticas se describirn a continuacin.
7.3.1. Propiedades y funciones del driver hbrido.

El driver constituye el generador de los impulsos necesarios para gobernar la puerta de
los IGBT, as como una proteccin contra cortocircuitos para dos IGBTs conectados en serie.
Para gobernar un solo IGBT, utilizaremos la salida 1, y cortocircuitaremos los terminales VCE2
y E2 de la salida 2.
La proteccin contra cortocircuitos se realiza mediante la medida de la tensin VCE, de
modo que si se produjera un cortocircuito la seal de error conmutar a baja < 0.7 V (Iabsorbida
4 mA).
La temperatura del radiador podr medirse con un termodisyuntor bimetlico (bimetal
termal trip) conectado entre la conexin de error y tierra. Este se activar cuando la
temperatura sea excesiva. Hay que guardar un cuidado especial en el aislamiento de la tensin
de los contactos del disyuntor bimtlico y las diferentes puestas a tierra del radiador y de las
placas de circuitos impresos.
Los IGBTs se encienden aplicando +15 V entre puerta y emisor, y se desactiva con una
tensin puerta-emisor de 0 V. La puerta est prcticamente cortocircuitada con el emisor, ya
que VGE=0, mientras que el IGBT se mantiene desconectado y la tensin de alimentacin est
presente entre colector y emisor. En caso de un fallo en la tensin de alimentacin la
inpedancia puerta-emisor es de 22 K
El driver abarca la fuente de alimentacin auxiliar para los dos elevadores los cuales
estn aislados por convertidores CC/CC.
Los dos IGBTs de la rama del puente estn interconectados para evitar que ambos estn
conectados simultneamente. El tiempo de bloqueo entre la seal de apagado de un IGBT y el
disparo de la seal de activacin del otro es de 2.7s(>tdoff), ste tiempo puede aumentarse por
medio de una resistencia externa RTD.
En caso de cortocircuito ambos IGBTs sern desconectados inmediatamente. Una
memoria de error evita que los IGBTs se activen de nuevo. El estado de esta memoria puede
realimentarse hacia el circuito de control (seal de error). La memoria de error se resetear slo
cuando las dos seales de entrada sean cero. La seal de error est provista de un colector
abierto con una resistencia de actuacin interna de 10K conectada a VS (Iabsorbida > 4.5 mA y
Isuministrada < 200 A). Son posibles las conexiones en paralelo de la seal de error.
La tensin nominal de la fuente de alimentacin VS es +15 V. La banda de variacin es
de 14.4 a 15.6 V. La corriente necesaria es menor de 160 mA (para 85 C y VS = 15V). Las
tensiones por debajo de 13V son detectadas, los IGBTs son desconectados y se dispara la seal
de error. Las sobretensiones no son detectadas.
Las seales de conmutacin las transmiten unos transformadores de aislamiento. Las
tensiones de aislamiento se dan en las hojas de caractersticas. El gradiente de tensin mximo
entre el primario y el secundario es 25 kV/s.
Pg. 108
Las seales de entrada y salida son compatibles con CMOS. Las entradas tienen una
caracterstica como los disparadores de Schmitt para suprimir impulsos espreos. Los impulsos
de encendido y apagado menores de 0.5s no se transmiten. El umbral de las entradas es:
Vth+ = min. 12.9V
Vth- = mx. 2.1V
La frecuencia mxima es 100kHz (para MOS)
El rango de temperatura de funcionamiento es -40...+85 C.
Los tiempos de retardo y propagacin tpicos de las seales son:
Encendido:
1s + tTD
de la entrada a la salida
Apagado:
1s
de la entrada a la salida
Error:
1s
de la entrada de error a la salida de

la seal de error
Para optimizar las velocidades de encendido y apagado pueden conectarse resistencias

externamente de acuerdo con las condiciones de funcionamiento.
El colector de los IGBTs se conectar a los driver hbridos para detectar la tensin
colector-emisor VCEmx = 1600V.
El tiempo de inhibicin necesario tmin para la contrastacin de VCE se igualar a la
velocidad de encendido del IGBT. La puesta a punto ms comn recomienda los siguientes
valores de componentes RCE= 24 k y CCE = 330 pF obteniendo CE =2.3s que puede
aumentarse con el condensador externo. La tensin de umbral puede fijarse con la resistencia
externa RCE hasta un mximo de 10V.
7.3.2. Descripcin de los bloques del mdulo

Los diferentes bloques del circuito se analizan a continuacin:
1. Disparador de Schmitt a la entrada.
2. Circuito de bloqueo (Interlock).
El circuito de bloqueo evita que un IGBT conmute al encendido antes de que la carga
de puerta del otro IGBT est completamente descargada. El circuito se pondr a punto con un
tiempo de retardo mayor que el tiempo de apagado del IGBT mediante dos resistencias
externas RTD (RTDmx = 100 k) conectadas entre los terminales RTD y VS. El tiempo de retardo
tpico tTD viene dado por:
tTD (s) = 2.7 + 0.13 RTD (k)
3. Eliminacin de impulsos cortos.
Con impulsos de conexin o desconexin muy cortos los transformadores de impulsos

no se remagnetizaran completamente, y el condensador de acoplo de la entrada del
transformador de impulsos no se recargara completamente. Como resultado la bscula de la
salida del driver se mantendra en un estado errneo debido a un impulso de disparo
Pg. 109
insuficiente. La eliminacin de los impulsos cortos asegura que slo obtendremos impulsos
adecuados en la bscula.
4. Detector de error (error monitoring).
El circuito controla los impulsos que vienen del secundario a travs de los
transformadores de impulsos.
5. Generador de impulsos de inhibicin.
En el circuito de deteccin de error, un generador de impulsos discrimina entre

conmutaciones y seales de error. Despus de un flanco de conmutacin positivo la funcin de
detector de error se habilita. Esto es necesario puesto que el transformador de impulsos genera
un pico de tensin negativo en el primario durante la remagnetizacin. Este pico de tensin
disparara el detector de error.
6. Memoria de error.
La memoria de error la dispara el circuito detector de error. Esta memoria bloquea los
impulsos de encendido de ambos IGBTs simultneamente. El reseteado de la memoria es
posible slo cuando no hay impulsos del detector de error y ambas entradas son cero. La seal
de salida se alimenta a un terminal que est conectado al circuito de bloqueo
7. Oscilador de 1MHz.
Conectado al primario de un convertidor CC/CC para transmitir el control de potencia a

los IGBTs.
8. Detector de alimentacin (VS monitor).
Si la alimentacin cae por debajo del mnimo (13 V) se detecta un error y se bloquean
los impulsos de encendido de los IGBTs.
En el encendido inicial el primer impulso de disparo podr transmitirse slo 4s
despus del instante en que VS a alcanzado su valor nominal de 15V.
9. Transformador de impulsos.
Este transmite las seales de encendido y apagado de los IGBTs. El mismo

transformador transmite la seal del detector de error de VCE en sentido opuesto hacia la
memoria de error.
10. Transformador de alimentacin para el convertidor CC/CC.
11. Rectificador para la fuente de alimentacin auxiliar.
12. Bscula (flip-flop).
Es insensible a impulsos espreos y a altos gradientes de tensin dv/dt.

13. Drivers.
Los transistores de salida de los drivers de potencia (power drivers) son de tipo
MOSFET.
Las fuentes de estos MOSFETs son conectadas a terminales externos para proporcionar
el ajuste de la velocidad de encendido y apagado mediante una resistencia externa RON y ROFF.
Pg. 110
No se pueden conectar los terminales S7 con S8, ni S13 con S14, directamente, utilizar ambas
resistencias RON y ROFF para evitar posibles encendidos espreos.
14. Drivers para los transformadores de impulsos.
Transmiten las seales del detector de VCE a los transformadores de impulsos.

15. Detector de VCE.
Detecta la tensin VCE del IGBT durante el estado de conduccin. VCE est limitada
internamente a 10 V.
Si la tensin de referencia VCEref es superada la seal de salida se conmuta a cero. VCEref

es dinmica, inmediatamente despus del encendido del IGBT se hace efectivo un valor mayor
que el esttico. Cuando se corta el IGBT, VCEref se fija a su valor ms alto por la seal reset.
El valor esttico VCEstat de VCEref se puede fijar para cada IGBT con una resistencia externa RCE
(conectada entre los terminales CCE y E) al valor necesario, el cual no exceder los 10 V.
VCEstat en funcin de RCE es aproximadamente:
VCEstat (V ) =
9 RCE ( k) 25
10 + RCE ( k)
La constante de tiempo para el retardo de VCEref puede aumentarse con el condensador

externo CCE, el cual se conecta en paralelo con RCE. Este condensador controla el tiempo tmin
que transcurre entre el encendido del IGBT y la activacin del detector de error de VCE.
Despus de tmin el detector de error se activar en el momento en que VCEref sea superada.
La puesta a punto ms comn recomienda los siguientes valores de componentes RCE =
24 k y CCE = 330 pF de modo que tmin = 1.75 s.
t min =
15VCEstat ( V )
CE ln
10 VCEstat ( V )
CE ( s) = CCE ( nF )
10 RCE ( K)
10 + RCE ( K)
Para determinar los valores necesarios de RCE y CCE seguir los pasos siguientes
a) Escoger VCEstat
b) Calcular RCE
c) Escoger tmin
d) Calcular CCE
Valores tpicos de los componentes son RTD = 0, RCE = 24 k, CCE = 330 pF, VCEstat =
5.6 V; tiempo de inhibicin para la deteccin de VCE: tmin = 1.75 s.
Pg. 111
7.3.3. Componentes externos.

RTD = Resistencia para ajustar el tiempo de retardo del circuito de bloqueo.
tTD (s) = 2.7 + 0.13RTD (k)
RTD mx =100 k
RCE = Resistencia para el ajuste de VCEstat para la deteccin de VCE.
CCE = Condensador para ajustar el tiempo de retardo del detector de VCE despus del
encendido del IGBT
CCE mx = 2.7 nF
RON = Resistencia para ajustar la velocidad de encendido del IGBT. Con un valor alto
la velocidad se reduce y el pico de recuperacin inversa de los diodos es menor; se recomienda
escoger RON tal que el retardo al encendido del IGBT se mantenga por debajo de 1s.
RON min = 3.3
ROFF = Resistencia para ajustar la velocidad de desconexin del IGBT. Si ROFF es alta,
la velocidad de desconexin es baja, y el pico de tensin debido a las inductancias parsitas es
menor.
ROFF min = 3.3
7.3.4. Precauciones y lmites en frecuencia.

Las entradas CMOS del semidriver son extremadamente sensibles a sobretensiones.
Tensiones superiores de VS + 0.3 V o menores de -0.3 V pueden destruir estas entradas.
Las conexiones entre el driver y los mdulos de potencia deben ser tan cortos como sea
posible.
Las inductancias parsitas deben reducirse al mximo. Las sobretensiones debidas a
stas pueden eliminarse con circuitos de proteccin C o RCD entre los terminales positivo
(colector 1) y negativo (emisor 2) del mdulo de potencia.
El frecuencia mxima del SKHI 21 se alcanza cuando la tensin de salida VGE es 13V.
La mxima frecuencia de conmutacin del IGBT fmax puede calcularse con la siguiente
ecuacin:
I outAVmax ( mA )103
( kHz )
max =
Qgelmax ( nC )
donde Qgelmax es la carga de la puerta con VGE = 13 V (ver curvas caractersticas de los
mdulos IGBT utilizados), e IoutAVm es 40 mA, (caso de utilizar slo medio driver ser el doble
80mA ).
Pg. 112
7.3.5. Caractersticas tcnicas semidriver SKHI 21.

7.3.5.a. Valores mximos absolutos
SMBOLO
VS
ViH
IiH
IGon
Igoff
IoutAVmax
VCE
dv/dt
Visol IO
Visol 12
Top
Tstg
DENOMINACIN
Tensin de alimentacin primario
Tensin de entrada (ALTA) mx.
Corriente de entrada (ALTA)
Corriente de salida (pico) mx.
Corriente de salida (pico) mx.
Corriente media de salida
Tensin colector-emisor
Gradiente de tensin del secundario
respecto al primario
Tensin de aislamiento entrada-salida (RMS;1min)
Tensin de aislamiento salida1-salida2 (RMS;1min)
Temperatura de operacin
Temperatura de almacenamiento
VALOR
18
VS0,3
0,34
3,3
3,3
+ 403)
1600
UNIDADES
V
V
mA
A
A
mA
V
25
2500
1500
- 40...+ 85
- 40...+ 85
kV/S
V
V
C
C
VALOR
150.6
160
tip. 75
12.9
2.1
15
01)
tip. 1+tTD
tip. 1
tip. 1
tip. 6; mx. 9
UNIDADES
V
mA
mA
V
V
V
V
s
s
s
V
7.3.5.b. Caractersticas Elctricas

SMBOLO
VS
IS
IS0
ViT+
ViTVG(on)
VG(off)
td(on)io
td(off)io
td(err)
VCEsat
DENOMINACIN
Tensin de alimentacin en el primario
Corriente de alimentacin mx. del primario
Corriente de alimentacin del primario en vaco
Tensin umbral de entrada (ALTA) mn.
Tensin umbral de entrada (BAJA) mx.
Tensin de salida para el encendido de la puerta
Tensin de salida para el apagado de la puerta
Tiempo de retardo al encendido de entrada-salida
Tiempo de retardo al apagado de entrada-salida
Tiempo de retardo del error de la entrada a la salida
Tensin de referencia para detectar VCE2)
1)
Circuito de baja impedancia

Ajustable con RCE
3)
Doble cuando se utiliza un canal (medio driver)
2)
Pg. 113
7.4. Control de onduladores en puente-completo mediante el

procedimiento de control CC/CA PWM, forma de onda programada.
Es la encargada de controlar el funcionamiento de todos los convertidores PWM
senoidal funcionando como onduladores. Este mtodo consiste en comparar una seal
portadora, de gran frecuencia, con otra seal moduladora de frecuencia igual a la que deseemos
obtener en la salida del convertidor.
A la hora de llevar a cabo el circuito capaz de realizar este tipo de control existen varios
problemas importantes. Uno de ellos consiste en sincronizar las seales portadora y
moduladora, de modo que el paso por cero de la tensin moduladora debe coincidir con el paso
por cero de la triangular que acta como portadora. Adems la pendiente de ambas seales en
dicho paso por cero deben ser contrarias. Todo esto est explicado en el captulo 4 del presente
libro, as como los motivos por los cuales debe ser as.
Para implantar fsicamente el montaje del circuito, se han considerado dos posibilidades
de gran importancia de cara al tipo de sistema, que podra ser analgico o digital. El digital
ofrece varias ventajas con respecto al otro, como son la gran fiabilidad que proporciona y el
control realizable mediante programacin, por lo que nos decantamos en esta aplicacin
prctica, por el empleo de un microprocesador para el control PWM mediante forma de onda
programada.
7.4.1. Generacin de Tablas.

Para el control de los Onduladores vamos a generar unas Tablas, en las que el programa
de control accede a una u otra Tabla en funcin de la frecuencia de la onda de salida solicitada.
Para generar las Tablas de Fes tenemos que realizar el siguiente proceso:
1.- Obtener la primera funcin de existencia (primera columna) de cada Tabla; la
denominada funcin de existencia caracterstica. Para ello, hemos realizado un programa en
BASIC que nos proporciona los datos necesarios para definirla correctamente.
REM programa previo pwm
READ A, M, V, B
LPRINT N de bits de la tabla=; B
LPRINT N de conmutaciones en 360=; M
LPRINT Amplit. Triangular=; 1.2, *****, Amplit. Seno=; A
LPRINT
L = 3.1416 / M
Y = 2 * 3.1416 / B
X=0
N1 = 0
LPRINT GRADOS G, BITS N, CEROS, UNOS, N CONMUT.
FOR N = 0 TO M
Pg. 114
80 R0 = 2* (-A) * (X N *L) / L
S = V * SIN (X)
IF ABS(R0 S) <= .01 THEN 160
X = X + .0001
GOTO 80
160 GO = X * 180 / 3.1416: N0 = INT((GO * 3.1416 / (180 * Y)) + .5)
LPRINT GO, N0, N0 N1,----, N
180 N = N + 1
X=X+L
200 R1 = 2 * A * (X N * L) / L
S = V * SIN (X)
IF ABS (R1 S)<= .01 THEN 280
X = X + .0001
GOTO 200
280 G1 = X * 180 / 3.1416: N1 = INT((G1* 3.1416 / (180 * Y)) + .5)
LPRINT G1, N1, ----, N1 N0, N
300 NEXT N
DATA 1.2, 51, 1, 510
END
2.- En funcin de sta y del ngulo de desfase del sistema seleccionado, generamos las
funciones de existencia que restan para completar cada Tabla.
Estas tablas son generadas en una memoria EPROM de forma consecutiva.
Cada tabla tiene un rango operativo de frecuencia como se puede ver en el
cuadro siguiente; segn la frecuencia que se solicite, el programa de control acceder a la tabla
que corresponda.
RANGO DE
FRECUENCIA
TABLA 8
8 a 31 Hz
TABLA 4
32 a 62 Hz
TABLA 2
63 a 125 Hz
TABLA 1
126 a 230 Hz
Pg. 115
7.4.2. Variacin de la frecuencia

El tiempo en ciclos que debe permanecer en Vigencia cada uno de los N elementos de
una Tabla de Fes para obtener una frecuencia f, es:
t1 =
12106
N f
;donde 12*106 , es la velocidad de trabajo del uP

El valor mnimo de t1, que define la mxima frecuencia suministrable, viene
determinado por el tiempo que se tarda en ejecutar el bucle ms largo del Programa de control .
Para aumentar esta frecuencia, lo que hacemos es saltar a otra Tabla de Fes
cuya longitud sea la mitad de la anterior.
El rango operativo de frecuencia de cada tabla se obtiene substituyendo el t1
mnimo para los distintos valores de N. Un programa en Basic denominado CICLOS nos
proporciona los valores de t1, correspondientes a todas las frecuencias posibles. Dichos datos
se introducen en la memoria EPROM para evitar que el uP tenga que calcularlos sobre la
marcha.
REM programa ciclos
CLS
LPRINT
LPRINT
LPRINT
F = 8: X =0
N= 2040
20 LPRINT , TABLA DE N= ; N
LPRINT, FRECUENCIA EN HZ, T1 EN CICLOS
30 T1 = 4000000 / (F * N)
IF T1 < 63 THEN 40
T1 = INT (T1+ .5)
LPRINT, F, , T1
F = F+1
GOTO 30
Pg. 116
40 X = X+1
IF X= 1 THEN N = 1020
IF X= 2 THEN N =510
IF X = 3 THEN N =270
IF X= 4 GOTO 50
GOTO 20
50 END
7.4.3. Variacin de la amplitud.

Para variar la amplitud de la tensin en los 0nduladores en Puente-completo usamos el
mtodo del DESPLAZAMIENTO DE FASE CONTROLADO. Segn este mtodo explicado
anteriormente, la variacin de la amplitud se obtiene desplazando el funcionamiento de la
segunda mitad del puente con respecto al de la primera mitad.
Para implementar este control, tendremos que enviar a los conmutadores de la segunda
mitad del puente, las funciones de existencia desfasadas un determinado ngulo respecto a
las de los conmutadores de la otra mitad.
Este desplazamiento del ngulo se relacionar con un desplazamiento del nmero de
bytes en la tabla que corresponda.
7.4.4. Control proporcional de tensin-frecuencia.

La referencia de frecuencia que generar la variacin de frecuencia del
convertidor, tambin genera la referencia de tensin a travs de un generador de funcin
tensin/frecuencia; el cual incorporar una compensacin de la cada en el estator a baja
frecuencia.
7.5. Bloque de Proteccin

La energa cintica del motor en los procesos de frenado, se transforma en un de
incremento de tensin en el bus de continua que pone en peligro la vida de los semiconductores
que forman parte activa del convertidor de frecuencia.
Esta energa devuelta por el motor, se consume generalmente por efecto de Joule, en un
circuito formado por una resistencia de bajo valor y un semiconductor trabajando en
conmutacin, este ltimo est gobernado por un circuito de control que vigila en todo momento
la tensin en el bus de continua.
Al transistor se le deber proporcionar una histresis para el cambio de un estado a otro,
es decir, una funcin de tipo biestable, de manera que pueda pasar de uno de sus estados al otro
cuando el potencial del condensador del filtro atraviesa un umbral determinado. Volver a
pasar de este estado al primero cuando dicho potencial atraviese en sentido diferente otro
umbral. Se fijan inicialmente al 15% Y 5% de la tensin del bus de C.C.
Pg. 117
El circuito de proteccin que se utiliza permite la desconexin automtica del circuito

rectificador cuando la corriente sobrepase un determinado valor. Esta desconexin se har a
travs de un rel de continua.
En el circuito mediante un comparador como el LM3 11, se detecta si la intensidad en el
bus de continua ha sobrepasado el valor mximo admisible, si la corriente ha sobrepasado
dicho valor, produce una bajada de tensin en la salida del mismo, la seal de salida del
comparador actua sobre el circuito lgico 74LS 11 que proporciona un nivel de 0 voltios en la
base del transistor BC238, que desconecta el rel.
El integrado 74123 se utiliza para retardar 10ms. la conexin del rel, as como para
hacer un reset inicial.
En un semiconductor debe procurarse que no se alcance una temperatura excesiva que
pueda provocar la destruccin de este, para ello debe utilizarse un radiador, que permita la
evacuacin del calor generado en el semiconductor cuando funciona normalmente. Adems los
semiconductores de potencia deben protegerse contra sobretensiones y sobreintensidades.
7.5.1.Proteccin contra sobretensiones.

Dos son las fuentes principales de sobretensiones.
- Sobretensiones internas debidas al efecto de acumulacin de portadores de carga en el
elemento semiconductor.
- Sobretensiones externas debidas a fenmenos de corte, en particular la desconexin de
transformadores en vaco, comprendido el propio transformador de alimentacin del
convertidor esttico.
7.5.1.a. Efecto de los transitorios de tensin en los semiconductores.
Los elementos semiconductores, pueden resultar destruidos como consecuencia de los

transitorios de sobretensiones.
Cuando el nivel de tensin inversa alcanza el umbral de .avalancha del semiconductor, las
corrientes de avalancha, calientan la unin irregularmente, causando la fusin en la zona ms
caliente.
Cuando aparece un fuerte transitorio de tensin inversa se produce una alta corriente de
recuperacin que suele daar la unin, sin que se sobrepase la tensin de avalancha.
7.5.1.b. Proteccin de equipos semiconductores, contra sobretensiones
provocadas por la energa magnetizante de los transformadores.
Se ha comprobado que pueden presentarse sobretensiones del orden de 10 veces el

valor cresta de la nominal, cuando se abre el primario de un transformador estando el
secundario en vacio o con carga reducida.
Este valor de sobretensin depende del tiempo de interrupcin, dt, y del valor de la
corriente magnetizante, Im, en el momento de interrupcin.
El mtodo de proteccin, deber permitir que la intensidad magnetizante siga
circulando, a la vez que almacena o disipa, la energa contenida en la reactancia.
Esto se consigue colocando circuitos RC en el secundario del transformador,
Pg. 118
consiguiendo que la tensin de carga mxima del condensador, no rebase la tensin inversa de
cresta no repetitiva de los diodos utilizados.
La siguiente figura presenta las dos configuraciones posibles del devanado primario.
Fig.80. Posibles configuraciones del devanado secundario

La energa almacenada en el campo magntico de las tres fases ha de ser absorbida por los
condensadores de proteccin. El montaje se puede llevar a cabo mediante tres circuitos RC, o uno
solo a la salida del puente rectificador trifsico.
Fig81.Circuito RC
El caso de proteccin con un circuito RC, que es la adoptada , se ha representado en la

fig.81. Toda la energa debe ser absorbida por el nico condensador existente. Las resistencias
debern impedir las sobreoscilaciones.
7.5.1.c. Proteccin contra sobretensiones provocadas por la inductancia de
conmutacin.
En los semiconductores de silicio, la intensidad que circula en el sentido de la conduccin,
no se anula instantneamente al invertirse la tensin, sino que se invierte el tiempo necesario para
que la carga espacial se modifique en la unin, que pasa de conduccin a bloqueo. Este fenmeno
se muestra en la figura siguiente.
Pg. 119
Fig.82 Fenomeno de la carga espacial.

Se observa en la figura anterior que cuando la carga espacial se modifica, la intensidad
inversa se anula rpidamente, adquiriendo el semiconductor sus propiedades de bloqueo, lo que
origina en los elementos inductivos del circuito, crestas de tensin que se suceden peridicamente,
y que se denominan. sobretensiones debidas al efecto de recombinacin de los portadores de carga.
Como se ha visto, la interrupcin brusca de la intensidad de "recuperacin" provoca fuertes
sobretensiones peridicas, pues la energa almacenada en la inductancia de conmutacin ha de ser
disipada.
Esta energa, de no existir semiconductores, en los que la sobretensin alcanza el nivel
necesario, para que su producto, por la corriente inversa generada, anule la energa citada en un
corto espacio de tiempo, corriendo el riesgo de provocar su destruccin.
Para evitar el riesgo de deterioro de los semiconductores anteriormente descrito, es
habitual su proteccin mediante circuitos RC colocados en paralelo con cada semiconductor
como indica la figura.
Fig83.Circuito RC en paralelo con los semiconductores
El condensador de este circuito tiene la funcin de almacenar la energa liberada por la

inductancia de conmutacin, y en consecuencia limitar el nivel de sobretensin producida, y la
resistencia absorbe una parte de tal energa y sita en un lmite aceptable el nivel de
amortiguamiento del circuito.
Pg. 120
7.5.2.Proteccin contra sobreintensidades

Las sobreintensidades pueden estar provocadas por cortocircuitos en los bornes del
convertidor esttico de sus ramas, o por sobrecargas debidas a la carga en la salida del
convertidor esttico.
Los elementos semiconductores pueden soportar sobreintensidades durante un periodo
determinado de tiempo que es funcin de la misma sobreintensidad. La caracterstica lmite de
sobrecarga de un elemento semiconductor indica la corriente limite referida a la corriente
nominal IFN en funcin del tiempo de sobrecarga.
La proteccin debe cortar antes de que alcance el valor Lmite.
Como se ha dicho, el fenmeno de cortocircuito en un montaje con semiconductores,
producira una sobreimensidad en ellos, sobreintensidad que dara lugar a un incremento de la
disipacin de potencia. La mayor o menor capacidad para soportar sobreintensidades en un
semiconductor, va a depender de su capacidad de almacenamiento del incremento de potencia
generada, sin que se alcancen valores de temperatura que puedan deteriorar la uniones.
En un semiconductor, los lmites de sobreintensidades quedan definidos por el
trminoI2t.
El valor I2t mide la capacidad trmica de sobrecarga del semiconductor para pasar
de una temperatura de trabajo determinada a un valor de temperatura excepcionalmente
admisible y no repetitivo, por tanto, si no se desea sobrepasar la temperatura admisible mxima
de la unin del semiconductor, ser necesario no exceder un determinado valor de I2t.
Las causas de aparicin de un cortocircuito en un convertirdor son varias:
- Cortocircuito en el lado de continua
-Cortocircuito por fallo de un semiconductor
- Cortocircuito por defecto de conmutacin para funcionamiento en inversor.
1.
7.5.2.a. Cortocircuito en corriente continua
En la fig 84 se representa un convertidor en puente de Graetz. Se observa que un
cortocircuito en corriente continua, provoca el cortocircuito de los tres devanados del
transformador, crendose en el lado de continua un neutro artificial, por lo que en cada fase,
est conduciendo cada uno de los semiconductores conectados a ella 1800, circulando la
semionda positiva de la intensidad por un semiconductor, y la negativa por otro.
Fig84. Convertidor en Puente de Graetz
Pg. 121
La corriente de corto "icc" ser la suma de las intensidades positivas o negativa citadas,
como se muestra en la fig.85 en donde las curvas sinusoidales de puntos, representan las
intensidades estacionarias de cada una de las fases, la curva exponencial de puntos representa la
componente transitoria de la intensidad en la fase "R1", la inferior representa la componente
transitoria de R2 y R3, y los dibujados con lnea continua son las intensidades de cada una de las
fases (suma de las componentes estacionarias y transitoria).
Icc
Fig.85. Corrientes de cortocircuito.

7.5.2.b. Cortocircuito de un elemento semiconductor
En el caso de funcionamiento como rectificador puede perder su capacidad de bloqueo

por cualquier circunstancia y quedar en corto .
En funcionamiento como rectificador, el ms alto valor de la intensidad, ocurre 1.0 tiene
lugar al final de un periodo de conduccin, pues la integral aplicada tiene en estas condiciones su
valor mximo, siendo adems el ue existe la mayor posibilidad de fallo, pues es el momento en que
se . 'znsin y comienza el bloqueo del semiconductor. Como se indica en la figura 84 la corriente
inversa circula a travs del elemento daado, hacia su devanado del transformador desde las
otras dos fases.
7.5.2.c. Proteccin mediante fusibles ultrarpidos
La solucin ms eficaz para proteger semiconductores de potencia contra las

sobreintensidades provocadas por cortocircuito o fallos de conmutacin (en ondulador), es la
conexin en serie con cada semiconductor de un fusible ultrarpido dimensionado
adecuadamente.
En el caso de una sobrecarga, el fusible interrumpe el circuito, antes que los efectos
trmicos y electrnicos y electromagnticos alcancen valores que produzcan el deterioro del
semiconductor. Deben actuar antes de que la intensidad alcance el valor de cresta transitorio. A
esta intensidad de cresta se denomina intensidad de cortocircuito presumida, puesto que el
fusible, evita que tal valor sea alcanzado, como se muestra en la Figura 86
Pg. 122
Fig86. Intensidad de cortocircuito
La intensidad de limitacin IL, la duracin de interrupcin por el fusible tL, y la forma

de la y limitacin, dependen de las caractersticas del circuito elctrico y de las del fusible.
Se define la magnitud de sobrecarga que puede soportar un semiconductor, y la
permitida por el fusible, por el valor I2t, considerndose que el semiconductor est
adecuadamente protegido, cuando el valor del I2t del fusible, es inferior al I2t del propio
semiconductor.
En la fig.87 se representa el diagrama temporal de fusin de un fusible, en donde se
observan dos zonas claramente diferenciadas, la de prearco y la de arco. Cuando un fusible
alcanza el punto de prearco, su elemento conductor queda seriamente debilitado, pudiendo
provocar fusiones intempestivas. Es pues condicin indispensable que durante el ciclo de
funcionamiento normal, el punto de prearco no sea alcanzado.
Fig87. Diagrama temporal de fusin de un fusible
Los fabricantes de fusibles suministran curvas de prearco, donde se indican los

Tiempos de Prearco en funcin del cociente entre la intensidad de prearco y la intensidad
Pg. 123
nominal. Adems de los lmites de funcionamiento establecido por la curva de Prearco, cada
fabricante define coeficientes correctores de Desclasificacin, en funcin de:
-Temperatura ambiente.
-Velocidad del aire de ventilacin.
-Sobrecargas peridicas o eventuales.
Un ltimo dato a considerar en la eleccin inicial del fusible, es su tensin de corte,
provocada por la interrupcin de la intensidad en el momento de la fusin. Esta tensin,
variable con la tensin de utilizacin en forma similar a al indicada en la fig.88 es normalmente
superior al valor de cresta de la tensin de alimentacin, y debe ser soportada por los
semiconductores del circuito.
TENSIN
DE CORTE
Fig88. Tensin de Corte
7.5.3. Proteccin contra elevados valores de di/dt.

En los circuitos rectificadores o inversores no autnomos alimentado en corriente
alterna, cada conmutacin entre dos semiconductores, a la vez que provoca un cortocircuito en
la tensin de alimentacin, somete al semiconductor que comienza a conducir a un elevado
di/dt como se muestra en la fig 89. En este caso, es frecuente aprovechar la reactancia de
fugas del transformador de alimentacin, lnea de alimentacin, y algunas adicional si es
preciso, para limitar el valor de di/dt en los semiconductores.
Pg. 124
Fig89. Conduccin a elevado di/dt
En la fig.89 se representa el instante de conmutacin entre el diodo Dl que deja de

conducir, y el D3 que comienza a conducir, durante dicho ngulo de conmutacin u las
tensiones U1y U2 correspondientes a las tensiones de dos de las fases del transformador, se
encuentran cortocircuitadas a travs de las reactancias de conmutacin Lc1 y Lc2. La evolucin
de las intensidades en ambos diodos D1 y D3, se representa en la fig 90
Fig 90 Evolucin de intensidades en D1,D2
Se demuestra que di/dt es mximo cuando el ngulo de conmutacin u es mnimo.

En general, la inductancia de lnea e inductancia del transformador, son suficientes para
limitar el di/dt a valores aceptables para el semiconductor, por lo que no es necesario la
adicin de reactancia adicional.
En los IGBT que forman ondulador, la tensin VCE no baja instantneamente a cero
cuando a un IGBT se le da seal de conduccin. Al mismo tiempo la intensidad aumenta de
acuerdo con una ecuacin que depende de la impedancia del circuito exterior, y ms
concretamente de la inductancia de este circuito. Debido a la coincidencia de ambos
fenmenos, se produce un incremento instantneo de la potencia disipada que pudiera destruir
al IGBT .
La potencia disipada es mayor a medida que aumenta la velocidad de crecimiento de la
intensidad.
En los IGBT esta velocidad se limita colocando dos resistencias adicionales Ron y Roff
en la salida de los drivers de los IGBT mejorando notablemente la energa en la conexin y
desconexin de los mismos, mencionado en el apartado anterior.
El valor de esta resistencia es facilitado por el fabricante en funcin de la corriente Ic de
funcionamiento del IGBT.
Pg. 125
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA DE TEXTO
Salvador Martnez Garca. Prontuario para el diseo elctrico y electrnico.

Marcombo (Boixareu Editores). Barcelona - Mxico, 1989.
William P. Robbins; Tore M. Undeland; Ned Mohan. Power Electronics:
Converters, Aplications &Design. John Willey &Sons, Inc., 1989.
B. W. Williams. Power Electronics. Macmillan, 1993.
Hansruedi Bhler. Electrnica de Potencia. Gustavo Gili, 1989.
Databook SEMIKRON. Power Semiconductors. Semikron International, 1993.
B. K. Bose. Power Electronics &AC Drives. Prentice - Hall, 1986.
Theodore Wildi. Tecnologa de los sistemas electrnicos de potencia. Editorial

Hispano Europea S. A., 1983.
Muhammah, H. Power Electronics: Circuits, Devices and Aplications. Prentice Hall
Internacional, 1993.
B. K. Bose. Recent Advances in Power Electronics. IEEE Transactions on Power

Electronics, vol. 7, No. 1, pp. 1 - 15, Enero 1992.
Adolfo Plaza Alonso. Electrnica Industrial. Valladolid, 1977.
Prsad N. Enjeti. A New Control Strategy to Improve the Performance of a PWM AC

to DC Converter under Unbalanced Operating Conditions. IEEE Transactions on
Power Electronics, vol. 8, No. 4. Octubre 1993.
R. Bausire, F. Labrique, G. Sguier. Power Electronics Converters: DC/DC

Conversion. Springer-Verlag, 1993.
G. Sguier. Power Electronics Converters: DC/AC Conversion. Springer-Verlag,

1993.
G. Sguier. Power Electronics Converters: AC/DC Conversion. Springer-Verlag,

1993.
Jacob Millman, Arvin Gravel. Microelectrnica. Editorial Hispano Europea S. A.,

1991.
Leopoldo Garcia Franquelo Apuntes Electrnica de Potencia. Curso 2007-2008.
Pg. 126
BIBLIOGRAFIA WEB
http://woody.us.es/~leopoldo/elepot1.html
http://www.ingeteam.it/userfiles/allegati/convertidoresdepotencia_1235580612.pdf
http://search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=3AFE68237025&Languag
eCode=es&DocumentPartID=1&Action=Launch
http://www05.abb.com/global/scot/scot204.nsf/veritydisplay/82ebfbd6d22f8a22c1256f
9a0051a652/$File/3ADW000165R0106_Technical_Data_sp_a.pdf
http://www.sumicompelectronica.com.ar/semiconductores.htm
http://www.telefonica.net/web2/pantufloagonza/inv3kw.htm
http://www.semikron.es/seminew/productos/pdf/Power%20Semiconductor%20Handbo
ok.pdf
Pg. 127

Nuevos Dispositivos de Control de Potencia PDF

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Nuevos Dispositivos de Control de Potencia PDF

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

NUEVOS DISPOSITIVOS

NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS

AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ

RAFAEL RUIZ LPEZ

NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS

AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ

Rafael Ruiz Lpez

NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS

AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ

Rafael Ruiz Lpez

NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS

AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ

1.2. Estructura bsica del IGBT. ...

1.3. Funcionamiento fsico del IGBT. . ..

1.3.a. Estado de bloqueo. ..

1.3.b. Estado de Conduccin. ..

1.4.a. Causas del bloqueo de puerta. ...

1.4.b. Eliminacin del bloqueo de puerta. ..........

1.5. Caractersticas tensin-corriente del IGBT. ..........

1.6. Caractersticas de conmutacin del IGBT.

1.6.a. Transitorio de encendido. ..........

1.6.b. Transitorio de apagado. .

1.7. reas de funcionamiento seguro del IGBT (SOA) y limitaciones

Convertidores CA/CC . . ...

2.1 Introduccin a los convertidores CA/CC. ...

2.1.2. Circuitos rectificadores polifsicos simples. .

2.1.3. Circuitos rectificadores polifsicos mltiples-serie. .

2.2.- Montaje en puente. .

2.2.1 Deduccin del montaje puente.

2.2.2. Funcionamiento. ...

2.2.3. Valor medio de la tensin de salida. ...

2.2.4. Anlisis armnico de la tensin de salida. ..

2.2.5. Valor medio de la corriente de salida.

2.2.6. Solicitacin en tensin de los semiconductores. .

2.2.7. Solicitacin en corriente de los semiconductores. .............

2.2.8. Solicitacin en corriente de la lnea. ...

NUEVOS DISPOS. DE CONTROL DE POTENCIA. APLIC. PRCTICAS

AUTOR: RAFAEL RUIZ LPEZ

2.2.9. Anlisis armnico de la corriente de lnea.

2.2.10. Reaccin del puente sobre la red de alimentacin. .............

2.2.11. Cadas de tensin en un montaje puente.

2.3.- Puente rectificador con IGBTs. .

2.3.2. Funcionamiento ...

3.2. Rizado de corriente y tensin. .

3.2.1. Rizado de corriente en un circuito inductivo. ..

3.2.2. Integral temporal del rizado de tensin. ...

3.3. Reduccin del rizado de tensin. Diseo del filtro LC. .

3.3.1. Clculo del filtro LC conocida la inductancia de carga. .

3.3.2. Clculo del filtro LC para inductancia de carga variable. ..

3.4. Consideraciones para el diseo. .

Convertidores CC/CA ...

4.1. Introduccin a los convertidores CC/CA. ..

4.1.2. Distintos tipos de convertidores CC/CA. ..

4.2. Montaje semipuente monofsico.

4.2.2. Control de la tensin alterna. .

4.2.2.a. Control rectangular dos niveles. .

4.2.2.b. Control PWM senoidal dos niveles.

4.2.3. Anlisis armnico de la tensin alterna.

4.2.3.a. Pulso nico dos niveles.

4.2.3.b. PWM senoidal dos niveles. ..

4.3. Montaje puente monofsico.

4.3.2. Control de la tensin alterna. .

4.3.2.a. Control rectangular dos niveles. .