Simulacin con MATLAB y SIVALCO de: Modeling the low-voltage regime of organic diodes: Origin of the ideality

factor.
I. INTRODUCCIN
Con el rpido desarrollo de los dispositivos electrnicos orgnicos, tales como diodos orgnicos emisores
de luz (OLED) y celdas fotovoltaicas orgnicas (OPV), un modelo especfico para diodos orgnicos se convierte en
una caracterstica clave para la interpretacin y la prediccin de la operacin del dispositivo. Hasta ahora, la
mayora de los modelos de diodos fueron dirigidas hacia OLEDs y por lo tanto se centr en el rgimen de alto
voltaje (por lo menos unos pocos voltios). Esto es debido al hecho de que la emisin comienza en la tensin de
inicio que es muy por encima de la difusin (es decir, una funcin de) el potencial Vd. En este rgimen, la corriente
es controlada principalmente por propiedades de volumen de la capa semiconductora. Por el contrario, una
situacin diferente prevalece en OPV, en el que el voltaje de circuito abierto corresponde aproximadamente a la
tensin incorporada, de modo que la tensin de funcionamiento es inferior a Vd. En este rgimen de baja tensin,
la corriente sigue en general un comportamiento exponencial que recuerda fuertemente el contacto de metalsemiconductor convencional (Schottky). Esta es la razn de que el modelo de diodo Schottky a menudo se invoca
para explicar el comportamiento de los diodos orgnicos.
Sin embargo, este modelo se basa en la presencia de una "regin de agotamiento" que se extiende sobre
una pequea parte de todo el espesor del semiconductor (inorgnica), que, de hecho, hace que su aplicacin a los
slidos orgnicos cuestionables.
La imperfeccin del modelo Schottky para diodos "orgnicos" es esperable cuando se toman en
consideracin en general un dispositivo y configuracin de material. En primer lugar, el espesor de una capa
orgnica es por lo general mucho ms baja (tpicamente 100 nm) que el de una oblea de Si (~ 0.7 mm). A
continuacin, los semiconductores orgnicos son, en general, sin querer dopados de manera que la densidad de
portadoras libres es extremadamente baja (tpicamente menos de 1014 cm-3).
A partir de estos dos argumentos, la anchura prevista de agotamiento es en realidad mayor que el espesor
de la pelcula en la mayora de los casos. Como consecuencia, el diagrama de energa del diodo orgnico debe ser
descrito por la representacin metal-aislante-de metal (MIM) sin ninguna regin de agotamiento "parcial".
La evidencia de tal afirmacin se inform recientemente por nuestro grupo a travs de anlisis de
impedancia en diodos basados en pentaceno.
Otra limitacin importante en los semiconductores orgnicos es la presencia de trampas, con la excepcin
de cristales orgnicos altamente puros libres de defectos. Distribucin energtica de las trampas ms a menudo
se describe como una exponencial o densidad de estados Gaussiana (DOS), cerca de los bordes de la banda de
transporte. El efecto principal de este DOS es disminuir sustancialmente la corriente bajo polarizacin directa.
En un punto de vista histrico, el modelo que aqu se presenta se basa en gran medida en el trabajo
desarrollado durante los primeros das de la electrnica de estado slido. En ese perodo, los semiconductores
fueron tratados como materiales altamente resistentes/alta resistencia, en la que los portadores de carga se
deben principalmente a la inyeccin en el electrodo de contacto (por lo tanto, la denominacin de "diodo
dielctrico"). Una obra arquetpica es que por Wright (17), que se ocupa de una corriente sola dimensin de un
solo portador en un plano paralelo a la estructura con un contacto hmico (inyeccin) (alineacin del nivel HOMO
con el ) y un contacto de bloqueo. Sobre la base de una resolucin de acoplado de ecuaciones de Poisson y las
ecuaciones de deriva de difusin, se demostr que, a bajo polarizacin directa, la corriente se produce
predominantemente por difusin de portador y aumenta exponencialmente con el voltaje aplicado, mientras que,
en mayor voltaje en polarizacin directa, el mecanismo predominante es deriva del portador y la corriente sigue
una ley de potencia limitada de carga espacial. Debido al electrodo de bloqueo, corriente inversa es despreciable
y alta relacin de rectificacin se podra lograr.

En el presente trabajo, se propone un modelo analtico simple que representa el flujo de corriente a bajo
voltaje en un diodo orgnico formado por una sola capa orgnica intercalada entre dos conductores con
diferentes funciones de trabajo.
Se muestra que la corriente resultante bastante compara con la corriente calculada por un dispositivo
basado en la simulacin fsicamente usando las ecuaciones de difusin-deriva y la integracin de elementos
finitos.
Adems de una reduccin significativa de la corriente por encima del potencial la incorporado (built-in),
se encuentra que una distribucin exponencial de las trampas conduce a una aparicin del factor de idealidad en
el rgimen exponencial (rgimen de bajo voltaje). Con los efectos de trampas incluidas en la simulacin,
podramos encajar correctamente los datos experimentales medidos en diodos de pentaceno evaporados al vaco.
II. MODELO DE ANLISIS (MODELO ANALITICO)
El modelo de diodo consiste de una capa orgnica insertado entre una funcin de trabajo alta (en lo
sucesivo designado como el nodo) y una funcin de trabajo baja (el ctodo) de electrodos, con los siguientes
supuestos: (1) en ausencia de electrodos, no hay portadores libres dentro del semiconductor (semiconductor
orgnico est completamente agotada y se comporta como un dielctrico puro); (2) slo un tipo de portador
(electrones o huecos) se inyecta desde ambos electrodos. En el resto del artculo, vamos a suponer que estos
portadores de carga son huecos (hueco de slo conduccin), teniendo en cuenta que la extensin a la de slo
electrnes o incluso sistema bipolar es sencillo (en este ltimo caso, es suficiente para resumir hasta las corrientes
de electrones y huecos).
Debido a la primera suposicin, se espera que no hay banda de flexin al contacto con el semiconductor
a los electrodos. El diagrama de energa del diodo de metal-aislante-de metal (MIM) se ilustra en la Fig. 1. Esta
figura tambin representa cualitativamente los regmenes de funcionamiento del diodo.
Cabe aclarar aqu que la movilidad puede ser considerada como constante en la configuracin de diodo
sin dependencia de la densidad portadora sobre el mismo. Esta hiptesis est apoyada por la comparacin de la
movilidad del portador-dependiente de la densidad en diodos y transistores. Este trabajo indica que, debido a la
concentracin de portadores en diodos es mucho menor, la movilidad es baja y prcticamente constante, mientras
que la movilidad en los transistores es sustancialmente mayor y ms dependiente de la densidad de portadores.
A. Caso Ideal: semiconductor sin trampas
1. Diodo en equilibrio trmico
En esta primera parte, se justifica el diagrama de energa adoptado en la Fig. 1. Se parte de la ecuacin
unidimensional de Poisson. (1) y la deriva de difusin de la ecuacin. (2).

Wa (HOMO) < Wc (LUMO) ,

( ITO(pos)-nodo- 4.7 eV ; Al(neg)-ctodo- 4.3 eV )

F: campo elctrico, [N/C], [V/m]

dF/dx : gradiente de campo elctrico, [V/m2]
q = 1.602x 10-19 C , carga elctrica
p(x): concentracin de huecos, [cm-3]
= 0 r , permittivity of the semiconductor, [F/m]

j : densidad de corriente, [A/m2]

q = 1.602x 10-19 C , carga elctrica
p: concentracin de huecos, [cm-3]
: movilidad, [m/Vs]
D: coeficiente de difusin, [cm2/s]
dp/dx : gradiente de concentracin de huecos, [cm-4]
: densidad de corriente por arrastre
: densidad de corriente por difusin
Aqu, F es la fuerza del campo elctrico, la coordenada x espacial en la direccin perpendicular a los
electrodos (x =0 en el nodo ITO), q la carga elemental, p la densidad de huecos, la permitividad del
semiconductor, j la densidad de corriente, la movilidad hueco, y D su coeficiente de difusin.
Una relacin generalizada entre el coeficiente de difusin y la movilidad se puede encontrar en el libro de
texto seminal por Ashcroft y Mermin. Su bajo lmite de densidad portadora se reduce a la relacin de Einstein D/
= kT / q, donde k es la constante de Boltzmann y T la temperatura absoluta. Varios documentos recientes discuten
la validez de esta relacin en el caso de semiconductores orgnicos. En general, se encontr que una desviacin
de la relacin de Einstein se produce con el aumento de desorden (medida por la varianza de una densidad
gaussiana de estados) y la concentracin de portadores de carga. Aqu, vamos a suponer que el semiconductor se
ordena parcialmente (o policristalino) y la concentracin de portadores es lo suficientemente bajo (semiconductor
dopado o no dopado). Bajo tales circunstancias, la relacin de Einstein se puede adoptar de forma segura. Sin
embargo, reconocemos que una mayor investigacin en este supuesto merecera un trabajo adicional en el futuro.

y ecu (1) , la ecu (2) resulta

: densidad de corriente por arrastre

: densidad de corriente por difusin

En el equilibrio (sin tensin aplicada), j = 0, lo que lleva a la ecuacin diferencial

F es la fuerza del campo elctrico, integrando una vez

Donde g es una constante de integracin (que se determinara numricamente ms adelante)

En la aproximacin de Boltzmann, Eq. (6) define una relacin entre la densidad de huecos y el potencial,

,
p0 : densidad de estados en x = 0, (para varios Eb , varios p0 )
Nv: densidad efectiva de estados en el filo/bode banda de valencia, [cm-3] , Nv = 1020 cm-3
Eb : alto de la barrera (anodo) en la interface electrodo-semiconductor [eV], (varios E).
kT = 0.0259 eV, T = 300 k
La ecuacin (5) se resolvi por primera vez por Mott y Gurney para un semiconductor semi-infinito,
entonces por Skinner para un semiconductor de espesor finito. La solucin general escribe:

F(x) campo elctrico a lo largo de x .

x1 : constante de integracin, (esta variable se cancela en el desarrollo algebraico)

x0 : longitud de Debye

(varios valores de x0, p0, Eb)

kT = 0.0259 eV
q = 1.602x 10-19 C , carga elctrica
= 0 r , permittivity of the semiconductor, [F/m] , 0 = , r = 3.6
p0 : densidad de estados en x = 0 , (varios valores de p0,varios valores de Eb )
Escribiendo que p(0) = p0 , resulta

, (varios valores de x1, x0, p0, Eb)

Sustitucin de ecu. (10) y (8) resulta

El potencial es obtenido por integracin del campo elctrico

En este caso, asumimos que V = 0 en el nodo. La constante de integracin g ahora se puede estimar
mediante la introduccin el potencial en el ctodo, V(d) = Vd, donde d es el espesor del semiconductor y Vd el
potencial de difusin (o incorporado) que es igual a la diferencia entre las funciones de trabajo del nodo y el
ctodo. En esta etapa, el clculo ya no se puede realizar por anlisis y se utiliza un clculo numrico.

Para determinar el valor de x0 a partir de Eb ,

Eb1
p01
0.1 eV
2.0896 x 10 18 cm-3

,
x01 (frmula 9)
2.2188 x 10 -8 cm

Con la frmula
para un V(d) = Vd = 0.6 volts, x = d se obtiene dos
ecuaciones (y1 , y2) en funcin de g, que se igualan, se grafican y en la interseccin es el valor para g
Vd =

ln [

( +arg sinh( 0 ))
0

( 0 ) exp ( ) = sinh( + arg sinh( 0 ))

2

y1 (g) = ( 0 ) exp (2 )
y2 (g) = sinh( + arg sinh( 0 ))
graficando las dos funciones anteriores obtenemos la interseccin con g = 57276414.77, y despus graficando
V(x) de la formula (13)
5

2.5

x 10

grfica de y1, y2 ; Eb1 = 0.1 eV , x01 = 2.2187e-008

Eb1 = 0.1 eV , x01 = 2.2187e-008 , g1=57276414.7702

0.7

0.6

2
0.5

1.5

potencial (V)

X: 5.7e+007
Y: 1.356e+005

0.4

0.3

0.2

0.5
0.1

3
valor de g , (1/m)

6
7

x 10

0.2

0.4

0.6

0.8
1
1.2
distancia (nm)

1.4

1.6

1.8

2
-7

x 10

El procedimiento anterior se repite con:

Eb2
p02
0.2 eV
4.3665 x 10 16 cm-3
Obteniendo g= 57899305.624
5

x 10

16

x02 (frmula 9)
1.53491 x 10 -5 cm
Eb2 = 0.2 eV , x02 = 1.5349e-007 , g2=57899305.6243

grfica de y1, y2 ; Eb2 = 0.2 eV , x02 = 1.5349e-007

0.7

14

0.6

12

0.5

X: 5.82e+007
Y: 9.582e+005

potencial (V)

10
8
6

0.4

0.3

0.2
4

0.1

2
0

3
valor de g , (1/m)

0.2

0.4

x 10

El procedimiento anterior se repite con:

Eb3
p03
0.3 eV
9.1244 x 10 14 cm-3
g = 57914727.4015
12

6
7

0.6

0.8
1
1.2
distancia (nm)

1.4

1.6

1.8

2
-7

x 10

x03 (frmula 9)
1.0618E x 10 -4 cm
Eb3 = 0.3 eV , x03 = 1.0618e-006 , g3=57914727.4015

6
de y1, y2 ; Eb = 0.3 eV , x03 = 1.0618e-006 , g3=57914727.4015
xgrfica
10

0.7

0.6
10

0.5

potencial (V)

0.4

0.3

0.2
2

0.1

Resumen
Eb
0.1 eV
0.2 eV
0.3 eV

3
valor de g , (1/m)

p0
2.0896 x 10 18 cm-3
4.3665 x 10 16 cm-3
9.1244 x 10 14 cm-3

0.2

0.4

x 10

x0 (frmula 9)
2.2188 x 10 -8 cm
1.53491 x 10 -5 cm
1.0618E x 10 -4 cm

0.6

0.8
1
1.2
distancia (nm)

g
57276414.77
57899305.624
57914727.4015

1.4

1.6

1.8

2
-7

x 10

potencial V(x ), Eb1 (azul) , Eb2(rojo) , Eb3(negro)

0.7

0.6

potencial (V)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8
1
1.2
distancia (nm)

1.4

1.6

1.8

2
-7

x 10