Circuitos Electrónicos y Eléctricos

CIRCUITOS
ELCTRICOS Y
ELECTRNICOS
ING. ISMAEL HERNNDEZ PREZ
UNIVERSIDAD DEL SUR
TRABAJO PRESENTADO EN CUMPLIMIENTO DE LA MATERIA DE CIRCUITOS

ELCTRICOS Y ELECTRNICOS
EQUIVALENCIA
L.S.C. FERNANDO LPEZ PEZ
ISMAEL HERNNDEZ PREZ
ING. EN SISTEMAS COMPUTACIONALES
TUXTLA GUTIRREZ CHIAPAS A 27 DE JULIO DEL 2014
NDICE
INTRODUCCIN ..................................................................................................................................................... 4
TEORA DE LOS CIRCUITOS ELCTRICOS............................................................................................ 5
NOTACIN CIENTFICA. .................................................................................................................................... 5
CORRIENTE Y VOLTAJE.................................................................................................................................. 7
VOLTAJE .................................................................................................................................................................13
LEY DE OHM ..........................................................................................................................................................17
LEYES DE CORRIENTE Y DE VOLTAJE DE KIRCHHOFF ............................................................19
ANLISIS DE NODOS .......................................................................................................................................20
ANLISIS DE MALLAS .....................................................................................................................................21
COMPONENTES BSICOS DE UN CIRCUITO ELECTRNICO ...................................................23
TIPOS DE POTENCIMETROS DE MANDO .................................................................................29
POTENCIMETROS DIGITALES ........................................................................................................29
RTD .............................................................................................................................................................................30
TERMISTORES .................................................................................................................................................34
CAPACITORES.................................................................................................................................................36
INDUCTORES ....................................................................................................................................................41
RELEVADORES ...............................................................................................................................................43
CLASIFICACIN DE LOS RELEVADORES: ......................................................................................43
SEMICONDUCTOR Y TRANSISTOR ..........................................................................................................46
DIODO ...................................................................................................................................................................46
MATERIALES SEMICONDUCTORES ....................................................................................................47
DIODOS ZNER ...............................................................................................................................................52
TRANSISTOR ....................................................................................................................................................53
TRIAC ....................................................................................................................................................................57
SCR ........................................................................................................................................................................57
DIAC .......................................................................................................................................................................60
MOSFET ...............................................................................................................................................................62
FET .........................................................................................................................................................................64
OPTOELECTRONICA ........................................................................................................................................66
OPTOACOPLADOR .......................................................................................................................................66
FOTORESISTENCIAS O LDR ....................................................................................................................67
FOTODIODO ......................................................................................................................................................68
FOTOTRANSISTOR ....................................................................................................................................... 70
DIODO EMISOR DE LUZ ............................................................................................................................. 72
DISPLAY.............................................................................................................................................................. 74
CIRCUITOS INTEGRADOS ........................................................................................................................ 76
TEMPORIZADOR 555 ................................................................................................................................... 79
AMPLIFICADOR OPERACIONAL ........................................................................................................... 84
OPAMS ............................................................................................................................................................... 87
CONCLUSIN................................................................................................................................................... 91
BIBLIOGRAFAS .................................................................................................................................................. 92
INTRODUCCIN
Esta investigacin antolgica tiene como objetivo conceptualizar cada tema y

subtema, para la comprensin del lector en la materia de Circuitos Elctricos y
Electrnicos. Empezaremos con conceptos bsicos que ayudaran a comprender
la materia mientras vamos adentrndonos ms en el estudio de estos circuitos.
Se ver la ley de ohm, as tambin como las leyes de las corrientes y voltajes. Se
describir como funciona cada componente electrnico empleando conceptos,
diagramas y ejemplos. Con el fin de que la materia se fcil de entender para el
lector, para motivar el estudio de los circuitos electrnicos y as tener una mejor
formacin para cada estudiante.
TEORA DE LOS CIRCUITOS ELCTRICOS

Circuito elctrico, trayecto o ruta de una corriente elctrica. El trmino se utiliza
principalmente para definir un trayecto continuo compuesto por conductores y
dispositivos conductores, que incluye una fuente de fuerza electromotriz que
transporta la corriente por el circuito. Un circuito de este tipo se denomina circuito
cerrado, y aqullos en los que el trayecto no es continuo se denominan abiertos. Un
cortocircuito es un circuito en el que se efecta una conexin directa, sin resistencia,
inductancia ni capacitancia apreciables, entre los terminales de la fuente de fuerza
electromotriz.
NOTACIN CIENTFICA.
La notacin cientfica es un recurso matemtico empleado para simplificar clculos y

representar en forma concisa de anotar nmeros enteros mediante potencias de diez,
esta notacin es utilizada en nmeros demasiado grandes o demasiado pequeos.
Los nmeros se escriben como un producto:
Siendo:
Un nmero entero o decimal mayor o igual que 1 y menor que 10, que recibe el
nombre de coeficiente.
Un nmero entero, que recibe el nombre de exponente u orden de magnitud.
Operaciones Matemticas Con Notacin Cientfica
Suma y resta
Siempre que las potencias de 10 sean las mismas, se deben sumar los coeficientes
(o restar si se trata de una resta), dejando la potencia de 10 con el mismo grado. En
caso de que no tengan el mismo exponente, debe convertirse el coeficiente,
multiplicndolo o dividindolo por 10 tantas veces como sea necesario para obtener
el mismo exponente.
Ejemplo:
2105 + 3105 = 5105
3105 - 0.2105 = 2.8105
2104 + 3 105 - 6 103 = (tomamos el exponente 5 como referencia)
= 0,2 105 + 3 105 - 0,06 105 = 3,14 105
Multiplicacin
Para multiplicar cantidades escritas en notacin cientfica se multiplican los
coeficientes y se suman los exponentes.
Ejemplo:
(41012)(2105) =81017
Divisin
Para dividir cantidades escritas en notacin cientfica se dividen los coeficientes y se
restan los exponentes (el del numerador menos el del denominador).
Ejemplo:
(41012)/(2105) =2107
(41012)/(210-7) =21019
Potenciacin
Se eleva el coeficiente a la potencia y se multiplican los exponentes.
Ejemplo: (3106)2 = 91012.
Radicacin
Se debe extraer la raz del coeficiente y se divide el exponente por el ndice de la raz.
Ejemplos:
CORRIENTE Y VOLTAJE
Se define corriente elctrica i como la variacin de carga elctrica con respecto al
tiempo. Lo que conocemos como corriente elctrica no es otra cosa que la circulacin
de cargas o electrones a travs de un circuito elctrico cerrado, que se mueven
siempre del polo negativo al polo positivo de la fuente de suministro de fuerza
electromotriz (FEM).
Al descubrirse los electrones como parte integrante de los tomos y principal

componente de las cargas elctricas, se descubri tambin que las cargas elctricas
que proporciona una fuente de FEM (Fuerza Electromotriz), se mueven del signo
negativo () hacia el positivo (+), de acuerdo con la ley fsica de que "cargas distintas
se atraen y cargas iguales se rechazan". Debido al desconocimiento en aquellos
momentos de la existencia de los electrones, la comunidad cientfica acord que,
convencionalmente, la corriente elctrica se mova del polo positivo al negativo, de la
misma forma que hubieran podido acordar lo contrario, como realmente ocurre. No
obstante en la prctica, ese error histrico no influye para nada en lo que al estudio
de la corriente elctrica se refiere.
Requisitos para que circule a corriente elctrica
Para que una corriente elctrica circule por un circuito es necesario que se
disponga de tres factores fundamentales:
1. Fuente de fuerza electromotriz (FEM). 2. Conductor. 3. Carga o resistencia

conectada al circuito. 4. Sentido de circulacin de la corriente elctrica.
1.) Una fuente de fuerza electromotriz (FEM) como, por ejemplo, una batera, un
generador o cualquier otro dispositivo capaz de bombear o poner en movimiento las
cargas elctricas negativas cuando se cierre el circuito elctrico.
2.) Un camino que permita a los electrones fluir, ininterrumpidamente, desde el polo
negativo de la fuente de suministro de energa elctrica hasta el polo positivo de la
propia fuente. En la prctica ese camino lo constituye el conductor o cable metlico,
generalmente de cobre.
3.) Una carga o consumidor conectada al circuito que ofrezca resistencia al paso de
la corriente elctrica. Se entiende como carga cualquier dispositivo que para funcionar
consuma energa elctrica como, por ejemplo, una bombilla o lmpara para
alumbrado, el motor de cualquier equipo, una resistencia que produzca calor
(calefaccin, cocina, secador de pelo, etc.), un televisor o cualquier otro equipo
electrodomstico o industrial que funcione con corriente elctrica.
4.) Cuando las cargas elctricas circulan normalmente por un circuito, sin encontrar
en su camino nada que interrumpa el libre flujo de los electrones, decimos que
estamos ante un circuito elctrico cerrado. Si, por el contrario, la circulacin de la
corriente de electrones se interrumpe por cualquier motivo y la carga conectada deja

de recibir corriente, estaremos ante un circuito elctrico abierto. Por norma general
todos los circuitos elctricos se pueden abrir o cerrar a voluntad utilizando un
interruptor que se instala en el camino de la corriente elctrica en el propio circuito
con la finalidad de impedir su paso cuando se acciona manual, elctrica o
electrnicamente.
Intensidad de la corriente elctrica
La intensidad del flujo de los electrones de una corriente elctrica que circula por un
circuito cerrado depende fundamentalmente de la tensin o voltaje (V) que se aplique
y de la resistencia (R) en ohm que ofrezca al paso de esa corriente la carga o
consumidor conectado al circuito. Si una carga ofrece poca resistencia al paso de la
corriente, la cantidad de electrones que circulen por el circuito ser mayor en
comparacin con otra carga que ofrezca mayor resistencia y obstaculice ms el paso
de los electrones.
Analoga hidrulica. El tubo del depsito "A", al tener un dimetro reducido, ofrece
ms resistencia a< la salida del lquido que el tubo del tanque "B", que tiene mayor
dimetro. Por tanto, el caudal o cantidad. de agua que sale por el tubo "B" ser mayor
que la que sale por el tubo "A".
Mediante la representacin de una analoga hidrulica se puede entender mejor este

concepto. Si tenemos dos depsitos de lquido de igual capacidad, situados a una
misma altura, el caudal de salida de lquido del depsito que tiene el tubo de salida
de menos dimetro ser menor que el caudal que proporciona otro depsito con un
tubo de salida de ms ancho o dimetro, pues este ltimo ofrece menos resistencia
a la salida del lquido.
De la misma forma, una carga o consumidor que posea una resistencia de un valor
alto en ohm, provocar que la circulacin de los electrones se dificulte igual que lo
hace el tubo de menor dimetro en la analoga hidrulica, mientras que otro
consumidor con menor resistencia (caso del tubo de mayor dimetro) dejar pasar
mayor cantidad de electrones. La diferencia en la cantidad de lquido que sale por los
tubos de los dos tanques del ejemplo, se asemeja a la mayor o menor cantidad de
electrones que pueden circular por un circuito elctrico cuando se encuentra con la
resistencia que ofrece la carga o consumidor.
La intensidad de la corriente elctrica se designa con la letra ( I ) y su unidad de

medida en el Sistema Internacional ( SI ) es el ampere (llamado tambin amperio),
que se identifica con la letra ( A ).
EL AMPERE
De acuerdo con la Ley de Ohm, la corriente elctrica en ampere ( A ) que circula por
un circuito est estrechamente relacionada con el voltaje o tensin ( V ) y la
resistencia en ohm () de la carga o consumidor conectado al circuito.
Definicin de ampere
Un ampere ( 1 A ) se define como la corriente que produce una tensin de un volt (1
V), cuando se aplica a una resistencia de un ohm ( 1 ).
Un ampere equivale una carga elctrica de un coulomb por segundo (1C/seg.)
circulando por un circuito elctrico, o lo que es igual, 6 300 000 000 000 000 000 =
(6,3 1018) (seis mil trescientos billones) de electrones por segundo fluyendo por el
conductor de dicho circuito. Por tanto, la intensidad (I) de una corriente elctrica
10
equivale a la cantidad de carga elctrica ( Q ) en coulomb que fluye por un circuito

cerrado en una unidad de tiempo.
Los submltiplos ms utilizados del ampere son los siguientes:
Miliampere (mA) = 10-3 A = 0,001 ampere
Micro-ampere (mA) = 10-6 A = 0, 000 000 1 ampere
Medicin de la intensidad de la corriente elctrica
La medicin de la corriente que fluye por un circuito cerrado se realiza por medio de
un ampermetro o un. Miliampermetro, segn sea el caso, conectado en serie en
el propio circuito elctrico. Para medir. Ampere se emplea el "ampermetro" y para
medir milsimas de ampere se emplea el miliampermetro.
La intensidad de circulacin de corriente elctrica por un circuito cerrado se puede
medir por medio de un ampermetro conectado en serie con el circuito o mediante
induccin electromagntica utilizando un ampermetro de gancho. Para medir
intensidades bajas de corriente se puede utilizar tambin un multmetro que mida
miliampere (mA).
El ampere como unidad de medida se utiliza, fundamentalmente, para medir la
corriente que circula por circuitos elctricos de fuerza en la industria, o en las redes
11
elctricas domstica, mientras que los submltiplos se emplean mayormente para

medir corrientes de poca intensidad que circulan por los circuitos electrnicos
Tipos De Corrientes
Donde quiera que haya carga elctrica en movimiento es posible medir una corriente,
sin embargo la carga elctrica por ser una propiedad intrnseca de la materia se
desplazar de acuerdo como lo haga la materia misma; ello dar lugar a diferentes
tipos de corrientes que reciben diferentes denominaciones de acuerdo a las
caractersticas del movimiento.
Corriente Directa o Continua (C.C o D.C). Esta denominacin se usa para
corrientes cuyas magnitudes permanecen constantes en el tiempo, adems, en las
regiones donde las cargas se mueven, lo hacen siempre en el mismo sentido. La
corriente continua es proporcionada por las pilas, como en el caso de las linternas y
los radios, o por los acumuladores de los automviles.
Tambin algunos transformadores, como los que usan las calculadoras o los
telfonos celulares proporcionan corriente continua.
Corriente Alterna (C.A). Se denominan as, a las corrientes que varan
alternativamente de sentido y de magnitud. Son producidas por fuerzas elctricas que
cambian alternativamente de sentido e intensidad, ocasionando un movimiento de
vaivn o de oscilacin de las cargas. Esas oscilaciones ocurren con una determinada
frecuencia, cuyo valor es escogido por los fabricantes de los generadores de ese tipo
de corriente. La frecuencia de los cambios, se mide en ciclos por segundo o Hertz y
en Venezuela se ha escogido un sistema de electricidad que oscila 60 veces por
segundo o 60 Hertz.
Causa de la corriente elctrica. Para que se produzca una corriente elctrica es
necesario que exista algn agente que produzca una fuerza electromotriz, es decir
una fuerza que produzca movimiento sobre las cargas. Ello se logra con cualquier
dispositivo construido para ello, como una pila, un acumulador de auto, un generador
12
de corriente, continua o alterna o cualquier otro aparato que establezca una diferencia
de potencial en un medio material donde haya cargas susceptibles de moverse.
VOLTAJE
Aunque desde hace aos el Sistema Internacional de Medidas (SI) estableci

oficialmente como volt el nombre para designar la unidad de medida del voltaje,
tensin elctrica o diferencia de potencial, en algunos pases de habla hispana se le
contina
llamando
voltio.
El volt recibe ese nombre en honor al fsico italiano Alessandro Volta (1745 1827),
inventor de la pila elctrica conocida como pila de Volta, elemento precursor de las
actuales pilas y bateras elctricas
El voltaje, tensin o diferencia de potencial es la presin que ejerce una fuente de
suministro de energa elctrica o fuerza electromotriz (FEM) sobre las cargas
elctricas o electrones en un circuito elctrico cerrado, para que se establezca el flujo
de una corriente elctrica.
A mayor diferencia de potencial o presin que ejerza una fuente de FEM sobre las
cargas elctricas o electrones contenidos en un conductor, mayor ser el voltaje o
tensin existente en el circuito al que corresponda ese conductor.
Las cargas elctricas en un circuito cerrado fluyen del polo negativo al polo positivo
de la propia fuente< de fuerza electromotriz.
13
La diferencia de potencial entre dos puntos de una fuente de FEM se manifiesta como
la acumulacin de< cargas elctricas negativas (iones negativos o aniones), con
exceso de electrones en el polo negativo ()< y la acumulacin de cargas elctricas
positivas (iones positivos o cationes), con defecto de electrones< en el polo positivo
(+) de la propia fuente de FEM.
A la izquierda podemos apreciar la estructura completa de un tomo de cobre (Cu)

en estado "neutro",< con un solo electrn girando en su ltima rbita y a la derecha
un "in" cobre, despus que el tomo ha< perdido el nico electrn que posee en su
rbita ms externa. Debido a que en esas condiciones la< carga positiva de los
protones supera a las cargas negativas de los electrones que an continan<
girando en el resto de las rbitas, el in se denomina en este caso "catin", por tener
carga positiva.<
En otras palabras, el voltaje, tensin o diferencia de potencial es el impulso que
necesita una carga elctrica para que pueda fluir por el conductor de un circuito
elctrico cerrado. Este movimiento de las cargas elctricas por el circuito se establece
a partir del polo negativo de la fuente de FEM hasta el polo positivo de la propia
fuente.
Medicin De La Tencin O Voltaje

Para medir tensin o voltaje existente en una fuente de fuerza electromotriz (FEM) o
e un circuito elctrico, es necesario disponer de un instrumento de medicin llamado
voltmetro, que puede ser tanto del tipo analgico como digital.
14
El voltmetro se instala de forma paralela en relacin con la fuente de suministro de

energa elctrica. Mediante un multmetro o tester que mida voltaje podemos realizar
tambin esa medicin. Los voltajes bajos o de baja tensin se miden en volt y se
representa por la letra (V), mientras que los voltajes medios y altos (alta tensin) se
miden en kilovolt, y se representan por las iniciales (kV).
1. Voltmetro analgico. 2. Voltmetro digital. 3. Miliampermetro analgico. 4.

Ampermetro digital. El voltmetro siempre se conecta en paralelo con la fuente de
suministro de fuerza electromotriz, mientras que el ampermetro y el miliampermetro
se colocan en serie.
Diferencias entre la alta, baja y media tensin

Alta tensin. Se emplea para transportar altas tensiones a grandes distancias, desde
las centrales generadoras hasta las subestaciones de transformadores. Su
transportacin se efecta utilizando gruesos cables que cuelgan de grandes
aisladores sujetos a altas torres metlicas. Las altas tensiones son aquellas que
superan los 25 kV (kilovolt).
Media tensin. Son tensiones mayores de 1 kV y menores de 25 kV. Se emplea para
transportar tensiones medias desde las subestaciones hasta las subestaciones o
bancos de transformadores de baja tensin, a partir de los cuales se suministra la
corriente elctrica a las ciudades. Los cables de media tensin pueden ir colgados en
15
torres metlicas, soportados en postes de madera o cemento, o encontrarse

soterrados, como ocurre en la mayora de las grandes ciudades.
Baja tensin. Tensiones inferiores a 1 kV que se reducen todava ms para que se
puedan emplear en la industria, el alumbrado pblico y el hogar. Las tensiones ms
utilizadas en la industria son 220, 380 y 440 volt de corriente alterna y en los hogares
entre 110 y 120 volt para la mayora de los pases de Amrica y 220 volt para Europa.
Hay que destacar que las tensiones que se utilizan en la industria y la que llega a
nuestras casas son alterna (C.A.), cuya frecuencia en Amrica es de 60 ciclos o Hertz
(Hz), y en Europa de 50 ciclos o Hertz.
Analoga Hidrulica Con Referencia A Un Circuito Electrnico
Analoga hidrulica con respecto a la tensin o voltaje. En la figura aparecen tres

recipientes llenos de lquido, cuyos tubos de salida se encuentran todos al mismo
nivel. Por la tubera del recipiente "B", el lquido saldr con mayor presin que por la
tubera del recipiente "A", por encontrarse el "B" a mayor altura. Lo mismo ocurre con
el recipiente "C", que, aunque se encuentra al mismo nivel que el recipiente "A",
cuando se ejerce presin con un mbolo sobre la superficie del lquido, ste saldr
tambin a mayor presin por el tubo.
De forma parecida a esta analoga hidrulica acta la fuente de fuerza electromotriz
(FEM) para mover las cargas elctricas por un conductor. A mayor presin que ejerza
la fuente de FEM sobre las cargas elctricas o electrones, mayor ser tambin el
16
voltaje, tensin o diferencia de potencial que estar presente en un determinado

circuito elctrico.
Si comparamos el circuito elctrico con un sistema hidrulico, el voltaje sera algo
similar a la presin que se ejerce sobre el lquido en una tubera para su bombeo. Si
la presin del sistema hidrulico aumenta, la fuerza de la corriente del lquido que
fluye por la tubera tambin aumenta. De igual forma, cuando se incrementa el voltaje,
la intensidad de la corriente de electrones que fluye por el circuito elctrico tambin
aumenta, siempre que el valor de la resistencia se mantenga constante.
LEY DE OHM
Es una de las leyes fundamentales de la electrodinmica, estrechamente vinculada a
los valores de las unidades bsicas presentes en cualquier circuito elctrico
George Simn Ohm (17871854) fsico y profesor alemn, utilizo en sus
experimentos instrumentos de medicin bastante confiables y observo que si
aumenta la diferencia de potencial en un circuito, mayor es la intensidad de la
corriente elctrica; tambin comprob que al incrementar la resistencia del conductor,
disminuye la intensidad de la corriente elctrica.
La ley bsica del flujo de la corriente es la ley de Ohm, as llamada en honor a su
descubridor, el fsico alemn Georg Ohm. Segn la ley de Ohm, la cantidad de
corriente que fluye por un circuito formado por resistencias puras es directamente
proporcional a la fuerza electromotriz aplicada al circuito, e inversamente proporcional
a la resistencia total del circuito. Esta ley suele expresarse mediante la frmula I =
V/R, siendo I la intensidad de corriente en amperios, V la fuerza electromotriz en
voltios y R la resistencia en ohmios. La ley de Ohm se aplica a todos los circuitos
elctricos, tanto a los de corriente continua (CC) como a los de corriente alterna (CA),
aunque para el anlisis de circuitos complejos y circuitos de CA deben emplearse
principios adicionales que incluyen inductancias y capacitancias.
17
Un circuito en serie es aqul en que los dispositivos o elementos del circuito estn
dispuestos de tal manera que la totalidad de la corriente pasa a travs de cada
elemento sin divisin ni derivacin en circuitos paralelos.
Cuando en un circuito hay dos o ms resistencias en serie, la resistencia total se
calcula sumando los valores de dichas resistencias. Si las resistencias estn en
paralelo, el valor total de la resistencia del circuito se obtiene mediante la frmula
En un circuito en paralelo los dispositivos elctricos, por ejemplo las lmparas
incandescentes o las celdas de una batera, estn dispuestos de manera que todos
los polos, electrodos y terminales positivos (+) se unen en un nico conductor, y todos
los negativos (-) en otro, de forma que cada unidad se encuentra, en realidad, en una
derivacin paralela. El valor de dos resistencias iguales en paralelo es igual a la mitad
del valor de las resistencias componentes y, en cada caso, el valor de las resistencias
en paralelo es menor que el valor de la ms pequea de cada una de las resistencias
implicadas. En los circuitos de CA, o circuitos de corrientes variables, deben
considerarse otros componentes del circuito adems de la resistencia.
Matemticamente esta ley se expresa de la siguiente manera:

I=V/R por lo tanto V=IR
Dnde: V: es la diferencia de potencial aplicado a los extremos del conductor (en volts
V)
R: es la resistencia del conductor en Ohms
I:es la intensidad de la corriente que circula por el conductor (en amperes A)
Al despejar la resistencia de la expresin matemtica de la ley de Ohm tenemos que:
R=V/I
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Con base en la ley de Ohm se define a la unidad de resistencia elctrica de la

siguiente manera: la resistencia de un conductor es de 1 ohm si existe una corriente
de un ampere cuando se mantiene una diferencia de potencial de un Volt a travs de
la resistencia:
R (en Ohms)= V (en volts)/I(en amperes) es decir 1ohm=V/A
Cabe sealar que la ley de ohm presenta algunas limitaciones como son:
1.- Se puede aplicar a los metales pero no al carbn o a los materiales utilizados en
los transistores.
2.- Al utilizarse esta ley debe recordarse que la resistencia cambia con la temperatura,
pues todos los materiales se calientan por el paso de corriente.
3.- Algunas aleaciones conducen mejor las cargas en una direccin que otra.
LEYES DE CORRIENTE Y DE VOLTAJE DE KIRCHHOFF

Si un circuito tiene un nmero de derivaciones interconectadas, es necesario aplicar
otras dos leyes para obtener el flujo de corriente que recorre las distintas
derivaciones. Estas leyes, descubiertas por el fsico alemn Gustav Robert Kirchhoff,
son conocidas como las leyes de Kirchhoff.
La primera, la ley de los nudos, enuncia que en cualquier unin en un circuito a travs
del cual fluye una corriente constante, la suma de las intensidades que llegan a un
nudo es igual a la suma de las intensidades que salen del mismo.
La segunda ley, la ley de las mallas afirma que, comenzando por cualquier punto de
una red y siguiendo cualquier trayecto cerrado de vuelta al punto inicial, la suma neta
de las fuerzas electromotrices halladas ser igual a la suma neta de los productos de
19
las resistencias halladas y de las intensidades que fluyen a travs de ellas. Esta
segunda ley es sencillamente una ampliacin de la ley de Ohm.
ANLISIS DE NODOS
El siguiente mtodo de formato es usado para abordar el anlisis nodal

1. Escoger un nodo de referencia y asignar un rtulo de voltaje con subndice a los (n
1) nodos restantes de la red (Figura 8).
2. El nmero de ecuaciones necesarias para una solucin completa es igual al
nmero de tensiones con subndice (N - 1). La columna 1 de cada ecuacin se forma
sumando las conductancias ligadas al nodo de inters y multiplicando el resultado por
esa tensin nodal con subndices.
3. A continuacin, se deben considerar los trminos mutuos, se restan siempre de la
primera columna. Es posible tener ms de un trmino mutuo si la tensin nodal de la
corriente de inters tiene un elemento en comn con ms de otra tensin nodal. Cada
trmino mutuo es el producto de la conductancia mutua y la otra tensin nodal
enlazada a esa conductancia.
4. La columna a la derecha del signo de igualdad es la suma algebraica de las fuentes
de corriente ligadas al nodo de inters. A una fuente de corriente se le asigna un signo
positivo si proporciona corriente a un nodo, y un signo negativo si toma corriente del
nodo.
20
Figura 8. Una red elctrica donde claramente se distinguen cuatro nodos. Ntese
como uno de los nodos se tom como referencia, o sea, su potencial es cero.
5. Resolver las ecuaciones simultneas resultantes para las tensiones nodales
deseadas.
ANLISIS DE MALLAS
El siguiente mtodo de formato es usado para abordar el anlisis de mallas.

1. Asignar una corriente de malla a cada trayectoria cerrada independiente en el
sentido de las manecillas del reloj (Figura 7).
2. El nmero de ecuaciones necesarias es igual al nmero de trayectorias cerradas
independientes escogidas. La columna 1 de cada ecuacin se forma sumando
los valores de resistencia de los resistores por los que pasa la corriente de malla que
interesa y multiplicando el resultado por esa corriente de malla.
3. Debemos considerar los trminos mutuos, se restan siempre de la primera
columna. Es posible tener ms de un trmino mutuo si la corriente de malla que
interesa tiene un elemento en comn con ms de otra corriente de malla. Cada
21
trmino es el producto del resistor mutuo y la otra corriente de malla que pasa por el
mismo elemento.
4. La columna situada a la derecha del signo igual es la suma algebraica de las
fuentes de tensin por las que pasa la corriente de malla que interesa. Se asignan
signos positivos a las fuentes de fuerza electromotriz que tienen una polaridad tal que
la corriente de malla pase de la terminal negativa a la positiva. Se atribuye un signo
negativo a los potenciales para los que la polaridad es inversa.
5. Se resuelven las ecuaciones simultneas resultantes para las corrientes de malla
deseadas.
Figura 6. Una red elctrica donde claramente se distinguen dos mallas. Ntese como
las corrientes de malla se dibujan en el sentido de las agujas del reloj.
22
COMPONENTES BSICOS DE UN CIRCUITO ELECTRNICO
Resistencia
1.- La resistencia elctrica, es una propiedad de un objeto o sustancia que hace que
se resista u oponga al paso de una corriente elctrica. 2.- Resistencia elctrica es
toda oposicin que encuentra la corriente a su paso por un circuito elctrico cerrado,
atenuando o frenando el libre flujo de circulacin de las cargas elctricas o electrones.
Cualquier dispositivo o consumidor conectado a un circuito elctrico representa en s
una carga, resistencia u obstculo para la circulacin de la corriente elctrica.
A.- Electrones fluyendo por un buen conductor

elctrico, que ofrece baja resistencia. B.- Electrones
fluyendo por un mal conductor. Elctrico, que ofrece
alta resistencia a su paso. En ese caso los
electrones chocan unos contra otros al no poder
circular libremente y, como consecuencia, generan calor
Los electrones tratan de circular por el circuito elctrico de una forma ms o menos
organizada, de acuerdo con la resistencia que encuentren a su paso. Mientras menor
sea esa resistencia, mayor ser el orden existente en el micro-mundo de los
electrones; pero cuando la resistencia es elevada, comienzan a chocar unos con otros
y a liberar energa en forma de calor. Esa situacin hace que siempre se eleve algo
la temperatura del conductor y que, adems, adquiera valores ms altos en el punto
donde los electrones encuentren una mayor resistencia a su paso.
La resistencia de un circuito elctrico determina (segn la llamada ley de Ohm)
cunta corriente fluye en el circuito cuando se le aplica un voltaje determinado. La
unidad de resistencia es el ohmio, que es la resistencia de un conductor si es recorrido
por una corriente de un amperio cuando se le aplica una tensin de 1 voltio. La
23
abreviatura habitual para la resistencia elctrica es R, y el smbolo del ohmio es la

letra griega omega, . En algunos clculos elctricos se emplea el inverso de la
resistencia, 1/R, que se denomina conductancia y se representa por G. La unidad de
conductancia es siemens, cuyo smbolo es S. An puede encontrarse en ciertas obras
la denominacin antigua de esta unidad, ohm.
1) De donde:
R = Resistencia del material en ohm ( ).
= Coeficiente de resistividad o resistencia especfica del material en
, a una temperatura dada.
l = Longitud del material en metros.

s = Superficie o rea transversal del material en mm2 (5)
2) Donde:
L: longitud del conductor, m
A: rea de la seccin transversal del conductor, m2
R: resistencia del conductor, Ohmios
: Resistividad elctrica del conductor, Ohmios x metro
La resistividad elctrica se relaciona con la intensidad del campo elctrico y la
densidad de corriente por medio de:
3) Donde:
E: intensidad del campo elctrico, N/Coul
J: densidad de corriente, A/m2
: Resistividad elctrica del conductor, Ohmios x metro
24
A una temperatura dada, la resistencia es proporcional a la longitud del conductor e

inversamente proporcional a su conductividad y a su superficie transversal.
Generalmente, la resistencia de un material aumenta cuando crece la temperatura
(Tabla 1).
4) Donde:
R2: resistencia elctrica del conductor a la temperatura T2, ohmios
R1: resistencia elctrica del conductor a la temperatura T1, ohmios
T1: temperatura inicial del conductor, C
T2: temperatura final del conductor, C
: Coeficiente de temperatura de la resistencia, C-1
Tabla 1. Coeficiente de temperatura y resistividad elctrica de diversos
materiales a 20 C
Material
Coeficiente Trmico (c-
Resistividad elctrica
1)
( .M)
Plata
0,0038
1,59 x 10-8
Cobre
0,00393
1,7 x 10-8
Oro
0,0034
2,44 x 10-8
Aluminio
0,00391
2,82 x 10-8
Tungsteno
0,005
5,6 x 10-8
25
Nquel
0,006
6,8 x 10-8
Hierro
0,0055
10 x 10-8
Constantn
0,000008
Nicromo
0,00044
1,50 x 10-6
Carbono
-0,005
3,5 x 10-5
Una amplia variedad de resistores, fijos o variables, son suficientemente grande para
que se imprima su valor resistivo en ohms en su encapsulado. No obstante, hay
algunos demasiado pequeos para que puedan imprimirse nmeros en ellos. Para
los resistores moldeados fijos de composicin se imprimen cuatro bandas de color en
un extremo del forro exterior (Figura 1). Cada color tiene el valor numrico que se
indica en la Tabla 2. Las bandas de color se leen siempre de izquierda a derecha
desde el extremo que tiene la banda ms cercana a l, como se ve en la Figura 1.
Figura 1. Resistor fijo

moldeado de composicin
donde se detalla su cdigo
de colores.
Tabla 2. Cdigo de colores para resistores moldeados de composicin.

Color de
Primer digito
banda
Negro
Segundo
Factor
digito
multiplicador
Tolerancia
26
Caf
10
Rojo
100
Anaranjado
1000
Amarillo
10000
Verde
100000
Azul
1000000
Violeta
10000000
Gris
100000000
Blanco
1000000000
Dorado
0.1
5%
Plateado
0.01
10 %
Potencimetros
Un potencimetro es un resistor cuyo valor de resistencia es variable. De esta
manera, indirectamente, se puede controlar la intensidad de corriente que fluye por
un circuito si se conecta en paralelo, o la diferencia de potencial al conectarlo en
serie.
Normalmente, los potencimetros se utilizan en circuitos de poca corriente. Para
circuitos de corrientes mayores, se utilizan los reostatos, que pueden disipar ms
potencia.
27
Existen dos tipos de potencimetros:
Potencimetros
impresos,
realizados
con
una
pista
de
carbn
de cermet sobre un soporte duro como papel baquelizado, fibra, almina, etc. La
pista tiene sendos contactos en sus extremos y un cursor conectado a un patn
que se desliza por la pista resistiva.
Potencimetros bobinados, consistentes en un arrollamiento tiroidal de un hilo

resistivo (por ejemplo, Constantn) con un cursor que mueve un patn sobre el
mismo.
Segn su aplicacin se distinguen varios tipos:
Potencimetros de mando. Son adecuados para su uso como elemento de

control en los aparatos electrnicos. El usuario acciona sobre ellos para variar los
parmetros normales de funcionamiento. Por ejemplo, el volumen de una radio.
Potencimetros de ajuste. Controlan parmetros pre-justados, normalmente en

fbrica, que el usuario no suele tener que retocar, por lo que no suelen ser
accesibles desde el exterior. Existen tanto encapsulados en plstico como sin
cpsula, y se suelen distinguir potencimetros de ajuste vertical, cuyo eje de giro
es vertical, y potencimetros de ajuste horizontal, con el eje de giro paralelo al
circuito impreso.
Segn la ley de variacin de la resistencia R = ():
Potencimetros lineales. La resistencia es proporcional al ngulo de giro.
Logartmicos. La resistencia depende logartmicamente del ngulo de giro.
Senoidales. La resistencia es proporcional al seno del ngulo de giro. Dos

potencimetros Senoidales solidarios y girados 90 proporcionan el seno y el
coseno del ngulo de giro. Pueden tener topes de fin de carrera o no.
Anti logartmicos (exponenciales?)...
En los potencimetros impresos la ley de resistencia se consigue variando la anchura

de la pista resistiva, mientras que en los bobinados se ajusta la curva a tramos, con
hilos de distinto grosor.
28
Potencimetros multi-vuelta. Para un ajuste fino de la resistencia existen

potencimetros multi-vuelta, en los que el cursor va unido a un tornillo
desmultiplicador, de modo que para completar el recorrido necesita varias vueltas del
rgano de mando.
TIPOS DE POTENCIMETROS DE MANDO
Potencimetros rotatorios. Se controlan girando su eje. Son los ms habituales

pues son de larga duracin y ocupan poco espacio.
Potencimetros deslizantes. La pista resistiva es recta, de modo que el recorrido

del cursor tambin lo es. Han estado de moda hace unos aos y se usa, sobre
todo, en ecualizadores grficos, pues la posicin de sus cursores representa la
respuesta del ecualizador. Son ms frgiles que los rotatorios y ocupan ms
espacio. Adems suelen ser ms sensibles al polvo.
Potencimetros mltiples. Son varios potencimetros con sus ejes coaxiales,

de modo que ocupan muy poco espacio. Se utilizaban en instrumentacin,
autorradios, etc.
POTENCIMETROS DIGITALES
Se llama potencimetro digital a un circuito integrado cuyo funcionamiento simula el
de un potencimetro Analgico. Se componen de un divisor resistivo de n+1
resistencias, con sus n puntos intermedios conectados a un multiplexor analgico que
selecciona la salida. Se manejan a travs de una interfaz serie (SPI, I2C, Microwire,
o similar). Suelen tener una tolerancia en torno al 20% y a esto hay que aadirle la
resistencia debida a los switches internos, conocida como Rwiper. Los valores mas
comunes son de 10K y 100K aunque varia en funcin del fabricante con 32, 64, 128,
512 y 1024 posiciones en escala logartmica o lineal. Los principales fabricantes son
Maxim, Intersil y Analog Devices. Estos dispositivos poseen las mismas limitaciones
que los conversores DAC como son la corriente mxima que pueden drenar, que esta
en el orden de los mA, la INL y la DNL, aunque generalmente son monotnicos.
29
RTD
Un
RTD
es
un detector
de
temperatura
resistivo,
es
decir,
un
sensor de temperatura basado en la variacin de la resistencia de un conductor con

la temperatura. La mayora de los elementos de IDT consistir en un trozo de cable
enrollado muy bien envuelto alrededor de un ncleo de cermica o de vidrio. El
elemento suele ser bastante frgil, por lo que a menudo se coloca dentro de una
sonda cubierta para protegerla. El elemento RTD est hecho de un material puro,
cuya resistencia a diferentes temperaturas se ha documentado. El material tiene un
cambio predecible en la resistencia a los cambios de temperatura, es previsible que
este cambio se utilice para determinar la temperatura. Su smbolo es el siguiente, en
el que se indica una variacin lineal con coeficiente de temperatura positivo.
Los materiales comunes de resistencia para RTD:

Platino (el ms popular y precisa)
Nquel
De cobre
Balco (raro)
Tungsteno (rara vez)
. Las propiedades de algunos de stos se muestran en la siguiente tabla:
Parmetro
Platino (Pt)
Cobre (Cu)
Nquel (Ni)
Molibdeno (Mo)
Resistividad
10.6
1.673
6.844
5.7
0.00385
0.0043
0.00681
0.003786
(cm)
( / / K)
30
R0()
25, 50, 100,
10
50, 100, 120
100, 200, 500
200
margen (C)
-200 a +850
-200 a +260 -80 a +230
-200 a +200
De todos ellos es el platino el que ofrece mejores prestaciones, como:

alta resistividad para un mismo valor hmico, la masa del sensor ser menor,
por lo que la respuesta ser ms rpida
margen de temperatura mayor
alta linealidad
sin embargo, su sensibilidad () es menor
Un sensor muy comn es el Pt100 (RTD de platino con R=100 a 0 C). En la
siguiente tabla se muestran valores estndar de resistencia a distintas temperaturas
para un sensor Pt100 con = 0.00385 / / K.
Temperatura (C)
20
40
60
80
100
Resistencia ()
100
107.79
115.54
123.24
130.87
138.50
Para proteger el RTD, una cubierta de metal cubre al elemento RTD y los cables
conectados a l. Son populares por su excelente estabilidad, los RTDs muestran la
seal ms lineal con respecto a la temperatura de cualquier sensor electrnico de
temperatura. Sin embargo, son generalmente ms caros por su cuidadosa
construccin y el uso de platino. Los RTDs tambin se caracterizan por un tiempo
lento de respuesta y baja sensibilidad; y como requieren excitacin de corriente
pueden ser propensos a auto calentamiento.
Son comnmente clasificados por su resistencia nominal a 0 C. Los valores tpicos
de resistencia nominal para RTDs de platino de pelcula delgada incluyen 100 y
1000 . La relacin entre resistencia y temperatura es casi lineal y cumple con esta
ecuacin:
31
Para <0 C RT = R0 [ 1 + aT + bT2 + cT3 (T - 100) ] (Ecuacin 1)

Para >0 C RT = R0 [ 1 + aT + bT2 ]
Donde RT = resistencia a temperatura T
R0 = resistencia nominal
a, b y c = constantes usadas para escalar el RTD
VENTAJAS DE LOS RTDS

Margen de temperatura bastante amplio.
Proporciona las medidas de temperatura con mayor exactitud y repetitividad.
El valor de resistencia del RTD puede ser ajustado con gran exactitud por el
fabricante (trimming), de manera que su tolerancia sea mnima. Adems, ste
ser bastante estable con el tiempo.
Los RTD son los ms estables con el tiempo, presentando derivas en la
medida del orden de 0.1 C/ao.
La relacin entre la temperatura y la resistencia es la ms lineal.
Los sensores RTD tienen una sensibilidad mayor que los termopares. La
tensin debida a cambios de temperatura puede ser unas diez veces mayor.
La existencia de curvas de calibracin estndar para los distintos tipos de
sensores RTD (segn el material conductor, R0 y ), facilita la posibilidad de
intercambiar sensores entre distintos fabricantes.
A diferencia de los termopares, no son necesarios cables de interconexin
especiales ni compensacin de la unin de referencia.
32
DESVENTAJAS DE LOS RTDS

Dado que el platino y el resto de materiales conductores tienen todos una
resistividad muy baja, para conseguir un valor significativo de resistencia ser
necesario devanar un hilo de conductor bastante largo, por lo que, sumando el
elevado coste de por s de estos materiales, el coste de un sensor RTD ser
mayor que el de un termopar o un termistor.
El tamao y la masa de un RTD ser tambin mayor que el de un termopar o
un termistor, limitando adems su velocidad de reaccin.
Los RTD se ven afectados por el auto-calentamiento.
Los RTD no son tan durables como los termopares ante vibraciones, golpes
No tener en cuenta la resistencia de los hilos de interconexin puede suponer
un grave error de medida. Por ejemplo, para un Pt100 con = 0.00385 /K, la
variacin de resistencia ser de 0.385 /C. Para el circuito de la figura:
La resistencia de 10 introducida por el conexionado supondr un error de

(10 )/(0.385 /C) = 26 C. Por ello, ser necesario utilizar tcnicas de medida ms
complejas, como por ejemplo, la medida a cuatro hilos
En definitiva, los RTD son los ms apropiados para aplicaciones en las que la
exactitud de la medida es crtica mientras que la velocidad y el coste son menos
importantes.
33
TERMISTORES
Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la

variacin de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El
trmino termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de
termistor:
NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura

negativo
PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura

positivo
Son fabricados a partir de los xidos de metales de transicin (manganeso, cobalto,

cobre y nquel) los termistores NTC
son semiconductores dependientes de la
temperatura. Operan en un rango de -200 C a + 1000 C. Un termistor NTC debe

elegirse cuando es necesario un cambio continuo de la resistencia en una amplia
gama de temperaturas. Ofrecen estabilidad mecnica, trmica y elctrica, junto con
un alto grado de sensibilidad.
Un termistor PTC es un resistor que depende de la temperatura, son fabricacin de
titanato de bario y deben elegirse cuando se requiere un cambio drstico en la
resistencia a una temperatura especfica o nivel de corriente. Los termistores PTCs
puede operar en los siguientes modos:
Sensores de temperatura, en temperaturas que oscilan entre 60 C a 180 C,

por ejemplo, para proteccin de los bobinados de motores elctricos y
transformadores.
Fusible de estado slido de proteccin contra el exceso de corriente, que van
desde mA a varios A (25 C ambiente) a niveles de tensin continua superior
a 600V, por ejemplo, fuentes de alimentacin para una amplia gama de
equipos elctricos.
34
Sensor de nivel de lquidos.

Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistencia de un semiconductor con
la temperatura, debido a la variacin de la concentracin de portadores. Para los
termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentar tambin la concentracin de
portadores, por lo que la resistencia ser menor, de ah que el coeficiente sea
negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado
muy intenso, ste adquirir propiedades metlicas, tomando un coeficiente positivo
en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a
partir de xidos semiconductores, tales como el xido frrico, el xido de nquel, o el
xido de cobalto.
Sin embargo, a diferencia de los sensores RTD, la variacin de la resistencia con la
temperatura es no lineal. Para un termistor NTC, la caracterstica es hiperblica. Para
pequeos incrementos de temperatura, se darn grandes incrementos de resistencia.
Por ejemplo, el siguiente modelo caracteriza la relacin entre la temperatura y la
resistencia mediante dos parmetros:
Dnde:
RT es la resistencia del termistor NTC a la temperatura T (K)
R0 es la resistencia del termistor NTC a la temperatura de referencia T0 (K)
B es la temperatura caracterstica del material, entre 2000 K y 5000 K.
Por analoga a los sensores RTD, podra definirse un coeficiente de temperatura
equivalente , que para el modelo de dos parmetros quedara:
Puede observarse como el valor de este coeficiente vara con la temperatura. Por
ejemplo, para un termistor NTC con B = 4000 K y T = 25 C, se tendr un coeficiente
35
equivalente = -0.045 K 1, que ser diez veces superior a la sensibilidad de un

sensor Pt100 con = 0.00385 K 1.
El error de este modelo en el margen de 0 a 50 C es del orden de 0.5 C. Existen
modelos ms sofisticados con ms parmetros que dan un error de aproximacin an
menor.
CAPACITORES
Se denomina capacitor al dispositivo que es capaz de acumular cargas elctricas.

Bsicamente un capacitor est constituido por un conjunto de lminas metlicas
paralelas separadas por material aislante.
La acumulacin de cargas elctricas entre las lminas da lugar a una diferencia de
potencial o tensin sobre el capacitor y la relacin entre las cargas elctricas
acumuladas y la tensin sobre el capacitor es una constante denominada capacidad
La unidad de medida de la capacidad es el faradio y como dicha unidad es muy

grande se utilizan submltiplos de la misma.
Microfaradio 10-6 Faradio
Nanofaradio 10-9 Faradio
Picofaradio 10-12 Faradio
El valor de la capacidad depende del tamao y la forma del capacitor. Podemos decir
que el capacitor acumula energa en forma de campo elctrico y su valor est dado
por
36
Wc: Energa acumulada

: Permeabilidad dielctrica del medio
E: Campo elctrico
El campo elctrico es proporcional a la tensin entre las placas (lminas) e
inversamente proporcional a la distancia que las separa.
Existen diversos tipos de capacitores, los cuales posee propiedades y caractersticas
fsicas diferentes, entre los cuales se encuentran:
Capacitores Elctricos De Aluminio
Capacitores De Tantalio
Capacitores Elctricos De Cermica
Capacitores Papel Y Plsticos
Micas y Vidrios
Caractersticas De Los Capacitores Elctricos De Aluminio:
Son populares debido a su bajo costo y gran capacitancia por unidad de volumen
Existen en el mercado unidades polarizadas y no polarizadas. Son del tipo de hojas
metlicas, con un electrlito que puede ser acuoso, en pasta o "seco" (sin agua).
La capacitancia est estrechamente relacionada con la temperatura y puede decrecer
en un orden de magnitud desde la temperatura ambiente hasta -55 C. Esta variacin
se reduce en capacitores de primera calidad y en productos recientes con
formulaciones electrolticas ms complicadas.
No estn diseados para aplicaciones a frecuencias elevadas, y la impedancia puede
alcanzar un valor mnimo a frecuencias tan bajas como 10 kHz.
37
La corriente de fuga disminuye durante la operacin. En el uso normal, la corriente

de fuga aumenta con el voltaje aplicado y con la temperatura. Como gua muy
general, la corriente se duplica a medida que el voltaje aplicado se incrementa del 50
al 100% del valor nominal, y se duplica por cada 25 C de aumento en la temperatura.
Presentan un decremento gradual en capacitancia sobre un largo periodo, debido a
la prdida de electrlito a travs de los sellos, aunque con los tipos recientes de
empaque se ha reducido de manera significativa este deterioro, y los capacitores
presentan en la actualidad un decremento del 10%, o menor, al cabo de 10 000 horas.
Otro problema que debe observarse implica el empleo de ciertos agentes limpiadores
en los tableros de circuitos impresos. El cloro de los solventes de hidrocarburos
halogenados, como el fren, puede penetrar por los sellos y atacar la estructura
interna del aluminio, provocando la falla en poco tiempo.
Para la limpieza se recomienda xileno, alcoholes y ciertos tipos de detergentes
exentos de cloro.
Caracterstica De Los Capacitores Elctricos De Tantalio:
Son ms flexibles y confiables, y presentan mejores caractersticas que los
electrolticos de aluminio, pero tambin su costo es mucho ms elevado.
Existen Tres Tipos:
Capacitores de hojas metlicas (lminas):
Se elaboran del mismo modo que los electrolticos de aluminio
Los alambres conductores de tantalio se sueldan por puntos tanto a la lmina del
nodo como a la del ctodo, las cuales se arrollan despus con separadores de papel
en un rollo compacto. Este rollo se inserta dentro de una envoltura metlica y, a fin
de mejorar el rendimiento, se agrega un electrlito idneo, como etilenglicol o
dimetilformamida con nitruro de amonio, pentaborato de amonio o poli-fosfatos.
38
Capacitores de hojas de tantalio

Existen en el mercado en tamaos que varan de 0.12 hasta 3 500 mF, a voltajes
hasta de 450 V
La mayor parte de las aplicaciones para este tipo de capacitor se encuentran en los
intervalos de voltaje superiores, en los que no es posible aplicar los condensadores
de tantalio hmedo, y cuando se requieren calidades superiores a las de los
electrolticos de aluminio, a pesar del mayor costo.
Las desventajas, en comparacin con otros tipos de capacitores de tantalio,son: gran
tamao, elevadas corrientes de fuga y gran variacin en la capacitancia con la
temperatura.
La principal aplicacin de estos condensadores se encuentra en filtros de fuentes de
alimentacin.
Capacitores de tantalio slido:
Parecido a la versin hmeda, en cuanto a sus etapas iniciales de manufactura.
No hay lquido que se evapore, y el electrlito slido es estable.
La variacin de la capacitancia es muy pequea: 10% respecto de su valor a
temperatura ambiente en todo el intervalo de temperatura desde -55 hasta 125 C.
Por desgracia, ni el electrlito ni el dielctrico presentan las cualidades de
autoreparacin asociadas con otros capacitores electrolticos.
Para proteger los condensadores de fallas tempranas debidas a defectos del xido y
del electrlito se recomienda su envejecimiento conectado durante 100 h a voltaje
nominal y temperatura mxima, empleando una fuente de energa de baja
impedancia. Adems, se recomienda que el voltaje de operacin no exceda el 60%
del voltaje nominal.
39
Caractersticas De Los Capacitores Elctricos De Cermica:

Bajo costo, reducido tamao, amplio intervalo de valor de capacitancia y aplicabilidad
general en la electrnica.
Son particularmente idneos para aplicaciones de filtrado, derivacin y acoplamiento
de circuitos hbridos integrados, en las que es posible tolerar considerables cambios
en la capacitancia.
Se elaboran en forma de disco, como capacitores de capas mltiples o monolticos,
o en forma tubular.
El material dielctrico es principalmente titanato de bario, titanato de calcio o dixido
de titanio con pequeas cantidades de otros aditivos para obtener las caractersticas
deseadas.
Caractersticas De Los Capacitores Elctricos De Papel O Plstico:
El papel, el plstico y las combinaciones de ambos se utilizan en una gran variedad

de aplicaciones, como filtrado, acoplamiento, derivacin, cronometraje y suspensin
de ruido Son capaces de funcionar a altas temperaturas, poseen alta resistencia de
aislamiento, buena estabilidad.
La propiedad de autoreparacin de las pelculas metlicas es bastante til en ciertas
aplicaciones.
La disponibilidad de pelculas extremadamente delgadas y la gran variedad de
materiales proporciona la flexibilidad necesaria para un gran intervalo de
aplicaciones.
La capacitancia vara con la temperatura de un dielctrico a otro.
Los capacitores de papel y plstico pueden emplearse a altas frecuencias, segn el
tamao y la longitud de las puntas.
40
Caracterstica De Los Capacitores De Mica Y Vidrio:

Los capacitores con dielctrico de mica y vidrio se aplican cuando se requiere carga
elctrica alta y excelente estabilidad con respecto a la temperatura y frecuencia.
Los capacitores de mica existen en el mercado con una gran diversidad detamaos.
Tanto los capacitores de mica como los de vidrio son estables con respecto a la
temperatura. Para algunos valores de capacitancia es posible que el coeficiente de
temperatura sea cero.
Ambos tipos de capacitores pueden operar a alta frecuencia. La frecuencia de
autoresonancia es de unos 10 MHz para grandes valores del capacitor y mayor de
100 MHz para valores ms pequeos.
INDUCTORES
Los inductores o bobinas son elementos lineales y pasivos que pueden almacenar y
liberar energa basndose en fenmenos relacionados con campos magnticos. Una
aplicacin de los inductores, consistente en bloquear (choque en ingls) las seales
de AC de alta frecuencia en circuitos de radio, dio origen a que con dicho trmino
(choque) se haga referencia a los inductores que se emplean en aplicaciones donde
su valor no es crtico y que por lo tanto admiten grandes tolerancias.
Bsicamente, todo inductor consiste en un arrollamiento de hilo conductor. La
inductancia resultante es directamente proporcional al nmero y dimetro de las
espiras y a la permeabilidad del interior del arrollamiento, y es inversamente
proporcional a la longitud de la bobina.
Un inductor est constituido usualmente por una cabeza hueca de una bobina de
conductor, tpicamente alambre o hilo de cobre esmaltado.
41
1. Modelo Equivalente
Los inductores ideales no disipan energa como lo hacen los resistores. Pero en la
prctica, el inductor real presenta una resistencia de devanado que disipa energa. A
continuacin figura un modelo prctico (simplificado) de inductor.
CLASIFICACIN
Segn el ncleo o soporte:
Ncleo de aire: el devanado se realiza sobre un soporte de material no magntico
(fibra, plstico.). En los casos donde no se utiliza soporte, la bobina queda
conformada slo debido a la rigidez mecnica del conductor.
Ncleo de hierro: como tiene mayor permeabilidad que el aire (10 a 100), aumenta
el valor de la inductancia. Sin embargo, slo se emplea en bajas frecuencias porque
a altas frecuencias las prdidas son elevadas. Aplicaciones: fuentes de alimentacin
y amplificadores de audio.
Ncleo de ferrita: las ferritas son xidos de metales magnticos, de alta
permeabilidad (10 a 10000) que adems son dielctricos. Existe una gran variedad
en el mercado en funcin de la frecuencia de trabajo.
Los inductores pueden tambin estar construidos en circuitos integrados, usando el
mismo proceso utilizado para realizar microprocesadores. En estos casos se usa,
comnmente, el aluminio como material conductor. Sin embargo, es raro que se
construyan inductores dentro de los circuitos integrados; es mucho ms prctico usar
un circuito llamado "girador" que, mediante un amplificador operacional, hace que un
condensador se comporte como si fuese un inductor.
42
El Inductor Consta De Las Siguientes Partes:

Devanado inductor: Es el conjunto de espiras destinado a producir el flujo
magntico, al ser recorrido por la corriente elctrica.
Culata: Es una pieza de sustancia ferromagntica, no rodeada por devanados, y
destinada a unir los polos de la mquina.
Pieza polar: Es la parte del circuito magntico situada entre la culata y el entrehierro,
incluyendo el ncleo y la expansin polar.
Ncleo: Es la parte del circuito magntico rodeada por el devanado inductor.
Expansin polar: Es la parte de la pieza polar prxima al inducido y que bordea al
entrehierro.
Polo auxiliar o de conmutacin: Es un polo magntico suplementario, provisto o
no, de devanados y destinado a mejorar la conmutacin. Suelen emplearse en las
mquinas de mediana y gran potencia.
Tambin pueden fabricarse pequeos inductores, que se usan para frecuencias muy
altas, con un conductor pasando a travs de un cilindro de ferrita o granulado.
RELEVADORES
Los relevadores son dispositivos compactos (que pueden ser anlogos, digitales o
numricos), los cuales se conectan en algn lugar del sistema de potencia para
detectar condiciones no deseadas o toleradas dentro de un rea asignada. Son, en
efecto, una especie de seguros activos diseados para mantener una alta continuidad
del servicio y limitar los daos al equipo.
CLASIFICACIN DE LOS RELEVADORES:
Relevadores de proteccin: detectan lneas defectuosas, aparatos defectuosos u

otras condiciones no tolerables o peligrosas. Estos relevadores generalmente
disparan uno o ms interruptores, aunque tambin pueden activar una alarma.
43
Relevadores de monitoreo: verifican las condiciones en el sistema de potencia o de

proteccin. Estos relevadores incluyen detectores de falla, unidades de alarma,
verificacin de sincrona, enfasamiento. Las condiciones del sistema de potencia que
no involucren apertura de interruptores durante las fallas, pueden ser monitoreadas
por relevadores de verificacin.
Relevadores de recierre: Establecen una secuencia de cierre para un interruptor de
circuito despus de que ha sido disparado por un relevador de proteccin.
Relevadores auxiliares: operan en respuesta a la apertura o cierra del circuito de
operacin para alimentar a otro relevador o dispositivo. Estas unidades incluyen
temporizadores, relevadores de contactos mltiples, unidades de sellado,
relevadores de aislamiento, relevadores de seguridad, relevadores de cierre, y
relevadores de disparo.
Relevadores de sincrona: aseguran que existan las condiciones apropiadas para
interconectar dos secciones de un sistema de potencia.
Los relevadores tambin se pueden clasificar por:
TIPO DE ENTRADA
Corriente
Voltaje
Potencia
Presin
Frecuencia
Temperatura
Flujo
Vibracin
PRINCIPIO DE OPERACIN
44
Balance de corriente
porcentaje
Producto
estado slido
Esttico
microprocesador
Electromecnico
trmico
.
CARACTERSTICAS DE COMPORTAMIENTO DIFERENCIAL
Distancia
Sobre corriente direccional
Tiempo inverso
Tiempo definido
Bajo voltaje
Sobre voltaje
Tierra o fase
Alta o baja velocidad
Comparacin de fases
Comparacin direccional
Diferencial de corriente
En base a su diseo de fabricacin, los relevadores se pueden clasificar en: anlogos,

digitales o numricos.
45
SEMICONDUCTOR Y TRANSISTOR
DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin

de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se
usa para referirse al diodo semiconductor es un dispositivo electrnico de gran
importancia, que posee dos terminales:
el nodo y el ctodo. El smbolo del diodo se muestra en la Figura
Mientras que en la siguiente figura muestra su caracterstica tencin corriente

iD
vD
Regin de
ruptura
inversa
Regin de
polarizacin
inversa
Regin de
polarizacin
directa
46
Se puede ver que en la curva caracterstica si la tensin Vd es positiva en el diodo

pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeas tensiones. Esta condicin se
denomina polarizacin directa. As, la corriente fluye fcilmente a travs del diodo en
la direccin que indica la flecha o el smbolo del diodo.
Por otra parte, para valores moderadamente negativos de vD, la corriente iD es muy
pequea. A esto se le llama regin de polarizacin inversa, como puede verse en la
curva caracterstica del diodo. Si se aplica una tensin de polarizacin inversa
suficientemente grande al diodo, su modo de operacin entra en la regin de
ruptura inversa o zona de avalancha, permitiendo el flujo de una elevada corriente.
Mientras que la potencia disipada en el diodo no eleve demasiado su temperatura, el
modo de trabajo en ruptura inversa no destruir el dispositivo. De hecho, veremos
que a menudo se hace trabajar deliberadamente a los diodos en la regin de ruptura
inversa.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos

detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos
radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el
radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la
funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie
de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de
radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa
piedra para que pudiera captarlas.
47
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos
cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica
variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento
condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947
William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y
John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al
que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la
electrnica moderna.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura,
pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean
variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables
elctricamente por el hombre.
Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor.
Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor
presenta una conductividad controlable elctricamente.
Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio
y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas
habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de
impurezas tipo N.
Cristales De Impurezas De Tipo P:

En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3,
como son Boro (B), Galio (Ga) o indio (In). Si se introduce este tomo en el material,
queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la
estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son
Portadores mayoritarios. Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones)
48
Cristales De Impurezas De Tipo N:

En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son Fsforo
(P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de este
tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en
el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.
Al material tipo N se le denomina tambin donador de electrones.
49
Estos materiales se comportan como aislantes a bajas temperaturas pero a

temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn de esto es que
los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos ncleos
atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura son
capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material. En
cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser
ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red.
TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES.
Nmero
Nombre del
Atmico
Elemento
Grupo en la
Tabla
Peridica
Electrones
Categora en la ltima
rbita
Nmeros
de
valencia
50
48
Cd (Cadmio)
B (Boro)
13
Al (Aluminio)
31
Ga (Galio)
49
In (Indio)
14
Si (Silicio)
32
Ge
IIa
IIIa
IVa
Metal
2 e-
+2
Metaloide
3 e-
+3
4 e-
+4
5 e-
+3, -3, +5
Metal
Metaloide
(Germanio)
15
P (Fsforo)
33
As (Arsnico)
51
No metal
Va
Metaloide
Sb
(Antimonio)
16
6 e-
S (Azufre)
No metal
34
Se (Selenio)
52
Te (Telurio)
+2, -2 +4,
+6
VIa
Metaloide
INCREMENTO DE LA CONDUCTIVIDAD EN UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de
los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la
corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre
con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la
conductividad tambin aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar
aplicando uno de los siguientes mtodos:
51
Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.
DIODOS ZNER
Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos zner o diodos
de Avalancha. son diodos semiconductores de unin pn cuyas propiedades estn
controladas en las zonas de polarizacin inversa, Los diodos zner se usan en
aplicaciones para las que se necesita una tensin constante en la regin de ruptura.
Por tanto, los fabricantes intentan optimizar los diodos zner para obtener una curva
caracterstica prcticamente vertical en la regin de ruptura. El smbolo modificado
del diodo que se muestra en la Figura.
Diodo Zner
Es el que se usa para los diodos zner. Hay disponibles diodos zner discretos con
tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de u5 %. En la prctica, existen
dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para diodos con una tensin
de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido Como avalancha.
Por ello, los diodos con tensiones de disrupcin ms elevadas se llaman,
consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6 V, un fenmeno de la
mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la ruptura.
Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en el
margen inferior de valores de ruptura.
Sin embargo, en la prctica, ambos trminos se utilizan de manera indistinta para
todos los Diodos de ruptura
52
En la parte positiva de la grfica las caractersticas son muy similares a las diodos
semiconductores normales, en la parte negativa no se da tal comparacin, en esta
parte se presenta una regin en la cual la tensin es casi independiente de la corriente
que pasa por el diodo. La tensin zner de cualquier diodo est controlada por la
cantidad de dopado aplicada en la fabricacin. El dopado es la suministracin de
electrones a un cierto material, estos electrones suministrados alteran las
caractersticas qumicas y fsicas del material logran que se comporte de distinta
manera.
TRANSISTOR
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici
una autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial.
Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de
los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, permite el control y la regulacin
de una corriente grande mediante una seal muy pequea. El trmino "transistor" es
la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia")
Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:
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- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando.
- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales
Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares.
Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:
Transistor
NPN
Estructura de un transistor
NPN
Transistor PNP
Estructura de un transistor
PNP
Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor
por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre
Colector y Emisor. (Figura 1).
Figura. 1
Figura. 2
54
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la
Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que
pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
Polarizacin De Un Transistor
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo
mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
Polarizacin de un transistor NPN
Polarizacin de un transistor PNP
Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y

la unin base - colector inversamente.
Zonas De Trabajo
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y

Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
55
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento

de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que
la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores
ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de
la corriente de base.
Tipo De Transistores
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TRIAC
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo de la familia de los

transistores. La diferencia con un transistor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. Semiconductor de tres terminales que se
usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de
que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o
al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.
SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es

un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin
pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta.
La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
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CARACTERSTICAS TRMICAS.
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una
cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del
semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente
de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno
de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de
calor.
MTODOS DE DISPARO.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe
estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo
suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente
de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a
conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin
deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de
conduccin al estado de bloqueo directo.
58
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

- Por puerta.
- Por mdulo de tensin.
- Por gradiente de tensin (dV/dt)
- Disparo por radiacin.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y
gradiente de tensin son modos no deseados.
APLICACIONES DEL SCR.
Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de corrientes
alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los
onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de
puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar
el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del
ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear
automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este
momento empezar a recibir tensin inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de
aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:
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Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.
DIAC
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para

disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos
terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero
orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente
no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.
60
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en

conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.
Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de
fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin
- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito

abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grfico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia
de 0.5 a 1 watt.)
61
MOSFET
El transistor
de
efecto
de
campo
metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado

para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente
la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores
MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est
conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material
de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa
de siliciopolicristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta
mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado
gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas
metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la
compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta
tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales
fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate fieldeffect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El
trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una
compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metalaislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
62
Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el

drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la
compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una
regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato
originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga
en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en
la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato
tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con
un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo,

que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la
compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga
y una disminucin respectiva de la conductividad.
Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Vase Tecnologa CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
63
FET
TRANSISTOR FET
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre
los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo),
aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor
(o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta
polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N,
fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
64
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres.
Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente

con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal

forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN.
65
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta

a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la
tensin inversa (tensin de puerta).
OPTOELECTRONICA
OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado pticamente, es

un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un interruptor activado
mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrnico,
normalmente en forma de fototransistor o fototriac. De este modo se combinan en un
solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexin entre
ambos es ptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por
lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar elctricamente a dispositivos
muy sensibles.
La figura de la izquierda muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un
fototransistor. La tensin de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie
establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si dicha
corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el fototransistor lo
saturar, generando una corriente en R2. De este modo la tensin de salida ser igual
a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto.
Si la tensin de entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har, lo que significa que
la tensin de salida cambia de acuerdo con la tensin de entrada. De este modo el
dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida, aunque hay
que tener en cuenta que las curvas tensin/luz del LED no son lineales, por lo que la
seal puede distorsionarse. Se venden optoacopladores especiales para este
66
propsito, diseados de forma que tengan un rango en el que la seal de salida sea
casi idntica a la de entrada.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los

circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto entre
ambos circuitos es un haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento
entre los dos circuitos del orden de miles de M. Estos aislamientos son tiles en
aplicaciones de alta tensin en las que los potenciales de los dos circuitos pueden
diferir en varios miles de voltios.
FOTORESISTENCIAS O LDR
Las LDR (Light Dependent Resistor, o Resistor Dependiente de la Luz) son, como su
nombre lo indica, resistencias cuyo valor varia de acuerdo al nivel de luz al que estn
expuestas.Si bien los valores que puede tomar una LDR en total oscuridad y a plena
luz puede variar un poco de un modelo a otro, en general oscilan entre unos 50 a
1000 ohmios (1K) cuando estn iluminadas (por ejemplo, con luz solar) y valores
comprendidos entre 50K (50,000 Ohms) y varios megohmios (millones de ohms)
cuando est a oscuras.
67
Desde el punto de vista constructivo, las LDR estn fabricadas con materiales de
estructura cristalina, siendo los mas utilizados el sulfuro de cadmio y el seleniuro de
cadmio, aprovechando sus propiedades fotoconductoras.
Una cuestin a tener en cuenta cuando diseamos circuitos que usan LDR es que su
valor (en Ohmios) no variara de forma instantnea cuando se pase de estar expuesta
a la luz a oscuridad, o viceversa, y el tiempo que se dura este proceso no siempre es
igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro (se dice
que muestra inercia a las variaciones de la intensidad luminosa). Igualmente, estos
tiempos son cortos, generalmente del orden de una dcima de segundo.
Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en algunas aplicaciones, concretamente
en aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de y
a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados
anteriores. Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til.
En casos en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos
que veremos en este artculo.
Las primer figura que ilustra esta pgina nos muestra el smbolo utilizado para
representar las LDR en los esquemas electrnicos, aunque a veces pueden ser
ligeramente diferentes pero siempre tomando como base el smbolo de una
resistencia comn con alguna(s) flecha(s) que simbolizan la incidencia de la luz.
FOTODIODO
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la

incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan
como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin
68
muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente

presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente
energa incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco
con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a
una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el
campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama

polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y
prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con
los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura
del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera
inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es
excitado por la luz.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes
inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga foto-generados ser
multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna,
que incrementa la respuesta del dispositivo.
En la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen
estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta
1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier
otro material semiconductor.
Material
Longitud de onda (nm)
Silicio
1901100
Germanio
8001900
69
Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

sulfuro de plomo
<1000-3900
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los

infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.
FOTOTRANSISTOR
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto
de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. Ip (modo de iluminacin).
Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin
ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una
lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para
comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
70
Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte

de un sensor de proximidad.
Sntomas visibles
El diodo no
Avera ms comn
emite Existe
luz.
un
fallo
en
polarizacin
Posible solucin
la Ser necesario comprobar la
polarizacin del diodo.
del diodo LED.

Fallo en la respuesta Existe
del fototransistor.
un
fallo
en
polarizacin
la Ser necesario comprobar la

del polarizacin del diodo.
fototransistor.
Excesiva
Se
sensibilidad
resistencia de un valor pertinentes
del diodo a
ha
colocado
la incorrecto.
una Realizar
las
pruebas
con
valores
distintos en las resistencias
variacin lumnica.
hasta
encontrar
la
sensibilidad deseada.
Tras
el
correcto Habr
que
verificar
el Una
vez
encontrada
montaje del circuito, montaje y comprobar no resistencia

este no funciona.
existe resistencia alguna sustituirla

en estado de corte.
El transistor no est Los

saturado.
valores
de
en
por
una
la
corte,
nueva
resistencia.
las Ser imprescindible encontrar
resistencias
son las resistencias adecuadas y
incorrectos.
acoplarlas con el correcto

montaje.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando

interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un
objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin.
71
DIODO EMISOR DE LUZ
El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor

que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa
la unin PN en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una
forma de electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como
un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz . Este
dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta
de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por
razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un
LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn
de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta
que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que
est relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la
gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin. Los
Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED estn comprendidos
entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos LED tienen enormes ventajas
sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa,
su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. Para la
proteccin del LED en caso haya picos inesperados que puedan daarlo. Se coloca
en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que
circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar
un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande
es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la
intensidad que circula por ellos).
72
COMPOSICIN DE LOS LED

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de
ZnO, cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura
a altas densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de
corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de
visualizacin en equipos porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p
obtenida por difusin de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado
en un substrato de GaAs, por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase
gaseosa.Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm. LED anaranjado y
amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en
este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as como luz de longitud de onda
ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante
el aumento de fsforo en el semiconductor. Su fabricacin es la misma que se utiliza
para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la
formacin de la unin p-n se realiza por difusin de Zn.
73
DISPLAY
Se llama visualizador, display en ingls, a un dispositivo de ciertos aparatos
electrnicos que permite mostrar informacin al usuario de manera visual. Un
visualizador de una seal de vdeo se lo llama ms comnmente pantalla; los dos
ejemplos ms comunes son el televisor y el Monitor de computadora. Un visualizador
es un tipo de dispositivo de salida.
Los primeros visualizadores, similares a los de los ascensores, se construan con

lmparas que iluminaban las leyendas. Un ejemplo son los ascensores, que para
cada piso exista una luz detrs de una silueta con forma de nmero.
A partir de la aparicin de calculadoras, cajas registradoras e instrumentos de medida
electrnicos que muestran distintas informaciones, ya se puede hablar con propiedad
de visualizadores. Un tubo Nixie es semejante a una lmpara de nen pero con varios
nodos que tienen la forma de los smbolos que se quiere representar. Otro avance
fue la invencin del visualizador de 7 segmentos.
Visualizador de segmentos
En un visualizador de 7 segmentos se representan los dgitos 0 a 9 iluminando los
segmentos adecuados. Tambin suelen contener el punto o la coma decimal. A veces
se representan tambin algunos caracteres como la "E" (Error), "b" o "L" (Low
Battery), etc., pero para representar los caracteres alfabticos se introdujo el
visualizador de 14 segmentos. El visualizador de 14 segmentos tuvo xito reducido y
slo existe de forma marginal debido a la competencia de la matriz de 5x7 puntos.
Los
visualizadores
de
segmentos
se
fabrican
en
diversas
tecnologas:
Incandescencia, de ctodo fro, LED, cristal lquido, fluorescente, etc.

Visualizadores de incandescencia.
74
La matriz de 5x7 permite representar letras maysculas y minsculas, signos de

puntuacin y caracteres especiales con un grado de legibilidad excelente. No es
nueva y ya en los aos 1940 se poda ver mostrando leyendas publicitarias. Estaban
fabricadas con lmparas de incandescencia. Actualmente se fabrican con LED y LCD.
A las matrices de 5x7 siguen las lneas de caracteres, principalmente LCD y VFD,
presentndose en mltiples formatos, de una a cuatro lneas de ocho a cuarenta
caracteres.
Matriz grfica. Consiste en una matriz ms grande, que puede representar tanto
caracteres como grficos. Se fabrican en LCD y VFD. Las matrices de LED estn
constituidas por un mosaico de visualizadores ms pequeos (8x8, normalmente).
Pueden ser multicolores (Rojo-Naranja-Verde o Rojo-Verde-Azul), encontrando su
utilidad en vallas publicitarias, campos de ftbol, etc.
Visualizador electromecnico
Los problemas de los primeros visualizadores para su uso a la intemperie: falta de
luminosidad y fragilidad condujeron al desarrollo de otros tipos de visualizador, en los
que se mueve mecnicamente alguna pieza que oculta o muestra un smbolo o
leyenda. Pertenecen a este tipo los visualizadores "de cortinilla", que constan de un
motor paso a paso que va pasando las "hojas" que contienen distintas leyendas hasta
llegar al mensaje deseado. Goz de gran popularidad en aeropuertos, estaciones de
tren y autobuses, etc. Pero la dificultad para cambiar los mensajes signific su fin
cuando se pudo disponer de alternativas en otras tecnologas. Otro visualizador
mecnico, que se ve como 7 segmentos y como matriz consiste en segmentos o
puntos fluorescentes sobre lminas que pueden girar para ponerse perpendiculares
mediante la accin de un electroimn. Presenta la ventaja de que son visibles a plena
luz solar y slo consumen en el cambio de estado.
75
Visualizador de proyeccin
Despiece de un visualizador de proyeccin. Se pueden apreciar las bombillas, grupos
de lentes, pelcula conteniendo los dgitos y diafragmas.
Consisten en una matriz de lmparas, de las que se ilumina slo una cada vez. La
luz se dirige a un condensador que la proyecta sobre una pelcula que contiene los
smbolos que se quiere representar. Despus otro grupo de lentes enfoca la imagen
sobre una pantalla translcida, que se hacen visibles en su cara posterior. Como
norma general el nmero de imgenes est limitado a doce y no se pueden cambiar,
salvo que se desmonte la unidad y se cambie la pelcula.
CIRCUITOS INTEGRADOS
El circuito integrado est elaborado con un material semiconductor, sobre el cual se

fabrican los circuitos electrnicos a travs de la fotolitografa. Estos circuitos, que
ocupan unos pocos milmetros, se encuentran protegidos por un encapsulado con
conductores metlicos que permiten establecer la conexin entre dicha pastilla de
material semiconductor y el circuito impreso.
Existen varios tipos de circuitos integrados. Entre los ms avanzados y populares
pueden mencionarse los microprocesadores, que se utilizan para controlar desde
computadoras hasta telfonos mviles y electrodomsticos.
Los circuitos integrados pueden clasificarse de diversas formas. Es posible hablar de
los circuitos monolticos (fabricados en un nico monocristal, por lo general silicio),
los circuitos hbridos de capa fina (con componentes que exceden a la tecnologa
monoltica) y los circuitos hbridos de capa gruesa (sin cpsulas, con resistencias
depositadas por serigrafa y cortes con lser).
76
Otra clasificacin se realiza segn el nmero de componentes y el nivel de

integracin. Los circuitos integrados, en este caso, se conocen por su sigla en ingls:
SSI (Small Scale Integration), MSI (Medium Scale Integration), etc.
Historia del circuito integrado
Circuito
integradoMuchos
los
dispositivos
microelectrnicos
interactuados,
especialmente transistores y diodos, sin dejar de lado componentes pasivos tales

como condensadores y resistencias aprovechan la tecnologa del circuito integrado,
cuya historia se remonta a finales de la dcada de 1950, cuando un ingeniero llamado
Jack St. Clair Kilby desarroll el primer prototipo para la compaa Texas Instruments.
Hasta ese entonces, los equipos electrnicos solan consistir de tubos al vaco
(tambin llamados vlvulas electrnicas o termoinicas, entre otros de sus nombres),
un componente usado para conmutar, modificar o amplificar una seal elctrica
controlando el movimiento de los electrones con ayuda de ciertos gases o en un
espacio con una presin muy baja. Sin embargo, gracias al trabajo de Kilby, los
componentes activos y pasivos comenzaron a ubicarse en una misma superficie de
metal cuyas dimensiones eran decenas de veces inferiores a las de un slo tubo al
vaco.
El primer circuito integrado desarrollado por Kilby se fabric sobre una pastilla de
germanio cuadrada; cada lado meda 6 milmetros y lo componan un condensador,
tres resistencias y un transistor. El debut fue todo un xito, lo cual permiti a este
revolucionario ingeniero continuar investigando y mejorando su invento. Cabe
mencionar que el nombre de chip deriva del trmino ingls homnimo utilizado para
referirse a las astillas, entre otras cosas.
Pero el paso de tubos al vaco a semiconductores no fue una casualidad, sino que se
apoy en una serie de experimentos que demostraron la utilidad de estos ltimos para
reemplazar a los primeros en cuanto a funcionalidad se refiere, ocupando una
fraccin de su tamao. Este gran avance, que hace parecer la realidad que lo precede
propia de un absurdo, cobr fuerza en poco tiempo, gracias a que los circuitos
integrados comenzaron a producirse en masa y el mundo pudo comprobar que
77
adems de su evidente ventaja con respecto a las vlvulas, eran fiables y fciles de
complejizar.
Al da de hoy, encontramos esta tecnologa en los microprocesadores de dispositivos
tan dispares como ordenadores y telfonos mviles, y tambin en memorias digitales,
las cuales utilizan un chip en lugar de partes mecnicas.
Circuitos integrados digitales

Los circuitos integrados digitales se utilizan principalmente para construir sistemas
informticos, tambin se producen en los telfonos celulares, equipos de msica y
televisores.
Los
circuitos
integrados
digitales
incluyen
microprocesadores,
microcontroladores y circuitos lgicos. Realizan clculos matemticos, dirigen el flujo

de datos y toman decisiones basadas en principios lgicos booleanos. El sistema
booleano utilizado se centra en dos nmeros: 0 y 1. Por otro lado, el sistema de base
10, el sistema de numeracin que aprendes en la escuela primaria, se basa en 10
nmeros: 0, 1, 3, 4, 5, 6, 7, 8 y 9.
Circuitos integrados anlogos
Los circuitos integrados analgicos ms comnmente constituyen una parte de las
fuentes de alimentacin, los instrumentos y las comunicaciones. En estas
aplicaciones, los circuitos integrados analgicos amplifican, filtran y modifican
seales elctricas. En los telfonos celulares, amplifican y filtran la seal de entrada
de la antena del telfono. El sonido codificado en la seal tiene un nivel de baja
amplitud, despus de que el circuito filtra la seal sonora de la seal de entrada, el
circuito amplifica la seal de sonido y lo enva al altavoz de tu telfono celular, lo que
le permite escuchar la voz en el otro extremo.
Circuitos integrados de seal mixta
Los circuitos de seal mixta se producen en los telfonos celulares, instrumentos,
motores y aplicaciones de control industrial. Estos circuitos convierten las seales
digitales en seales analgicas, que a su vez establecen la velocidad de los motores,
78
el brillo de las luces y la temperatura de los calentadores, por ejemplo. Tambin

convierten las seales digitales a las formas de onda de sonido, lo que permite el
diseo de instrumentos musicales digitales, tales como rganos electrnicos y
teclados de computadora capaces de reproducir msica. Los circuitos integrados de
seal mixta tambin convierten seales analgicas a seales digitales. Convierten los
niveles de tensin analgicas a las representaciones de nmeros digitales del nivel
de tensin de las seales. Los circuitos integrados digitales luego realizan clculos
matemticos sobre estos nmeros.
Circuitos de memoria integrada

Aunque principalmente son utilizados en los sistemas informticos, los integrados de
memoria tambin se producen en los telfonos celulares, equipos de msica y
televisores. Un sistema informtico puede incluir desde 20 hasta 40 chips de
memoria, mientras que otros tipos de sistemas electrnicos pueden contener slo
algunos. Los circuitos de memoria almacenan informacin o datos, como dos
nmeros: 0 y 1. Los circuitos integrados digitales suelen recuperar estos nmeros de
la memoria y realizan clculos con ellos, a continuacin, guardan el resultado del
clculo en la memoria. Cuantos ms datos accedas, imgenes, sonido y texto,
necesitar ms memoria.
TEMPORIZADOR 555
El 555 es un circuito integrado cuya funcin principal es producir pulsos de
temporizacin con precisin, entre sus funciones secundarias estn la de oscilador,
divisor de frecuencia, modulador o generador.
79
Este circuito integrado incorpora dentro de si, dos comparadores de voltaje, un flip
flop, una etapa de salida de corriente, un divisor de voltaje por resistor y un transistor
de descarga. Dependiendo de como se interconecten estas funciones utilizando
componentes externos es posible conseguir que dicho circuito realiza un gran nmero
de funciones tales como la del multivibrador astable y la del circuito monoestable.
El 555 tiene diversas aplicaciones, como: Control de sistemas secuenciales, divisor
de frecuencias, modulacin por ancho de pulso, generacin de tiempos de retraso,
repeticin de pulsos, etc.
Funcionamiento:
Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales 8 (+Vcc) y 1(GND)
tierra; el voltaje de la fuente va desde los 5 voltios hasta 15 voltios de corriente
continua, la misma fuente se conecta a un circuito pasivo RC, que proporciona por
medio de la descarga de su capacitor una seal de voltaje que esta en funcin del
tiempo, esta seal de tensin es de 1/3 de Vcc y se compara contra el voltaje aplicado
externamente sobre la terminal 2 (TRIGGER) que es la entrada de un comparador.
80
La terminal 6 (THRESHOLD) se ofrece como la entrada de otro comparador, en la

cual se compara a 2/3 de la Vcc contra la amplitud de seal externa que le sirve de
disparo.
La terminal 5(CONTROL VOLTAGE) se dispone para producir modulacin por
anchura de pulsos, la descarga del condensador exterior se hace por medio de la
terminal 7 (DISCHARGE), se descarga cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra
en saturacin, se puede descargar prematuramente el capacitor por medio de la
polarizacin del transistor (PNP) T2.
Se dispone de la base de T2 en la terminal 4 (RESET) del circuito integrado 555, si
no se desea descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe
conectarse directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2
de otro modo se puede poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se
desee.
La salida esta provista en la terminal (3) del microcircuito y es adems la salida de un
amplificador de corriente (buffer), este hecho le da ms versatilidad al circuito de
tiempo 555, ya que la corriente mxima que se puede obtener cuando la terminal (3)
sea conecta directamente al nivel de tierra es de 200 mA.
La salida del comparador "A" y la salida del comparador "B" estn conectadas al
Reset y Set del FF tipo SR respectivamente, la salida del FF-SR acta como seal
de entrada para el amplificador de corriente (Buffer), mientras que en la terminal 6 el
nivel de tensin sea ms pequeo que el nivel de voltaje contra el que se compara la
entrada Reset del FF-SR no se activar, por otra parte mientras que el nivel de tensin
presente en la terminal 2 sea ms grande que el nivel de tensin contra el que se
compara la entrada Set del FF-SR no se activar.
81
Circuito estable bsico:

Si se usa en este modo el circuito su principal caracterstica es una forma de onda
rectangular a la salida, en la cual el ancho de la onda puede ser manejado con los
valores de ciertos elementos en el diseo.
Para esto debemos aplicar las siguientes formulas:
TA = 0.693 * (R1+R2) * C1
TB = 0.693 * (R2*C1)
Donde TA es el tiempo del nivel alto de la seal y TB es el tiempo del nivel bajo de la
seal.
Estos tiempo dependen de los valores de R1 y R2. Recordemos que el periodo es =
1/f.
La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula: f = 1/(0.693
* C1 * (R1 + 2 * R2))
82
Circuito monoestable:
En este caso el timmer 555 en su modo monoestable funcionar como un circuito de un tiro.
Dentro del 555 hay un transistor que mantiene a C1 descargado inicialmente. Cuando un
pulso negativo de disparo se aplica a terminal 2, el flip-flop interno se setea, lo que quita el
corto de C1 y esto causa una salida alta (un high) en el terminal 3 (el terminal de salida).
La salida a travs del capacitor aumenta exponencialmente con la constante de tiempo:
t = R1 * C1
Cuando el voltaje a travs de C1 iguala dos tercios de Vcc el comparador interno del 555 se
resetea el flip-flop, que entonces descarga el capacitor C1 rpidamente y lleva al terminal de
salida a su estado bajo (low). El circuito e activado con un impulso de entrada que va en
direccin negativa cuando el nivel llega a un tercio de Vcc. Una vez disparado, el circuito
permanece en ese estado hasta que pasa el tiempo de seteo, aun si se vuelve a disparar el
circuito.
La duracin del estado alto (high) es dada por la ecuacin:
T= 1.1 * (R1*C1)
El intervalo es independiente del voltaje de Vcc. Cuando el terminal reset no se usa, debe
atarse alto para evitar disparos espontneos o falsos.
83
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
El amplificador operacional (AO), es un amplificador que posee, dos entradas activas
referidas a masa (entrada diferencial); la entrada inversora (-), y la no inversora (+).
Tiene una salida y se alimenta con tensin simtrica (dos fuentes de tensin).
Las
del AO ideal son:
caractersticas
- Ganancia de tensin en lazo abierto (A0) infinita.

- Impedancia de entrada (Ze) infinita.
- Impedancia de salida (Zs) cero.
El A.O. es un dispositivo amplificador cuyas caractersticas de funcionamiento se

aproximan a las de un amplificador ideal: ganancia infinita, salida nula en ausencia
de la seal de entrada, impedancia de entrada infinita, impedancia de salida cero,
ancho de banda infinito y tiempo de subida nulo.
Las caractersticas de un A.O. real difieren de las propias de un A.O. ideal. No
obstante, un A.O. tpico est caracterizado por las siguientes propiedades
sustancialmente aceptables: elevada ganancia en tensin, alta impedancia de
entrada, ancho de banda amplio (partiendo desde c.c.), baja tensin de offset, mnima
distorsin, nivel de ruido reducido, etc.
84
Como se observa en la figura 1, el amplificador operacional posee dos entradas:

una INVERSORA (-) y otra NO INVERSORA (+) y una salida asimtrica referida a
masa.
Si la seal se mete por la inversora, la seal de salida aparecer invertida 180

respecto a la excitacin. La alimentacin se realiza por medio de dos fuentes
simtricas, una +Vcc, u otra -Vcc, Esta circunstancia permite centrar la seal de salida
respecto al nivel de referencia f (masa).
Existen dos tipos de funcionamiento bsico: sin realimentacin o en BUCLE
ABIERTO y con realimentacin o en BUCLE CERRADO.
Normalmente se usa en BUCLE CERRADO. La red de realimentacin
determina la funcin que realiza el montaje, permitiendo la construccin de
amplificadores asimtricos, osciladores, integradores, diferenciadores, sumadores,
restadores, comparadores, filtros, etc.
Las limitaciones de este tipo de dispositivos quedan determinadas por las
caractersticas del fabricante.
Interpretacin de las especificaciones de los amplificadores operacionales.
85
GANANCIA DE TENSIN EN BUCLE ABIERTO A
Corresponde a la ganancia del amplificador sin realimentar. Depende de la

frecuencia de trabajo y de la temperatura, disminuyendo al aumentar uno cualquiera
de ambos factores. Su valor tpico es el de 100 dB.
Si el A.O. se utiliza con realimentacin en tal caso la ganancia depende de la red
de realimentacin.
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi
Se define como la impedancia que el amplificador presenta a la fuente de excitacin

conectada a una de las dos entradas y con la otra a masa. Zi vara con la temperatura
y la frecuencia, suele darse para determinada condiciones concretas, por ejemplo: T
= 25 C y f = 1 KHz, Evidentemente la variacin de Zi modifica la ganancia del A.O.
Debido a que el A.O. es un amplificador de tensin, Zi debe de ser muy elevada
con el fin de evitar cualquier efecto de carga sobre la etapa anterior de excitacin. El
valor tpico de la impedancia de entrada suele ser del orden de los Mega Ohmios.
86
IMPEDANCIA DE SALIDA Zo
Es la impedancia que presenta el A.O. hacia una carga conectada a la salida. Una
Zo elevada reduce la ganancia del A.O. y puede dar lugar a que la etapa siguiente
cargue el A.O. Por otra parte la impedancia de salida disminuye al aumentar la
frecuencia de trabajo, ya que, en estas circunstancias A disminuye. Los valores
normales a Zo son inferiores a 100 ohmios.
OPAMS
Actualmente, el trmino OPAMS se refiere a un circuito integrado que se emplea en
una gran variedad de aplicaciones diferentes. Sin embargo, este tipo de amplificador
se origin en los circuitos de los computadores analgicos, en los que se utilizaba
para realizar operaciones como la integracin o la suma de seales: de ah el nombre
de amplificador operacional. Veremos que los amplificadores operacionales son ms
tiles cuando parte de la seal de salida vuelve a la entrada mediante una red de
realimentacin. En este tipo de configuracin, la seal circula describiendo un bucle
cerrado, desde la entrada del amplificador operacional hasta la salida, para atravesar
87
Posteriormente la red de realimentacin de vuelta hacia la entrada; por eso decimos

que el circuito opera en condiciones de bucle cerrado.
Cuando no existe realimentacin, se dice que el amplificador operacional opera en
condiciones de bucle abierto. Se pueden combinar los amplificadores operacionales
integrados con redes de realimentacin resistivas para formar muchos tipos de
amplificadores.
Adems, se puede hacer que las caractersticas de estos circuitos dependan
nicamente de la configuracin seleccionada y de los valores de las resistencias y,
slo en escasa medida, del amplificador operacional, que puede presentar
variaciones grandes de algunos de sus parmetros entre una unidad y otra.
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL

En la Figura 2.1 se ilustra el smbolo de circuito para el amplificador operacional. El
amplificador operacional es un amplificador diferencial que presenta una entrada
inversora y otra no inversora (en la Seccin 1.11 se describieron los amplificadores
diferenciales). Las seales de entrada se denotan como v1 (t) y v(t) (como es habitual,
se utilizan letras minsculas para representar tensiones generales variables con el
tiempo; normalmente, omitiremos la dependencia respecto al tiempo, y nos
referiremos a las tensiones como v1, v22, etc).
88
El circuito equivalente del amplificador operacional ideal consiste sencillamente en un

generador controlado. La ganancia en bucle abierto AOL es muy grande, idealmente
infinita.
Para el amplificador operacional ideal, se considera que la ganancia en bucle abierto

AOL es aproximadamente infinita, por lo que una mnima tensin diferencial de
entrada resultara en una tensin de salida muy grande. En un circuito con
realimentacin negativa, la red de realimentacin devuelve una fraccin de la salida
al terminal de entrada inversor, forzando a que la tensin diferencial de entrada se
aproxime a cero. Si se considera que la ganancia es infinita, la tensin diferencial de
entrada ser exactamente cero. Como la tensin diferencial de entrada del
amplificador operacional es cero, la corriente de entrada tambin es cero. El hecho
de forzar a que la tensin diferencial de entrada y la corriente de entrada sean cero
se denomina restriccin del punto-suma.
EL AMPLIFICADOR INVERSOR
Amplificador inversor. Determinaremos la ganancia de tensin en bucle cerrado A=
V0 / Vin considerando un amplificador operacional ideal y empleando la restriccin
del punto suma. Sin embargo, antes de comenzar el anlisis de un circuito con
amplificadores operacionales, se deber comprobar que existe una realimentacin
negativa en vez de positiva.
En la Figura 2.4, la realimentacin es negativa, como se demostrar a continuacin.
Por ejemplo, si suponemos que debido al generador de entrada v aparece una tensin
positiva v en la entrada inversora, resultara una tensin de salida negativa de gran
magnitud (tericamente infinita) en la salida. Parte de esta tensin de salida se
devolvera a la entrada inversora a travs de la ruta de realimentacin que atraviesa
Rx.
Por tanto, la tensin inicialmente positiva de la entrada inversora tendera a cero
debido a la realimentacin. Se producira una cadena similar de sucesos si
apareciese una tensin negativa en el terminal de entrada negativo. Por tanto, la
tensin de salida del amplificador operacional toma precisamente el valor necesario
89
para oponerse al generador y producir una tensin (casi) nula en la entrada del
amplificador operacional. In 2.
EL AMPLIFICADOR NO INVERSOR
Supongamos, para analizar el circuito, que el amplificador operacional es ideal.
Primero se comprueba si la realimentacin es negativa o positiva, suponiendo que v
es positiva y observando si se produce una gran tensin de salida positiva. Parte de
la tensin de salida aparece en Ri1.
Como vi / vin .v1, la tensin vdisminuye al aumentar v o y v. Por tanto, la red formada
por el amplificador y la realimentacin acta para llevar a cero la tensin v1. Por tanto,
en este caso la realimentacin es negativa, porque la seal de realimentacin se
opone a la entrada original.
Una vez se verifica que existe realimentacin negativa, utilizamos la restriccin del
punto suma: vi/0, e i/0. Aplicando la ley de Kirchhoff para las tensiones y teniendo en
cuenta el hecho de que vii / 0, se puede escribir vi = Vin
90
CONCLUSIN
Para concluir esta investigacin no hace falta decir que sin darnos cuenta
siempre hemos estado usado los circuitos para la cada actividad que hacemos en
nuestra vida cotidiana, si bien sabemos estos circuitos ya son indispensables para
realizar ciertas funciones sociales. Al usar una computadora un proyector una TV una
Radio incluso en las funciones medicas son indispensables. Es por eso que esta
investigacin se ha empeado en hacer compresible la funcin de cada dispositivo,
para as crear o innovar circuitos que nos ayuden a la mejora de nuestras actividades
o bien simplemente para reparar o hacer un remplazo del componente obsoleto, y as
darle solucin a nuestros problemas cotidianos con los elementos electrnicos que
usamos.
Se espera que esta investigacin este al alcance de cualquier persona lectora
de la materia para ayudarle en su propias investigaciones. Concluyendo que esta esta
materia se hizo de manera de dicada a conceptos bsicos sin adentrar en detalles
pues cada tema tiene su propio mundo de ideas sin dejar espacio a los limites. El
estudio de los Circuitos Elctricos y Electrnicos es el futuro del maana.
91
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Circuitos Electrónicos y Eléctricos

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CIRCUITOS

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L.S.C. FERNANDO LPEZ PEZ

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