Convertidor boost eficiente y de bajo

consumo para recoleccin de energa

Alumno: Fernando Angel Liozzi (41878), Ricardo Fonseca (97022)
Profesores: Tit-1 Ing. Juan Jorge Quiroga, JTP-1 Dr.-Ing. Mauricio Troviano
Facultad de Ingeniera
Universidad Nacional del Comahue
Trabajo final - Electrnica de Potencia
ResumenEl presente trabajo final de materia propone disear un conversor/cargador boost DC/DC capaz de
transformar la potencia generada por una nica clula
solar de silicio siguiendo su punto de mxima potencia
(MPPT). El conversor permite cargar una batera de ionlitio de 3.7V o cualquier otro dispositivo de almacenamiento como puede ser un capacitor convencional o supercapacitor. Utilizamos el integrado bq25504 de Texas
Instrument para este propsito. Se realiz el circuito propuesto y se program el MPPT de la clula solar, as como
los umbrales ptimos de tensiones para la carga y descarga de bateras de ion-litio. El ensayo se hizo con una
clula solar de silicio con tensin de circuito abierto del
orden de 0.5V y corriente de cortocircuito del orden de
100mA, obteniendo un rendimiento del 70% con iluminacin artificial. Este rendimiento corresponde al conversor/
cargador boost, que sumado al MPPT lo hace eficiente en
la recoleccin de energa y carga de bateras desde dispositivos de muy baja potencia como el caso de la clula
solar utilizada.
ndice de trminosConversor/cargador boost DC/DC,
recoleccin de energa, seguimiento del mximo punto de
potencia (MPPT), clula solar, batera de ion-litio, placa
de circuito impreso (PCB).
I

Introduccin

n nuestro entorno se produce energa a partir de muchas

fuentes, -solar, elica, trmica, cintica, potencial, etc.- las
cuales se pueden aprovechar con la tecnologa adecuada.
El trmino recoleccin de energa (energy harvesting) se refiere al proceso mediante el cual se aprovecha la energa presente
en el ambiente para producir energa elctrica que puede ser
almacenada o utilizada para alimentar dispositivos elctricos o
electrnicos de bajo consumo o de baja potencia, estos pueden
ser celulares, redes de sensores inalmbricos, cargadores solares,
monitoreo industrial, etc.
El presente trabajo de materia tiene por objetivo la realizacin
de un circuito electrnico capaz de transformar la potencia generada por una nica clula solar -siguiendo el punto de mxima
potencia- en la potencia adecuada para cargar una batera de
ion-litio de uso comn en telfonos celulares.
El circuito de aplicacin est basado en el IC de Texas Instruments bq25504, un conversor boost DC/DC de ultra bajo consumo con capacidades de gestin de bateras. Se configur y program para realizar la carga de bateras de ion-litio (3.6V-3.7V)
a partir de una clula solar de silicio, con tensin de trabajo del

orden de los 0.5 V siguiendo el punto de mxima potencia de la

clula, maximizando de esta manera la transferencia de potencia.
El trabajo se dividi en siete secciones. En las primeras cuatro
se realiza una breve descripcin de los dispositivos utilizados (celda solar, batera de ion-litio y el circuito integrado bq25504). En
la seccin cinco se describe el circuito y la PCB (Printed Circuit
Board) implementada. En la seccin seis y siete se presentan las
simulaciones y las mediciones obtenidas en el laboratorio.
El ensayo del circuito se realiz con iluminacin artificial, manteniendo la temperatura de operacin de la clula solar en el
orden de los 30C. Durante el proceso de recoleccin de energa con MPPT y realizando la carga de la batera, se obtuvo un
rendimiento del orden del 70%.
II

Clula solar

Una de las formas de energa

presentes en el ambiente es la
luz, y de todas esas formas de luz,
la ms abundante es la luz del sol.
Una clula (o celda) solar es un
dispositivo electrnico que hace
uso del efecto fotoelctrico para
transformar la luz en energa elctrica.
Fig. 1. Clula solar de silicio.
En la Fig. 1 se muestra la foto
de una clula solar de silicio.
La clula solar necesita un material que al absorber la luz genere cargas elctricas libres en su interior, y que estas cargas
puedan ser extradas del dispositivo.
1

Parmetros de la clula solar

Cuando la clula est iluminada, si cortocircuitamos sus contactos, fluye una corriente que est formada por portadores de
carga fotogenerados. Esta corriente se denomina de cortocircuito, y se representa por Isc. Es mayor cuanto mayor sea la irradiancia solar que incide sobre la clula y el rea de la misma, es decir,
cuanto mayor sea el nmero de fotones que llegan a ella.
En cambio, si dejamos los contactos de la clula sin conectar,
es decir, en circuito abierto, la acumulacin de cargas produce
una tensin entre los bornes, que tambin ser mayor cuanto
mayor sea la irradiancia. Esta tensin se denomina de circuito
abierto y se denota como Voc.
En situaciones intermedias, parte de los portadores pueden
ser extrados de la clula solar, mientras que otra parte se acumula generando una tensin entre los bornes. De este modo
se genera a la vez tensin y corriente, de forma que la clula

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

produce potencia elctrica.

La curva caracterstica de la clula es aquella en la que se representa la corriente generada por la clula para cada valor posible de tensin entre sus bornes.
Si representamos la potencia generada P=V.I frente a la tensin V, observamos que la mxima potencia generada se da para
una tensin algo menor que la tensin de circuito abierto (aproximadamente al 80% [1][3]). Esta tensin se denomina tensin
de mxima potencia (Vm), y la corriente que genera la clula en
este punto es la corriente de mxima potencia (Im).
Al cociente entre la mxima potencia generada y el producto
Isc.Voc, se lo denomina factor de forma o fill factor (FF). Este coeficiente nos da una idea del rendimiento de la clula solar y es
mayor cuanto mayor sea la calidad de la clula solar. El punto de
operacin de la celda vara con la carga aplicada y se desea que
trabaje entregando la mxima potencia disponible. Por eso es
necesario implementar un sistema que adapte la impedancia de
la carga para lograr la mxima transferencia de potencia.

III

Bateras de ion-litio

El litio es el ms ligero de todos los metales, tiene el mayor

potencial electroqumico y proporciona la mayor energa especfica por peso. Las bateras
recargables de litio con nodo
metlico (electrodos negativos)
pueden proporcionar densidaFig. 2. Batera de in-litio estndar
des extraordinariamente altas de de telfonos celulares.
energa; sin embargo, los ciclos de
cargas y descargas producen formaciones llamadas dendritas, las
cuales crecen en las bateras ion-litio y pueden seguir creciendo
hasta causar un cortocircuito interno, provocar fallas de la batera
y un posible incendio. Cuando esto ocurre, la temperatura de la
clula se eleva rpidamente y se acerca al punto de fusin del
litio, causando escapes trmicos con reacciones violentas [4].
La inherente inestabilidad del metal de litio, especialmente durante la carga, se soluciona mediante una solucin no metlica
usando iones de litio. Aunque posee menor energa especfica
que el metal de litio, el ion-litio es seguro si se siguen las medidas
de seguridad para mantener la tensin y la corriente en niveles
estables. La Fig. 2 muestra una batera de ion-litio moderna utilizada en telfonos celulares.
La energa especfica del ion-litio es dos veces la de NiCd, y
la tensin nominal de una clula es 3.60 V en comparacin con
1.20 V para los sistemas de nquel. Las mejoras en los materiales
activos de los electrodos logran aumentos considerables de la
densidad de energa. Las caractersticas de carga son satisfactorias, y la curva de descarga plana garantiza una utilizacin eficaz
de la energa almacenada en un espectro de tensin deseable de
3.70 a 2.80 V/clula. Las bateras de nquel tambin tienen una
curva de descarga plana que va desde 1.25 a 1.00 V/clula.
Dependiendo de las especificaciones qumicas de las bateras
de iones de litio utilizadas, el umbral superior de carga, es especificado por el fabricante, y est limitado tpicamente entre 4.1V y
4.3V. En la descarga, la tensin de la celda no debera disminuir
por debajo de los 2.5 V a 2.7 V [5], es decir, se prefieren descar-

electrnica

gas parciales y durante el proceso de carga, no se debe superar la

tensin de carga mxima de 4.30 V, y debe discontinuarse la carga cuando la tensin en bornes de la batera alcanza esta tensin.
El proceso de carga de bateras de ion litio se divide en dos
etapas; la primer etapa es a corriente constante, y la segunda
etapa a tensin constante. En la primer etapa debemos mantener
estable la corriente y lograr que la tensin en bornes aumente lentamente; durante la segunda etapa se mantiene la tensin
constante y se controla que la corriente decaiga lentamente. El
proceso de carga termina cuando la corriente cae por debajo de
un valor preestablecido [6].
IV
1

Circuito integrado bq25504

Descripcin general

El bq255041 es el primero de
una nueva familia de soluciones
integradas inteligentes para la recoleccin de energa con gestin
de nanovatios, adaptadas para
satisfacer las necesidades especiales de las aplicaciones de ultra
bajo consumo. El producto est
Fig. 3. CI bq25504 de Texas Insdiseado especficamente para truments.
adquirir y gestionar desde microvatios (mW) hasta milivatios (mW) de potencia generados a partir de una variedad de fuentes de CC, como fotovoltaica (solar)
o generadores termoelctricos eficientes. Este CI es el primer
dispositivo de su clase en implementar un convertidor/cargador
boost de alta eficiencia orientado a productos y sistemas como
las redes de sensores inalmbricos (WSN) que tienen estrictos
requerimientos operacionales y de potencia. Su diseo comienza
con un convertidor boost DC/DC que requiere slo microvatios
de potencia para comenzar a operar [1].
Puede extraer con eficiencia la potencia de los recolectores de
baja tensin, tales como los generadores termoelctricos (TEG)
o los paneles solares de una o dos clulas. El proceso se puede
iniciar con una tensin de entrada Vin tan baja como 330mV, y
una vez iniciado, puede continuar con la recoleccin de energa
desde Vin=80mV.
El bq25504 implementa una red de muestreo programable
para el seguimiento del punto de mxima potencia (MPPT) y as
optimizar la transferencia de potencia en el dispositivo. El muestreo de la tensin de circuito abierto Vin_dc se programa mediante
resistencias externas, y se mantiene con un capacitor externo
(Cref).
Por ejemplo, para clulas solares que operan con un punto
de mxima potencia (MPP) de 80 % de su tensin de circuito
abierto, se puede ajustar el divisor resistivo a 80 % de la tensin
de Vin_dc y la red controlar la Vin_dc para operar cerca de esa tensin de referencia en el muestreo. Alternativamente, se puede
proporcionar una tensin de referencia externa mediante un microcontrolador que posea un algoritmo de MPPT ms complejo.
Ha sido diseado con la flexibilidad necesaria para soportar
una gran variedad de elementos de almacenamiento de energa.
La disponibilidad de las fuentes de las que se puede extraer su
energa pueden ser espordicas o variables en el tiempo. Por tal
1 La hoja de datos del dispositivo est disponible en la pgina de Texas
Instruments http://www.ti.com/lit/gpn/bq25504

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

LBST

CFLTR

(2)

CSTOR

0.1F

4.7 F
(min)

22H

Clula
Solar

VSTOR

CHVR
4.7F

ROC2

16

15

LBST

VSTOR

VSS

VIN_DC

3
CREF

0.01F

14

13

VBAT

VSS
AVSS

12

VBAT_OK

11

VOC_SAMP

OK_PROG

10

VREF_SAMP

OK_HYST

4. 00 M

ROC1
16.00 M

Batera (>100F)

bq25504

OT_PROG VBAT_OV VRDIV VBAT_UV

RUV2

ROV1

RUV 1

4.40 M

3.30 M

ROK2
6.00 M

ROK3
680 K

ROV2
5.60 M

VBAT_OK
ROK1

6.20 M

R
Vbat_uv = 1A .B25BBVC a1 + RUV2 k
UV1
V

3.86 M

Fig. 4. Circuito de aplicacin tpico para la recoleccin de energa solar con

seguimiento del punto de mxima potencia al 80 % de Voc.

motivo los sistemas necesitarn algn tipo de elemento de almacenamiento de energa, como bateras recargables, capacitores
de alto rendimiento, o capacitores convencionales. Estos medios
de almacenamiento se asegurarn de disponer de potencia constante cuando sea necesaria, tambin permiten que los sistemas
puedan requerir corrientes de pico que no pueden provenir directamente de la fuente de entrada.
Para evitar daos a los dispositivos de almacenamiento, las
tensiones, tanto mnimas como mximas son monitoreadas contra las tensiones programadas mnima (Vbat_uv) y mxima (Vbat_ov)
respectivamente.
Para tener una gestin ms estricta de la energa, el bq25504
conmuta una bandera de batera buena (Vbat_ok) para indicarle
a un microprocesador conectado cuando la tensin en un dispositivo de almacenamiento de energa ha cado por debajo de
un nivel crtico preestablecido. De esta forma es posible gestionar la carga y descarga de los dispositivos de almacenamiento
incircuit, es decir, sin desconectarlo del sistema.
Las tensiones umbrales Vbat_uv, Vbat_ov y Vbat_ok se programan de
forma independiente.
El CI bq25504 viene en un encapsulado QFN de 16 pines
y mide 3 mm x 3 mm. La Fig. 3 muestra una imagen CAD del
circuito integrado.
2

abierto. Operando en (1) con ROC1=16 MW y ROC2=4 MW obtenemos una tensin de muestreo al 80 % de la tensin de circuito
abierto; la suma de ambas resistencias debe ser aproximadamente 20 MW. Estos valores al igual que todos los dems se muestran
en el esquema de circuito de la Fig. 4.
Proteccin contra baja tensin
Para evitar que las bateras recargables se descarguen por
debajo de la tensin crtica y se daen, y para evitar que un
elemento capacitivo agote su carga, la tensin umbral Vbat_uv se
debe configurar con resistencias externas. Esta tensin umbral se
programa mediante (2)
(2)

bias

Operando en (2) con los valores de RUV2=6.20 MW y

RUV1=3.86MW, obtenemos una tensin umbral de proteccin
por baja tensin Vbat_uv=3.26 V, acorde a las bateras de ion-litio.
La suma de las resistencias debe ser aproximadamente 10MW.
Proteccin por sobretensin
Para evitar que las bateras recargables estn expuestas a tensiones de carga excesivas, y para evitar el exceso de carga de un
elemento de almacenamiento capacitivo, el (Vbat_ov) nivel umbral
de sobretensin se debe ajustar con resistencias externas. Este es
tambin el valor de tensin a la que el cargador regular los pines
de salida VSTOR / VBAT cuando la entrada tenga suficiente potencia. El umbral Vbat_ov se programa mediante (3)

R
3
Vbat_ov = 2 1A .B25BBVC a1 + ROV2 k
OV1
V

(3)

bias

Operando en (3) con valores de resistencias ROV2=5.60MW

y ROV1=4.40MW, obtenemos una tensin umbral de proteccin
por sobre tensin Vbat_ov=4.26 V, tpico para bateras de ion-litio.
La suma de las resistencias debe ser aproximadamente 10MW.
Tensin de batera en rango de operacin
El IC permite establecer una tensin programable independiente de la configuracin de sobretensin y de mnima tensin
para indicar si la tensin de Vstor (y por lo tanto la tensin Vbat)
est en un nivel aceptable. Cuando la tensin de la batera est
disminuyendo, el umbral se establece mediante (4)

R
Vbat_ok_prog = 1A .B25BBVC a1 + ROK2 k
OK1
V

Circuito de aplicacin

(4)

bias

En la Fig. 4 se esquematiza el circuito de aplicacin a implementar para la recoleccin de energa solar proveniente de una
clula solar con seguimiento del punto de mxima potencia, asumiendo que ste se encuentra al 80 % de la tensin de circuito
abierto Voc=Vin_dc.
Seguimiento del punto de mxima potencia
Internamente, el convertidor boost modula la impedancia
efectiva de los circuitos de transferencia de energa para regular
la tensin de entrada (Vin_dc) a la tensin de referencia muestreada (Vref_samp). Una nueva tensin de referencia se obtiene cada
16 s desactivando peridicamente el conversor por 256ms. La
tensin de referencia se establece mediante (1)

R 1
k
Vref_samp = Vin_dc a R +OCR
OC1
OC2
S
V

(1)

open circuit

El punto de mxima potencia en las clulas solares tpicas se

encuentra aproximadamente al 80 % de la tensin de circuito

Nuestro aviso de batera descargndose, se estableci en Vbat_

=3.52 V, es decir al 30 % de la carga. Cuando la tensin de la
batera est incrementndose, el umbral se establece mediante
(5)
ok

Vbat_ok_hyst = 1A .B25BBVC a1 +
Vbias

ROK2 + ROK3 k
ROK1

(5)

Nuestro umbral de batera cargndose se estableci en

Vbat_ok_hyst=3.78 V, es decir al 50 % de la carga total.
Los valores de ROK1, ROK2 y ROK3 se muestran en el diagrama
esquemtico de la Fig. 5. Los valores de estas resistencias debe
sumar aproximadamente 10 MW.
Arranque en fro
Cuando la tensin en el pin Vin_dc supera la tensin mnima
de entrada con suficiente potencia, el subsistema de arranque
en fro se enciende. Este subsistema es esencialmente un convertidor elevador no regulado. Cuando el capacitor de almacenamiento, Cstor, alcanza una tensin tpica de 1.8 V, arranca el

electrnica

Fig. 5. Esquemtico general del circuito.

electrnica

1
2

GND

GND

VHVR
C2
Chvr1
4.7 uF

GND

Lbst
C3
22 uH
Chvr2
0.1 uF

L1

storage capacitance.

Sampled reference

GND

C7
Cref
0.01 uF

VREF_SAMP

DC Energy Harvesting from 80 mV to 3 V.

Solar Cell

P2

LBST

VRDIV

VHVR

GND
VHVR
VOC_SAMP
VREF_SAMP
GND
VBAT_OV
VRDIV
VBAT_UV

rdiv

hvr

bat_uv

bat_ov

oc_samp

bat_ok_prog

bat_ok_hyst

BQ25504_RGT_16

VSS
VIN_DC
VOC_SAMP
VREF_SAMP
OT_PROG
VBAT_OV
VRDIV
VBAT_UV

EPAD
LBST
VSTOR
VBAT
VSS
AVSS
VBAT_OK
OK_PROG
OK_HYST

Programming circuitry

1
2
3
4
5
6
7
8

U1
17
16
15
14
13
12
11
10
9

GND

C1
Cbat
100 uF

C4
Cstor
4.7 uF

Date:
File:

A4

Size

VBAT_OK_PROG=3.52 V (Measured 3.57 V)

OK_PROG

1
30/07/2014
D:\Dropbox\..\PCB_BQ25504.SchDoc

Number

1.0

Sheet 1 of 2
Drawn By: Liozzi, Fonseca

Revision

Battery charger with maximum power point tracking.

VBAT_UV=3.26 V

VBAT_OK_HYST=3.78 V

OK_HYST

Title

GND

C6
Ctr2
0.1 uF

VSTOR

Storage capacitors and lters.

C5
Ctr1
0.01 uF

or other storage element.

Rechargeable battery, supercapacitor

GND

VBAT_OK

VBAT

VBAT_OV=4.26 V

1
2
3
Battery

P1

VBAT_UV

VBAT_OV

VOC_SAMP

GND
LBST
VSTOR
VBAT
GND
GND
VBAT_OK
OK_PROG
OK_HYST

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

R3
2.2M
R8

R4
22M

R1
2.2M
R7

R2
22M

R3
22M
R18

R4
22M

R1
10M
R17

R2
10M

Equivalent array for 16 MOhm resistor.

R12

R11

Equivalent array for 4 MOhm resistor.

R2

R1

R3
1M

R22

GND

R24
Rok1
3M3

bat_ok_prog

GND

oc_samp

VBAT_OK_PROG=3.52 V (Measured 3.57 V)

VBAT_OK_HYST=3.78 V

Programming for Battery Status Output.

Equivalent array for 6 MOhm resistor.

R2
10M

R1
10M
R23

R21

Programming for MPPT. (80 % Vopen-circuit)

R20
Rok3
680K

rdiv

hvr

bat_ok_hyst

rdiv
R2
1.5M

R1
1M
R9

R3

R4
10M

R3
10M
R10

R4

Programming for Battery Overvoltage Protection. (4.26 V)

R2
560K

R16

Date:
File:

A4

Size

Title

2
30/07/2014
D:\Dropbox\..\Res_Eq.SchDoc

Number

Equivalent resistors arrays

GND

bat_uv

Revision

1.0

Sheet 2 of 2
Drawn By: Liozzi, Fonseca

Programming for Battery Undervoltage Protection. (3.26 V)

Equivalent array for 3.86 MOhm resistor.

R1
3.3M

R2
1.5M

R1
4.7M

Equivalent array for 6.2 MOhm resistor.

R6

R5

R15

rdiv

R3
1M
GND

bat_ov

R14

Equivalent array for 4.4 MOhm resistor.

R2
6.8M

R1
6.8M
R19

R13

Equivalent array for 5.6 MOhm resistor.

rdiv

5
TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014
CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

Fig. 6. Esquemtico del subcircuito de programacin del CI bq25504.

electrnica

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

no se hace con cuidado,

el conversor boost puede
mostrar problemas de estabilidad, y problemas de
EMI. Por lo tanto, se deben utilizar pistas anchas y
cortas para el trayecto de
la corriente principal y las
rutas a masa. Los capacitores de entrada y de salida, as como el inductor
deben colocarse tan cerca Fig. 8. Ensamblado frontal del PCB.
como sea posible del IC.
Las resistencias que programan los umbrales se deben colocar
tan cerca como sea posible de los pines de entrada del IC para
minimizar la capacitancia parsita a menos de 2 pF.
3

Fig. 7. Imagen 3D del mdulo Nano-Power Boost Charger. En la siguiente URL

hay disponible un video acerca de este diseo: http://youtu.be/q9nadSkv7-I

regulador boost principal. La tensin Vstor del regulador principal se compara con la tensin umbral de baja tensin (Vbat_uv), y
cuando se alcanza el umbral Vbat_uv, se conmuta entre Vstor y Vbat,
esto permite que el elemento de almacenamiento de energa
conectado a Vbat comience a cargar. El arranque en fro no es tan
eficiente como el regulador boost principal . Si no hay suficiente
potencia disponible, es posible que el arranque en fro se ejecute
continuamente y la salida Vstor no aumente a 1.8 V y no arranque
nunca el regulador boost principal.
V

Nano-Power Boost Charger

Nano-Power Boost Charger es el nombre que le dimos a

nuestro mdulo de evaluacin (ME), que permite efectuar una
carga eficiente y controlada de bateras de ion-litio de uso estndar.
Una imagen CAD 3D del mdulo armado se aprecia en la
Fig.7. En las Fig. 5 y 6 se muestran los esquemticos a partir de
los que se ha creado el circuito impreso de la Fig. 4.
1

Esquemtico

El esquemtico presentado en la Fig. 5 est basado en el circuito de aplicacin mostrado en la Fig. 4, al que se ha aadido
un capacitor de filtrado adicional de 10 nF en Vstor y un capacitor de 100mF en paralelo con el dispositivo a cargar, para asegurar el requerimiento mnimo de capacidad en Vbat. Debido a
que los valores calculados de resistencias no se disponan en un
slo dispositivo resistivo, se formaron arreglos series, paralelos y
combinaciones de ambos (de forma mnima), basndonos en los
valores de resistencias disponibles en el mercado local.
2

Consideraciones de Ruteo

Como en todas las fuentes de alimentacin conmutadas, el

ruteo es un paso importante en el diseo, especialmente a altas
corrientes pico y altas frecuencias de conmutacin. Si el diseo

electrnica

Consideraciones trmicas

La implementacin de circuitos integrados de perfil bajo y de

paso fino en encapsulados de montaje superficial requieren especial atencin en cuanto a disipacin de potencia. Muchos de
los problemas que dependen del sistema, tales como el acoplamiento trmico, flujo de aire, agregado disipadores de calor,
superficies de conveccin, y la presencia de otros componentes
generadores de calor afectan a la disipacin de potencia lmite de
un componente determinado.
Este CI posee un pad trmico en su parte posterior, cuyo
uso es crtico en la disipacin de potencia del dispositivo, y debe
estar en contacto con el cobre del circuito impreso, pudindose
conectar a GND o un plano de cobre que acte como disipador
trmico.
4

PCB

En nuestro sistema se dise un plano de masa que cumple

con los requerimientos de ruteo y sirve de forma eficaz a la disipacin trmica del dispositivo, ya que el plano de masa est en
contacto con el pad trmico del CI.
Las trazas poseen un ancho de 20mils (0.508mm) reducindose a 8mils (0.2032mm) al llegar al CI. Estos anchos de pistas
(externas) permiten que circule una corriente de 1463.6mA y
753.22mA respectivamente, considerando un espesor de cobre de 1oz (~35mm) y un calentamiento de la pista de 10C
sobre la temperatura ambiente (25 C) al circular dicha corriente [2]; estos valores exceden por mucho los requerimientos de
nuestro circuito. Se utiliz el diseo de lgrima (teardrops) para
empalmar de forma suave las pistas a los pads y
las pistas anchas a las ms
estrechas.
El circuito impreso diseado tiene por dimensiones 50 mm x 50 mm a
simple faz. El diseo puede hacerse mucho ms
pequeo, pero por razones didcticas y facilidad
de acceso a los puntos de
prueba , se realiz en ese Fig. 9. Ruteo frontal del PCB listo para
transferir al FR4.

Simulacin

La simulacin se realiz con el software TINA-TI2, una versin

gratuita distribuida por Texas Instruments de TINA, es un simulador basado en spice para el cual TI provee un macro modelo
transitorio del CI bq25504.
La Fig. 10 muestra el esquemtico a simular, es similar al ME,
con algunas consideraciones para reducir el tiempo de simulacin.
a) El capacitor C3 se redujo a 0.47 mF.
b) No se ha conectado la batera o capacitor de almacenamiento.
c) La Isc de la clula solar se fij en 400 mA.
d) La corriente de reposo no se modela.
d) Las caractersticas trmicas no se modelan.
e) La funcin de conexionado en caliente no se modela.
f) El perodo de muestreo se reduce de 16 s a 512 ms.
No obstante, con todas esas consideraciones la simulacin
demora aproximadamente una hora en una computadora con
cuatro ncleos a 2.8 GHz.
El resultado de la simulacin se muestra en la Fig. 11.
Teniendo en cuesta las simplificaciones para la simulacin, tenemos que al arrancar el conversor/cargador, la tensin Vin_dc=0.5
V, Vref_samp=0.5 V*80 %=0.4 V, y tanto Vstor como Vbat son 0 V. Inmediatamente despus comienza la transferencia de energa de
la clula a C3 -se ve reflejado en el aumento de Vbat y Vstor-, por lo
que circula corriente por la bobina, cae la tensin en Vin_dc y comienza la descarga de Cref que se refleja en Vref_samp. A los 250ms
se toma una muestra de la tensin de circuito abierto -que dura
32 ms-, por lo que se interrumpe la transferencia de energa a la
carga; durante este muestreo Vbat y Vstor se mantienen constantes,
Vin_dc adquiere la tensin de circuito abierto de la clula solar y
Vref_samp aumenta.
Durante los prximos 250 ms contina la carga de C3 y tanto
Vbat como Vstor comienzan a aumentar. A los 500 ms aprox. se
realiza un nuevo muestreo de la tensin de circuito abierto de la

C2 4.7u

OK_PROG

(-1,0) (0.4,0)(0.5,400u)

OK_HYS

R7 680k
R6 6.2M

R4 5.6M

R5 3.86M

C5 10n
R3 4.4M

R10 16M

C1 4.7u

U1 BQ25504_TRANS
FAST=1

C4 100n

VBAT_OK

R9 6M

TRANSIENT MODEL
VREF_SAMP

CIN 4.7u

VBAT_UV

N1
N2

OT_PROG

Out(I)

BQ25504

VOC_SAMP

VRDIV

CS1
IINN 400u

VREF_SAMP:2

AVSS
VBAT_OK

VBAT_OV

R2 4M

VIN_DC

R8 3.3M

VSS_1

LBST

VBAT

VSTOR

VSS_0

C3 470n

VSS_2

VIN_DC:1

Fig. 10. Esquemtico en TINA-TI del (ME) Nano-Power Boost Charger para su
simulacin.
2 Web oficial de TINA-TI: http://www.ti.com/tool/tina-ti

1.5

0.0

0.5

1.0

1.5

368m
276m

392m
343m
294m
245m
3.9
2.6
1.3
0.0
3.9
2.6
1.3
0.0

Tiempo t, [s]

Fig. 11. Grficos de tensiones en varios puntos de prueba del ME obtenidos

durante la simulacin.

clula solar, nuevamente se interrumpe la transferencia de energa de la clula a la carga, mantenindose constantes las tensiones
Vstor y Vbat, y Vref_samp se establece en el MPP (400 mV aprox.).
A los 750 ms C3 est prcticamente cargado, y la corriente
de carga disminuye haciendo que la tensin en Vin_dc aumente. El
valor de tensin final en C3 es de 4.30 V.
En la simulacin los tiempos estn muy comprimidos, se utilizaron bajas capacidades con la finalidad de reducir el tiempo de
procesamiento y poder verificar que se efectu correctamente el
clculo de los componentes a utilizar.

Mediciones

C6 100n

VBAT:4

SOLAR CELL

1.0

VII

VSTOR:3

L1 22u
RSer 50m

0.5

184m

Vref_samp, [V]

VI

0.0
460m

Vstor, [V]

tamao.
La Fig. 8 muestra el ensamblado frontal del PCB con el plano
de masa y el ruteo correspondiente. La Fig. 9 muestra el ruteo
del PCB listo para transferirse a la placa para circuitos impresos.

Vin_dc, [V]

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

Vbat, [V]

Los ensayos del ME se hicieron con

una celda solar CONRAD3 con Voc=0.5
V y Isc=100 mA, se muestra una foto ilustrativa en la Fig. 12.
En las condiciones de ensayo (iluminacin disponible) se lograron tensiones de Fig. 12. Foto ilustrativa de
circuito abierto de 0.590 V, corrientes de la clula solar utilizada en
cortocircuito de 43.2 mA y temperatura los ensayos.
de funcionamiento de la clula solar de 30 C aproximadamente.
Para comprobar el rendimiento y el seguimiento del punto de
mxima potencia del conversor boost, primeramente se realiz
una caracterizacin de la clula solar en las condiciones de iluminacin del ensayo.
Las curvas para la clula solar ensayada se presentan en la
3 Hoja de datos disponible en:
http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/175000-199999/191254da-01-ml-SOLARZELLE_0_5_V_100MA_de_en_fr_nl.pdf

electrnica

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

-10m

3m

-20m

7m

-30m

10m

-40m

14m

-50m

100m

200m

300m

400m

500m

600m

Potencia, P [W]

Corriente, I [A]

17m

Tensin, V [V]

Fig. 13. Curva caracterstica de la clula solar utilizada (azul). Curva de potencia
(verde). Se indican con lneas rojas punteadas el punto de mxima potencia en
ambas curvas. El punto violeta corresponde al punto de funcionamiento de la clula en tensin-corriente y el punto celeste corresponde a la potencia de entrada.

Fig.13, la curva caracterstica en azul y la curva de potencia en

verde; con color sombreado se muestra la incertidumbre basada
slo en las mediciones de tensin y corriente, y con lneas rojas
punteadas los puntos de mxima potencia en ambas curvas. La
fotografa de la Fig. 14 muestra el ensayo de transferencia de
potencia del conversor/cargador boost, la potencia de entrada
es Pin=15.8 mW y la potencia de salida Pout=11 mW, esto da
un rendimiento h=70%. Los valores de tensin y corriente de
entrada en el punto de trabajo del conversor boost (MPP) y el
valor de mxima potencia de operacin se muestran en la Fig. 13
con los puntos violeta y celeste respectivamente.
En la fotografa de la Fig. 15 se ha quitado la batera recargable
para verificar la tensin mxima de carga recomendada para las
bateras de ion-litio recargables, se observa al conversor/cargador
boost operando en el punto de mxima potencia de la clula
solar elevando la tensin a niveles ptimos para la carga de este
tipo de bateras.
Se mencion anteriormente que este convertidor boost una
vez iniciado puede recolectar energa desde tensiones tan bajas como 80 mV. La Fig. 16 muestra una fotografa donde el
conversor boost se inici normalmente y gradualmente se fue
obstruyendo la iluminacin incidente en la clula solar hasta que
el punto de mxima potencia de la clula se estableci en 0.17 V,
el conversor boost sigue trabajando con normalidad y de forma
estable.

Fig. 14. Fotografa donde se aprecia el circuito, la tensin y corriente de entrada,

y la tensin y corriente de carga de la batera de ion-litio. El conversor/cargador
boost posee un rendimiento del 70%. El circuito est cargando la batera.

electrnica

Fig. 15. Fotografa en la que muestra el conversor/cargador boost sin la batera

de carga, elevando la tensin del punto de mxima potencia de la clula solar a la
tensin mxima recomendada para la carga de una batera de ion-litio.

La operacin de los umbrales de aviso de batera cargndose

(dv/dt>0) y batera descargndose (dv/dt<0) se muestra en la
Fig. 17, para este ensayo se utiliz la carga y descarga del capacitor de 100 mF del ME y una resistencia de carga de 10 kW. En el
canal 1 del osciloscopio se muestra el proceso normal de carga
con el arranque en fro hasta alcanzar los 1.80 V y despus hasta
alcanzar los 4.20 V, el proceso de descarga se logra al suspender
el flujo de luz incidente en la clula. En el canal 2 se muestra la
operacin de Vbat_ok, esta salida se mantiene en nivel bajo hasta
que la tensin de carga (en el capacitor) alcanza los 3.76 V en
proceso de carga (dv/dt>0), luego sigue el proceso de carga. Al
comenzar el ciclo de descarga, Vbat_ok se pone nuevamente en
nivel bajo al alcanzar el umbral de aviso de descarga programado
en 3.44 V. La Fig. 18 muestra los canales del osciloscopio superpuestos en donde se puede apreciar mejor la operacin de los
avisos de umbral alcanzado.
La soldadura del CI bq25504 se realiz manualmente y previo
a los ensayos se verific visualmente con ayuda de una cmara
para este tipo de inspecciones. La fotografa de la Fig. 19 muestra
la soldadura en una de las caras del CI. En la Fig. 20 se exhibe la
fotografa del mdulo Nano-power Boost Charger listo para
su utilizacin.

Fig. 16. Fotografa mostrando al convertidor boost elevando la tensin de 0.17V

a 4.23 V. Esto se logra iniciando el conversor boost e ir obstruyendo paulatinamente la clula solar haciendo bajar la tensin en bornes. Esos 0.17 V corresponden al punto de mxima potencia de la clula operando a muy bajos niveles
de inyeccin.

TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014

CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504

Fig. 17. Operacin de Vbat_ok, Cl=100 mF, Rl=10 KW. En el canal 1 se observa
la carga y descarga de 0 V a 4.20 V y en el canal 2 la operacin de Vbat_ok operando en los umbrales dv/dt>0 de 3.76 V y dv/dt<0 de 3.44 V.

VIII

Conclusiones

Se dise e implement un conversor/cargador boost eficiente para recoleccin de energa a partir de una nica clula solar
con MPPT.
El rendimiento del conversor/cargador boost se ha medido en
un 70 %, valor que est de acuerdo a los rendimientos de fuentes
conmutadas y se contrasta con el valor de eficiencia informado
en la hoja de datos del dispositivo para las tensiones y corrientes
utilizadas.
Se calcularon los umbrales de aviso y proteccin de forma precisa y se implement la programacin de los mismos con arreglos
mnimos de resistencias para lograr los valores requeridos.
La tensin de referencia y muestreo para el seguimiento del
punto de mxima potencia de la clula solar se estableci en
80% de la tensin de circuito abierto, a partir de este valor de
referencia el circuito comienza el ajuste de la mxima transferencia de potencia. Los valores medidos se contrastan correctamente con los valores calculados tericamente.
Se dise y se implement la placa de circuito impreso teniendo en cuenta el diseo ptimo para la estabilidad trmica y de
funcionamiento del conversor/cargador boost.
Un trabajo a futuro interesante podra ser la programacin
de un algoritmo de seguimiento del punto de mxima potencia
de la clula solar ms complejo, implementado en un microcon-

Fig. 19. Soldadura del CI bq25504.

trolador o DSP, de esta forma podra aumentarse an ms la

eficiencia del circuito.

Referencias
[1] Ultra Low Power Boost Converter with Battery Management
for Energy Harvester Applications, Texas Instruments, Texas,
2012.
[2] Generic Standard on Printed Board Design, IPC-2221A, 2003.
[3] bq25504 Optimization of MPPT Algorithm, Application Report
SLUA632, Texas Instruments, Texas, 2012.
[4] Purdue University. Analytical theory may bring improvements to lithium-ion batteries. ScienceDaily. ScienceDaily, 5 March 2013. <www.sciencedaily.com/releases/2013/03/130305131400.htm>.
[5] D. Linden and T. Reddy, Handbook of Batteries, Third
Edition, Ed. McGraw-Hill: New York, 2002, pp. 5.17
[6] Li-ion Battery Charger: Application note, Samsumg Electronics, December 2008, pp. 3.

Tensin, V [V]

Tiempo, t [500 ms/div]

Fig. 18. Datos del osciloscopio, canal 1 (negro), canal 2 (rojo), donde se muestra
la operacin de Vbat_ok. Se superpusieron los canales a efectos comparativos.

Fig. 20. Foto de la placa final del mdulo Nano-power Boost Charger.

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