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Master en Energas Renovables y Mercado Energtico 2007/2008

Mdulo: Gestin Eficiente de la Energa

FUNDAMENTOS DE LA
CONVERSIN FOTOVOLTAICA:
LA CLULA SOLAR
AUTOR: JOS L BALENZATEGUI MANZANARES

: Quedan reservados todos los derechos. (Ley de Propiedad Intelectual del 17 de noviembre de 1987 y Reales Decretos).
Documentacin elaborada por el autor/a para EOI (entre otras entidades).
Prohibida la reproduccin total o parcial sin autorizacin escrita de EOI.

FUNDAMENTOS DE LA CONVERSIN FOTOVOLTAICA


Jos L Balenzategui Manzanares
CIEMAT

1. INTRODUCCIN
Este captulo trata de presentar los principios de funcionamiento de las clulas solares o
clulas fotovoltaicas, los dispositivos empleados para realizar una conversin fotovoltaica de la
radiacin solar. El fundamento de conversin de la radiacin solar en electricidad es bien distinto entre
las tecnologas fotovoltaica (FV) y trmica, dos de las grandes protagonistas de este Master, aunque la
energa FV comparte con su prima trmica algunos de los conceptos tericos y de las soluciones
tcnicas empleadas (materiales, dispositivos pticos, sistemas de seguimiento, etc). As, mientras las
tecnologas trmicas utilizan el calor como fuente primaria de energa, las tecnologas fotovoltaicas
requieren de la luz como materia prima. Esta distincin entre luz y calor es evidentemente absurda por
cuanto ambos conceptos conforman de forma inseparable la propia esencia de la radiacin solar y de la
energa que transporta, pero sirve en este primer acercamiento para diferenciarlas. Adems, mientras
en los sistemas trmicos se utiliza un fluido como material absorbente intermedio en un proceso en, al
menos, tres etapas (captacin, absorcin, transformacin), los sistemas fotovoltaicos emplean como
medio material un compuesto semiconductor que transforma la radiacin en electricidad en un proceso
en una sola etapa (absorcin-conversin) o, como mucho, en dos etapas (captacin y absorcinconversin, en el caso de los sistemas FV de concentracin). Existen muchas otras diferencias en
cuanto a sus caractersticas de funcionamiento. Por ejemplo, un incremento de temperatura en un
sistema fotovoltaico afecta negativamente al rendimiento de conversin, al contrario que en los
sistemas trmicos. Todos estos detalles los iremos analizando en el presente documento.
Hemos de sealar que las tecnologas fotovoltaicas son relativamente jvenes en cuanto a su
desarrollo tecnolgico. Cierto es que el efecto fotovoltaico se conoce desde finales del siglo XIX (en
la poca en la que los primeros ingenios solares trmicos estaban ya probndose) pero no fue hasta la
dcada de los 50 del siglo XX cuando se consiguieron realizar las primeras clulas con eficiencias de
conversin apreciables [Perlin, 2002]. El nacimiento y desarrollo de las tecnologas fotovoltaicas
estuvieron inicialmente ligados a la historia de la radio, las telecomunicaciones, la electrnica y los
viajes espaciales. Es a partir de la dcada de los 70, coincidiendo con la primera gran crisis energtica
internacional, cuando la energa fotovoltaica (FV) empieza a investigarse y a desarrollarse como una
fuente de energa per se con un enorme atractivo por sus caractersticas y sus potenciales aplicaciones.
La energa FV supone actualmente un campo de desarrollo cientfico y tecnolgico de enorme
amplitud y gran actividad al que, desde aqu, vamos simplemente a introducirnos de forma muy
somera.
Comenzaremos en este tema por exponer de forma simple cul es el fundamento de la
conversin fotovoltaica y las propiedades de los materiales semiconductores que los hacen
susceptibles de ser utilizados en esta conversin. Estudiaremos tambin cules son la estructura y
caractersticas de las clulas solares convencionales, las que trabajan en tecnologas llamadas de panel
plano. Analizaremos asimismo sus principales parmetros de diseo y las principales influencias que
determinan el rendimiento final de estos dispositivos.

2. CONCEPTOS ELEMENTALES DE LA TEORA DE SEMICONDUCTORES


Una clula solar fotovoltaica es un dispositivo electrnico de estado slido capaz de convertir
de forma directa la radiacin solar en energa elctrica. Aunque su funcionamiento es muy distinto,
podemos pensar inicialmente que una clula solar se comporta, cuando recibe la radiacin solar, de
forma similar a una pequea pila o batera (de las que utilizamos en nuestras radios, por ejemplo) que
es capaz de suministrar una cierta cantidad de corriente mientras mantiene entre sus bornes una
1

Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

diferencia de potencial determinada. La energa elctrica producida se suministra en forma de una


corriente elctrica continua (DC) a una carga externa conectada mediante un circuito a uno o varios
grupos de clulas que se ensamblan en unidades compactas que denominamos mdulos fotovoltaicos.
Al igual que hacemos con las pilas, las clulas que constituyen un mdulo se asocian entre s mediante
conexiones en serie y en paralelo hasta alcanzar los niveles de corriente y tensin adecuados.
El efecto fotovoltaico est basado en la propiedad que tienen los materiales semiconductores
de aumentar la densidad de electrones libres bajo ciertos estmulos externos como, por ejemplo,
cuando se eleva su temperatura o cuando se les ilumina. En este ltimo caso, la energa de los fotones
incidentes sobre el semiconductor es absorbida por los electrones de valencia, que pueden romper el
enlace con sus tomos y quedan libres para desplazarse en el seno del material. La densidad de
electrones libres (a los que nos referiremos simplemente como electrones) creados por la absorcin de
la luz incidente representa una poblacin en exceso respecto a la concentracin existente en equilibrio
trmico, siendo sta ltima estable y caracterstica a una temperatura dada.
La ausencia de un electrn en el enlace atmico roto se denomina hueco, y su comportamiento
se asimila al de una partcula de carga positiva, que puede desplazarse de un tomo a otro en el seno
de la red cristalina. Las propiedades de conduccin elctrica de un material semiconductor deben
entenderse como debidas a la contribucin de ambos tipos de cargas (electrones y huecos), aspecto que
los diferencia respecto al comportamiento de materiales conductores y aislantes. A electrones y huecos
se le engloba normalmente con la denominacin ms genrica de portadores de carga. Es importante
observar que la concentracin de electrones y de huecos en un material puro o intrnseco ser la
misma, puesto que ambos tipos de portadores se crean simultneamente, en el mismo instante.
Podemos visualizar el proceso de absorcin y la creacin de electrones y huecos a pares,
mediante algunos modelos simples pero que resultan muy tiles para su comprensin. En la Figura 1
se han ilustrado los procesos que acabamos de mencionar en un modelo de bandas de energa. En este
modelo, los niveles de energa permitidos para los electrones ms alejados del ncleo atmico
(electrones de valencia) de los tomos que conforman una red cristalina se agrupan en dos rangos o
bandas de energa. El rango o banda inferior de estados permitidos se denomina banda de valencia y
representa el conjunto de valores energticos posibles para electrones de valencia que an permanecen
ligados a los tomos de la red. La banda superior se denomina banda de conduccin y engloba los
valores de energa posibles para electrones que han roto su enlace y pueden moverse libremente en el
seno del material. Ambas bandas aparecen separadas entre s por un intervalo que representa la
cantidad de energa necesaria para que un electrn de valencia pueda romper el enlace. Este salto
energtico se llama banda prohibida o gap de energa, EG, y su anchura es caracterstica de cada
material semiconductor (ejemplo: EG = 1,12 eV para el Si; 0,66 eV para el Ge; 1,42 eV para el GaAs).
a)

b)

T 0K

T > 0K

EC

EC
EG
EV

EV

x
Figura 1. a) Estructura de bandas en un semiconductor: el nivel energtico inferior de la banda de conduccin,
EC, y el nivel energtico superior de la banda de valencia, EV., estn separados por un gap de energa
EG.caracterstico de cada semiconductor; b) generacin de electrones y huecos. Cerca del cero absoluto de
temperatura, los electrones de valencia estn atrapados en sus tomos. Al incrementarse la temperatura, algunos
electrones adquieren suficiente energa para romper los enlaces y promocionar a la banda de conduccin. Los
electrones de valencia tambin pueden liberarse si el dispositivo es iluminado con fotones con energa E > EG.

Las propiedades pticas, electrnicas y de conduccin de un material semiconductor estn


relacionadas precisamente con la existencia de esa banda prohibida de energa. Por ejemplo, el valor
2

del gap de energa EG, se reduce con la temperatura y provoca, entre otras cosas, que la densidad de
portadores en equilibrio en un material intrnseco aumente notablemente al incrementarse la
temperatura, puesto que entre ambos existe una dependencia en la forma:
E
ni 2 exp G
(1)
kT
siendo k la constante de Boltzmann y T la temperatura absoluta. Ambas dependencias se han
representado en la Figura 2.

a)
b)
Figura 2. Variacin con la temperatura de a) el gap de energa EG.caracterstico de varios semiconductores, y
b) la concentracin intrnseca de portadores en estos materiales.

Estas propiedades opto-electrnicas, junto a los procesos dinmicos por los cuales los pares e
/h se crean (procesos de generacin) y se destruyen o aniquilan (procesos de recombinacin),
determinan en primera instancia el funcionamiento de la clula fotovoltaica en distintas condiciones de
operacin. La absorcin de la radiacin solar es slo uno de los diversos procesos de generacin que
pueden tener lugar en el seno o en las fronteras de un dispositivo semiconductor, como comentaremos
ms adelante. De hecho, cada mecanismo de generacin o produccin de portadores lleva asociado un
proceso inverso de recombinacin. Los diversos procesos pueden tener mayor o menor importancia en
un dispositivo dado: algunos son inherentes a la propia naturaleza del material, otros dependen de la
calidad de la red cristalina y la densidad de defectos que aparecen en ella. Lo ms importante es
observar que, de no introducir artificialmente alguna forma que permita extraer los electrones, una
lmina de material semiconductor no es capaz de producir por s misma una corriente elctrica. En
ausencia de otras perturbaciones, la densidad de portadores es alta cuando se ilumina la lmina y se
reduce rpidamente (mediante procesos de recombinacin) a su valor de equilibrio cuando cesa la
iluminacin.
En la mayora de los casos, el artificio que se utiliza para poder extraer electrones de un
semiconductor y conseguir que este trabaje como una clula fotovoltaica es la creacin de un campo
elctrico interno que tiene un carcter superficial y permanente en la estructura del dispositivo. Es
bien sabido que, bajo la accin de un campo elctrico, cualquier elemento de carga experimenta una
fuerza de arrastre: F = qE , de forma que las partculas con carga positiva son impelidas en la
direccin del campo mientras que las cargas negativas son empujadas en sentido contrario.
Para crear este campo elctrico en la estructura del dispositivo, se introduce en el
semiconductor una cierta cantidad controlada de impurezas (llamados dopantes), es decir, tomos de
otro elemento distinto al material de partida que presenta un exceso o un defecto de electrones en sus
+

Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

capas ms externas respecto al material intrnseco (libre de impurezas). Una impureza se considera
donadora cuando el elemento utilizado tiene un electrn de valencia ms que el material intrnseco
(caso de dopantes como el P, As o Sb aadidos al Si). La impureza se considera aceptora cuando el
dopante tiene un electrn de valencia menos que el semiconductor intrnseco (caso del B, Ga, In, o Al
agregados al Si). Lo esencial del proceso de dopaje es que la presencia de estas impurezas en cantidad
suficiente modifica notablemente la concentracin de portadores en el semiconductor en un rango de
temperaturas muy amplio, tal como muestra la Figura 3, debido a que las impurezas introducidas se
ionizan muy fcilmente a temperaturas relativamente bajas. El semiconductor as dopado se denomina
extrnseco para indicar que su densidad de portadores est alterada respecto a su concentracin inicial.
Obsrvese que introducir impurezas aceptoras supone un incremento en la concentracin de huecos en
el material mientras que impurezas donadoras provocan un aumento en la concentracin de electrones.
Cuando el material extrnseco ha ganado electrones, se dice que es de tipo negativo o de tipo-n. Si ha
aumentado su densidad de huecos se dice que es de tipo positivo o tipo-p.

Figura 3. Variacin de la concentracin relativa de electrones con la temperatura en un material dopado con
impurezas donadoras. Slo a temperaturas muy elevadas, se recupera el comportamiento exponencial de la
concentracin intrnseca mostrada en la Figura 2.

Durante el proceso de fabricacin de una clula, se provoca que impurezas donadoras y


aceptoras estn presentes en caras opuestas del dispositivo. A temperatura ambiente, estos dopantes
estn excitados (aumentando la concentracin de electrones y huecos en la regin donde se
encuentran) Hemos conseguido entonces que una parte del dispositivo sea de tipo-p mientras la parte
opuesta lo sea de tipo-n. Pero, al excitarse las impurezas, quedan iones fijos en la red cristalina (los
tomos que han cedido y/o ganado electrones). La regin o frontera que delimita la zona de tipo-p y la
zona de tipo-n est caracterizada entonces por la presencia de iones fijos con carga elctrica de signo
opuesto, lo que provoca la existencia de un campo elctrico permanente (y de su correspondiente
diferencia de potencial). Este tipo de estructura se denomina unin p-n (positiva-negativa) y es
caracterstica de dispositivos como los diodos electrnicos. El aspecto particular de los diodos es la
propiedad rectificante de la unin p-n, esto es, que permite el paso de una corriente elctrica en un
sentido (sin apenas cadas de tensin) mientras que presenta una elevada resistencia a la conduccin en
sentido contrario.
Cuando se ilumina la clula, este campo elctrico arrastra a los electrones y los huecos
fotogenerados en direcciones opuestas y permite la creacin de una corriente elctrica que puede
aprovecharse en un circuito externo. Junto a esta corriente de arrastre (provocada por el campo
elctrico) existe otra corriente producida por mecanismos de difusin. La difusin se produce cuando
existe una diferencia en la concentracin de partculas (n de partculas por cm3) entre dos regiones de
un sistema. La corriente neta en la unin p-n y en la clula resulta del balance de estas dos corrientes y
de las tasas de recombinacin y de generacin de portadores (n de eventos producidos por cm3 y por
segundo) en cada punto del dispositivo.
El efecto fotovoltaico consiste, por tanto, en la conjuncin de dos procesos que ocurren en el
dispositivo: la fotogeneracin de portadores (es decir, la absorcin de radiacin luminosa en el
semiconductor) y el desplazamiento de estos portadores hacia los extremos del dispositivo donde
4

pueden ser recolectados. En principio, y de una forma ms general, el efecto fotovoltaico es


susceptible de producirse en cualquier material semiconductor que forma parte de un sistema
heterogneo, tal como estructuras de unin p-n en semiconductores o contactos metal-semiconductor,
metal-aislante-semiconductor o semiconductor-electrolito. Sin embargo, la base (~99%) de la
tecnologa actual tanto a nivel comercial como a nivel experimental o de laboratorio, la forman los
dispositivos de unin en semiconductores,
Para colectar los portadores de carga a ese circuito externo, se hace necesario dotar a la clula
de una serie de contactos metlicos que sirvan de conexin entre el semiconductor y el conductor
elctrico. Los contactos deben permitir extraer de la forma lo ms eficiente posible electrones por una
de sus caras y devolverlos a la clula por la cara opuesta. Pero, al mismo tiempo, la clula fotovoltaica
debe ser capaz de captar la mayor cantidad posible de luz para realizar esta conversin sin que la
presencia de esos contactos metlicos suponga una merma significativa en el proceso de absorcin.
As pues, la estructura del campo elctrico interno y su proceso de fabricacin, la forma y
constituyentes de las metalizaciones o contactos elctricos y el diseo ptico de la clula determinan
finalmente su rendimiento de conversin.

3. LA CLULA SOLAR. ESTRUCTURA Y PARMETROS CARACTERSTICOS


Con las nociones bsicas introducidas hasta el momento, podemos comenzar a describir cul
es la estructura y el funcionamiento bsico de un clula solar. Tambin nos ocuparemos brevemente de
sealar cules son sus parmetros caractersticos de funcionamiento.
3.1. Estructura de una clula fotovoltaica

La estructura simplificada de una clula fotovoltaica se muestra en la Figura 4 y en ella


podemos apreciar los principales elementos o secciones que la conforman. Desde el punto de vista de
los fotones incidentes, comenzando por su cara anterior, encontramos por este orden:
Radiacin Solar

Malla
Capa AR

Emisor

n+

Base

p
Contacto posterior

Figura 4. Estructura simplificada de una clula fotovoltaica de unin p-n. Las dimensiones relativas de cada
elemento se han exagerado para una mejor visualizacin.
una capa antireflexiva (capa AR), diseada para reducir al mximo las prdidas por reflexin

superficial. El espesor y el ndice de refraccin de esta capa (puede ser una capa compuesta de
varias) se disean de forma que la reflectancia sea mnima a cierta longitud de onda y en un
intervalo lo ms amplio posible del espectro. Adems de estas capas, muchas clulas
presentan superficies dotadas de surcos, micro-pirmides y otras texturas creadas para reducir
an ms las prdidas por reflexin.
Una malla de metalizacin, representada en forma de peine en la Figura 4, pero que puede
presentar formas diversas. El diseo de esta malla de metalizacin es crtico puesto que debe
garantizar una coleccin adecuada de los electrones del dispositivo, sin introducir una
resistencia elctrica elevada, pero al mismo tiempo debe dejar pasar la mayor cantidad de luz
posible al interior del dispositivo. Su parmetro ms caracterstico es el factor de sombra, FS,
5

Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

que mide la cantidad de superficie ocupada por los dedos metlicos respecto al rea total del
dispositivo.
Las capas activas de material semiconductor, en el que distinguimos entre las dos regiones que
forman la unin p-n (denominadas emisor y base). Habitualmente, estas capas activas
aparecen depositadas o crecidas sobre un sustrato ms grueso que confiere mayor resistencia
mecnica al conjunto. Adems del tipo y la calidad del semiconductor empleados, el espesor
de las capas (emisor y base) y la densidad o concentracin de impurezas influyen
notablemente en el rendimiento final del dispositivo.
El contacto metlico posterior, que suele realizarse metalizando toda la superficie del
dispositivo cuando no existe el requisito de que sta reciba luz por su parte posterior.
A partir de esta estructura bsica, se han introducido en la estructura de la clula numerosas
modificaciones e innovaciones con el fin de conseguir mayores eficiencias de conversin. Por
ejemplo, como en el caso de algunas clulas de concentracin o algunas realizadas con tecnologas de
lmina delgada, dispositivos ms sofisticados pueden presentar ms de una unin en su estructura
(dispositivos tandem o multiunin), o una o varias uniones p-n formadas por distintos materiales
semiconductores (dispositivos de heterounin). Aparecen adems capas adicionales para mejorar el
crecimiento de las secciones activas sobre un sustrato, acoplar constantes de red entre distintos
materiales, permitir el crecimiento de unas clulas sobre otras, transferir portadores de carga de una a
otra seccin sin prdidas, etc.
3.2. Parmetros caractersticos

Cuando se ilumina un dispositivo como el de la Figura 4 mientras est conectado a una carga
externa, ste funciona como generador de energa y exhibe unos valores de corriente y tensin que son
variables en funcin de las condiciones de operacin (temperatura, irradiancia) y del punto de trabajo
que impone la carga. La curva caracterstica de una clula solar operando en CEM (o Condiciones
Estndar de Medida, definidas por 1000 W/m2 de irradiancia con distribucin espectral AM1.5G y
25C de temperatura) tiene la forma aproximada que se muestra en la Figura 5 y responde a una
ecuacin ideal conocida como el modelo de una exponencial de la clula. Esta ecuacin est basada en
considerar como vlido el principio de superposicin, segn el cual, la corriente de la clula resulta
del balance de la corriente producida por la luz incidente y la correspondiente al diodo de unin p-n
que forma su ncleo:

qV
I = I L I D = I L I 0 exp
mkT

(2)

donde IL es la corriente fotogenerada e ID es la corriente de oscuridad o corriente de diodo. En la


expresin de sta ltima, I0 se denomina corriente inversa de saturacin del diodo, q es la carga del
electrn, m es el llamado factor de idealidad del diodo (un parmetro adimensional con valores tpicos
entre 1 y 2), k es la cte. de Boltzmann, y T es la temperatura absoluta. Al trmino kT/q se le llama
habitualmente voltaje trmico.
En la Figura 5 se han sealado adems tres parmetros fundamentales para describir el
comportamiento del dispositivo:
La corriente de cortocircuito (ISC) es el mayor valor de la corriente que puede obtenerse del
dispositivo como generador, y que se produce cuando V = 0. En ese caso, y segn (2):
I SC I (V = 0 ) = I L
(3)
La tensin de circuito abierto (VOC) es la mayor tensin que polariza el dispositivo cuando

trabaja como generador, dada para I = 0. Aplicando esta condicin en (2):

VOC = m

kT I L
ln + 1
e I0

(4)

El punto de mxima potencia (PM) es un punto de trabajo en el que la potencia entregada por

la clula a la carga externa es mxima. Para una carga resistiva, la potencia P entregada viene
dada por el producto: P = V I , y es la que se ha representado en la la Figura 5. El punto de
trabajo correspondiente, (VM , I M ) , define los valores nominales de la tensin y la corriente en

el punto de mxima potencia (no confundir con tensin y corriente mximas), de forma que:
PM = VM I M .
2

3.5
Pm

1.5

Isc

2
1
1.5
1

Potencia (W)

Intensidad (A)

2.5

0.5

Voc

0.5
0

0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Voltaje (V)

Figura 5. Curva caracterstica I-V de una clula fotovoltaica en iluminacin, con indicacin de algunos de sus
parmetros principales. La curva punteada representa la potencia P(V).

Junto a estos parmetros de operacin, existen otros dos de enorme importancia:


El factor de forma (FF) es la relacin entre la potencia mxima (o el producto de la corriente y
la tensin en el punto de mxima potencia) y el producto entre ISC y VOC:

FF =

PM
I V
= M M
I SCVOC I SCVOC

(5)

y se usa para cuantificar la forma de la curva caracterstica. Aunque en la prctica es siempre


menor que la unidad, su valor es ms alto cuando el codo de la curva es ms prominente o
agudo. Por lo general, un valor bajo de FF est asociado con la existencias de prdidas en el
dispositivo mientras que una clula de buena calidad suele tener valores de FF elevados (FF >
0.70).
La eficiencia de conversin energtica (), expresada como un porcentaje, viene dada por la
relacin entre la potencia elctrica que puede entregar la clula y la potencia PL de la radiacin
que incide sobre ella:

PM I M VM FF I SCVOC
=
=
PL
PL
PL

(6)

Como indicacin de carcter general, puede apreciarse cmo un aumento de la corriente de


cortocircuito ISC y/o de la tensin de circuito abierto VOC de la clula conducen (siempre que
no se perjudiquen otros parmetros de funcionamiento) a una mayor eficiencia del dispositivo.

4. ASPECTOS DE FUNCIONAMIENTO DE LAS CLULAS FOTOVOLTAICAS


Adems de los aspectos ya sealados, existen algunas propiedades fundamentales de las
clulas o de los semiconductores que las constituyen sobre las que es necesario comentar algunos
detalles para comprender mejor su funcionamiento.
4.1. Propiedades opto-electrnicas de las clulas
7

Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

En primer lugar, hemos aludido a la capacidad del semiconductor de absorber de forma


eficiente los fotones incidentes sobre su superficie. En principio, esto es cierto para aquellos fotones
que tienen una energa E igual o superior al gap de energa EG del material. Aquellos fotones con
energa E < EG no son absorbidos y pueden atravesar el dispositivo como si este fuera transparente
(excepto si existen mecanismos de absorcin adicionales que no provocan la generacin de electrones
y huecos). Cada material semiconductor est caracterizado por un valor particular de la energa de la
banda prohibida, que nos indica la energa mnima (o la longitud de onda mxima) de la radiacin que
es capaz de absorber. El valor de EG del material determina adems el lmite superior terico para la
tensin de circuito abierto VOC de una clula basada en dicho material. Los fotones con energa
sensiblemente superior al valor de EG se absorben apenas con unas dcimas de micras de material, y la
energa en exceso se pierde rpidamente por choques de los electrones libres con los iones de la red
(proceso de termalizacin), siendo este un mecanismo de prdidas inevitable (excepto para conceptos
de clula muy avanzados, actualmente en fase de investigacin).
Pero adems, cada semiconductor presenta una capacidad de absorcin diferente para fotones
de distintas energas, que se mide mediante su coeficiente de absorcin, (). Este coeficiente nos
indica la cantidad de fotones que se absorben por unidad de longitud de material atravesado por la
radiacin a cada longitud de onda, . En la Figura 6 se muestran los coeficientes () de distintos
semiconductores. Algunos materiales son muy absorbentes y permiten que las capas activas que
conforman la clula sean muy delgadas (del orden de algunas micras, como en el GaAs) mientras que
otros materiales requieren de mayores espesores al tener coeficientes de absorcin ms bajos (caso del
Si cristalino, por ejemplo).

Figura 6. Coeficiente de absorcin en funcin de la energa para distintos materiales fotovoltaicos. La lnea
punteada muestra la distribucin espectral AM1.5 como referencia.

Por otro lado, no slo es necesario que el material sea capaz de absorber fotones y producir
pares e/h+ sino que estos portadores de carga deben extraerse de la clula para verter la energa en el
circuito externo. La fraccin de portadores que es finalmente extrada del dispositivo se denomina
eficiencia de coleccin, C, y depende de las propiedades electro-pticas del material y de la estructura
de la clula. En la prctica, no es inmediato conseguir valores de C prximos a la unidad para todas
las longitudes de onda, puesto que una parte de los portadores fotogenerados se recombinan antes de
poder alcanzar la zona del campo elctrico o los contactos metlicos, a travs de diversos mecanismos
(procesos radiativos, Shockley-Read-Hall, Auger, recombinacin superficial [Pierret, 1989]). Por
ejemplo, el valor de I0, la corriente inversa de saturacin del diodo, est directamente relacionado con
el grado de recombinacin en la clula. Obsrvese tambin que en la ecuacin (2), la corriente del
diodo ID representa en esencia la recombinacin inducida en el dispositivo y que sta depende
exponencialmente de la tensin de operacin V, por lo que a mayor tensin, mayor recombinacin y,
8

por tanto, mayores prdidas y menor corriente. Precisamente la tensin de circuito abierto VOC
corresponde a la situacin en la que el nmero de procesos de recombinacin iguala al nmero de
procesos de generacin, lo que impide que circule corriente al exterior del dispositivo. Incluso en
condiciones de cortocircuito (V = 0), los procesos de recombinacin no se anulan enteramente.
4.2. Mecanismos adicionales de prdidas y la ecuacin real de la clula

Existen pues diversos mecanismos de prdidas que es importante conocer y controlar en la


medida de lo posible. Adems de los procesos de recombinacin que hemos mencionado, una de las
principales fuentes de prdidas se debe a la existencia de una resistencia serie RS en el dispositivo.
Esta resistencia tiene distintas contribuciones, presenta un carcter distribuido en el dispositivo y,
adems, no siempre mantiene un valor constante. En primer lugar, el propio material semiconductor
ofrece una cierta resistencia al paso de la corriente, por lo que lo ideal sera fabricar clulas muy
delgadas (pero sin que esto suponga reducir la capacidad de absorcin, evidentemente). La base y el
emisor de la clula suelen presentar distintos valores de RS debido a las direcciones en que fluyen los
portadores y las distintas concentraciones de impurezas. Los contactos entre metal y semiconductor
tambin introducen cadas resistivas, por lo que se tiende a dopar en mayor proporcin las zonas de
contacto. Y finalmente, la propia malla de metalizacin frontal es uno de los principales
contribuyentes. Una malla de metalizacin excesivamente fina (pequea seccin de conductor)
introduce cadas resistivas grandes aunque permite una mejor captacin de radiacin. Por el contrario,
reducir su resistencia serie implica utilizar dedos de metalizacin ms gruesos a costa de aumentar el
factor de sombra y reducir la eficiencia de la clula. De ah lo importante de su diseo.
Por otro lado, existen tambin una serie de fugas de corriente adicionales que pueden
producirse por diversas causas [Arajo, 1995] (imperfecciones de la unin p-n o defectos en la
estructura cristalina como dislocaciones, fronteras de grano, etc, por conduccin por la superficie de
los bordes de la clula o por pequeos cortocircuitos locales). Estas fugas de corriente suelen
caracterizarse como una resistencia en paralelo RP con el dispositivo. Sin embargo, esta resistencia RP
suele tener un valor equivalente muy elevado y no tiene apenas importancia en el funcionamiento
normal de muchos tipos de clulas y menos si operan bajo luz concentrada.

I
IL
RS

ID

RP

Figura 7. Circuito equivalente de una clula solar real, con incorporacin de las resistencias serie y paralelo.

La incorporacin de todos estos efectos mediante elementos discretos de un circuito


(resistencias) hace que podamos representar un circuito equivalente de una clula fotovoltaica (ver
Figura 7) y que podamos introducir una ecuacin real de la clula que incorpore las prdidas de
corriente asociadas, en la forma:

q (V + IRS ) V + IRS
I = I L I 0 exp
1

mkT
RP

(7)

As, una clula de alta eficiencia presentar, en general, valores muy bajos de resistencia serie
mientras que los valores de resistencia paralelo sern muy elevados. La resistencia serie, como vamos
a comprobar ms adelante, es una de las principales causas de la reduccin de la eficiencia de una
clula, sobre todo cuando se aumenta el nivel de concentracin.
4.3. Influencia de la irradiancia y la temperatura

Una forma de caracterizar o diagnosticar si la clula est recolectando adecuadamente fotones


9

Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

de distintas longitudes de onda es mediante la medida de la eficiencia cuntica del dispositivo. La


eficiencia cuntica QE() es el cociente entre el nmero de electrones extrados del dispositivo (con la
clula en cortocircuito) y el nmero de fotones incidente sobre el mismo para cada valor de . A partir
de lo ya comentado, es fcil comprender que:
QE ( ) = ( ) C ( )
(8)
Habitualmente, la eficiencia cuntica se calcula de forma simultnea a la respuesta espectral
SR() del dispositivo, que expresa el mismo concepto en trminos de corriente extrada de la clula por
unidad de potencia luminosa incidente. As, ambas estn relacionadas por:

q
QE ( )
hc

SR ( ) =

(9)

siendo h la constante de Planck y c la velocidad de la luz.


La respuesta espectral de clulas basadas en distintos materiales se muestra en la Figura 8.
Ambas magnitudes, SR y QE, permiten identificar problemas y defectos en la clula y adems dnde se
estn produciendo, hasta el punto de que se consideran como la huella dactilar de la clula [Mart,
2000]. Tambin son importantes en la calibracin y en la medida de las propiedades de la clula
trabajando bajo distintos espectros, puesto que la corriente fotogenerada viene dada por:

I L = A S R ( ) G ( ) d eA QE ( ) G ( )

hc

(10)

siendo G() la distribucin espectral de la radiacin indicente y A el rea del dispositivo. Observe que,
a partir de (7), un dispositivo fotovoltaico de buena calidad (con valores adecuados de las resistencias
serie y paralelo), debe cumplir: ISC IL. Por tanto, si consideramos que SR es constante e invariante con
el nivel de irradiancia, la corriente de cortocircuito debe presentar, en un amplio rango de trabajo, una
dependencia lineal con la concentracin luminosa X, puesto que:

I L ( G ) = I L ( G0 )

G
= X I L ( G0 )
G0

I SC ( G ) = X I SC ( G0 )

(11)

siendo G la irradiancia en unas condiciones dadas de trabajo y G0 un valor de referencia (por ejemplo,
las de STC, que en el mbito fotovoltaico se denominan como 1 sol).

Figura 8. Respuesta espectral de clulas basadas en distintos materiales fotovoltaicos.

La tensin de circuito abierto muestra, en cambio, una dependencia logartmica con la


concentracin luminosa, que puede deducirse a partir de (4):

VOC (G ) = V0 + m

kT G
kT
ln = V0 + m
ln ( X )
q G0
q

(12)

siendo V0 el valor de VOC a las condiciones de referencia dadas por G0.


Por otro lado, la variacin de la corriente de cortocircuito y la tensin de circuito abierto de la
clula con la temperatura tiene, adems de las dependencias explcitas que aparecen en (4) y (7), otras
dependencias implcitas (por ejemplo, a travs de la variacin del gap del material, o de la corriente
10

fotogenerada). La principal de estas dependencias se produce por medio del parmetro I0, que depende
fuertemente de la temperatura:

E
I 0 = K T 3 exp G 0
kT

(13)

siendo K y EG0 dos constantes. En la prctica y para un rango amplio de temperaturas de operacin, el
resultado final es una variacin lineal de ISC y VOC con T, que se representa mediante dos coeficientes
de temperatura en la forma:

I SC (T ) = I SC (TR ) + (T TR )

VOC (T ) = VOC (TR ) + (T TR )

(14)

donde TR es una temperatura de referencia. Para niveles medios o altos de irradiancia, el coeficiente
es positivo (no confundirlo con el coeficiente de absorcin) mientras que el coeficiente es negativo,
reflejando el hecho de que la ISC aumenta con la temperatura mientras que VOC disminuye al aumentar
T (en trminos relativos, el aumento de ISC es mucho menos significativo que la reduccin de VOC). El
factor de forma FF tambin disminuye ante un incremento de la temperatura, sobre todo debido al
incremento de I0 y a la disminucin de la VOC. Como resultado de todas estas dependencias, la
eficiencia de una clula fotovoltaica decrece con la temperatura (del orden del 0.5% por grado para el
Si, y de 0.3% por grado para el GaAs).
Comprender estas dependencias de los distintos parmetros con la irradiancia y la temperatura,
junto con los mecanismos de prdidas que hemos sealado, es esencial para profundizar en el diseo y
funcionamiento de las clulas fotovoltaicas.

En este documento hemos tratado de introducir los principios de conversin, la estructura


bsica, los parmetros caractersticos y los aspectos que condicionan el rendimiento de una clula
fotovoltaica en distintas condiciones de operacin. En el prximo captulo podremos comprobar cmo
pueden controlarse algunos parmetros de diseo para conseguir clulas de alta eficiencia y
estudiaremos cmo se fabrican y qu particularidades tienen diversos tipos de clulas fotovoltaicas.

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Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica

5. REFERENCIAS
[Arajo, 1995]
[Green, 1998]
[Mart, 2000]
[Snchez, 1984]
[Perlin, 2002]
[Pierret, 1989]

G.L.Arajo, La clula Solar, en E.Lorenzo, Electricidad Solar. Progensa


(1994)
M.A.Green, Solar Cells. Operating Principles, Technology and System
Applications. University of New South Wales (1998).
A. Mart, Fundamentos de la Conversin Fotovoltaica: La Clula Solar, en
Fundamentos, Dimensionado Aplicaciones de la Energa Solar Fotovoltaica.
CIEMAT, Madrid (2004).
E.Snchez, G.L.Arajo, Mathematical Analysis of the Efficiency Concentration
Characteristics of a Solar Cell. Solar Cells 12 (1984) 263-276.
J. Perlin, From Space to Heart: the History of Solar Electricity. Harvard
University Press (2002).
R.F.Pierret, Semiconductor Fundamentals, en la coleccin Modular Series on
Solid State Devices. Addison-Wesley Iberoamericana (1989)

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