Por tanto las concentraciones de portadores minoritarios tambin han variado tal como
se ve en la figura 3.5.
En la unin de emisor-base, polarizada directamente, se estn inyectando portadores
mayoritarios (huecos) desde la zona P (emisor) a la zona N (base) y electrones desde la
zona N (base) a la zona P (emisor), dando lugar a la corriente de emisor Ie. En la unin
de colector-base debido a su polarizacin inversa sern los portadores minoritarios los
que se inyectan a la unin: huecos desde la zona N (base) a la zona P (colector) y
electrones del colector a la base.
Si en la unin de colector-base no hubiese mas trasiego de portadores que los que se
producen en una unin PN polarizada inversamente, la corriente de colector Ic debera
ser Ics, corriente de saturacin inversa de una unin PN, pero debido a la estrechez de
la base gran parte de los huecos inyectados por el emisor en la base llegan a la unin
Este parmetro no es una constante ya que dada una geometra de las uniones, de la cual
depende fuertemente, tambin depende de Ie de Vcb y de la temperatura
La expresin (3-2) se puede generalizar para cualquier valor de la tensin de
polarizacin de la unin colector-base, dando lugar a la expresin:
Por tanto el aumento de VCB, en polarizacin inversa, hace que el ancho de la regin de
cargas descubiertas en la unin colector-base aumente en la zona de base, con los
posibles efectos:
Aumento del
, ya que al estrecharse la base disminuye la
recombinacin de huecos inyectados por el emisor en la base, y llegan en ms
proporcin a la unin de colector-base.
Aumento de IE ya que aumenta el gradiente de la concentracin de portadores
minoritarios (pn) en la unin de emisor-base en lado de la base (pn(0)). La
concentracin pn en el borde de la unin de colector debe ser cero, por tanto la
concentracin de huecos en la base decae desde pn(0) hasta cero en menos
espacio, su gradiente aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base (IE).
Se ha de tener en cuenta que si se aumenta demasiado VCB se puede reducir a cero el
ancho real de base, provocando la ruptura del transistor, es lo que se denomina perforar
el transistor.
Una vez planteado el efecto Early se ha de a analizar las curvas caractersticas de
entrada y salida, figuras 3.6 y 3.7. En las curvas caractersticas de entrada se ve que hay
una tensin umbral de VEB, que se denomina V , a partir de la cual el transistor empieza
a conducir apreciablemente. El valor de V es de aproximadamente 0,55 V para un
transistor de Si. Igualmente en dichas curvas se observa la influencia de VCB sobre IE,
de acuerdo a lo que predice el efecto Early.
En las curvas caractersticas de salida se puede observar la ligera pendiente de IC para
un valor constante de IE al variar VCB, otra vez el efecto Early. Para IE = 0, IC ser ICS,
corriente de saturacin inversa. Tambin se observa que para IE 0 se necesita llegar a
polarizar positivamente la unin colector-base para anular la corriente de colector, pero
la curva de Ic correspondiente a IE = 0, pasa por (0,0).
Las curvas caractersticas de salida son las que ms se usan en el diseo con
En las grficas de la figuras 3.9 y 3.10, se pueden observar las curvas caractersticas de
entrada y salida de esta configuracin. Como en la configuracin anterior se usar como
variable a estudiar en el circuito de entrada la tensin entre los terminales de entrada al
transistor, por tanto la tensin VBE, y en el circuito de salida la corriente en el terminal
de salida del transistor, por tanto IC. Como variables independientes se toman
nuevamente la corriente en el terminal de entrada al transistor, IB, y la tensin en los
terminales de salida del transistor, VCE.
En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.9 VBE = f (IB, VCE), se vuelve a
observar la existencia de una tensin umbral, V, a partir de la cual la corriente en el
terminal de entrada es apreciable, V 0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de
manifiesto el efecto Early: un incremento en la tensin en los terminales de salida VCE
(2), disminuye la corriente de entrada IB, el estrechamiento de la base reduce la corriente
de recombinacin de base.
(2)-Como aclaracin se ha de tener en cuenta que al aumentar la tensin en los terminales de salida, VCE,
se aumenta la polarizacin inversa en el diodo colector-base.
En las curvas caractersticas de salida, figura 3.10 IC = f (IB, VCE), se observa la ligera
variacin de IC, para IB constante, al variar VCE, otra vez el efecto Early. Como detalle
interesante se ha de resaltar que si se prolongan estas rectas, confluirn en un punto del
eje X, un valor VCE negativo, dicha tensin se denomina tensin Early.
Igual que en la configuracin de base comn, en la grfica de las curvas caractersticas
de salida se distinguen de tres regiones: activa, saturacin y corte. La regin activa es
aquella en que IB > 0 y VCE > 0,3 V, ya que para VCE < 0,3 V se entra en los codos de
las curvas y se pasa a la regin de saturacin, la cual se toma para VCE < 0,25 V. La
regin de corte es para IB 0, en esta regin las corrientes en el transistor son
despreciables.
Al analizar un circuito que contenga un transistor este se comportar como un nudo en
el cual confluyen tres ramas por tanto se debe cumplir:
IE = IC + IB
(3-5)
Sustituyendo (3-5) en (3-2) y despejando IC, se obtiene:
Puesto que ICS << IB, la expresin (3-8) se suele aproximar por la expresin:
, es lgico
Por tanto antes de usar un transistor es conveniente medir su beta. Dado un transistor
concreto con un valor de beta dado, es importante comprender que el parmetro beta
slo tiene sentido cuando est trabajando en un punto de funcionamiento de la regin
activa del transistor.
La regin de saturacin es la zona izquierda de las curvas caractersticas de salida,
previa a los codos de las curvas. En la regin de saturacin no tiene validez el parmetro
beta ya que segn se ver posteriormente, la corriente de colector que pasa por el
transistor, en toda esta regin, es menor que la que define la expresin (3-9), expresin
que liga la corriente de base y de colector a travs del parmetro beta.
Igual que se ha definido el parmetro
(hFE) para corrientes estticas, corriente
continua, se define tambin para variaciones de la corriente. En tal caso se usa
normalmente hfe para denominar la dinmica, es por ello que en lo que sigue se
utilizar hFE para denominar la esttica, y hfe para denominar la dinmica, tambin
denominada ganancia de corriente para pequea seal y cuya definicin es:
Tomando ahora los valores extremos de hFE, empezando por el valor inferior, hFE =
100:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 101 Ib
Ib = 0,0194 mA Ic = 1,94 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 5,126 V
Para hFE = 300:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 301 Ib
Ib = 0,006732 mA Ic = 2,02 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 4,942 V
Los resultados hablan por si solos, la polarizacin por divisor de tensin en base y
resistencia de emisor definen un punto de funcionamiento del transistor BJT muy poco
dependiente del valor del parmetro hFE del transistor. Este tipo de polarizacin es el
que se usar habitualmente.