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CURSO ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

SEMICONDUCTORES:
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

CURSO ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

CANAL N (JFET-N)
UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

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Analogas y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.


BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados
por tensin. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin aplicada.
En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de conduccin del
circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud
controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto
de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Los BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los
transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente de un nico tipo de
portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles de hasta
varios cientos de megahmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan
impedancias de entrada del orden de unos pocos kilohmios. Esto proporciona a los FET una posicin de
ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Las ganancias de tensin en alterna de los amplificadores con BJT son mucho mayores que las los FET.
En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente, ms pequeos en construccin que los
BJT, lo que les hace particularmente tiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Otra caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o
condensadores, lo que posibilita la realizacin de circuitos utilizando nica y exclusivamente transistores FET.

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SIMBOLOGA
BJT-Bipolar

JFET

MOSFET MOSFET

MOSFET

(empobrecimiento)(doble puerta) (enriquecimiento)

UJT
(Uniunin)

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JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)


ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE

D
ID

UGS[V]
0
-10
-20
-30

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO


SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA
(UGS) JUEGA EL PAPEL E LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

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CURVA CARACTERSTICA JFET DE CANAL N

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO JFET.

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MODULACIN ANCHURA CANAL POR VGS.

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POLARIZACIONES JFET
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin
positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin
VDS a aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido
de la fuente hacia el drenador.

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MOSFET DE CANAL N
COMENTARIO:

D
Aunque a veces se dibuje el smbolo con un
diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.

ID
G

UGS[V]
=+15 V
=+10 V

S
S

=+5 V
=0V

Diodo parsito
(Substrato - Drenador)

VDS

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Efecto de VGS ; a) VGS = 0 b) VGS > 0.


Si aplicamos una tensin VGS =0, aunque apliquemos una tensin VDS no circular corriente alguna por
el dispositivo, ya que la unin de drenador est polarizada en inversa.
Sin embargo, cuando VGS >0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones hacia la zona de la
puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no pudindose establecer una corriente por estar la puerta
aislada. Para valores pequeos de esta tensin VGS aplicada se crear una zona de carga de espacio (sin
portadores), sin embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensin, la acumulacin de
electrones se har lo suficientemente importante como para decir que tenemos una zona n, es decir, se
formar un canal de tipo n que unir los terminales de drenador y fuente.
Con la tensin VGS podemos modular la anchura del canal, pero no basta con que esta tensin sea
positiva, sino que deber superar un de terminado nivel de tensin. se le suele llamar VT.

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TIPOS DE MOSFET
MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento, el canal no existe en origen.
Debe crearse el canal acumulndose carga en la puerta.
MOSFET de deplexin o empobrecimiento, el canal existe en origen. Debe
vaciars

La forma de distinguir unos de otros es en funcin del signo de VT:


En un N-MOS: VT >0 indica un N-MOS de acumulacin
VT <0 indica un N-MOS de vaciamiento
En un P-MOS: VT <0 indica un P-MOS de acumulacin
VT >0 indica un P-MOS de vaciamiento

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MOSFET (precauciones con la puerta)


La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones


bastante pequeas (valores
tpicos de 30 V).

ID

- 30 V

No debe dejarse nunca al aire y


debe protegerse
adecuadamente.

+ 30 V

VGS

G
S

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APLICACIONES
Los transistores FET pueden ser utilizados en circuitos de amplificacin, como fuentes de corriente
dependientes de tensin y como interruptores controlables. El mayor campo de aplicacin de los MOS
son las puertas digitales, de las que el inversor es un ejemplo.
Interruptor controlable:
Esta configuracin circuital es utilizada en Electrnica de Potencia y
Digital. Los transistores trabajan entre los modos de corte (OFF) y lineal
(ON), controlados por el valor de la tensin aplicada en el terminal de
puerta, Vi. Suponiendo un transistor N-MOS de acumulacin (VT=0):
Vi < VT; p.e. Vi = 0; NMOS en OFF: Vo VDD; IDS = 0;
Vi > VT+VDS; p.e. Vi = VDD; NMOS en ON: Vo 0; IDS = VDD/R;
Inversor CMOS:
Esta configuracin circuital
es utilizada en E.Digital, y se
denomina CMOS
(Complementary MOS) por
disponer transistores
complementarios.
Los dos transistores trabajan
en conmutacin de forma
opuesta: cuando el
NMOS conduce el PMOS
queda en corte, y viceversa.