TRANSISTORES.

Antes de 1950 todo equipo electrnico utilizaba vlvulas al vaco, que son bulbos
con un brillo te-nue, que predominaban en la industria. El calefactor de una vlvula
al vaco normal consuma un par de watts, por lo que el equipo requera una el
primer transistor de unin, que fue todo un aconte-cimiento porque signific un
gran cambio. El impacto del transistor en la electrnica ha sido enorme, pues
adems de fuente de alimentacin voluminosa que generaba una cantidad
considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseadores. El
resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley invent iniciar la
industria multinllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros
inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrni-cos y los
microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico utiliza dispositivos
semi-conductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las
computadoras.
Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con
una zona comn. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La
zona comn se denomina base y las dos zonas exteriores en contacto con la base
son el emisor y el colector.
Para que el transistor funcione correctamente, la unin correspondiente al diodo
emisor-base debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unin
correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en sentido inverso.
Si se conecta nicamente el circuito emisor-base, con dolarizacin directa, se
establece una circula-cin elctrica desde el emisor a la base a travs de la unin.
Desconectando la alimentacin en el circuito emisor-base y comunicando el
conector-base con dolarizacin en sentido inverso, la circu-lacin ser
prcticamente ambas uniones emisor-base y colector-base, se establecer una
corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente esta determinada por la
tensin positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relacin a la
base.
El factor de amplificacin de corriente de in transistor es la relacin entre la
corriente de colector y la del emisor.
La caracterstica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensin del emisor,
se pueden obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda
comparrsele con una vlvula termoi-nica. El emisor, la base y el colector del
transistor pueden identificarse con el ctodo, rejilla y nodo de trodo,
respectivamente.

Hay dos tipos de transistores:

ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento
intervienen co-rrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga
negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan monopolares porque slo
hay corrientes de un tipo.
Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La
base es el terminal que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres
partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor
dopaje es la base, a continuacin se encuentra el colector y por ltimo el emisor.
Estudio de las corrientes
El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para
el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no
existen corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres
corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la
corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn dibuja-das estas corrientes
segn convenio, positivas hacia adentro:

TRANSISTORES UNIPOLARES
El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente est basado en el
movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de ah el prefijo bi-; adems, las uniones
PN se po-larizan en sentido directo e inverso. Otro tipo de transistores muy importante son los
unipolares que se basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por ello
el prefijo uni-. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan siempre en inverso. El
funcionamiento de estos transistores es significativamente diferente a los bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de efecto de campo,
JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N y transistores de canal P, y los
tran-sistores metal-xido-semiconductor de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se
distin-guen dos subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se
dividen al igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuacin muestra la simbologa
para los diferentes tipos de transistores.