UNIDAD

MEMORIAS DE SOLO LECTURA

2.1 Introduccin.
La memoria de solo lectura o ROM (Read Only Memory) es un arreglo de
celdas de memoria para acceso aleatorio y directo. La operacin normal de
la memoria consiste en leer la informacin almacenada. Para algunas ROMs
los datos que estn almacenados tienen que integrarse durante el proceso
de manufactura; para otras ROMs los datos pueden almacenarse
elctricamente.
El proceso de almacenar datos se conoce como programacin de la
ROM. Algunas ROMs no pueden alterar sus datos una vez que se hayan
programado; otras pueden borrarse y reprogramarse con la frecuencia que
se desee. La ventaja de la memoria ROM es que la informacin almacenada
no se pierde si se corta el suministro de energa elctrica. Por ejemplo los
programas de las microcomputadoras se encuentran almacenados en una
ROM, ya que la ROM es no voltil y por lo tanto siempre estarn
disponibles al energizar la microcomputadora.
Las memorias ROM de semiconductor se dividen en tres grupos:
a) ROM de mscara programada.
b) ROM de eslabn fusible, en las que se produce un cambio
permanente e irreversible en la estructura de interconexin por
medio de un impulso elctrico.
c) ROM alterables, en las que se induce elctricamente un cambio
reversible en las caractersticas de dispositivo activo.
Tanto en las memorias de mscara programada como en las de eslabn
fusible, los datos se almacenan en las celdas de memoria en el momento
de su fabricacin. Puesto que las celdas ROM son muy pequeas, tales
memorias requieren menor rea de chip que una RAM con un nmero de
bits comparable.
Las ROM de mscara programada se emplean a menudo para almacenar
microprogramas de conversin de cdigos, control de procesos, o para la
generacin de caracteres, as como programas regularizados, invariables y
de propsito dedicado. En estos casos el cliente especifica un formato de
los bits para una aplicacin determinada. Normalmente el usuario
16

especifica las necesidades de entrada/salida de la ROM a medida en una

hoja de codificacin. Esta informacin se emplea posteriormente en el
proceso de fabricacin para generar mscaras de interconexin especiales
para el circuito integrado.
Las pequeas dimensiones y la elevada densidad funcional de los
circuitos MOS los hacen particularmente tiles para la construccin de
memorias de slo lectura. En muchos casos, el conjunto adicional de
circuitos necesario para la decodificacin de direcciones y la separacin de
entradas queda incluido en el mismo circuito junto a la matriz de memoria.
Los circuitos ROM de eslabn fusible se programan una vez se ha
completado el proceso de fabricacin y encapsulado del circuito
monoltico. La programacin se consigue por fusin o quemado de
determinadas
interconexiones
criticas
en
las
ubicaciones
de
almacenamiento deseadas. Esto puede hacerlo el usuario con la ayuda de
equipos especiales de programacin.
En los circuitos ROM alterables el contenido de la memoria puede
reprogramarse induciendo un cambio en las caractersticas del dispositivo
activo. Un ejemplo de tal dispositivo activo alterable es la estructura
metal-xido-semiconductor de puerta aislada e inyeccin por avalancha
(FAMOS). Este dispositivo es esencialmente un transistor MOS de puerta de
silicio de canal p, sin que exista contacto elctrico con la puerta. El
funcionamiento de esta clula de memoria depende del transporte de carga
de electrones hacia la puerta flotante por inyeccin en avalancha, bien
desde las uniones pn de surtidor o de drenador. Cuando se aplica un
impulso de alta tensin se origina una acumulacin de carga en la puerta,
lo que a su vez induce una capa conductora inversa desde el surtidor hasta
el drenador. Cuando se suprime la tensin aplicada, no hay camino de
descarga para los electrones acumulados, ya que la puerta est rodeada
por xido trmico. As esta carga inyectada queda atrapada en el
electrodo de puerta, y mantiene un canal inducido debajo de la puerta
hasta que se aplica un impulso de alta tensin de polaridad opuesta para
alterar el estado de la memoria.
2.2 Arquitectura de la ROM.
Un CI de memoria ROM contiene un conjunto de entradas llamadas
lneas de direccin que permiten seleccionar la palabra de memoria que se
leer, entradas de control y lneas de salidas de datos. Las salidas de los CI
de memoria son salidas de tres estados para permitir la interconexin de
17

muchos circuitos al bus de datos. La siguiente figura 2-1 muestra un

diagrama a bloques de un CI de memoria ROM tpico.

Fig. 2-1 Diagrama a bloques de un CI ROM.

La arquitectura (estructura interna) de un CI ROM es muy compleja, pero
el diagrama simplificado de la arquitectura como el que se muestra en la
figura 2-2 para la ROM de 16 x 8 se observa que, bsicamente la ROM esta
compuesta por un descodificador de renglones, descodificador de
columnas, matriz de registros y amplificadores o buffers de salida.
A continuacin se describe los elementos que integran a la ROM segn el
la figura 2-2.
Arreglo de registros: El arreglo de registros almacena los datos que han
sido programados en la ROM. Cada registro contiene un nmero de
celdas de memoria que es igual al tamao de la palabra. En este caso,
cada registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen
en un arreglo de matriz cuadrada que es comn a muchos circuitos de
semiconductor. La posicin de cada registro se ubica en un rengln y
una columna especficos. Por ejemplo, el registro 4 se encuentra en el
reng1n 0, columna 1 y el registro 13 est en el reng1n 1, columna 3.
18

Las ocho salidas de datos de cada registro se conectan aun canal de

datos interno que corre a travs de todo el circuito. Cada registro tiene
dos entradas de habilitacin (E); ambas tienen que ser altas a fin de que
los datos del registro sean colocados en el canal.

Fig. 2-2 Arquitectura de la ROM

Descodificadores de direcciones: El cdigo de direccin aplicado a travs
de las lneas de entrada A3-A0 determina qu registro ser habilitado
para colocar su palabra de datos en 8 bits en el canal. Los bits de
direccin A1-A0 se alimentan a un descodificador 1 de 4 que activa una
lnea de seleccin de rengln y los bits de direccin A3-A2 se alimentan a
un segundo descodificador de 1 de 4 que activa una lnea de seleccin
de columna. Solamente un registro estar en el rengln y la columna
seleccionados por las entradas de direccin, y ste estar habilitado.
Buffers de salida: El registro habilitado por las entradas de seleccin
coloca el dato que tiene sobre el canal de datos. Estos datos entran en
19

los buffers de salida, mismos que se encargan de transmitirlos hacia las

salidas externas siempre y cuando CS est activo en bajo. Si CS est en
estado alto, los buffers de salida se encuentran en el estado de alta
impedancia, con lo que D7 hasta D0 estarn flotando.
2.3 Memoria de solo lectura.
A los enlaces que conectan una ROM programados por el fabricante para
que se adapten a una aplicacin particular a travs de una mscara
fotogrfica especial que permiten obtener un CI de memoria
no
reprogramable se les conoce como Mask Read Only Memory (MROM). En
altos volmenes, la memoria de mscara (MROM) es una alternativa
rentable debido al alto costo de tal mscara. La tecnologa empleada puede
ser MOS o bipolar.

Fig. 2-3 Arquitectura de la MROM de tecnologa bipolar.

20

En la figura 2-3 el fabricante a travs de la mscara fotogrfica establece

las conexiones de las bases de los transistores para que se almacene los
datos proporcionados por el cliente. Cuando se ha seleccionado una
palabra de memoria mediante el descodificador; el dato obtenido en las
terminales de salida es el resultado de las conexiones que existen en la
base de los transistores.

Fig. 2-4 Dato almacenado en una memoria MROM.

Por ejemplo para la direccin A1-A0 = (00)2 el dato de salida es (1010)2
como puede deducirse de en la figura 2-4. Este dato podr ser ledo de la
memoria a travs de las lneas de salida si se ha activado las seales de
control de la memoria.
El cronograma de temporizacin de la figura 2-5 para una lectura de
operacin de la ROM es vlido para todas las clases de ROM; la diferencia
para cada tipo de ROM radica en el tiempo de acceso (tACC). En el caso de la
MROM el tACC es en promedio de 50 ns, mientras que para la EPROM el tACC
es de 150 ns. Esta es una de las ventajas de la memoria MROM.

21

Fig. 2-5Cronograma de la operacin de lectura de la ROM.

2.4 ROM Programable (PROM).
La memoria PROM (Programmable ROM) resulta til para aplicaciones de
bajo volumen debido al bajo costo del CI en comparacin con la MROM. Las
PROMs emplean algunos tipos de proceso de operacin de fusibles para
almacenar bits, donde un enlace de memoria es un fusible abierto o
cerrado para representar los estados logicos ya sea 0 o 1. El proceso de
operacin de fusibles es irreversible, de ah que se le clasifique como una
memoria OTP (One Time Programmable) o no reprogramable. La memoria
se programa por el usuario por medio del equipo adecuado, e
ineludiblemente la tabla de verdad con la lgica para el propsito especial
de tal dispositivo por lo que el contenido de la memoria se fija
definitivamente.
La PROM se puede fabricar tanto con tecnologa bipolar como con
tecnologa MOS. Los celdas de memoria contienen una conexin fusible
que el usuario selectivamente podr fundir o quemar en las diferentes
localidades; la informacin se programa en las diferentes celdas de
memoria aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los
buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal
dedicada para fundir los fusibles correspondientes.
Se utilizan bsicamente tres tecnologas de fusible en las PROMs:
22

a) Los enlaces metlicos se hacen con un material como el nquel cromo.

Cada bit en el arreglo de memoria se representa por un enlace separado.
Durante la programacin el enlace se funde o se deja intacto. Esto se hace
bsicamente direccionando una celda dada y forzando luego una suficiente
cantidad de corriente por el enlace para abrirlo
b) Los enlaces de silicio se forman por las franjas estrechas y ranuradas
de silicio policristalino. La programacin de estos fusibles requiere el
fundido de los enlaces mediante una corriente intensa a travs de ellos.
Esta cantidad de corriente origina una alta temperatura en la localidad del
fusible, que oxida al silicio y forma un aislamiento alrededor del enlace
ahora abierto.
c) La tecnologa de unin en corto o de migracin por avalancha
inducida. Consiste bsicamente en que las celdas se fabrican para
depender de diodos encontrados, conectados en serie. Esta conexin podr
permanecer tal como viene de fbrica si ese bit coincide con el estado
lgico correspondiente al programa deseado. En caso contrario, donde se
necesite el estado lgico complementario se deber destruir uno de los
diodos. Esto se logra durante la programacin mediante la avalancha en la
unin diodica debido al voltaje y calor resultantes que originan que
emigren iones de aluminio cortocircuitando la unin. El diodo a destruir
habr de ser el que resulta polarizado inversamente, quedando un
cortocircuito en serie con el diodo polarizado directamente.

Fig. 2-6 Celda de memoria de la PROM.

La figura 2-6 muestra la celda bsica de la memoria PROM en donde la
conexin fusible determinara el bit a almacenar. Si se permite el enlace
(fusible intacto) la celda almacena un estado lgico alto, en cambio si no
existe enlace (fusible quemado) se almacena un estado bajo. Estos estado
23

lgicos son el resultado de la activacin o no de los transistores de las

celdas. Para ejemplificar esta condicin se tiene la figura 2-7 en donde el
dato de salida esta en funcin de los enlaces en las celdas de memoria.

Fig. 2-7 Dato de salida de una PROM.

2.5 ROM Programable y borrable (EPROM).
La memoria EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) provee
una memoria de slo lectura no voltil que puede ser programada
elctricamente despus de ensamblada en su encapsulado si se expone a
una radiacin ultravioleta de longitud de onda adecuada para su borrado.
La EPROM es programada por el usuario tantas veces como se desee previo
borrado de la memoria.
Estructura del dispositivo.
El diseo de una EPROM est centrado en una nica celda de memoria
utilizando la estructura de puerta flotante representada en la figura 2-8. El
dispositivo es muy parecido al transistor MOS de canal n excepto que tiene
24

un electrodo ms de silicio sin ninguna conexin elctrica entre la puerta

de control y el canal activo. Esta puerta flotante (flotante en cuanto que
est aislada elctricamente de todos los dems nodos) es la que provee la
capacidad de memoria del dispositivo.

Fig. 2-8 Celda de memoria de la EPROM.

Programacin.
La informacin puede ser almacenada en la celda de EPROM por
acumulacin de carga negativa en exceso en la puerta flotante. Esto se
efecta mediante la inyeccin de electrones activos en el canal (figura 2-9).
Se aplica una tensin de programacin VP de aproximadamente + 25V a las
terminales de la puerta de control y el drenador del dispositivo EPROM por
aproximadamente 50 ms. En estas condiciones, la celda de memoria est
polarizada en un estado intensamente conductor con una capa de inversin
de electrones portadora de corriente desde el surtidor al drenador. Cuando
este flujo de electrones entra y atraviesa la capa de empobrecimiento del
drenador, encuentra un campo elctrico muy elevado. Una pequea
fraccin de portadores adquiere suficiente energa en virtud de este campo
para superar la barrera de potencial de xido en la superficie de silicio y se
desliza hasta la puerta flotante. Esta inyeccin crea una carga negativa
excesiva en la puerta, y el umbral total del dispositivo se hace ms
positivo. Los umbrales tpicos iniciales son de aproximadamente + 2V; los
umbrales programados pueden ser mayores que + 10V.

25

En la figura 2-10 se muestra el efecto de las cargas en la compuerta

flotante; se observa que existe un desplazamiento en cuanto al voltaje de
umbral necesario para la activacin del transistor.

Fig. 2-9 Inyeccin de electrones activos en el canal.

Fig. 2-10 Comportamiento del voltaje de umbral en los

MOSFET canal N de enriquecimiento.
26

Lectura.
Se puede hacer que la celda EPROM sea sensible (figura 2-10) aplicando
a la puerta de control una tensin aproximada de + 5 V. Si el dispositivo no
est programado, esta tensin de + 5 V es mayor que la tensin umbral y
el dispositivo conducir. Este estado se define generalmente como 1
binario almacenado. Por otra parte, si el dispositivo est programado, la
tensin umbral es mayor que la tensin aplicada (VT>VGS) y el dispositivo
no conduce. Este estado se define como 0 binario almacenado. Esta
condicin de ausencia de cargas en la compuerta de los transistores para
almacenar un 1 binario se ilustra en la figura 2-11.

Fig. 2-11 Dato de salida de una EPROM.

27

Borrado.
Una vez que la EPROM ha sido programada, retiene los datos
indefinidamente; se estima que una fuga de carga desde la puerta flotante
tardar de 10 a 100 aos en descargar una celda en funcionamiento
normal. El mtodo ordinario para borrar o descargar la memoria consiste
en exponerla a radiacin ultravioleta durante aproximadamente 20
minutos. Esta radiacin llega a la superficie superior del chip o pastilla a
travs de una cubierta transparente de la cpsula del semiconductor. Parte
de esta radiacin ultravioleta alcanza los electrones en la puerta flotante,
confirindole suficiente energa para superar la barrera de potencial de la
superficie de xido y llegar hasta el sustrato de silicio. Al final de tal
borrado ultravioleta, la densidad de electrones en exceso en la puerta
flotante vuelve a ser 0, y los umbrales de la celda de memoria recobran su
estado original de bajo umbral. Este ciclo de programacin seguido de
borrado ultravioleta se puede repetir varios centenares de veces.
Sistema de memoria.
Cuando se conectan en un circuito de memoria (figura 2-11), las celdas
EPROM individuales configuran una red con las puertas unidas para formar
las lneas de palabra y los drenadores unidos para formar las lneas de
datos. Se accede a los elementos individuales de memoria aumentando la
tensin de una lnea de palabra hasta un valor positivo y luego
seleccionando la lnea de datos deseada mediante un decodificador de
columna. De esta manera puede ser unvocamente seleccionado cualquier
bit de la red de memoria ya sea para propagacin o para lectura.
La simplicidad del diseo y del montaje y la ventaja inherente de
densidad del dispositivo nico por bit de memoria ha hecho que la EPROM
ultravioleta sea una alternativa muy popular y econmica a las ROM.
2.6 ROM Elctricamente borrable (EEPROM).
La memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only
Memory) conserva la estructura de compuerta flotante de la EPROM pero
con una inclusin de una regin muy delgada encima del electrodo de
drenaje de la celda de memoria MOS. Esta modificacin es la principal
caracterstica de la EEPROM para facilitar el borrado elctrico. El aislante
entre la compuerta flotante y el canal es muy delgado permitiendo el paso
de los electrones para carga o descarga de la compuerta por efecto tnel.

28

La celda de memoria se programa al aplicar un alto voltaje (VP = 21 V)

entre la compuerta y el drenaje del MOSFET, se puede inducir una carga en
la compuerta flotante donde permanecer aunque se interrumpa la
corriente como se ilustra en la figura 2-12.

Fig. 2-11 Programacin de una celda EEPROM.

El borrado de la celda por la inversin de algunos voltajes ocasiona que
se retiren las cargas atrapadas en la compuerta flotante. Este mecanismo
de descarga se debe al proceso mecnico-cuntico de filtracin cuntica o
efecto tnel. Este proceso, permite a los electrones en la banda de valencia
filtrarse adentro de la banda de conduccin y viceversa. A medida que el
campo elctrico se incrementa (polarizado inversamente), la barrera
efectiva que un electrn en la banda de valencia tiene que superar para
pasar a la banda de conduccin comienza a decrecer. La figura 2-12
muestra el proceso de borrado del la celda.

Fig. 2-12 Borrado elctrico de una celda EEPROM

29

Dado que este mecanismo de carga y transporte requiere corrientes muy

bajas, el borrado y la programacin de una EEPROM puede hacerse en la
aplicacin, esta accin frecuentemente se la llama programacin en campo
(es decir, sin una fuente de luz ultravioleta ni una unidad programadora
especial).
Otra ventaja de la EEPROM con respecto de la EPROM es la facilidad de
borrar y volver a programar elctricamente bytes individuales (palabras de
8 bits) en la matriz de memoria. Durante una operacin de escritura, los
circuitos internos borran en forma automtica todas las celdas en una
localidad de direccin antes de escribir los nuevos datos. Esta facilidad
para borrar bytes facilita mucho efectuar cambios en los datos
almacenados en una EEPROM. Adems, una EEPROM se puede programar
con mucha mayor rapidez que muchas EPROMs; comnmente se requiere 5
ms para escribir dentro de una localidad de la EEPROM, comparada con 50
ms en una EPROM, aunque las EPROMs ms modernas han acortado la
estos tiempos.
Las primeras EEPROMs, como las 2816 de Intel, requeran un circuito
adecuado de soporte en el exterior de los microcircuitos de memoria. Estos
circuitos de soporte incluan el voltaje de programacin VPP de 21V,
generado desde un suministro de + 5V, por medio de un convertidor de cd
a cd, y de circuitos para controlar la temporizacin y secuencia de las
operaciones de borrado y programacin. Los dispositivos ms nuevos,
como el 2864 de Intel, tiene integrado este circuito de soporte en el mismo
microcircuito que la matriz de memoria, por lo cual requiere una sola
terminal para la alimentacin de 5 V. Esto hace que la EEPROM sea tan fcil
de usar como la memoria de RAM.
La facilidad para borrar bytes de la EEPROM y su alto grado de
integracin vienen acompaados de dos aspectos negativos, la densidad y
el costo. La complejidad de las celdas de memoria y los circuitos de
soporte en el microcircuito integrado hacen que las EEPROMs vayan muy a
la zaga de la EPROM en capacidad de bits por milmetro cuadrado de
silicio; una EEPROM de 1 Mbit requiere ms o menos el doble de silicio que
una EPROM de 1 Mbit. Por ello, a pesar de su funcionalidad superior, las
desventajas de densidad y costo de las EEPROMs han impedido que
sustituya a las EPROMs en aplicaciones donde la densidad y el costo son
factores de mxima importancia.
La memoria FLASH se trata de una memoria no voltil, de bajo consumo,
que se puede programar en campo al igual que la EEPROM. La memoria
30

FLASH es una modificacin de la EEPROM para lograr densidades y costos

ms cercanos a las EPROMs, reteniendo a la vez el acceso a alta velocidad
para lectura. En cuanto a su estructura, una memoria instantnea es como
una celda EPROM sencilla de un solo transistor y (al contrario de la celda
ms compleja de EEPROMs de dos transistores), es un poco ms grande.
Tiene una capa ms delgada de xido en la compuerta que permite borrar
por medio de electricidad, pero que se puede construir con densidades
mucho ms altas que las EEPROMs. El costo de la memoria instantnea es
bastante menor que el de la EEPROM, pero no se acerca todava al de la
EPROM. La ROM de mascarilla y la PROM son las ms sencillas y baratas,
pero no se pueden borrar y reprogramar. La EEPROM es la ms compleja y
costosa porque se puede borrar y reprogramar en el circuito byte por byte.
Las memorias FLASH o rfaga se llaman as por sus muy cortos tiempos
para borrar y escribir. La mayor parte de los microcircuitos para estas
memorias incluyen una operacin de borrado masivo en la que todas las
celdas del microcircuito se borran en forma simultnea; este proceso tpico
de borrado masivo requiere de cientos de milisegundos en comparacin
con los 20 minutos para las EPROM borrables con luz ultravioleta. Algunas
de las memorias instantneas ms nuevas ofrecen un modo de borrado por
sectores, en las que cada vez se puede borrar un sector especfico de la
matriz de memoria (por ejemplo, 512 bytes) pueden ser borrados aun
tiempo. Esto evita tener que borrar y reprogramar todas las celdas cuando
slo se necesita actualizar una parte de la memoria. Una memoria FLASH
tpica tiene un tiempo de escritura de 10 s por byte comparada con 100
s para la EPROM ms avanzada y 5 ms para EEPROM (que incluye tiempo
para borrado automtico de un byte a la vez).
Los fabricantes han colocado en la memoria FLASH un registro de
comando para manejar todas las funciones del microcircuito a travs del
empleo de cdigos de comando (rdenes).
2.7 Aplicaciones.
La ROM es utilizada en la generacin de lgica ya que cualquier funcin
booleana puede ser programada, la generacin y conversin de cdigos,
tabla de datos en donde se almacenan los valores de las funciones
trigonomtricas, microprogramacin o Firmware, etc.
Existen muchas aplicaciones en donde la capacidad de almacenamiento
y/o el tamao de la palabra requerido no se satisfacen con un CI de
memoria. La solucin para satisfacer el requerimiento, es combinar varios
31

CIs de memoria para incrementar el nmero de palabras y el tamao de

estas si es necesario.
Ejemplo: Dibuje el diagrama para un sistema de memoria de 64 x 8
utilizando dos ROM 32 x 8.
Solucin. El nmero de las palabras de memorias se incrementa con
facilidad utilizando la entrada de habilitacin como una entrada de
direccin.

La seal A5 controla las memorias que operan segn el siguiente

intervalo de direcciones.
Direccin (A5-A0)
0x00 a 0x1F
0x20 a 0x3F

Memoria
U1
U2

Adems la capacidad de una memoria se calcula mediante:

Capacidad = 2N x Longitud de la palabra de memoria.
32

En la expresin anterior se sustituye N = 6 ya que A5-A0 son seis lneas

de direccin y la longitud de la palabra de memoria es de 8 bits por lo que
la capacidad del sistema de memoria es:
Capacidad = 26 x 8 = 64 x 8
Es decir que el sistema de memoria almacena 64 palabras de 8 bits por
lo tanto cumple con el sistema solicitado.
Ejemplo: Dibuje el diagrama para un sistema de memoria de 32 x 4
utilizando dos RAM 16 x 4, el sistema deber tener una seal de
habilitacin.
Solucin. Es necesario aumentar una lnea de direccin de tal forma que
el sistema tenga 25 x 4 bits. Para la seal de habilitacin es necesario
incluir una compuerta auxiliar en la seal de activacin del CI.

Ejemplo: Dibuje el diagrama para un sistema de memoria de 8K x 8

utilizando cuatro ROMs de 2K x 8, el sistema deber tener una seal de
habilitacin.

33

Solucin. Es necesario aumentar dos lneas de direccin a travs de un

descodificador de 2 a 4 para poder ir activando consecutivamente los
cuatro CIs. La seal de habilitacin se obtiene del circuito encargado de
activar los CIs.

Ejemplo: Dibuje el diagrama para un sistema de memoria de 1K x 8

utilizando cuatro SRAMs de 1K x 1.
Solucin. En este caso como lo que se desea aumentar el nmero de bits
por palabra de memoria, debe incrementarse utilizando una lnea
habilitada comn. Cada CI se utiliza para almacenar un bit por lo tanto
debern funcionar los ocho CI para poder realizar operaciones de lectrura y
escritura a ocho bits.

34

35

Ejemplo: Dibuje el diagrama para un sistema de memoria de 16 x 8

utilizando dos SRAMs de 16 x 4.
Solucin. En este caso como lo que se desea aumentar el nmero de bits
por palabra de memoria, debe incrementarse utilizando una lnea
habilitada comn. Cada CI se utiliza para almacenar cuatro bits por lo tanto
debern funcionar los dos CIs para poder realizar operaciones de lectrura y
escritura a ocho bits.

36