Diodos de Potencia

Clasificacin y descripcin
Acosta Rodrguez Raymundo Ulises
psycho_raver_@hotmail.com

Limn Fragoso Eduardo

guard_angel@hotmail.com

Electrnica de Potencia
UAEH CBI

Resumen.
En este breve trabajo de investigacin nos pudimos
percatar de como es el funcionamiento de los diodos
de potencia, as como el porque de las clasificaciones
de estos, y a su vez el estudio de los modelos de
diodos ideal, y los tiempos de recuperacin inversa.

Aplicaciones

Introduccin.

Diodos Schotkky

Diodos de potencia.

Caractersticas

Componente electrnico ampliamente utilizado en la

electrnica de potencia. A diferencia de los diodos de
baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea cada de
tensin en estado de conduccin y en sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensin
negativa de nodo con una pequea intensidad de
fugas.

IFAV: 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns

Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).

Inversores.
UPS.
Accionamiento de motores CA.

Aplicaciones

Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia
Caractersticas

Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de libre circulacin.
Cargadores de bateras.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)

IFAV: 1A 6000 A
VRRM: 400 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 s

Caractersticas
IFAV: 0,45A 2 A
VR: 7,5kV 18kV
VRRM: 20V 100V
trr: 150 ns

Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).

Diodos para aplicaciones especiales (alta

corriente)

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)

Caractersticas

IFAV: 30A 200 A

VRRM: 400 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 s

IFAV: 50A 7000 A

VRRM: 400V 2500V
VF: 2V
trr:10 s

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Aplicaciones

Parmetros en estado de conduccin

Aplicaciones de alta corriente.

Caractersticas

Intensidad media nominal (IFAV):Es el valor

medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el diodo puede
soportar con la cpsula mantenida a
determinada temperatura (110 C
normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Mxima
intensidad que puede ser soportada cada 20
ms por tiempo indefinido, con duracin de
pico de 1ms a determinada temperatura de la
cpsula.
Intensidad de pico nico (IFSM):Es el
mximo pico de intensidad aplicable por una
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de
pico de 10ms.

Modelo esttico
Figura VII.
La curva caracterstica se muestra a continuacin en
la figura VII.
Las caractersticas ms importantes del diodo
podemos agrupar de la siguiente forma:
Figura II.

Caractersticas estticas

Los distintos modelos del diodo en su regin directa

(modelos estticos) se representan en la figura II.
Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo
cual debemos escoger el modelo adecuado segn el
nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se
suelen emplear para clculos a mano, reservando
modelos ms complejos para programas de
simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden
venir ya en las libreras del programa. a) Modelo
Ideal b) Diodo ideal en serie con fuente de tensin. c)
Diodo ideal en serie con fuente de tensin y con la
resistencia del diodo en conduccin.

Parmetros en bloqueo (polarizacin

inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de trabajo (VRWM):Tensin

inversa mxima que puede ser soportada por
el diodo de forma continuada sin peligro de
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo
(VRRM):Tensin inversa mxima que puede
ser soportada en picos de 1ms repetidos cada
10 ms por tiempo indefinido.
Tensin inversa de pico nico
(VRSM):Tensin inversa mxima que puede
ser soportada por una sola vez cada 10 min o
ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura (VR):Si es alcanzada,
aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus
caractersticas elctricas.

Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso (trr).

Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.

Tiempo de recuperacin inverso: El paso del estado

de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un el diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la
unin P-N est saturada de portadores mayoritarios

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con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea

IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa
forzamos la anulacin de la corriente con cierta
velocidad di/dt, resultar que despus del paso por
cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante. La tensin inversa entre nodo y
ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unin
la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda
un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de
un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso
de portadores.

Potencia mxima disipable (Pmx):Es un valor de

potencia que el dispositivo puede disipar, pero no
debemos confundirlo con la potencia que disipa el
diodo durante el funcionamiento, llamada sta
potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV):Es la disipacin de
potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra
en estado de conduccin, si se desprecia la potencia
disipada debida a la corriente de fugas.
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM):Es la
mxima potencia que puede disipar el dispositivo en
estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva
(PRSM):Similar a la anterior, pero dada para un
pulso nico.

ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo

que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta
que sta se anula, y es debido a la descarga
de la capacidad de la unin polarizada en
inverso. En la prctica se suele medir desde
el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de ste.
trr(tiempo de recuperacin inversa): es la
suma de ta y tb.

Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx):Es el lmite
superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos
evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en
lugar de la temperatura de la unin se nos da la
"operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un
intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mnimo y otro mximo.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de

suavizado "SF".

Temperatura de almacenamiento (Tstg):Es la

temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Influencia del trr en la conmutacin: Si el tiempo

que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el
tiempo de recuperacin inversa.

Modelo ideal de un diodo.

El modelo ideal de un diodo es la aproximacin
menos precisa y puede ser representado por un
interruptor simple. Cuando el diodo est polarizado
en directa, acta idealmente como un interruptor
cerrado (prendido). Cuando el diodo est polarizado
en inversa, idealmente acta como un interruptor
abierto (apagado). Aunque el potencial de barrera, la
resistencia dinmica de polarizacin en directa y la
corriente de polarizacin en inversa se desprecian,
este modelo es adecuado en la mayora de las
situaciones de solucin de fallas cuando se est
tratando de determinar si el diodo est trabajando
apropiadamente.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos

de recuperacin rpida. Factores de los que depende
trr :

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que
atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Potencia

Potencia mxima disipable.

Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.

Modelo prctico de un diodo.

El modelo prctico de un diodo El modelo prctico
incluye el potencial de barrera. Cuando el diodo est

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polarizado en directa, equivale a un interruptor

cerrado en serie con una pequea fuente de voltaje
equivalente (VF) igual al potencial de barrera (0.7 V)
con el lado positivo hacia el nodo. Esta fuente de
voltaje equivalente representa el poten- cial de
barrera que debe ser excedido por el voltaje de
polarizacin antes de que el diodo conduzca y no sea
una fuente de voltaje activa. Cuando conduce,
aparece una cada de voltaje de 0.7 V a travs del
diodo.

pase a ser la distribucin de la figura 1.1.b.,

correspondiente a la distribucin en polarizacin
inversa

Modelo completo de un diodo.

El modelo completo de diodo El modelo completo de
un diodo es la aproximacin ms pre- cisa e incluye
el potencial de barrera, la pequea resistencia
dinmica de polarizacin en directa (rd), y la gran
resistencia interna de polarizacin en inversa (rR).
La resistencia de polarizacin en inversa se toma en
cuenta porque proporciona una trayectoria para la
corriente de polarizacin en inversa, la cual est
incluida en este modelo de diodo.
Cuando el diodo est polarizado en directa, acta
como un interruptor cerrado en serie con el voltaje de
potencial de barrera equivalente (VB) y la pequea
resistencia dinmica de polariza- cin en directa (rd).
Cuando el diodo est polarizado en inver- sa, acta
como un interruptor abierto en paralelo con la gran
resistencia interna de polarizacin en inversa (rR) El
potencial de barrera no afecta la polariza- cin en
inversa, por lo que no es un factor.

Tiempo de transicin y de almacenamiento

En la figura 2 se indica la secuencia que acompaa la

Tiempo de Recuperacion en Inversa del Diodo

inversin del sentido directo al inverso, en la

polarizacin del diodo. Consideremos que la tensin

Cuando se aplica una polarizacin directa a una unin

de la figura 2.b se aplica al circuito

p-n, la densidad de portadores minoritarios es la

resistencia diodo de la figura 2.a. Durante largo

indicada por la figura 1, donde se observa el

tiempo y hasta t1, se ha aplicado la tensin de

incremento de los portadores minoritarios en las

polarizacin en el sentido directo vi = VF. La

adyacencias de la unin provenientes de la inyeccin

resistencia RL se supone lo suficientemente grande

desde el otro lado de la unin donde estn en exceso

como para que la diferencia de potencial entre sus

por ser mayoritarios.

extremos sea elevada comparada con la del diodo. En

Si la polarizacin de un circuito con

este caso la corriente ser i = VF/RL = IF. En el

un diodo polarizado en sentido directo, pasa a ser en

instante t = t1, la tensin de entrada se invierte

sentido inverso, la corriente no podr pasar

bruscamente al valor v = -VR. Por las razones

inmediatamente al valor que corresponde a la

descritas anteriormente, la corriente no baja a cero,

polarizacin inversa. La corriente no puede anularse a

sino que se invierte y permanece a un valor i = -

su valor de equilibrio hasta que la distribucin de

VR/RL = -IR hasta que transcurre un tiempo t = t2.

portadores minoritarios, que en el momento de

En ese momento, tal como se observa en la figura 3.c,

invertir la tensin era la indicada en la figura 1.1.a.,

la densidad de portadores minoritarios pn a x = 0 ha

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de la concentracin de minoritarios (figura 2.c.) no se

debe solamente a la corriente inversa sino que se
presenta tambin el fenmeno de recombinacin de
cargas por el cual la concentracin de minoritarios
tiende a pno con el tiempo.
Este hecho puede contribuir positivamente a mejorar
el tiempo trr de un diodo, puesto que cargas que se
recombinan son cargas que no formarn corriente
inversa. Resulta interesante mencionar que un mtodo
tecnolgico para aumentar la velocidad de
recombinacin en un semiconductor dopado consiste
en agregar pequeas cantidades de metales como el
oro para crear centros de recombinacin.

alcanzado su estado de equilibrio pno. Si la

resistencia hmica del diodo es Rd. la tensin del
diodo desde t1 cae lentamente pero no se invierte.
Para t = t2, cuando el exceso de portadores
minoritarios en las inmediaciones de la unin ha
pasado a travs de ella, la tensin en el diodo empieza
a invertirse y la corriente a decrecer. El intervalo de
t1 a t2 en el que la carga de minoritarios llega a ser
cero, se denomina tiempo de almacenamiento ts.
El lapso de tiempo transcurrido entre t2 y el momento

Especificaciones de los fabricantes:

en que el diodo se ha recuperado totalmente, se

denomina tiempo de transicin ttr. Este intervalo de
recuperacin se completa cuando los portadores

Originalmente los diodos rectificadores registrados en

minoritarios que se hallan a cierta distancia de la

el JEDEC (Joint Electron Device Engineering

unin lleguen a difundirse a travs de ella,

Council of the Electronic Industries Association, EIA,

atravesndola, y, a la vez, cuando la capacidad de

and National Electrical manufacturer Association,

transicin de la unin polarizada en inversa se cargue

NEMA) no requeran especificaciones de

a la tensin -VR a travs de la resistencia RL.

conmutacin ya que las principales aplicaciones eran

de 50-60 Hz. Actualmente la amplia aplicacin de los
diodos en conmutacin de altas potencias requiere de
especificaciones precisas que aseguren la
compatibilidad entre dispositivos de distintos
fabricantes; para esto se utiliza normalmente un
circuito de test para obtencin de los valores lmites
de trr como el mostrado en la figura 3originalmente
proyectado por JEDEC en 1970. Los componentes
del circuito se deben ajustar a las condiciones
especificadas para el test como por ejemplo:
* Tc = 25C
* frecuencia de repeticin de pulsos = 60 Hz
* di/dt = 25 A/us
* Corriente directa pico 4 veces mayor que la
nominal
* Duracin del pulso pequea para minimizar la
disipacin de potencia.

Recombinacin de la carga, Qrr

Durante el tiempo de almacenamiento la disminucin

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La figura 5 muestra la forma de onda idealizada de la

corriente en el dominio del tiemporesultante del
circuito de la figura 4.
El tiempo de recuperacin inversa es normalmente
medido entre el momento en que la corriente
(previamente polarizada a IF) pasa por cero, en el
flanco descendente, y el momento en que la corriente
inversa alcanza un valor menor al 10% de la corriente
pico inversa IRM. Observando la figura 5, trr est
dividido en dos partes. ta es el tiempo que tarda la
Este circuito es difcil de adaptar a las condiciones

concentracin de minoritarios en llegar al valor de

necesarias para medir diodos ultrarrpidos, por

equilibrio y tb es el tiempo que tarda en formarse la

ejemplo, en los que el trr est por debajo de los 100

zona de deplexin. El total de la carga desalojada se

ns. El problema principal lo presenta el inductor que

llama carga de recuperacin inversa Qrr que es la

se usa para generar el pulso de corriente positiva que

suma de Qa y Qb (Qf) representadas por las reas

provoca oscilaciones cuando el diodo entra en la zona

debajo de la forma de onda durante ta y tb

de alta impedancia (tb) de la recuperacin

respectivamente. Asumiendo que Qrr est

dificultando con esto la medicin de esta zona.

predominantemente formado Qa entonces el trr es

Debido a esto la nueva versin del Standard ANSI-

aproximadamente igual a ta.

EIA-282-A-1989 desarrollado por el comit JEDEC

Tiempo de recuperacin en inversa, trr

en diodos rectificadores y tiristores, y aprobado por

ANSI en Septiembre de 1989, presenta la manera de
manejar el diodo con pulsos cuadrados derivados de
un circuito con MOSFETs de potencia. El circuito
mostrado en la figura 4 permite valores altos de di/dt,
tpicos de los circuitos de potencia modernos,
manteniendo los valores de inductancia bajos.

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Al final del periodo denotado como ta, la impedancia

El tiempo trr depende de la carga inversa, y de la

del diodo comienza a crecer provocando el

velocidad de decrecimiento de la corriente, adems de

decaimiento de la corriente inversa. La naturaleza del

la temperatura.

decaimiento durante tb depende de las impurezas del

Ejemplo

diodo y del circuito de testeo. Si la forma de onda

decae suavemente de manera exponencial como se
muestra en la figura 5.a, se dice que el diodo es
de recuperacin suave. Si en algn punto durante tb
la forma de onda exhibe una variacin rpida en la
pendiente como se muestra en las otras figuras,
la recuperacin es abrupta. Este hecho provoca
ciertas dificultades para establecer un parmetro
estndar de medicin por lo que se deber especificar
la forma en que se toma la medicin para cada
dispositivo en particular.
El mtodo de medir ta coincide con los fabricantes,
pero el mtodo de medir tb no. En el caso de la figura
5.b y c el mtodo es el cruce por cero, debido a que
en esta zona est la principal cantidad de carga
evacuada.
Relaciones entre Qrr y trr

Recuperacin en Directa
Es la cantidad de portadores de carga que fluyen a
travs del diodo durante el tiempo de recuperacin
en inversa, trr debido a un cambio de conduccin
directa a inversa. Su valor queda determinado por el
rea encerrada por la trayectoria de recuperacin en
inversa.

Si un diodo est en condicin de polarizacin inversa,

fluye una corriente de fuga debido a los portadores
minoritarios.Si ahora se le aplica una polarizacin
directa, se obligara al diodo a conducir. Pero, se
requiere un cierto tiempo, conocido como tiempo de
recuperacin en directa, antes de que los
portadores mayoritarios de toda la unin puedan
contribuir al flujo de la corriente. Si el valor de es

Pero, debido a crecimientos lentos de es pequeo

alto, la corriente podra estar concentrada en forma no

comparado con tf , las frmulas se simplifican en:

homognea en la zona de la unin y el diodo podra

fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin en
directo limita la velocidad de elevacin de la
corriente directa. Respecto a las limitaciones de la
velocidad de conmutacin, es despreciable frente
al trr.

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[1]Dorf, Svoboda, T. L. (2009). Circuitos

Electrnicos (6th ed.) Printed in Mxico: Alfaomega
[2]Boylestad, T. L. (2003).Introductory circuit
analysis (10th ed.) Upper Saddle River, New Jersey,
Columbus, Ohio: Prentice Hall.
[3] Floyd, T. L. (2007). Principles of electric circuits
conventional current version. (8th ed ed.) Upper
Saddle River, N.J: Pearson Prentice Hall.
[4]_http://electrica.ing.ues.edu.sv/pub/asignaturas

/ael115/Unidad-III%20AC/31%20Valor%20medio%20y%20eficaz%20%28r
ms%29.pdf

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