Tema:

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN CARACTERSTICAS BSICAS

I.

OBJETIVOS
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.
2. Comprobar las caractersticas del funcionamiento de un transistor
bipolar NPN.

II.

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un Multmetro.
2. Un miliampermetro.
3. Un micro ampermetro.
4. Un voltmetro de c.c.
5. Un transistor BF494B
6. Un osciloscopio.
7. Resistores: Re = 330 , Rc = 1K, R1 = 56K, R2 = 22K
8. Condensadores: Cb = 0.1F, Cc = 0.1F, Ce = 3.3F
9. Una fuente de c.c. variable.
10. Cables conectores ( 3 coaxiales ORC )
11. Un potencimetro de 1M
12. Una placa de zcalo de 3 terminales.
13. Dos placas con zcalo de 2 terminales.

III.

MARCO TERICO

TRANSISTOR NPN:

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales

las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

IV.

PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.
Llenar la tabla 1 .
Para ello, usamos el voltmetro, colocamos el selector en el smbolo de diodo
para la medicin directa de base-emisor, y de base-colector, y luego colocamos
el selector en el smbolo de ohmios, para la medicin de la resistencia directa
de colector-emisor y para la resistencia indirecta de base-emisor, basecolector, y colector-emisor. Todos los datos se registraron en la Tabla 1.

TABLA 1
RESISTENCIA

DIRECTA ()

INVERSA()

BASE-EMISOR

0.634k

>30M

BASE-COLECTOR

0.622k

>30M

COLECTOR-EMISOR

>30M

>30M

2. Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base

(Ib).Obtener el (Usar P1=0 ).
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), y entre emisor-tierra (Ve)
.
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
TABLA 2

Valores(R1 =
56K)

Ic(mA)

IB(A)

VCE(V)

VBE (V)

VE(V)

Medidos

9.25

51.5

181.01

0.637

0.75

2.07

d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los dato en la
tabla 3 (Por ajuste de P1).
Valores(R1=68K)

IC (mA)

IB (A)

VCE (V)

VBE (V)

VE (V)

Medidos

7.8

40

195

2.13

0.69

1.736

TABLA 3

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K y 1M.Observar lo que

sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce .Llenar la tabla 5.

Medidos

P1

100K

250K

500K

1M

Ic ( mA )

3.1

IB (A)

15

VCE ( v )

8.16

10.81

11.93

11.99

TABLA 5
3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp , 1KHz, onda senoidal
.Observar la salida Vo con el osciloscopio .anotar en la tabla 4.

Tabla

Vi (mV.pp)

Vo (V.pp)

Av

Vo (sin
Ce)

Av (sin
Ce)

3 (Q2)
TABLA 4

CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa
con el ohmmetro.
El transistor se comportara como una resistencia variable que depende de una seal
elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de control cambia la
cantidad de corriente que pasa por el transistor.

Como en el transistor no acumula carga, toda la corriente que entra en el transistor

debe salir entonces:
IE = IC + IB = ( +1) IB
Si >> 1; IE IC
2. Representar la recta de carga en un grafico Ic Vs. Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2,3 y 5.

Ic vs Vce

Ic(mA)

5.
10
8
6
Ic vs Vce

4
2
0
0
-2

10

15

Vce(V.
)

%Ic

Vce

9.25

0.637

7.8

2.13

3.1

8.16

10.81

11.93

0
Indicar
las
diferen
cias as

11.99

importantes entre el circuito de este experimento (transistor NPN) con respecto

al anterior (transistor PNP).

Una de las diferencias fue que el primero fue de tipo PNP por ello el
colector era polarizado negativamente y para este caso es NPN en el
cual el colector es polarizado positivamente.
Tambin observamos que el sentido de la corriente en ambos son
contrarias una con respecto a la otra.
Existe una apreciable variacin de la resistencia en inversa de base-emisor,
base-colector y colector-emisor.
El medido del PNP es mayor a comparacin del NPN.
El Vi del NPN es menor a comparacin del PNP

6. Conclusiones

Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son:
Corte, saturacin y activa.

La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la

polaridad de sus electrodos

IX. BIBLIOGRAFA.
electrnica: Teora de circuitos Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
BOYLESTAD/NASHELSKY. EDITORIAL PEARSON
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
http://transistores--pnp-npn.wikispaces.com/
ELECTRNICA Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
REVERT.

/ A.L. ALBERT. EDITORIAL